KR20210080200A

KR20210080200A - 다이싱 다이 본드 필름

Info

Publication number: KR20210080200A
Application number: KR1020200157529A
Authority: KR
Inventors: 아키히로 후쿠이; 슘페이 다나카; 아키노리 다무라
Original assignee: 닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date: 2019-12-20
Filing date: 2020-11-23
Publication date: 2021-06-30
Also published as: TW202132511A; JP2021100031A; JP7430056B2; CN113004817A

Abstract

본 발명에 관한 다이싱 다이 본드 필름은, 상기 다이싱 테이프의 점착제층 상에 적층된 다이 본드층을 구비하고, 삼차원 좌표로 표시되는, 상기 점착제층의 한센 용해도 파라미터(δ_dA, δ_pA, δ_hA)와, 삼차원 좌표로 표시되는, 상기 다이 본드층의 한센 용해도 파라미터(δ_dD, δ_pD, δ_hD)를 사용하여 산출되는 한센 용해도 파라미터 거리 Ra가, 3 이상 14 이하이다.

Description

다이싱 다이 본드 필름{DICING DIE-BONDING FILM}

[관련 출원의 상호 참조]

본원은, 일본 특허 출원 제2019-230419호의 우선권을 주장하고, 인용에 의해 본원 명세서의 기재에 포함된다.

본 발명은, 다이싱 다이 본드 필름에 관한 것이다.

종래, 반도체 장치의 제조에 있어서, 다이 본딩용의 반도체 칩을 얻기 위해, 다이싱 다이 본드 필름을 사용하는 것이 알려져 있다.

상기 다이싱 다이 본드 필름은, 기재층 상에 점착제층이 적층된 다이싱 테이프와, 해당 다이싱 테이프의 점착제층 상에 박리 가능하게 적층된 다이 본드층을 구비하고 있다.

그리고, 상기 다이싱 다이 본드 필름을 사용하여 다이 본딩용의 반도체 칩(다이)을 얻는 방법으로서, 반도체 웨이퍼를 할단 처리에 의해 칩(다이)으로 가공해야 할 반도체 웨이퍼에 홈을 형성하는 하프컷 공정과, 하프컷 공정 후의 반도체 웨이퍼를 연삭하여 두께를 얇게 하는 백그라인드 공정과, 백그라인드 공정 후의 반도체 웨이퍼의 일면(예를 들어, 회로면과는 반대측의 면)을 다이 본드층에 첩부하여, 다이싱 테이프에 반도체 웨이퍼를 고정하는 마운트 공정과, 하프컷 가공된 반도체 칩끼리의 간격을 넓히는 익스팬드 공정과, 반도체 칩끼리의 간격을 유지하는 커프 유지 공정과, 다이 본드층과 점착제층 사이를 박리하여 다이 본드층이 첩부된 상태에서 반도체 칩을 취출하는 픽업 공정과, 다이 본드층이 첩부된 상태의 반도체 칩을 피착체(예를 들어, 실장 기판 등)에 접착시키는 다이 본드 공정을 갖는 방법을 채용하는 것이 알려져 있다.

또한, 상기 커프 유지 공정에 있어서는, 다이싱 테이프에 열풍(예를 들어, 100 내지 130℃)을 쐬어 다이싱 테이프를 열수축시킨 후(히트 슈링크시킨 후) 냉각 고화시켜, 할단된 인접하는 반도체 칩간의 거리(커프)를 유지하고 있다.

또한, 상기 익스팬드 공정에서는, 상기 다이 본드층은, 개편화된 복수의 반도체 칩의 사이즈에 상당하는 크기로 할단된다.

그런데, 상기 다이 본드층이 개편화된 후에, 다이 본드층 구비의 반도체 칩의 외주연 부분이 상기 점착제층의 표면으로부터 들뜨는 칩 들뜸이 발생하는 경우가 있다.

이와 같은 칩 들뜸을 억제하기 위해, 예를 들어 특허문헌 1에는, 특정 물성을 갖는 다이싱 테이프를 사용하는 것이 기재되어 있다.

상세하게는, 적어도 1방향의, 23℃의 온도 조건에서 30％ 연신하고 나서 1000초 후의 응력 완화율이 45％ 이상이고, 또한, 상기 적어도 일방향의, 23℃의 온도 조건에서 30％ 연신하고 나서 1000초 후의 응력값이 4㎫ 이하인 다이싱 테이프를 사용하는 것이 기재되어 있다.

일본 특허 공개 제2019-16633호 공보

그러나, 다이 본드층이 개편화된 후에 발생하는 칩 들뜸의 억제에 대하여, 아직 충분한 검토가 이루어져 있다고는 말하기 어렵다.

또한, 상기한 바와 같이, 상기 다이 본드층은, 상기 픽업 공정에 있어서 상기 점착제층으로부터 박리(분리)되지만, 상기 픽업 공정보다도 전에 있어서는, 상기 다이 본드층 및 상기 점착제층은 접촉된 상태에 있다.

그 때문에, 상기 다이 본드층에 포함되는 성분이 상기 점착제층 중으로 이행하거나, 상기 점착제층에 포함되는 성분이 상기 다이 본드층 중으로 이행하거나 하는 경우가 있다. 이와 같이, 상기 다이 본드층 및 상기 점착제층간에서의 성분 이행이 발생하면, 상기 다이 본드층 및 상기 점착제층은, 각각에 요구되는 특성을 만족시킬 수 없게 되는 경우가 있기 때문에 바람직하지 않다.

그러나, 상기 다이 본드층 및 상기 점착제층간에서의 성분 이행을 억제하는 것에 대하여, 아직 충분한 검토가 이루어져 있다고는 말하기 어렵다.

그래서, 본 발명은 다이 본드층이 개편화된 후에 발생하는 칩 들뜸을 비교적 억제할 수 있고, 또한, 다이 본드층 및 점착제층간에서의 성분 이행을 비교적 억제할 수 있는 다이싱 다이 본드 필름을 제공하는 것을 과제로 한다.

본 발명에 관한 다이싱 다이 본드 필름은,

기재층 상에 점착제층이 적층된 다이싱 테이프와,

상기 다이싱 테이프의 점착제층 상에 적층된 다이 본드층을 구비하고,

삼차원 좌표로 표시되는, 상기 점착제층의 한센 용해도 파라미터(δ_dA, δ_pA, δ_hA)와, 삼차원 좌표로 표시되는, 상기 다이 본드층의 한센 용해도 파라미터(δ_dD, δ_pD, δ_hD)를 사용하여, 하기 식 (1)에서 산출되는 한센 용해도 파라미터 거리 Ra가, 3 이상 14 이하이다.

(단, δ_dD 및 δ_dA는 분산항이고, δ_pD 및 δ_pA는 극성항이며, δ_hD 및 δ_hA는 수소 결합항임)

상기 다이싱 다이 본드 필름에 있어서는,

상기 점착제층에 있어서의 한센 용해도 파라미터의 분산항 δ_dA의 값과, 상기 다이 본드층에 있어서의 한센 용해도 파라미터의 분산항 δ_dD의 값의 차의 절댓값이, 0.4 이상 3.0 이하인 것이 바람직하다.

상기 다이싱 다이 본드 필름에 있어서는,

상기 점착제층에 있어서의 한센 용해도 파라미터의 극성항 δ_pA의 값과, 상기 다이 본드층에 있어서의 한센 용해도 파라미터의 극성항 δ_pD의 차의 절댓값이, 1.5 이상 10.0 이하인 것이 바람직하다.

상기 다이싱 다이 본드 필름에 있어서는,

상기 점착제층에 있어서의 한센 용해도 파라미터의 수소 결합항 δ_hA의 값과, 상기 다이 본드층에 있어서의 한센 용해도 파라미터의 수소 결합항 δ_hD의 값의 차의 절댓값이, 0.5 이상 6.5 이하인 것이 바람직하다.

상기 점착제층에 대한 상기 다이 본드층의 박리력이 0.5N/20㎜ 이상인 것이 바람직하다.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름의 구성을 도시하는 단면도.
도 2a는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 하프컷 가공의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 2b는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 하프컷 가공의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 2c는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 백그라인드 가공의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 2d는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 백그라인드 가공의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 3a는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 마운트 공정의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 3b는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 마운트 공정의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 4a는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 저온에서의 익스팬드 공정의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 4b는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 저온에서의 익스팬드 공정의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 4c는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 저온에서의 익스팬드 공정의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 5a는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 상온에서의 익스팬드 공정의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 5b는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 상온에서의 익스팬드 공정의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 6은 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 커프 유지 공정의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.
도 7은 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 픽업 공정의 모습을 모식적으로 도시하는 단면도.

이하, 본 발명의 일 실시 형태에 대하여 설명한다.

[다이싱 다이 본드 필름]

도 1에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름(20)은, 기재층(1) 상에 점착제층(2)이 적층된 다이싱 테이프(10)와, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2) 상에 적층된 다이 본드층(3)을 구비한다.

다이싱 다이 본드 필름(20)에서는, 다이 본드층(3) 상에 반도체 웨이퍼가 첩부된다.

다이싱 다이 본드 필름(20)을 사용한 반도체 웨이퍼의 할단에 있어서는, 반도체 웨이퍼와 함께 다이 본드층(3)도 할단된다. 다이 본드층(3)은, 개편화된 복수의 반도체 칩의 사이즈에 상당하는 크기로 할단된다. 이에 의해, 다이 본드층(3) 구비의 반도체 칩을 얻을 수 있다.

본 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름(20)은, 삼차원 좌표로 표시되는, 점착제층(2)의 한센 용해도 파라미터(δ_dA, δ_pA, δ_hA)와, 삼차원 좌표로 표시되는, 다이 본드층(3)의 한센 용해도 파라미터(δ_dD, δ_pD, δ_hD)를 사용하여, 하기 식 (1)에서 산출되는 한센 용해도 파라미터 거리 Ra가, 3 이상 14 이하이다.

한센 용해도 파라미터는, 힐데브란트(Hildebrand) 용해 파라미터를, 분산항, 극성항 및 수소 결합항의 3성분으로 분할한 것이며, 상기 분산항, 상기 극성항 및 상기 수소 결합항은, 3차원 좌표로 나타낼 수 있다. 예를 들어, A 성분 및 B 성분의 서로의 용해성(상용성)에 대하여 평가하는 경우, A 성분의 3차원 좌표와 B 성분의 3차원 좌표가 가까운 위치 관계에 있으면, 상용성이 높다고 판단되고, A 성분의 3차원 좌표와 B 성분의 3차원 좌표가 먼 위치 관계에 있으면, 상용성이 낮다고 판단된다. 즉, 상기 식 (1)을 사용하여 산출되는 한센 용해도 파라미터 거리 Ra의 값이 작을수록, A 성분과 B 성분의 상용성이 높다고 판단되고, Ra의 값이 클수록, A 성분과 B 성분의 상용성이 낮다고 판단된다.

또한, 상기 분산항은 반데르발스 힘에 관한 항이고, 상기 극성항은 다이폴·모멘트에 관한 항이며, 상기 수소 결합항은 수소 결합에 관한 항이다.

점착제층(2)의 한센 용해도 파라미터에 있어서의, 분산항 δ_dA, 극성항 δ_pA 및 수소 결합항 δ_hA, 그리고, 다이 본드층(3)의 한센 용해도 파라미터에 있어서의, 분산항 δ_dD, 극성항 δ_pD 및 수소 결합항 δ_hD는, 한센 용해구법(Hansen Solubility sphere법)을 사용하여, 삼차원 좌표에 의해 구할 수 있다.

점착제층(2)의 삼차원 좌표(δ_dA, δ_pA, δ_hA)는, 한센 용해구법을 사용하여 이하와 같이 하여 구할 수 있다.

(1) 평가용 시료로서, 다이 본드층(3) 및 기재층(1)이 혼입되지 않도록, 다이싱 다이 본드 필름(20)으로부터 점착제층(2)의 일부를 취출한다.

(2) 평가용 시료(취출한 점착제층(2))를, 농도가 0.5mg/mL이 되도록, 평가용 용제에 첨가한다. 해당 평가용 용제로서는, 한센 용해도 파라미터가 기지인 용제, 즉, 분산항, 극성항 및 수소 결합항의 값이 기지인 용제를 사용한다. 본 실시 형태에서는, 이와 같은 용제로서, 아세톤, 톨루엔, 아세트산에틸, 에탄올, 클로로포름, 디메틸술폭시드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈, γ-부티로락톤, 1,1,2,2-테트라브로모에탄, 1-부탄올, 4-메틸-2-펜타논, 2-프로판올, 시클로헥산, 포름아미드, 2-메톡시에탄올, 아세트산, 벤질알코올, 에탄올아민, 메틸에틸케톤, 메틸시클로헥산, 테트라히드로푸란, 아닐린, 1,4-디옥산, 살리실알데히드, 에틸렌글리콜을 사용한다.

즉, 평가용 시료를, 상기 각 평가용 용제에 각각 첨가한다.

(3) 평가용 시료를 첨가한 각 평가용 용제를, 침투나 교반 등을 행하지 않고, 실온(23±2℃) 또한 차광 조건에서 24시간 정치한 후, 각 평가용 용제에 대하여 평가용 시료의 팽윤 정도를 평가한다.

(4) 해석 소프트웨어 「Hansen Solubility Parameter in Practice(HSPiP) Ver.4」를 사용하여, 상기 각 평가용 용제의 한센 용해도 파라미터(분산항, 극성항 및 수소 결합항)를 삼차원 공간에 좌표(δ_d, δ_p, δ_h)로서 플롯한다.

(5) 상기 각 평가용 용제에 있어서의 평가용 시료의 상태의 평가 결과에 따라서, 점착제층(2)에 대한 양용매, 및, 점착제층(2)에 대한 빈용매를 판정한 결과를, 스코어로서, 해석 소프트웨어 「HSPiP」에 인풋하고, 해석 소프트웨어 「HSPiP」에서, 양용매가 내측, 빈용매가 외측이 되도록 한센 용해구를 작성한다. 그리고, 상기 한센 용해구의 중심 좌표를 구하고, 그 중심 좌표를 점착제층(2)의 한센 용해도 파라미터(δ_dA, δ_pA, δ_hA)로 한다.

또한, 양용매 및 빈용매의 판정은, 이하의 스코어에 따른다.

· 스코어1

평가용 시료가 55％를 초과하는 팽윤율 Sr로 팽윤한 상태로 존재하고 있거나, 평가용 시료가 평가용 용제에 완전히 용해된 상태이거나, 혹은, 평가용 용제 중에 있어서, 평가용 시료가 거의 동일한 크기로 부서진 상태로 존재한다.

또한, 팽윤율 Sr이란, 용제 첨가 전의 평가용 시료의 가장 큰 직경을 측장하고(예를 들어, 타원 형상의 경우에는 긴 직경을 측장하고, 원 형상의 경우에는 직경을 측장함), 용제 첨가하여 정치 후에 가장 큰 직경이 어느 정도 커졌는지를 산출함으로써 얻어지는 값이다.

즉, 팽윤율 Sr은, 하기 식을 사용하여 산출된다.

Sr(％)=[(용제 첨가 정치 후의 평가용 시료의 가장 큰 직경)-(용제 첨가 전의 평가용 시료의 가장 큰 직경)]/(용제 첨가 전의 평가용 시료의 가장 큰 직경)×100

· 스코어2

평가용 시료가 20％ 이상 55％ 이하의 팽윤율 Sr로 팽윤한 상태(평가용 시료에 팽윤은 보이지만, 그 정도는 크지 않음)에서 존재하고 있거나, 평가용 시료의 일부가 분명히 용해되어 있지만, 완전히는 용해되어 있지 않은 상태이거나, 혹은, 평가용 용제 중에 있어서, 평가용 시료가 일부만 부서진 상태로 존재한다.

· 스코어0

평가용 시료가 0％를 초과하고 20％ 미만의 팽윤율 Sr로 팽윤한 상태(평가용 시료에 눈으로 보아 팽윤이 거의 보이지 않음)에서 존재하고 있거나, 혹은, 평가용 시료가 평가용 용제에 전혀 용해되어 있지 않다.

다이 본드층(3)에 대해서도, 상기한 점착제층(2)과 마찬가지로 하여, 한센 용해구법을 사용하여 삼차원 공간에 있어서의 한센 용해도 파라미터(δ_dD, δ_pD, δ_hD)를 구할 수 있다. 다이 본드층(3)에 대해서는, 다이 본드층(3)으로부터 한 변이 1㎝인 정사각형으로 잘라낸 것을 평가용 시료로 할 수 있다.

또한, 다이 본드층(3)의 경우에는, 양용매 및 빈용매의 판정은, 이하의 스코어에 따른다.

· 스코어1

평가용 시료가 평가용 용제에 눈으로 보아 완전히 용해되어 있다(단, 침전된 필러는 제외함)

· 스코어2

평가용 용제 중으로의 평가용 시료의 용해가 눈으로 보아 보이지만, 녹다 남은 것이 확인된다. 구체적으로는, 평가용 시료의 일부가 용해됨으로써, 한 변이 1㎝인 정사각형으로 잘라낸 평가용 시료는 모서리가 없어진 상태로 되어 있다.

· 스코어0

평가용 용제로의 평가용 시료의 용해가 눈으로 보아 전혀 보이지 않는다. 구체적으로는, 평가용 시료가 전혀 용해되지 않았기 때문에, 한 변이 1㎝인 정사각형으로 잘라낸 평가용 시료는 모서리가 없어진 상태로 되어 있지 않다.

상기와 같이 하여 구한, 점착제층(2)의, 분산항 δ_dA, 극성항 δ_pA 및 수소 결합항 δ_hA, 그리고, 다이 본드층(3)의, 분산항 δ_dD, 극성항 δ_pD 및 수소 결합항 δ_hD를, 상기 식 (1)에 대입함으로써, 한센 용해도 파라미터 거리 Ra를 산출할 수 있다.

여기서, 상기한 바와 같이, A 성분과 B 성분의 상용성을 평가하는 경우, 한센 용해도 파라미터 거리 Ra의 값이 작을수록, A 성분과 B 성분의 상용성이 높다고 판단되고, Ra의 값이 클수록, A 성분과 B 성분의 상용성이 낮다고 판단된다.

그 때문에, 점착제층(2)의 한센 용해도 파라미터(δ_dA, δ_pA, δ_hA) 및 다이 본드층(3)의 한센 용해도 파라미터(δ_dD, δ_pD, δ_hD)를 상기 식 (1)에 대입하여 산출되는 한센 용해도 파라미터 거리 Ra의 값이 작아지면, 점착제층(2)과 다이 본드층(3)의 친화성이 높아지기 때문에, 다이 본드층(3)을 점착제층(2)에 충분히 보유 지지할 수 있다.

그러나, 친화성이 높아지는 분만큼, 다이 본드층(3)에 포함되는 성분(폴리머 이외의 유기 성분(예를 들어, 에폭시 수지 등의 열경화성 수지, 열경화성 수지의 경화제, 열경화 촉매(경화 촉진제) 등)이 점착제층(2)으로 이행하기 쉬워지거나, 점착제층(2)에 포함되는 성분(예를 들어, 후술하는 광중합 개시제나 점착 부여제 등)이 다이 본드층(3)으로 이행하기 쉬워지거나 한다.

또한, 점착제층(2)의 한센 용해도 파라미터(δ_dA, δ_pA, δ_hA) 및 다이 본드층(3)의 한센 용해도 파라미터(δ_dD, δ_pD, δ_hD)를 상기 식 (1)에 대입하여 산출되는 한센 용해도 파라미터 거리 Ra의 값이 클수록, 점착제층(2)과 다이 본드층(3)의 친화성이 낮아지는 분만큼, 다이 본드층(3)에 포함되는 성분이 점착제층(2)으로 이행하기 어려워지거나, 점착제층(2)에 포함되는 성분이 다이 본드층(3)으로 이행하기 어려워지거나 한다.

그러나, 친화성이 낮아지는 분만큼, 다이 본드층(3)을 점착제층(2)에 충분히 보유 지지할 수 없게 된다.

그 때문에, 다이싱 다이 본드 필름(20)에 있어서는, 점착제층(2)의 한센 용해도 파라미터 및 다이 본드층(3)의 한센 용해도 파라미터로부터 산출되는 한센 용해도 파라미터 거리 Ra를 적절한 값으로 할 필요가 있다.

그러나, 본 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름(20)에 있어서는, 상기한 바와 같이, 한센 용해도 파라미터 거리 Ra가, 3 이상 14 이하이므로, 다이 본드층(3)에 포함되는 성분이 점착제층(2)으로 이행하거나, 점착제층(2)에 포함되는 성분이 다이 본드층(3)으로 이행하거나 하는 것을 억제할 수 있는 것 외에, 다이 본드층(3)을 점착제층(2)에 충분히 보유 지지할 수 있다.

이에 의해, 다이 본드층이 개편화된 후에 발생하는 칩 들뜸을 비교적 억제할 수 있고, 또한, 다이 본드층(3) 및 점착제층(2) 간에서의 성분 이행을 비교적 억제할 수 있다.

상기한 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름(20)은, 다이 본드층(3) 상에 반도체 웨이퍼가 첩부되어 사용되는 것이지만, 반도체 웨이퍼에 첩부되기 전(즉, 후술하는 마운트 공정 전)의 한센 용해도 파라미터 거리 Ra가, 3 이상 14 이하여도 된다.

또한, 본 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름(20)은, 반도체 웨이퍼에 첩부된 후이며, 다이 본드층 구비 반도체 칩을 회수하기 전(즉, 후술하는, 마운트 공정, 익스팬드 공정, 및, 커프 유지 공정)에 있어서, 한센 용해도 파라미터 거리 Ra가 3 이상 14 이하여도 된다.

또한, 점착제층(2)이, 후술하는 방사선 경화 점착제를 포함하는 것인 경우에는, 본 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름(20)은, 반도체 웨이퍼에 첩부된 후이며, 방사선을 조사하기 전에 있어서, 한센 용해도 파라미터 거리 Ra가 3 이상 14 이하여도 된다.

또한, 후술하는 바와 같이, 점착제층(2)이 방사선 경화 점착제를 포함하는 것인 경우에는, 본 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름(20)은, 방사선을 조사한 후에, 한센 용해도 파라미터 거리 Ra가 14를 상회해도 된다. 이에 의해, 점착제층(2)과 다이 본드층(3)의 친화성이 비교적 낮아지기 때문에, 후술하는 픽업 공정에 있어서, 다이 본드층(3) 구비 반도체 칩을 회수하기 쉬워진다.

본 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름(20)에 있어서는, 점착제층(2)에 있어서의 한센 용해도 파라미터의 분산항 δ_dA의 값과, 다이 본드층(3)에 있어서의 한센 용해도 파라미터의 분산항 δ_dD의 값의 차가 절댓값이, 0.4 이상 3.0 이하인 것이 바람직하다.

또한, 점착제층(2)에 있어서의 한센 용해도 파라미터의 분산항 δ_dA의 값은, 14 이상 18 이하인 것이 바람직하다.

이에 의해, 다이 본드층이 개편화된 후에 발생하는 칩 들뜸을 보다 한층 더 억제할 수 있고, 또한, 다이 본드층(3) 및 점착제층(2) 간에서의 성분 이행을 보다 한층 더 억제할 수 있다.

본 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름(20)에 있어서는, 점착제층(2)에 있어서의 한센 용해도 파라미터의 극성항 δ_pA의 값과, 다이 본드층(3)에 있어서의 한센 용해도 파라미터의 극성항 δ_pD의 값의 차의 절댓값이, 1.5 이상 10.0 이하인 것이 바람직하다.

또한, 점착제층(2)에 있어서의 한센 용해도 파라미터의 극성항 δ_pA의 값은, 2 이상 10 이하인 것이 바람직하다.

본 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름(20)에 있어서는, 점착제층(2)에 있어서의 한센 용해도 파라미터의 수소 결합항 δ_hA의 값과, 다이 본드층(3)에 있어서의 한센 용해도 파라미터의 수소 결합항 δ_hD의 값의 차의 절댓값이, 0.5 이상 6.5 이하인 것이 바람직하다.

또한, 점착제층(2)에 있어서의 한센 용해도 파라미터의 수소 결합항 δ_hA의 값은, 3 이상 11.5 이하인 것이 바람직하다.

본 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름(20)에 있어서는, 점착제층(2)에 대한 다이 본드층(3)의 박리력이 0.5N/20㎜ 이상인 것이 바람직하다.

점착제층(2)에 대한 다이 본드층(3)의 박리력을 상기와 같은 수치 범위로 함으로써, 점착제층(2)에서 다이 본드층(3)을 적절하게 보유 지지할 수 있게 되므로, 다이 본드층이 개편화된 후에 발생하는 칩 들뜸을 보다 한층 더 억제할 수 있다.

또한, 점착제층(2)에 대한 다이 본드층(3)의 박리력은, 5N/20㎜ 이하인 것이 바람직하다.

점착제층(2)에 대한 다이 본드층(3)의 박리력은, T형 박리 시험에 의해 측정할 수 있다. T형 박리 시험은, 다이 본드층(3)의 노출면에 배접 테이프를 접합한 다이싱 다이 본드 필름(20)으로부터, 폭 20㎜×길이 120㎜의 치수로 잘라낸 것을 측정용 샘플로 하고, 인장 시험기(예를 들어, 상품명 「TG-1kN」, 미네베아 미쓰미사제)를 사용하여, 온도 25℃, 인장 속도 300㎜/분의 조건에서 행할 수 있다.

또한, 점착제층(2)에 포함되는 점착제가 방사선 경화 점착제(예를 들어, 자외선 경화 점착제)인 경우에는, 점착제층(2)에 방사선 조사(예를 들어, 자외선 조사)를 행하기 전의 측정용 샘플에 대하여, 상기 T형 박리 시험을 행한다.

기재층(1)은, 점착제층(2)을 지지한다. 기재층(1)은 수지 필름을 사용하여 제작된다. 수지 필름에 포함되는 수지로서는, 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리카르보네이트, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 전방향족 폴리아미드, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리페닐술피드, 불소 수지, 셀룰로오스계 수지, 및, 실리콘 수지 등을 들 수 있다.

폴리올레핀으로서는, 예를 들어 α-올레핀의 호모 폴리머, 2종 이상의 α-올레핀의 공중합체, 블록 폴리프로필렌, 랜덤 폴리프로필렌, 1종 또는 2종 이상의 α-올레핀과 다른 비닐 모노머의 공중합체 등을 들 수 있다.

α-올레핀의 호모 폴리머로서는, 탄소수 2 이상 12 이하의 α-올레핀의 호모 폴리머인 것이 바람직하다. 이와 같은 호모 폴리머로서는, 에틸렌, 프로필렌, 1-부텐, 4-메틸-1-펜텐 등을 들 수 있다.

2종 이상의 α-올레핀의 공중합체로서는, 에틸렌/프로필렌 공중합체, 에틸렌/1-부텐 공중합체, 에틸렌/프로필렌/1-부텐 공중합체, 에틸렌/탄소수 5 이상 12 이하의 α-올레핀 공중합체, 프로필렌/에틸렌 공중합체, 프로필렌/1-부텐 공중합체, 프로필렌/탄소수 5 이상 12 이하의 α-올레핀 공중합체 등을 들 수 있다.

1종 또는 2종 이상의 α-올레핀과 다른 비닐 모노머의 공중합체로서는, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체(EVA) 등을 들 수 있다.

폴리올레핀은, α-올레핀계 열가소성 엘라스토머라 불리는 것이어도 된다. α-올레핀계 열가소성 엘라스토머로서는, 프로필렌·에틸렌 공중합체와 프로필렌 호모 폴리머를 조합한 것, 또는, 프로필렌·에틸렌·탄소수 4 이상의 α-올레핀 3원 공중합체를 들 수 있다.

α-올레핀계 열가소성 엘라스토머의 시판품으로서는, 예를 들어 프로필렌계 엘라스토머 수지인 비스타맥스 3980(엑슨모빌 케미컬사제)을 들 수 있다.

수지 필름은, 상기한 수지를 1종 포함하는 것이어도 되고, 상기한 수지를 2종 이상 포함하는 것이어도 된다.

또한, 점착제층(2)이 후술하는 자외선 경화 점착제를 포함하는 경우, 기재층(1)을 제작하는 수지 필름은, 자외선 투과성을 갖도록 구성되는 것이 바람직하다.

기재층(1)은, 단층 구조여도 되고, 적층 구조여도 된다. 기재층(1)은, 무연신 성형에 의해 얻어져도 되고, 연신 성형에 의해 얻어져도 되지만, 연신 성형에 의해 얻어지는 것이 바람직하다. 기재층(1)이 적층 구조인 경우, 기재층(1)은, 엘라스토머를 포함하는 층(이하, 엘라스토머층이라 함)과 비엘라스토머를 포함하는 층(이하, 비엘라스토머층이라 함)을 갖는 것이 바람직하다.

기재층(1)을 엘라스토머층과 비엘라스토머층을 갖는 것으로 함으로써, 엘라스토머층을, 인장 응력을 완화하는 응력 완화층으로서 기능시킬 수 있다. 즉, 기재층(1)에 발생하는 인장 응력을 비교적 작게 할 수 있으므로, 기재층(1)을 적당한 경도를 가지면서, 비교적 연신되기 쉬운 것으로 할 수 있다.

이에 의해, 반도체 웨이퍼로부터 복수의 반도체 칩으로의 할단성을 향상시킬 수 있다.

또한, 익스팬드 공정에서의 할단 시에, 기재층(1)이 찢어져 파손되는 것을 억제할 수 있다.

또한, 본 명세서에 있어서는, 엘라스토머층이란, 비엘라스토머층에 비해 실온에서의 인장 저장 탄성률이 낮은 저탄성률층을 의미한다. 엘라스토머층으로서는, 실온에서의 인장 저장 탄성률이 10㎫ 이상 200㎫ 이하인 것을 들 수 있고, 비엘라스토머층으로서는, 실온에서의 인장 저장 탄성률이 200㎫ 이상 500㎫ 이하인 것을 들 수 있다.

엘라스토머층은, 1종의 엘라스토머를 포함하는 것이어도 되고, 2종 이상의 엘라스토머를 포함하는 것이어도 되지만, α-올레핀계 열가소성 엘라스토머나, EVA(에틸렌-아세트산비닐 공중합체)를 포함하는 것이 바람직하다.

비엘라스토머층은, 1종의 비엘라스토머를 포함하는 것이어도 되고, 2종 이상의 비엘라스토머를 포함하는 것이어도 되지만, 후술하는 메탈로센 PP를 포함하는 것이 바람직하다.

기재층(1)이 엘라스토머층과 비엘라스토머층을 갖는 경우, 기재층(1)은, 엘라스토머층을 중심층으로 하고, 해당 중심층의 서로 대향하는 양면에 비엘라스토머층을 갖는 3층 구조(비엘라스토머층/엘라스토머층/비엘라스토머층)로 형성되는 것이 바람직하다.

또한, 상기한 바와 같이, 커프 유지 공정에 있어서는, 실온(예를 들어 23℃)에서 익스팬드 상태를 유지한 상기 다이싱 다이 본드 필름에 열풍(예를 들어, 100 내지 130℃)을 쐬어 상기 다이싱 다이 본드 필름을 열수축시킨 후, 냉각 고화시키기 위해, 기재층(1)의 최외층은, 다이싱 테이프에 쐬어지는 열풍의 온도에 가까운 융점을 갖는 수지를 포함하고 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 열풍을 쐼으로써 용융된 최외층을 보다 신속하게 고화시킬 수 있다.

그 결과, 커프 유지 공정에 있어서, 커프를 보다 충분히 유지할 수 있다.

기재층(1)이 엘라스토머층과 비엘라스토머층의 적층 구조이며, 엘라스토머층이 α-올레핀계 열가소성 엘라스토머를 포함하고, 또한, 비엘라스토머층이 후술하는 메탈로센 PP 등의 폴리올레핀을 포함하는 경우, 엘라스토머층은, 해당 엘라스토머층을 형성하는 엘라스토머의 총 질량에 대하여, α-올레핀계 열가소성 엘라스토머를 50질량％ 이상 100질량％ 이하 포함하고 있는 것이 바람직하고, 70질량％ 이상 100질량％ 이하 포함하고 있는 것이 보다 바람직하고, 80질량％ 이상 100질량％ 이하 포함하고 있는 것이 더욱 바람직하고, 90질량％ 이상 100질량％ 이하 포함하고 있는 것이 특히 바람직하고, 95질량％ 이상 100질량％ 이하 포함하고 있는 것이 최적이다. α-올레핀계 열가소성 엘라스토머가 상기 범위에서 포함되어 있음으로써, 엘라스토머층과 비엘라스토머층의 친화성이 높아지기 때문에, 기재층(1)을 비교적 용이하게 압출 성형할 수 있다. 또한, 엘라스토머층을 응력 완화층으로서 작용시킬 수 있으므로, 다이싱 테이프에 첩부한 반도체 웨이퍼를 효율적으로 할단할 수 있다.

기재층(1)이 엘라스토머층과 비엘라스토머층의 적층 구조인 경우, 기재층(1)은, 엘라스토머와 비엘라스토머를 공압출하여, 엘라스토머층과 비엘라스토머층의 적층 구조로 하는 공압출 성형에 의해 얻어지는 것이 바람직하다. 공압출 성형으로서는, 필름이나 시트 등의 제조에 있어서 일반적으로 행해지는 임의의 적절한 공압출 성형을 채용할 수 있다. 공압출 성형 중에서도, 기재층(1)을 효율적으로 저렴하게 얻을 수 있는 점에서, 인플레이션법이나 공압출 T 다이법을 채용하는 것이 바람직하다.

적층 구조를 이루는 기재층(1)을 공압출 성형으로 얻는 경우, 상기 엘라스토머층 및 상기 비엘라스토머층은 가열되어 용융된 상태에서 접하기 때문에, 상기 엘라스토머 및 상기 비엘라스토머의 융점차는 작은 쪽이 바람직하다. 융점차가 작음으로써, 저융점이 되는 상기 엘라스토머 또는 상기 비엘라스토머 중 어느 것에 과도한 열이 가해지는 것이 억제되기 때문에, 저융점이 되는 상기 엘라스토머 또는 상기 비엘라스토머 중 어느 것이 열 열화됨으로써 부생성물이 생성되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 저융점이 되는 상기 엘라스토머 또는 상기 비엘라스토머 중 어느 것의 점도가 과도하게 저하됨으로써 상기 엘라스토머층과 상기 비엘라스토머층 사이에 적층 불량이 발생하는 것도 억제할 수 있다. 상기 엘라스토머 및 상기 비엘라스토머의 융점차는, 0℃ 이상 70℃ 이하인 것이 바람직하고, 0℃ 이상 55℃ 이하인 것이 보다 바람직하다.

상기 엘라스토머 및 상기 비엘라스토머의 융점은, 시차 주사 열량(DSC) 분석에 의해 측정할 수 있다. 예를 들어, 시차 주사 열량계 장치(TA 인스트루먼츠사제, 형식 DSC Q2000)를 사용하여, 질소 가스 기류 하, 승온 속도 5℃/min으로 200℃까지 승온하고, 흡열 피크의 피크 온도를 구함으로써 측정할 수 있다.

기재층(1)의 두께는, 55㎛ 이상 195㎛ 이하인 것이 바람직하고, 55㎛ 이상 190㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 55㎛ 이상 170㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 60㎛ 이상 160㎛ 이하인 것이 최적이다. 기재층(1)의 두께를 상기 범위로 함으로써, 다이싱 테이프를 효율적으로 제조할 수 있고, 또한, 다이싱 테이프에 첩부한 반도체 웨이퍼를 효율적으로 할단할 수 있다.

기재층(1)의 두께는, 예를 들어 다이얼 게이지(PEACOCK사제, 형식 R-205)를 사용하여, 랜덤하게 선택한 임의의 5점의 두께를 측정하고, 이들 두께를 산술 평균함으로써 구할 수 있다.

엘라스토머층과 비엘라스토머층을 적층시킨 기재층(1)에 있어서, 엘라스토머층의 두께에 대한 비엘라스토머층의 두께의 비는, 1/25 이상 1/3 이하인 것이 바람직하고, 1/25 이상 1/3.5 이하인 것이 보다 바람직하고, 1/25 이상 1/4인 것이 더욱 바람직하고, 1/22 이상 1/4 이하인 것이 특히 바람직하고, 1/20 이상 1/4 이하인 것이 최적이다. 엘라스토머층의 두께에 대한 비엘라스토머층의 두께의 비를 상기 범위로 함으로써, 다이싱 테이프에 첩부한 반도체 웨이퍼를 보다 효율적으로 할단할 수 있다.

엘라스토머층은, 단층(1층) 구조여도 되고, 적층 구조여도 된다. 엘라스토머층은, 1층 내지 5층 구조인 것이 바람직하고, 1층 내지 3층 구조인 것이 보다 바람직하고, 1층 내지 2층 구조인 것이 더욱 바람직하고, 1층 구조인 것이 최적이다. 엘라스토머층이 적층 구조인 경우, 모든 층이 동일한 엘라스토머를 포함하고 있어도 되고, 적어도 2층이 다른 엘라스토머를 포함하고 있어도 된다.

비엘라스토머층은, 단층(1층) 구조여도 되고, 적층 구조여도 된다. 비엘라스토머층은, 1층 내지 5층 구조인 것이 바람직하고, 1층 내지 3층 구조인 것이 보다 바람직하고, 1층 내지 2층 구조인 것이 더욱 바람직하고, 1층 구조인 것이 최적이다. 비엘라스토머층이 적층 구조인 경우, 모든 층이 동일한 비엘라스토머를 포함하고 있어도 되고, 적어도 2층이 다른 비엘라스토머를 포함하고 있어도 된다.

비엘라스토머층은, 비엘라스토머로서, 메탈로센 촉매에 의한 중합품인 폴리프로필렌 수지(이하, 메탈로센 PP라 함)를 포함하는 것이 바람직하다. 메탈로센 PP로서는, 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/α-올레핀 공중합체를 들 수 있다. 비엘라스토머층이 메탈로센 PP를 포함함으로써, 다이싱 테이프를 효율적으로 제조 할 수 있고, 또한, 다이싱 테이프에 첩부한 반도체 웨이퍼를 효율적으로 할단할 수 있다.

또한, 시판되고 있는 메탈로센 PP로서는, 윈텍 WFX4M(니혼 폴리프로사제)을 들 수 있다.

여기서, 메탈로센 촉매란, 시클로펜타디에닐 골격을 갖는 배위자를 포함하는 주기율표 제4족의 전이 금속 화합물(소위, 메탈로센 화합물)과, 메탈로센 화합물과 반응하여 해당 메탈로센 화합물을 안정된 이온 상태로 활성화할 수 있는 조촉매 로 이루어지는 촉매이며, 필요에 따라서, 유기 알루미늄 화합물을 포함한다. 메탈로센 화합물은, 프로필렌의 입체 규칙성 중합을 가능하게 하는 가교형 메탈로센 화합물이다.

상기 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/α-올레핀 공중합체 중에서도, 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/α-올레핀 랜덤 공중합체가 바람직하고, 상기 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/α-올레핀 랜덤 공중합체 중에서도, 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/탄소수 2의 α-올레핀 랜덤 공중합체, 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/탄소수 4의 α-올레핀 랜덤 공중합체, 및, 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/탄소수 5의 α-올레핀 랜덤 공중합체 중에서 선택되는 것이 바람직하고, 이들 중에서도, 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/에틸렌 랜덤 공중합체가 최적이다.

상기 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/α-올레핀 랜덤 공중합체로서는, 상기 엘라스토머층과의 공압출 성막성, 및, 다이싱 테이프에 첩부한 반도체 웨이퍼의 할단성의 관점에서, 융점이 80℃ 이상 140℃ 이하, 특히 100℃ 이상 130℃ 이하인 것이 바람직하다.

상기 메탈로센 촉매의 중합품인 프로필렌/α-올레핀 랜덤 공중합체의 융점은, 상기한 방법에 의해 측정할 수 있다.

여기서, 상기 엘라스토머층이 기재층(1)의 최외층에 배치되어 있으면, 기재층(1)을 롤체로 한 경우에, 최외층에 배치된 상기 엘라스토머층끼리가 블로킹되기 쉬워진다(달라붙기 쉬워진다). 그 때문에, 기재층(1)을 롤체로부터 되감기 어려워진다. 이에 반해, 상기한 적층 구조의 기재층(1)의 바람직한 형태에서는, 비엘라스토머층/엘라스토머층/비엘라스토머층, 즉, 최외층에 비엘라스토머층이 배치되어 있으므로, 이와 같은 양태의 기재층(1)은, 내블로킹성이 우수한 것이 된다. 이에 의해, 블로킹에 의해 다이싱 테이프(10)를 사용한 반도체 장치의 제조가 지연되는 것을 억제할 수 있다.

상기 비엘라스토머층은, 100℃ 이상 130℃ 이하의 융점을 갖고, 또한, 분자량 분산도(질량 평균 분자량/수 평균 분자량)가 5 이하인 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 이와 같은 수지로서는, 메탈로센 PP를 들 수 있다.

상기 비엘라스토머층이 상기와 같은 수지를 포함함으로써, 커프 유지 공정에 있어서, 비엘라스토머층을 보다 신속하게 냉각 고화할 수 있다. 그 때문에, 다이싱 테이프를 열수축시킨 후에, 기재층(1)이 수축되는 것을 보다 충분히 억제할 수 있다.

이에 의해, 커프 유지 공정에 있어서, 커프를 보다 충분히 유지할 수 있다.

점착제층(2)은, 점착제를 함유한다. 점착제층(2)은, 반도체 칩으로 개편화하기 위한 반도체 웨이퍼를 점착함으로써 보유 지지한다.

상기 점착제로서는, 다이싱 테이프(10)의 사용 과정에 있어서 외부로부터의 작용에 의해 점착력을 저감 가능한 것(이하, 점착 저감형 점착제라 함)을 들 수 있다.

점착제로서 점착 저감형 점착제를 사용하는 경우, 다이싱 테이프(10)의 사용 과정에 있어서, 점착제층(2)이 비교적 높은 점착력을 나타내는 상태(이하, 고점착 상태라 함)와, 비교적 낮은 점착력을 나타내는 상태(이하, 저점착 상태라 함)를 구분하여 사용할 수 있다. 예를 들어, 다이싱 테이프(10)에 첩부된 반도체 웨이퍼가 할단에 제공될 때는, 반도체 웨이퍼의 할단에 의해 개편화된 복수의 반도체 칩이, 점착제층(2)으로부터 들뜨거나 박리되거나 하는 것을 억제하기 위해, 고점착 상태를 이용한다. 이에 반해, 반도체 웨이퍼의 할단 후에, 개편화된 복수의 반도체 칩을 픽업하기 위해서는, 점착제층(2)으로부터 복수의 반도체 칩을 픽업하기 쉽게 하기 위해, 저점착 상태를 이용한다.

상기 점착 저감형 점착제로서는, 예를 들어 다이싱 테이프(10)의 사용 과정에 있어서 방사선 조사에 의해 경화시키는 것이 가능한 점착제(이하, 방사선 경화 점착제라 함)를 들 수 있다.

상기 방사선 경화 점착제로서는, 예를 들어 전자선, 자외선, α선, β선, γ선, 또는 X선의 조사에 의해 경화되는 타입의 점착제를 들 수 있다. 이들 중에서도, 자외선 조사에 의해 경화되는 점착제(자외선 경화 점착제)를 사용하는 것이 바람직하다.

상기 방사선 경화 점착제로서는, 예를 들어 주성분으로서의 베이스 폴리머와, 방사선 중합성의 탄소-탄소 이중 결합 등의 관능기를 갖는 방사선 중합성 모노머 성분이나 방사선 중합성 올리고머 성분을 포함하는, 첨가형 방사선 경화 점착제를 들 수 있다.

상기 베이스 폴리머로서는, 아크릴계 폴리머를 사용하는 것이 바람직하다.

상기 아크릴계 폴리머로서는, (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 모노머 단위를 포함하는 것을 들 수 있다. (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산알킬에스테르, (메트)아크릴산시클로알킬에스테르, 및, (메트)아크릴산아릴에스테르 등을 들 수 있다.

상기 아크릴계 폴리머로서는, 예를 들어 2-히드록시에틸아크릴레이트(HEA), 에틸아크릴레이트(EA), 부틸아크릴레이트(BA), 2-에틸헥실아크릴레이트(2EHA), 이소노닐아크릴레이트(INA), 라우릴아크릴레이트(LA), 4-아크릴로일모르폴린(AMCO), 2-이소시아나토에틸=메타크릴레이트(MOI) 등을 사용하는 것이 바람직하다.

이들 아크릴계 폴리머는, 1종만으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.

점착제층(2)은, 외부 가교제를 포함하고 있어도 된다. 외부 가교제로서는, 베이스 폴리머(예를 들어, 아크릴계 폴리머)와 반응하여 가교 구조를 형성할 수 있는 것이면, 어떤 것이라도 사용할 수 있다. 이와 같은 외부 가교제로서는, 예를 들어 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 폴리올 화합물, 아지리딘 화합물, 및, 멜라민계 가교제 등을 들 수 있다.

상기 방사선 중합성 모노머 성분으로서는, 예를 들어 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 및, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 상기 방사선 중합성 올리고머 성분으로서는, 예를 들어 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카르보네이트계, 폴리부타디엔계 등의 다양한 올리고머를 들 수 있다. 상기 방사선 경화 점착제중의 방사선 중합성 모노머 성분이나 방사선 중합성 올리고머 성분의 함유 비율은, 점착제층(2)의 점착성을 적절하게 저하시키는 범위에서 선택된다.

상기 방사선 경화 점착제는, 광중합 개시제를 포함하는 것이 바람직하다. 광중합 개시제로서는, 예를 들어 α-케톨계 화합물, 아세토페논계 화합물, 벤조인에테르계 화합물, 케탈계 화합물, 방향족 술포닐클로라이드계 화합물, 광 활성 옥심계 화합물, 벤조페논계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 캄포퀴논, 할로겐화 케톤, 아실포스핀옥시드, 및, 아실포스포네이트 등을 들 수 있다.

점착제층(2)이 외부 가교제를 포함하는 경우, 점착제층(2)은 외부 가교제를 0.1질량부 이상 3질량부 이하 포함하는 것이 바람직하다.

또한, 점착제층(2)이 광중합 개시제를 포함하는 경우, 점착제층(2)은 광중합 개시제를 0.1질량부 이상 10질량부 이하 포함하는 것이 바람직하다.

점착제층(2)은, 상기 각 성분에다가, 가교 촉진제, 점착 부여제, 노화 방지제, 안료, 또는, 염료 등의 착색제 등을 포함하고 있어도 된다.

점착제층(2)의 두께는, 1㎛ 이상 50㎛ 이하인 것이 바람직하고, 2㎛ 이상 30㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 5㎛ 이상 25㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다.

다이 본드층(3)은, 열경화성을 갖는 것이 바람직하다. 다이 본드층(3)에 열경화성 수지 및 열경화성 관능기를 갖는 열가소성 수지 중 적어도 한쪽을 포함시킴으로써, 다이 본드층(3)에 열경화성을 부여할 수 있다.

다이 본드층(3)이 열경화성 수지를 포함하는 경우, 이와 같은 열경화성 수지 로서는, 예를 들어 에폭시 수지, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 및, 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다.

에폭시 수지로서는, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형, 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형, 및, 글리시딜아민형 에폭시 수지를 들 수 있다.

에폭시 수지의 경화제로서의 페놀 수지로서는, 예를 들어 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 및, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌을 들 수 있다.

다이 본드층(3)이, 열경화성 관능기를 갖는 열가소성 수지를 포함하는 경우, 이와 같은 열가소성 수지로서는, 예를 들어 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 들 수 있다. 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지에 있어서의 아크릴 수지로서는, (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 모노머 단위를 포함하는 것을 들 수 있다.

열경화성 관능기를 갖는 열경화성 수지에 있어서는, 열경화성 관능기의 종류에 따라서, 경화제가 선택된다.

다이 본드층(3)은, 수지 성분의 경화 반응을 충분히 진행시키거나, 경화 반응 속도를 높이거나 하는 관점에서, 열경화 촉매(경화 촉진제)를 함유하고 있어도 된다. 열경화 촉매로서는, 예를 들어 이미다졸계 화합물, 트리페닐포스핀계 화합물, 아민계 화합물, 및 트리할로겐보란계 화합물을 들 수 있다.

다이 본드층(3)은, 열가소성 수지를 포함하고 있어도 된다. 열가소성 수지는 바인더로서 기능한다. 열가소성 수지로서는, 예를 들어 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 폴리아미드6이나 폴리아미드6,6 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 불소 수지 등을 들 수 있다. 상기 열가소성 수지는, 1종만이 사용되어도 되고, 2종 이상이 조합되어 사용되어도 된다. 상기 열가소성 수지로서는, 이온성 불순물이 적고, 또한, 내열성이 높기 때문에, 다이 본드층에 의한 접속 신뢰성을 확보하기 쉬워진다고 하는 관점에서, 아크릴 수지가 바람직하다.

상기 아크릴 수지는, (메트)아크릴산에스테르에서 유래되는 모노머 단위를 질량 비율로 가장 많은 모노머 단위로서 포함하는 폴리머인 것이 바람직하다. (메트)아크릴산에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산알킬에스테르, (메트)아크릴산시클로알킬에스테르, 및, (메트)아크릴산아릴에스테르 등을 들 수 있다. 상기 아크릴 수지는, (메트)아크릴산에스테르와 공중합 가능한 다른 성분에서 유래되는 모노머 단위를 포함하고 있어도 된다. 상기 다른 성분으로서는, 예를 들어 카르복시기 함유 모노머, 산 무수물 모노머, 히드록시기 함유 모노머, 글리시딜기 함유 모노머, 술폰산기 함유 모노머, 인산기 함유 모노머, 아크릴아미드, 아크릴니트릴 등의 관능기 함유 모노머나, 각종 다관능성 모노머 등을 들 수 있다. 다이 본드층에 있어서 높은 응집력을 실현한다는 관점에서, 상기 아크릴 수지는, (메트)아크릴산에스테르(특히, 알킬기의 탄소수가 4 이하인 (메트)아크릴산알킬에스테르)와, 카르복시기 함유 모노머와, 질소 원자 함유 모노머와, 다관능성 모노머(특히, 폴리글리시딜계 다관능 모노머)의 공중합체인 것이 바람직하고, 아크릴산에틸과, 아크릴산부틸과, 아크릴산과, 아크릴로니트릴과, 폴리글리시딜(메트)아크릴레이트의 공중합체인 것이 보다 바람직하다.

다이 본드층(3)은, 필요에 따라서, 1종 또는 2종 이상의 다른 성분을 함유 해도 된다. 다른 성분으로서는, 예를 들어 난연제, 실란 커플링제, 및 이온 트랩제를 들 수 있다.

다이 본드층(3)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 1㎛ 이상 200㎛ 이하이다. 이러한 두께는, 3㎛ 이상 150㎛ 이하여도 되고, 5㎛ 이상 100㎛ 이하여도 된다.

또한, 다이 본드층(3)에 대하여 레오미터(예를 들어, 써모 피셔 사이언티픽사제의 HAAKE MARS III)를 사용하여 측정되는 점도 변화는, 300％ 이하인 것이 바람직하다.

다이 본드층(3)의 점도 변화가 300％ 이하이면, 점착제층(2)과 다이 본드층(3)의 친화성을 비교적 낮게 할 수 있고, 그 결과, 다이 본드층(3)으로부터 점착제층(2)으로의 성분 이행을 충분히 억제할 수 있다고 생각되므로, 다이 본드층(3)의 특성에 변화가 발생하는 것을 억제할 수 있다고 생각된다.

본 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름(20)은, 예를 들어 반도체 집적 회로를 제조하기 위한 보조 용구로서 사용된다. 이하, 다이싱 다이 본드 필름(20)의 사용의 구체예에 대하여 설명한다.

이하에서는, 기재층(1)이 1층인 다이싱 다이 본드 필름(20)을 사용한 예에 대하여 설명한다.

반도체 집적 회로를 제조하는 방법은, 반도체 웨이퍼를 할단 처리에 의해 칩(다이)으로 가공하기 위해 반도체 웨이퍼에 홈을 형성하는 하프컷 공정과, 하프컷 공정 후의 반도체 웨이퍼를 연삭하여 두께를 얇게 하는 백그라인드 공정과, 백그라인드 공정 후의 반도체 웨이퍼의 일면(예를 들어, 회로면과는 반대측의 면)을 다이 본드층(3)에 첩부하여, 다이싱 테이프(10)에 반도체 웨이퍼를 고정하는 마운트 공정과, 하프컷 가공된 반도체 칩끼리의 간격을 넓히는 익스팬드 공정과, 반도체 칩끼리의 간격을 유지하는 커프 유지 공정과, 다이 본드층(3)과 점착제층(2) 사이를 박리하여 다이 본드층(3)이 첩부된 상태에서 반도체 칩(다이)을 취출하는 픽업 공정과, 다이 본드층(3)이 첩부된 상태의 반도체 칩(다이)을 피착체에 접착시키는 다이 본드 공정을 갖는다. 이들 공정을 실시할 때, 본 실시 형태의 다이싱 테이프(다이싱 다이 본드 필름)가 제조 보조 용구로서 사용된다.

하프컷 공정에서는, 도 2a 및 도 2b에 도시한 바와 같이, 반도체 집적 회로를 소편(다이)으로 할단하기 위한 하프컷 가공을 실시한다. 상세하게는, 반도체 웨이퍼 W의 회로면과는 반대측의 면에, 웨이퍼 가공용 테이프 T를 첩부한다(도 2a 참조). 또한, 웨이퍼 가공용 테이프 T에 다이싱 링 R을 설치한다(도 2a 참조). 웨이퍼 가공용 테이프 T를 첩부한 상태에서, 분할용의 홈을 형성한다(도 2b 참조). 백그라인드 공정에서는, 도 2c 및 도 2d에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼를 연삭하여 두께를 얇게 한다. 상세하게는, 홈을 형성한 면에 백그라인드 테이프 G를 첩부하는 한편, 처음에 첩부한 웨이퍼 가공용 테이프 T를 박리한다(도 2c 참조). 백그라인드 테이프 G를 첩부한 상태에서, 반도체 웨이퍼 W가 소정의 두께로 될 때까지 연삭 가공을 실시한다(도 2d 참조).

마운트 공정에서는, 도 3a 내지 도 3b에 도시한 바와 같이, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)에 다이싱 링 R을 설치한 후, 노출된 다이 본드층(3)의 면에, 하프컷 가공된 반도체 웨이퍼 W를 첩부한다(도 3a 참조). 그 후, 반도체 웨이퍼 W로부터 백그라인드 테이프 G를 박리한다(도 3b 참조).

익스팬드 공정에서는, 도 4a 내지 도 4c에 도시한 바와 같이, 다이싱 링 R을 익스팬드 장치의 보유 지지구 H에 고정한다. 익스팬드 장치가 구비하는 밀어올림 부재 U를 사용하여, 다이싱 다이 본드 필름(20)을 하측으로부터 밀어올림으로써, 다이싱 다이 본드 필름(20)을 면 방향으로 넓히도록 잡아늘인다(도 4b 참조). 이에 의해, 특정 온도 조건에 있어서, 하프컷 가공된 반도체 웨이퍼 W를 할단한다. 상기 온도 조건은, 예를 들어 -20 내지 5℃이며, 바람직하게는 -15 내지 0℃, 보다 바람직하게는 -10 내지 -5℃이다. 밀어올림 부재 U를 하강시킴으로써, 익스팬드 상태를 해제한다(도 4c 참조).

또한, 익스팬드 공정에서는, 도 5a 내지 도 5b에 도시한 바와 같이, 보다 높은 온도 조건 하(예를 들어, 실온(23℃))에 있어서, 면적을 넓히도록 다이싱 테이프(10)를 잡아늘인다. 이에 의해, 할단된 인접하는 반도체 칩을 필름면의 면 방향으로 벌려, 더 간격을 넓힌다.

커프 유지 공정에서는, 도 6에 도시한 바와 같이, 다이싱 테이프(10)에 열풍(예를 들어, 100 내지 130℃)을 쐬어 다이싱 테이프(10)를 열수축시킨 후 냉각 고화시켜, 할단된 인접하는 반도체 칩간의 거리(커프)를 유지한다.

여기서, 상기한 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 다이싱 다이 본드 필름(20)은, 삼차원 좌표로 표시되는, 점착제층(2)의 한센 용해도 파라미터(δ_dA, δ_pA, δ_hA)와, 삼차원 좌표로 표시되는, 다이 본드층(3)의 한센 용해도 파라미터(δ_dD, δ_pD, δ_hD)를 사용하여, 하기 식 (1)에서 산출되는 한센 용해도 파라미터 거리 Ra가, 3 이상 14 이하이므로, 다이 본드층(3)에 포함되는 성분(예를 들어, 상기한 열경화 촉매)이 점착제층(2)으로 이행하거나, 점착제층(2)에 포함되는 성분(예를 들어, 상기한 외부 가교제 및 광중합 개시제)이 다이 본드층(3)으로 이행하거나 하는 것을 억제할 수 있는 것에 더하여, 다이 본드층(3)을 점착제층(2)에 충분히 보유 지지할 수 있다.

그 때문에, 다이 본드층이 개편화된 후에 발생하는 칩 들뜸을 비교적 억제할 수 있고, 또한, 다이 본드층(3) 및 점착제층(2) 간에서의 성분 이행을 비교적 억제할 수 있다.

픽업 공정에서는, 도 7에 도시한 바와 같이, 다이 본드층(3)이 첩부된 상태의 반도체 칩을 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)으로부터 박리한다. 상세하게는, 핀 부재 P를 상승시켜, 픽업 대상의 반도체 칩을, 다이싱 테이프(10)를 개재하여 밀어올린다. 밀어올려진 반도체 칩을 흡착 지그 J에 의해 보유 지지한다.

또한, 점착제층(2)이 방사선 경화 점착제를 포함하는 것인 경우에는, 한센 용해도 파라미터 거리 Ra가 14를 상회하도록, 방사선을 조사하는 것이 바람직하다. 조사하는 방사선의 강도는, 방사선 경화 점착제의 종류 등에 따라서 적절히 선택된다.

이에 의해, 점착제층(2)과 다이 본드층(3)의 친화성을 비교적 낮게 할 수 있으므로, 다이 본드층(3) 구비 반도체 칩을 회수하기 쉬워진다.

다이 본드 공정에서는, 다이 본드층(3)이 첩부된 상태의 반도체 칩을 피착체에 접착시킨다.

본 명세서에 의해 개시되는 사항은, 이하의 것을 포함한다.

(1)

기재층 상에 점착제층이 적층된 다이싱 테이프와,

삼차원 좌표로 표시되는, 상기 점착제층의 한센 용해도 파라미터(δ_dA, δ_pA, δ_hA)와, 삼차원 좌표로 표시되는, 상기 다이 본드층의 한센 용해도 파라미터(δ_dD, δ_pD, δ_hD)를 사용하여, 하기 식 (1)에서 산출되는 한센 용해도 파라미터 거리 Ra가, 3 이상 14 이하인 다이싱 다이 본드 필름.

이러한 구성에 의하면, 다이 본드층이 개편화된 후에 발생하는 칩 들뜸을 비교적 억제할 수 있고, 또한, 상기 다이 본드층 및 상기 점착제층간에서의 성분 이행을 비교적 억제할 수 있다.

(2)

상기 점착제층에 있어서의 한센 용해도 파라미터의 분산항 δ_dA의 값과, 상기 다이 본드층에 있어서의 한센 용해도 파라미터의 분산항 δ_dD의 값의 차의 절댓값이, 0.4 이상 3.0 이하인 상기 (1)에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.

(3)

상기 점착제층에 있어서의 한센 용해도 파라미터의 분산항 δ_dA의 값은, 14 이상 18 이하인 상기 (2)에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.

이러한 구성에 의하면, 다이 본드층이 개편화된 후에 발생하는 칩 들뜸을 보다 한층 더 억제할 수 있고, 또한, 상기 다이 본드층 및 상기 점착제층간에서의 성분 이행을 보다 한층 더 억제할 수 있다.

(4)

상기 점착제층에 있어서의 한센 용해도 파라미터의 극성항 δ_pA의 값과, 상기 다이 본드층에 있어서의 한센 용해도 파라미터의 극성항 δ_pD의 차의 절댓값이, 1.5 이상 10.0 이하인 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 것에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.

(5)

상기 점착제층에 있어서의 한센 용해도 파라미터의 극성항 δ_pA의 값은, 2 이상 10 이하인 상기 (4)에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.

(6)

상기 점착제층에 있어서의 한센 용해도 파라미터의 수소 결합항 δ_hA의 값과, 상기 다이 본드층에 있어서의 한센 용해도 파라미터의 수소 결합항 δ_hD의 값의 차의 절댓값이, 0.5 이상 6.5 이하인 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 것에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.

(7)

상기 점착제층에 있어서의 한센 용해도 파라미터의 수소 결합항 δ_hA의 값은, 3 이상 11.5 이하인 상기 (6)에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.

(8)

상기 점착제층에 대한 상기 다이 본드층의 박리력이 0.5N/20㎜ 이상인 상기 (1) 내지 (7) 중 어느 것에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.

(9)

상기 점착제층에 대한 상기 다이 본드층의 박리력이 5N/20㎜ 이하인 상기 (8)에 기재된 다이싱 다이 본드 필름.

이러한 구성에 의하면, 상기 점착제층에 있어서 상기 다이 본드층을 적절하게 보유 지지할 수 있으므로, 다이 본드층이 개편화된 후에 발생하는 칩 들뜸을 보다 한층 더 억제할 수 있다.

또한, 본 발명에 관한 다이싱 다이 본드 필름은, 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명에 관한 다이싱 다이 본드 필름은, 상기한 작용 효과에 의해 한정되는 것도 아니다. 본 발명에 관한 다이싱 다이 본드 필름은, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다.

[실시예]

다음에, 실시예를 들어 본 발명에 대하여 더욱 구체적으로 설명한다. 이하의 실시예는 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위한 것이며, 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니다.

[실시예 1]

<다이싱 테이프의 제작>

냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 반응 용기 내에, 모노머로서 2-히드록시에틸아크릴레이트(이하, HEA라 함) 11질량부, 이소노닐아크릴레이트(이하, INA라 함) 89질량부, 열중합 개시제로서 아조비스이소부티로니트릴(이하, AIBN이라 함) 0.2질량부를 첨가하고, 또한, 상기 모노머의 농도가 38％가 되도록 반응 용제로서의 아세트산부틸을 첨가한 후, 질소 기류 하에서, 62℃에서 4시간 중합, 75℃에서 2시간 중합 처리를 하여, 아크릴계 폴리머 A를 얻었다.

이 아크릴계 폴리머 A에, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(이하, MOI라 함) 12질량부, 디라우릴산디부틸주석 0.06질량부를 첨가하고, 공기 기류 하에서, 50℃에서 12시간 부가 반응 처리를 하여, 아크릴계 폴리머 A'를 얻었다.

다음에, 아크릴계 폴리머 A' 100질량부에 대해, 외부 가교제로서의 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛본 폴리우레탄사제) 0.8질량부, 및, 광중합 개시제(상품명 「Omnirad127, IGM사제」 2질량부를 첨가하여, 점착제 용액(이하, 점착제 용액 A라 하는 경우도 있음)을 제작하였다.

다음에, 점착제 용액 A를, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 이형 처리면 상에 애플리케이터를 사용하여 도포하고, 120℃에서 2분간 건조하여, 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다. 그 후, 해당 점착제층 상에, 기재층으로서의 군제제의 폴리올레핀 필름(상품명 「펑크레어 NED#125」, 두께 125㎛)을 접합하고, 50℃에서 24시간 보존하여, 다이싱 테이프 A를 얻었다.

<다이 본드층의 제작>

아크릴 수지(상품명 「테이산레진 SG-70L」, 나가세 켐텍스사제, 질량 평균 분자량 90만) 100질량부에 대하여, 에폭시 수지(상품명 「KI-3000-4」, 도토 가세이 고교사제) 200질량부, 페놀 수지(상품명 「MEHC-7851SS」, 메이와 가세이사제) 200질량부, 실리카 필러(상품명 「SE2050-MCV」, 애드마텍스사제, 평균 입자경 500㎚) 350질량부(실리카 필러 환산), 및, 경화 촉진제(상품명 「큐어졸 2PHZ-PW」, 시코쿠 가세이 고교사제) 2질량부를 메틸에틸케톤에 첨가하여, 고형분 농도가 30질량％가 되는 접착제 조성물 A를 조제하였다.

다음에, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 이형 처리면 상에 애플리케이터를 사용하여 접착제 조성물 A를 도포하여 도막을 형성하고, 이 도막에 대하여 120℃에서 2분간의 탈용매 처리를 행하였다. 이에 의해, 두께(평균 두께) 10㎛의 다이 본드층을 PET 세퍼레이터 상에 제작하였다.

<다이싱 다이 본드 필름의 제작>

다이 본드층이 제작된 PET 세퍼레이터(이하, 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터라 함)를 330㎜φ의 원형으로 펀칭함으로써, 330㎜φ의 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터를 얻었다.

다음에, 다이싱 테이프 A로부터 PET 세퍼레이터를 제거하여 점착제층의 한쪽 면을 노출시킨 후, 라미네이터를 사용하여, 다이 본드층의 노출면이 점착제층의 노출면과 맞닿도록, 실온(23±2℃)에서 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터를 다이싱 테이프 A에 접합함으로써, 다이싱 다이 본드 필름 A를 얻었다.

즉, 실시예 1에 관한 다이싱 테이프 A는, 폴리올레핀 필름, 점착제층, 다이 본드층, 및, PET 세퍼레이터가, 이 순으로 적층되어 구성된 것이었다.

[실시예 2]

<다이싱 테이프의 제작>

실시예 1에 기재와 마찬가지의 반응 용기 내에, 모노머로서 HEA 16질량부, 부틸아크릴레이트(이하, BA라 함) 84질량부, 열중합 개시제로서 AIBN 0.2질량부를 첨가하고, 또한, 상기 모노머의 농도가 32％가 되도록 반응 용제로서의 아세트산부틸을 첨가한 후, 질소 기류 하에서, 62℃에서 4시간 중합, 75℃에서 2시간 중합 처리를 하여, 아크릴계 폴리머 B를 얻었다.

이 아크릴계 폴리머 B에 MOI 17질량부, 디라우릴산디부틸주석 0.09질량부를 첨가하고, 공기 기류 하에서, 50℃에서 12시간 부가 반응 처리를 하여, 아크릴계 폴리머 B'를 얻었다.

다음에, 아크릴계 폴리머 B' 100질량부에 대해, 외부 가교제로서의 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛본 폴리우레탄사제) 0.8질량부, 및, 광중합 개시제(상품명 「Omnirad127, IGM사제」 2질량부를 첨가하여, 점착제 용액(이하, 점착제 용액 B라 하는 경우도 있음)을 제작하였다.

다음에, 점착제 용액 B를, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 이형 처리면 상에 애플리케이터를 사용하여 도포하고, 120℃에서 2분간 건조하여, 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다. 그 후, 해당 점착제층 상에, 기재층으로서의 군제제의 폴리올레핀 필름(상품명 「펑크레어 NED#125」, 두께 125㎛)을 접합하고, 50℃에서 24시간 보존하여, 다이싱 테이프 B를 얻었다.

<다이 본드층의 제작>

실시예 1과 마찬가지로 하여 제작하였다.

<다이싱 다이 본드 필름의 제작>

실시예 1과 마찬가지로 하여 330㎜φ의 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터를 얻은 후, 다이싱 테이프 B로부터 PET 세퍼레이터를 제거하여 점착제층의 한쪽 면을 노출시키고, 라미네이터를 사용하여, 다이 본드층의 노출면이 점착제층의 노출면과 맞닿도록, 실온에서 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터를 다이싱 테이프 B에 접합함으로써, 다이싱 다이 본드 필름 B를 얻었다.

[실시예 3]

<다이싱 테이프의 제작>

실시예 1에 기재와 마찬가지의 반응 용기 내에, 모노머로서 HEA 11질량부, 2-에틸헥실아크릴레이트(이하, 2EHA라 함) 89질량부, 열중합 개시제로서 AIBN 0.2질량부를 첨가하고, 또한, 상기 모노머의 농도가 36％가 되도록 반응 용제로서의 아세트산부틸을 첨가한 후, 질소 기류 하에서, 62℃에서 4시간 중합, 75℃에서 2시간 중합 처리를 하여, 아크릴계 폴리머 C를 얻었다.

이 아크릴계 폴리머 C에 MOI 13질량부, 디라우릴산디부틸주석 0.07질량부를 첨가하고, 공기 기류 하에서, 50℃에서 12시간 부가 반응 처리를 하여, 아크릴계 폴리머 C'를 얻었다.

다음에, 아크릴계 폴리머 C' 100질량부에 대해, 외부 가교제로서의 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛본 폴리우레탄사제) 0.8질량부, 및, 광중합 개시제(상품명 「Omnirad127, IGM사제」 2질량부를 첨가하여, 점착제 용액(이하, 점착제 용액 C라 하는 경우도 있음)을 제작하였다.

다음에, 점착제 용액 C를, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 이형 처리면 상에 애플리케이터를 사용하여 도포하고, 120℃에서 2분간 건조하여, 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다. 그 후, 해당 점착제층 상에, 기재층으로서의 군제제의 폴리올레핀 필름(상품명 「펑크레어 NED#125」, 두께 125㎛)을 접합하고, 50℃에서 24시간 보존하여, 다이싱 테이프 C를 얻었다.

<다이 본드층의 제작>

실시예 1과 마찬가지로 하여 제작하였다.

<다이싱 다이 본드 필름의 제작>

실시예 1과 마찬가지로 하여 330㎜φ의 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터를 얻은 후, 다이싱 테이프 C로부터 PET 세퍼레이터를 제거하여 점착제층의 한쪽 면을 노출시키고, 라미네이터를 사용하여, 다이 본드층의 노출면이 점착제층의 노출면과 맞닿도록, 실온에서 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터를 다이싱 테이프 C에 접합함으로써, 다이싱 다이 본드 필름 C를 얻었다.

[실시예 4]

<다이싱 테이프의 제작>

실시예 1에 기재와 마찬가지의 반응 용기 내에, 모노머로서 HEA 24질량부, INA 76질량부, 열중합 개시제로서 AIBN 0.2질량부를 첨가하고, 또한, 상기 모노머의 농도가 32％가 되도록 반응 용제로서의 아세트산부틸을 첨가한 후, 질소 기류 하에서, 62℃에서 4시간 중합, 75℃에서 2시간 중합 처리를 하여, 아크릴계 폴리머 D를 얻었다.

이 아크릴계 폴리머 D에 MOI 23질량부, 디라우릴산디부틸주석 0.12질량부를 첨가하고, 공기 기류 하에서, 50℃에서 12시간 부가 반응 처리를 하여, 아크릴계 폴리머 D'를 얻었다.

다음에, 아크릴계 폴리머 D' 100질량부에 대해, 외부 가교제로서의 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛본 폴리우레탄사제) 0.8질량부, 및, 광중합 개시제(상품명 「Omnirad127, IGM사제」 2질량부를 첨가하여, 점착제 용액(이하, 점착제 용액 D라 하는 경우도 있음)을 제작하였다.

다음에, 점착제 용액 D를, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 이형 처리면 상에 애플리케이터를 사용하여 도포하고, 120℃에서 2분간 건조하여, 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다. 그 후, 해당 점착제층 상에, 기재층으로서의 군제제의 폴리올레핀 필름(상품명 「펑크레어 NED#125」, 두께 125㎛)을 접합하고, 50℃에서 24시간 보존하여, 다이싱 테이프 D를 얻었다.

<다이 본드층의 제작>

실시예 1과 마찬가지로 하여 제작하였다.

<다이싱 다이 본드 필름의 제작>

실시예 1과 마찬가지로 하여 330㎜φ의 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터를 얻은 후, 다이싱 테이프 D로부터 PET 세퍼레이터를 제거하여 점착제층의 한쪽 면을 노출시키고, 라미네이터를 사용하여, 다이 본드층의 노출면이 점착제층의 노출면과 맞닿도록, 실온에서 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터를 다이싱 테이프 D에 접합함으로써, 다이싱 다이 본드 필름 D를 얻었다.

[실시예 5]

<다이싱 테이프의 제작>

실시예 1에 기재와 마찬가지의 반응 용기 내에, 모노머로서 HEA 42질량부, INA 58질량부, 열중합 개시제로서 AIBN 0.2질량부를 첨가하고, 또한, 상기 모노머의 농도가 30％가 되도록 반응 용제로서의 아세트산부틸을 첨가한 후, 질소 기류 하에서, 62℃에서 4시간 중합, 75℃에서 2시간 중합 처리를 하여, 아크릴계 폴리머 E를 얻었다.

이 아크릴계 폴리머 E에 MOI 41질량부, 디라우릴산디부틸주석 0.21질량부를 첨가하고, 공기 기류 하에서, 50℃에서 12시간 부가 반응 처리를 하여, 아크릴계 폴리머 E'를 얻었다.

다음에, 아크릴계 폴리머 E' 100질량부에 대해, 외부 가교제로서의 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛본 폴리우레탄사제) 0.8질량부, 및, 광중합 개시제(상품명 「Omnirad127, IGM사제」 2질량부를 첨가하여, 점착제 용액(이하, 점착제 용액 E라 하는 경우도 있음)을 제작하였다.

다음에, 점착제 용액 E를, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 이형 처리면 상에 애플리케이터를 사용하여 도포하고, 120℃에서 2분간 건조하여, 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다. 그 후, 해당 점착제층 상에, 기재층으로서의 군제제의 폴리올레핀 필름(상품명 「펑크레어 NED#125」, 두께 125㎛)을 접합하고, 50℃에서 24시간 보존하여, 다이싱 테이프 E를 얻었다.

<다이 본드층의 제작>

실시예 1과 마찬가지로 하여 제작하였다.

<다이싱 다이 본드 필름의 제작>

실시예 1과 마찬가지로 하여 330㎜φ의 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터를 얻은 후, 다이싱 테이프 E로부터 PET 세퍼레이터를 제거하여 점착제층의 한쪽 면을 노출시키고, 라미네이터를 사용하여, 다이 본드층의 노출면이 점착제층의 노출면과 맞닿도록, 실온에서 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터를 다이싱 테이프 E에 접합함으로써, 다이싱 다이 본드 필름 E를 얻었다.

[실시예 6]

<다이싱 테이프의 제작>

실시예 1에 기재와 마찬가지의 반응 용기 내에, 모노머로서 HEA 14질량부, 2EHA 71질량부, 4-아크릴로일모르폴린(이하, ACMO라 함) 15질량부, 열중합 개시제로서 AIBN 0.2질량부를 첨가하고, 또한, 상기 모노머의 농도가 34％가 되도록 반응 용제로서의 아세트산부틸을 첨가한 후, 질소 기류 하에서, 62℃에서 4시간 중합, 75℃에서 2시간 중합 처리를 하여, 아크릴계 폴리머 F를 얻었다.

이 아크릴계 폴리머 F에 MOI 15질량부, 디라우릴산디부틸주석 0.08질량부를 첨가하고, 공기 기류 하에서, 50℃에서 12시간 부가 반응 처리를 하여, 아크릴계 폴리머 F'를 얻었다.

다음에, 아크릴계 폴리머 F' 100질량부에 대해, 외부 가교제로서의 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛본 폴리우레탄사제) 0.8질량부, 및, 광중합 개시제(상품명 「Omnirad127, IGM사제」 2질량부를 첨가하여, 점착제 용액(이하, 점착제 용액 F라 하는 경우도 있음)을 제작하였다.

다음에, 점착제 용액 F를, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 이형 처리면 상에 애플리케이터를 사용하여 도포하고, 120℃에서 2분간 건조하여, 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다. 그 후, 해당 점착제층 상에, 기재층으로서의 군제제의 폴리올레핀 필름(상품명 「펑크레어 NED#125」, 두께 125㎛)을 접합하고, 50℃에서 24시간 보존하여, 다이싱 테이프 F를 얻었다.

<다이 본드층의 제작>

실시예 1과 마찬가지로 하여 제작하였다.

<다이싱 다이 본드 필름의 제작>

실시예 1과 마찬가지로 하여 330㎜φ의 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터를 얻은 후, 다이싱 테이프 F로부터 PET 세퍼레이터를 제거하여 점착제층의 한쪽 면을 노출시키고, 라미네이터를 사용하여, 다이 본드층의 노출면이 점착제층의 노출면과 맞닿도록, 실온에서 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터를 다이싱 테이프 F에 접합함으로써, 다이싱 다이 본드 필름 F를 얻었다.

[비교예 1]

<다이싱 테이프의 제작>

실시예 1에 기재와 마찬가지의 반응 용기 내에, 모노머로서 HEA 5질량부, 라우릴아크릴레이트(이하, LA라 함) 95질량부, 열중합 개시제로서 AIBN 0.2질량부를 첨가하고, 또한, 상기 모노머의 농도가 42％가 되도록 반응 용제로서의 아세트산부틸을 첨가한 후, 질소 기류 하에서, 62℃에서 4시간 중합, 75℃에서 2시간 중합 처리를 하여, 아크릴계 폴리머 G를 얻었다.

이 아크릴계 폴리머 G에 MOI 15질량부, 디라우릴산디부틸주석 0.03질량부를 첨가하고, 공기 기류 하에서, 50℃에서 12시간 부가 반응 처리를 하여, 아크릴계 폴리머 G'를 얻었다.

다음에, 아크릴계 폴리머 G' 100질량부에 대해, 외부 가교제로서의 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛본 폴리우레탄사제) 0.8질량부, 및, 광중합 개시제(상품명 「Omnirad127, IGM사제」 2질량부를 첨가하여, 점착제 용액(이하, 점착제 용액 G라 하는 경우도 있음)을 제작하였다.

다음에, 점착제 용액 G를, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 이형 처리면 상에 애플리케이터를 사용하여 도포하고, 120℃에서 2분간 건조하여, 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다. 그 후, 해당 점착제층 상에, 기재층으로서의 군제제의 폴리올레핀 필름(상품명 「펑크레어 NED#125」, 두께 125㎛)을 접합하고, 50℃에서 24시간 보존하여, 다이싱 테이프 G를 얻었다.

<다이 본드층의 제작>

실시예 1과 마찬가지로 하여 제작하였다.

<다이싱 다이 본드 필름의 제작>

실시예 1과 마찬가지로 하여 330㎜φ의 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터를 얻은 후, 다이싱 테이프 G로부터 PET 세퍼레이터를 제거하여 점착제층의 한쪽 면을 노출시키고, 라미네이터를 사용하여, 다이 본드층의 노출면이 점착제층의 노출면과 맞닿도록, 실온에서 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터를 다이싱 테이프 G에 접합함으로써, 다이싱 다이 본드 필름 G를 얻었다.

[비교예 2]

<다이싱 테이프의 제작>

실시예 1에 기재와 마찬가지의 반응 용기 내에, 모노머로서 HEA 47질량부, INA 53질량부, 열중합 개시제로서 AIBN 0.2질량부를 첨가하고, 또한, 상기 모노머의 농도가 28％가 되도록 반응 용제로서의 아세트산부틸을 첨가한 후, 질소 기류 하에서, 62℃에서 4시간 중합, 75℃에서 2시간 중합 처리를 하여, 아크릴계 폴리머 H를 얻었다.

이 아크릴계 폴리머 H에 MOI 156질량부, 디라우릴산디부틸주석 0.28질량부를 첨가하고, 공기 기류 하에서, 50℃에서 12시간 부가 반응 처리를 하여, 아크릴계 폴리머 H'를 얻었다.

다음에, 아크릴계 폴리머 H' 100질량부에 대해, 외부 가교제로서의 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛본 폴리우레탄사제) 0.8질량부, 및, 광중합 개시제(상품명 「Omnirad127, IGM사제」 2질량부를 첨가하여, 점착제 용액(이하, 점착제 용액 H라 하는 경우도 있음)을 제작하였다.

다음에, 점착제 용액 H를, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 이형 처리면 상에 애플리케이터를 사용하여 도포하고, 120℃에서 2분간 건조하여, 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다. 그 후, 해당 점착제층 상에, 기재층으로서의 군제제의 폴리올레핀 필름(상품명 「펑크레어 NED#125」, 두께 125㎛)을 접합하고, 50℃에서 24시간 보존하여, 다이싱 테이프 H를 얻었다.

<다이 본드층의 제작>

실시예 1과 마찬가지로 하여 제작하였다.

<다이싱 다이 본드 필름의 제작>

실시예 1과 마찬가지로 하여 330㎜φ의 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터를 얻은 후, 다이싱 테이프 H로부터 PET 세퍼레이터를 제거하여 점착제층의 한쪽 면을 노출시키고, 라미네이터를 사용하여, 다이 본드층의 노출면이 점착제층의 노출면과 맞닿도록, 실온에서 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터를 다이싱 테이프 H에 접합함으로써, 다이싱 다이 본드 필름 H를 얻었다.

[비교예 3]

<다이싱 테이프의 제작>

실시예 1에 기재와 마찬가지의 반응 용기 내에, 모노머로서 HEA 19질량부, 에틸아크릴레이트(이하, EA라 함) 81질량부, 열중합 개시제로서 AIBN 0.2질량부를 첨가하고, 또한, 상기 모노머의 농도가 30％가 되도록 반응 용제로서의 아세트산부틸을 첨가한 후, 질소 기류 하에서, 62℃에서 4시간 중합, 75℃에서 2시간 중합 처리를 하여, 아크릴계 폴리머 I를 얻었다.

이 아크릴계 폴리머 I에 MOI 121질량부, 디라우릴산디부틸주석 0.11질량부를 첨가하고, 공기 기류 하에서, 50℃에서 12시간 부가 반응 처리를 하여, 아크릴계 폴리머 I'를 얻었다.

다음에, 아크릴계 폴리머 I' 100질량부에 대해, 외부 가교제로서의 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛본 폴리우레탄사제) 0.8질량부, 및, 광중합 개시제(상품명 「Omnirad127, IGM사제」 2질량부를 첨가하여, 점착제 용액(이하, 점착제 용액 I라 하는 경우도 있음)을 제작하였다.

다음에, 점착제 용액 I를, 실리콘 이형 처리가 실시된 면을 갖는 PET 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 이형 처리면 상에 애플리케이터를 사용하여 도포하고, 120℃에서 2분간 건조하여, 두께 10㎛의 점착제층을 형성하였다. 그 후, 해당 점착제층 상에, 기재층으로서의 군제제의 폴리올레핀 필름(상품명 「펑크레어 NED#125」, 두께 125㎛)을 접합하고, 50℃에서 24시간 보존하여, 다이싱 테이프 I를 얻었다.

<다이 본드층의 제작>

실시예 1과 마찬가지로 하여 제작하였다.

<다이싱 다이 본드 필름의 제작>

실시예 1과 마찬가지로 하여 330㎜φ의 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터를 얻은 후, 다이싱 테이프 I로부터 PET 세퍼레이터를 제거하여 점착제층의 한쪽 면을 노출시키고, 라미네이터를 사용하여, 다이 본드층의 노출면이 점착제층의 노출면과 맞닿도록, 실온에서 다이 본드층 구비 PET 세퍼레이터를 다이싱 테이프 I에 접합함으로써, 다이싱 다이 본드 필름 I를 얻었다.

(한센 용해도 파라미터)

각 예에 관한 다이싱 다이 본드 필름에 대하여, 한센 용해구법을 사용하여, 점착제층의 삼차원 좌표(δ_dA, δ_pA, δ_hA) 및 다이 본드층의 삼차원 좌표(δ_dD, δ_pD, δ_hD)를 구하였다.

구체적으로는, 점착제층의 삼차원 좌표(δ_dA, δ_pA, δ_hA)는 이하와 같이 하여 구하였다.

(1) 평가용 시료로서, 다이 본드층 및 기재층(폴리올레핀 필름)이 혼입되지 않도록, 다이싱 다이 본드 필름으로부터 점착제층의 일부를 취출한다.

또한, 점착제층의 평가용 시료의 채취 시에, 다이 본드층은 점착제층으로부터 분리해 두었다.

(2) 평가용 시료(취출한 점착제층)를, 농도가 0.5mg/mL이 되도록, 평가용 용제에 첨가한다. 해당 평가용 용제로서는, 한센 용해도 파라미터가 기지인 용제, 즉, 분산항, 극성항 및 수소 결합항의 값이 기지인 용제를 사용한다. 이와 같은 용제로서, 아세톤, 톨루엔, 아세트산에틸, 에탄올, 클로로포름, 디메틸술폭시드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈, γ-부티로락톤, 1,1,2,2-테트라브로모에탄, 1-부탄올, 4-메틸-2-펜타논, 2-프로판올, 시클로헥산, 포름아미드, 2-메톡시에탄올, 아세트산, 벤질알코올, 에탄올아민, 메틸에틸케톤, 메틸시클로헥산, 테트라히드로푸란, 아닐린, 1,4-디옥산, 살리실알데히드, 에틸렌글리콜을 사용한다.

즉, 평가용 시료를, 상기 각 평가용 용제에 각각 첨가한다.

(5) 상기 각 평가용 용제에 있어서의 평가용 시료의 상태의 평가 결과에 따라서, 점착제층에 대한 양용매, 및, 점착제층에 대한 빈용매를 판정한 결과를, 스코어로서, 해석 소프트웨어 「HSPiP」에 인풋하고, 해석 소프트웨어 「HSPiP」에서, 양용매가 내측, 빈용매가 외측이 되도록 한센 용해구를 작성한다. 그리고, 상기 한센 용해구의 중심 좌표를 구하고, 그 중심 좌표를 점착제층의 한센 용해도 파라미터(δ_dA, δ_pA, δ_hA)로 한다.

또한, 양용매 및 빈용매의 판정은, 이하의 스코어에 따른다.

· 스코어1

또한, 팽윤율 Sr과는, 용제 첨가 전의 평가용 시료의 가장 큰 직경을 측장하고(예를 들어, 타원 형상의 경우에는 긴 직경을 측장하고, 원 형상의 경우에는 직경을 측장함), 용제 첨가하여 정치 후에 가장 큰 직경이 어느 정도 커졌는지를 산출함으로써 얻어지는 값이다.

즉, 팽윤율 Sr은, 하기 식을 사용하여 산출된다.

· 스코어2

· 스코어0

평가용 시료가 0％를 초과하고 20％ 미만인 팽윤율 Sr로 팽윤한 상태(평가용 시료에 눈으로 보아 팽윤이 거의 보이지 않음)에서 존재하고 있거나, 혹은, 평가용 시료가 평가용 용제에 전혀 용해되어 있지 않다.

다이 본드층의 삼차원 좌표(δ_dD, δ_pD, δ_hD)에 대해서도, 상기한 점착제층과 마찬가지로 하여 구하였다. 다이 본드층의 채취는, 점착제층으로부터 분리하고 나서 행하였다. 다이 본드층으로부터 한 변이 1㎝인 정사각형으로 잘라낸 것을, 평가용 시료로 하였다.

또한, 다이 본드층의 경우에는, 양용매 및 빈용매의 판정은, 이하의 스코어에 따랐다.

· 스코어1

· 스코어2

·스코어 0

또한, 점착제층의 삼차원 좌표의 값 및 다이 본드층의 삼차원 좌표의 값을 기초로, 하기 식 (1)을 사용하여, 한센 용해도 파라미터 거리 Ra를 산출하였다.

상기와 같이 하여 구한, 점착제층의 삼차원 좌표(δ_dA, δ_pA, δ_hA) 및 다이 본드층의 삼차원 좌표(δ_dD, δ_pD, δ_hD), 점착제층의 분산항과 다이 본드층의 분산항의 차의 절댓값, 점착제층의 극성항과 다이 본드층의 극성항의 절댓값, 점착제층의 수소 결합항과 다이 본드층의 수소 결합항의 절댓값, 및, 한센 용해도 파라미터 거리 Ra에 대하여, 이하의 표 1에 나타냈다.

(광중합 개시제의 이행량)

각 예에 관한 다이싱 다이 본드 필름에 대하여, 점착제층으로부터 다이 본드층으로의 광중합 개시제의 이행량을 측정하였다.

광중합 개시제의 이행량의 측정은, 이하와 같이 하여 행하였다. 또한, 이하 (1) 내지 (4)는 어느 암소에서 행하였다.

(1) 점착제층 상으로부터 다이 본드층을 약 0.1g 박리한다.

(2) 박리한 다이 본드층을 3mL의 클로로포름 용액 중에 첨가한 후, 냉암소에서 하룻밤(약 16시간) 진탕함으로써, 광중합 개시제를 클로로포름 용액 중에 추출시킨다.

(3) 광중합 개시제 추출 후의 클로로포름 용액에 5mL의 메탄올 용액을 첨가하여, 광중합 개시제 이외의 성분을 재침전시키고, 재침전시킨 성분을 멤브레인 필터로 여과하여, 광중합 개시제의 용해액(클로로포름과 메탄올의 혼합 용액)을 얻는다.

(4) 상기 광중합 개시제의 용해액을 HPLC로 분석한다. HPLC로의 분석은, 이하의 조건에서 행한다.

분석 장치

Waters, Acquity HPLC

측정 조건

·칼럼: GL Science, InertSustain(등록 상표) C18(4.6㎜φ×5㎝, 담체의 평균 입자경 3㎛)

·칼럼 온도: 40℃

·칼럼 유량: 0.8mL/min

·용리액 조성: 초순수/아세토니트릴의 그래디언트 조건

·인젝션량: 10μL

·검출기: PDA 검출기

·검출 파장: 260nm

또한, 광중합 개시제의 정량은, 검량선과 상기 분석 결과를 기초로 행하였다.

상기와 같이 하여 측정한, 광중합 개시제의 이행량에 대하여, 이하의 표 1에 나타냈다.

(박리력)

각 예에 관한 다이싱 다이 본드 필름에 대하여, 점착제층에 대한 다이 본드층의 박리력을 측정하였다.

점착제층에 대한 다이 본드층의 박리력은, T형 박리 시험에 의해 측정하였다.

T형 박리 시험은, 다이 본드층으로부터 PET 세퍼레이터를 박리하여, 다이 본드층에 노출면을 형성하고, 해당 노출면에 배접 테이프(상품명 「ELP BT315, 닛토덴코사제」를 접합한 다이싱 다이 본드 필름으로부터, 폭 20㎜×길이 120㎜의 치수로 잘라낸 것을 측정용 샘플로 하고, 인장 시험기(예를 들어, 상품명 「TG-1kN」, 미네베아 미쓰미사제)를 사용하여, 온도 25℃, 인장 속도 300㎜/분의 조건에서 행하였다.

또한, 박리력의 측정은, 자외선 조사 전의 측정용 샘플에 대하여 행하였다.

상기와 같이 하여 측정한 박리력에 대하여, 이하의 표 1에 나타냈다.

(보유 지지성 평가)

상기와 같이 하여 얻은 실시예 1에 관한 다이싱 다이 본드 필름에, 온도 50 내지 80℃에서 가열하면서, 베어 웨이퍼(직경 300㎜) 및 다이싱 링을 첩부하였다.

다음에, 다이 세퍼레이터 DDS230(디스코사제)을 사용하여, 반도체 웨이퍼 및 다이 본드층의 할단을 행하고, 할단 후의 칩 들뜸에 대하여 평가하였다. 베어 웨이퍼는, 길이 10㎜×폭 10㎜×두께 0.055㎜의 크기의 베어 칩으로 할단한 후, 두께 0.030㎜까지 연삭하였다.

또한, 베어 웨이퍼로서는, 휨 웨이퍼를 사용하였다.

휨 웨이퍼는 이하와 같이 하여 제작하였다.

먼저, 하기 (a) 내지 (f)를 메틸에틸케톤에 용해시켜, 고형분 농도 20질량％의 휨 조정 조성물을 얻었다.

(a) 아크릴 수지(나가세 켐텍스사제, 상품명 「SG-70L」): 5질량부

(b) 에폭시 수지(미쓰비시 가가쿠사제, 상품명 「JER828」): 5질량부

(c) 페놀 수지(메이와 가세이사제, 상품명 「LDR8210」): 14질량부

(d) 에폭시 수지(미쓰비시 가가쿠사제, 상품명 「MEH-8005」): 2질량부

(e) 구상 실리카(애드마텍스사제, 상품명 「SO-25R」): 53질량부

(f) 인계 촉매(TPP-K): 1질량부

다음에, 상기 휨 조정 조성물을, 박리 라이너인 PET계 세퍼레이터(두께 50㎛)의 실리콘 처리한 면 상에, 애플리케이터를 사용하여 두께 25㎛로 도포하고, 130℃에서 2분간 건조하여 상기 휨 조정 조성물로부터 탈용매하여, 상기 박리 라이너 상에 휨 조정층이 적층된 휨 조정 시트를 얻었다.

다음에, 상기 휨 조정 시트에 있어서의 상기 박리 라이너가 적층되어 있지 않은 측에, 라미네이터(MCK사제, 형식 MRK-600)를 사용하여, 60℃, 0.1㎫, 10㎜/s의 조건에서 베어 웨이퍼를 첩부하고, 오븐에 넣어 175℃에서 1시간 가열하여 상기 휨 조정층에 있어서의 수지를 열경화시키고, 이에 의해, 상기 휨 조정층이 수축됨으로써 휜 베어 웨이퍼를 얻었다.

상기 휨 조정층을 수축시킨 후, 휜 베어 웨이퍼에 있어서의 상기 휨 조정층이 적층되어 있지 않은 측에 웨이퍼 가공용 테이프(닛토덴코 가부시키가이샤제, 상품명 「V-12SR2」)를 첩부한 후, 상기 웨이퍼 가공용 테이프를 개재하여, 휜 베어 웨이퍼에 다이싱 링을 고정하였다. 그 후, 휜 베어 웨이퍼로부터 상기 휨 조정층을 제거하였다.

다이싱 장치(DISCO사제, 형번 6361)를 사용하여, 휜 베어 웨이퍼에 있어서의 상기 휨 조정층을 제거한 면(이하, 한쪽 면이라 함)의 전체에, 이 면으로부터 100㎛의 깊이의 홈을 격자상(폭 20㎛)으로 형성하였다.

다음에, 휜 베어 웨이퍼의 한쪽 면에 백그라인드 테이프를 접합하고, 휜 베어 웨이퍼의 다른 쪽 면(상기 한쪽 면과 반대측의 면)으로부터 상기 웨이퍼 가공용 테이프를 제거하였다.

다음에, 백그라인더(DISCO사제, 형식 DGP8760)를 사용하여, 휜 베어 웨이퍼의 두께가 30㎛(0.030㎜)가 되도록, 다른 쪽 면측으로부터 휜 베어 웨이퍼를 연삭함으로써 얻어진 웨이퍼를, 휨 웨이퍼로 하였다.

보유 지지성 평가는, 상세하게는 이하와 같이 하여 평가하였다.

먼저, 쿨 익스팬더 유닛에서, 익스팬드 온도 -15℃, 익스팬드 속도 200㎜/초, 익스팬드양 11㎜의 조건에서, 베어 웨이퍼 및 다이 본드층을 할단하여, 다이 본드층 구비 반도체 칩을 얻었다.

다음에, 실온, 익스팬드 속도 1㎜/초, 익스팬드양 7㎜의 조건에서 익스팬드를 행하였다. 그리고, 익스팬드 상태를 유지한 채로, 히트 온도 200℃, 풍량 40L/min, 히트 거리 20㎜, 로테이션 스피드 3°/sec의 조건에서, 베어 웨이퍼의 외주연과의 경계 부분의 다이싱 다이 본드 필름을 열수축시켰다.

다음에, 다이싱 다이 본드 필름에 다이싱 링을 보유 지지시킨 상태에서, 다이 본드층 구비 반도체 칩을, 다이싱 테이프측(기재층인 폴리올레핀 필름측)으로부터 관찰하여, 다이 본드층에 대한 반도체 칩의 접촉률을 산출함으로써, 보유 지지성을 평가하였다.

구체적으로는, VHX-6000(키엔스사제)을 사용하여, 다이싱 테이프측으로부터 현미경 사진을 촬영하고, 화상 해석 소프트웨어(ImageJ)를 사용하여 촬상한 현미경 사진을 화상 해석함으로써, 다이 본드층으로부터 반도체 칩이 들떠 있지 않은 부분의 면적을 계측하였다.

그리고, 반도체 칩의 크기로부터 반도체 칩의 면적을 산출하고, 이 반도체 칩의 면적과 반도체 칩이 들떠 있지 않은 부분의 면적으로부터, 다이 본드층에 대한 반도체 칩의 접촉률을 산출하고, 그 접촉률의 값을 기초로 보유 지지성을 평가하였다.

보유 지지성의 평가는, 이하의 평가 기준에 기초하여 행하였다.

◎: 접촉률이 90％ 이상임

○: 접촉률이 60％ 이상 90％ 미만임

×: 접촉률이 60％ 미만임

보유 지지성을 평가한 결과에 대하여, 이하의 표 1에 나타냈다.

표 1로부터, 한센 용해도 파라미터 거리 Ra가 3 이상 14 이하인 실시예 1 내지 6에 관한 다이싱 다이 본드 필름에서는, 보유 지지성 평가가 모두 ○ 또는 ◎이며, 보유 지지성이 양호하고, 또한, 점착제층으로부터 다이 본드층으로의 광중합 개시제의 이행량도, 2200ppm 이하로 비교적 낮은 값이 됨을 알 수 있었다.

이에 반해, 한센 용해도 파라미터 거리 Ra가 14를 초과하는 비교예 1에 관한 다이싱 다이 본드 필름에서는, 점착제층으로부터 다이 본드층으로의 광중합 개시제의 이행량은 800ppm으로 비교적 낮은 값이었지만, 보유 지지성 평가는 ×이며, 보유 지지성이 불량으로 됨을 알 수 있었다.

또한, 한센 용해도 파라미터 거리 Ra가 3 미만인 비교예 2 및 3에 관한 다이싱 다이 본드 필름에서는, 보유 지지성 평가가 모두 ◎이었지만, 점착제층으로부터 다이 본드층으로의 광중합 개시제의 이행량이 3900ppm 이상으로 비교적 높은 값이 됨을 알 수 있었다.

이 결과로부터, 다이 본드층이 개편화된 후에 발생하는 칩 들뜸을 비교적 억제하고, 또한, 다이 본드층 및 점착제층간에서의 성분 이행을 비교적 억제하기 위해서는, 한센 용해도 파라미터 거리 Ra를 3 이상 14 이하로 할 필요가 있음을 알 수 있다.

또한, 표 1에서는, 다이 본드층 및 점착제층간에서의 성분 이행으로서, 점착제층으로부터 다이 본드층으로의 광중합 개시제의 이행량만을 게재하고 있지만, 다이 본드층에 포함되는 경화 촉진제(열경화 촉매)의 점착제층으로의 이행도, 이와 마찬가지로 일어날 수 있음이 예상된다.

1: 기재층
2: 점착제층
3: 다이 본드층
10: 다이싱 테이프
20: 다이싱 다이 본드 필름
G: 백그라인드 테이프
H: 보유 지지구
J: 흡착 지그
P: 핀 부재
R: 다이싱 링
T: 웨이퍼 가공용 테이프
U: 밀어올림 부재
W: 반도체 웨이퍼

Claims

기재층 상에 점착제층이 적층된 다이싱 테이프와,
상기 다이싱 테이프의 점착제층 상에 적층된 다이 본드층을 구비하고,
삼차원 좌표로 표시되는, 상기 점착제층의 한센 용해도 파라미터(δ_dA, δ_pA, δ_hA)와, 삼차원 좌표로 표시되는, 상기 다이 본드층의 한센 용해도 파라미터(δ_dD, δ_pD, δ_hD)를 사용하여, 하기 식 (1)에서 산출되는 한센 용해도 파라미터 거리 Ra가, 3 이상 14 이하인, 다이싱 다이 본드 필름.

(단, δ_dD 및 δ_dA는 분산항이고, δ_pD 및 δ_pA는 극성항이며, δ_hD 및 δ_hA는 수소 결합항임)
제1항에 있어서,
상기 점착제층에 있어서의 한센 용해도 파라미터의 분산항 δ_dA의 값과, 상기 다이 본드층에 있어서의 한센 용해도 파라미터의 분산항 δ_dD의 값의 차의 절댓값이, 0.4 이상 3.0 이하인, 다이싱 다이 본드 필름.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 점착제층에 있어서의 한센 용해도 파라미터의 극성항 δ_pA의 값과, 상기 다이 본드층에 있어서의 한센 용해도 파라미터의 극성항 δ_pD의 값의 차의 절댓값이, 1.5 이상 10.0 이하인, 다이싱 다이 본드 필름.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 점착제층에 있어서의 한센 용해도 파라미터의 수소 결합항 δ_hA의 값과, 상기 다이 본드층에 있어서의 한센 용해도 파라미터의 수소 결합항 δ_hD의 값의 차의 절댓값이, 0.5 이상 6.5 이하인, 다이싱 다이 본드 필름.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 점착제층에 대한 상기 다이 본드층의 박리력이 0.5N/20㎜ 이상인, 다이싱 다이 본드 필름.