JP7430056B2 - ダイシングダイボンドフィルム - Google Patents

Description

本発明は、ダイシングダイボンドフィルムに関する。

従来、半導体装置の製造において、ダイボンディング用の半導体チップを得るために、ダイシングダイボンドフィルムを用いることが知られている。
前記ダイシングダイボンドフィルムは、基材層上に粘着剤層が積層されたダイシングテープと、該ダイシングテープの粘着剤層上に剥離可能に積層されたダイボンド層とを備えている。

そして、前記ダイシングダイボンドフィルムを用いてダイボンディング用の半導体チップ（ダイ）を得る方法として、半導体ウェハを割断処理によってチップ（ダイ）へ加工すべく半導体ウェハに溝を形成するハーフカット工程と、ハーフカット工程後の半導体ウェハを研削して厚さを薄くするバックグラインド工程と、バックグラインド工程後の半導体ウェハの一面（例えば、回路面とは反対側の面）をダイボンド層に貼付して、ダイシングテープに半導体ウェハを固定するマウント工程と、ハーフカット加工された半導体チップ同士の間隔を広げるエキスパンド工程と、半導体チップ同士の間隔を維持するカーフ維持工程と、ダイボンド層と粘着剤層との間を剥離してダイボンド層が貼付された状態で半導体チップを取り出すピックアップ工程と、ダイボンド層が貼付された状態の半導体チップを被着体（例えば、実装基板等）に接着させるダイボンド工程と、を有する方法を採用することが知られている。
なお、前記カーフ維持工程においては、ダイシングテープに熱風（例えば、１００～１３０℃）を当ててダイシングテープを熱収縮させた後（ヒートシュリンクさせた後）冷却固化させて、割断された隣り合う半導体チップ間の距離（カーフ）を維持している。
また、前記エキスパンド工程では、前記ダイボンド層は、個片化された複数の半導体チップのサイズに相当する大きさに割断される。

ところで、前記ダイボンド層が個片化された後に、ダイボンド層付の半導体チップの外周縁部分が前記粘着剤層の表面から浮き上がるチップ浮きが生じることがある。

このようなチップ浮きを抑制するために、例えば、特許文献１には、特定の物性を有するダイシングテープを用いることが記載されている。
詳しくは、少なくとも１方向の、２３℃の温度条件で３０％延伸してから１０００秒後の応力緩和率が４５％以上であり、かつ、前記少なくとも一方向の、２３℃の温度条件で３０％延伸してから１０００秒後の応力値が４ＭＰａ以下であるダイシングテープを用いることが記載されている。

特開２０１９－１６６３３号公報

しかしながら、ダイボンド層が個片化された後に生じるチップ浮きの抑制について、未だ十分な検討がなされているとは言い難い。

また、上記したように、前記ダイボンド層は、前記ピックアップ工程において前記粘着剤層から剥離される（切り離される）ものの、前記ピックアップ工程よりも前においては、前記ダイボンド層及び前記粘着剤層は接触した状態にある。
そのため、前記ダイボンド層に含まれる成分が前記粘着剤層中に移行したり、前記粘着剤層に含まれる成分が前記ダイボンド層中に移行したりすることがある。このように、前記ダイボンド層及び前記粘着剤層間での成分移行が生じると、前記ダイボンド層及び前記粘着剤層は、それぞれに要求される特性を満たさなくなることがあるため好ましくない。
しかしながら、前記ダイボンド層及び前記粘着剤層間での成分移行を抑制することについて、未だ十分な検討がなされているとは言い難い。

そこで、本発明は、ダイボンド層が個片化された後に生じるチップ浮きを比較的抑制することができ、かつ、ダイボンド層及び粘着剤層間での成分移行を比較的抑制することができるダイシングダイボンドフィルムを提供することを課題とする。

本発明者らが鋭意検討したところ、上記のように構成されるダイシングダイボンドフィルムにおいて、分散項δ_ｄＡ、極性項δ_ｐＡ、及び、水素結合項δ_ｈＡで表される、粘着剤層のハンセン溶解度パラメータと、分散項δ_ｄＤ、極性項δ_ｐＤ、及び、水素結合項δ_ｈＤで表される、ダイボンド層のハンセン溶解度パラメータとを用いて算出されるハンセン溶解度パラメータ距離Ｒａを所定の数値範囲とすることにより、ダイボンド層が個片化された後に生じるチップ浮きを比較的抑制することができ、かつ、前記ダイボンド層及び前記粘着剤層間での成分移行を比較的抑制することができることを見出して、本発明を想到するに至った。

すなわち、本発明に係るダイシングダイボンドフィルムは、
基材層上に粘着剤層が積層されたダイシングテープと、
前記ダイシングテープの粘着剤層上に積層されたダイボンド層と、を備え、
三次元座標で表される、前記粘着剤層のハンセン溶解度パラメータ（δ_ｄＡ、δ_ｐＡ、δ_ｈＡ）と、三次元座標で表される、前記ダイボンド層のハンセン溶解度パラメータ（δ_ｄＤ、δ_ｐＤ、δ_ｈＤ）とを用いて、下記式（１）で算出されるハンセン溶解度パラメータ距離Ｒａが、３以上１４以下である。

（ただし、δ_ｄＤ及びδ_ｄＡは分散項であり、δ_ｐＤ及びδ_ｐＡは極性項であり、δ_ｈＤ及びδ_ｈＡは水素結合項である）

斯かる構成によれば、ダイボンド層が個片化された後に生じるチップ浮きを比較的抑制することができ、かつ、前記ダイボンド層及び前記粘着剤層間での成分移行を比較的抑制することができる。

前記ダイシングダイボンドフィルムにおいては、
前記粘着剤層におけるハンセン溶解度パラメータの分散項δ_ｄＡの値と、前記ダイボンド層におけるハンセン溶解度パラメータの分散項δ_ｄＤの値との差の絶対値が、０．４以上３．０以下であることが好ましい。

斯かる構成によれば、ダイボンド層が個片化された後に生じるチップ浮きをより一層抑制することができ、かつ、前記ダイボンド層及び前記粘着剤層間での成分移行をより一層抑制することができる。

前記ダイシングダイボンドフィルムにおいては、
前記粘着剤層におけるハンセン溶解度パラメータの極性項δ_ｐＡの値と、前記ダイボンド層におけるハンセン溶解度パラメータの極性項δ_ｐＤとの差の絶対値が、１．５以上１０．０以下であることが好ましい。

斯かる構成によれば、ダイボンド層が個片化された後に生じるチップ浮きをより一層抑制することができ、かつ、前記ダイボンド層及び前記粘着剤層間での成分移行をより一層抑制することができる。

前記ダイシングダイボンドフィルムにおいては、
前記粘着剤層におけるハンセン溶解度パラメータの水素結合項δ_ｈＡの値と、前記ダイボンド層におけるハンセン溶解度パラメータの水素結合項δ_ｈＤの値との差の絶対値が、０．５以上６．５以下であることが好ましい。

斯かる構成によれば、ダイボンド層が個片化された後に生じるチップ浮きをより一層抑制することができ、かつ、前記ダイボンド層及び前記粘着剤層間での成分移行をより一層抑制することができる。

前記ダイシングダイボンドフィルムにおいては、
前記粘着剤層は光硬化成分を含み、
光照射前において、前記粘着剤層に対する前記ダイボンド層の剥離力が０．５Ｎ／２０ｍｍ以上であることが好ましい。

斯かる構成によれば、前記粘着剤層において前記ダイボンド層を適度に保持することができるので、ダイボンド層が個片化された後に生じるチップ浮きをより一層抑制することができる。

本発明によれば、ダイボンド層が個片化された後に生じるチップ浮きを比較的抑制することができ、かつ、ダイボンド層及び粘着剤層間での成分移行を比較的抑制することができるダイシングダイボンドフィルムを提供することができる。

本発明の一実施形態に係るダイシングダイボンドフィルムの構成を示す断面図。 半導体集積回路の製造方法におけるハーフカット加工の様子を模式的に示す断面図。 半導体集積回路の製造方法におけるハーフカット加工の様子を模式的に示す断面図。 半導体集積回路の製造方法におけるバックグラインド加工の様子を模式的に示す断面図。 半導体集積回路の製造方法におけるバックグラインド加工の様子を模式的に示す断面図。 半導体集積回路の製造方法におけるマウント工程の様子を模式的に示す断面図。 半導体集積回路の製造方法におけるマウント工程の様子を模式的に示す断面図。 半導体集積回路の製造方法における低温でのエキスパンド工程の様子を模式的に示す断面図。 半導体集積回路の製造方法における低温でのエキスパンド工程の様子を模式的に示す断面図。 半導体集積回路の製造方法における低温でのエキスパンド工程の様子を模式的に示す断面図。 半導体集積回路の製造方法における常温でのエキスパンド工程の様子を模式的に示す断面図。 半導体集積回路の製造方法における常温でのエキスパンド工程の様子を模式的に示す断面図。 半導体集積回路の製造方法におけるカーフ維持工程の様子を模式的に示す断面図。 半導体集積回路の製造方法におけるピックアップ工程の様子を模式的に示す断面図。

以下、本発明の一実施形態について説明する。

［ダイシングダイボンドフィルム］
図１に示したように、本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０は、基材層１上に粘着剤層２が積層されたダイシングテープ１０と、ダイシングテープ１０の粘着剤層２上に積層されたダイボンド層３と、を備える。
ダイシングダイボンドフィルム２０では、ダイボンド層３上に半導体ウェハが貼付される。
ダイシングダイボンドフィルム２０を用いた半導体ウェハの割断においては、半導体ウェハと共にダイボンド層３も割断される。ダイボンド層３は、個片化された複数の半導体チップのサイズに相当する大きさに割断される。これにより、ダイボンド層３付の半導体チップを得ることができる。

本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０は、三次元座標で表される、粘着剤層２のハンセン溶解度パラメータ（δ_ｄＡ、δ_ｐＡ、δ_ｈＡ）と、三次元座標で表される、ダイボンド層３のハンセン溶解度パラメータ（δ_ｄＤ、δ_ｐＤ、δ_ｈＤ）とを用いて、下記式（１）で算出されるハンセン溶解度パラメータ距離Ｒａが、３以上１４以下である。

（ただし、δ_ｄＤ及びδ_ｄＡは分散項であり、δ_ｐＤ及びδ_ｐＡは極性項であり、δ_ｈＤ及びδ_ｈＡは水素結合項である）

ハンセン溶解度パラメータは、ヒルデブランド（Ｈｉｌｄｅｂｒａｎｄ）溶解パラメータを、分散項、極性項、及び、水素結合項の３成分に分割したものであり、前記分散項、前記極性項、及び、前記水素結合項は、３次元座標で表すことができる。例えば、Ａ成分及びＢ成分の互いの溶解性（相溶性）について評価する場合、Ａ成分の３次元座標とＢ成分の３次元座標とが近い位置関係にあれば、相溶性が高いと判断され、Ａ成分の３次元座標とＢ成分の３次元座標とが遠い位置関係にあれば、相溶性が低いと判断される。すなわち、上記式（１）を用いて算出されるハンセン溶解度パラメータ距離Ｒａの値が小さいほど、Ａ成分とＢ成分の相溶性が高いと判断され、Ｒａの値が大きいほど、Ａ成分とＢ成分の相溶性が低いと判断される。
なお、前記分散項はファンデルワールス力に関する項であり、前記極性項はダイポール・モーメントに関する項であり、前記水素結合項は水素結合に関する項である。

粘着剤層２のハンセン溶解度パラメータにおける、分散項δ_ｄＡ、極性項δ_ｐＡ、及び、水素結合項δ_ｈＡ、並びに、ダイボンド層３のハンセン溶解度パラメータにおける、分散項δ_ｄＤ、極性項δ_ｐＤ、及び、水素結合項δ_ｈＤは、ハンセン溶解球法（Ｈａｎｓｅｎ Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ ｓｐｈｅｒｅ法）を用いて、三次元座標により求めることができる。

粘着剤層２の三次元座標（δ_ｄＡ、δ_ｐＡ、δ_ｈＡ）は、ハンセン溶解球法を用いて以下のようにして求めることができる。
（１）評価用試料として、ダイボンド層３及び基材層１が混入しないように、ダイシングダイボンドフィルム２０から粘着剤層２の一部を取り出す。
（２）評価用試料（取り出した粘着剤層２）を、濃度が０．５ｍｇ／ｍＬとなるように、評価用溶剤に加える。該評価用溶剤としては、ハンセン溶解度パラメータが既知の溶剤、すなわち、分散項、極性項、及び、水素結合項の値が既知である溶剤を用いる。本実施形態では、このような溶剤として、アセトン、トルエン、酢酸エチル、エタノール、クロロホルム、ジメチルスルホキシド、Ｎ－メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ－メチルピロリドン、γ－ブチロラクトン、１，１，２，２－テトラブロモエタン、１－ブタノール、４－メチル－２－ペンタノン、２－プロパノール、シクロヘキサン、ホルムアミド、２－メトキシエタノール、酢酸、ベンジルアルコール、エタノールアミン、メチルエチルケトン、メチルシクロヘキサン、テトラヒドロフラン、アニリン、１，４－ジオキサン、サリチルアルデヒド、エチレングリコールを用いる。
すなわち、評価用試料を、上記各評価用溶剤にそれぞれ加える。
（３）評価用試料を加えた各評価用溶剤を、浸透や撹拌などを行わずに、室温（２３±２℃）かつ遮光条件にて２４時間静置した後、各評価用溶剤について評価用試料の膨潤度合を評価する。
（４）解析ソフト「Ｈａｎｓｅｎ Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ Ｐａｒａｍｅｔｅｒ ｉｎ Ｐｒａｃｔｉｃｅ（ＨＳＰｉＰ） Ｖｅｒ．４」を用いて、上記各評価用溶剤のハンセン溶解度パラメータ（分散項、極性項、及び、水素結合項）を三次元空間に座標（δ_ｄ、δ_ｐ、δ_ｈ）としてプロットする。
（５）上記の各評価用溶剤における評価用試料の状態の評価結果に応じて、粘着剤層２に対する良溶媒、及び、粘着剤層２に対する貧溶媒を判定した結果を、スコアとして、解析ソフト「ＨＳＰｉＰ」にインプットし、解析ソフト「ＨＳＰｉＰ」にて、良溶媒が内側、貧溶媒が外側となるようにハンセン溶解球を作成する。そして、前記ハンセン溶解球の中心座標を求め、その中心座標を粘着剤層２のハンセン溶解度パラメータ（δ_ｄＡ、δ_ｐＡ、δ_ｈＡ）とする。
なお、良溶媒及び貧溶媒の判定は、以下のスコアに従う。
・スコア１
評価用試料が５５％を超える膨潤率Ｓｒで膨潤した状態で存在しているか、評価用試料が評価用溶剤に完全に溶解した状態であるか、あるいは、評価用溶剤中において、評価用試料がほぼ同じ大きさに砕けた状態で存在する。
なお、膨潤率Ｓｒとは、溶剤添加前の評価用試料の最も大きい直径を測長し（例えば、楕円形状の場合には長径を測長し、円形状の場合には直径を測長する）、溶剤添加して静置後に最も大きい直径がどの程度大きくなったかを算出することにより得られる値である。
すなわち、膨潤率Ｓｒは、下記式を用いて算出される。
Ｓｒ（％）＝［（溶剤添加静置後の評価用試料の最も大きい直径）－（溶剤添加前の評価用試料の最も大きい直径）］／（溶剤添加前の評価用試料の最も大きい直径）×１００
・スコア２
評価用試料が２０％以上５５％以下の膨潤率Ｓｒで膨潤した状態（評価用試料に膨潤は認められるものの、その程度は大きくない）で存在しているか、評価用試料の一部が明らかに溶解しているものの、完全には溶解していない状態であるか、あるいは、評価用溶剤中において、評価用試料が一部だけ砕けた状態で存在する。
・スコア０
評価用試料が０％を超えて２０％未満の膨潤率Ｓｒで膨潤した状態（評価用試料に目視での膨潤が殆ど認められない）で存在しているか、あるいは、評価用試料が評価用溶剤に全く溶解していない。

ダイボンド層３についても、上記した粘着剤層２と同様にして、ハンセン溶解球法を用いて三次元空間におけるハンセン溶解度パラメータ（δ_ｄＤ、δ_ｐＤ、δ_ｈＤ）を求めることができる。ダイボンド層３については、ダイボンド層３から１ｃｍ角に切り出したものを評価用試料とすることができる。
なお、ダイボンド層３の場合には、良溶媒及び貧溶媒の判定は、以下のスコアに従う。
・スコア１
評価用試料が評価用溶剤に目視上完全に溶解している（ただし、沈殿したフィラーは除く）
・スコア２
評価用溶剤中への評価用試料の溶解が目視上認められるものの、溶け残りが確認される。具体的には、評価用試料の一部が溶解することにより、１ｃｍ角に切り出した評価用試料は角が取れた状態となっている。
・スコア０
評価用溶剤への評価用試料の溶解が目視上全く認められない。具体的には、評価用試料が全く溶解していないため、１ｃｍ角に切り出した評価用試料は角が取れた状態となっていない。

上記のようにして求めた、粘着剤層２の、分散項δ_ｄＡ、極性項δ_ｐＡ及び水素結合項δ_ｈＡ、並びに、ダイボンド層３の、分散項δ_ｄＤ、極性項δ_ｐＤ、及び水素結合項δ_ｈＤを、上記式（１）に代入することにより、ハンセン溶解度パラメータ距離Ｒａを算出することができる。

ここで、上記したように、Ａ成分とＢ成分との相溶性を評価する場合、ハンセン溶解度パラメータ距離Ｒａの値が小さいほど、Ａ成分とＢ成分の相溶性が高いと判断され、Ｒａの値が大きいほど、Ａ成分とＢ成分の相溶性が低いと判断される。
そのため、粘着剤層２のハンセン溶解度パラメータ（δ_ｄＡ、δ_ｐＡ、δ_ｈＡ）及びダイボンド層３のハンセン溶解度パラメータ（δ_ｄＤ、δ_ｐＤ、δ_ｈＤ）を上記式（１）に代入して算出されるハンセン溶解度パラメータ距離Ｒａの値が小さくなると、粘着剤層２とダイボンド層３との親和性が高くなるため、ダイボンド層３を粘着剤層２に十分に保持できるものの、親和性が高くなる分だけ、ダイボンド層３に含まれる成分（ポリマー以外の有機成分（例えば、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、熱硬化性樹脂の硬化剤、熱硬化触媒（硬化促進剤）など）が粘着剤層２に移行し易くなったり、粘着剤層２に含まれる成分（例えば、後述する光重合開始剤や粘着付与剤など）がダイボンド層３に移行し易くなったりする。
また、粘着剤層２のハンセン溶解度パラメータ（δ_ｄＡ、δ_ｐＡ、δ_ｈＡ）及びダイボンド層３のハンセン溶解度パラメータ（δ_ｄＤ、δ_ｐＤ、δ_ｈＤ）を上記式（１）に代入して算出されるハンセン溶解度パラメータ距離Ｒａの値が大きいほど、粘着剤層２とダイボンド層３との親和性が低くなる分だけ、ダイボンド層３に含まれる成分が粘着剤層２に移行し難くなったり、粘着剤層２に含まれる成分がダイボンド層３に移行し難くなったりするものの、親和性が低くなる分だけ、ダイボンド層３を粘着剤層２に十分に保持できなくなる。
そのため、ダイシングダイボンドフィルム２０においては、粘着剤層２のハンセン溶解度パラメータ及びダイボンド層３のハンセン溶解度パラメータから算出されるハンセン溶解度パラメータ距離Ｒａを適切な値とする必要がある。
しかしながら、本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０においては、上記のように、ハンセン溶解度パラメータ距離Ｒａが、３以上１４以下であるので、ダイボンド層３に含まれる成分が粘着剤層２に移行したり、粘着剤層２に含まれる成分がダイボンド層３に移行したりすることを抑制することができることに加えて、ダイボンド層３を粘着剤層２に十分に保持できる。
これにより、ダイボンド層が個片化された後に生じるチップ浮きを比較的抑制することができ、かつ、ダイボンド層３及び粘着剤層２間での成分移行を比較的抑制することができる。

上記したように、本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０は、ダイボンド層３上に半導体ウェハが貼付されて使用されるものであるが、半導体ウェハに貼付される前（すなわち、後述するマウント工程前）のハンセン溶解度パラメータ距離Ｒａが、３以上１４以下であってもよい。
また、本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０は、半導体ウェハに貼付された後であって、ダイボンド層付半導体チップを回収する前（すなわち、後述する、マウント工程、エキスパンド工程、及び、カーフ維持工程）において、ハンセン溶解度パラメータ距離Ｒａが３以上１４以下であってもよい。
なお、粘着剤層２が、後述する放射線硬化粘着剤を含むものである場合には、本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０は、半導体ウェハに貼付された後であって、放射線を照射する前において、ハンセン溶解度パラメータ距離Ｒａが３以上１４以下であってもよい。
さらに、後述するように、粘着剤層２が放射線硬化粘着剤を含むものである場合には、本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０は、放射線を照射した後に、ハンセン溶解度パラメータ距離Ｒａが１４を上回ってもよい。これにより、粘着剤層２とダイボンド層３との親和性が比較的低くなるため、後述するピックアップ工程において、ダイボンド層３付半導体チップを回収し易くなる。

本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０においては、粘着剤層２におけるハンセン溶解度パラメータの分散項δ_ｄＡの値と、ダイボンド層３におけるハンセン溶解度パラメータの分散項δ_ｄＤの値との差が絶対値が、０．４以上３．０以下であることが好ましい。
また、粘着剤層２におけるハンセン溶解度パラメータの分散項δ_ｄＡの値は、１４以上１８以下であることが好ましい。
これにより、ダイボンド層が個片化された後に生じるチップ浮きをより一層抑制でき、かつ、ダイボンド層３及び粘着剤層２間での成分移行をより一層抑制することができる。

本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０においては、粘着剤層２におけるハンセン溶解度パラメータの極性項δ_ｐＡの値と、ダイボンド層３におけるハンセン溶解度パラメータの極性項δ_ｐＤの値との差の絶対値が、１．５以上１０．０以下であることが好ましい。
また、粘着剤層２におけるハンセン溶解度パラメータの極性項δ_ｐＡの値は、２以上１０以下であることが好ましい。
これにより、ダイボンド層が個片化された後に生じるチップ浮きをより一層抑制でき、かつ、ダイボンド層３及び粘着剤層２間での成分移行をより一層抑制することができる。

本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０においては、粘着剤層２におけるハンセン溶解度パラメータの水素結合項δ_ｈＡの値と、ダイボンド層３におけるハンセン溶解度パラメータの水素結合項δ_ｈＤの値との差の絶対値が、０．５以上６．５以下であることが好ましい。
また、粘着剤層２におけるハンセン溶解度パラメータの水素結合項δ_ｈＡの値は、３以上１１．５以下であることが好ましい。
これにより、ダイボンド層が個片化された後に生じるチップ浮きをより一層抑制でき、かつ、ダイボンド層３及び粘着剤層２間での成分移行をより一層抑制することができる。

本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０においては、粘着剤層２に対するダイボンド層３の剥離力が０．５Ｎ／２０ｍｍ以上であることが好ましい。
粘着剤層２に対するダイボンド層３の剥離力を上記のような数値範囲とすることにより、粘着剤層２にてダイボンド層３を適度に保持することができるようになるので、ダイボンド層が個片化された後に生じるチップ浮きをより一層抑制できる。
また、粘着剤層２に対するダイボンド層３の剥離力は、５Ｎ／２０ｍｍ以下であることが好ましい。

粘着剤層２に対するダイボンド層３の剥離力は、Ｔ型剥離試験により測定することができる。Ｔ型剥離試験は、ダイボンド層３の露出面に裏打ちテープを貼り合せたダイシングダイボンドフィルム２０から、幅２０ｍｍ×長さ１２０ｍｍの寸法に切り出したものを測定用サンプルとし、引張試験器（例えば、商品名「ＴＧ－１ｋＮ」、ミネベアミツミ社製）を用いて、温度２５℃、引張速度３００ｍｍ／分の条件で行うことができる。
なお、粘着剤層２に含まれる粘着剤が放射線硬化粘着剤（例えば、紫外線硬化粘着剤）である場合には、粘着剤層２に放射線照射（例えば、紫外線照射）を行う前の測定用サンプルについて、前記Ｔ型剥離試験を行う。

基材層１は、粘着剤層２を支持する。基材層１は樹脂フィルムを用いて作製される。樹脂フィルムに含まれる樹脂としては、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフェニルスルフィド、フッ素樹脂、セルロース系樹脂、及び、シリコーン樹脂等が挙げられる。

ポリオレフィンとしては、例えば、α－オレフィンのホモポリマー、２種以上のα－オレフィンの共重合体、ブロックポリプロピレン、ランダムポリプロピレン、１種または２種以上のα－オレフィンと他のビニルモノマーとの共重合体等が挙げられる。

α－オレフィンのホモポリマーとしては、炭素数２以上１２以下のα－オレフィンのホモポリマーであることが好ましい。このようなホモポリマーとしては、エチレン、プロピレン、１－ブテン、４－メチル－１－ペンテン等が挙げられる。

２種以上のα－オレフィンの共重合体としては、エチレン／プロピレン共重合体、エチレン／１－ブテン共重合体、エチレン／プロピレン／１－ブテン共重合体、エチレン／炭素数５以上１２以下のα－オレフィン共重合体、プロピレン／エチレン共重合体、プロピレン／１－ブテン共重合体、プロピレン／炭素数５以上１２以下のα－オレフィン共重合体等が挙げられる。

１種または２種以上のα－オレフィンと他のビニルモノマーとの共重合体としては、エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等が挙げられる。

ポリオレフィンは、α－オレフィン系熱可塑性エラストマーと呼ばれるものであってもよい。α－オレフィン系熱可塑性エラストマーとしては、プロピレン・エチレン共重合体とプロピレンホモポリマーとを組み合わせたもの、または、プロピレン・エチレン・炭素数４以上のα－オレフィン三元共重合体が挙げられる。
α－オレフィン系熱可塑性エラストマーの市販品としては、例えば、プロピレン系エラストマー樹脂であるビスタマックス３９８０（エクソンモービルケミカル社製）が挙げられる。

樹脂フィルムは、前記した樹脂を１種含むものであってもよいし、前記した樹脂を２種以上含むものであってもよい。
なお、粘着剤層２が後述する紫外線硬化粘着剤を含む場合、基材層１を作製する樹脂フィルムは、紫外線透過性を有するように構成されることが好ましい。

基材層１は、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。基材層１は、無延伸成形により得られてもよいし、延伸成形により得られてもよいが、延伸成形により得られることが好ましい。基材層１が積層構造である場合、基材層１は、エラストマーを含む層（以下、エラストマー層という）と非エラストマーを含む層（以下、非エラストマー層という）とを有することが好ましい。
基材層１をエラストマー層と非エラストマー層とを有するものとすることにより、エラストマー層を、引張応力を緩和する応力緩和層として機能させることができる。すなわち、基材層１に生じる引張応力を比較的小さくすることができるので、基材層１を適度な硬さを有しつつ、比較的伸び易いものとすることができる。
これにより、半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性を向上させることができる。
また、エキスパンド工程における割断時に、基材層１が破れて破損することを抑制することができる。
なお、本明細書においては、エラストマー層とは、非エラストマー層に比べて室温での引張貯蔵弾性率が低い低弾性率層を意味する。エラストマー層としては、室温での引張貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下のものが挙げられ、非エラストマー層としては、室温での引張貯蔵弾性率が２００ＭＰａ以上５００ＭＰａ以下のものが挙げられる。

エラストマー層は、１種のエラストマーを含むものであってもよいし、２種以上のエラストマーを含むものであってもよいが、α－オレフィン系熱可塑性エラストマーや、ＥＶＡ（エチレン－酢酸ビニル共重合体）を含むことが好ましい。
非エラストマー層は、１種の非エラストマーを含むものであってもよいし、２種以上の非エラストマーを含むものであってもよいが、後述するメタロセンＰＰを含むことが好ましい。
基材層１がエラストマー層と非エラストマー層とを有する場合、基材層１は、エラストマー層を中心層とし、該中心層の互いに対向する両面に非エラストマー層を有する三層構造（非エラストマー層／エラストマー層／非エラストマー層）に形成されることが好ましい。

また、前記したように、カーフ維持工程においては、室温（例えば２３℃）でエキスパンド状態を維持した前記ダイシングダイボンドフィルムに熱風（例えば、１００～１３０℃）を当てて前記ダイシングダイボンドフィルムを熱収縮させた後、冷却固化させるため、基材層１の最外層は、ダイシングテープに当てられる熱風の温度に近い融点を有する樹脂を含んでいることが好ましい。これにより、熱風を当てることにより溶融した最外層をより迅速に固化させることができる。
その結果、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができる。

基材層１がエラストマー層と非エラストマー層との積層構造であり、エラストマー層がα－オレフィン系熱可塑性エラストマーを含み、かつ、非エラストマー層が後述するメタロセンＰＰなどのポリオレフィンを含む場合、エラストマー層は、該エラストマー層を形成するエラストマーの総質量に対して、α－オレフィン系熱可塑性エラストマーを５０質量％以上１００質量％以下含んでいることが好ましく、７０質量％以上１００質量％以下含んでいることがより好ましく、８０質量％以上１００質量％以下含んでいることがさらに好ましく、９０質量％以上１００質量％以下含んでいることが特に好ましく、９５質量％以上１００質量％以下含んでいることが最適である。α－オレフィン系熱可塑性エラストマーが前記範囲で含まれていることにより、エラストマー層と非エラストマー層との親和性が高くなるため、基材層１を比較的容易に押出成形することができる。また、エラストマー層を応力緩和層として作用させることができるので、ダイシングテープに貼付した半導体ウェハを効率良く割断することができる。

基材層１がエラストマー層と非エラストマー層との積層構造である場合、基材層１は、エラストマーと非エラストマーとを共押出して、エラストマー層と非エラストマー層との積層構造とする共押出成形により得られることが好ましい。共押出成形としては、フィルムやシート等の製造において一般に行われる任意の適切な共押出成形を採用することができる。共押出成形の中でも、基材層１を効率良く安価に得ることができる点から、インフレーション法や共押出Ｔダイ法を採用することが好ましい。

積層構造をなす基材層１を共押出成形にて得る場合、前記エラストマー層及び前記非エラストマー層は加熱されて溶融された状態で接するため、前記エラストマー及び前記非エラストマーの融点差は小さい方が好ましい。融点差が小さいことにより、低融点となる前記エラストマーまたは前記非エラストマーのいずれかに過度の熱がかかることが抑制されることから、低融点となる前記エラストマーまたは前記非エラストマーのいずれかが熱劣化することによって副生成物が生成されることを抑制できる。また、低融点となる前記エラストマーまたは前記非エラストマーのいずれかの粘度が過度に低下することにより前記エラストマー層と前記非エラストマー層との間に積層不良が生じることも抑制できる。前記エラストマー及び前記非エラストマーの融点差は、０℃以上７０℃以下であることが好ましく、０℃以上５５℃以下であることがより好ましい。
前記エラストマー及び前記非エラストマーの融点は、示差走査熱量（ＤＳＣ）分析により測定することができる。例えば、示差走査熱量計装置（ＴＡインスツルメンツ社製、型式ＤＳＣ Ｑ２０００）を用い、窒素ガス気流下、昇温速度５℃／ｍｉｎにて２００℃まで昇温し、吸熱ピークのピーク温度を求めることにより測定することができる。

基材層１の厚さは、５５μｍ以上１９５μｍ以下であることが好ましく、５５μｍ以上１９０μｍ以下であることがより好ましく、５５μｍ以上１７０μｍ以下であることがさらに好ましく、６０μｍ以上１６０μｍ以下であることが最適である。基材層１の厚さを前記の範囲とすることにより、ダイシングテープを効率良く製造することができ、かつ、ダイシングテープに貼付した半導体ウェハを効率良く割断することができる。
基材層１の厚さは、例えば、ダイアルゲージ（ＰＥＡＣＯＣＫ社製、型式Ｒ－２０５）を用いて、ランダムに選んだ任意の５点の厚さを測定し、これらの厚さを算術平均することにより求めることができる。

エラストマー層と非エラストマー層とを積層させた基材層１において、エラストマー層の厚さに対する非エラストマー層の厚さの比は、１／２５以上１／３以下であることが好ましく、１／２５以上１／３．５以下であることがより好ましく、１／２５以上１／４であることがさらに好ましく、１／２２以上１／４以下であることが特に好ましく、１／２０以上１／４以下であることが最適である。エラストマー層の厚さに対する非エラストマー層の厚さの比を前記範囲とすることにより、ダイシングテープに貼付した半導体ウェハをより効率良く割断することができる。

エラストマー層は、単層（１層）構造であってもよいし、積層構造であってもよい。エラストマー層は、１層～５層構造であることが好ましく、１層～３層構造であることがより好ましく、１層～２層構造であることがさらに好ましく、１層構造であることが最適である。エラストマー層が積層構造である場合、全ての層が同じエラストマーを含んでいてもよいし、少なくも２層が異なるエラストマーを含んでいてもよい。

非エラストマー層は、単層（１層）構造であってもよいし、積層構造であってもよい。非エラストマー層は、１層～５層構造であることが好ましく、１層～３層構造であることがより好ましく、１層～２層構造であることがさらに好ましく、１層構造であることが最適である。非エラストマー層が積層構造である場合、全ての層が同じ非エラストマーを含んでいてもよいし、少なくとも２層が異なる非エラストマーを含んでいてもよい。

非エラストマー層は、非エラストマーとして、メタロセン触媒による重合品であるポリプロピレン樹脂（以下、メタロセンＰＰという）を含むことが好ましい。メタロセンＰＰとしては、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α－オレフィン共重合体が挙げられる。非エラストマー層がメタロセンＰＰを含むことにより、ダイシングテープを効率良く製造することができ、かつ、ダイシングテープに貼付した半導体ウェハを効率良く割断することができる。
なお、市販のメタロセンＰＰとしては、ウィンテックＷＦＸ４Ｍ（日本ポリプロ社製）が挙げられる。

ここで、メタロセン触媒とは、シクロペンタジエニル骨格を有する配位子を含む周期表第４族の遷移金属化合物（いわゆる、メタロセン化合物）と、メタロセン化合物と反応して該メタロセン化合物を安定なイオン状態に活性化し得る助触媒とからなる触媒であり、必要により、有機アルミニウム化合物を含む。メタロセン化合物は、プロピレンの立体規則性重合を可能とする架橋型のメタロセン化合物である。

前記メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α－オレフィン共重合体の中でも、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α－オレフィンランダム共重合体が好ましく、前記メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α－オレフィンランダム共重合体の中でも、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／炭素数２のα－オレフィンランダム共重合体、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／炭素数４のα－オレフィンランダム共重合体、及び、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／炭素数５のα－オレフィンランダム共重合体の中から選ばれるものが好ましく、これらの中でも、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／エチレンランダム共重合体が最適である。

前記メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α－オレフィンランダム共重合体としては、前記エラストマー層との共押出成膜性、及び、ダイシングテープに貼付した半導体ウェハの割断性の観点から、融点が８０℃以上１４０℃以下、特に、１００℃以上１３０℃以下のものが好ましい。
前記メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α－オレフィンランダム共重合体の融点は、前記した方法によって測定することができる。

ここで、前記エラストマー層が基材層１の最外層に配されていると、基材層１をロール体とした場合に、最外層に配された前記エラストマー層同士がブロッキングし易くなる（くっつき易くなる）。そのため、基材層１をロール体から巻き戻し難くなる。これに対し、前記した積層構造の基材層１の好ましい態様では、非エラストマー層／エラストマー層／非エラストマー層、すなわち、最外層に非エラストマー層が配されているので、このような態様の基材層１は、耐ブロッキング性に優れたものとなる。これにより、ブロッキングによってダイシングテープ１０を用いた半導体装置の製造が遅延することを抑制できる。

前記非エラストマー層は、１００℃以上１３０℃以下の融点を有し、かつ、分子量分散度（質量平均分子量／数平均分子量）が５以下である樹脂を含むことが好ましい。このような樹脂としては、メタロセンＰＰが挙げられる。
前記非エラストマー層が前記のごとき樹脂を含むことにより、カーフ維持工程において、非エラストマー層をより迅速に冷却固化することができる。そのため、ダイシングテープを熱収縮させた後に、基材層１が縮むことをより十分に抑制することができる。
これにより、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができる。

粘着剤層２は、粘着剤を含有する。粘着剤層２は、半導体チップに個片化するための半導体ウェハを粘着することにより保持する。

前記粘着剤としては、ダイシングテープ１０の使用過程において外部からの作用により粘着力を低減可能なもの（以下、粘着低減型粘着剤という）が挙げられる。

粘着剤として粘着低減型粘着剤を用いる場合、ダイシングテープ１０の使用過程において、粘着剤層２が比較的高い粘着力を示す状態（以下、高粘着状態という）と、比較的低い粘着力を示す状態（以下、低粘着状態という）とを使い分けることができる。例えば、ダイシングテープ１０に貼付された半導体ウェハが割断に供されるときには、半導体ウェハの割断により個片化された複数の半導体チップが、粘着剤層２から浮き上がったり剥離したりすることを抑制するために、高粘着状態を利用する。これに対し、半導体ウェハの割断後に、個片化された複数の半導体チップをピックアップするためには、粘着剤層２から複数の半導体チップをピックアップし易くするために、低粘着状態を利用する。

前記粘着低減型粘着剤としては、例えば、ダイシングテープ１０の使用過程において放射線照射によって硬化させることが可能な粘着剤（以下、放射線硬化粘着剤という）が挙げられる。

前記放射線硬化粘着剤としては、例えば、電子線、紫外線、α線、β線、γ線、またはＸ線の照射によって硬化するタイプの粘着剤が挙げられる。これらの中でも、紫外線照射により硬化する粘着剤（紫外線硬化粘着剤）を用いることが好ましい。

前記放射線硬化粘着剤としては、例えば、主成分としてのベースポリマーと、放射線重合性の炭素－炭素二重結合等の官能基を有する放射線重合性モノマー成分や放射線重合性オリゴマー成分とを含む、添加型の放射線硬化粘着剤が挙げられる。
前記ベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを用いることが好ましい。

前記アクリル系ポリマーとしては、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位を含むものが挙げられる。（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、及び、（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられる。
前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、２－ヒドロキシエチルアクリレート（ＨＥＡ）、エチルアクリレート（ＥＡ）、ブチルアクリレート（ＢＡ）、２－エチルヘキシルアクリレート（２ＥＨＡ）、イソノニルアクリレート（ＩＮＡ）、ラウリルアクリレート（ＬＡ）、４－アクリロイルモルホリン（ＡＭＣＯ）、２－イソシアナトエチル＝メタアクリレート（ＭＯＩ）等を用いることが好ましい。
これらのアクリル系ポリマーは、１種のみで用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

粘着剤層２は、外部架橋剤を含んでいてもよい。外部架橋剤としては、ベースポリマー（例えば、アクリル系ポリマー）と反応して架橋構造を形成できるものであれば、どのようなものでも用いることができる。このような外部架橋剤としては、例えば、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、ポリオール化合物、アジリジン化合物、及び、メラミン系架橋剤等が挙げられる。

前記放射線重合性モノマー成分としては、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、および、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。前記放射線重合性オリゴマー成分としては、例えば、ウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系などの種々のオリゴマーが挙げられる。前記放射線硬化粘着剤中の放射線重合性モノマー成分や放射線重合性オリゴマー成分の含有割合は、粘着剤層２の粘着性を適切に低下させる範囲で選ばれる。

前記放射線硬化粘着剤は、光重合開始剤を含むことが好ましい。光重合開始剤としては、例えば、α－ケトール系化合物、アセトフェノン系化合物、ベンゾインエーテル系化合物、ケタール系化合物、芳香族スルホニルクロリド系化合物、光活性オキシム系化合物、ベンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、及び、アシルホスフォナート等が挙げられる。

粘着剤層２が外部架橋剤を含む場合、粘着剤層２は外部架橋剤を０．１質量部以上３質量部以下含むことが好ましい。
また、粘着剤層２が光重合開始剤を含む場合、粘着剤層２は光重合開始剤を０．１質量部以上１０質量部以下含むことが好ましい。

粘着剤層２は、前記各成分に加えて、架橋促進剤、粘着付与剤、老化防止剤、顔料、又は、染料などの着色剤等を含んでいてもよい。

粘着剤層２の厚さは、１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、２μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以上２５μｍ以下であることがさらに好ましい。

ダイボンド層３は、熱硬化性を有することが好ましい。ダイボンド層３に熱硬化性樹脂及び熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂の少なくとも一方を含ませることにより、ダイボンド層３に熱硬化性を付与することができる。

ダイボンド層３が熱硬化性樹脂を含む場合、このような熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、及び、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの中でもエポキシ樹脂を用いることが好ましい。

エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型、ヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型、及び、グリシジルアミン型のエポキシ樹脂が挙げられる。

エポキシ樹脂の硬化剤としてのフェノール樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、及び、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレンが挙げられる。

ダイボンド層３が、熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂を含む場合、このような熱可塑性樹脂としては、例えば、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂が挙げられる。熱硬化性官能基含有アクリル樹脂におけるアクリル樹脂としては、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位を含むものが挙げられる。
熱硬化性官能基を有する熱硬化性樹脂においては、熱硬化性官能基の種類に応じて、硬化剤が選ばれる。

ダイボンド層３は、樹脂成分の硬化反応を充分に進行させたり、硬化反応速度を高めたりする観点から、熱硬化触媒（硬化促進剤）を含有していてもよい。熱硬化触媒としては、例えば、イミダゾール系化合物、トリフェニルフォスフィン系化合物、アミン系化合物、およびトリハロゲンボラン系化合物が挙げられる。

ダイボンド層３は、熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。熱可塑性樹脂はバインダとして機能する。熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体、エチレン－アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミド６やポリアミド６，６等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂は、一種のみが用いられてもよいし、二種以上が組み合わされて用いられてもよい。上記熱可塑性樹脂としては、イオン性不純物が少なく、かつ、耐熱性が高いために、ダイボンド層による接続信頼性が確保し易くなるという観点から、アクリル樹脂が好ましい。

上記アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位を質量割合で最も多いモノマー単位として含むポリマーであることが好ましい。（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、及び、（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられる。上記アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルと共重合可能な他の成分に由来するモノマー単位を含んでいてもよい。上記他の成分としては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、グリシジル基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、アクリルニトリル等の官能基含有モノマーや、各種の多官能性モノマー等が挙げられる。ダイボンド層において高い凝集力を実現するという観点から、上記アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステル（特に、アルキル基の炭素数が４以下の（メタ）アクリル酸アルキルエステル）と、カルボキシ基含有モノマーと、窒素原子含有モノマーと、多官能性モノマー（特に、ポリグリシジル系多官能モノマー）との共重合体であることが好ましく、アクリル酸エチルと、アクリル酸ブチルと、アクリル酸と、アクリロニトリルと、ポリグリシジル（メタ）アクリレートとの共重合体であることがより好ましい。

ダイボンド層３は、必要に応じて、１種又は２種以上の他の成分を含有してもよい。他の成分としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、およびイオントラップ剤が挙げられる。

ダイボンド層３の厚さは、特に限定されないが、例えば、１μｍ以上２００μｍ以下である。斯かる厚さは、３μｍ以上１５０μｍ以下であってもよく、５μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。

なお、ダイボンド層３についてレオメータ（例えば、サーモフィッシャーサイエンティフィック社製のＨＡＡＫＥ ＭＡＲＳ ＩＩＩ）を用いて測定される粘度変化は、３００％以下であることが好ましい。
ダイボンド層３の粘度変化が３００％以下であれば、粘着剤層２とダイボンド層３との親和性を比較的低くでき、その結果、ダイボンド層３から粘着剤層２への成分移行を十分抑制できると考えられるので、ダイボンド層３の特性に変化が生じることを抑制できると考えられる。

本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０は、例えば、半導体集積回路を製造するための補助用具として使用される。以下、ダイシングダイボンドフィルム２０の使用の具体例について説明する。
以下では、基材層１が一層であるダイシングダイボンドフィルム２０を用いた例について説明する。

半導体集積回路を製造する方法は、半導体ウェハを割断処理によってチップ（ダイ）へ加工すべく半導体ウェハに溝を形成するハーフカット工程と、ハーフカット工程後の半導体ウェハを研削して厚さを薄くするバックグラインド工程と、バックグラインド工程後の半導体ウェハの一面（例えば、回路面とは反対側の面）をダイボンド層３に貼付して、ダイシングテープ１０に半導体ウェハを固定するマウント工程と、ハーフカット加工された半導体チップ同士の間隔を広げるエキスパンド工程と、半導体チップ同士の間隔を維持するカーフ維持工程と、ダイボンド層３と粘着剤層２との間を剥離してダイボンド層３が貼付された状態で半導体チップ（ダイ）を取り出すピックアップ工程と、ダイボンド層３が貼付された状態の半導体チップ（ダイ）を被着体に接着させるダイボンド工程と、を有する。これらの工程を実施するときに、本実施形態のダイシングテープ（ダイシングダイボンドフィルム）が製造補助用具として使用される。

ハーフカット工程では、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、半導体集積回路を小片（ダイ）に割断するためのハーフカット加工を施す。詳しくは、半導体ウェハＷの回路面とは反対側の面に、ウェハ加工用テープＴを貼り付ける（図３Ａ参照）。また、ウェハ加工用テープＴにダイシングリングＲを取り付ける（図３Ａ参照）。ウェハ加工用テープＴを貼付した状態で、分割用の溝を形成する（図３Ｂ参照）。バックグラインド工程では、図３Ｃ及び図３Ｄに示すように、半導体ウェハを研削して厚さを薄くする。詳しくは、溝を形成した面にバックグラインドテープＧを貼付する一方で、始めに貼り付けたウェハ加工用テープＴを剥離する（図３Ｃ参照）。バックグラインドテープＧを貼付した状態で、半導体ウェハＷが所定の厚さになるまで研削加工を施す（図３Ｄ参照）。

マウント工程では、図４Ａ～図４Ｂに示すように、ダイシングテープ１０の粘着剤層２にダイシングリングＲを取り付けた後、露出したダイボンド層３の面に、ハーフカット加工された半導体ウェハＷを貼付する（図４Ａ参照）。その後、半導体ウェハＷからバックグラインドテープＧを剥離する（図４Ｂ参照）。

エキスパンド工程では、図５Ａ～図５Ｃに示すように、ダイシングリングＲをエキスパンド装置の保持具Ｈに固定する。エキスパンド装置が備える突き上げ部材Ｕを用いて、ダイシングダイボンドフィルム２０を下側から突き上げることによって、ダイシングダイボンドフィルム２０を面方向に広げるように引き伸ばす（図５Ｂ参照）。これにより、特定の温度条件において、ハーフカット加工された半導体ウェハＷを割断する。上記温度条件は、例えば－２０～５℃であり、好ましくは－１５～０℃、より好ましくは－１０～－５℃である。突き上げ部材Ｕを下降させることによって、エキスパンド状態を解除する（図５Ｃ参照）。
さらに、エキスパンド工程では、図６Ａ～図６Ｂに示すように、より高い温度条件下（例えば、室温（２３℃））において、面積を広げるようにダイシングテープ１０を引き延ばす。これにより、割断された隣り合う半導体チップをフィルム面の面方向に引き離して、さらに間隔を広げる。

カーフ維持工程では、図７に示すように、ダイシングテープ１０に熱風（例えば、１００～１３０℃）を当ててダイシングテープ１０を熱収縮させた後冷却固化させて、割断された隣り合う半導体チップ間の距離（カーフ）を維持する。

ここで、前記したように、本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０は、三次元座標で表される、粘着剤層２のハンセン溶解度パラメータ（δ_ｄＡ、δ_ｐＡ、δ_ｈＡ）と、三次元座標で表される、ダイボンド層３のハンセン溶解度パラメータ（δ_ｄＤ、δ_ｐＤ、δ_ｈＤ）とを用いて、下記式（１）で算出されるハンセン溶解度パラメータ距離Ｒａが、３以上１４以下であるので、ダイボンド層３に含まれる成分（例えば、前記した熱硬化触媒）が粘着剤層２に移行したり、粘着剤層２に含まれる成分（例えば、前記した外部架橋剤及び光重合開始剤）がダイボンド層３に移行したりすることを抑制することができることに加えて、ダイボンド層３を粘着剤層２に十分に保持できる。
そのため、ダイボンド層が個片化された後に生じるチップ浮きを比較的抑制することができ、かつ、ダイボンド層３及び粘着剤層２間での成分移行を比較的抑制することができる。

（ただし、δ_ｄＤ及びδ_ｄＡは分散項であり、δ_ｐＤ及びδ_ｐＡは極性項であり、δ_ｈＤ及びδ_ｈＡは水素結合項である）

ピックアップ工程では、図８に示すように、ダイボンド層３が貼付された状態の半導体チップをダイシングテープ１０の粘着剤層２から剥離する。詳しくは、ピン部材Ｐを上昇させて、ピックアップ対象の半導体チップを、ダイシングテープ１０を介して突き上げる。突き上げられた半導体チップを吸着治具Ｊによって保持する。
なお、粘着剤層２が放射線硬化粘着剤を含むものである場合には、ハンセン溶解度パラメータ距離Ｒａが１４を上回るように、放射線を照射することが好ましい。照射する放射線の強度は、放射線硬化粘着剤の種類などに応じて適宜選ばれる。
これにより、粘着剤層２とダイボンド層３との親和性を比較的低くすることができるので、ダイボンド層３付半導体チップを回収し易くなる。

ダイボンド工程では、ダイボンド層３が貼付された状態の半導体チップを被着体に接着させる。

なお、本発明に係るダイシングダイボンドフィルムは、前記実施形態に限定されるものではない。また、本発明に係るダイシングダイボンドフィルムは、前記した作用効果によって限定されるものでもない。本発明に係るダイシングダイボンドフィルムは、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。

次に、実施例を挙げて本発明についてさらに具体的に説明する。以下の実施例は本発明をさらに詳しく説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。

［実施例１］
＜ダイシングテープの作製＞
冷却管、窒素導入管、温度計及び撹拌装置を備えた反応容器内に、モノマーとして２－ヒドロキシエチルアクリレート（以下、ＨＥＡという）１１質量部、イソノニルアクリレート（以下、ＩＮＡという）８９質量部、熱重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル（以下、ＡＩＢＮという）０．２質量部を加え、さらに、前記モノマーの濃度が３８％となるように反応溶剤としての酢酸ブチルを加えた後、窒素気流下で、６２℃にて４時間重合、７５℃にて２時間重合処理をし、アクリル系ポリマーＡを得た。
このアクリル系ポリマーＡに、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（以下、ＭＯＩという）１２質量部、ジラウリル酸ジブチルスズ０．０６質量部を加え、空気気流下で、５０℃にて１２時間付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＡ’を得た。
次に、アクリル系ポリマーＡ’１００質量部に対し、外部架橋剤としてのポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン社製）０．８質量部、及び、光重合開始剤（商品名「Ｏｍｎｉｒａｄ１２７、ＩＧＭ社製」２質量部を加えて、粘着剤溶液（以下、粘着剤溶液Ａということもある）を作製した。
次に、粘着剤溶液Ａを、シリコーン離型処理が施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケータを用いて塗布し、１２０℃で２分間乾燥し、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。その後、該粘着剤層上に、基材層としてのグンゼ製のポリオレフィンフィルム（商品名「ファンクレアＮＥＤ#１２５」、厚さ１２５μｍ）を貼り合せ、５０℃で２４時間保存し、ダイシングテープＡを得た。
＜ダイボンド層の作製＞
アクリル樹脂（商品名「テイサンレジン ＳＧ－７０Ｌ」、ナガセケムテックス社製、質量平均分子量９０万）１００質量部に対して、エポキシ樹脂（商品名「ＫＩ－３０００－４」、東都化成工業社製）２００質量部、フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨＣ－７８５１ＳＳ」、明和化成社製）２００質量部、シリカフィラー（商品名「ＳＥ２０５０－ＭＣＶ」、アドマテックス社製、平均粒子径５００ｎｍ）３５０質量部（シリカフィラー換算）、及び、硬化促進剤（商品名「キュアゾール ２ＰＨＺ－ＰＷ」、四国化成工業社製）２質量部をメチルエチルケトンに加えて、固形分濃度が３０質量％となる接着剤組成物Ａを調製した。
次に、シリコーン離型処理が施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケータを用いて接着剤組成物Ａを塗布して塗膜を形成し、この塗膜について１２０℃で２分間の脱溶媒処理を行った。これにより、厚さ（平均厚さ）１０μｍのダイボンド層をＰＥＴセパレータ上に作製した。
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
ダイボンド層が作製されたＰＥＴセパレータ（以下、ダイボンド層付ＰＥＴセパレータという）を３３０ｍｍφの円形に打ち抜くことにより、３３０ｍｍφのダイボンド層付ＰＥＴセパレータを得た。
次に、ダイシングテープＡからＰＥＴセパレータを取り除いて粘着剤層の一方面を露出させた後、ラミネータを用いて、ダイボンド層の露出面が粘着剤層の露出面と当接するように、室温（２３±２℃）にてダイボンド層付ＰＥＴセパレータをダイシングテープＡに貼り合せることにより、ダイシングダイボンドフィルムＡを得た。
すなわち、実施例１に係るダイシングテープＡは、ポリオレフィンフィルム、粘着剤層、ダイボンド層、及び、ＰＥＴセパレータが、この順に積層されて構成されたものであった。

［実施例２］
＜ダイシングテープの作製＞
実施例１に記載と同様の反応容器内に、モノマーとしてＨＥＡ１６質量部、ブチルアクリレート（以下、ＢＡという）８４質量部、熱重合開始剤としてＡＩＢＮ０．２質量部を加え、さらに、前記モノマーの濃度が３２％となるように反応溶剤としての酢酸ブチルを加えた後、窒素気流下で、６２℃にて４時間重合、７５℃にて２時間重合処理をし、アクリル系ポリマーＢを得た。
このアクリル系ポリマーＢにＭＯＩ１７質量部、ジラウリル酸ジブチルスズ０．０９質量部を加え、空気気流下で、５０℃にて１２時間付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＢ’を得た。
次に、アクリル系ポリマーＢ’１００質量部に対し、外部架橋剤としてのポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン社製）０．８質量部、及び、光重合開始剤（商品名「Ｏｍｎｉｒａｄ１２７、ＩＧＭ社製」２質量部を加えて、粘着剤溶液（以下、粘着剤溶液Ｂということもある）を作製した。
次に、粘着剤溶液Ｂを、シリコーン離型処理が施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケータを用いて塗布し、１２０℃で２分間乾燥し、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。その後、該粘着剤層上に、基材層としてのグンゼ製のポリオレフィンフィルム（商品名「ファンクレアＮＥＤ#１２５」、厚さ１２５μｍ）を貼り合せ、５０℃で２４時間保存し、ダイシングテープＢを得た。
＜ダイボンド層の作製＞
実施例１と同様にして作製した。
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
実施例１と同様にして３３０ｍｍφのダイボンド層付ＰＥＴセパレータを得た後、ダイシングテープＢからＰＥＴセパレータを取り除いて粘着剤層の一方面を露出させ、ラミネータを用いて、ダイボンド層の露出面が粘着剤層の露出面と当接するように、室温にてダイボンド層付ＰＥＴセパレータをダイシングテープＢに貼り合せることにより、ダイシングダイボンドフィルムＢを得た。

［実施例３］
＜ダイシングテープの作製＞
実施例１に記載と同様の反応容器内に、モノマーとしてＨＥＡ１１質量部、２－エチルヘキシルアクリレート（以下、２ＥＨＡという）８９質量部、熱重合開始剤としてＡＩＢＮ０．２質量部を加え、さらに、前記モノマーの濃度が３６％となるように反応溶剤としての酢酸ブチルを加えた後、窒素気流下で、６２℃にて４時間重合、７５℃にて２時間重合処理をし、アクリル系ポリマーＣを得た。
このアクリル系ポリマーＣにＭＯＩ１３質量部、ジラウリル酸ジブチルスズ０．０７質量部を加え、空気気流下で、５０℃にて１２時間付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＣ’を得た。
次に、アクリル系ポリマーＣ’１００質量部に対し、外部架橋剤としてのポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン社製）０．８質量部、及び、光重合開始剤（商品名「Ｏｍｎｉｒａｄ１２７、ＩＧＭ社製」２質量部を加えて、粘着剤溶液（以下、粘着剤溶液Ｃということもある）を作製した。
次に、粘着剤溶液Ｃを、シリコーン離型処理が施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケータを用いて塗布し、１２０℃で２分間乾燥し、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。その後、該粘着剤層上に、基材層としてのグンゼ製のポリオレフィンフィルム（商品名「ファンクレアＮＥＤ#１２５」、厚さ１２５μｍ）を貼り合せ、５０℃で２４時間保存し、ダイシングテープＣを得た。
＜ダイボンド層の作製＞
実施例１と同様にして作製した。
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
実施例１と同様にして３３０ｍｍφのダイボンド層付ＰＥＴセパレータを得た後、ダイシングテープＣからＰＥＴセパレータを取り除いて粘着剤層の一方面を露出させ、ラミネータを用いて、ダイボンド層の露出面が粘着剤層の露出面と当接するように、室温にてダイボンド層付ＰＥＴセパレータをダイシングテープＣに貼り合せることにより、ダイシングダイボンドフィルムＣを得た。

［実施例４］
＜ダイシングテープの作製＞
実施例１に記載と同様の反応容器内に、モノマーとしてＨＥＡ２４質量部、ＩＮＡ７６質量部、熱重合開始剤としてＡＩＢＮ０．２質量部を加え、さらに、前記モノマーの濃度が３２％となるように反応溶剤としての酢酸ブチルを加えた後、窒素気流下で、６２℃にて４時間重合、７５℃にて２時間重合処理をし、アクリル系ポリマーＤを得た。
このアクリル系ポリマーＤにＭＯＩ２３質量部、ジラウリル酸ジブチルスズ０．１２質量部を加え、空気気流下で、５０℃にて１２時間付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＤ’を得た。
次に、アクリル系ポリマーＤ’１００質量部に対し、外部架橋剤としてのポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン社製）０．８質量部、及び、光重合開始剤（商品名「Ｏｍｎｉｒａｄ１２７、ＩＧＭ社製」２質量部を加えて、粘着剤溶液（以下、粘着剤溶液Ｄということもある）を作製した。
次に、粘着剤溶液Ｄを、シリコーン離型処理が施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケータを用いて塗布し、１２０℃で２分間乾燥し、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。その後、該粘着剤層上に、基材層としてのグンゼ製のポリオレフィンフィルム（商品名「ファンクレアＮＥＤ#１２５」、厚さ１２５μｍ）を貼り合せ、５０℃で２４時間保存し、ダイシングテープＤを得た。
＜ダイボンド層の作製＞
実施例１と同様にして作製した。
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
実施例１と同様にして３３０ｍｍφのダイボンド層付ＰＥＴセパレータを得た後、ダイシングテープＤからＰＥＴセパレータを取り除いて粘着剤層の一方面を露出させ、ラミネータを用いて、ダイボンド層の露出面が粘着剤層の露出面と当接するように、室温にてダイボンド層付ＰＥＴセパレータをダイシングテープＤに貼り合せることにより、ダイシングダイボンドフィルムＤを得た。

［実施例５］
＜ダイシングテープの作製＞
実施例１に記載と同様の反応容器内に、モノマーとしてＨＥＡ４２質量部、ＩＮＡ５８質量部、熱重合開始剤としてＡＩＢＮ０．２質量部を加え、さらに、前記モノマーの濃度が３０％となるように反応溶剤としての酢酸ブチルを加えた後、窒素気流下で、６２℃にて４時間重合、７５℃にて２時間重合処理をし、アクリル系ポリマーＥを得た。
このアクリル系ポリマーＥにＭＯＩ４１質量部、ジラウリル酸ジブチルスズ０．２１質量部を加え、空気気流下で、５０℃にて１２時間付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＥ’を得た。
次に、アクリル系ポリマーＥ’１００質量部に対し、外部架橋剤としてのポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン社製）０．８質量部、及び、光重合開始剤（商品名「Ｏｍｎｉｒａｄ１２７、ＩＧＭ社製」２質量部を加えて、粘着剤溶液（以下、粘着剤溶液Ｅということもある）を作製した。
次に、粘着剤溶液Ｅを、シリコーン離型処理が施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケータを用いて塗布し、１２０℃で２分間乾燥し、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。その後、該粘着剤層上に、基材層としてのグンゼ製のポリオレフィンフィルム（商品名「ファンクレアＮＥＤ#１２５」、厚さ１２５μｍ）を貼り合せ、５０℃で２４時間保存し、ダイシングテープＥを得た。
＜ダイボンド層の作製＞
実施例１と同様にして作製した。
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
実施例１と同様にして３３０ｍｍφのダイボンド層付ＰＥＴセパレータを得た後、ダイシングテープＥからＰＥＴセパレータを取り除いて粘着剤層の一方面を露出させ、ラミネータを用いて、ダイボンド層の露出面が粘着剤層の露出面と当接するように、室温にてダイボンド層付ＰＥＴセパレータをダイシングテープＥに貼り合せることにより、ダイシングダイボンドフィルムＥを得た。

［実施例６］
＜ダイシングテープの作製＞
実施例１に記載と同様の反応容器内に、モノマーとしてＨＥＡ１４質量部、２ＥＨＡ７１質量部、４－アクリロイルモルホリン（以下、ＡＣＭＯという）１５質量部、熱重合開始剤としてＡＩＢＮ０．２質量部を加え、さらに、前記モノマーの濃度が３４％となるように反応溶剤としての酢酸ブチルを加えた後、窒素気流下で、６２℃にて４時間重合、７５℃にて２時間重合処理をし、アクリル系ポリマーＦを得た。
このアクリル系ポリマーＦにＭＯＩ１５質量部、ジラウリル酸ジブチルスズ０．０８質量部を加え、空気気流下で、５０℃にて１２時間付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＦ’を得た。
次に、アクリル系ポリマーＦ’１００質量部に対し、外部架橋剤としてのポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン社製）０．８質量部、及び、光重合開始剤（商品名「Ｏｍｎｉｒａｄ１２７、ＩＧＭ社製」２質量部を加えて、粘着剤溶液（以下、粘着剤溶液Ｆということもある）を作製した。
次に、粘着剤溶液Ｆを、シリコーン離型処理が施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケータを用いて塗布し、１２０℃で２分間乾燥し、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。その後、該粘着剤層上に、基材層としてのグンゼ製のポリオレフィンフィルム（商品名「ファンクレアＮＥＤ#１２５」、厚さ１２５μｍ）を貼り合せ、５０℃で２４時間保存し、ダイシングテープＦを得た。
＜ダイボンド層の作製＞
実施例１と同様にして作製した。
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
実施例１と同様にして３３０ｍｍφのダイボンド層付ＰＥＴセパレータを得た後、ダイシングテープＦからＰＥＴセパレータを取り除いて粘着剤層の一方面を露出させ、ラミネータを用いて、ダイボンド層の露出面が粘着剤層の露出面と当接するように、室温にてダイボンド層付ＰＥＴセパレータをダイシングテープＦに貼り合せることにより、ダイシングダイボンドフィルムＦを得た。

［比較例１］
＜ダイシングテープの作製＞
実施例１に記載と同様の反応容器内に、モノマーとしてＨＥＡ５質量部、ラウリルアクリレート（以下、ＬＡという）９５質量部、熱重合開始剤としてＡＩＢＮ０．２質量部を加え、さらに、前記モノマーの濃度が４２％となるように反応溶剤としての酢酸ブチルを加えた後、窒素気流下で、６２℃にて４時間重合、７５℃にて２時間重合処理をし、アクリル系ポリマーＧを得た。
このアクリル系ポリマーＧにＭＯＩ１５質量部、ジラウリル酸ジブチルスズ０．０３質量部を加え、空気気流下で、５０℃にて１２時間付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＧ’を得た。
次に、アクリル系ポリマーＧ’１００質量部に対し、外部架橋剤としてのポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン社製）０．８質量部、及び、光重合開始剤（商品名「Ｏｍｎｉｒａｄ１２７、ＩＧＭ社製」２質量部を加えて、粘着剤溶液（以下、粘着剤溶液Ｇということもある）を作製した。
次に、粘着剤溶液Ｇを、シリコーン離型処理が施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケータを用いて塗布し、１２０℃で２分間乾燥し、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。その後、該粘着剤層上に、基材層としてのグンゼ製のポリオレフィンフィルム（商品名「ファンクレアＮＥＤ#１２５」、厚さ１２５μｍ）を貼り合せ、５０℃で２４時間保存し、ダイシングテープＧを得た。
＜ダイボンド層の作製＞
実施例１と同様にして作製した。
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
実施例１と同様にして３３０ｍｍφのダイボンド層付ＰＥＴセパレータを得た後、ダイシングテープＧからＰＥＴセパレータを取り除いて粘着剤層の一方面を露出させ、ラミネータを用いて、ダイボンド層の露出面が粘着剤層の露出面と当接するように、室温にてダイボンド層付ＰＥＴセパレータをダイシングテープＧに貼り合せることにより、ダイシングダイボンドフィルムＧを得た。

［比較例２］
＜ダイシングテープの作製＞
実施例１に記載と同様の反応容器内に、モノマーとしてＨＥＡ４７質量部、ＩＮＡ５３質量部、熱重合開始剤としてＡＩＢＮ０．２質量部を加え、さらに、前記モノマーの濃度が２８％となるように反応溶剤としての酢酸ブチルを加えた後、窒素気流下で、６２℃にて４時間重合、７５℃にて２時間重合処理をし、アクリル系ポリマーＨを得た。
このアクリル系ポリマーＨにＭＯＩ１５６質量部、ジラウリル酸ジブチルスズ０．２８質量部を加え、空気気流下で、５０℃にて１２時間付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＨ’を得た。
次に、アクリル系ポリマーＨ’１００質量部に対し、外部架橋剤としてのポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン社製）０．８質量部、及び、光重合開始剤（商品名「Ｏｍｎｉｒａｄ１２７、ＩＧＭ社製」２質量部を加えて、粘着剤溶液（以下、粘着剤溶液Ｈということもある）を作製した。
次に、粘着剤溶液Ｈを、シリコーン離型処理が施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケータを用いて塗布し、１２０℃で２分間乾燥し、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。その後、該粘着剤層上に、基材層としてのグンゼ製のポリオレフィンフィルム（商品名「ファンクレアＮＥＤ#１２５」、厚さ１２５μｍ）を貼り合せ、５０℃で２４時間保存し、ダイシングテープＨを得た。
＜ダイボンド層の作製＞
実施例１と同様にして作製した。
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
実施例１と同様にして３３０ｍｍφのダイボンド層付ＰＥＴセパレータを得た後、ダイシングテープＨからＰＥＴセパレータを取り除いて粘着剤層の一方面を露出させ、ラミネータを用いて、ダイボンド層の露出面が粘着剤層の露出面と当接するように、室温にてダイボンド層付ＰＥＴセパレータをダイシングテープＨに貼り合せることにより、ダイシングダイボンドフィルムＨを得た。

［比較例３］
＜ダイシングテープの作製＞
実施例１に記載と同様の反応容器内に、モノマーとしてＨＥＡ１９質量部、エチルアクリレート（以下、ＥＡという）８１質量部、熱重合開始剤としてＡＩＢＮ０．２質量部を加え、さらに、前記モノマーの濃度が３０％となるように反応溶剤としての酢酸ブチルを加えた後、窒素気流下で、６２℃にて４時間重合、７５℃にて２時間重合処理をし、アクリル系ポリマーＩを得た。
このアクリル系ポリマーＩにＭＯＩ１２１質量部、ジラウリル酸ジブチルスズ０．１１質量部を加え、空気気流下で、５０℃にて１２時間付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＩ’を得た。
次に、アクリル系ポリマーＩ’１００質量部に対し、外部架橋剤としてのポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン社製）０．８質量部、及び、光重合開始剤（商品名「Ｏｍｎｉｒａｄ１２７、ＩＧＭ社製」２質量部を加えて、粘着剤溶液（以下、粘着剤溶液Ｉということもある）を作製した。
次に、粘着剤溶液Ｉを、シリコーン離型処理が施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケータを用いて塗布し、１２０℃で２分間乾燥し、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。その後、該粘着剤層上に、基材層としてのグンゼ製のポリオレフィンフィルム（商品名「ファンクレアＮＥＤ#１２５」、厚さ１２５μｍ）を貼り合せ、５０℃で２４時間保存し、ダイシングテープＩを得た。
＜ダイボンド層の作製＞
実施例１と同様にして作製した。
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
実施例１と同様にして３３０ｍｍφのダイボンド層付ＰＥＴセパレータを得た後、ダイシングテープＩからＰＥＴセパレータを取り除いて粘着剤層の一方面を露出させ、ラミネータを用いて、ダイボンド層の露出面が粘着剤層の露出面と当接するように、室温にてダイボンド層付ＰＥＴセパレータをダイシングテープＩに貼り合せることにより、ダイシングダイボンドフィルムＩを得た。

（ハンセン溶解度パラメータ）
各例に係るダイシングダイボンドフィルムについて、ハンセン溶解球法を用いて、粘着剤層の三次元座標（δ_ｄＡ、δ_ｐＡ、δ_ｈＡ）及びダイボンド層の三次元座標（δ_ｄＤ、δ_ｐＤ、δ_ｈＤ）を求めた。

具体的には、粘着剤層の三次元座標（δ_ｄＡ、δ_ｐＡ、δ_ｈＡ）は以下のようにして求めた。
（１）評価用試料として、ダイボンド層及び基材層（ポリオレフィンフィルム）が混入しないように、ダイシングダイボンドフィルムから粘着剤層の一部を取り出す。
なお、粘着剤層の評価用試料の採取に際して、ダイボンド層は粘着剤層から取り外しておいた。
（２）評価用試料（取り出した粘着剤層）を、濃度が０．５ｍｇ／ｍＬとなるように、評価用溶剤に加える。該評価用溶剤としては、ハンセン溶解度パラメータが既知の溶剤、すなわち、分散項、極性項、及び、水素結合項の値が既知である溶剤を用いる。このような溶剤として、アセトン、トルエン、酢酸エチル、エタノール、クロロホルム、ジメチルスルホキシド、Ｎ－メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ－メチルピロリドン、γ－ブチロラクトン、１，１，２，２－テトラブロモエタン、１－ブタノール、４－メチル－２－ペンタノン、２－プロパノール、シクロヘキサン、ホルムアミド、２－メトキシエタノール、酢酸、ベンジルアルコール、エタノールアミン、メチルエチルケトン、メチルシクロヘキサン、テトラヒドロフラン、アニリン、１，４－ジオキサン、サリチルアルデヒド、エチレングリコールを用いる。
すなわち、評価用試料を、上記各評価用溶剤にそれぞれ加える。
（３）評価用試料を加えた各評価用溶剤を、浸透や撹拌などを行わずに、室温（２３±２℃）かつ遮光条件にて２４時間静置した後、各評価用溶剤について評価用試料の膨潤度合を評価する。
（４）解析ソフト「Ｈａｎｓｅｎ Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ Ｐａｒａｍｅｔｅｒ ｉｎ Ｐｒａｃｔｉｃｅ（ＨＳＰｉＰ） Ｖｅｒ．４」を用いて、上記各評価用溶剤のハンセン溶解度パラメータ（分散項、極性項、及び、水素結合項）を三次元空間に座標（δ_ｄ、δ_ｐ、δ_ｈ）としてプロットする。
（５）上記の各評価用溶剤における評価用試料の状態の評価結果に応じて、粘着剤層に対する良溶媒、及び、粘着剤層に対する貧溶媒を判定した結果を、スコアとして、解析ソフト「ＨＳＰｉＰ」にインプットし、解析ソフト「ＨＳＰｉＰ」にて、良溶媒が内側、貧溶媒が外側となるようにハンセン溶解球を作成する。そして、前記ハンセン溶解球の中心座標を求め、その中心座標を粘着剤層のハンセン溶解度パラメータ（δ_ｄＡ、δ_ｐＡ、δ_ｈＡ）とする。
なお、良溶媒及び貧溶媒の判定は、以下のスコアに従う。
・スコア１
評価用試料が５５％を超える膨潤率Ｓｒで膨潤した状態で存在しているか、評価用試料が評価用溶剤に完全に溶解した状態であるか、あるいは、評価用溶剤中において、評価用試料がほぼ同じ大きさに砕けた状態で存在する。
なお、膨潤率Ｓｒとは、溶剤添加前の評価用試料の最も大きい直径を測長し（例えば、楕円形状の場合には長径を測長し、円形状の場合には直径を測長する）、溶剤添加して静置後に最も大きい直径がどの程度大きくなったかを算出することにより得られる値である。
すなわち、膨潤率Ｓｒは、下記式を用いて算出される。
Ｓｒ（％）＝［（溶剤添加静置後の評価用試料の最も大きい直径）－（溶剤添加前の評価用試料の最も大きい直径）］／（溶剤添加前の評価用試料の最も大きい直径）×１００
・スコア２
評価用試料が２０％以上５５％以下の膨潤率Ｓｒで膨潤した状態（評価用試料に膨潤は認められるものの、その程度は大きくない）で存在しているか、評価用試料の一部が明らかに溶解しているものの、完全には溶解していない状態であるか、あるいは、評価用溶剤中において、評価用試料が一部だけ砕けた状態で存在する。
・スコア０
評価用試料が０％を超えて２０％未満の膨潤率Ｓｒで膨潤した状態（評価用試料に目視での膨潤が殆ど認められない）で存在しているか、あるいは、評価用試料が評価用溶剤に全く溶解していない。

ダイボンド層の三次元座標（δ_ｄＤ、δ_ｐＤ、δ_ｈＤ）についても、上記した粘着剤層と同様にして求めた。ダイボンド層の採取は、粘着剤層から取り外してから行った。ダイボンド層から１ｃｍ角に切り出したものを、評価用試料とした。
なお、ダイボンド層の場合には、良溶媒及び貧溶媒の判定は、以下のスコアに従った。
・スコア１
評価用試料が評価用溶剤に目視上完全に溶解している（ただし、沈殿したフィラーは除く）
・スコア２
評価用溶剤中への評価用試料の溶解が目視上認められるものの、溶け残りが確認される。具体的には、評価用試料の一部が溶解することにより、１ｃｍ角に切り出した評価用試料は角が取れた状態となっている。
・スコア０
評価用溶剤への評価用試料の溶解が目視上全く認められない。具体的には、評価用試料が全く溶解していないため、１ｃｍ角に切り出した評価用試料は角が取れた状態となっていない。

また、粘着剤層の三次元座標の値及びダイボンド層の三次元座標の値を基に、下記式（１）を用いて、ハンセン溶解度パラメータ距離Ｒａを算出した。

（ただし、δ_ｄＤ及びδ_ｄＡは分散項であり、δ_ｐＤ及びδ_ｐＡは極性項であり、δ_ｈＤ及びδ_ｈＡは水素結合項である）

上記のようにして求めた、粘着剤層の三次元座標（δ_ｄＡ、δ_ｐＡ、δ_ｈＡ）及びダイボンド層の三次元座標（δ_ｄＤ、δ_ｐＤ、δ_ｈＤ）、粘着剤層の分散項とダイボンド層の分散項との差の絶対値、粘着剤層の極性項とダイボンド層の極性項との絶対値、粘着剤層の水素結合項とダイボンド層の水素結合項との絶対値、及び、ハンセン溶解度パラメータ距離Ｒａについて、以下の表１に示した。

（光重合開始剤の移行量）
各例に係るダイシングダイボンドフィルムについて、粘着剤層からダイボンド層への光重合開始剤の移行量を測定した。
光重合開始剤の移行量の測定は、以下ようにして行った。なお、以下（１）～（４）は、いずれの暗所にて行った。
（１）粘着剤層上からダイボンド層を約０．１ｇ剥がし取る。
（２）剥がし取ったダイボンド層を３ｍＬのクロロホルム溶液中に加えた後、冷暗所にて一晩（約１６時間）振とうすることにより、光重合開始剤をクロロホルム溶液中に抽出させる。
（３）光重合開始剤抽出後のクロロホルム溶液に５ｍＬのメタノール溶液を加えて、光重合開始剤以外の成分を再沈殿させ、再沈殿させた成分をメンブレンフィルタにて濾取し、光重合開始剤の溶解液（クロロホルムとメタノールとの混合溶液）を得る。
（４）前記光重合開始剤の溶解液をＨＰＬＣにて分析する。ＨＰＬＣでの分析は、以下の条件で行う。
分析装置
Ｗａｔｅｒｓ，Ａｃｑｕｉｔｙ ＨＰＬＣ
測定条件
・カラム：ＧＬ Ｓｃｉｅｎｃｅ，ＩｎｅｒｔＳｕｓｔａｉｎ（登録商標） Ｃ１８（４．６ｍｍφ×５ｃｍ、担体の平均粒子径３μｍ）
・カラム温度：４０℃
・カラム流量：０．８ｍＬ／ｍｉｎ
・溶離液組成：超純水／アセトニトリルのグラジエント条件
・インジェクション量：１０μＬ
・検出器：ＰＤＡ検出器
・検出波長：２６０ｎｍ
なお、光重合開始剤の定量は、検量線と上記の分析結果を基に行った。
上記のようにして測定した、光重合開始剤の移行量について、以下の表１に示した。

（剥離力）
各例に係るダイシングダイボンドフィルムについて、粘着剤層に対するダイボンド層の剥離力を測定した。
粘着剤層に対するダイボンド層の剥離力は、Ｔ型剥離試験により測定した。
Ｔ型剥離試験は、ダイボンド層からＰＥＴセパレータを剥離して、ダイボンド層に露出面を形成し、該露出面に裏打ちテープ（商品名「ＥＬＰ ＢＴ３１５、日東電工社製」を貼り合せたダイシングダイボンドフィルムから、幅２０ｍｍ×長さ１２０ｍｍの寸法に切り出したものを測定用サンプルとし、引張試験器（例えば、商品名「ＴＧ－１ｋＮ」、ミネベアミツミ社製）を用いて、温度２５℃、引張速度３００ｍｍ／分の条件で行った。
なお、剥離力の測定は、紫外線照射前の測定用サンプルについて行った。
上記のようにして測定した剥離力について、以下の表１に示した。

（保持性評価）
上のようにして得た実施例１に係るダイシングダイボンドフィルムに、温度５０～８０℃で加熱しながら、ベアウェハ（直径３００ｍｍ）及びダイシングリングを貼付した。
次に、ダイセパレータＤＤＳ２３０（ディスコ社製）を用いて、半導体ウェハ及びダイボンド層の割断を行い、割断後のチップ浮きについて評価した。ベアウェハは、長さ１０ｍｍ×幅１０ｍｍ×厚さ０．０５５ｍｍの大きさのベアチップに割断した後、厚さ０．０３０ｍｍまで研削した。
なお、ベアウェハとしては、反りウェハを用いた。

反りウェハは以下のようにして作製した。
まず、下記（ａ）～（ｆ）をメチルエチルケトンに溶解させ、固形分濃度２０質量％の反り調整組成物を得た。
（ａ）アクリル樹脂（ナガセケムテックス社製、商品名「ＳＧ－７０Ｌ」）：５質量部
（ｂ）エポキシ樹脂（三菱化学社製、商品名「ＪＥＲ８２８」）：５質量部
（ｃ）フェノール樹脂（明和化成社製、商品名「ＬＤＲ８２１０」）：１４質量部
（ｄ）エポキシ樹脂（三菱化学社製、商品名「ＭＥＨ－８００５」）：２質量部
（ｅ）球状シリカ（アドマテックス社製、商品名「ＳＯ－２５Ｒ」）：５３質量部
（ｆ）リン系触媒（ＴＰＰ－Ｋ）：１質量部
次に、前記反り調整組成物を、剥離ライナーたるＰＥＴ系セパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン処理した面上に、アプリケータを用いて厚さ２５μｍで塗布し、１３０℃で２分間乾燥して前記反り調整組成物から脱溶媒し、前記剥離ライナー上に反り調整層が積層された反り調整シートを得た。
次に、前記反り調整シートにおける前記剥離ライナーが積層されていない側に、ラミネータ（ＭＣＫ社製、型式ＭＲＫ－６００）を用いて、６０℃、０．１ＭＰａ、１０ｍｍ／ｓの条件でベアウェハを貼付し、オーブンに入れて１７５℃で１時間加熱して前記反り調整層における樹脂を熱硬化させ、これにより、前記反り調整層が収縮することにより反ったベアウェハを得た。
前記反り調整層を収縮させた後、反ったベアウェハにおける前記反り調整層が積層されていない側にウェハ加工用テープ（日東電工株式会社製、商品名「Ｖ－１２ＳＲ２」）を貼付した後、前記ウェハ加工用テープを介して、反ったベアウェハにダイシングリングを固定した。その後、反ったベアウェハから前記反り調整層を取り除いた。
ダイシング装置（ＤＩＳＣＯ社製、型番６３６１）を用いて、反ったベアウェハにおける前記反り調整層を取り除いた面（以下、一方面という）の全体に、この面から１００μｍの深さの溝を格子状（巾２０μｍ）に形成した。
次に、反ったベアウェハの一方面にバックグラインドテープを貼り合せ、反ったベアウェハの他方面（前記一方面と反対側の面）から前記ウェハ加工用テープを取り除いた。
次に、バックグラインダー（ＤＩＳＣＯ社製、型式ＤＧＰ８７６０）を用いて、反ったベアウェハの厚みが３０μｍ（０．０３０ｍｍ）となるように、他方面側から反ったベアウェハを研削することにより得られたウェハを、反りウェハとした。

保持性評価は、詳細には以下のようにして評価した。
まず、クールエキスパンダーユニットにて、エキスパンド温度－１５℃、エキスパンド速度２００ｍｍ／秒、エキスパンド量１１ｍｍの条件で、ベアウェハ及びダイボンド層を割断して、ダイボンド層付き半導体チップを得た。
次に、室温、エキスパンド速度１ｍｍ／秒、エキスパンド量７ｍｍの条件でエキスパンドを行った。そして、エキスパンド状態を維持したまま、ヒート温度２００℃、風量４０Ｌ／ｍｉｎ、ヒート距離２０ｍｍ、ローテーションスピード３°／ｓｅｃの条件で、ベアウェハの外周縁との境界部分のダイシングダイボンドフィルムを熱収縮させた。
次に、ダイシングダイボンドフィルムにダイシングリングを保持させた状態で、ダイボンド層付半導体チップを、ダイシングテープ側（基材層たるポリオレフィンフィルム側）から観察し、ダイボンド層への半導体チップの接触率を算出することにより、保持性を評価した。
具体的には、ＶＨＸ－６０００（キーエンス社製）を用いて、ダイシングテープ側から顕微鏡写真を撮影し、画像解析ソフト（ＩｍａｇｅＪ）を用いて撮像した顕微鏡写真を画像解析することにより、ダイボンド層から半導体チップが浮いていない部分の面積を計測した。
そして、半導体チップの大きさから半導体チップの面積を算出し、この半導体チップの面積と半導体チップが浮いていない部分の面積とから、ダイボンド層への半導体チップの接触率を算出し、その接触率の値を基に保持性を評価した。
保持性の評価は、以下の評価基準に基づいて行った。

◎：接触率が９０％以上である
○：接触率が６０％以上９０％未満である
×：接触率が６０％未満である

保持性を評価した結果について、以下の表１に示した。

表１より、ハンセン溶解度パラメータ距離Ｒａが３以上１４以下である実施例１～６に係るダイシングダイボンドフィルムでは、保持性評価がいずれも○または◎であって、保持性が良好であり、また、粘着剤層からダイボンド層への光重合開始剤の移行量も、２２００ｐｐｍ以下と比較的低い値となることが分かった。
これに対し、ハンセン溶解度パラメータ距離Ｒａが１４を超える比較例１に係るダイシングダイボンドフィルムでは、粘着剤層からダイボンド層への光重合開始剤の移行量は８００ｐｐｍと比較的低い値であったものの、保持性評価は×であって、保持性が不良となることが分かった。
また、ハンセン溶解度パラメータ距離Ｒａが３未満である比較例２及び３に係るダイシングダイボンドフィルムでは、保持性評価がいずれも◎であったものの、粘着剤層からダイボンド層への光重合開始剤の移行量が３９００ｐｐｍ以上と比較的高い値となることが分かった。
この結果から、ダイボンド層が個片化された後に生じるチップ浮きを比較的抑制し、かつ、ダイボンド層及び粘着剤層間での成分移行を比較的抑制するためには、ハンセン溶解度パラメータ距離Ｒａを３以上１４以下にする必要があることが分かる。
なお、表１では、ダイボンド層及び粘着剤層間での成分移行として、粘着剤層からダイボンド層への光重合開始剤の移行量のみを掲載しているが、ダイボンド層に含まれる硬化促進剤（熱硬化触媒）の粘着剤層への移行も、これと同様に起こり得ることが予想される。

１ 基材層
２ 粘着剤層
３ ダイボンド層
１０ ダイシングテープ
２０ ダイシングダイボンドフィルム
１ａ 第１樹脂層
１ｂ 第２樹脂層
１ｃ 第３樹脂層
Ｇ バックグラインドテープ
Ｈ 保持具
Ｊ 吸着治具
Ｔ ウェハ加工用テープ
Ｕ 突き上げ部材
Ｗ 半導体ウェハ

Claims (5)

1. 基材層上に粘着剤層が積層されたダイシングテープと、
   前記ダイシングテープの粘着剤層上に積層されたダイボンド層と、を備え、
   前記粘着剤層は、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位を分子中に有するアクリル系ポリマーを含み、
   前記ダイボンド層は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、及びシリカフィラーを含み、
   三次元座標で表される、前記粘着剤層のハンセン溶解度パラメータ（δ_ｄＡ、δ_ｐＡ、δ_ｈＡ）と、三次元座標で表される、前記ダイボンド層のハンセン溶解度パラメータ（δ_ｄＤ、δ_ｐＤ、δ_ｈＤ）とを用いて、下記式（１）で算出されるハンセン溶解度パラメータ距離Ｒａが、４．４以上１１．３以下である、
   （ただし、δ_ｄＤ及びδ_ｄＡは分散項であり、δ_ｐＤ及びδ_ｐＡは極性項であり、δ_ｈＤ及びδ_ｈＡは水素結合項である）
   ダイシングダイボンドフィルム。
2. 前記粘着剤層におけるハンセン溶解度パラメータの分散項δ_ｄＡの値と、前記ダイボンド層におけるハンセン溶解度パラメータの分散項δ_ｄＤの値との差の絶対値が、０．４以上３．０以下である、
   請求項１に記載のダイシングダイボンドフィルム。
3. 前記粘着剤層におけるハンセン溶解度パラメータの極性項δ_ｐＡの値と、前記ダイボンド層におけるハンセン溶解度パラメータの極性項δ_ｐＤの値との差の絶対値が、１．５以上１０．０以下である、
   請求項１または２に記載のダイシングダイボンドフィルム。
4. 前記粘着剤層におけるハンセン溶解度パラメータの水素結合項δ_ｈＡの値と、前記ダイボンド層におけるハンセン溶解度パラメータの水素結合項δ_ｈＤの値との差の絶対値が、０．５以上６．５以下である、
   請求項１乃至３のいずれか１項に記載のダイシングダイボンドフィルム。
5. 前記粘着剤層に対する前記ダイボンド層の剥離力が０．５Ｎ／２０ｍｍ以上である、
   請求項１乃至４のいずれか１項に記載のダイシングダイボンドフィルム。