CN112778922A - 切割带和切割芯片接合薄膜 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及切割带和切割芯片接合薄膜。本发明所述的切割带是在基材层上层叠有粘合剂层的切割带，其在‑10℃下的拉伸储能模量为50MPa以上且250MPa以下。

Description

切割带和切割芯片接合薄膜
相关申请的相互引用
本申请要求日本特愿2019-202485号的优先权，通过引用而援引至本申请说明书的记载中。
技术领域
本发明涉及切割带和切割芯片接合薄膜。
背景技术
以往已知的是，在半导体装置的制造中，为了获得芯片接合用半导体芯片而使用切割带、切割芯片接合薄膜。
前述切割带是在基材层上层叠粘合剂层而构成的，前述切割芯片接合薄膜是在前述切割带的粘合剂层上以可剥离的方式层叠芯片接合层而构成的。
并且，作为使用前述切割芯片接合薄膜获得芯片接合用的半导体芯片(Die)的方法，已知采用具有下述工序的方法：通过对半导体晶圆进行切割处理而对要加工成芯片(Die)的半导体晶圆形成槽的半切割工序；对半切割工序后的半导体晶圆进行磨削而减薄厚度的背面研磨工序；将背面研磨工序后的半导体晶圆的一面(例如与电路面相反一侧的面)粘贴于芯片接合层，将半导体晶圆固定于切割带的安装工序；扩大经半切割加工的半导体芯片彼此的间隔的扩展工序；维持半导体芯片彼此的间隔的切口维持工序；将芯片接合层与粘合剂层之间剥离，在粘贴有芯片接合层的状态下取出半导体芯片的拾取工序；以及使粘贴有芯片接合层的状态的半导体芯片粘接于被粘物(例如安装基板等)的芯片接合工序。
需要说明的是，在前述切口维持工序中，用热风(例如100～130℃)吹向切割带而使切割带发生热收缩后，使其冷却固化，维持被切割的相邻半导体芯片间的距离(切口)。
此外，在前述扩展工序中，前述芯片接合层被切割成与经单片化的多个半导体芯片的尺寸相当的大小。
对于使用前述那样的切割芯片接合薄膜来获得芯片接合用半导体芯片的方法而言，专利文献1中公开了：通过使用具有特定物性的切割带(-10℃下的初始弹性模量为200MPa以上且380MPa以下、以及-10℃下的Tanδ(损耗弹性模量/储能模量)为0.080以上且0.3以下的切割带)，且在-15～5℃的低温条件下进行前述扩展工序，从而在前述扩展工序中，能够提高由前述半导体晶圆切割成多个半导体芯片的切割性(例如切割容易度、均匀切割性等)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-185591号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，半导体芯片因用途而所需尺寸不同。
并且，半导体芯片的所需尺寸越小，则将相同尺寸的半导体晶圆进行扩展而单片化成多个半导体芯片时，形成于半导体晶圆的槽(切割线)的数量越多，切割线的数量越多，在扩展工序中为了充分拓宽半导体芯片彼此的间隔，越需要进一步拉伸切割带或切割芯片接合薄膜。
因此，根据切割带或切割芯片接合薄膜所具有的物性，在需要进一步拉伸切割带或切割芯片接合薄膜的情况下，有时也无法充分拉伸，其结果，在扩展工序中无法充分拓宽半导体芯片彼此的间隔。即，有时无法由半导体晶圆良好地切割成多个半导体芯片。
此外，在切口维持工序中，有时无法充分维持切口。
然而，对于即使在扩展工序中需要进一步拉伸切割带或切割芯片接合薄膜时、即切割线的数量较多时也能由切割半导体晶圆良好地切割成多个半导体芯片，未进行充分研究。
此外，在切口维持工序中，针对充分维持切口也未进行充分研究。
因而，本发明的课题在于，提供即使在切割线的数量较多的情况下也能够由半导体晶圆良好地切割成多个半导体芯片，且能够充分维持切口的切割带和切割芯片接合薄膜。
用于解决问题的方案
本发明所述的切割带是在基材层上层叠有粘合剂层的切割带，
其在-10℃下的拉伸储能模量为50MPa以上且250MPa以下。
前述切割带在-10℃下的损耗系数优选为0.07以上且0.18以下。
前述切割带在-10℃下的断裂伸长率优选为450％以上且600％以下。
本发明所述的切割芯片接合薄膜具备：
在基材层上层叠有粘合剂层的切割带；以及
层叠在前述切割带的粘合剂层上的芯片接合层，
所述切割芯片接合薄膜在-10℃下的拉伸储能模量为50MPa以上且250MPa以下。
附图说明
图1是示出本发明的一个实施方式所述的切割带的构成的剖视图。
图2是示出本发明的一个实施方式所述的切割芯片接合薄膜的构成的剖视图。
图3A是示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的半切割加工的情况的剖视图。
图3B为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的半切割加工的情况的剖视图。
图3C为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的背面研磨加工的情况的剖视图。
图3D为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的背面研磨加工的情况的剖视图。
图4A为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的安装工序的情况的剖视图。
图4B为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的安装工序的情况的剖视图。
图5A为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的低温下的扩展工序的情况的剖视图。
图5B为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的低温下的扩展工序的情况的剖视图。
图5C为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的低温下的扩展工序的情况的剖视图。
图6A为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的常温下的扩展工序的情况的剖视图。
图6B为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的常温下的扩展工序的情况的剖视图。
图7为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的切口维持工序的情况的剖视图。
图8为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的拾取工序的情况的剖视图。
附图标记说明
1 基材
2 粘合剂层
3 芯片接合层
10 切割带
20 切割芯片接合薄膜
1a 第一树脂层
1b 第二树脂层
1c 第三树脂层
G 背面研磨带
H 保持件
J 吸附夹具
P 销构件
R 切割环
T 晶圆加工用带
U 顶起构件
W 半导体晶圆
具体实施方式
以下，针对本发明的一个实施方式进行说明。
[切割带]
如图1所示那样，本实施方式所述的切割带10是在基材层1上层叠有粘合剂层2的切割带，其在-10℃下的拉伸储能模量为50MPa以上且250MPa以下。
需要说明的是，如后述实施例的项中说明的那样，通过使切割带10在-10℃下的拉伸储能模量为50MPa以上且250MPa以下，尤其能够将半导体晶圆(例如直径200mm(8英寸)以上的半导体晶圆)良好地切割成NAND存储控制器所使用的那样的面积为10mm2以下的极小的半导体芯片(例如表面为大致矩形，长度4mm×宽度2mm的半导体芯片(面积为8mm2))。
针对其理由，本发明人等推测如下。
半导体芯片因用途而所需尺寸不同。如上所述，NAND存储控制器所使用的那样的半导体芯片是面积为10mm2以下的极小尺寸，与此相对，NAND型快闪式存储器所使用的半导体芯片通常大多是面积为40mm2以上的芯片(例如表面为大致矩形，长度12mm×宽度4mm的芯片(面积为48mm2)、长度10mm×宽度5mm的芯片(面积为50mm2))。
此处，将相同大小的半导体晶圆切割成半导体芯片时，切割后的半导体芯片的大小越小，则在半切割工序中，形成于半导体晶圆的槽(切割线)的间隔越窄，因此，形成于半导体晶圆的槽数量变多。
并且，将槽的间隔狭窄的半导体晶圆切割成多个半导体芯片时，为了充分空出相邻半导体芯片之间的间隔，需要在扩展工序(例如室温(23±2℃)下的扩展)中充分拉伸切割带。
将半导体晶圆切割成NAND型快闪式存储器所使用的半导体芯片那样的面积较大的芯片时，形成于半导体晶圆的槽数量较少，因此，即使使用例如专利文献1中记载那样在-10℃下的初始弹性模量为200MPa以上且380MPa以下的切割带，也能够充分空出相邻半导体芯片之间的间隔。
然而，将半导体晶圆切割成NAND存储控制器所使用的那样的面积较小的极小芯片时，形成于半导体晶圆的槽数量较多，因此，若在扩展工序(例如室温下的扩展)中使用-10℃下的初始弹性模量为200MPa以上且380MPa以下的切割带，则有时无法充分拉伸切割带以充分空出相邻极小芯片之间的间隔。尤其是，切割带在例如室温下的扩展时更难以破裂，因此，将-10℃下的初始弹性模量设为上述数值范围的上限值附近的值时，切割带变得较硬，无法充分拉伸。此外，使用切割带将半导体晶圆单片化成多个半导体芯片时，从重视切割性的观点出发，为了容易对切割带施加应力，切割带在-10℃下的初始弹性模量大多选择较高的数值(例如专利文献1中记载的数值范围的上限值附近的值)，但这种情况下，也如上述那样，切割带变得较硬，无法充分拉伸。
对此，本实施方式所述的切割带10在-10℃下的拉伸储能模量为50MPa以上且250MPa以下，具有适度的弹性，因此可以认为：即使在切割成NAND存储控制器所使用的半导体芯片那样的极小芯片的情况下，也能够充分拉伸。
因此可以认为：在扩展工序中能够充分空出相邻极小芯片间的间隔。
需要说明的是，通过适当设定构成基材层1的材料、基材层1的层构成和基材层1的厚度，能够使-10℃下的拉伸储能模量为50MPa以上且250MPa以下。
本实施方式所述的切割带10在-10℃下的损耗系数优选为0.07以上且0.18以下。
由此，切割带10在适度弹性的基础上，具有适度的硬度。
因此，在粘贴至半导体晶圆并将切割带10扩展而由半导体晶圆切割成多个半导体芯片(尤其是NAND存储控制器所使用的那样的极小芯片)时，能够在进一步拉伸切割带10的基础上，较为抑制将切割带10拉伸时的断裂。
-10℃下的拉伸储能模量和-10℃下的损耗系数可如下操作来求出。
详细而言，将长度40mm(测定长度)、宽度10mm的切割带作为试验片，使用固体粘弹性测定装置(例如型号RSAIII、Rheometric Scientific公司制)，在频率为1Hz、应变量为0.1％、升温速度为10℃/min、卡盘间距离为22.5mm的条件下，在-50～100℃的温度范围内测定前述试验片的拉伸储能模量和损耗弹性模量。此时，通过读取-10℃下的值，能够求出-10℃下的拉伸储能模量和-10℃下的损耗弹性模量，-10℃下的损耗系数可通过-10℃下的拉伸储能模量的值除以-10℃下的损耗弹性模量的值来求出。
需要说明的是，前述测定通过将前述试验片沿着MD方向(树脂流动方向)拉伸来进行。
本实施方式所述的切割带10在-10℃下的断裂伸长率优选为450％以上且600％以下。
由此，切割带10在适度弹性的基础上还具有适度的硬度。
因此，在粘贴至半导体晶圆并将切割带10扩展而由半导体晶圆切割成多个半导体芯片(尤其是NAND存储控制器所使用的那样的极小芯片)时，能够在进一步拉伸切割带10的基础上，较为抑制将切割带10拉伸时的断裂。
-10℃下的断裂伸长率可如下操作来求出。
详细而言，将长度120mm(测定长度。L0)、宽度10mm的切割带作为试验片，使用拉伸试验机(AUTOGRAPH AG-IS、岛津制作所制)，在温度为-10℃、卡盘间距离为50mm和拉伸速度为100mm/min的条件下，将上述试验片沿着长度方向拉伸，测定上述试验片发生断裂时的长度(L1)。
并且，基于下述式，算出-10℃下的断裂伸长率E。
断裂伸长率E＝(L1-L0)/L0×100
基材层1支承粘合剂层2。基材层1包含树脂。作为基材层1所包含的树脂，可列举出聚烯烃、聚酯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯硫醚、氟树脂、纤维素系树脂和硅树脂等。
作为聚烯烃，可列举出例如α-烯烃的均聚物、两种以上的α-烯烃的共聚物、嵌段聚丙烯、无规聚丙烯、1种或2种以上的α-烯烃与其它乙烯基单体的共聚物等。
作为α-烯烃的均聚物，优选为碳原子数2以上且12以下的α-烯烃的均聚物。作为这种均聚物，可列举出乙烯、丙烯、1-丁烯、4-甲基-1-戊烯等。
作为两种以上的α-烯烃的共聚物，可列举出乙烯/丙烯共聚物、乙烯/1-丁烯共聚物、乙烯/丙烯/1-丁烯共聚物、乙烯/碳原子数5以上且12以下的α-烯烃共聚物、丙烯/乙烯共聚物、丙烯/1-丁烯共聚物、丙烯/碳原子数5以上且12以下的α-烯烃共聚物等。
作为1种或2种以上的α-烯烃与其它乙烯基单体的共聚物，可列举出乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)等。
聚烯烃可以是被称为α-烯烃系热塑性弹性体的聚烯烃。作为α-烯烃系热塑性弹性体，可列举出将丙烯-乙烯共聚物与丙烯均聚物组合而得的物质、或者丙烯-乙烯-碳原子数4以上的α-烯烃三元共聚物。
作为α-烯烃系热塑性弹性体的市售品，可列举出例如作为丙烯系弹性体树脂的Vistamaxx 3980(ExxonMobil Chemical company制)。
基材层1可以包含1种前述树脂，也可以包含两种以上的前述树脂。
需要说明的是，粘合剂层2包含后述紫外线固化粘合剂时，基材层1优选以具有紫外线透射性的方式来构成。
基材层1可以为单层结构，也可以为层叠结构。基材层1可以通过无拉伸成形来获得，也可以通过拉伸成形来获得，优选通过拉伸成形来获得。基材层1为层叠结构时，基材层1优选具有包含弹性体的层(以下称为弹性体层)和包含非弹性体的层(以下称为非弹性体层)。
通过使基材层1具有弹性体层和非弹性体层，能够使弹性体层作为松弛拉伸应力的应力松弛层而发挥功能。即，由于能够较为减小基材层1中产生的拉伸应力，因此，能够使基材层1具有适度的硬度且比较容易拉伸。
由此，能够提高由半导体晶圆切割成多个半导体芯片的切割性。
此外，在切割工序中的扩展时，能够抑制基材层1破裂而损坏。
需要说明的是，本说明书中，弹性体层是指在室温下的拉伸储能模量比非弹性体层低的低弹性模量层。作为弹性体层，可列举出在室温下的拉伸储能模量为10MPa以上且100MPa以下的弹性体层，作为非弹性体层，可列举出在室温下的拉伸储能模量为200MPa以上且500MPa以下的非弹性体层。
弹性体层可以包含1种弹性体，也可以包含2种以上的弹性体，优选包含α-烯烃系热塑性弹性体。
非弹性体层可以包含1种非弹性体，也可以包含2种以上的非弹性体，优选包含后述茂金属PP。
基材层1具有弹性体层和非弹性体层时，基材层1优选形成为以弹性体层作为中心层且在该中心层的彼此相对的两面具有非弹性体层的三层结构(非弹性体层/弹性体层/非弹性体层)(参照图1)。需要说明的是，图1中，将一个非弹性体层示作第一树脂层1a，将弹性体层示作第二树脂层1b，将另一个非弹性体层示作第三树脂层3c。
此外，如上所述，在切口维持工序中，由于在室温(例如23℃)下将热风(例如100～130℃)吹向维持了扩展状态的前述切割芯片接合薄膜而使前述切割芯片接合薄膜发生热收缩后，进行冷却固化，因此，基材层1的最外层优选包含具有与吹到切割带的热风温度相近的熔点的树脂。由此，能够使通过吹送热风而熔融的最外层更迅速地固化。
其结果，在切口维持工序中能够更充分地维持切口。
基材层1是弹性体层与非弹性体层的层叠结构，弹性体层包含α-烯烃系热塑性弹性体且非弹性体层包含后述茂金属PP等聚烯烃的情况下，弹性体层优选包含相对于形成该弹性体层的弹性体总质量为50质量％以上且100质量％以下的α-烯烃系热塑性弹性体，更优选包含70质量％以上且100质量％以下，进一步优选包含80质量％以上且100质量％以下，特别优选包含90质量％以上且100质量％以下，最适合包含95质量％以上且100质量％以下。通过以前述范围包含α-烯烃系热塑性弹性体，弹性体层与非弹性体层的亲和性变高，因此，能够比较容易地将基材层1挤出成形。此外，能够使弹性体层作为应力松弛层而发挥作用，因此，能够高效地切割粘贴于切割带的半导体晶圆。
基材层1为弹性体层与非弹性体层的层叠结构时，基材层1优选通过将弹性体与非弹性体进行共挤出而制成弹性体层与非弹性体层的层叠结构的共挤出成形来获得。作为共挤出成形，可以采用在薄膜、片等的制造中通常进行的任意且适当的共挤出成形。在共挤出成形之中，从能够高效且廉价地获得基材层1的观点出发，优选采用吹胀法、共挤出T模法。
通过共挤出成形来获得形成层叠结构的基材层1时，前述弹性体层与前述非弹性体层经加热而在熔融状态下接触，因此，优选前述弹性体与前述非弹性体的熔点差异小。通过使熔点差异小，从而抑制成为低熔点的前述弹性体或前述非弹性体中的任一者被过度加热，因此，能够抑制成为低熔点的前述弹性体或前述非弹性体中的任一者因热劣化而生成副产物。此外，也能够抑制因成为低熔点的前述弹性体或前述非弹性体中的任一者的粘度过度降低而导致前述弹性体层与前述非弹性体层之间发生层叠不良。前述弹性体与前述非弹性体的熔点差优选为0℃以上且70℃以下、更优选为0℃以上且55℃以下。
前述弹性体和前述非弹性体的熔点可以利用差示扫描量热(DSC)分析进行测定。例如，可以通过使用差示扫描量热计装置(TA INSTRUMENTS公司制、型号：DSC Q2000)，在氮气气流下以5℃/min的升温速度升温至200℃，并求出吸热峰的峰值温度来测定。
基材层1的厚度优选为55μm以上且195μm以下、更优选为55μm以上且190μm以下、进一步优选为55μm以上且170μm以下、最适合为60μm以上且160μm以下。通过使基材层1的厚度为前述范围，能够高效地制造切割带，且能够高效地切割粘贴于切割带的半导体晶圆。
基材层1的厚度可通过例如使用直读式厚度计(PEACOCK公司制、型号：R-205)，测定随机选择的任意5个点的厚度，并对这些厚度进行算术平均来求出。
在将弹性体层和非弹性体层层叠而成的基材层1中，非弹性体层的厚度相对于弹性体层的厚度的比优选为1/25以上且1/3以下，更优选为1/25以上且1/3.5以下，进一步优选为1/25以上且1/4以下，特别优选为1/22以上且1/4以下，最适合为1/20以上且1/4以下。通过将非弹性体层的厚度相对于弹性体层的厚度的比设为上述范围，能够效率更良好地切断粘贴于切割带的半导体晶圆。
弹性体层可以是单层(1层)结构，也可以是层叠结构。弹性体层优选为1层～5层的结构，更优选为1层～3层的结构，进一步优选为1层～2层的结构，为1层结构的方式最佳。在弹性体层为层叠结构的情况下，既可以是全部的层包含相同的弹性体，也可以是至少2层包含不同的弹性体。
非弹性体层可以是单层(1层)结构，也可以是层叠结构。非弹性体层优选为1层～5层的结构，更优选为1层～3层的结构，进一步优选为1层～2层的结构，最适合为1层结构。在非弹性体层为层叠结构的情况下，既可以是全部的层包含相同的非弹性体，也可以是至少2层包含不同的非弹性体。
非弹性体层优选包含作为利用茂金属催化剂得到的聚合产物的聚丙烯树脂(以下称为茂金属PP)来作为非弹性体。作为茂金属PP，可列举作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯/α-烯烃共聚物。通过使非弹性体层包含茂金属PP，从而能够效率良好地制造切割带，并且能够效率良好地切断粘贴于切割带的半导体晶圆。
需要说明的是，作为市售的茂金属PP，可列举出WINTEC WFX4M(日本聚丙烯公司制)。
在此，茂金属催化剂为包含周期表第4族的过渡金属化合物(所谓的茂金属化合物)、和可与茂金属化合物反应而将该茂金属化合物活化为稳定的离子态的助催化剂的催化剂，所述周期表第4族的过渡金属化合物包含具有环戊二烯基骨架的配体，所述茂金属催化剂根据需要而包含有机铝化合物。茂金属化合物为能够进行丙烯的立构规整聚合的交联型的茂金属化合物。
在前述作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯/α-烯烃共聚物中，优选作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯/α-烯烃无规共聚物，在前述作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯/α-烯烃无规共聚物中，优选选自作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯/碳数2的α-烯烃无规共聚物、作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯/碳数4的α-烯烃无规共聚物、及作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯/碳数5的α-烯烃无规共聚物中的共聚物，这些中，最适合为作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯/乙烯无规共聚物。
对于前述作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯/α-烯烃无规共聚物，从与前述弹性体层的共挤出成膜性及粘贴于切割带的半导体晶圆的切断性的观点出发，优选熔点为80℃以上且140℃以下、特别是100℃以上且130℃以下者。
前述作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯/α-烯烃无规共聚物的熔点可以利用前述的方法来测定。
在此，如果将前述弹性体层配置在基材层1的最外层，则在将基材层1制成卷状体时，被配置在最外层的前述弹性体层彼此容易粘连(容易粘在一起)。因此，变得难以将基材层1从卷状体退卷。与此相对地，前述的层叠结构的基材层1的优选方式为非弹性体层/弹性体层/非弹性体层，即非弹性体层被配置在最外层，因此这种形态的基材层1的耐粘连性变得优异。由此，能够抑制使用切割带10的半导体装置的制造因粘连而产生延迟。
前述非弹性体层优选包含具有100℃以上且130℃以下的熔点、并且分子量分散度(质均分子量/数均分子量)为5以下的树脂。作为这样的树脂，可列举茂金属PP。
通过使上述非弹性体层包含如前所述的树脂，从而能够在切口维持工序中使非弹性体层更迅速地冷却固化。因此，能够更充分地抑制在使切割带热收缩后基材层1发生收缩。
由此，在切口维持工序中，能够更充分地维持切口。
粘合剂层2含有粘合剂。粘合剂层2通过粘合来保持用于单片化为半导体芯片的半导体晶圆。
作为前述粘合剂，可列举在切割带10的使用过程中能够通过来自外部的作用而降低粘合力的粘合剂(以下称为粘合降低型粘合剂)。
当使用粘合降低型粘合剂作为粘合剂时，在切割带10的使用过程中，粘合剂层2可以分开使用显示较高的粘合力的状态(以下称为高粘合状态)和显示较低的粘合力的状态(以下称为低粘合状态)。例如，在将粘贴于切割带10的半导体晶圆供于切断时，为了抑制通过切断半导体晶圆而单片化的多个半导体芯片从粘合剂层2浮起或剥离而利用高粘合状态。与此相对地，在切断半导体晶圆后，为了拾取已单片化的多个半导体芯片而利用低粘合状态，以便容易从粘合剂层2拾取多个半导体芯片。
作为前述粘合降低型粘合剂，可列举例如：能够在切割带10的使用过程中通过照射辐射线而固化的粘合剂(以下称为辐射线固化粘合剂)。
作为前述辐射线固化粘合剂，可列举例如：通过照射电子束、紫外线、α射线、β射线、γ射线或X射线而固化的类型的粘合剂。这些中，优选使用通过照射紫外线而固化的粘合剂(紫外线固化粘合剂)。
作为前述辐射线固化粘合剂，可列举例如添加型的辐射线固化粘合剂，其包含丙烯酸系聚合物等基础聚合物以及具有辐射线聚合性的碳-碳双键等官能团的辐射线聚合性单体成分、辐射线聚合性低聚物成分。
作为前述丙烯酸系聚合物，可列举包含来自(甲基)丙烯酸酯的单体单元的丙烯酸系聚合物。作为(甲基)丙烯酸酯，可列举例如(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯、及(甲基)丙烯酸芳基酯等。
粘合剂层2可以包含外部交联剂。作为外部交联剂，只要是可以与作为基础聚合物的丙烯酸系聚合物反应而形成交联结构的物质，则任意类型均可使用。作为这样的外部交联剂，可列举例如多异氰酸酯化合物、环氧化合物、多元醇化合物、氮丙啶化合物、及三聚氰胺系交联剂等。
作为前述辐射线聚合性单体成分，可列举例如：氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、及1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。作为前述辐射线聚合性低聚物成分，可列举例如氨基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各种低聚物。前述辐射线固化粘合剂中的辐射线聚合性单体成分、辐射线聚合性低聚物成分的含有比例可在使粘合剂层2的粘合性适当下降的范围内选择。
前述辐射线固化粘合剂优选包含光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，可列举例如α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、苯偶姻醚系化合物、缩酮系化合物、芳香族磺酰氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、噻吨酮系化合物、樟脑醌、卤代酮、酰基氧化膦、及酰基膦酸酯等。
粘合剂层2中，除了前述各成分以外还可以包含交联促进剂、增粘剂、防老剂、颜料或染料等着色剂等。
粘合剂层2的厚度优选为1μm以上且50μm以下，更优选为2μm以上且30μm以下，进一步优选为5μm以上且25μm以下。
[切割芯片接合薄膜]
之后，参照图2对切割芯片接合薄膜20进行说明。需要说明的是，在切割芯片接合薄膜20的说明中，与切割带10重复的部分不再重复对其进行说明。
如图2所示，本实施方式的切割芯片接合薄膜20具备在基材层1上层叠有粘合剂层2的切割带10、和层叠在切割带10的粘合剂层2上的芯片接合层3。
在切割芯片接合薄膜20中，在芯片接合层3上粘贴半导体晶圆。
在使用切割芯片接合薄膜20的半导体晶圆的切断中，芯片接合层3也与半导体晶圆一起被切断。芯片接合层3被切断为与单片化的多个半导体芯片的尺寸相当的大小。由此，可以得到带有芯片接合层3的半导体芯片。
如上所述，切割芯片接合薄膜20的切割带10在-10℃下的拉伸储能模量为50MPa以上且250MPa以下。
切割芯片接合薄膜20的切割带10在-10℃下的损耗系数优选为0.07以上且0.18以下。
此外，切割芯片接合薄膜20的切割带10在-10℃下的断裂伸长率优选为450％以上且600％以下。
芯片接合层3优选具有热固性。通过使芯片接合层3包含热固性树脂及具有热固性官能团的热塑性树脂中的至少一者，从而可以对芯片接合层3赋予热固性。
当芯片接合层3包含热固性树脂时，作为这样的热固性树脂，可列举例如环氧树脂、酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、硅树脂、及热固性聚酰亚胺树脂等。这些中，优选使用环氧树脂。
作为环氧树脂，可列举例如双酚A型、双酚F型、双酚S型、溴化双酚A型、氢化双酚A型、双酚AF型、联苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型、三羟基苯基甲烷型、四酚基乙烷型、乙内酰脲型、异氰脲酸三缩水甘油酯型、及缩水甘油胺型的环氧树脂。
对于作为环氧树脂的固化剂的酚醛树脂，可列举例如酚醛清漆型酚醛树脂、甲阶型酚醛树脂、及聚对氧苯乙烯等聚氧苯乙烯。
芯片接合层3包含具有热固性官能团的热塑性树脂时，作为这样的热塑性树脂，可列举例如含有热固性官能团的丙烯酸类树脂。作为含有热固性官能团的丙烯酸类树脂中的丙烯酸类树脂，可列举包含来自(甲基)丙烯酸酯的单体单元的丙烯酸类树脂。
对于具有热固性官能团的热固性树脂而言，可根据热固性官能团的种类来选择固化剂。
从使树脂成分的固化反应充分进行、或者提高固化反应速度的观点出发，芯片接合层3也可以含有热固化催化剂。作为热固化催化剂，可列举例如咪唑系化合物、三苯基膦系化合物、胺系化合物、及三卤代硼烷系化合物。
芯片接合层3可以包含热塑性树脂。热塑性树脂作为粘结剂起作用。作为热塑性树脂，可列举例如天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、聚酰胺6、聚酰胺6,6等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、PET、PBT等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、氟树脂等。上述热塑性树脂可以仅使用一种，也可以将两种以上组合使用。作为上述热塑性树脂，从离子性杂质少且耐热性高从而容易确保基于芯片接合层的连接可靠性的观点出发，优选丙烯酸类树脂。
上述丙烯酸类树脂优选为包含来自(甲基)丙烯酸酯的单体单元来作为以质量比例计最多的单体单元的聚合物。作为(甲基)丙烯酸酯，可列举例如(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯、及(甲基)丙烯酸芳基酯等。上述丙烯酸类树脂可以包含来自能够与(甲基)丙烯酸酯共聚的其它成分的单体单元。作为上述其它成分，可列举例如含羧基单体、酸酐单体、含羟基单体、含缩水甘油基单体、含磺酸基单体、含磷酸基单体、丙烯酰胺、丙烯腈等含官能团单体、各种多官能性单体等。从在芯片接合层中实现高内聚力的观点出发，上述丙烯酸类树脂优选为(甲基)丙烯酸酯(特别是烷基的碳数为4以下的(甲基)丙烯酸烷基酯)与含羧基单体、含氮原子单体、多官能性单体(特别是多缩水甘油基系多官能单体)的共聚物，更优选为丙烯酸乙酯与丙烯酸丁酯、丙烯酸、丙烯腈、(甲基)丙烯酸多缩水甘油基酯的共聚物。
根据需要，芯片接合层3可以含有一种或两种以上的其它成分。作为其它成分，可列举例如阻燃剂、硅烷偶联剂、及离子捕捉剂。
芯片接合层3的厚度没有特别限定，例如为1μm以上且200μm以下。该厚度可以为3μm以上且150μm以下，也可以为5μm以上且100μm以下。
本实施方式的切割芯片接合薄膜20例如可作为用于制造半导体集成电路的辅助用具来使用。以下对使用切割芯片接合薄膜20的具体例进行说明。
以下，对使用基材层1为一层的切割芯片接合薄膜20的例子进行说明。
制造半导体集成电路的方法具有下述工序：通过对半导体晶圆进行切割处理而对要加工成芯片(Die)的半导体晶圆形成槽的半切割工序；对半切割工序后的半导体晶圆进行磨削而减薄厚度的背面研磨工序；将背面研磨工序后的半导体晶圆的一面(例如与电路面相反一侧的面)粘贴于芯片接合层3，将半导体晶圆固定于切割带10的安装工序；扩大经半切割加工的半导体芯片彼此的间隔的扩展工序；维持半导体芯片彼此的间隔的切口维持工序；将芯片接合层3与粘合剂层2之间剥离，在粘贴有芯片接合层3的状态下取出半导体芯片(Die)的拾取工序；以及使粘贴有芯片接合层3的状态的半导体芯片(Die)粘接于被粘物的芯片接合工序。实施这些工序时，本实施方式的切割带(切割芯片接合薄膜)被用作制造辅助用具。
在半切割工序中，如图3A及图3B所示，实施用于将半导体集成电路切断成小片(Die)的半切割加工。详细而言，在半导体晶圆W的与电路面处于相反侧的面粘贴晶圆加工用带T(参照图3A)。另外，将切割环R安装于晶圆加工用带T(参照图3A)。在粘贴有晶圆加工用带T的状态下形成分割用的槽(参照图3B)。在背面研磨工序中，如图3C及图3D所示，对半导体晶圆进行磨削而使厚度变薄。详细而言，在形成有槽的面上粘贴背面研磨带G，另一方面，将最初粘贴的晶圆加工用带T剥离(参照图3C)。在粘贴有背面研磨带G的状态下实施磨削加工，直至半导体晶圆W达到规定的厚度为止(参照图3D)。
在安装工序中，如图4A～图4B所示，将切割环R安装于切割带10的粘合剂层2后，在露出的芯片接合层3的面上粘贴经半切割加工的半导体晶圆W(参照图4A)。之后，从半导体晶圆W剥离背面研磨带G(参照图4B)。
在扩展工序中，如图5A～图5C所示，将切割环R固定于扩展装置的保持件H。使用扩展装置所具备的顶起构件U将切割芯片接合薄膜20从下侧顶起，从而对切割芯片接合薄膜20进行拉伸而使其沿着面方向扩展(参照图5B)。由此，在特定的温度条件下切断经半切割加工的半导体晶圆W。上述温度条件为例如-20～5℃，优选为-15～0℃，更优选为-10～-5℃。通过使顶起构件U下降而解除扩展状态(参照图5C)。
进一步地，在扩展工序中，如图6A～图6B所示，在更高的温度条件下(例如室温(23℃))对切割带10进行拉伸而使面积扩大。由此，使已切断的相邻的半导体芯片在薄膜面的面方向上分离，进一步扩大间隔。
此处，本实施方式所述的切割芯片接合薄膜20中，切割带10在-10℃下的拉伸储能模量为50MPa以上且250MPa以下，因此，尤其是能够将半导体晶圆(例如直径200mm(8英寸)的半导体晶圆)更充分地切割成NAND存储控制器所使用的那样的面积为10mm2以下的极小的半导体芯片(例如表面为大致矩形，长度4mm×宽度2mm的半导体芯片)。
此外，如果将切割带10在-10℃下的损耗系数设为0.07以上且0.18以下，则尤其能够更充分地切割成上述那样的极小的半导体芯片，并且，在将切割带10拉伸而断裂成上述那样的极小的半导体芯片时，能够较为抑制切割带10发生断裂。
进而，如果将切割带10在-10℃下的断裂伸长率设为450％以上且600％以下，则尤其能够更充分地切割成上述那样的极小的半导体芯片，并且，在将切割带10拉伸而断裂成上述那样的极小的半导体芯片时，能够较为抑制切割带10发生断裂。
在切口维持工序中，如图7所示，将热风(例如100～130℃)吹向切割带10而使切割带10热收缩后，进行冷却固化，维持已切断的相邻的半导体芯片间的距离(切口)。
此处，本实施方式所述的切割芯片接合薄膜20中，切割带10在-10℃下的拉伸储能模量为50MPa以上且250MPa以下，因此，在切割成极小的半导体芯片后，能够充分维持切口。
在拾取工序中，如图8所示，将粘贴有芯片接合层3的状态的半导体芯片从切割带10的粘合剂层2剥离。详细而言，使销构件P上升，从而将拾取对象的半导体芯片隔着切割带10顶起。利用吸附夹具J保持被顶起的半导体芯片。
在芯片接合工序中，将粘贴有芯片接合层3的状态的半导体芯片粘接于被粘物。
需要说明的是，在上述的半导体集成电路的制造中，对使用切割芯片接合薄膜20作为辅助工具的例子进行了说明，但是在使用切割带10作为辅助工具时，也可以与上述同样地制造半导体集成电路。
通过本说明书而公开的事项包括以下内容。
(1)
一种切割带，其是在基材层上层叠有粘合剂层的切割带，
其在-10℃下的拉伸储能模量为50MPa以上且250MPa以下。
根据该构成，前述切割带在-10℃下的拉伸储能模量为50MPa以上且250MPa以下，因此，前述切割带具有适度的弹性。
因此，在粘贴至半导体晶圆并将前述切割带扩展而由前述半导体晶圆切割成多个半导体芯片时，能够进一步拉伸前述切割带。
由此，即使在切割线的数量较多的情况下，也能够由半导体晶圆良好地切割成多个半导体芯片。
此外，能够充分维持切口。
(2)
根据上述(1)所述的切割带，其在-10℃下的损耗系数为0.07以上且0.18以下。
根据该构成，-10℃下的损耗系数为0.07以上且0.18以下，因此，前述切割带在适度弹性的基础上，具有适度的硬度。
因此，在粘贴至半导体晶圆并将前述切割带扩展而由前述半导体晶圆切割成多个半导体芯片时，在进一步拉伸前述切割带的基础上，能够较为抑制将前述切割带拉伸时的断裂。
由此，即使在切割线的数量较多的情况下，也能够由半导体晶圆良好地切割成多个半导体芯片，且能够充分维持切口，并且，能够较为抑制切割时的前述切割带的断裂。
(3)
根据上述(1)或(2)所述的切割带，其在-10℃下的断裂伸长率为450％以上且600％以下。
根据该构成，-10℃下的断裂伸长率为450％以上且600％以下，因此，前述切割带在适度弹性的基础上，具有适度的硬度。
因此，在粘贴至半导体晶圆并将前述切割带扩展而由前述半导体晶圆切割成多个半导体芯片时，在进一步拉伸前述切割带的基础上，能够较为抑制将前述切割带拉伸时的断裂。
由此，即使在切割线的数量较多的情况下，也能够由半导体晶圆良好地切割成多个半导体芯片，且能够充分维持切口，并且，能够较为抑制切割时的前述切割带的断裂。
(4)
一种切割芯片接合薄膜，其具备：
在基材层上层叠有粘合剂层的切割带；以及
层叠在前述切割带的粘合剂层上的芯片接合层，
所述切割芯片接合薄膜在-10℃下的拉伸储能模量为50MPa以上且250MPa以下。
根据该构成，在粘贴至半导体晶圆并将前述切割带扩展而由前述半导体晶圆切割成多个半导体芯片时，能够进一步拉伸前述切割带。
由此，即使在切割线的数量较多的情况下，也能够由半导体晶圆良好地切割成多个半导体芯片。
此外，能够充分维持切口。
(5)
根据上述(4)所述的切割芯片接合薄膜，其在-10℃下的损耗系数为0.07以上且0.18以下。
即使在切割线的数量较多的情况下，也能够由半导体晶圆良好地切割成多个半导体芯片。
此外，能够充分维持切口。
(6)
根据上述(4)或(5)所述的切割芯片接合薄膜，其在-10℃下的断裂伸长率为450％以上且600％以下。
根据该构成，即使在切割线的数量较多的情况下，也能够由半导体晶圆良好地切割成多个半导体芯片，且能够充分维持切口，并且，能够较为抑制切割时的前述切割带的断裂。
需要说明的是，本发明所述的切割带和切割芯片接合薄膜不限定于前述实施方式。此外，本发明所述的切割带和切割芯片接合薄膜不受前述作用效果限定。本发明所述的切割带和切割芯片接合薄膜可以在不脱离本发明主旨的范围内进行各种变更。
实施例
之后，列举实施例对本发明进行进一步具体说明。以下的实施例是用于进一步详细说明本发明的例子，并非对本发明的范围进行限定。
[实施例1]
<基材层的成形>
使用两种3层挤出T模成形机，成形具有A层/B层/C层的3层结构(以B层作为中心层，且在B层的两面层叠有作为外层的A层和C层的3层结构)的基材层。A层和C层的树脂使用茂金属PP(商品名：WINTEC WFX4M、日本聚丙烯公司制)，B层的树脂使用EVA(商品名：EVAFLEX EV250、Dupont-Mitsui Polychemicals公司制)。
在模头温度190℃下进行上述挤出成形。即，在190℃下将A层、B层、及C层挤出成形。通过挤出成形而得到的基材层的厚度为100μm。需要说明的是，A层、B层、及C层的厚度比(层厚比)为A层：B层：C层＝1：10：1。
在使成形的基材层充分固化后，将固化后的基材层卷取成卷状，从而制成卷状体。
＜切割带的制作＞
使用涂抹器以厚度达到10μm的方式将粘合剂组合物从卷状的基材层涂布在基材层的一个表面。将涂布粘合剂组合物后的基材层在110℃下加热干燥3分钟而形成粘合剂层，从而得到切割带。
如下所述地制备上述粘合剂组合物。
首先，将INA(丙烯酸异壬酯)173质量份、HEA(丙烯酸羟乙酯)54.5质量份、AIBN(2,2’-偶氮二异丁腈)0.46质量份、乙酸乙酯372质量份混合，得到第1树脂组合物。
之后，向安装有圆底可拆式烧瓶(容量1L)、温度计、氮气导入管及搅拌叶片的聚合用实验装置的前述圆底可拆式烧瓶内加入前述第1树脂组合物，一边搅拌前述第1树脂组合物一边使前述第1树脂组合物的液温达到常温(23℃)，对前述圆底可拆式烧瓶内进行6小时氮气置换。
接着，在使氮气流入前述圆底可拆式烧瓶内的状态下，一边搅拌前述第1树脂组合物，一边使前述第1树脂组合物的液温在62℃下保持3小时，之后进一步在75℃下保持2小时，使前述INA、前述HEA、及前述AIBN聚合，得到第二树脂组合物。之后，停止氮气向前述圆底可拆式烧瓶内的流入。
将前述第二树脂组合物冷却至液温达到常温为止，之后向前述第二树脂组合物中加入作为具有聚合性碳-碳双键的化合物的甲基丙烯酸2-异氰酸根合乙酯(昭和电工公司制、商品名“Karenz MOI(注册商标)”)52.5质量份及二月桂酸二丁基锡IV(和光纯药工业公司制)0.26质量份，得到第三树脂组合物，将所得到的第三树脂组合物在大气气氛、液温50℃下搅拌24小时。
之后，向前述第三树脂组合物中分别加入相对于聚合物固体成分100质量份为0.75质量份的CORONATE L(异氰酸酯化合物)及2质量份的Omnirad127(光聚合引发剂)后，用乙酸乙酯将前述第三树脂组合物稀释至固态成分浓度达到20质量％，制备粘合剂组合物。
＜切割芯片接合薄膜的制作＞
将丙烯酸类树脂(长濑化学公司制、商品名“SG-P3”、玻璃化转变温度12℃)100质量份、环氧树脂(三菱化学公司制、商品名“JER1001”)46质量份、酚醛树脂(明和化成公司制、商品名“MEH-7851ss”)51质量份、球状二氧化硅(Admatechs公司制、商品名“SO-25R”)191质量份及固化催化剂(四国化成工业公司制、商品名“CUREZOL PHZ”)0.6质量份加入到甲乙酮中并混合，得到固体成分浓度20质量％的芯片接合组合物。
之后，使用涂抹器以厚度达到10μm的方式将前述芯片接合组合物涂布在作为剥离衬垫的PET系隔离体(厚度50μm)的实施了有机硅处理的面上，在130℃下干燥2分钟而从前述芯片接合组合物脱溶剂，得到在前述剥离衬垫上层叠有芯片接合层的芯片接合片。
之后，在前述切割带的前述粘合剂层上贴合前述芯片接合片中的未层叠前述剥离片的一侧后，将前述剥离衬垫从前述芯片接合层剥离，得到具备芯片接合层的切割芯片接合薄膜。
针对如上操作而得到的切割带，如下操作，测定-10℃下的拉伸储能模量和-10℃下的损耗弹性模量，算出-10℃下的损耗系数。
此外，如下操作，通过测定试验片发生断裂时的长度，从而算出-10℃下的断裂伸长率。
进而，针对扩展时使用切割芯片接合薄膜而切割成极小芯片的切割性和切口维持性进行评价。
(拉伸储能模量和损耗系数)
由实施例1所述的切割带切出长度40mm(测定长度)×宽度10mm的试验片，使用固体粘弹性测定装置(型号RSAIII、Rheometric Scientific公司制)，在频率为1Hz、应变量为0.1％、升温速度为10℃/min、卡盘间距离为22.5mm的条件下，在-50～100℃的温度范围内测定前述试验片的拉伸储能模量和损耗弹性模量。
此时，通过读取-10℃下的值而求出-10℃下的拉伸储能模量和-10℃下的损耗弹性模量。
此外，通过将-10℃下的拉伸储能模量的值除以-10℃下的损耗系数的值来算出-10℃下的损耗系数。
(断裂伸长率)
由实施例1所述的切割带切出长度120mm(测定长度。L0)×宽度10mm的试验片，使用拉伸试验机(AUTOGRAPH AG-IS、岛津制作所制)，在测定温度(-10℃)、卡盘间距离为50mm和拉伸速度为100mm/min的条件下，将前述试验片沿着长度方向拉伸，测定前述试验片发生断裂时的长度(L1)。
并且，基于下述式来算出-10℃下的断裂伸长率E。
断裂伸长率E＝(L1-L0)/L0×100
(切割成极小芯片的切割性)
在实施例1所述的切割芯片接合薄膜上粘贴裸晶圆(直径300mm)和切割环。接着，使用芯片分离装置DDS2300(DISCO公司制)，进行半导体晶圆和芯片接合层的切割，针对切割成极小芯片的切割性进行评价。裸晶圆切割成长度2mm×宽度2mm×厚度0.030mm的大小的裸芯片(极小芯片)。
详细而言，切割性如下操作来进行评价。
首先，利用冷扩展单元，在扩展温度为-15℃、扩展速度为100mm/秒、扩展量为14mm的条件下切割裸晶圆和芯片接合层，得到带有芯片接合层的半导体芯片。
接着，在室温、扩展速度为1mm/秒、扩展量为8mm的条件下进行扩展。并且，在维持扩展状态的条件下，在加热温度为250℃、加热距离为18mm、旋转速度为5°/秒的条件下，使处于与裸晶圆的外边缘的边界部分的切割芯片接合薄膜发生热收缩。
接着，通过显微镜观察来观察带有芯片接合层的半导体芯片的切割部，算出切割率。并且，将切割率为90％以上的情况评价为〇，将切割率小于90％的情况评价为×。
(切口维持性的评价)
在实施例1所述的切割芯片接合薄膜上粘贴裸晶圆(直径300mm。以下也称为圆形晶圆)和切割环。接着，使用芯片分离装置DDS2300(DISCO公司制)，进行裸晶圆和芯片接合层的切割，针对切割后的切口维持性进行评价。
裸晶圆切割成长度2mm×宽度2mm×厚度0.030mm的大小的裸芯片(极小芯片)。
详细而言，切口维持性如下操作来进行评价。
首先，利用冷扩展单元，在扩展温度为-15℃、扩展速度为100mm/秒、扩展量为14mm的条件下切割裸晶圆和芯片接合层，得到多个带有芯片接合层的裸芯片。
接着，在室温、扩展速度为1mm/秒、扩展量为5mm的条件下进行常温扩展。并且，在维持扩展状态的条件下，在加热温度为250℃、加热距离为18mm、旋转速度为5°/sec的条件下，使处于与裸晶圆的外边缘的边界部分的切割芯片接合薄膜发生热收缩。
接着，使用数字显微镜(VHX-6000、基恩士公司制)来进行切口的测定。详细而言，在加热扩展结束后(热收缩后)，利用数字显微镜观察切割部分的一个芯片与其它芯片的间隔(以下也称为间隔长度)，测定间隔长度。间隔长度在任选的5处分别针对MD方向和TD方向进行测定。作为切口，采用间隔长度的测定值中的最小值。
并且，如果切口为30μm以上，则评价为○(维持了切口)，如果切口小于30μm，则评价为×(未维持切口)。
需要说明的是，上述任选的5处是指：圆形晶圆的最外周部分且沿着圆周方向相互隔开约90°的4处、和前述圆形晶圆的中央附近。
[实施例2]
除了在基材层的B层中使用第一聚合物共混物(EVAFLEX EV250与HDPE(高密度聚乙烯)的共混品。质量比为EV250:HDPE＝90:10。Dupont-Mitsui Polychemicals公司制)之外，与实施例1同样操作，得到实施例2所述的切割带和切割芯片接合薄膜。
此外，针对实施例2所述的切割带，与实施例1同样操作，测定-10℃下的拉伸储能模量和-10℃下的损耗弹性模量，算出-10℃下的断裂伸长率和-10℃下的损耗系数。
进而，与实施例1同样操作，针对扩展时使用切割芯片接合薄膜而切割成极小芯片的切割性和切口维持性进行评价。
[实施例3]
将基材层设为单层结构，且在构成树脂层的树脂中使用EVAFLEX P1007(Dupont-Mitsui Polychemicals公司制)，除此之外，与实施例1同样操作，得到实施例3所述的切割带和切割芯片接合薄膜。
此外，针对实施例3所述的切割带，与实施例1同样操作，测定-10℃下的拉伸储能模量和-10℃下的损耗弹性模量，算出-10℃下的断裂伸长率和-10℃下的损耗系数。
进而，与实施例1同样操作，针对扩展时使用切割芯片接合薄膜而切割成极小芯片的切割性和切口维持性进行评价。
[比较例1]
除了在基材层的B层中使用第二聚合物共混物(EVAFLEX EV250与HDPE(高密度聚乙烯)的共混品。质量比为EV250:HDPE＝80:20。Dupont-Mitsui Polychemicals公司制)，除此之外，与实施例1同样操作，得到比较例1所述的切割带和切割芯片接合薄膜。
此外，针对比较例1所述的切割带，与实施例1同样操作，测定-10℃下的拉伸储能模量和-10℃下的损耗弹性模量，算出-10℃下的断裂伸长率和-10℃下的损耗系数。
进而，与实施例1同样操作，针对扩展时使用切割芯片接合薄膜而切割成极小芯片的切割性和切口维持性进行评价。
[比较例2]
除了在基材层的B层中使用EVAFLEX V523(Dupont-Mitsui Polychemicals公司制)之外，与实施例1同样操作，得到比较例2所述的切割带和切割芯片接合薄膜。
此外，针对比较例2所述的切割带，与实施例1同样操作，测定-10℃下的拉伸储能模量和-10℃下的损耗弹性模量，算出-10℃下的断裂伸长率和-10℃下的损耗系数。
进而，与实施例1同样操作，针对扩展时使用切割芯片接合薄膜而切割成极小芯片的切割性和切口维持性进行评价。
在下述表1中示出针对各例所述的切割带测定-10℃下的拉伸储能模量和-10℃下的损耗弹性模量的结果、以及算出-10℃下的断裂伸长率和-10℃下的损耗系数的结果，以及针对使用各例所述的切割芯片接合薄膜而切割成极小芯片的切割性和切口维持性进行评价的结果。
[表1]
Figure BDA0002748518370000281
由表1可知：实施例1～3所述的切割带在-10℃下的拉伸储能模量的值均落入50MPa以上且250MPa以下的范围，实施例1～3所述的切割芯片接合薄膜在切割成极小芯片的切割性的评价和切口维持性的评价中是优异的。
此外，根据表1，实施例1～3所述的切割带在-10℃下的损耗系数的值均落入0.07以上且0.18以下的范围，-10℃下的断裂伸长率的值落入450％以上且600％以下的范围。
与此相对，可知比较例1和2所述的切割带在-10℃下的拉伸储能模量的值均偏离50MPa以上且250MPa以下的范围，比较例1和2所述的切割芯片接合薄膜在切割成极小芯片的切割性的评价和切口维持性的评价中较差。
此外，根据表1，比较例1和2所述的切割带在-10℃下的损耗系数的值均偏离0.07以上且0.18以下的范围，-10℃下的断裂伸长率的值偏离450％以上且600％以下的范围，尤其是使用比较例1所述的切割芯片接合薄膜来评价切割成极小芯片的切割性和切口维持性时，在切割带中观察到实用上成为问题的破损(损坏)。
需要说明的是，虽然表1中记载的切割成极小芯片的切割性的评价和切口维持性的评价是关于切割芯片接合薄膜的，但是可以预测切割芯片接合薄膜所包含的切割带也可得到与表1所示的结果相同的结果。

Claims (4)

1.一种切割带，其是在基材层上层叠有粘合剂层的切割带，
其在-10℃下的拉伸储能模量为50MPa以上且250MPa以下。
2.根据权利要求1所述的切割带，其在-10℃下的损耗系数为0.07以上且0.18以下。
3.根据权利要求1或2所述的切割带，其在-10℃下的断裂伸长率为450％以上且600％以下。
4.一种切割芯片接合薄膜，其具备：
在基材层上层叠有粘合剂层的切割带；以及
层叠在所述切割带的粘合剂层上的芯片接合层，
所述切割芯片接合薄膜在-10℃下的拉伸储能模量为50MPa以上且250MPa以下。
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