TW201842120A - 切晶黏晶膜 - Google Patents

切晶黏晶膜 Download PDF

Info

Publication number
TW201842120A
TW201842120A TW107112988A TW107112988A TW201842120A TW 201842120 A TW201842120 A TW 201842120A TW 107112988 A TW107112988 A TW 107112988A TW 107112988 A TW107112988 A TW 107112988A TW 201842120 A TW201842120 A TW 201842120A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
adhesive
die
adhesive layer
crystal
Prior art date
Application number
TW107112988A
Other languages
English (en)
Inventor
木村雄大
高本尚英
大西謙司
福井章洋
大和道子
井上真一
Original Assignee
日商日東電工股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商日東電工股份有限公司 filed Critical 日商日東電工股份有限公司
Publication of TW201842120A publication Critical patent/TW201842120A/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

本發明提供一種適於抑制黏晶膜之捲曲，並且不易產生捲繞痕跡，且適於高效率地進行製造的切晶黏晶膜。 本發明之切晶黏晶膜X具備切晶帶10及黏晶膜20。切晶帶10具有包含基材11與黏著劑層12之積層構造。黏晶膜20可剝離地密接於切晶帶10中之黏著劑層12。黏晶膜20之外周端20e於膜面內方向D上與黏著劑層12之外周端12e相距500 μm以內。

Description

切晶黏晶膜
本發明係關於一種於半導體裝置之製造過程中可使用之切晶黏晶膜。
於半導體裝置之製造過程中，為了獲得附帶與晶片尺寸相當之黏晶用接著膜的半導體晶片、即附黏晶膜之半導體晶片，有時會使用切晶黏晶膜。切晶黏晶膜具有與作為加工對象之半導體晶圓對應之尺寸，例如具有：包含基材及黏著劑層之切晶帶、以及可剝離地密接於該黏著劑層側之黏晶膜。 作為使用切晶黏晶膜獲得附黏晶膜之半導體晶片之方法之一，已知經由擴張切晶黏晶膜中之切晶帶以割斷黏晶膜之步驟的方法。該方法首先於切晶黏晶膜之黏晶膜上貼合半導體晶圓。該半導體晶圓例如以其後能夠隨黏晶膜一起被割斷而單片化成複數個半導體晶片之方式進行有加工。繼而，擴張切晶黏晶膜之切晶帶，以割斷該黏晶膜從而由切晶帶上之黏晶膜產生分別與半導體晶片密接之複數個接著膜小片。於該擴張步驟中，黏晶膜上之半導體晶圓於相當於黏晶膜中之割斷部位的部位亦發生割斷，而將切晶黏晶膜或切晶帶上之半導體晶圓單片化成複數個半導體晶片。繼而，例如經過洗淨步驟後，利用拾取機構之銷構件自切晶帶之下側將各半導體晶片連同其所密接之與晶片尺寸相當之黏晶膜一起頂起後，自切晶帶上進行拾取。如此獲得附黏晶膜之半導體晶片。該附黏晶膜之半導體晶片經由其黏晶膜，藉由黏晶而固著於安裝基板等被黏著體。例如下述專利文獻1～3中記載有如以上般使用之切晶黏晶膜之相關技術。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2007-2173號公報 [專利文獻2]日本專利特開2010-177401號公報 [專利文獻3]日本專利特開2012-23161號公報
[發明所欲解決之問題] 圖15係以其剖面模式圖表示之先前型切晶黏晶膜Y。切晶黏晶膜Y包含切晶帶60及黏晶膜70。切晶帶60具有基材61與發揮黏著力之黏著劑層62之積層構造。黏晶膜70憑藉黏著劑層62之黏著力而密接於黏著劑層62。此種切晶黏晶膜Y具有與半導體裝置之製造過程中作為加工對象或工件之半導體晶圓對應尺寸的圓盤形狀，用於半導體晶圓之切晶步驟或上述擴張步驟。具體而言，例如，如圖16所示，半導體晶圓81貼合於黏晶膜70，且環狀框82貼附於黏著劑層62，於此狀態下實施對半導體晶圓81之切晶步驟或上述擴張步驟。 環狀框82係於貼附於切晶黏晶膜Y之狀態下，切晶裝置所具備之搬送臂等搬送機構於工件搬送時所機械抵接之構件。先前型切晶黏晶膜Y係以此種環狀框82可憑藉切晶帶60之黏著劑層62之黏著力而固定於該膜的方式設計。即，先前型切晶黏晶膜Y具有確保於切晶帶60之黏著劑層62中在黏晶膜70之周圍存在環狀框固定區域的設計。於此種設計中，黏著劑層62之外周端62e與黏晶膜70之外周端70e之間的距離為10～30 mm左右。 切晶黏晶膜存在以附帶分隔件之形態提供之情況。圖17係表示上述切晶黏晶膜Y附帶分隔件83之情形。分隔件83係用以被覆切晶帶60之黏著劑層62與黏晶膜70。自切晶黏晶膜Y剝離分隔件83而使黏著劑層表面與黏晶膜表面露出後，再使用切晶黏晶膜Y。然而，自先前型切晶黏晶膜Y剝離分隔件83時，存在黏晶膜70隨正被剝離之分隔件83一起自切晶帶60局部剝離、即黏晶膜70發生捲曲之情況。認為其原因在於：如圖15及圖16所示，於膜面內方向上尺寸不同之切晶帶60之黏著劑層62與黏晶膜70形成段差，結果如圖17所示，於該段差消除之形態下，即，切晶帶60或黏著劑層62發生變形而黏著劑層62與黏晶膜70於分隔件83側成為一平面之形態下，分隔件83被覆切晶黏晶膜Y之單面側。於由分隔件83形成之此種被覆狀態下，應力容易集中於黏晶膜70之周緣端處之分隔件側部分與分隔件83之間，於該應力集中部位容易出現局部之高強度貼附。因此，於自切晶黏晶膜Y剝離分隔件83之過程中，黏晶膜70容易隨該分隔件83一起自切晶帶60局部剝離，從而容易發生捲曲。 複數片切晶黏晶膜亦存在以包含其之輥之形態提供之情況。具體而言，存在採用如下形態之情況：分隔件83呈長條狀，於其上配置有複數片切晶黏晶膜Y，且該分隔件83被捲繞成輥。然而，分隔件83上之先前型切晶黏晶膜Y由於其本身具有段差或肩部Ya，故而於輥形態時，存在因自該肩部Ya作用於其他切晶黏晶膜Y之黏晶膜70之按壓而於該黏晶膜70形成捲繞痕跡的情況。 另一方面，於上述先前型切晶黏晶膜Y之製造過程中，用以形成特定尺寸及形狀之切晶帶60之加工步驟(第1加工步驟)與用以形成特定尺寸及形狀之黏晶膜70之加工步驟(第2加工步驟)需分成獨立步驟。於第1加工步驟中，例如對於具有特定之分隔件、待形成為基材61之基材層、及位於該等之間之待形成為黏著劑層62之黏著劑層之積層構造的積層片體，實施將加工刀自基材層側起插入至分隔件為止之加工。藉此，於分隔件上形成具有分隔件上之黏著劑層62與基材61之積層構造之切晶帶60。於第2加工步驟中，例如對於具有特定之分隔件與待形成為黏晶膜70之材料層之積層構造之積層片體，實施將加工刀自材料層側起插入至分隔件為止之加工。藉此，於分隔件上形成黏晶膜70。其後將如此藉由單獨步驟所形成之切晶帶60與黏晶膜70進行位置對準並貼合。 本發明係鑒於上述情況考慮而成者，其目的在於提供一種適於抑制黏晶膜之捲曲，並且不易產生捲繞痕跡，且適於高效率地進行製造的切晶黏晶膜。 [解決問題之技術手段] 本發明所提供之切晶黏晶膜具備切晶帶及黏晶膜。切晶帶具有包含基材與黏著劑層之積層構造。黏晶膜可剝離地密接於切晶帶中之黏著劑層。黏晶膜之外周端於膜面內方向上與黏著劑層之外周端相距500 μm以內，較佳為400 μm以內，更佳為300 μm以內。即，黏晶膜之外周端於膜面內方向上，其全周位於相對於黏著劑層中最接近之外周端而言的內側500 μm至外側500 μm之間，更佳為內側400 μm至外側400 μm之間，更佳為內側300 μm至外側300 μm之間。 本發明之切晶黏晶膜如上所述，黏晶膜之外周端於膜面內方向上與切晶帶之黏著劑層之外周端相距500 μm以內。於此種構成中，黏著劑層所具有之黏著面實質上經黏晶膜被覆。此種切晶黏晶膜於附帶被覆其切晶帶基材之相反側的分隔件之形態下，黏晶膜表面成為與分隔件之界面或對應於分隔件之貼附面。因此，本切晶黏晶膜於附帶被覆切晶帶基材之相反側的分隔件之形態下，不易產生上文關於先前型切晶黏晶膜Y所記述之黏晶膜端部之應力集中，即，於切晶帶或其黏著劑層發生變形而黏著劑層與其上之黏晶膜於分隔件側成為一平面之形態下因分隔件被覆黏晶膜與黏著劑層所引起之黏晶膜端部之應力集中。因此，本切晶黏晶膜適於抑制黏晶膜之捲曲。 本發明之切晶黏晶膜如上所述，黏晶膜之外周端於膜面內方向上與切晶帶之黏著劑層之外周端相距500 μm以內。藉由此種構成，能夠避免或抑制於在本切晶黏晶膜之黏晶膜側貼合分隔件之形態時出現上文關於先前型切晶黏晶膜Y所記述之形成肩部之情況。因此，於採用在長條狀之分隔件上配置複數片切晶黏晶膜且將該分隔件捲繞成輥之形態之情形時，上文關於先前型切晶黏晶膜Y所記述之形成捲繞痕跡之情況於本切晶黏晶膜上不易發生。 本發明之切晶黏晶膜如上所述，黏晶膜之外周端於膜面內方向上與切晶帶之黏著劑層之外周端相距500 μm以內。此種構成適於藉由一衝壓加工等加工而一次地實施用以形成具有基材與黏著劑層之積層構造之一切晶帶之加工、及用以形成一黏晶膜之加工。具備此種構成之本切晶黏晶膜就減少製造步驟數之觀點或控制製造成本之觀點等而言適於高效率地進行製造。 如上所述，本發明所提供之切晶黏晶膜適於抑制黏晶膜之捲曲，並且不易產生捲繞痕跡，且適於高效率地進行製造。 黏晶膜之外周端於膜面內方向上，與切晶帶之基材之外周端相距較佳為1000 μm以內、更佳為900 μm以內、更佳為800 μm以內。即，黏晶膜之外周端於膜面內方向上，其全周位於相對於切晶帶基材之外周端而言之內側1000 μm至外側1000 μm之間，更佳為內側900 μm至外側900 μm之間，更佳為內側800 μm至外側800 μm之間。積層形成有黏著劑層之切晶帶基材之外周端與黏著劑層上之黏晶膜之外周端滿足以上關係的構成有利於在本切晶黏晶膜為附帶被覆切晶帶基材之相反側的分隔件之形態時，避免對應於分隔件之貼附面中包含黏著劑層表面之情況，進而有利於抑制上述黏晶膜於分隔件剝離時發生捲曲。 黏晶膜於溫度23℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件下之剝離試驗中，對SUS平面表現出較佳為0.3～20 N/10 mm、更佳為0.4～18 N/10 mm、更佳為0.5～15 N/10 mm之180°剝離黏著力。本切晶黏晶膜係於黏晶膜上貼附環狀框，因此有關黏著力之該構成適於確保本切晶黏晶膜對環狀框之保持。 黏著劑層之厚度較佳為30 μm以下，更佳為10 μm以下，更佳為5 μm以下。並且，黏晶膜之厚度較佳為150 μm以下，更佳為25 μm以下，更佳為10 μm以下。存在黏著劑層及黏晶膜兩者越薄，藉由用以一次地形成該等之加工方法，黏著劑層外周端與黏晶膜外周端之間於膜面內方向上之間隔距離越小之傾向，因此，有關黏著劑層厚度與黏晶膜厚度之該構成適於實現兩外周端間之較小之間隔距離。 黏晶膜之厚度相對於黏著劑層之厚度之比值較佳為0.1～30，更佳為0.3～10，更佳為1～3。黏晶膜厚度相對於黏著劑層厚度之比值越小，藉由用以一次地形成黏著劑層與黏晶膜之加工方法，存在黏著劑層外周端與黏晶膜外周端之間於膜面內方向上之間隔距離實際上越小之傾向，因此，關於黏晶膜厚度相對於黏著劑層厚度之比值之該構成適於實現兩外周端間之較小之間隔距離。 本切晶黏晶膜較佳為具有直徑處於345～380 mm之範圍內之圓盤形狀(12英吋晶圓對應型)、處於245～280 mm之範圍內之圓盤形狀(8英吋晶圓對應型)、處於495～530 mm之範圍內之圓盤形狀(18英吋晶圓對應型)、或處於195～230 mm之範圍內之圓盤形狀(6英吋晶圓對應型)。此種構成使得本切晶黏晶膜適用於該等尺寸之晶圓之加工製程。 本切晶黏晶膜可以不具有所謂黏晶膜位置對準用標記之形態提供。於先前型切晶黏晶膜之製造過程中，存在需經過一面將設計尺寸有意不同之切晶帶或其黏著劑層與黏晶膜進行相互間之位置對準一面進行貼合之步驟的情況。所謂黏晶膜位置對準用標記係指此種位置對準所利用之標記，例如分別形成於切晶帶之黏著劑層上及黏晶膜上。於本切晶黏晶膜之製造過程中採用用以一次地形成黏著劑層與黏晶膜之加工方法，於此情形時，無需經過一面將兩者進行位置對準一面進行貼合之步驟。
圖1係本發明之一實施形態之切晶黏晶膜X之剖面模式圖。切晶黏晶膜X具有包含切晶帶10與黏晶膜20之積層構造。切晶帶10具有包含基材11與黏著劑層12之積層構造。黏著劑層12於黏晶膜20側具有黏著面12a。黏晶膜20可剝離地密接於切晶帶10之黏著劑層12或其黏著面12a。切晶黏晶膜X可用於在半導體裝置製造時獲得附黏晶膜之半導體晶片之過程中之例如下述擴張步驟。又，切晶黏晶膜X具有與半導體裝置之製造過程中作為加工對象之半導體晶圓對應尺寸的圓盤形狀，其直徑例如處於345～380 mm之範圍內(12英吋晶圓對應型)、245～280 mm之範圍內(8英吋晶圓對應型)、495～530 mm之範圍內(18英吋晶圓對應型)、或195～230 mm之範圍內(6英吋晶圓對應型)。 切晶黏晶膜X中之黏晶膜20之外周端20e於膜面內方向D上，其全周與黏著劑層12之外周端12e相距500 μm以內、較佳為400 μm以內，更佳為300 μm以內。即，黏晶膜20之外周端20e於膜面內方向D上，其全周位於相對於黏著劑層12之外周端12e而言之內側500 μm至外側500 μm之間，更佳為內側400 μm至外側400 μm之間，更佳為內側300 μm至外側300 μm之間。又，黏晶膜20之外周端20e於膜面內方向D上，其全周與切晶帶10之基材11之外周端11e相距較佳為1000 μm以內、更佳為900 μm以內、更佳為800 μm以內。即，黏晶膜20之外周端20e於膜面內方向D上，其全周位於相對於基材11之外周端11e而言之內側1000 μm至外側1000 μm之間，更佳為內側900 μm至外側900 μm之間，更佳為內側800 μm至外側800 μm之間。 黏著劑層12之厚度較佳為30 μm以下，更佳為10 μm以下，更佳為5 μm以下。黏著劑層12之厚度例如為1 μm以上。並且，黏晶膜20之厚度較佳為150 μm以下，更佳為25 μm以下，更佳為10 μm以下。黏晶膜20之厚度例如為1 μm以上。又，黏晶膜20之厚度相對於黏著劑層12之厚度之比值較佳為0.1～30，更佳為0.3～10，更佳為1～3。 切晶帶10之基材11係於切晶帶10或切晶黏晶膜X中作為支持體發揮功能之元件。基材11可較佳地使用例如塑膠基材(尤其是塑膠膜)。作為該塑膠基材之構成材料，例如可列舉：聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚烯烴、聚酯、聚胺基甲酸酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚苯硫醚、芳香族聚醯胺、氟樹脂、纖維素系樹脂、及聚矽氧樹脂。作為聚烯烴，例如可列舉：低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、及乙烯-己烯共聚物。作為聚酯，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯、及聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)。基材11可包含一種材料，亦可包含兩種以上之材料。基材11可具有單層構造，亦可具有多層構造。於基材11上之黏著劑層12如下所述為紫外線硬化型之情形時，基材11較佳為具有紫外線透過性。又，於基材11包含塑膠膜之情形時，可為無延伸膜，亦可為單軸延伸膜，亦可為雙軸延伸膜。 於使用切晶黏晶膜X時，於例如藉由局部加熱使切晶帶10或基材11收縮之情形時，基材11較佳為具有熱收縮性。又，於基材11包含塑膠膜之情形時，就使切晶帶10或基材11實現各向同性熱收縮性之方面而言，基材11較佳為雙軸延伸膜。切晶帶10或基材11於加熱溫度100℃及加熱處理時間60秒之條件下進行之加熱處理試驗中之熱收縮率較佳為2～30%，更佳為2～25%，更佳為3～20%，更佳為5～20%。該熱收縮率係指所謂MD方向之熱收縮率及所謂TD方向之熱收縮率中之至少一方向之熱收縮率。 亦可對基材11中之黏著劑層12側之表面實施用以提高與黏著劑層12之密接性之物理處理、化學處理或底塗處理。作為物理處理，例如可列舉：電暈處理、電漿處理、噴砂加工處理、臭氧暴露處理、火焰暴露處理、高壓電擊暴露處理、及離子化放射線處理。作為化學處理，例如可列舉鉻酸處理。 就確保基材11作為切晶帶10或切晶黏晶膜X中之支持體發揮功能所需之強度之觀點而言，基材11之厚度較佳為40 μm以上，更佳為50 μm以上，更佳為55 μm以上，更佳為60 μm以上。又，就使切晶帶10或切晶黏晶膜X實現適度之可撓性之觀點而言，基材11之厚度較佳為200 μm以下，更佳為180 μm以下，更佳為150 μm以下。 切晶帶10之黏著劑層12含有黏著劑。黏著劑可為藉由放射線照射或加熱等外部作用而能夠刻意地減弱黏著力之黏著劑(黏著力減弱型黏著劑)，亦可為黏著力幾乎或完全不會因外部作用而減弱之黏著劑(黏著力非減弱型黏著劑)，可根據使用切晶黏晶膜X進行單片化之半導體晶片之單片化方法或條件等適當選擇。於使用黏著力減弱型黏著劑作為黏著劑層12中之黏著劑之情形時，於切晶黏晶膜X之製造過程或使用過程中，可靈活運用黏著劑層12表現出相對較高之黏著力之狀態與表現出相對較低之黏著力之狀態。例如於切晶黏晶膜X之製造過程中於切晶帶10之黏著劑層12貼合黏晶膜20時、或將切晶黏晶膜X用於特定之晶圓切割步驟時，利用黏著劑層12表現出相對較高之黏著力之狀態而能夠抑制、防止黏晶膜20等被黏著體自黏著劑層12之隆起或剝離，另一方面，於其後用以自切晶黏晶膜X之切晶帶10拾取附黏晶膜之半導體晶片之拾取步驟中，藉由減弱黏著劑層12之黏著力後，能夠適當地自黏著劑層12拾取附黏晶膜之半導體晶片。作為此種黏著力減弱型黏著劑，例如可列舉放射線硬化型黏著劑(具有放射線硬化性之黏著劑)或加熱發泡型黏著劑等。於本實施形態之黏著劑層12中，可使用一種黏著力減弱型黏著劑，亦可使用兩種以上之黏著力減弱型黏著劑。又，黏著劑層12整體可由黏著力減弱型黏著劑所形成，黏著劑層12亦可局部由黏著力減弱型黏著劑所形成。例如於黏著劑層12具有單層構造之情形時，黏著劑層12整體可由黏著力減弱型黏著劑所形成，亦可黏著劑層12中之特定部位由黏著力減弱型黏著劑所形成，其他部位由黏著力非減弱型黏著劑所形成。又，於黏著劑層12具有積層構造之情形時，可構成積層構造之全部層均由黏著力減弱型黏著劑所形成，亦可積層構造中之部分層由黏著力減弱型黏著劑所形成。 作為黏著劑層12中之放射線硬化型黏著劑，例如可使用藉由照射電子束、紫外線、α射線、β射線、γ射線或X射線而硬化之類型之黏著劑，可尤佳地使用藉由照射紫外線而硬化之類型之黏著劑(紫外線硬化型黏著劑)。 作為黏著劑層12中之放射線硬化型黏著劑，例如可列舉含有作為丙烯酸系黏著劑之丙烯酸系聚合物等基礎聚合物、與具有放射線聚合性碳-碳雙鍵等官能基之放射線聚合性之單體成分或低聚物成分的添加型之放射線硬化型黏著劑。 上述丙烯酸系聚合物較佳為以最大之質量比率包含源自丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯之單體單元作為主單體單元。以下，將「丙烯酸」及/或「甲基丙烯酸」合併表示為「(甲基)丙烯酸」。 作為用以形成丙烯酸系聚合物之單體單元之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環烷基酯、(甲基)丙烯酸芳基酯等含烴基之(甲基)丙烯酸酯。作為(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸之甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯(即月桂酯)、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、及二十烷基酯。作為(甲基)丙烯酸環烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸之環戊酯及環己酯。作為(甲基)丙烯酸芳基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸苯酯及(甲基)丙烯酸苄酯。關於作為用以形成丙烯酸系聚合物之主單體的(甲基)丙烯酸酯，可使用一種(甲基)丙烯酸酯，亦可使用兩種以上之(甲基)丙烯酸酯。就使黏著劑層12適當表現出源於(甲基)丙烯酸酯之黏著性等基本特性之方面而言，用以形成丙烯酸系聚合物之全部單體成分中之作為主單體之(甲基)丙烯酸酯之比率較佳為40質量%以上，更佳為60質量%以上。 丙烯酸系聚合物為了實現其凝集力或耐熱性等之改質，亦可包含源自能夠與(甲基)丙烯酸酯共聚合之其他單體的單體單元。作為此種單體成分，例如可列舉：含羧基之單體、酸酐單體、含羥基之單體、含縮水甘油基之單體、含磺酸基之單體、含磷酸基之單體、丙烯醯胺、及丙烯腈等含官能基之單體等。作為含羧基之單體，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、及丁烯酸。作為酸酐單體，例如可列舉：順丁烯二酸酐及伊康酸酐。作為含羥基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、及(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯。作為含縮水甘油基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸縮水甘油酯及(甲基)丙烯酸甲基縮水甘油酯。作為含磺酸基之單體，例如可列舉：苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、及(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸。作為含磷酸基之單體，例如可列舉：丙烯醯基磷酸2-羥基乙酯。作為用以形成丙烯酸系聚合物之該其他單體，可使用一種單體，亦可使用兩種以上之單體。就使黏著劑層12適當表現出源於(甲基)丙烯酸酯之黏著性等基本特性之方面而言，用以形成丙烯酸系聚合物之全部單體成分中之該其他單體成分之比率較佳為60質量%以下，更佳為40質量%以下。 丙烯酸系聚合物為了於其聚合物骨架中形成交聯結構，亦可包含源自能夠與作為主單體之(甲基)丙烯酸酯等單體成分共聚合之多官能性單體的單體單元。作為此種多官能性單體，例如可列舉：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯即聚(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、及(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯。作為用以形成丙烯酸系聚合物之多官能性單體，可使用一種多官能性單體，亦可使用兩種以上之多官能性單體。就使黏著劑層12適當表現出源於(甲基)丙烯酸酯之黏著性等基本特性之方面而言，用以形成丙烯酸系聚合物之全部單體成分中之多官能性單體之比率較佳為40質量%以下，更佳為30質量%以下。 丙烯酸系聚合物可由用以形成其之原料單體聚合而獲得。作為聚合方法，例如可列舉：溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、及懸浮聚合。就使用切晶帶10或切晶黏晶膜X之半導體裝置製造方法中之高度之潔淨性之觀點而言，切晶帶10或切晶黏晶膜X中之黏著劑層12中之低分子量物質宜較少，因此，丙烯酸系聚合物之數量平均分子量較佳為10萬以上，更佳為20萬～300萬。 為了提高丙烯酸系聚合物等基礎聚合物之數量平均分子量，黏著劑層12或用以形成其之黏著劑例如可含有外部交聯劑。作為用以與丙烯酸系聚合物等基礎聚合物反應而形成交聯結構之外部交聯劑，可列舉：多異氰酸酯化合物、環氧化合物、多元醇化合物(多酚系化合物等)、氮丙啶化合物、及三聚氰胺系交聯劑。黏著劑層12或用以形成其之黏著劑中之外部交聯劑之含量相對於基礎聚合物100質量份，較佳為5質量份以下，更佳為0.1～5質量份。 作為用以形成放射線硬化型黏著劑之上述放射線聚合性單體成分，例如可列舉：(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、及1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯。作為用以形成放射線硬化型黏著劑之上述放射線聚合性低聚物成分，例如可列舉：胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物，宜為分子量100～30000左右者。放射線硬化型黏著劑中之放射線聚合性之單體成分或低聚物成分之總含量係於能夠適當減弱所形成之黏著劑層12之黏著力之範圍內決定，相對於丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100質量份，例如為5～500質量份，較佳為40～150質量份。又，作為添加型之放射線硬化型黏著劑，例如可使用日本專利特開昭60-196956號公報中所揭示者。 作為黏著劑層12中之放射線硬化型黏著劑，例如亦可列舉含有於聚合物側鏈、或於聚合物主鏈中、聚合物主鏈末端具有放射線聚合性碳-碳雙鍵等官能基之基礎聚合物的內在型之放射線硬化型黏著劑。此種內在型之放射線硬化型黏著劑適於抑制因所形成之黏著劑層12內低分子量成分之移動而非意圖引起之黏著特性之經時變化。 作為內在型之放射線硬化型黏著劑所含有之基礎聚合物，較佳為以丙烯酸系聚合物作為基本骨架者。作為形成此種基本骨架之丙烯酸系聚合物，可採用上述丙烯酸系聚合物。作為於丙烯酸系聚合物中導入放射線聚合性碳-碳雙鍵之方法，例如可列舉如下方法：使包含具有特定官能基(第1官能基)之單體之原料單體共聚合而獲得丙烯酸系聚合物後，於維持碳-碳雙鍵之放射線聚合性之狀態下，使丙烯酸系聚合物和具有能夠與第1官能基之間發生反應而鍵結之特定官能基(第2官能基)及放射線聚合性碳-碳雙鍵之化合物進行縮合反應或加成反應。 作為第1官能基與第2官能基之組合，例如可列舉：羧基與環氧基、環氧基與羧基、羧基與氮丙啶基、氮丙啶基與羧基、羥基與異氰酸基、異氰酸基與羥基。該等組合之中，就易進行反應追蹤之觀點而言，宜為羥基與異氰酸基之組合或異氰酸基與羥基之組合。又，就製作具有反應性較高之異氰酸基之聚合物的技術難度較大，另一方面，丙烯酸系聚合物之易製作性或易獲得性之觀點而言，更宜為丙烯酸系聚合物側之上述第1官能基為羥基且上述第2官能基為異氰酸基之情形。於該情形時，作為同時具有放射線聚合性碳-碳雙鍵與作為第2官能基之異氰酸基之異氰酸酯化合物，例如可列舉：甲基丙烯醯基異氰酸酯、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯、及異氰酸間異丙烯基-α,α-二甲基苄酯。又，作為含第1官能基之丙烯酸系聚合物，宜為包含源自上述含羥基之單體之單體單元者，亦宜為包含源自2-羥基乙基乙烯醚或、4-羥基丁基乙烯醚、二乙二醇單乙烯醚等醚系化合物之單體單元者。 黏著劑層12中之放射線硬化型黏著劑較佳為含有光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，例如可列舉：α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、安息香醚系化合物、縮酮系化合物、芳香族磺醯氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、9-氧硫系化合物、樟腦醌、鹵代酮、醯基膦氧化物、及醯基磷酸酯。作為α-酮醇系化合物，例如可列舉：4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、及1-羥基環己基苯基酮。作為苯乙酮系化合物，例如可列舉：甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、及2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-啉基丙烷-1。作為安息香醚系化合物，例如可列舉：安息香乙醚、安息香異丙醚、及茴香偶姻甲醚。作為縮酮系化合物，例如可列舉：苯偶醯二甲基縮酮。作為芳香族磺醯氯系化合物，例如可列舉：2-萘磺醯氯。作為光活性肟系化合物，例如可列舉：1-苯基-1,2-丙烷二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟。作為二苯甲酮系化合物，例如可列舉：二苯甲酮、苯甲醯苯甲酸、及3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮。作為9-氧硫系化合物，例如可列舉：9-氧硫、2-氯9-氧硫、2-甲基9-氧硫、2,4-二甲基9-氧硫、異丙基9-氧硫、2,4-二氯9-氧硫、2,4-二乙基9-氧硫、及2,4-二異丙基9-氧硫。黏著劑層12中之放射線硬化型黏著劑中之光聚合起始劑之含量相對於丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100質量份例如為0.05～20質量份。 黏著劑層12中之上述加熱發泡型黏著劑係含有藉由加熱而發泡或膨脹之成分(發泡劑、熱膨脹性微小球等)之黏著劑，因此，作為發泡劑，可列舉各種無機系發泡劑及有機系發泡劑，作為熱膨脹性微小球，例如可列舉將藉由加熱而容易氣化膨脹之物質封入殼體內而構成之微小球。作為無機系發泡劑，例如可列舉：碳酸銨、碳酸氫銨、碳酸氫鈉、亞硝酸銨、硼氫化鈉、及疊氮化物類。作為有機系發泡劑，例如可列舉：三氯單氟甲烷或二氯單氟甲烷等氯氟化烷烴，偶氮二異丁腈或偶氮二甲醯胺、偶氮二甲酸鋇等偶氮系化合物，對甲苯磺醯肼或二苯碸-3,3'-二磺醯肼、4,4'-氧基雙(苯磺醯肼)、烯丙基雙(磺醯肼)等肼系化合物，對甲苯磺醯半卡肼或4,4'-氧基雙(苯磺醯半卡肼)等半卡肼系化合物，5-啉基-1,2,3,4-硫雜三唑等三唑系化合物，以及N,N'-二亞硝基五亞甲基四胺或N,N'-二甲基-N,N'-二亞硝基對苯二甲醯胺等N-亞硝基系化合物。作為用以形成如上所述之熱膨脹性微小球的藉由加熱而容易氣化膨脹之物質，例如可列舉：異丁烷、丙烷、及戊烷。利用凝聚法或界面聚合法等將藉由加熱而容易氣化膨脹之物質封入至成殼物質內，藉此可製作熱膨脹性微小球。作為成殼物質，可使用表現出熱熔融性之物質、或能夠於封入物質之熱膨脹作用下破裂之物質。作為此種物質，例如可列舉：偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯、及聚碸。 作為上述黏著力非減弱型黏著劑，例如可列舉：使上文關於黏著力減弱型黏著劑所記述之放射線硬化型黏著劑預先藉由放射線照射而硬化之形態之黏著劑、或感壓型黏著劑等。於本實施形態之黏著劑層12中，可使用一種黏著力非減弱型黏著劑，亦可使用兩種以上之黏著力非減弱型黏著劑。又，黏著劑層12整體可由黏著力非減弱型黏著劑所形成，黏著劑層12亦可局部由黏著力非減弱型黏著劑所形成。例如於黏著劑層12具有單層構造之情形時，黏著劑層12整體可由黏著力非減弱型黏著劑所形成，亦可黏著劑層12中之特定部位由黏著力非減弱型黏著劑所形成，其他部位由黏著力減弱型黏著劑所形成。又，於黏著劑層12具有積層構造之情形時，可構成積層構造之全部層均由黏著力非減弱型黏著劑所形成，亦可積層構造中之部分層由黏著力非減弱型黏著劑所形成。 預先藉由照射放射線使放射線硬化型黏著劑硬化之形態之黏著劑(經放射線照射過之放射線硬化型黏著劑)即便因放射線照射導致黏著力減弱，亦表現出源於所含有之聚合物成分之黏著性，於切晶步驟等中能夠發揮切晶帶黏著劑層所需之最低限度之黏著力。本實施形態中，於使用經放射線照射過之放射線硬化型黏著劑之情形時，於黏著劑層12之面擴展方向上，黏著劑層12整體可由經放射線照射過之放射線硬化型黏著劑所形成，亦可黏著劑層12一部分由經放射線照射過之放射線硬化型黏著劑所形成且其他部分由未經放射線照射之放射線硬化型黏著劑所形成。 黏著劑層12之至少一部分包含經放射線照射過之放射線硬化型黏著劑之切晶黏晶膜X例如可藉由如下過程而製造。首先，於切晶帶10之基材11上形成由放射線硬化型黏著劑構成之黏著劑層(放射線硬化型黏著劑層)。其次，對該放射線硬化型黏著劑層之特定之一部分或整體照射放射線，而形成至少一部分包含經放射線照射過之放射線硬化型黏著劑之黏著劑層。其次，於該黏著劑層上形成作為下述黏晶膜20之接著劑層。其後，藉由對該等黏著劑層與接著劑層進行例如下述一次加工形成方法，同時形成黏著劑層12及黏晶膜20。或者，黏著劑層12之至少一部分包含經放射線照射過之放射線硬化型黏著劑之切晶黏晶膜X亦可藉由如下過程而製造。首先，於切晶帶10之基材11上形成由放射線硬化型黏著劑構成之黏著劑層(放射線硬化型黏著劑層)。其次，於該放射線硬化型黏著劑層上形成作為下述黏晶膜20之接著劑層。其次，對放射線硬化型黏著劑層之特定之一部分或整體照射放射線，而形成至少一部分包含經放射線照射過之放射線硬化型黏著劑之黏著劑層。其後，藉由對該等黏著劑層與接著劑層進行例如下述一次加工形成方法，同時形成黏著劑層12及黏晶膜20。 另一方面，作為黏著劑層12中之感壓型黏著劑，可使用公知或慣用之黏著劑，可較佳地使用以丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物之丙烯酸系黏著劑或橡膠系黏著劑。於黏著劑層12含有丙烯酸系黏著劑作為感壓型黏著劑之情形時，作為該丙烯酸系黏著劑之基礎聚合物的丙烯酸系聚合物較佳為包含源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元作為質量比率最大之主單體單元。作為此種丙烯酸系聚合物，例如可列舉上文關於放射線硬化型黏著劑所記述之丙烯酸系聚合物。 黏著劑層12或用以構成其之黏著劑除含有上述各成分以外，亦可含有交聯促進劑、黏著賦予劑、防老化劑、顏料或染料等著色劑等。著色劑可為受到放射線照射而著色之化合物。作為此種化合物，例如可列舉隱色染料。 切晶黏晶膜X之黏晶膜20具有能夠作為表現出熱硬化性之黏晶用接著劑發揮功能的構成。於本實施形態中，用以構成黏晶膜20之接著劑可具有包含熱硬化性樹脂與例如作為黏合劑成分之熱塑性樹脂的組成，亦可具有包含帶有能夠與硬化劑反應而生成鍵之熱硬化性官能基之熱塑性樹脂的組成。於用以構成黏晶膜20之接著劑具有包含帶有熱硬化性官能基之熱塑性樹脂的組成之情形時，該黏著劑無需包含熱硬化性樹脂(環氧樹脂等)。此種黏晶膜20可具有單層構造，亦可具有多層構造。 於黏晶膜20同時包含熱塑性樹脂與熱硬化性樹脂之情形時，作為該熱硬化性樹脂，例如可列舉：環氧樹脂、酚樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、及熱硬化性聚醯亞胺樹脂。於構成黏晶膜20時，可使用一種熱硬化性樹脂，亦可使用兩種以上之熱硬化性樹脂。作為黏晶膜20所含之熱硬化性樹脂，較佳為環氧樹脂，其原因在於存在可能引起黏晶對象之半導體晶片腐蝕之離子性雜質等之含量較少之傾向。又，作為環氧樹脂之硬化劑，較佳為酚樹脂。 作為環氧樹脂，例如可列舉：雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、茀型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥基苯基甲烷型、四酚基乙烷型、乙內醯脲型、異氰尿酸三縮水甘油酯型、及縮水甘油胺型之環氧樹脂。作為黏晶膜20所含之環氧樹脂，就與作為硬化劑之酚樹脂之反應性充分且耐熱性優異之方面而言，較佳為酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、及四酚基乙烷型環氧樹脂。 關於可發揮作為環氧樹脂硬化劑之作用之酚樹脂，例如可列舉：酚醛清漆型酚樹脂、可溶酚醛型酚樹脂、及聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯。作為酚醛清漆型酚樹脂，例如可列舉：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、及壬基苯酚酚醛清漆樹脂。可發揮作為環氧樹脂硬化劑之作用之酚樹脂可使用一種酚樹脂，亦可使用兩種以上之酚樹脂。苯酚酚醛清漆樹脂或苯酚芳烷基樹脂於用作作為黏晶用接著劑之環氧樹脂之硬化劑之情形時，存在可提高該接著劑之連接可靠性之傾向，因此作為黏晶膜20所含之環氧樹脂之硬化劑較佳。 於黏晶膜20中，就使環氧樹脂與酚樹脂之硬化反應充分進行之觀點而言，以使該酚樹脂中之羥基相對於環氧樹脂成分中之環氧基1當量而較佳成為0.5～2.0當量、更佳成為0.8～1.2當量的量包含酚樹脂。 作為黏晶膜20所含之熱塑性樹脂，例如可列舉：天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6-尼龍或6,6-尼龍等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸系樹脂、PET或PBT等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、及氟樹脂。於構成黏晶膜20時，可使用一種熱塑性樹脂，亦可使用兩種以上之熱塑性樹脂。作為黏晶膜20所含之熱塑性樹脂，較佳為丙烯酸系樹脂，其原因在於離子性雜質較少且耐熱性較高，故容易確保黏晶膜20之接合可靠性。 黏晶膜20所包含之作為熱塑性樹脂之丙烯酸系樹脂較佳為包含源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元作為質量比率最大之主單體單元。作為此種(甲基)丙烯酸酯，可使用例如與上文關於作為黏著劑層12形成用放射線硬化型黏著劑之一成分之丙烯酸系聚合物所記述者相同的(甲基)丙烯酸酯。黏晶膜20所包含之作為熱塑性樹脂之丙烯酸系樹脂亦可包含源自能夠與(甲基)丙烯酸酯共聚合之其他單體的單體單元。作為此種其他單體成分，例如可列舉：含羧基之單體、酸酐單體、含羥基之單體、含縮水甘油基之單體、含磺酸基之單體、含磷酸基之單體、丙烯醯胺、丙烯腈等含官能基之單體、或者各種多官能性單體，具體而言，可使用與上文關於作為黏著劑層12形成用放射線硬化型黏著劑之一成分之丙烯酸系聚合物的作為能夠與(甲基)丙烯酸酯共聚合之其他單體所記述者相同的單體。就使黏晶膜20實現較高之凝集力之觀點而言，黏晶膜20所含之該丙烯酸系樹脂較佳為(甲基)丙烯酸酯(尤其是烷基之碳數為4以下之(甲基)丙烯酸烷基酯)、含羧基之單體、含氮原子之單體、及多官能性單體(尤其是聚縮水甘油基系多官能單體)的共聚物，更佳為丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸、丙烯腈、及聚(甲基)丙烯酸縮水甘油酯之共聚物。 就使黏晶膜20適當表現出作為熱硬化型接著劑之功能之觀點而言，黏晶膜20中之熱硬化性樹脂之含有比率較佳為5～60質量%，更佳為10～50質量%。 於黏晶膜20包含帶有熱硬化性官能基之熱塑性樹脂之情形時，作為該熱塑性樹脂，例如可使用含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂。用以構成該含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂的丙烯酸系樹脂較佳為包含源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元作為質量比率最大之主單體單元。作為此種(甲基)丙烯酸酯，可使用例如與上文關於作為黏著劑層12形成用放射線硬化型黏著劑之一成分之丙烯酸系聚合物所記述者相同的(甲基)丙烯酸酯。另一方面，作為用以構成含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂的熱硬化性官能基，例如可列舉：縮水甘油基、羧基、羥基、及異氰酸基。該等之中，可較佳地使用縮水甘油基及羧基。即，作為含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂，可較佳地使用含縮水甘油基之丙烯酸系樹脂或含羧基之丙烯酸系樹脂。又，作為含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂之硬化劑，可使用例如上文關於有時作為黏著劑層12形成用放射線硬化型黏著劑之一成分之外部交聯劑所記述者。於含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂中之熱硬化性官能基為縮水甘油基之情形時，作為硬化劑，可較佳地使用多酚系化合物，例如可使用上述各種酚樹脂。 對於在以黏晶為目的而進行硬化前之黏晶膜20，為了實現一定程度之交聯度，較佳為例如於黏晶膜形成用樹脂組合物中調配能夠與黏晶膜20所含之上述樹脂之分子鏈末端之官能基等反應並鍵結之多官能性化合物作為交聯劑。此種構成適於提高黏晶膜20於高溫下之接著特性，且適於實現黏晶膜20於耐熱性上之改善。作為此種交聯劑，例如可列舉多異氰酸酯化合物。作為多異氰酸酯化合物，例如可列舉：甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、及多元醇與二異氰酸酯之加成物。關於黏晶膜形成用樹脂組合物中之交聯劑之含量，相對於具有能夠與該交聯劑反應並鍵結之上述官能基之樹脂100質量份，就提高所形成之黏晶膜20之凝集力之觀點而言，較佳為0.05質量份以上，就提高所形成之黏晶膜20之接著力之觀點而言，較佳為7質量份以下。又，作為黏晶膜20中之交聯劑，亦可將環氧樹脂等其他多官能性化合物與多異氰酸酯化合物併用。 黏晶膜20亦可含有填料。藉由對黏晶膜20調配填料，可調整黏晶膜20之導電性、或導熱性、彈性模數等物性。作為填料，可列舉無機填料及有機填料，尤佳為無機填料。作為無機填料，例如可列舉：氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶鬚、氮化硼、結晶質二氧化矽、非晶質二氧化矽，此外亦可列舉鋁、金、銀、銅、鎳等金屬單質、或合金、非晶質碳黑、石墨。填料可具有球狀、針狀、薄片狀等各種形狀。作為黏晶膜20中之填料，可使用一種填料，亦可使用兩種以上之填料。 黏晶膜20含有填料之情形時之該填料之平均粒徑較佳為0.005～10 μm，更佳為0.005～1 μm。該填料之平均粒徑為0.005 μm以上之構成適於實現黏晶膜20對半導體晶圓等被黏著體之較高之潤濕性或接著性。該填料之平均粒徑為10 μm以下之構成適於黏晶膜20享有充分之填料添加效果且適於確保耐熱性。填料之平均粒徑可使用例如光度式粒度分佈計(商品名「LA-910」，堀場製作所股份有限公司製造)而求出。 黏晶膜20視需要亦可含有其他成分。作為該其他成分，例如可列舉：阻燃劑、矽烷偶合劑、及離子捕捉劑。作為阻燃劑，例如可列舉：三氧化銻、五氧化銻、及溴化環氧樹脂。作為矽烷偶合劑，例如可列舉：β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、及γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷。作為離子捕捉劑，例如可列舉：水滑石類、氫氧化鉍、含水氧化銻(例如東亞合成股份有限公司製造之「IXE-300」)、特定結構之磷酸鋯(例如東亞合成股份有限公司製造之「IXE-100」)、矽酸鎂(例如協和化學工業股份有限公司製造之「Kyoword 600」)、及矽酸鋁(例如協和化學工業股份有限公司製造之「Kyoword 700」)。亦可使用能夠與金屬離子之間形成錯合物之化合物作為離子捕捉劑。作為此種化合物，例如可列舉：三唑系化合物、四唑系化合物、及聯吡啶系化合物。該等之中，就與金屬離子之間所形成之錯合物之穩定性之觀點而言，較佳為三唑系化合物。作為此種三唑系化合物，例如可列舉：1,2,3-苯并三唑、1-{N,N-雙(2-乙基己基)胺基甲基}苯并三唑、羧基苯并三唑、2-(2-羥基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二第三丁基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羥基-3-第三丁基-5-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二第三戊基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-5-第三辛基苯基)苯并三唑、6-(2-苯并三唑基)-4-第三辛基-6'-第三丁基-4'-甲基-2,2'-亞甲基雙酚、1-(2,3-二羥基丙基)苯并三唑、1-(1,2-二羧基二乙基)苯并三唑、1-(2-乙基己基胺基甲基)苯并三唑、2,4-二第三戊基-6-{(H-苯并三唑-1-基)甲基}苯酚、2-(2-羥基-5-第三丁基苯基)-2H-苯并三唑、3-[3-第三丁基-4-羥基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸辛酯、3-[3-第三丁基-4-羥基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸2-乙基己酯、2-(2H-苯并三唑-2-基)-6-(1-甲基-1-苯基乙基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-第三丁基苯酚、2-(2-羥基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-5-第三辛基苯基)苯并三唑、2-(3-第三丁基-2-羥基-5-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二第三戊基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二第三丁基苯基)-5-氯-苯并三唑、2-[2-羥基-3,5-二(1,1-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并三唑、2,2'-亞甲基雙[6-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚]、2-[2-羥基-3,5-雙(α,α-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并三唑、及3-[3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-第三丁基-4-羥基苯基]丙酸甲酯。又，亦可使用氫醌(quinol)化合物、或羥基蒽醌化合物、多酚化合物等特定之含羥基之化合物作為離子捕捉劑。作為此種含羥基之化合物，具體而言，可列舉：1,2-苯二酚、茜素、蒽絳酚(anthrarufin)、單寧、沒食子酸、沒食子酸甲酯、連苯三酚等。作為如上所述之其他成分，可使用一種成分，亦可使用兩種以上之成分。 黏晶膜20於溫度23℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件下之剝離試驗中，對SUS平面表現出較佳為0.3～20 N/10 mm、更佳為0.4～18 N/10 mm、更佳為0.5～15 N/10 mm之180°剝離黏著力。切晶黏晶膜X係於黏晶膜20上貼附環狀框，因此，有關黏著力之該構成適於確保切晶黏晶膜X對環狀框之保持。 具有如上構成之切晶黏晶膜X例如可藉由以下方式製造。 對於待加工形成為切晶黏晶膜X之切晶帶10之片體，如圖2(a)所示，可藉由在待加工形成為基材11之基材11'上設置待加工形成為黏著劑層12之黏著劑層12'而製作。樹脂製之基材11'可藉由壓延製膜法、有機溶劑中之流延法、密閉系統中之吹脹擠出法、T型模頭擠出法、共擠出法、乾式層壓法等製膜方法製作。視需要對製膜後之膜或基材11'實施特定之表面處理。於形成黏著劑層12'時，例如製備黏著劑層形成用之黏著劑溶液後，首先，於基材11'上或特定之分隔件上塗佈該黏著劑溶液而形成黏著劑塗膜。作為黏著劑溶液之塗佈方法，例如可列舉：輥式塗佈、網版塗佈、及凹版塗佈。繼而，視需要藉由加熱使該黏著劑塗膜發生交聯反應，又，視需要進行脫溶劑。加熱溫度例如為80～150℃，加熱時間例如為0.5～5分鐘。於在分隔件上形成黏著劑層12'之情形時，將該附帶分隔件之黏著劑層12'貼合於基材11'，其後，將分隔件剝離。藉由如上方式可製作作為待加工形成為切晶帶10之片體的帶10'。 另一方面，如圖2(b)所示，製作待加工形成為黏晶膜20之接著劑膜20'。於製作接著劑膜20'時，製備黏晶膜形成用之接著劑組合物後，首先，於分隔件S上塗佈該接著劑組合物而形成接著劑組合物層。作為分隔件S，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、表面經氟系剝離劑或丙烯酸長鏈烷基酯系剝離劑等剝離劑塗佈之塑膠膜或紙類等。作為接著劑組合物層之塗佈方法，例如可列舉：輥式塗佈、網版塗佈、及凹版塗佈。其次，視需要藉由加熱使該接著劑組合物層發生交聯反應，又，視需要進行脫溶劑。加熱溫度例如為70～160℃，加熱時間例如為1～5分鐘。藉由如上方式可製作附帶分隔件S之接著劑膜20'。 於製造切晶黏晶膜X時，繼而，如圖2(c)所示，將上述帶10'之黏著劑層12'側與接著劑膜20'進行壓接而貼合。藉此，製作具有包含分隔件S、接著劑膜20'、黏著劑層12'、及基材11'之積層構造之積層片體。於本步驟中，貼合溫度例如為30～50℃，較佳為35～45℃。貼合壓力(線壓)例如為0.1～20 kgf/cm，較佳為1～10 kgf/cm。於黏著劑層12為如上所述之放射線硬化型黏著劑層之情形時，於與接著劑膜20'貼合後再對黏著劑層12'照射紫外線等放射線時，自帶10'之例如基材11'之側對黏著劑層12'進行放射線照射，該照射量例如為50～500 mJ/cm2 ，較佳為100～300 mJ/cm2 。 繼而，如圖2(d)所示，對於上述積層片體，實施將加工刀自基材11'之側起插入至分隔件S為止之加工(於圖2(d)中，以粗實線模式性地表示切斷部位)。例如一面使積層片體沿一方向F以一定速度移動，一面使以能夠繞與該方向F正交之軸心旋轉之方式配置且於輥表面安裝有衝壓加工用加工刀之附加工刀之旋轉輥(未圖示)的附加工刀之表面以特定之按壓力抵接於積層片體之基材11'側。藉此，一次加工形成切晶帶10(基材11、黏著劑層12)與黏晶膜20，而於分隔件S上形成切晶黏晶膜X。此後，如圖2(e)所示，自分隔件S上去除切晶黏晶膜X周圍之材料積層部。 藉由如上方式可製造切晶黏晶膜X。切晶黏晶膜X於使用時自該膜剝離分隔件S。 切晶黏晶膜X如上所述，黏晶膜20之外周端20e於膜面內方向D上與切晶帶10之黏著劑層12之外周端1220e相距500 μm以內。於此種構成中，黏著劑層12所具有之黏著面12a實質上經黏晶膜20被覆。此種切晶黏晶膜X於附帶被覆其切晶帶10之基材11之相反側的分隔件之形態、例如圖3所示附帶分隔件S之形態下，黏晶膜20之表面成為與分隔件S之界面或對應於分隔件之貼附面。因此，切晶黏晶膜X於附帶被覆切晶帶10之基材11之相反側的分隔件之形態下，不易產生上文關於先前型切晶黏晶膜Y所記述之黏晶膜端部之應力集中，即，於切晶帶或其黏著劑層發生變形而黏著劑層與其上之黏晶膜於分隔件側成為一平面之形態下因分隔件被覆黏晶膜與黏著劑層所引起之黏晶膜端部之應力集中。因此，切晶黏晶膜X適於防止或抑制黏晶膜20之捲曲。 切晶黏晶膜X如上所述，黏晶膜20之外周端20e於膜面內方向D上與切晶帶10之黏著劑層12之外周端12e相距500 μm以內。藉由此種構成，能夠避免或抑制於在本切晶黏晶膜X之黏晶膜20側貼合分隔件之形態、例如圖3所示附帶分隔件S之形態時出現上文關於先前型切晶黏晶膜Y所記述之形成肩部Ya之情況。因此，於採用在長條狀之分隔件上配置複數片切晶黏晶膜X且將該分隔件捲繞成輥之形態之情形時，上文關於先前型切晶黏晶膜Y所記述之形成捲繞痕跡之情況於切晶黏晶膜X上不易發生。 切晶黏晶膜X如上所述，黏晶膜20之外周端20e於膜面內方向D上與切晶帶10之黏著劑層12之外周端12e相距500 μm以內。此種構成適於如上所述般藉由一衝壓加工等加工而一次地實施用以形成具有基材11與黏著劑層12之積層構造之一切晶帶10之加工、及用以形成一黏晶膜20之加工。具備此種構成之切晶黏晶膜X就減少製造步驟數之觀點或控制製造成本之觀點等而言適於高效率地進行製造。 如上所述，切晶黏晶膜X適於抑制黏晶膜之捲曲，並且不易產生捲繞痕跡，且適於高效率地進行製造。 如上所述，黏晶膜20之外周端20e於膜面內方向D上，與切晶帶10之基材11之外周端11e相距較佳為1000 μm以內、更佳為900 μm以內、更佳為800 μm以內。於切晶黏晶膜X為附帶被覆基材11之相反側的分隔件之形態、例如圖3所示附帶分隔件S之形態時，積層形成有黏著劑層12之基材11之外周端11e與黏著劑層12上之黏晶膜20之外周端20e滿足以上關係的構成有利於避免對應於分隔件之貼附面中包含黏著劑層12之表面之情況，進而，有利於抑制黏晶膜於分隔件剝離時發生捲曲。 如上所述，黏著劑層12之厚度較佳為30 μm以下，更佳為10 μm以下，更佳為5 m以下。並且，如上所述，黏晶膜20之厚度較佳為150 μm以下，更佳為25 μm以下，更佳為10 μm以下。黏著劑層12及黏晶膜20兩者越薄，藉由用以一次地形成該等之加工方法，存在黏著劑層12之外周端12e與黏晶膜20之外周端20e之間於膜面內方向D上之間隔距離越小之傾向，因此，關於黏著劑層12之厚度與黏晶膜20之厚度之該構成適於實現外周端12e、20e間之較小之間隔距離。 如上所述，黏晶膜20之厚度相對於黏著劑層12之厚度之比值較佳為0.1～30，更佳為0.3～10，更佳為1～3。黏晶膜20厚度相對於黏著劑層12厚度之比值越小，藉由用以一次地形成黏著劑層12與黏晶膜20之加工方法，存在黏著劑層12之外周端12e與黏晶膜20之外周端20e之間於膜面內方向D上之間隔距離實際上越小之傾向，因此，關於黏晶膜20之厚度相對於黏著劑層12之厚度之比值之該構成適於實現外周端12e、20e間之較小之間隔距離。 切晶黏晶膜X可以不具有黏晶膜位置對準用標記之形態提供。於如上所述之先前型切晶黏晶膜Y之製造過程中，存在需經過一面將設計尺寸有意不同之切晶帶60或其黏著劑層62與黏晶膜70進行相互間之位置對準一面進行貼合之步驟的情況。所謂黏晶膜位置對準用標記係指此種位置對準所利用之標記，例如分別形成於切晶帶60之黏著劑層62上及黏晶膜70上。於切晶黏晶膜X之製造過程中採用用以一次地形成黏著劑層12與黏晶膜20之加工方法，於此情形時，無需經過一面將兩者進行位置對準一面進行貼合之步驟。 圖4～圖9係表示本發明之一實施形態之半導體裝置製造方法。 於本半導體裝置製造方法中，首先，如圖4(a)及圖4(b)所示，於半導體晶圓W上形成分割槽30a(分割槽形成步驟)。半導體晶圓W具有第1面Wa及第2面Wb。於半導體晶圓W中之第1面Wa側已置入各種半導體元件(未圖示)，且第1面Wa上已形成有該半導體元件所需之配線構造等(未圖示)。於本步驟中，將具有黏著面T1a之晶圓加工用帶T1貼合於半導體晶圓W之第2面Wb側後，於半導體晶圓W保持於晶圓加工用帶T1之狀態下，使用切晶裝置等之旋轉刀片於半導體晶圓W之第1面Wa側形成特定深度之分割槽30a。分割槽30a係用以將半導體晶圓W分離成半導體晶片單元之空隙(於圖4～圖6中，以粗實線模式性地表示分割槽30a)。 繼而，如圖4(c)所示，進行具有黏著面T2a之晶圓加工用帶T2向半導體晶圓W之第1面Wa側之貼合、與晶圓加工用帶T1自半導體晶圓W之剝離。 繼而，如圖4(d)所示，於半導體晶圓W保持於晶圓加工用帶T2之狀態下，藉由對半導體晶圓W自第2面Wb進行研削加工而使之薄化，直至成為特定厚度(晶圓薄化步驟)。研削加工可使用具備研削磨石之研削加工裝置進行。藉由該晶圓薄化步驟，於本實施形態中，形成能夠單片化成複數個半導體晶片31之半導體晶圓30A。半導體晶圓30A具體而言，該晶圓於第2面Wb側具有將待單片化成複數個半導體晶片31之部位加以連結之部位(連結部)。半導體晶圓30A中之連結部之厚度、即半導體晶圓30A之第2面Wb與分割槽30a之第2面Wb側末端之間的距離例如為1～30 μm，較佳為3～20 μm。 繼而，如圖5(a)所示，將經晶圓加工用帶T2保持之半導體晶圓30A貼合於切晶黏晶膜X之黏晶膜20。此後，如圖5(b)所示，自半導體晶圓30A剝離晶圓加工用帶T2。於切晶黏晶膜X中之黏著劑層12為放射線硬化型黏著劑層之情形時，亦可於將半導體晶圓30A貼合於黏晶膜20後再自基材11之側對黏著劑層12照射紫外線等放射線，以此代替切晶黏晶膜X之製造過程中之上述放射線照射。照射量例如為50～500 mJ/cm2 ，較佳為100～300 mJ/cm2 。切晶黏晶膜X中進行作為黏著劑層12之黏著力減弱措施之照射的區域(圖1所示之照射區域R)例如為黏著劑層12中之黏晶膜20貼合區域內除其周緣部以外之區域。 繼而，於切晶黏晶膜X中之黏晶膜20上貼附環狀框41後，如圖6(a)所示，將附帶半導體晶圓30A之該切晶黏晶膜X固定於擴張裝置之保持具42。 繼而，如圖6(b)所示，進行相對低溫之條件下之第1擴張步驟(冷擴張步驟)，而將半導體晶圓30A單片化成複數個半導體晶片31，且將切晶黏晶膜X之黏晶膜20割斷成小片之黏晶膜21，從而獲得附黏晶膜之半導體晶片31。於本步驟中，擴張裝置所具備之中空圓柱形狀之頂起構件43於切晶黏晶膜X之圖中下側抵接於切晶帶10並上升，使貼合有半導體晶圓30A之切晶黏晶膜X之切晶帶10以於包含半導體晶圓30A之徑方向及周方向之二維方向上受到拉伸之方式擴張。該擴張係於使切晶帶10產生較佳為15～32 MPa、更佳為20～32 MPa之範圍內之拉伸應力的條件下進行。冷擴張步驟中之溫度條件例如為0℃以下，較佳為-20～-5℃，更佳為-15～-5℃，更佳為-15℃。冷擴張步驟中之擴張速度(頂起構件43之上升速度)較佳為0.1～100 mm/sec。又，冷擴張步驟中之擴張量較佳為3～16 mm。 於本步驟中，半導體晶圓30A於較薄且易破裂之部位發生割斷而單片化成半導體晶片31。並且，於本步驟中，切晶帶10產生之拉伸應力於與受到擴張之切晶帶10之黏著劑層12密接之黏晶膜20中，發揮於與各半導體晶片31密接之各區域中抑制變形之作用，另一方面，於與半導體晶片31間之分割槽對向之部位，未產生此種變形抑制作用。其結果，黏晶膜20於與半導體晶片31間之分割槽對向之部位發生割斷。於本步驟之後，如圖6(c)所示，使頂起構件43下降而解除切晶帶10之擴張狀態。 繼而，如圖7(a)所示，進行相對高溫之條件下之第2擴張步驟，而將附黏晶膜之半導體晶片31間之距離(間隔距離)擴寬。於本步驟中，擴張裝置所具備之中空圓柱形狀之頂起構件43再次上升，而使切晶黏晶膜X之切晶帶10擴張。第2擴張步驟中之溫度條件例如為10℃以上，較佳為15～30℃。第2擴張步驟中之擴張速度(頂起構件43之上升速度)例如為0.1～10 mm/sec，較佳為0.3～1 mm/sec。又，第2擴張步驟中之擴張量例如為3～16 mm。於本步驟中，將附黏晶膜之半導體晶片31之間隔距離擴寬至在下述拾取步驟中能夠適當地自切晶帶10拾取附黏晶膜之半導體晶片31之程度。於本步驟之後，如圖7(b)所示，使頂起構件43下降而解除切晶帶10之擴張狀態。為了抑制切晶帶10上之附黏晶膜之半導體晶片31之間隔距離於擴張狀態解除後縮小，較佳為於解除擴張狀態前，對切晶帶10中之較半導體晶片31保持區域而言外側之部分進行加熱而使之收縮。 繼而，視需要使用水等清洗液清洗附帶附黏晶膜之半導體晶片31的切晶帶10中之半導體晶片31側，經過該清洗步驟後，如圖8所示，自切晶帶10拾取附黏晶膜之半導體晶片31(拾取步驟)。例如於切晶帶10之圖中下側，使拾取機構之銷構件44上升而隔著切晶帶10將拾取對象之附黏晶膜之半導體晶片31頂起後，利用吸附治具45進行吸附保持。於拾取步驟中，銷構件44之頂起速度例如為1～100 mm/sec，銷構件44之頂起量例如為50～3000 μm。 繼而，如圖9(a)所示，將所拾取之附黏晶膜之半導體晶片31經由黏晶膜21而暫時固定於特定之被黏著體51。作為被黏著體51，例如可列舉：引線框架、TAB(Tape Automated Bonding，捲帶式自動接合)膜、配線基板、及另外製作之半導體晶片。黏晶膜21於暫時固定時在25℃下對被黏著體51之剪切接著力較佳為0.2 MPa以上，更佳為0.2～10 MPa。黏晶膜21之該剪切接著力為0.2 MPa以上之構成適於抑制在下述打線接合步驟中因超音波振動或加熱導致黏晶膜21與半導體晶片31或與被黏著體51之接著面處產生剪切變形之情況，而可適當地進行打線接合。又，黏晶膜21於暫時固定時在175℃下對被黏著體51之剪切接著力較佳為0.01 MPa以上，更佳為0.01～5 MPa。 繼而，如圖9(b)所示，將半導體晶片31之電極墊(未圖示)與被黏著體51所具有之端子部(未圖示)經由接合線52而電性連接(打線接合步驟)。半導體晶片31之電極墊或被黏著體51之端子部與接合線52之接線係藉由伴隨加熱之超音波焊接而實現，且以不會使黏晶膜21熱硬化之方式進行。作為接合線52，例如可使用金線、鋁線、或銅線。打線接合時之線加熱溫度例如為80～250℃，較佳為80～220℃。又，其加熱時間為數秒～數分鐘。 繼而，如圖9(c)所示，藉由用以保護被黏著體51上之半導體晶片31或接合線52之密封樹脂53而將半導體晶片31加以密封(密封步驟)。於本步驟中，黏晶膜21進行熱硬化。於本步驟中，例如藉由使用模具進行之轉注成形技術形成密封樹脂53。作為密封樹脂53之構成材料，例如可使用環氧系樹脂。於本步驟中，用以形成密封樹脂53之加熱溫度例如為165～185℃，加熱時間例如為60秒～數分鐘。於本步驟(密封步驟)中密封樹脂53未充分硬化之情形時，於本步驟之後進行用以使密封樹脂53完全硬化之後硬化步驟。於密封步驟中黏晶膜21未完全熱硬化之情形時，亦可於後硬化步驟中使黏晶膜21與密封樹脂53一起實現完全之熱硬化。於後硬化步驟中，加熱溫度例如為165～185℃，加熱時間例如為0.5～8小時。 藉由如上方式可製造半導體裝置。 於本實施形態中，如上所述，將附黏晶膜之半導體晶片31暫時固定於被黏著體51後，進行打線接合步驟而暫不使黏晶膜21完全熱硬化。於本發明中，亦可代替此種構成，於將附黏晶膜之半導體晶片31暫時固定於被黏著體51後，先使黏晶膜21熱硬化再進行打線接合步驟。 於本發明之半導體裝置製造方法中，亦可進行圖10所示之晶圓薄化步驟代替參照圖4(d)之上述晶圓薄化步驟。參照圖4(c)經過上述過程後，於圖10所示之晶圓薄化步驟中，於半導體晶圓W保持於晶圓加工用帶T2之狀態下，藉由對該晶圓自第2面Wb進行研削加工而使之薄化，直至成為特定厚度，而形成包含複數個半導體晶片31且經晶圓加工用帶T2保持之半導體晶圓分割體30B。於本步驟中，可採用如下方法：研削晶圓直至分割槽30a其本身於第2面Wb側露出(第1方法)；亦可採用如下方法：自第2面Wb側研削晶圓直至即將到達分割槽30a，其後，藉由自旋轉磨石向晶圓之按壓力之作用使分割槽30a與第2面Wb之間產生裂痕而形成半導體晶圓分割體30B(第2方法)。根據所採用之方法，適當決定參照圖4(a)及圖4(b)如上所述般所形成之分割槽30a距離第1面Wa之深度。於圖10中，以粗實線模式性地表示經第1方法處理後之分割槽30a、或經第2方法處理後之分割槽30a及與其相連之裂痕。於本發明中，可使用藉由如上方式製作之半導體晶圓分割體30B代替半導體晶圓30A，將其貼合於切晶黏晶膜X後，參照圖5～圖9而進行上述各步驟。 圖11(a)及圖11(b)係表示於切晶黏晶膜X貼合半導體晶圓分割體30B後進行之第1擴張步驟(冷擴張步驟)。於本步驟中，擴張裝置所具備之中空圓柱形狀之頂起構件43於切晶黏晶膜X之圖中下側抵接於切晶帶10並上升，使貼合有半導體晶圓分割體30B之切晶黏晶膜X之切晶帶10以於包含半導體晶圓分割體30B之徑方向及周方向之二維方向上受到拉伸之方式擴張。該擴張係於使切晶帶10產生例如1～100 MPa、較佳為5～40 MPa之範圍內之拉伸應力的條件下進行。本步驟中之溫度條件例如為0℃以下，較佳為-20～-5℃，更佳為-15～-5℃，更佳為-15℃。本步驟中之擴張速度(頂起構件43之上升速度)較佳為1～500 mm/sec。又，本步驟中之擴張量較佳為50～200 mm。藉由此冷擴張步驟，切晶黏晶膜X之黏晶膜20割斷成小片之黏晶膜21而獲得附黏晶膜之半導體晶片31。具體而言，於本步驟中，切晶帶10產生之拉伸應力於與受到擴張之切晶帶10之黏著劑層12密接之黏晶膜20中，發揮於與半導體晶圓分割體30B之各半導體晶片31密接之各區域中抑制變形之作用，另一方面，於與半導體晶片31間之分割槽30a對向之部位，未產生此種變形抑制作用。其結果，黏晶膜20於與半導體晶片31間之分割槽30a對向之部位發生割斷。 於本發明之半導體裝置製造方法中，亦可將藉由如下方式製作之半導體晶圓30C貼合於切晶黏晶膜X，以代替將半導體晶圓30A或半導體晶圓分割體30B貼合於切晶黏晶膜X之上述構成。 如圖12(a)及圖12(b)所示，首先，於半導體晶圓W形成改質區域30b。半導體晶圓W具有第1面Wa及第2面Wb。於半導體晶圓W中之第1面Wa側已置入各種半導體元件(未圖示)，且第1面Wa上已形成有該半導體元件所需之配線構造等(未圖示)。於本步驟中，將具有黏著面T3a之晶圓加工用帶T3貼合於半導體晶圓W之第1面Wa側後，於半導體晶圓W保持於晶圓加工用帶T3之狀態下，自晶圓加工用帶T3之相反側對半導體晶圓W沿其分割預定線向晶圓內部照射由聚光點聚集而成之雷射光，藉由利用多光子吸收之剝蝕而於半導體晶圓W內形成改質區域30b。改質區域30b係用以將半導體晶圓W分離成半導體晶片單元之脆弱化區域。關於藉由對半導體晶圓照射雷射光而於分割預定線上形成改質區域30b之方法，例如於日本專利特開2002-192370號公報中有詳細記述，本實施形態中之雷射光照射條件例如於以下條件範圍內適當調整。 ＜雷射光照射條件＞ (A)雷射光 雷射光源：半導體雷射激發Nd：YAG雷射 波長：1064 nm 雷射光點截面面積：3.14×10-8 cm2 振盪形態：Q開關脈衝 反覆頻率：100 kHz以下 脈衝寬度：1 μs以下 輸出：1 mJ以下 雷射光品質：TEM00 偏光特性：直線偏光 (B)聚光用透鏡 倍率：100倍以下 NA(numerical aperture，數值孔徑)：0.55 對雷射光波長之透過率：100%以下 (C)供載置半導體基板之載置台之移動速度：280 mm/sec以下 繼而，如圖12(c)所示，於半導體晶圓W保持於晶圓加工用帶T3之狀態下，藉由對半導體晶圓W自第2面Wb進行研削加工而使之薄化，直至成為特定厚度，藉此形成能夠單片化成複數個半導體晶片31之半導體晶圓30C(晶圓薄化步驟)。於本發明中，可使用藉由如上方式製作之半導體晶圓30C代替半導體晶圓30A，將其貼合於切晶黏晶膜X後，參照圖5～圖9而進行上述各步驟。 圖13(a)及圖13(b)係表示於切晶黏晶膜X貼合半導體晶圓30C後進行之第1擴張步驟(冷擴張步驟)。於本步驟中，擴張裝置所具備之中空圓柱形狀之頂起構件43於切晶黏晶膜X之圖中下側抵接於切晶帶10並上升，使貼合有半導體晶圓30C之切晶黏晶膜X之切晶帶10以於包含半導體晶圓30C之徑方向及周方向之二維方向上受到拉伸之方式擴張。該擴張係於使切晶帶10產生例如1～100 MPa、較佳為5～40 MPa之範圍內之拉伸應力的條件下進行。本步驟中之溫度條件例如為0℃以下，較佳為-20～-5℃，更佳為-15～-5℃，更佳為-15℃。本步驟中之擴張速度(頂起構件43之上升速度)較佳為1～500 mm/sec。又，本步驟中之擴張量較佳為50～200 mm。藉由此冷擴張步驟，切晶黏晶膜X之黏晶膜20割斷成小片之黏晶膜21而獲得附黏晶膜之半導體晶片31。具體而言，於本步驟中，使半導體晶圓30C於脆弱之改質區域30b形成裂痕而單片化成半導體晶片31。並且，於本步驟中，切晶帶10產生之拉伸應力於與受到擴張之切晶帶10之黏著劑層12密接之黏晶膜20中，發揮於與半導體晶圓30C之各半導體晶片31密接之各區域中抑制變形之作用，另一方面，於與晶圓之裂痕形成部位對向之部位，未產生此種變形抑制作用。其結果，黏晶膜20於與半導體晶片31間之裂痕形成部位對向之部位發生割斷。 又，於本發明中，切晶黏晶膜X如上所述可用於獲得附黏晶膜之半導體晶片，亦可用於獲得積層複數個半導體晶片進行三維安裝之情形時之附黏晶膜之半導體晶片。於此種三維安裝中之半導體晶片31間，可一併介存黏晶膜21與間隔件，亦可不介存間隔件。 [實施例] [實施例1～4] ＜切晶帶之製作＞ 於具備冷卻管、氮氣導入管、溫度計、及攪拌裝置之反應容器內，將包含丙烯酸十二烷基酯100莫耳份、丙烯酸2-羥基乙酯(2HEA)20莫耳份、相對於該等單體成分100質量份為0.2質量份之作為聚合起始劑之過氧化苯甲醯、作為聚合溶劑之甲苯的混合物於氮氣環境中於60℃下攪拌10小時(聚合反應)。藉此，獲得含有丙烯酸系聚合物P1 之聚合物溶液。該聚合物溶液中之丙烯酸系聚合物P1 之重量平均分子量(Mw)為45萬。繼而，將包含該含有丙烯酸系聚合物P1 之聚合物溶液、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(MOI)、及作為加成反應觸媒之二月桂酸二丁基錫的混合物於空氣環境中於室溫下攪拌48小時(加成反應)。於該反應溶液中，MOI之調配量相對於上述丙烯酸十二烷基酯100莫耳份為20莫耳份，該MOI調配量相對於丙烯酸系聚合物P1 中之源自2HEA之單元或其羥基總量的莫耳比率為1。又，於該反應溶液中，二月桂酸二丁基錫之調配量相對於丙烯酸系聚合物P1 100質量份為0.03質量份。藉由該加成反應，獲得含有側鏈具有甲基丙烯酸酯基之丙烯酸系聚合物P2 之聚合物溶液。繼而，於該聚合物溶液中添加相對於丙烯酸系聚合物P2 100質量份為1質量份之多異氰酸酯化合物(商品名「Coronate L」，Tosoh股份有限公司製造)、及2質量份之光聚合起始劑(商品名「Irgacure 127」，BASF公司製造)，加以混合，並對該混合物添加甲苯進行稀釋，以使該混合物於室溫下之黏度成為500 mPa・s，而獲得黏著劑溶液。繼而，於具有經聚矽氧脫模處理之面之PET分隔件(厚度38 μm)之聚矽氧脫模處理面上，使用敷料器塗佈黏著劑溶液而形成塗膜，對該塗膜於130℃下進行2分鐘之加熱乾燥，而於PET分隔件上形成厚度10 μm之黏著劑層。繼而，使用貼合機，於室溫下於該黏著劑層之露出面貼合乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)製基材(商品名「RB-0104」，厚度130 μm，倉敷紡織股份有限公司製造)。藉由如上方式製作切晶帶。 ＜黏晶膜之製作＞ 於甲基乙基酮中添加丙烯酸系樹脂(丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯腈、及甲基丙烯酸縮水甘油酯之共聚物，重量平均分子量為120萬，玻璃轉移溫度為0℃，環氧值為0.4 eq/kg)54質量份、固態酚樹脂(商品名「MEHC-7851SS」，23℃下固態，明和化成股份有限公司製造)4.5質量份、液態酚樹脂(商品名「MEH-8000H」，23℃下液狀，明和化成股份有限公司製造)1.5質量份、及二氧化矽填料(商品名「SO-C2」，平均粒徑為0.5 μm，Admatechs股份有限公司製造)40質量份，加以混合，調整濃度以使室溫下之黏度成為700 mPa・s，而獲得接著劑組合物。繼而，於具有經聚矽氧脫模處理之面之PET分隔件(厚度38 μm)之聚矽氧脫模處理面上，使用敷料器塗佈接著劑組合物而形成塗膜，對該塗膜於130℃下進行2分鐘之加熱乾燥，而於PET分隔件上製作厚度10 μm之黏晶膜(DAF)。 ＜切晶黏晶膜之製作＞ 自上述切晶帶剝離PET分隔件後，使用貼合機，將切晶帶中露出之黏著劑層與附帶分隔件之上述黏晶膜於室溫下貼合，而獲得積層片體。繼而，對該積層片體，進行將加工刀自切晶帶之EVA基材側插入至分隔件為止之衝壓加工。具體而言，一面使積層片體沿一方向以10 m/min之速度移動，一面使以能夠繞與該方向正交之軸心旋轉之方式配置且於輥表面捲繞有圓形衝壓加工用湯姆生刀之附加工刀之旋轉輥的附加工刀之表面以特定之按壓力抵接於積層片體之EVA基材側而進行衝壓加工。該衝壓加工所使用之旋轉輥之圓周長度即周長為378.9 mm。又，捲繞於旋轉輥表面之湯姆生刀為SUS製，配置於輥表面以能夠衝壓加工直徑370 mm之圓，刀之高度為0.3 mm，刀尖所成之刃角為50°。藉由此種衝壓加工，一次加工形成切晶帶與黏晶膜，而於分隔件上形成切晶黏晶膜。此後，自分隔件上去除所形成之切晶黏晶膜之周圍之材料積層部。對切晶帶中之黏著劑層自基材側照射紫外線。於照射紫外線時，使用高壓水銀燈，累計照射光量設為350 mJ/cm2 。藉由如上方式製作具有包含切晶帶與黏晶膜(DAF)之積層構造之實施例1～4之各切晶黏晶膜。 [比較例1] 分別衝壓加工切晶帶與黏晶膜後，將兩者貼合，除此以外，藉由與實施例1～4之各切晶黏晶膜相同之方式製作比較例1之切晶黏晶膜。於比較例1中，切晶帶係於附帶分隔件之狀態下衝壓加工成直徑370 mm，黏晶膜係於附帶分隔件之狀態下衝壓加工成直徑330 mm。於貼合之同時以使切晶帶之中心與黏晶膜之中心成為一致之方式進行位置對準。 ＜黏著力測定＞ 針對實施例1～4及比較例1之各切晶黏晶膜中之黏晶膜，藉由如下方式測定黏著力。首先，自切晶帶剝離黏晶膜，於該黏晶膜之貼附於切晶帶之側之面貼合襯底膠帶(商品名「BT-315」，日東電工股份有限公司製造)，由該襯底膜切出試驗片(寬度10 mm×長度100 mm)。繼而，將試驗片貼合於作為被黏著體之SUS板，藉由2 kg輥往返1次之壓接作業而將試驗片與被黏著體進行壓接。然後，於室溫下放置30分鐘後，拉使用伸試驗機(商品名「Autograph AGS-J」，島津製作所股份有限公司製造)，測定黏晶膜試驗片對SUS板之180°剝離黏著力。於本測定中，測定溫度或剝離溫度設為23℃，拉伸角度設為180°，拉伸速度設為300 mm/min。採用拉伸試驗中將最初之10 mm部分顯示出之剝離力除外之剝離力之平均值作為180°剝離黏著力(N/10 mm)。將該測定結果示於表1。 ＜外周端間隔距離＞ 使用掃描式電子顯微鏡或光學顯微鏡觀察實施例1～4之各切晶黏晶膜之端部，測定圖14中所模式性地表示之間隔距離d1、d2。切晶黏晶膜中作為觀察對象之端部係上述切晶黏晶膜製造過程之衝壓加工步驟中之MD方向(積層片材之移動方向)之前方端部。間隔距離d1係切晶帶10之黏著劑層12之外周端12e與黏晶膜20之外周端20e於膜面內方向D上之距離。間隔距離d2係切晶帶10之基材11之外周端11e與黏晶膜20之外周端20e於膜面內方向D上之距離。將該測定結果示於表1。 ＜黏晶膜之捲曲試驗＞ 針對實施例1～4及比較例1之各個附分隔件之切晶黏晶膜，分別使用晶圓安裝裝置(MA-3000III，日東精機股份有限公司製造)貼合於特定之晶圓(直徑12英吋)，確認於此過程中於分隔件剝離時黏晶膜是否捲曲。晶圓之貼合係於貼合速度5 mm/sec、溫度60℃、及壓力0.15 MPa之條件下進行。分別對實施例1～4及比較例1之附分隔件之切晶黏晶膜各10片進行該捲曲試驗。將10片切晶黏晶膜中黏晶膜無一發生捲曲之情形評價為良(〇)，將1片以上之切晶黏晶膜中黏晶膜發生捲曲但該捲曲未達晶圓貼附用區域(黏晶膜中之較自外周端向內15 mm為止之外側區域靠內之區域)之情形評價為可(△)，將1片以上之切晶黏晶膜中黏晶膜發生捲曲且該捲曲到達晶圓貼附用區域之情形評價為不良(×)。將該評價結果示於表1。 [表1]
10‧‧‧切晶帶
10'‧‧‧帶
11‧‧‧基材
11'‧‧‧基材
11e‧‧‧外周端
12‧‧‧黏著劑層
12'‧‧‧黏著劑層
12a‧‧‧黏著面
12e‧‧‧外周端
20‧‧‧黏晶膜
20'‧‧‧接著劑膜
20e‧‧‧外周端
21‧‧‧黏晶膜
30a‧‧‧分割槽
30b‧‧‧改質區域
30A‧‧‧半導體晶圓
30B‧‧‧半導體晶圓分割體
30C‧‧‧半導體晶圓
31‧‧‧半導體晶片
41‧‧‧環狀框
42‧‧‧保持具
43‧‧‧頂起構件
44‧‧‧銷構件
45‧‧‧吸附治具
51‧‧‧被黏著體
52‧‧‧接合線
53‧‧‧密封樹脂
60‧‧‧切晶帶
61‧‧‧基材
62‧‧‧黏著劑層
62e‧‧‧外周端
70‧‧‧黏晶膜
70e‧‧‧外周端
81‧‧‧半導體晶圓
82‧‧‧環狀框
83‧‧‧分隔件
D‧‧‧面內方向
d1‧‧‧間隔距離
d2‧‧‧間隔距離
F‧‧‧移動方向
R‧‧‧照射區域
S‧‧‧分隔件
T1‧‧‧晶圓加工用帶
T1a‧‧‧黏著面
T2‧‧‧晶圓加工用帶
T2a‧‧‧黏著面
T3‧‧‧晶圓加工用帶
T3a‧‧‧黏著面
W‧‧‧ 半導體晶圓
Wa‧‧‧第1面
Wb‧‧‧第2面
X‧‧‧ 切晶黏晶膜
Y‧‧‧ 切晶黏晶膜
Ya‧‧‧肩部
圖1係本發明之一實施形態之切晶黏晶膜之剖面模式圖。 圖2(a)～(e)係表示圖1所示之切晶黏晶膜之製造方法之一例。 圖3係表示圖1所示之切晶黏晶膜於附帶分隔件之情形時之一例。 圖4(a)～(d)係表示使用圖1所示之切晶黏晶膜之半導體裝置製造方法中之部分步驟。 圖5(a)、(b)係表示圖4所示之步驟之後續步驟。 圖6(a)～(c)係表示圖5所示之步驟之後續步驟。 圖7(a)、(b)係表示圖6所示之步驟之後續步驟。 圖8係表示圖7所示之步驟之後續步驟。 圖9(a)～(c)係表示圖8所示之步驟之後續步驟。 圖10係表示使用圖1所示之切晶黏晶膜之半導體裝置製造方法之變化例中之部分步驟。 圖11(a)、(b)係表示使用圖1所示之切晶黏晶膜之半導體裝置製造方法之變化例中之部分步驟。 圖12(a)～(c)係表示使用圖1所示之切晶黏晶膜之半導體裝置製造方法之變化例中之部分步驟。 圖13(a)、(b)係表示使用圖1所示之切晶黏晶膜之半導體裝置製造方法之變化例中之部分步驟。 圖14係實施例1～4之切晶黏晶膜中之外周端間隔距離之測定中之觀察部位之放大剖面模式圖。 圖15係先前之切晶黏晶膜之剖面模式圖。 圖16係表示圖15所示之切晶黏晶膜之使用態樣。 圖17係表示圖15所示之切晶黏晶膜之一供給形態。

Claims (10)

  1. 一種切晶黏晶膜，其具備切晶帶與黏晶膜， 該切晶帶具有包含基材與黏著劑層之積層構造，該黏晶膜可剝離地密接於上述切晶帶中之上述黏著劑層；且 上述黏晶膜之外周端於膜面內方向上與上述黏著劑層之外周端相距500 μm以內。
  2. 如請求項1之切晶黏晶膜，其中上述黏晶膜之外周端於膜面內方向上與上述基材之外周端相距1000 μm以內。
  3. 如請求項1之切晶黏晶膜，其中上述黏晶膜於溫度23℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/min之條件下之剝離試驗中，對SUS平面表現出0.3～20 N/10 mm之180°剝離黏著力。
  4. 如請求項1之切晶黏晶膜，其中上述黏著劑層之厚度為30 μm以下，且上述黏晶膜之厚度為150 μm以下。
  5. 如請求項3之切晶黏晶膜，其中上述黏著劑層之厚度為30 μm以下，且上述黏晶膜之厚度為150 μm以下。
  6. 如請求項1之切晶黏晶膜，其中上述黏晶膜之厚度相對於上述黏著劑層之厚度之比值為0.1～30。
  7. 如請求項4之切晶黏晶膜，其中上述黏晶膜之厚度相對於上述黏著劑層之厚度之比值為0.1～30。
  8. 如請求項5之切晶黏晶膜，其中上述黏晶膜之厚度相對於上述黏著劑層之厚度之比值為0.1～30。
  9. 如請求項1之切晶黏晶膜，其具有直徑處於345～380 mm之範圍內或245～280 mm之範圍內之圓盤形狀。
  10. 如請求項1至9中任一項之切晶黏晶膜，其不具有黏晶膜位置對準用標記。
TW107112988A 2017-04-17 2018-04-17 切晶黏晶膜 TW201842120A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-081118 2017-04-17
JP2017081118A JP6966214B2 (ja) 2017-04-17 2017-04-17 ダイシングダイボンドフィルム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201842120A true TW201842120A (zh) 2018-12-01

Family

ID=63938926

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107112988A TW201842120A (zh) 2017-04-17 2018-04-17 切晶黏晶膜

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6966214B2 (zh)
KR (1) KR20180116752A (zh)
CN (1) CN108735649A (zh)
TW (1) TW201842120A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI813824B (zh) * 2018-12-06 2023-09-01 日商迪思科股份有限公司 晶圓的加工方法
TWI815998B (zh) * 2018-12-06 2023-09-21 日商迪思科股份有限公司 晶圓的加工方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009094127A (ja) * 2007-10-04 2009-04-30 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウエハ加工用フィルム
JP5036887B1 (ja) * 2011-03-11 2012-09-26 日東電工株式会社 保護フィルム付きダイシングフィルム
JP5934586B2 (ja) * 2011-11-25 2016-06-15 日東電工株式会社 粘着テープ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI813824B (zh) * 2018-12-06 2023-09-01 日商迪思科股份有限公司 晶圓的加工方法
TWI815998B (zh) * 2018-12-06 2023-09-21 日商迪思科股份有限公司 晶圓的加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN108735649A (zh) 2018-11-02
JP6966214B2 (ja) 2021-11-10
JP2018182113A (ja) 2018-11-15
KR20180116752A (ko) 2018-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI769242B (zh) 切晶黏晶膜
TWI789409B (zh) 黏晶膜、切晶黏晶膜及半導體裝置製造方法
TWI660436B (zh) 切晶膜、切晶黏晶膜及半導體裝置之製造方法
TW201906133A (zh) 切晶黏晶膜
TWI780172B (zh) 切晶帶、切晶黏晶膜、及半導體裝置製造方法
TW201843270A (zh) 切晶黏晶膜
TWI814821B (zh) 切晶黏晶膜及半導體裝置製造方法
TW201900797A (zh) 切晶黏晶膜
TW201905995A (zh) 切晶帶一體型接著性片材
TWI786145B (zh) 切晶帶及切晶黏晶膜
TW201907470A (zh) 切晶帶、切晶黏晶膜、及半導體裝置之製造方法
TW201932558A (zh) 接著膜及附有切晶帶之接著膜
TW202013534A (zh) 切晶黏晶膜
TWI766005B (zh) 切晶黏晶膜
TW202035605A (zh) 接著膜、附有切晶帶之接著膜、及半導體裝置製造方法
TWI814905B (zh) 切晶黏晶膜
TWI817969B (zh) 切晶黏晶膜
TW201842120A (zh) 切晶黏晶膜
TW202100690A (zh) 切晶黏晶膜
CN108728000B (zh) 切割芯片接合薄膜
JP7224231B2 (ja) ダイシングダイボンドフィルム
TW202039612A (zh) 切晶黏晶膜
TWI811452B (zh) 切晶黏晶膜
CN108735650B (zh) 切割芯片接合薄膜
TWI850371B (zh) 切晶黏晶膜