CN108735649A - 切割芯片接合薄膜 - Google Patents

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Abstract

本发明提供适合于抑制芯片接合薄膜的卷曲、不易产生卷痕、并且适合于高效地制造的切割芯片接合薄膜。本发明的切割芯片接合薄膜(X)具备切割带(10)及芯片接合薄膜(20)。切割带(10)具有包含基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构。芯片接合薄膜(20)与切割带(10)的粘合剂层(12)可剥离地密合。芯片接合薄膜(20)的外周端(20e)在薄膜面内方向(D)位于距粘合剂层(12)的外周端(12e)500μm以内的距离处。

Description

切割芯片接合薄膜
技术领域
本发明涉及半导体装置的制造过程中能使用的切割芯片接合薄膜。
背景技术
在半导体装置的制造过程中，为了得到带有芯片接合用的尺寸与芯片相当的粘接薄膜的半导体芯片、即带有芯片接合薄膜的半导体芯片，有时使用切割芯片接合薄膜。切割芯片接合薄膜具有与作为加工对象的半导体晶圆对应的尺寸，例如具有：包含基材及粘合剂层的切割带；和可剥离地密合在其粘合剂层侧的芯片接合薄膜。
作为使用切割芯片接合薄膜得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片的方法之一，已知经由用于对切割芯片接合薄膜中的切割带进行扩展而将芯片接合薄膜割断的工序的方法。该方法中，首先，在切割芯片接合薄膜的芯片接合薄膜上贴合半导体晶圆。该半导体晶圆例如以之后与芯片接合薄膜一同被割断而能够单片化为多个半导体芯片的方式进行了加工。接着，为了以由切割带上的芯片接合薄膜产生分别密合在半导体芯片上的多个粘接薄膜小片的方式将该芯片接合薄膜割断，使切割芯片接合薄膜的切割带扩展。在该扩展工序中，在相当于芯片接合薄膜中的割断位置的位置处，芯片接合薄膜上的半导体晶圆也发生割断，在切割芯片接合薄膜和/或切割带上，半导体晶圆单片化为多个半导体芯片。接着，在经过例如清洗工序之后，从切割带的下侧通过拾取机构的针状构件与和其密合的尺寸与芯片相当的芯片接合薄膜一同顶起各半导体芯片，然后，从切割带上拾取半导体芯片。如上操作，得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片。该带有芯片接合薄膜的半导体芯片借助其芯片接合薄膜通过芯片接合固定在安装基板等被粘物上。对于例如如以上来使用的切割芯片接合薄膜的相关技术，记载于例如下述专利文献1～3中。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-2173号公报
专利文献2：日本特开2010-177401号公报
专利文献3：日本特开2012-23161号公报
发明内容
发明要解决的问题
图15以剖面示意图来表示现有的切割芯片接合薄膜Y。切割芯片接合薄膜Y包含切割带60及芯片接合薄膜70。切割带60具有基材61和发挥粘合力的粘合剂层62的层叠结构。芯片接合薄膜70依靠粘合剂层62的粘合力与粘合剂层62密合。这样的切割芯片接合薄膜Y具有尺寸与作为半导体装置的制造过程中的加工对象和/或工件的半导体晶圆对应的圆盘形状，可以用于半导体晶圆的切割工序、上述扩展工序。具体而言，例如如图16所示，在半导体晶圆81贴合于芯片接合薄膜70且环形框82贴附于粘合剂层62的状态下实施对半导体晶圆81的切割工序、上述扩展工序。
环形框82是在贴附于切割芯片接合薄膜Y的状态下、切割装置具备的输送臂等输送机构输送工件时机械性地抵接的构件。现有的切割芯片接合薄膜Y以这样的环形框82依靠切割带60的粘合剂层62的粘合力而能够固定于该薄膜的方式设计。即，现有的切割芯片接合薄膜Y具有在切割带60的粘合剂层62中在芯片接合薄膜70的周围确保了环形框固定区域的设计。在这样的设计中，粘合剂层62的外周端62e与芯片接合薄膜70的外周端70e之间的距离为10～30mm左右。
切割芯片接合薄膜有时以带有隔离体的形态提供。图17表示上述切割芯片接合薄膜Y带有隔离体83的情况。隔离体83用于被覆切割带60的粘合剂层62和芯片接合薄膜70。从切割芯片接合薄膜Y将隔离体83剥离而使粘合剂层表面和芯片接合薄膜表面露出之后，使用切割芯片接合薄膜Y。但是，在隔离体83自现有的切割芯片接合薄膜Y的剥离中，有时与处于剥离过程中的隔离体83一同，芯片接合薄膜70自切割带60局部剥离，即芯片接合薄膜70产生卷曲。如图15及图16所示，在薄膜面内方向的尺寸不同的切割带60的粘合剂层62与芯片接合薄膜70产生高低差，如图17所示，隔离体83以消除该高低差的形态、即切割带60和/或粘合剂层62变形而粘合剂层62与芯片接合薄膜70在隔离体83侧形成同一面的形态覆盖切割芯片接合薄膜Y的单面侧。在基于隔离体83的这样的被覆状态下，应力容易集中在芯片接合薄膜70的周缘端的隔离体侧部分与隔离体83之间，在该应力集中位置处容易局部发生强的贴合。认为因此，在从切割芯片接合薄膜Y将隔离体83剥离的过程中，与所述隔离体83一同，芯片接合薄膜70容易从切割带60局部剥离而容易发生卷曲。
多个切割芯片接合薄膜有时也以包含其的卷的形态提供。具体而言，有时隔离体83为长条状并在其上配置有多个切割芯片接合薄膜Y、并且该隔离体83卷绕而形成卷的形态。但是，隔离体83上的现有的切割芯片接合薄膜Y其自身具有高低差和/或肩部Ya，因此，为卷的形态时，由于自该肩部Ya向其它切割芯片接合薄膜Y的芯片接合薄膜70作用的挤压，有时在该芯片接合薄膜70上形成卷痕。
另一方面，在现有的切割芯片接合薄膜Y的制造过程中，需要用于形成规定尺寸及形状的切割带60的加工工序(第1加工工序)、和用于形成规定尺寸及形状的芯片接合薄膜70的加工工序(第2加工工序)作为彼此独立的工序。第1加工工序中，例如，对于具有规定的隔离体、会形成为基材61的基材层、和位于它们之间的会形成为粘合剂层62的粘合剂层的层叠结构的层叠片体，实施使加工刀从基材层侧进入至到达隔离体为止的加工。由此，隔离体上的具有粘合剂层62和基材61的层叠结构的切割带60形成在隔离体上。第2加工工序中，例如，对于具有规定的隔离体、和会形成为芯片接合薄膜70的材料层的层叠结构的层叠片体，实施使加工刀从材料层侧进入至到达隔离体为止的加工。由此，在隔离体上形成芯片接合薄膜70。之后将像这样通过彼此独立的工序形成的切割带60和芯片接合薄膜70位置对准并贴合。
本发明是鉴于以上的情况而做出的发明，其目的在于，提供一种适合于抑制芯片接合薄膜的卷曲、并且不易产生卷痕且适合于高效地制造的切割芯片接合薄膜。
用于解决问题的方案
由本发明提供的切割芯片接合薄膜具备切割带及芯片接合薄膜。切割带具有包含基材和粘合剂层的层叠结构。芯片接合薄膜与切割带中的粘合剂层可剥离地密合。芯片接合薄膜的外周端在薄膜面内方向位于距粘合剂层的外周端500μm以内、优选400μm以内、更优选300μm以内的距离处。即，芯片接合薄膜的外周端整周在薄膜面内方向位于粘合剂层中最接近的外周端的内侧500μm～外侧500μm之间、更优选内侧400μm～外侧400μm之间、进一步优选内侧300μm～外侧300μm之间。
本发明的切割芯片接合薄膜如上所述，芯片接合薄膜的外周端在薄膜面内方向位于距切割带的粘合剂层的外周端500μm以内的距离处。这样的构成中，粘合剂层具有的粘合面实质上被芯片接合薄膜被覆。对于这样的切割芯片接合薄膜，在带有被覆其切割带的与基材相反的一侧的隔离体的形态下，芯片接合薄膜表面成为与隔离体的界面和/或对隔离体的贴合面。因此，本切割芯片接合薄膜在带有被覆与切割带基材相反的一侧的隔离体的形态下不易产生在现有的切割芯片接合薄膜Y中记载的芯片接合薄膜端部的应力集中，即，不易产生在切割带和/或其粘合剂层发生变形而粘合剂层与其上的芯片接合薄膜在隔离体侧成为同一面的形态下由于隔离体被覆芯片接合薄膜与粘合剂层而引起的芯片接合薄膜端部的应力集中。因此，本切割芯片接合薄膜适合于抑制芯片接合薄膜的卷曲。
本发明的切割芯片接合薄膜如上所述，芯片接合薄膜的外周端在薄膜面内方向位于距切割带的粘合剂层的外周端500μm以内的距离处。利用这样的构成，能够在本切割芯片接合薄膜的芯片接合薄膜侧贴合有隔离体的形态下避免或抑制在现有的切割芯片接合薄膜Y中记载的肩部的形成。因此，在长条状的隔离体上配置多个切割芯片接合薄膜并且该隔离体卷绕而形成卷的形态下，利用本切割芯片接合薄膜，不易形成在现有的切割芯片接合薄膜Y中记载的卷痕。
本发明的切割芯片接合薄膜如上所述，芯片接合薄膜的外周端在薄膜面内方向位于距切割带的粘合剂层的外周端500μm以内的距离处。这样的构成适合于通过一次冲裁加工等加工一次性实施用于形成具有基材和粘合剂层的层叠结构的一个切割带的加工和用于形成一个芯片接合薄膜的加工。具备这样的构成的本切割芯片接合薄膜从削减制造工序数的观点、抑制制造成本的观点等出发适合于高效地制造。
如上所述，本发明提供的切割芯片接合薄膜适合于抑制芯片接合薄膜的卷曲，不易产生卷痕，并且适合于高效地制造。
芯片接合薄膜的外周端在薄膜面内方向位于距切割带的基材的外周端优选1000μm以内、更优选900μm以内、进一步优选800μm以内的距离处。即，芯片接合薄膜的外周端整周在薄膜面内方向位于切割带基材的外周端的内侧1000μm～外侧1000μm之间、更优选内侧900μm～外侧900μm之间、进一步优选内侧800μm～外侧800μm之间。关于层叠形成有粘合剂层的切割带基材的外周端与粘合剂层上的芯片接合薄膜的外周端的关系的这样的构成在本切割芯片接合薄膜带有被覆与切割带基材相反的一侧的隔离体的形态下有助于避免粘合剂层表面被包含于对隔离体的贴合面，进而，有助于抑制隔离体剥离时的上述芯片接合薄膜的卷曲。
芯片接合薄膜在温度23℃、剥离角度180°及拉伸速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中对SUS平面显示出优选0.3～20N/10mm、更优选0.4～18N/10mm、进一步优选0.5～15N/10mm的180°剥离粘合力。本切割芯片接合薄膜中，环形框贴附于芯片接合薄膜时，关于粘合力的该构成在确保基于本切割芯片接合薄膜的环形框的保持方面是适宜的。
粘合剂层的厚度优选30μm以下、更优选为10μm以下、进一步优选为5μm以下。并且，芯片接合薄膜的厚度优选为150μm以下、更优选为25μm以下、进一步优选为10μm以下。粘合剂层及芯片接合薄膜均越薄时，根据用于一次性形成它们的加工方法，有薄膜面内方向的粘合剂层外周端与芯片接合薄膜外周端之间的间隔距离越小的倾向，关于粘合剂层厚度和芯片接合薄膜厚度的该构成在实现两外周端间小的间隔距离方面是适宜的。
芯片接合薄膜的厚度相对于粘合剂层的厚度的比值优选为0.1～30、更优选为0.3～10、进一步优选为1～3。芯片接合薄膜厚度相对于粘合剂层厚度的比值越小，根据用于一次性形成粘合剂层和芯片接合薄膜的加工方法，有薄膜面内方向的粘合剂层外周端与芯片接合薄膜外周端之间的间隔距离实际上越小的倾向，关于芯片接合薄膜厚度相对于粘合剂层厚度的比值的该构成在实现两外周端间小的间隔距离方面是适宜的。
本切割芯片接合薄膜优选具有直径在345～380mm的范围内的圆盘形状(12英寸晶圆对应型)、在245～280mm的范围内的圆盘形状(8英寸晶圆对应型)、在495～530mm的范围内的圆盘形状(18英寸晶圆对应型)、或在195～230mm的范围内的圆盘形状(6英寸晶圆对应型)。这样的构成对于在这些尺寸的晶圆的加工工艺中使用本切割芯片接合薄膜而言是适宜的。
本切割芯片接合薄膜可以以不具有所谓的芯片接合薄膜位置对准用标记的形态提供。在现有的切割芯片接合薄膜的制造过程中，有时需要经历如下的工序：将设计尺寸显著不同的切割带和/或其粘合剂层与芯片接合薄膜进行相互间的位置对准并贴合的工序。芯片接合薄膜位置对准用标记是指这样的位置对准中利用的标记，例如分别形成于切割带的各粘合剂层及芯片接合薄膜中。在本切割芯片接合薄膜的制造过程中采用用于一次性形成粘合剂层和芯片接合薄膜的加工方法时，不需要将两者位置对准并贴合的工序。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式的切割芯片接合薄膜的剖面示意图。
图2表示图1所示的切割芯片接合薄膜的制造方法的一例。
图3表示图1所示的切割芯片接合薄膜带有隔离体的情况的一例。
图4表示使用图1所示的切割芯片接合薄膜的半导体装置制造方法中的一部分工序。
图5表示图4所示的工序的后续工序。
图6表示图5所示的工序的后续工序。
图7表示图6所示的工序的后续工序。
图8表示图7所示的工序的后续工序。
图9表示图8所示的工序的后续工序。
图10表示使用图1所示的切割芯片接合薄膜的半导体装置制造方法的变形例中的一部分工序。
图11表示使用图1所示的切割芯片接合薄膜的半导体装置制造方法的变形例中的一部分工序。
图12表示使用图1所示的切割芯片接合薄膜的半导体装置制造方法的变形例中的一部分工序。
图13表示使用图1所示的切割芯片接合薄膜的半导体装置制造方法的变形例中的一部分工序。
图14是实施例1～4的切割芯片接合薄膜中的外周端间隔距离的测定中的观察位置的放大剖面示意图。
图15是现有的切割芯片接合薄膜的剖面示意图。
图16表示图15所示的切割芯片接合薄膜的使用方式。
图17表示图15所示的切割芯片接合薄膜的一个供给形态。
附图标记说明
X 切割芯片接合薄膜
10 切割带
11 基材
11e 外周端
12 粘合剂层
12e 外周端
20，21 芯片接合薄膜
20e 外周端
W，30A，30C 半导体晶圆
30B 半导体晶圆分割体
30a 分割槽
30b 改性区域
31 半导体芯片
具体实施方式
图1是本发明的一个实施方式的切割芯片接合薄膜X的剖面示意图。切割芯片接合薄膜X具有包含切割带10和芯片接合薄膜20的层叠结构。切割带10具有包含基材11和粘合剂层12的层叠结构。粘合剂层12在芯片接合薄膜20侧具有粘合面12a。芯片接合薄膜20与切割带10的粘合剂层12和/或其粘合面12a可剥离地密合。切割芯片接合薄膜X可以用于在半导体装置的制造中得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片的过程中的例如后述的扩展工序。此外，切割芯片接合薄膜X具有尺寸与半导体装置的制造过程中的加工对象的半导体晶圆对应的圆盘形状，其直径在例如345～380mm的范围内(12英寸晶圆对应型)、245～280mm的范围内(8英寸晶圆对应型)、495～530mm的范围内(18英寸晶圆对应型)、或195～230mm的范围内(6英寸晶圆对应型)。
切割芯片接合薄膜X中的芯片接合薄膜20的外周端20e整周在薄膜面内方向D位于距粘合剂层12的外周端12e 500μm以内、优选400μm以内、更优选300μm以内的距离处。即，芯片接合薄膜20的外周端20e整周在薄膜面内方向D位于粘合剂层12的外周端12e的内侧500μm～外侧500μm之间、更优选内侧400μm～外侧400μm之间、进一步优选内侧300μm～外侧300μm之间。此外，芯片接合薄膜20的外周端20e整周在薄膜面内方向D位于距切割带10的基材11的外周端11e优选1000μm以内、更优选900μm以内、进一步优选800μm以内的距离处。即，芯片接合薄膜20的外周端20e整周在薄膜面内方向D位于基材11的外周端11e的内侧1000μm～外侧1000μm之间、更优选内侧900μm～外侧900μm之间、进一步优选内侧800μm～外侧800μm之间。
粘合剂层12的厚度优选为30μm以下、更优选为10μm以下、进一步优选为5μm以下。粘合剂层12的厚度为例如1μm以上。并且，芯片接合薄膜20的厚度优选为150μm以下、更优选为25μm以下、进一步优选为10μm以下。芯片接合薄膜20的厚度为例如1μm以上。此外，芯片接合薄膜20的厚度相对于粘合剂层12的厚度的比值优选为0.1～30、更优选为0.3～10、进一步优选为1～3。
切割带10的基材11是在切割带10和/或切割芯片接合薄膜X中作为支撑体起作用的组件。基材11可以适宜使用例如塑料基材(特别是塑料薄膜)。作为该塑料基材的构成材料，例如可以列举出：聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚烯烃、聚酯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚苯硫醚、芳族聚酰胺、氟树脂、纤维素系树脂、及有机硅树脂。作为聚烯烃，例如可以列举出：低密度聚乙烯、直链状低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、及乙烯-己烯共聚物。作为聚酯，例如可以列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯、及聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)。基材11可以由一种材料形成，也可以由二种以上材料形成。基材11可以具有单层结构，也可以具有多层结构。基材11上的粘合剂层12如后所述为紫外线固化型时，基材11优选具有紫外线透过性。此外，基材11由塑料薄膜形成时，可以为未拉伸薄膜，也可以为单轴拉伸薄膜，还可以为双轴拉伸薄膜。
在切割芯片接合薄膜X的使用时，通过例如局部加热使切割带10和/或基材11收缩的情况下，基材11优选具有热收缩性。此外，基材11由塑料薄膜形成的情况下，对于切割带10和/或基材11，在实现各向同性的热收缩性的方面，基材11优选为双轴拉伸薄膜。切割带10和/或基材11在加热温度100℃及加热处理时间60秒的条件下进行的加热处理试验中的热收缩率优选为2～30％、更优选为2～25％、进一步优选为3～20％、进一步优选为5～20％。该热收缩率是指所谓的MD方向的热收缩率及所谓的TD方向的热收缩率中的至少一者。
基材11的粘合剂层12侧的表面可以实施过用于提高与粘合剂层12的密合性的物理处理、化学处理、或底涂处理。作为物理处理，例如可以列举出：电晕处理、等离子体处理、喷砂加工处理、臭氧暴露处理、火焰暴露处理、高压电击暴露处理、及电离辐射线处理。作为化学处理，例如可以列举出铬酸处理。
基材11的厚度从确保基材11作为切割带10和/或切割芯片接合薄膜X的支撑体发挥作用的强度的观点出发，优选为40μm以上、更优选为50μm以上、进一步优选为55μm以上、进一步优选为60μm以上。此外，从切割带10和/或切割芯片接合薄膜X实现适度的挠性的观点出发，基材11的厚度优选为200μm以下、更优选为180μm以下、进一步优选为150μm以下。
切割带10的粘合剂层12含有粘合剂。粘合剂可以为能够通过辐射线照射、加热等来自外部的作用有意地使粘合力降低的粘合剂(粘合力降低型粘合剂)，也可以为粘合力几乎或完全不因来自外部的作用而降低的粘合剂(粘合力非降低型粘合剂)，可以根据使用切割芯片接合薄膜X进行单片化的半导体芯片的单片化的方法、条件等适宜选择。
作为粘合剂层12中的粘合剂，使用粘合力降低型粘合剂时，在切割芯片接合薄膜X的制造过程、使用过程中，可以分开使用粘合剂层12显示相对高的粘合力的状态和显示相对低的粘合力的状态。例如，在切割芯片接合薄膜X的制造过程中在切割带10的粘合剂层12上贴合芯片接合薄膜20时、在切割芯片接合薄膜X用于规定的晶圆切割工序时，能够利用粘合剂层12显示相对高的粘合力的状态来抑制·防止芯片接合薄膜20等被粘物自粘合剂层12的浮起、剥离，另一方面，在之后用于从切割芯片接合薄膜X的切割带10拾取带有芯片接合薄膜的半导体芯片的拾取工序中，能使粘合剂层12的粘合力降低，能够从粘合剂层12适宜地拾取带有芯片接合薄膜的半导体芯片。
作为这样的粘合力降低型粘合剂，例如可以列举出辐射线固化型粘合剂(具有辐射线固化性的粘合剂)、加热发泡型粘合剂等。本实施方式的粘合剂层12中，可以使用一种粘合力降低型粘合剂，也可以使用二种以上粘合力降低型粘合剂。此外，可以是粘合剂层12整体由粘合力降低型粘合剂形成，也可以是粘合剂层12的一部分由粘合力降低型粘合剂形成。例如，粘合剂层12具有单层结构时，可以是粘合剂层12整体由粘合力降低型粘合剂形成，也可以是粘合剂层12中的规定部位由粘合力降低型粘合剂形成，其它部位由粘合力非降低型粘合剂形成。此外，粘合剂层12具有层叠结构时，可以是形成层叠结构的全部层由粘合力降低型粘合剂形成，也可以是层叠结构中的一部分层由粘合力降低型粘合剂形成。
作为粘合剂层12中的辐射线固化型粘合剂，例如可以使用通过电子射线、紫外线、α射线、β射线、γ射线、或X射线的照射而固化的类型的粘合剂，可以特别适宜地使用通过紫外线照射而固化的类型的粘合剂(紫外线固化型粘合剂)。
作为粘合剂层12中的辐射线固化型粘合剂，例如可以列举出添加型辐射线固化型粘合剂，其含有：作为丙烯酸类粘合剂的丙烯酸类聚合物等基础聚合物；和具有辐射线聚合性的碳-碳双键等官能团的辐射线聚合性的单体成分、低聚物成分。
上述丙烯酸类聚合物优选包含来源于丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯的单体单元作为质量比例最多的主要单体单元。以下，用“(甲基)丙烯酸”表示”丙烯酸”和/或“甲基丙烯酸”。
作为用于形成丙烯酸类聚合物的单体单元的(甲基)丙烯酸酯，例如可以列举出：(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯、(甲基)丙烯酸芳基酯等含烃基(甲基)丙烯酸酯。作为(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可以列举出：(甲基)丙烯酸的甲基酯、乙基酯、丙基酯、异丙基酯、丁基酯、异丁基酯、仲丁基酯、叔丁基酯、戊基酯、异戊基酯、己基酯、庚基酯、辛基酯、2-乙基己基酯、异辛基酯、壬基酯、癸基酯、异癸基酯、十一烷基酯、十二烷基酯(即月桂基酯)、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、及二十烷基酯。作为(甲基)丙烯酸环烷基酯，例如可以列举出(甲基)丙烯酸的环戊基酯及环己基酯。作为(甲基)丙烯酸芳基酯，例如可以列举出(甲基)丙烯酸苯基酯及(甲基)丙烯酸苄基酯。对于作为用于丙烯酸类聚合物的主要单体的(甲基)丙烯酸酯，可以为一种(甲基)丙烯酸酯，也可以为二种以上(甲基)丙烯酸酯。在使粘合剂层12适宜地表现出依赖于(甲基)丙烯酸酯的粘合性等基本特性方面，用于形成丙烯酸类聚合物的全部单体成分中作为主要单体的(甲基)丙烯酸酯的比例优选为40质量％以上、更优选为60质量％以上。
丙烯酸类聚合物为了改性其内聚力、耐热性等，还可以包含来源于能与(甲基)丙烯酸酯共聚的其它单体的单体单元。作为这样的单体成分，例如可以列举出：含羧基单体、酸酐单体、含羟基单体、含缩水甘油基单体、含磺酸基单体、含磷酸基单体、丙烯酰胺、及丙烯腈等含官能团单体等。作为含羧基单体，例如可以列举出：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、及巴豆酸。作为酸酐单体，例如可以列举出马来酸酐及衣康酸酐。作为含羟基单体，例如可以列举出：(甲基)丙烯酸2-羟基乙基酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙基酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己基酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛基酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸基酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂基酯、及(甲基)丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯。作为含缩水甘油基单体，例如可以列举出(甲基)丙烯酸缩水甘油酯及(甲基)丙烯酸甲基缩水甘油酯。作为含磺酸基单体，例如可以列举出：苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、磺丙基(甲基)丙烯酸酯、及(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸。作为含磷酸基单体，例如可以列举出2-羟乙基丙烯酰基磷酸酯。作为用于丙烯酸类聚合物的该其它单体，可以使用一种单体、也可以使用二种以上单体。在使粘合剂层12适当地表现出依赖于(甲基)丙烯酸酯的粘合性等基本特性方面，用于形成丙烯酸类聚合物的全部单体成分中该其它单体成分的比例优选为60质量％以下、更优选为40质量％以下。
丙烯酸类聚合物为了在其聚合物骨架中形成交联结构，可以包含来源于能与作为主要单体的(甲基)丙烯酸酯等单体成分共聚的多官能性单体的单体单元。作为这样的多官能性单体，例如可以列举出：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯即聚缩水甘油基(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、及氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。作为用于丙烯酸类聚合物的多官能性单体，可以使用一种多官能性单体，也可以使用二种以上多官能性单体。用于形成丙烯酸类聚合物的全部单体成分中的多官能性单体的比例在使粘合剂层12适宜地表现出依赖于(甲基)丙烯酸酯的粘合性等基本特性的方面，优选为40质量％以下、更优选为30质量％以下。
丙烯酸类聚合物可以将用于形成其的原料单体聚合而得到。作为聚合方法，例如可以列举出：溶液聚合、乳液聚合、本体聚合、及悬浮聚合。从使用切割带10和/或切割芯片接合薄膜X的半导体装置制造方法的高度清洁性的观点出发，优选切割带10和/或切割芯片接合薄膜X的粘合剂层12中的低分子量物质较少，丙烯酸类聚合物的数均分子量优选为10万以上、更优选为20万～300万。
粘合剂层12和/或用于形成其的粘合剂为了提高丙烯酸类聚合物等基础聚合物的数均分子量，例如可以含有外部交联剂。作为用于与丙烯酸类聚合物等基础聚合物反应而形成交联结构的外部交联剂，可以列举出：多异氰酸酯化合物、环氧化合物、多元醇化合物(多元酚系化合物等)、氮丙啶化合物、及三聚氰胺系交联剂。粘合剂层12和/或用于形成其的粘合剂中的外部交联剂的含量相对于基础聚合物100质量份优选为5质量份以下、更优选为0.1～5质量份。
作为用于形成辐射线固化型粘合剂的上述辐射线聚合性单体成分，例如可以列举出：氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、及1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯。作为用于形成辐射线固化型粘合剂的上述辐射线聚合性低聚物成分，例如可以列举出氨基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各种低聚物，分子量100～30000左右的物质是适合的。辐射线固化型粘合剂中的辐射线聚合性的单体成分、低聚物成分的总含量在能使所形成的粘合剂层12的粘合力适当降低的范围内来决定，相对于丙烯酸类聚合物等基础聚合物100质量份，例如为5～500质量份，优选为40～150质量份。此外，作为添加型的辐射线固化型粘合剂，例如可以使用日本特开昭60-196956号公报中公开的物质。
作为粘合剂层12中的辐射线固化型粘合剂，例如还可以列举出：包含在聚合物侧链、聚合物主链中、聚合物主链末端具有辐射线聚合性的碳-碳双键等官能团的基础聚合物的内在型辐射线固化型粘合剂。这样的内在型辐射线固化型粘合剂在抑制所形成的粘合剂层12内的由低分子量成分移动引起的粘合特性的不希望发生的经时变化方面是适宜的。
作为内在型辐射线固化型粘合剂中所含的基础聚合物，优选将丙烯酸类聚合物作为基本骨架。作为形成这样的基本骨架的丙烯酸类聚合物，可以采用上述丙烯酸类聚合物。作为向丙烯酸类聚合物导入辐射线聚合性碳-碳双键的方法，例如可以列举出如下的方法：使包含具有规定的官能团(第1官能团)的单体的原料单体共聚而得到丙烯酸类聚合物后，使具有能与第1官能团之间发生反应而键合的规定的官能团(第2官能团)和辐射线聚合性碳-碳双键的化合物在维持碳-碳双键的辐射线聚合性的状态下与丙烯酸类聚合物进行缩合反应或加成反应。
作为第1官能团与第2官能团的组合，例如可以列举出：羧基与环氧基、环氧基与羧基、羧基与氮丙啶基、氮丙啶基与羧基、羟基与异氰酸酯基、异氰酸酯基与羟基。这些组合中，从反应追踪的容易程度的观点出发，羟基与异氰酸酯基的组合、异氰酸酯基与羟基的组合是适宜的。此外，制作具有反应性高的异氰酸酯基的聚合物的技术难度高，从丙烯酸类聚合物的制作或获得的容易程度的观点出发，丙烯酸类聚合物侧的上述第1官能团为羟基且上述第2官能团为异氰酸酯基的情况是更适宜的。该情况下，作为同时具有辐射线聚合性碳-碳双键和成为第2官能团的异氰酸酯基的异氰酸酯化合物，例如可以列举出：甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、及间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯。此外，作为带有第1官能团的丙烯酸类聚合物，包含来源于上述含羟基单体的单体单元的物质是适宜的，包含来源于2-羟乙基乙烯基醚、4-羟基丁基乙烯基醚、二乙二醇单乙烯基醚等醚系化合物的单体单元的物质也是适宜的。
粘合剂层12中的辐射线固化型粘合剂优选含有光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，例如可以列举出：α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、苯偶姻醚系化合物、缩酮系化合物、芳香族磺酰氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、噻吨酮系化合物、樟脑醌、卤代酮、酰基氧化膦、及酰基膦酸酯。作为α-酮醇系化合物，例如可以列举出：4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮、及1-羟基环己基苯基酮。作为苯乙酮系化合物，例如可以列举出：甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、及2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-吗啉代丙烷-1。作为苯偶姻醚系化合物，例如可以列举出：苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚、及茴香偶姻甲基醚。作为缩酮系化合物，例如可以列举出苯偶酰二甲基缩酮。作为芳香族磺酰氯系化合物，例如可以列举出2-萘磺酰氯。作为光活性肟系化合物，例如可以列举出：1-苯基-1,2-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟。作为二苯甲酮系化合物，例如可以列举出：二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸、及3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮。作为噻吨酮系化合物，例如可以列举出：噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、及2,4-二异丙基噻吨酮。粘合剂层12的辐射线固化型粘合剂中的光聚合引发剂的含量相对于丙烯酸类聚合物等基础聚合物100质量份，为例如0.05～20质量份。
粘合剂层12中的上述加热发泡型粘合剂为含有通过加热而发泡、膨胀的成分(发泡剂、热膨胀性微球等)的粘合剂时，作为发泡剂，可以列举出各种无机系发泡剂及有机系发泡剂，作为热膨胀性微球，例如可以列举出在壳内封入通过加热而容易气化膨胀的物质而成的构成的微球。作为无机系发泡剂，例如可以列举出：碳酸铵、碳酸氢铵、碳酸氢钠、亚硝酸铵、硼氢化钠、及叠氮化物类。作为有机系发泡剂，例如可以列举出：三氯一氟甲烷、二氯一氟甲烷等氯氟代烷烃、偶氮双异丁腈、偶氮二甲酰胺、偶氮二甲酸钡等偶氮系化合物、对甲苯磺酰肼、二苯基砜-3,3'-二磺酰肼、4,4'-氧代双(苯磺酰肼)、烯丙基双(磺酰肼)等肼系化合物、对甲苯磺酰氨基脲、4,4'-氧代双(苯磺酰基氨基脲)等氨基脲系化合物、5-吗啉基-1,2,3,4-噻三唑等三唑系化合物、以及N,N'-二亚硝基五亚甲基四胺、N,N'-二甲基-N,N'-二亚硝基对苯二甲酰胺等N-亚硝基系化合物。作为用于形成上述的热膨胀性微球的、通过加热容易气化膨胀的物质，例如可以列举出异丁烷、丙烷、及戊烷。通过利用凝聚法、界面聚合法等将通过加热容易气化膨胀的物质封入壳形成物质内，能够制作热膨胀性微球。作为壳形成物质，可以使用显示出热熔融性的物质、通过封入物质的热膨胀的作用能够破裂的物质。作为这样的物质，例如可以列举出偏氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏氯乙烯、及聚砜。
作为上述粘合力非降低型粘合剂，例如可以列举出：预先通过辐射线照射使在粘合力降低型粘合剂中记载的辐射线固化型粘合剂固化的形态的粘合剂、压敏型粘合剂等。本实施方式的粘合剂层12中，可以使用一种粘合力非降低型粘合剂、也可以使用二种以上粘合力非降低型粘合剂。此外，也可以是粘合剂层12整体由粘合力非降低型粘合剂形成，还可以是粘合剂层12的一部分由粘合力非降低型粘合剂形成。例如，粘合剂层12具有单层结构时，可以是粘合剂层12整体由粘合力非降低型粘合剂形成，也可以是粘合剂层12中的规定部位由粘合力非降低型粘合剂形成、其它部位由粘合力降低型粘合剂形成。此外，粘合剂层12具有层叠结构时，可以是形成层叠结构的全部层由粘合力非降低型粘合剂形成、也可以是层叠结构中的一部分层由粘合力非降低型粘合剂形成。
预先通过辐射线照射使辐射线固化型粘合剂固化的形态的粘合剂(辐射线照射过的辐射线固化型粘合剂)即使粘合力通过辐射线照射而降低，也显示出起因于所含的聚合物成分的粘合性，在切割工序等中能发挥切割带粘合剂层所需的最低限的粘合力。本实施方式中，使用辐射线照射过的辐射线固化型粘合剂时，在粘合剂层12的面扩展方向，可以是粘合剂层12整体由辐射线照射过的辐射线固化型粘合剂形成，也可以是粘合剂层12的一部分由辐射线照射过的辐射线固化型粘合剂形成且其它部分由辐射线未照射的辐射线固化型粘合剂形成。
在粘合剂层12的至少一部分包含辐射线照射过的辐射线固化型粘合剂的切割芯片接合薄膜X例如可以经由如下的过程来制造。首先，在切割带10的基材11上形成由辐射线固化型粘合剂得到的粘合剂层(辐射线固化型粘合剂层)。然后，对该辐射线固化型粘合剂层的规定的一部分或整体照射辐射线，形成至少一部分包含辐射线照射过的辐射线固化型粘合剂的粘合剂层。接着，在该粘合剂层上形成成为后述的芯片接合薄膜20的粘接剂层。之后，通过对这些粘合剂层和粘接剂层的例如后述的一次性加工形成方法，同时形成粘合剂层12及芯片接合薄膜20。在粘合剂层12的至少一部分包含辐射线照射过的辐射线固化型粘合剂的切割芯片接合薄膜X或者也可以经由如下的过程来制造。首先，在切割带10的基材11上形成由辐射线固化型粘合剂得到的粘合剂层(辐射线固化型粘合剂层)。然后，在该辐射线固化型粘合剂层上形成成为后述的芯片接合薄膜20的粘接剂层。接着，对辐射线固化型粘合剂层的规定的一部分或整体照射辐射线，形成在至少一部分包含辐射线照射过的辐射线固化型粘合剂的粘合剂层。其后，通过对这些粘合剂层和粘接剂层的例如后述的一次性加工形成方法，同时形成粘合剂层12及芯片接合薄膜20。
另一方面，作为粘合剂层12中的压敏型粘合剂，可以使用公知以及惯用的粘合剂，可以适宜使用以丙烯酸类聚合物作为基础聚合物的丙烯酸类粘合剂、橡胶系粘合剂。粘合剂层12含有丙烯酸类粘合剂作为压敏型粘合剂时，作为该丙烯酸类粘合剂的基础聚合物的丙烯酸类聚合物优选包含来源于(甲基)丙烯酸酯的单体单元作为质量比例最多的主要单体单元。作为这样的丙烯酸类聚合物，例如可以列举出在辐射线固化型粘合剂中记载的丙烯酸类聚合物。
粘合剂层12和/或用于形成其的粘合剂中，在上述各成分的基础上，还可以含有交联促进剂、增粘剂、防老剂、颜料、染料等着色剂等。着色剂可以为受到辐射线照射而着色的化合物。作为这样的化合物，例如可以列举出隐色染料。
切割芯片接合薄膜X的芯片接合薄膜20具有能作为芯片接合用的显示热固化性的粘接剂起作用的构成。本实施方式中，用于形成芯片接合薄膜20的粘接剂可以具有包含热固化性树脂和作为例如粘结剂成分的热塑性树脂的组成，也可以具有包含带有能与固化剂反应而发生键合的热固化性官能团的热塑性树脂的组成。用于形成芯片接合薄膜20的粘接剂具有包含带有热固化性官能团的热塑性树脂的组成时，该粘合剂不必包含热固化性树脂(环氧树脂等)。这样的芯片接合薄膜20可以具有单层结构、也可以具有多层结构。
芯片接合薄膜20包含热固化性树脂和热塑性树脂时，作为该热固化性树脂，例如可以列举出环氧树脂、酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂、及热固化性聚酰亚胺树脂。在形成芯片接合薄膜20时，可以使用一种热固化性树脂，也可以使用二种以上热固化性树脂。出于具有可能会导致芯片接合对象的半导体芯片腐蚀的离子性杂质等的含量少的倾向的理由，作为芯片接合薄膜20中所含的热固化性树脂，优选环氧树脂。此外，作为环氧树脂的固化剂，优选酚醛树脂。
作为环氧树脂，例如可以列举出：双酚A型、双酚F型、双酚S型、溴化双酚A型、氢化双酚A型、双酚AF型、联苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型、三羟基苯基甲烷型、四羟苯基乙烷型、乙内酰脲型、三缩水甘油基异氰脲酸酯型、及缩水甘油胺型的环氧树脂。酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、及四羟苯基乙烷型环氧树脂富于与作为固化剂的酚醛树脂的反应性，并且耐热性优异，因此，优选作为芯片接合薄膜20中所含的环氧树脂。
对于能作为环氧树脂的固化剂起作用的酚醛树脂，例如可以列举出：酚醛清漆型酚醛树脂、甲阶型酚醛树脂、及聚对氧苯乙烯等聚氧苯乙烯。作为酚醛清漆型酚醛树脂，例如可以列举出：苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、及壬基苯酚酚醛清漆树脂。对于能作为环氧树脂的固化剂起作用的酚醛树脂，可以使用一种酚醛树脂，也可以使用二种以上酚醛树脂。苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂在用作作为芯片接合用粘接剂的环氧树脂的固化剂时具有能够提高该粘接剂的连接可靠性的倾向，因此，优选作为芯片接合薄膜20中所含的环氧树脂的固化剂。
芯片接合薄膜20中，从使环氧树脂与酚醛树脂的固化反应充分进行的观点出发，以该酚醛树脂中的羟基相对于环氧树脂成分中的环氧基1当量达到优选0.5～2.0当量、更优选0.8～1.2当量的量包含酚醛树脂。
作为芯片接合薄膜20中所含的热塑性树脂，例如可以列举出：天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁二烯橡胶、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙、6,6-尼龙等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、PET、PBT等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、及氟树脂。在形成芯片接合薄膜20时，可以使用一种热塑性树脂，也可以使用二种以上热塑性树脂。作为芯片接合薄膜20中所含的热塑性树脂，出于离子性杂质少且耐热性高而容易确保基于芯片接合薄膜20的接合可靠性的理由，优选丙烯酸类树脂。
在芯片接合薄膜20中作为热塑性树脂包含的丙烯酸类树脂优选包含来源于(甲基)丙烯酸酯的单体单元作为质量比例最多的主要单体单元。作为这样的(甲基)丙烯酸酯，例如可以使用与在作为粘合剂层12形成用的辐射线固化型粘合剂的一个成分的丙烯酸类聚合物中记载的物质同样的(甲基)丙烯酸酯。在芯片接合薄膜20中作为热塑性树脂包含的丙烯酸类树脂可以包含来源于能与(甲基)丙烯酸酯共聚的其它单体的单体单元。作为这样的其它单体成分，例如可以列举出：含羧基单体、酸酐单体、含羟基单体、含缩水甘油基单体、含磺酸基单体、含磷酸基单体、丙烯酰胺、丙烯腈等含官能团单体、各种多官能性单体，具体而言，可以使用与在作为粘合剂层12形成用的辐射线固化型粘合剂的一个成分的丙烯酸类聚合物中作为能与(甲基)丙烯酸酯共聚的其它单体记载的单体同样的单体。从使芯片接合薄膜20实现高的内聚力的观点出发，芯片接合薄膜20中所含的该丙烯酸类树脂优选为(甲基)丙烯酸酯(特别是烷基的碳数为4以下的(甲基)丙烯酸烷基酯)、含羧基单体、含氮原子单体与多官能性单体(特别是聚缩水甘油基系多官能单体)的共聚物，更优选为丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸、丙烯腈与聚缩水甘油基(甲基)丙烯酸酯的共聚物。
芯片接合薄膜20中的热固化性树脂的含有比例从使芯片接合薄膜20适宜地表现出作为热固化型粘接剂的作用的观点出发，优选为5～60质量％、更优选为10～50质量％。
芯片接合薄膜20包含带有热固化性官能团的热塑性树脂时，作为该热塑性树脂，例如可以使用含有热固化性官能团的丙烯酸类树脂。用于形成该含有热固化性官能团的丙烯酸类树脂的丙烯酸类树脂优选包含来源于(甲基)丙烯酸酯的单体单元作为质量比例最多的主要单体单元。作为这样的(甲基)丙烯酸酯，例如可以使用与在作为粘合剂层12形成用的辐射线固化型粘合剂的一个成分的丙烯酸类聚合物中记载的物质同样的(甲基)丙烯酸酯。另一方面，作为用于形成含有热固化性官能团的丙烯酸类树脂的热固化性官能团，例如可以列举出缩水甘油基、羧基、羟基、及异氰酸酯基。其中，可以适宜使用缩水甘油基及羧基。即，作为含有热固化性官能团的丙烯酸类树脂，可以适宜使用含缩水甘油基的丙烯酸类树脂、含羧基的丙烯酸类树脂。此外，作为含有热固化性官能团的丙烯酸类树脂的固化剂，例如可以使用作为有时被视为粘合剂层12形成用的辐射线固化型粘合剂的一个成分的外部交联剂记载的物质。含有热固化性官能团的丙烯酸类树脂中的热固化性官能团为缩水甘油基时，作为固化剂，可以适宜使用多元酚系化合物，例如可以使用上述各种酚醛树脂。
对于为了芯片接合而进行固化之前的芯片接合薄膜20，为了实现一定程度的交联度，例如，优选将能与芯片接合薄膜20中所含的上述树脂的分子链末端的官能团等反应而键合的多官能性化合物作为交联剂预先配混在芯片接合薄膜形成用树脂组合物中。这样的构成在使芯片接合薄膜20提高在高温下的粘接特性的方面、以及谋求耐热性的改善方面是适宜的。作为这样的交联剂，例如可以列举出多异氰酸酯化合物。作为多异氰酸酯化合物，例如可以列举出：甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、对苯二异氰酸酯、1,5-萘二异氰酸酯、及多元醇与二异氰酸酯的加成产物。对于芯片接合薄膜形成用树脂组合物中的交联剂的含量，相对于具有能与该交联剂反应而键合的上述官能团的树脂100质量份，从提高所形成的芯片接合薄膜20的内聚力的观点出发，优选为0.05质量份以上，从提高所形成的芯片接合薄膜20的粘接力的观点出发，优选为7质量份以下。此外，作为芯片接合薄膜20中的交联剂，可以将环氧树脂等其它多官能性化合物与多异氰酸酯化合物组合使用。
芯片接合薄膜20也可以含有填料。通过在芯片接合薄膜20中配混填料，能够调整芯片接合薄膜20的导电性、热导性、弹性模量等物性。作为填料，可以列举出无机填料及有机填料，特别优选无机填料。作为无机填料，例如可以列举出：氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、硼酸铝晶须、氮化硼、结晶二氧化硅、无定形二氧化硅、以及铝、金、银、铜、镍等金属单质、合金、无定形碳黑、石墨。填料可以具有球状、针状、薄片状等各种形状。作为芯片接合薄膜20中的填料，可以使用一种填料，也可以使用二种以上填料。
芯片接合薄膜20含有填料时的该填料的平均粒径优选为0.005～10μm、更优选为0.005～1μm。该填料的平均粒径为0.005μm以上的构成在使芯片接合薄膜20实现对半导体晶圆等被粘物的高润湿性、粘接性方面是适宜的。该填料的平均粒径为10μm以下的构成在芯片接合薄膜20获得充分的填料添加效果、并且确保耐热性的方面是适宜的。填料的平均粒径使用例如光度式的粒度分布计(商品名“LA-910”，株式会社堀场制作所制作)求出。
芯片接合薄膜20根据需要可以包含其它成分。作为该其它成分，例如可以列举出：阻燃剂、硅烷偶联剂、及离子捕获剂。作为阻燃剂，例如可以列举出三氧化锑、五氧化锑、及溴化环氧树脂。作为硅烷偶联剂，例如可以列举出：β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、及γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷。作为离子捕获剂，例如可以列举出：水滑石类、氢氧化铋、水合氧化锑(例如东亚合成株式会社制的“IXE-300”)、特定结构的磷酸锆(例如东亚合成株式会社制的“IXE-100”)、硅酸镁(例如协和化学工业株式会社制的”Kyoward 600”)、及硅酸铝(例如协和化学工业株式会社制的”Kyoward 700”)。与金属离子之间能形成络合物的化合物也可以作为离子捕获剂使用。作为这样的化合物，例如可以列举出：三唑系化合物、四唑系化合物、及联吡啶系化合物。其中，从与金属离子之间形成的络合物的稳定性的观点出发，优选三唑系化合物。作为这样的三唑系化合物，例如可以列举出：1,2,3-苯并三唑、1-{N,N-双(2-乙基己基)氨基甲基}苯并三唑、羧基苯并三唑、2-(2-羟基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2-羟基-3,5-二叔丁基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羟基-3-叔丁基-5-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羟基-3,5-二叔戊基苯基)苯并三唑、2-(2-羟基-5-叔辛基苯基)苯并三唑、6-(2-苯并三唑基)-4-叔辛基-6'-叔丁基-4'-甲基-2,2'-亚甲基双酚、1-(2,3-二羟基丙基)苯并三唑、1-(1,2-二羧基二乙基)苯并三唑、1-(2-乙基己基氨基甲基)苯并三唑、2,4-二叔戊基-6-{(H-苯并三唑-1-基)甲基}苯酚、2-(2-羟基-5-叔丁基苯基)-2H-苯并三唑、辛基-3-[3-叔丁基-4-羟基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸酯、2-乙基己基-3-[3-叔丁基-4-羟基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸酯、2-(2H-苯并三唑-2-基)-6-(1-甲基-1-苯基乙基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-叔丁基苯酚、2-(2-羟基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2-羟基-5-叔辛基苯基)-苯并三唑、2-(3-叔丁基-2-羟基-5-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羟基-3,5-二叔戊基苯基)苯并三唑、2-(2-羟基-3,5-二叔丁基苯基)-5-氯-苯并三唑、2-[2-羟基-3,5-二(1,1-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并三唑、2,2'-亚甲基双[6-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚]、2-[2-羟基-3,5-双(α,α-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并三唑、及甲基-3-[3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-叔丁基-4-羟基苯基]丙酸酯。此外，对苯二酚化合物、羟基蒽醌化合物、多元酚化合物等规定的含羟基化合物也可以作为离子捕获剂使用。作为这样的含羟基化合物，具体可以列举出：1,2-苯二酚、茜素、1,5-二羟基蒽醌、鞣酸、没食子酸、没食子酸甲酯、连苯三酚等。作为以上那样的其它成分，可以使用一种成分，也可以使用二种以上成分。
芯片接合薄膜20在温度23℃、剥离角度180°及拉伸速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中对SUS平面显示出优选0.3～20N/10mm、更优选0.4～18N/10mm、进一步优选0.5～15N/10mm的180°剥离粘合力。切割芯片接合薄膜X中环形框贴附于芯片接合薄膜20时，关于粘合力的该构成在确保基于切割芯片接合薄膜X的环形框的保持方面是适宜的。
具有以上的构成的切割芯片接合薄膜X例如可以如下制造。
对于要被加工形成为切割芯片接合薄膜X的切割带10的片体，如图2的(a)所示，可以通过在要被加工形成为基材11的基材11'上设置要被加工形成为粘合剂层12的粘合剂层12'来制作。树脂制的基材11'可以通过压延制膜法、有机溶剂中的浇铸法、密闭体系内的吹胀挤出法、T模挤出法、共挤出法、干式层压法等制膜方法来制作。对于制膜后的薄膜和/或基材11'，根据需要实施规定的表面处理。在粘合剂层12'的形成中，例如在制备粘合剂层形成用的粘合剂溶液之后，首先，将该粘合剂溶液涂布在基材11'上或规定的隔离体上，形成粘合剂涂膜。作为粘合剂溶液的涂布方法，例如可以列举出：辊涂覆、丝网涂覆、及凹版涂覆。然后，对于该粘合剂涂膜，通过加热，根据需要使其发生交联反应，此外，根据需要进行脱溶剂。加热温度为例如80～150℃，加热时间为例如0.5～5分钟。粘合剂层12'形成于隔离体上时，将带有该隔离体的粘合剂层12'贴合于基材11'，之后将隔离体剥离。如上操作，能够制作要被加工形成为切割带10的作为片体的胶带10'。
另一方面，如图2的(b)所示，制作要被加工形成为芯片接合薄膜20的粘接剂薄膜20'。在粘接剂薄膜20'的制作中，制备芯片接合薄膜形成用的粘接剂组合物之后，首先，将该粘接剂组合物涂布在隔离体S上，形成粘接剂组合物层。作为隔离体S，例如可以列举出：聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、利用氟系剥离剂、丙烯酸长链烷基酯系剥离剂等剥离剂进行了表面涂布的塑料薄膜、纸类等。作为粘接剂组合物层的涂布方法，例如可以列举出辊涂覆、丝网涂覆、及凹版涂覆。接着，对于该粘接剂组合物层，通过加热，根据需要使其发生交联反应，此外，根据需要进行脱溶剂。加热温度为例如70～160℃、加热时间为例如1～5分钟。如上操作，能够制作带有隔离体S的粘接剂薄膜20'。
在切割芯片接合薄膜X的制造中，接着，如图2的(c)所示，将上述胶带10'的粘合剂层12'侧与粘接剂薄膜20'压接并贴合。由此，制作具有包含隔离体S、粘接剂薄膜20'、粘合剂层12'和基材11'的层叠结构的层叠片体。在本工序中，贴合温度为例如30～50℃、优选为35～45℃。贴合压力(线压)为例如0.1～20kgf/cm、优选为1～10kgf/cm。粘合剂层12为如上所述的辐射线固化型粘合剂层时，在粘接剂薄膜20'的贴合之后对粘合剂层12'照射紫外线等辐射线时，从胶带10'的例如基材11'侧对粘合剂层12'进行辐射线照射，其照射量为例如50～500mJ/cm2、优选为100～300mJ/cm2。
接着，如图2的(d)所示，对上述层叠片体实施使加工刀从基材11'侧进入至到达隔离体S为止的加工(图2的(d)中用粗线示意性表示切断位置)。例如，使层叠片体沿着一个方向F以固定速度移动，同时使按照能够围绕与该方向F正交的轴心进行旋转的方式配置、且辊表面带有冲裁加工用的加工刀的带加工刀的旋转辊(省略图示)的带有加工刀的表面伴有规定挤压力地抵接于层叠片体的基材11’侧。由此，一次性地加工形成切割带10(基材11、粘合剂层12)和芯片接合薄膜20，在隔板S上形成切割芯片接合薄膜X。然后，如图2的(e)所示，从隔板S上去除切割芯片接合薄膜X周围的材料层叠部。
如上操作，能够制造切割芯片接合薄膜X。隔离体S在使用切割芯片接合薄膜X时从该薄膜剥离。
切割芯片接合薄膜X如上所述，芯片接合薄膜20的外周端20e在薄膜面内方向D位于距切割带10的粘合剂层12的外周端1220e 500μm以内的距离处。这样的构成中，粘合剂层12具有的粘合面12a实质上被芯片接合薄膜20被覆。这样的切割芯片接合薄膜X中，在带有被覆其切割带10的与基材11相反的一侧的隔离体的形态、例如如图3所示带有隔离体S的形态下，芯片接合薄膜20的表面成为与隔离体S的界面和/或对隔离体的贴合面。因此，切割芯片接合薄膜X在带有被覆切割带10的与基材11相反的一侧的隔离体的形态下，不易产生在现有的切割芯片接合薄膜Y中记载的芯片接合薄膜端部的应力集中，即不易产生在切割带和/或其粘合剂层发生变形而粘合剂层与其上的芯片接合薄膜在隔离体侧成为同一面的形态下由于隔离体被覆芯片接合薄膜和粘合剂层而引起的芯片接合薄膜端部的应力集中。因此，切割芯片接合薄膜X适合于防止或抑制芯片接合薄膜20的卷曲。
切割芯片接合薄膜X如上所述，芯片接合薄膜20的外周端20e在薄膜面内方向D位于距切割带10的粘合剂层12的外周端12e 500μm以内的距离处。利用这样的构成，能够在本切割芯片接合薄膜X的芯片接合薄膜20侧贴合有隔离体的形态、例如如图3所示带有隔离体S的形态下避免或抑制在现有的切割芯片接合薄膜Y中记载的肩部Ya的形成。因此，在长条状的隔离体上配置多个切割芯片接合薄膜X并且该隔离体卷绕而形成卷的形态时，利用切割芯片接合薄膜X，不易形成在现有的切割芯片接合薄膜Y中记载的卷痕。
切割芯片接合薄膜X如上所述，芯片接合薄膜20的外周端20e在薄膜面内方向D位于距切割带10的粘合剂层12的外周端12e 500μm以内的距离处。这样的构成适合于如上所述通过一次冲裁加工等加工一次性实施用于形成具有基材11和粘合剂层12的层叠结构的一个切割带10的加工和用于形成一个芯片接合薄膜20的加工。具备这样的构成的切割芯片接合薄膜X从削减制造工序数的观点、抑制制造成本的观点等出发适合于高效地制造。
如上所述，切割芯片接合薄膜X适合于抑制芯片接合薄膜的卷曲，不易产生卷痕，并且适合于高效地制造。
芯片接合薄膜20的外周端20e如上所述在薄膜面内方向D位于距切割带10的基材11的外周端11e优选1000μm以内、更优选900μm以内、进一步优选800μm以内的距离处。关于层叠形成有粘合剂层12的基材11的外周端11e与粘合剂层12上的芯片接合薄膜20的外周端20e的关系的这样的构成在切割芯片接合薄膜X带有被覆与基材11相反的一侧的隔离体的形态、例如如图3所示带有隔离体S的形态下有助于避免粘合剂层12的表面被包含于对隔离体的贴合面中，进而，有助于抑制隔离体剥离时的芯片接合薄膜的卷曲。
粘合剂层12的厚度如上所述优选为30μm以下、更优选为10μm以下、进一步优选为5m以下。并且，芯片接合薄膜20的厚度如上所述优选为150μm以下、更优选为25μm以下、进一步优选为10μm以下。粘合剂层12及芯片接合薄膜20均越薄时，根据用于一次性形成它们的加工方法，存在薄膜面内方向D的粘合剂层12的外周端12e与芯片接合薄膜20的外周端20e之间的间隔距离越小的倾向，关于粘合剂层12的厚度与芯片接合薄膜20的厚度的该构成在实现外周端12e、20e间小的间隔距离方面是适宜的。
芯片接合薄膜20的厚度相对于粘合剂层12的厚度的比值如上所述优选为0.1～30、更优选为0.3～10、进一步优选为1～3。芯片接合薄膜20的厚度相对于粘合剂层12的厚度的比值越小，根据用于一次性形成粘合剂层12和芯片接合薄膜20的加工方法，存在薄膜面内方向D的粘合剂层12的外周端12e与芯片接合薄膜20的外周端20e之间的间隔距离实际上越小的倾向，关于芯片接合薄膜20的厚度相对于粘合剂层12的厚度的比值的该构成在实现外周端12e、20e间小的间隔距离方面是适宜的。
切割芯片接合薄膜X可以以不具有芯片接合薄膜位置对准用标记的形态提供。在如上所述的现有的切割芯片接合薄膜Y的制造过程中，有时需要经历如下的工序：将设计尺寸显著不同的切割带60和/或其粘合剂层62与芯片接合薄膜70进行相互间的位置对准并贴合的工序。芯片接合薄膜位置对准用标记是指这样的位置对准中利用的标记，例如分别形成于切割带60的各粘合剂层62及芯片接合薄膜70中。切割芯片接合薄膜X的制造过程中采用用于一次性形成粘合剂层12和芯片接合薄膜20的加工方法时，不需要将两者进行位置对准并贴合的工序。
图4～图9表示本发明的一个实施方式的半导体装置制造方法。
本半导体装置制造方法中，首先，如图4的(a)及图4的(b)所示，在半导体晶圆W上形成分割槽30a(分割槽形成工序)。半导体晶圆W具有第1面Wa及第2面Wb。在半导体晶圆W的第1面Wa侧已经安装了各种半导体元件(省略图示)、并且在第1面Wa上已经形成了该半导体元件所必需的布线结构等(省略图示)。本工序中，在具有粘合面T1a的晶圆加工用胶带T1被贴合于半导体晶圆W的第2面Wb侧之后，在晶圆加工用胶带T1上保持有半导体晶圆W的状态下在半导体晶圆W的第1面Wa侧使用切割装置等旋转刀形成规定深度的分割槽30a。分割槽30a为用于使半导体晶圆W分离为半导体芯片单元的空隙(图4～图6中用粗线示意性表示分割槽30a)。
接着，如图4的(c)所示，进行具有粘合面T2a的晶圆加工用胶带T2向半导体晶圆W的第1面Wa侧的贴合、和晶圆加工用胶带T1自半导体晶圆W的剥离。
接着，如图4的(d)所示，在晶圆加工用胶带T2上保持有半导体晶圆W的状态下通过自第2面Wb起的磨削加工将半导体晶圆W减薄至规定的厚度(晶圆减薄工序)。磨削加工可以使用具备磨削磨石的磨削加工装置来进行。通过该晶圆减薄工序，在本实施方式中形成能单片化为多个半导体芯片31的半导体晶圆30A。半导体晶圆30A具体而言在该晶圆中具有在第2面Wb侧将会被单片化为多个半导体芯片31的部位连接的部位(连接部)。半导体晶圆30A中的连接部的厚度、即半导体晶圆30A的第2面Wb与分割槽30a的第2面Wb侧的前端间的距离为例如1～30μm、优选为3～20μm。
然后，如图5的(a)所示，对切割芯片接合薄膜X的芯片接合薄膜20贴合被晶圆加工用胶带T2保持的半导体晶圆30A。之后，如图5的(b)所示，从半导体晶圆30A将晶圆加工用胶带T2剥离。切割芯片接合薄膜X中的粘合剂层12为辐射线固化型粘合剂层时，可以代替切割芯片接合薄膜X的制造过程中的上述辐射线照射，在半导体晶圆30A向芯片接合薄膜20的贴合之后从基材11侧对粘合剂层12照射紫外线等辐射线。照射量为例如50～500mJ/cm2、优选为100～300mJ/cm2。切割芯片接合薄膜X中要进行作为粘合剂层12的粘合力降低措施的照射的区域(图1所示的照射区域R)为例如粘合剂层12中的芯片接合薄膜20贴合区域内的除其周缘部以外的区域。
接着，在切割芯片接合薄膜X中的芯片接合薄膜20上贴附环形框41之后，如图6的(a)所示，将带有半导体晶圆30A的该切割芯片接合薄膜X固定于扩展装置的保持工具42。
然后，如图6的(b)所示进行相对低温的条件下的第1扩展工序(冷却扩展工序)，将半导体晶圆30A单片化为多个半导体芯片31，并且将切割芯片接合薄膜X的芯片接合薄膜20割断为小片的芯片接合薄膜21，得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片31。本工序中，使扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件43在切割芯片接合薄膜X的图中下侧抵接于切割带10并上升，按照沿着包括半导体晶圆30A的径向和圆周方向的二维方向对贴合有半导体晶圆30A的切割芯片接合薄膜X的切割带10进行拉伸的方式进行扩展。该扩展以使切割带10中产生优选15～32MPa、更优选20～32MPa的范围内的拉伸应力的条件来进行。冷却扩展工序中的温度条件为例如0℃以下，优选为-20～-5℃，更优选为-15～-5℃，进一步优选为-15℃。冷却扩展工序中的扩展速度(顶起构件43上升的速度)优选为0.1～100mm/秒。此外，冷却扩展工序中的扩展量优选为3～16mm。
本工序中，在半导体晶圆30A中较薄而容易破裂的部位发生割断，发生向半导体芯片31的单片化。与此同时，在本工序中，与被扩展的切割带10的粘合剂层12密合的芯片接合薄膜20在各半导体芯片31密合的各区域中变形受到抑制，另一方面，在与半导体芯片31间的分割槽相对的位置处，不产生这样的变形抑制作用，在这样的状态下，切割带10上产生的拉伸应力发挥作用。其结果，在芯片接合薄膜20中与半导体芯片31间的分割槽相对的位置被割断。本工序之后，如图6的(c)所示，使顶起构件43下降而解除切割带10的扩展状态。
接着，如图7的(a)所示进行相对高温的条件下的第2扩展工序，使带有芯片接合薄膜的半导体芯片31间的距离(间隔距离)拓宽。本工序中，再次使扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件43上升而扩展切割芯片接合薄膜X的切割带10。第2扩展工序中的温度条件为例如10℃以上，优选为15～30℃。第2扩展工序中的扩展速度(顶起构件43上升的速度)为例如0.1～10mm/秒，优选为0.3～1mm/秒。另外，第2扩展工序中的扩展量为例如3～16mm。在本工序中，使带有芯片接合薄膜的半导体芯片31的间隔距离拓宽至能够通过后述的拾取工序适宜地从切割带10拾取带有芯片接合薄膜的半导体芯片31的程度。在本工序之后，如图7的(b)所示使顶起构件43下降，解除切割带10的扩展状态。在抑制解除扩展状态后切割带10上的带有芯片接合薄膜的半导体芯片31的间隔距离变窄方面，优选在解除扩展状态之前对切割带10中的半导体芯片31保持区域的外侧部分进行加热、使其收缩。
接着，根据需要经过利用水等清洗液对具有带有芯片接合薄膜的半导体芯片31的切割带10的半导体芯片31侧进行清洗的清洁工序之后，如图8所示，自切割带10拾取带有芯片接合薄膜的半导体芯片31(拾取工序)。例如，对于作为拾取对象的带有芯片接合薄膜的半导体芯片31，在切割带10的图中下侧使拾取机构的针状构件44上升而隔着切割带10进行顶起之后，利用吸附夹具45将其吸附保持。在拾取工序中，针状构件44的顶起速度为例如1～100mm/秒，针状构件44的顶起量为例如50～3000μm。
然后，如图9的(a)所示，将所拾取的带有芯片接合薄膜的半导体芯片31借助芯片接合薄膜21暂时固定于规定的被粘物51。作为被粘物51，可列举例如：引线框、TAB(载带自动键合；Tape Automated Bonding)薄膜、布线基板、另外制作的半导体芯片。芯片接合薄膜21在暂时固定时在25℃下的剪切粘接力相对于被粘物51优选为0.2MPa以上，更优选为0.2～10MPa。芯片接合薄膜21的该剪切粘接力为0.2MPa以上的构成对于在后述的引线键合工序中抑制由于超声波振动、加热而在芯片接合薄膜21与半导体芯片31或被粘物51的粘接面产生剪切变形而适宜地进行引线键合是适宜的。此外，芯片接合薄膜21在暂时固定时在175℃下的剪切粘接力相对于被粘物51优选为0.01MPa以上，更优选为0.01～5MPa。
然后，如图9的(b)所示，将半导体芯片31的电极极板(省略图示)与被粘物51所具有的端子部(省略图示)借助键合引线52进行电连接(引线键合工序)。半导体芯片31的电极极板、被粘物51的端子部与键合引线52的连接可以通过伴有加热的超声波焊接而实现，以不使芯片接合薄膜21热固化的方式来进行。作为键合引线52，可以使用例如金线、铝线或铜线。引线键合中的引线加热温度为例如80～250℃，优选为80～220℃。另外，其加热时间为数秒～数分钟。
然后，如图9的(c)所示，通过用于保护被粘物51上的半导体芯片31、键合引线52的密封树脂53将半导体芯片31密封(密封工序)。在本工序中，进行芯片接合薄膜21的热固化。在本工序中，例如通过使用模具进行的传递成型技术来形成密封树脂53。作为密封树脂53的构成材料，可以使用例如环氧系树脂。在本工序中，用于形成密封树脂53的加热温度为例如165～185℃，加热时间为例如60秒～数分钟。当在本工序(密封工序)中密封树脂53未充分进行固化时，在本工序之后进行用于使密封树脂53完全固化的后固化工序。即使在密封工序中芯片接合薄膜21未完全热固化的情况下，也可以在后固化工序中与密封树脂53一起进行芯片接合薄膜21的完全热固化。在后固化工序中，加热温度为例如165～185℃，加热时间为例如0.5～8小时。
如上操作，能够制造半导体装置。
本实施方式中，如上所述，带有芯片接合薄膜的半导体芯片31被暂时固定于被粘物51之后，在芯片接合薄膜21未达到完全的热固化的状态下进行引线键合工序。代替这样的构成，在本发明中，也可以在带有芯片接合薄膜的半导体芯片31被暂时固定于被粘物51之后，在芯片接合薄膜21热固化之后再进行引线键合工序。
在本发明的半导体装置的制造方法中，可以进行图10所示的晶圆减薄工序来代替参照图4的(d)的上述晶圆减薄工序。经过参照图4的(c)的上述过程后，在图10所示的晶圆减薄工序中，在晶圆加工用胶带T2上保持有半导体晶圆W的状态下，通过自第2面Wb起的磨削加工将该晶圆减薄至规定厚度，形成包含多个半导体芯片31且被保持于晶圆加工用胶带T2的半导体晶圆分割体30B。在本工序中，可以采用将晶圆磨削至分割槽30a其自身在第2面Wb侧露出为止的方法(第1方法)，也可以采用如下方法：从第2面Wb侧起磨削晶圆至即将到达分割槽30a，然后利用旋转磨石对晶圆的挤压力作用使分割槽30a与第2面Wb之间产生裂纹，从而形成半导体晶圆分割体30B(第2方法)。根据所采用的方法适宜确定参照图4的(a)和图4的(b)的如上形成的分割槽30a的、自第1面Wa起的深度。在图10中，用粗线示意性示出经由第1方法而成的分割槽30a、或经由第2方法而成的分割槽30a以及与其相连的裂纹。在本发明中，可以代替半导体晶圆30A而将如上操作制作的半导体晶圆分割体30B贴合于切割芯片接合薄膜X，并进行参照图5～图9的上述各工序。
图11的(a)和图11的(b)表示在将半导体晶圆分割体30B贴合于切割芯片接合薄膜X后进行的第1扩展工序(冷却扩展工序)。在本工序中，使扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件43在切割芯片接合薄膜X的图中下侧抵接于切割带10并上升，以沿着包括半导体晶圆分割体30B的径向和圆周方向的二维方向对贴合有半导体晶圆分割体30B的切割芯片接合薄膜X的切割带10进行拉伸的方式进行扩展。该扩展以在切割带10中产生例如1～100MPa、优选5～40MPa的范围内的拉伸应力的条件来进行。本工序中的温度条件为例如0℃以下，优选为-20～-5℃，更优选为-15～-5℃，进一步优选为-15℃。本工序中的扩展速度(顶起构件43上升的速度)优选为1～500mm/秒。另外，本工序中的扩展量优选为50～200mm。通过这样的冷却扩展工序，切割芯片接合薄膜X的芯片接合薄膜20被割断为小片的芯片接合薄膜21，从而得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片31。具体而言，在本工序中，与被扩展的切割带10的粘合剂层12密合的芯片接合薄膜20在半导体晶圆分割体30B的各半导体芯片31所密合的各区域中，变形受到抑制，另一方面，在与半导体芯片31间的分割槽30a相对的位置处不产生这种变形抑制作用，在该状态下切割带10中产生的拉伸应力发挥作用。其结果是，在芯片接合薄膜20中与半导体芯片31间的分割槽30a相对的位置处被切断。
本发明的半导体装置制造方法中，也可以代替半导体晶圆30A或半导体晶圆分割体30B贴合于切割芯片接合薄膜X的上述构成，而使如下操作制作的半导体晶圆30C贴合于切割芯片接合薄膜X。
如图12的(a)和图12的(b)所示，首先在半导体晶圆W中形成改性区域30b。半导体晶圆W具有第1面Wa和第2面Wb。半导体晶圆W中的第1面Wa侧已经安装了各种半导体元件(省略图示)，并且在第1面Wa上已经形成了该半导体元件所必需的布线结构等(省略图示)。本工序中，将具有粘合面T3a的晶圆加工用胶带T3贴合于半导体晶圆W的第1面Wa侧后，以在晶圆加工用胶带T3上保持有半导体晶圆W的状态，从与晶圆加工用胶带T3相反的一侧对半导体晶圆W沿着其预分割线照射聚光点位于晶圆内部的激光，利用由多光子吸收引起的消融在半导体晶圆W内形成改性区域30b。改性区域30b为用于使半导体晶圆W分离为半导体芯片单元的脆弱化区域。关于通过激光照射在半导体晶圆中在预分割线上形成改性区域30b的方法，在例如日本特开2002-192370号公报中有详细记载，该实施方式中的激光照射条件例如可在以下条件的范围内适宜调整。
＜激光照射条件＞
(A)激光
(B)聚光用透镜
倍率 100倍以下
NA 0.55
对激光波长的透射率 100％以下
(C)载置有半导体基板的载置台的移动速度280mm/秒以下
接着，如图12的(c)所示，以在晶圆加工用胶带T3上保持有半导体晶圆W的状态，通过自第2面Wb起的磨削加工将半导体晶圆W减薄至规定的厚度，由此，形成能单片化为多个半导体芯片31的半导体晶圆30C(晶圆减薄工序)。本发明中，可以代替半导体晶圆30A而将如上操作制作的半导体晶圆30C贴合于切割芯片接合薄膜X，并进行参照图5～图9的上述各工序。
图13的(a)和图13的(b)表示在将半导体晶圆30C贴合于切割芯片接合薄膜X之后进行的第1扩展工序(冷却扩展工序)。在本工序中，使扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件43在切割芯片接合薄膜X的图中下侧抵接于切割带10并上升，以沿着包括半导体晶圆30C的径向和圆周方向的二维方向对贴合有半导体晶圆30C的切割芯片接合薄膜X的切割带10进行拉伸的方式进行扩展。该扩展以使切割带10中产生例如1～100MPa、优选5～40MPa的范围内的拉伸应力的条件来进行。本工序中的温度条件为例如0℃以下，优选为-20～-5℃，更优选为-15～-5℃，进一步优选为-15℃。本工序中的扩展速度(顶起构件43上升的速度)优选为1～500mm/秒。另外，本工序中的扩展量优选为50～200mm。通过这样的冷却扩展工序，切割芯片接合薄膜X的芯片接合薄膜20被割断为小片的芯片接合薄膜21，从而得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片31。具体而言，在本工序中，在半导体晶圆30C中在脆弱的改性区域30b处形成裂纹，单片化为半导体芯片31。与此同时，在本工序中，与被扩展的切割带10的粘合剂层12密合的芯片接合薄膜20在半导体晶圆30C的各半导体芯片31所密合的各区域中，变形受到抑制，另一方面，在与晶圆的裂纹形成位置相对的位置处不产生这种变形抑制作用，在该状态下切割带10中产生的拉伸应力发挥作用。其结果是，在芯片接合薄膜20中与半导体芯片31间的裂纹形成位置相对的位置处被割断。
此外，在本发明中，切割芯片接合薄膜X如上所述能够用于得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片，还可以用于得到将多个半导体芯片层叠而进行3维安装时的带有芯片接合薄膜的半导体芯片。这种3维安装的半导体芯片31之间既可以与芯片接合薄膜21一起夹设间隔物，也可以不夹设间隔物。
实施例
〔实施例1～4〕
〈切割带的制作〉
在具备冷凝管、氮气导入管、温度计和搅拌装置的反应容器内，在60℃下在氮气气氛下对包含丙烯酸十二烷基酯100摩尔份、丙烯酸2-羟乙基酯(2HEA)20摩尔份、相对于这些单体成分100质量份为0.2质量份的作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰和作为聚合溶剂的甲苯的混合物进行10小时搅拌(聚合反应)。由此，得到含有丙烯酸类聚合物P1的聚合物溶液。该聚合物溶液中的丙烯酸类聚合物P1的重均分子量(Mw)为45万。然后，在室温下在空气气氛下对包含含有该丙烯酸类聚合物P1的聚合物溶液、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)和作为加成反应催化剂的二月桂酸二丁基锡的混合物进行48小时搅拌(加成反应)。该反应溶液中，MOI的配混量相对于上述丙烯酸十二烷基酯100摩尔份为20摩尔份，该MOI配混量相对于丙烯酸类聚合物P1中来源于2HEA的单元和/或其羟基的总量的摩尔比率为1。此外，该反应溶液中，二月桂酸二丁基锡的配混量相对于丙烯酸类聚合物P1 100质量份为0.03质量份。通过该加成反应，得到含有在侧链具有甲基丙烯酸酯基的丙烯酸类聚合物P2的聚合物溶液。接着，在该聚合物溶液中添加相对于丙烯酸类聚合物P2 100质量份为1质量份的多异氰酸酯化合物(商品名“Coronate L”，东曹株式会社制)和2质量份的光聚合引发剂(商品名“Irgacure 127”，BASF公司制)进行混合，并且，以该混合物在室温下的粘度为500mPa·s的方式对该混合物添加甲苯进行稀释，得到粘合剂溶液。接着，在具有实施了有机硅脱模处理的面的PET隔离体(厚度38μm)的有机硅脱模处理面上，使用涂抹器涂布粘合剂溶液，形成涂膜，对该涂膜在130℃下进行2分钟的加热干燥，在PET隔离体上形成厚度10μm的粘合剂层。接着，使用层压机在该粘合剂层的露出面上，在室温下贴合乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)制的基材(商品名“RB-0104”，厚度130μm，仓敷纺织株式会社制)。如上操作，制作切割带。
〈芯片接合薄膜的制作〉
将丙烯酸类树脂(丙烯酸乙酯与丙烯酸丁酯与丙烯腈与甲基丙烯酸缩水甘油酯的共聚物，重均分子量为120万，玻璃化转变温度为0℃，环氧值为0.4eq/kg)54质量份、固态酚醛树脂(商品名“MEHC-7851SS”，23℃下为固态，明和化成株式会社制)4.5质量份、液态酚醛树脂(商品名“MEH-8000H”，23℃下为液态，明和化成株式会社制)1.5质量份和二氧化硅填料(商品名“SO-C2”，平均粒径为0.5μm，株式会社Admatechs制)40质量份添加到甲基乙基酮中进行混合，以室温下的粘度为700mPa·s的方式调整浓度，得到粘接剂组合物。然后，在具有实施了有机硅脱模处理的面的PET隔离体(厚度38μm)的有机硅脱模处理面上，使用涂抹器涂布粘接剂组合物，形成涂膜，对该涂膜在130℃下进行2分钟的加热干燥，在PET隔离体上制作厚度10μm的芯片接合薄膜(DAF)。
〈切割芯片接合薄膜的制作〉
从上述切割带将PET隔离体剥离之后，使用层压机在室温下将切割带中露出的粘合剂层与带有隔离体的上述芯片接合薄膜贴合，得到层叠片体。接着，对该层叠片体，进行使加工刀从切割带的EVA基材侧进入至到达隔离体为止的冲裁加工。具体而言，使层叠片体沿一个方向以10m/分钟的速度移动，同时使按照能够围绕与该方向正交的轴心进行旋转的方式配置、且辊表面带有圆形冲裁加工用的汤姆逊刀的带加工刀的旋转辊的带有加工刀的表面伴有规定挤压力地抵接于层叠片体的EVA基材侧，进行冲裁加工。该冲裁加工中使用的旋转辊的圆周长度即周长为378.9mm。此外，盘绕在旋转辊表面的汤姆逊刀为SUS制，其以能冲裁加工直径370mm的圆的方式配置在辊表面，刀的高度为0.3mm、刀尖所成的刀角为50°。通过这样的冲裁加工，一次性地加工形成切割带和芯片接合薄膜，在隔离体上形成切割芯片接合薄膜。其后，将所形成的切割芯片接合薄膜的周围的材料层叠部从隔离体上去除。对切割带中的粘合剂层，从基材侧照射紫外线。紫外线照射中，使用高压汞灯，照射累积光量设为350mJ/cm2。如上操作，制作具有包含切割带和芯片接合薄膜(DAF)的层叠结构的实施例1～4的各切割芯片接合薄膜。
〔比较例1〕
在分别冲裁加工切割带和芯片接合薄膜之后将两者贴合，除此以外，与实施例1～4的各切割芯片接合薄膜同样操作，制作比较例1的切割芯片接合薄膜。比较例1中，切割带以带有隔离体的状态冲裁加工成直径370mm，芯片接合薄膜以带有隔离体的状态冲裁加工成直径330mm。边以切割带的中心与芯片接合薄膜的中心一致的方式进行位置对准边进行贴合。
〈粘合力测定〉
对于实施例1～4及比较例1的各切割芯片接合薄膜中的芯片接合薄膜，如下操作测定粘合力。首先，从切割带将芯片接合薄膜剥离，在芯片接合薄膜中贴合于切割带侧的面上贴合衬里胶带(商品名“BT-315”，日东电工株式会社制)，由该衬里薄膜切取试样片(宽度10mm×长度100mm)。然后，将试样片贴合于作为被粘物的SUS板，通过使2kg的辊往复1次的压接作业使试样片与被粘物压接。之后，在室温下放置30分钟，然后，使用拉伸试验机(商品名“Autograph AGS-J”，株式会社岛津制作所制)测定芯片接合薄膜试样片对于SUS板的180°剥离粘合力。在本测定中，测定温度和/或剥离温度为23℃、拉伸角度为180°、拉伸速度为300mm/分钟。将不包括拉伸试验中最初的10mm分钟显示的剥离力在内的剥离力的平均值作为180°剥离粘合力(N/10mm)。将其测定结果示于表1。
〈外周端间隔距离〉
使用扫描型电子显微镜或光学显微镜对实施例1～4的各切割芯片接合薄膜的端部进行观察，测定图14中示意性示出的间隔距离d1、d2。在切割芯片接合薄膜中作为观察对象的端部为在上述切割芯片接合薄膜制造过程的冲裁加工工序中的MD方向(层叠片移动的方向)的前方端部。间隔距离d1为切割带10的粘合剂层12的外周端12e与芯片接合薄膜20的外周端20e的薄膜面内方向D的距离。间隔距离d2为切割带10的基材11的外周端11e与芯片接合薄膜20的外周端20e的薄膜面内方向D的距离。将其测定结果示于表1。
〈芯片接合薄膜的卷曲试验〉
分别对于实施例1～4及比较例1的各带有隔离体的切割芯片接合薄膜，确认在使用晶圆安装装置(MA-3000III，日东精机株式会社制)贴合于规定的晶圆(直径12英寸)的过程中的隔离体剥离时有无芯片接合薄膜的卷曲。晶圆的贴合在贴合速度5mm/秒、温度60℃、及压力0.15MPa的条件下进行。对于实施例1～4及比较例1的带有隔离体的切割芯片接合薄膜各10张，进行该卷曲试验。将10张切割芯片接合薄膜中芯片接合薄膜不产生卷曲的情况评价为良(〇)，将1张以上切割芯片接合薄膜中芯片接合薄膜产生卷曲、但该卷曲未到达晶圆贴合用区域(芯片接合薄膜的比自外周端起向内侧15mm为止的外侧区域更靠近内侧的区域)的情况评价为可(△)，将1张以上切割芯片接合薄膜中在芯片接合薄膜产生到达晶圆贴合用区域的卷曲的情况评价为不良(×)。将其评价结果示于表1。
表1

Claims (10)

1.一种切割芯片接合薄膜，其具备：
切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；和
芯片接合薄膜，其与所述切割带中的所述粘合剂层可剥离地密合，
所述芯片接合薄膜的外周端在薄膜面内方向位于距所述粘合剂层的外周端500μm以内的距离处。
2.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述芯片接合薄膜的外周端在薄膜面内方向位于距所述基材的外周端1000μm以内的距离处。
3.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述芯片接合薄膜在温度23℃、剥离角度180°及拉伸速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中对SUS平面显示出0.3～20N/10mm的180°剥离粘合力。
4.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述粘合剂层的厚度为30μm以下，并且，所述芯片接合薄膜的厚度为150μm以下。
5.根据权利要求3所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述粘合剂层的厚度为30μm以下，并且，所述芯片接合薄膜的厚度为150μm以下。
6.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述芯片接合薄膜的厚度相对于所述粘合剂层的厚度的比值为0.1～30。
7.根据权利要求4所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述芯片接合薄膜的厚度相对于所述粘合剂层的厚度的比值为0.1～30。
8.根据权利要求5所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述芯片接合薄膜的厚度相对于所述粘合剂层的厚度的比值为0.1～30。
9.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其具有直径在345～380mm的范围内或245～280mm的范围内的圆盘形状。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的切割芯片接合薄膜，其不具有芯片接合薄膜位置对准用标记。
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