TWI817969B - 切晶黏晶膜 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種切晶黏晶膜，其實現作為黏晶膜之黏接著劑層與隔離件之間之良好之剝離性，並且適於對該黏接著劑層與隔離件進行衝壓加工時抑制隆起地形成。 本發明之切晶黏晶膜X具備切晶帶10、黏接著劑層20及隔離件S。切晶帶10具有基材11與其上之黏著劑層12。黏接著劑層20可剝離地密接於切晶帶10之黏著劑層12。隔離件S配置於黏接著劑層20上，且可自黏接著劑層20剝離。黏接著劑層20之隔離件側表面之表面自由能γs1 為28～40 mJ/m2 。隔離件S之黏接著劑層側表面之表面自由能γs2 為14～35 mJ/m2 。兩表面自由能之差γs1 －γs2 為0～19 mJ/m2 。

Description

切晶黏晶膜
本發明係關於一種於半導體裝置之製造過程中可使用之切晶黏晶膜。
於半導體裝置之製造過程中，為獲得附帶黏晶用之相當於晶片之尺寸之接著膜之半導體晶片，即附黏晶用之黏晶膜之半導體晶片，有時使用切晶黏晶膜。切晶黏晶膜具有與作為加工對象之半導體晶圓對應之尺寸，例如具有包含基材及黏著劑層之切晶帶、及可剝離地密接於該黏著劑層側之黏晶膜。
作為使用切晶黏晶膜而獲得附黏晶膜之半導體晶片之方法之一，已知經過將切晶黏晶膜之切晶帶擴展而割斷黏晶膜之步驟的方法。該方法中，首先於切晶黏晶膜之黏晶膜上貼合半導體晶圓。該半導體晶圓例如係以可於後續中與黏晶膜之割斷一同被割斷並單片化成複數個半導體晶片之方式經加工者。其次，為以自切晶帶上之黏晶膜產生分別與半導體晶片密接之複數個黏晶膜小片之方式將該黏晶膜割斷，使用擴展裝置將切晶黏晶膜之切晶帶擴展(割斷用之擴展步驟)。該擴展步驟中，黏晶膜上之半導體晶圓於與黏晶膜之割斷部位相當之部位上亦產生割斷，半導體晶圓於切晶黏晶膜或切晶帶上單片化成複數個半導體晶片。其次，關於切晶帶上之割斷後之複數個附黏晶膜之半導體晶片，為擴大相互間之距離，進行再次之擴展步驟(隔開用之擴展步驟)。其次，例如經過清洗步驟後，切晶帶上之附黏晶膜之各半導體晶片藉由拾取機構之銷構件自切晶帶之下側被頂起，從而自切晶帶上拾取(拾取步驟)。此時，必須使拾取對象之附黏晶膜之半導體晶片之黏晶膜自切晶帶之黏著劑層適當地剝離。如上所述，獲得附帶黏晶膜之半導體晶片。該附黏晶膜之半導體晶片經由該黏晶膜藉由黏晶而固定於安裝基板等基材。關於例如以如上方式使用之切晶黏晶膜相關之技術，例如記載於下述專利文獻1～3中。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2007-2173號公報 [專利文獻2]日本專利特開2010-177401號公報 [專利文獻3]日本專利特開2012-23161號公報
[發明所欲解決之問題]
圖14係將作為切晶黏晶膜之一例之切晶黏晶膜Y以其截面模式圖表示者。切晶黏晶膜Y包含切晶帶60及黏晶膜70。切晶帶60為基材61與發揮黏著力之黏著劑層62之積層構造。黏晶膜70藉由黏著劑層62之黏著力而密接於黏著劑層62。除該等以外，切晶黏晶膜Y附帶用以被覆並保護切晶帶60之與基材61之相反側之表面，即黏晶膜70之表面與黏著劑層62之表面之隔離件(圖14中省略)。該隔離件於切晶黏晶膜Y之使用時自該膜剝離。
此種切晶黏晶膜Y具有與半導體裝置之製造過程中之加工對象、即作為工件之半導體晶圓對應之尺寸之圓盤形狀，可用於上述擴展步驟。例如，自切晶黏晶膜Y剝離上述隔離件後，如圖15所示，於黏晶膜70上貼合半導體晶圓81，且於在切晶帶60之黏著劑層62上貼附有環狀框82之狀態下，實施擴展步驟。環狀框82係於貼附於切晶黏晶膜Y之狀態下，擴展裝置所具備之搬送臂等搬送機構於工件搬送時機械性地抵接之框構件。切晶黏晶膜Y係以此種環狀框82可藉由切晶帶60之黏著劑層62之黏著力而固定於該膜之方式設計。即，切晶黏晶膜Y具有先前類型之設計，即於切晶帶60之黏著劑層62中於黏晶膜70之周圍確保有環狀框構件貼合用區域。於此種設計中，基材61及黏著劑層62之外周端61e、62e與黏晶膜70之外周端70e之膜面內方向之相離距離為10～30 mm左右。
另一方面，於具備切晶帶與其黏著劑層上之黏晶膜之切晶黏晶膜中，採用切晶帶或其黏著劑層與黏晶膜於膜面內方向具有實質相同之設計尺寸之構成之情形時，黏晶膜必須擔負環狀框保持功能，故而必須確保對環狀框之黏著力。為確保黏晶膜之對環狀框黏著力，該黏晶膜較之上述切晶黏晶膜Y之黏晶膜70，例如變得低彈性化。然而，該低彈性化於切晶黏晶膜之使用時易於引起剝離上述隔離件所需之剝離力之上升。
本發明係基於此種情況而研究得出者，其目的在於提供一種切晶黏晶膜，其適合實現作為黏晶膜之黏接著劑層與隔離件之間之良好之剝離性，並且適合於衝壓加工時抑制隆起而形成該黏接著劑層及隔離件。 [解決問題之技術手段]
藉由本發明而提供之切晶黏晶膜具備切晶帶、黏接著劑層及隔離件。切晶帶具有包含基材及黏著劑層之積層構造。黏接著劑層可剝離地密接於切晶帶之黏著劑層。隔離件配置於黏接著劑層上，可自該黏接著劑層剝離。用以形成黏接著劑層與隔離件之界面之黏接著劑層之表面具有28～40 mJ/m2 之第1表面自由能。該第1表面自由能較佳為28～37 mJ/m2 ，更佳為28～34 mJ/m2 。用以形成黏接著劑層與隔離件之界面之隔離件之表面具有14～35 mJ/m2 之第2表面自由能。該第2表面自由能較佳為17～35 mJ/m2 ，更佳為20～35 mJ/m2 。自第1表面自由能減去第2表面自由能之值為0～19 mJ/m2 ，較佳為0～16 mJ/m2 ，更佳為0～13 mJ/m2 。如以上之構成之切晶黏晶膜例如可於如上述之半導體裝置製造過程中用於獲得附黏晶膜之半導體晶片。又，於本發明中，所謂黏接著劑層表面及隔離件表面之各表面自由能，係指使用利用接觸角計對於20℃及相對濕度65%之條件下與要求鑑定表面自由能之對象面接觸之水(H2 O)及二碘甲烷(CH2 I2 )之各液滴測定之接觸角θw、θi之值，依據Journal of Applied Polymer Science, vol.13, p1741-1747(1969)中記載之方法求得γsd (表面自由能之分散力成分)及γsh (表面自由能之氫鍵力成分)，將γsd 及γsh 相加所得之值γs(＝γsd ＋γsh )。該表面自由能γs之導出方法具體而言係如關於實施而下述者。
本切晶黏晶膜具備切晶帶上之作為黏晶膜之特定黏接著劑層及用以被覆其之特定隔離件，如上所述，黏接著劑層之隔離件側表面之第1表面自由能為28～40 mJ/m2 ，較佳為28～37 mJ/m2 ，更佳為28～34 mJ/m2 ，隔離件之黏接著劑層側表面之第2表面自由能為14～35 mJ/m2 ，較佳為17～35 mJ/m2 ，更佳為20～35 mJ/m2 ，自第1表面自由能減去第2表面自由能之值為0～19 mJ/m2 ，較佳為0～16 mJ/m2 ，更佳為0～13 mJ/m2 。本發明者等人獲得如下見解：關於黏接著劑層與隔離件之界面之第1及第2表面自由能之此種構成適合實現作為黏晶膜之黏接著劑層與隔離件之間之良好之剝離性，並且適合於衝壓加工時抑制隆起而形成該黏接著劑層及隔離件。例如如下述實施例及比較例所示，具體而言如下所述。
黏接著劑層之隔離件側表面之第1表面自由能為28 mJ/m2 以上之構成於確保黏接著劑層之對框構件黏著力之方面較佳。該第1表面自由能為40 mJ/m2 以下，較佳為37 mJ/m2 以下，更佳為34 mJ/m2 以下之構成於確保黏接著劑層與框構件之間之良好之剝離性之方面較佳。隔離件之黏接著劑層側表面之第2表面自由能為14 mJ/m2 以上，較佳為17 mJ/m2 以上，更佳為20 mJ/m2 以上之構成於在黏接著劑層與隔離件之間獲得充分之密接力之方面較佳。該第2表面自由能為28 mJ/m2 以下之構成於確保黏接著劑層與隔離件之間之良好之剝離性之方面較佳。並且，自第1表面自由能減去第2表面自由能之值為0～19 mJ/m2 ，較佳為0～16 mJ/m2 ，更佳為0～13 mJ/m2 之構成適合於本切晶黏晶膜之製造過程中，抑制隆起並藉由衝壓加工而形成黏接著劑層與隔離件。
關於適合確保作為黏晶膜之黏接著劑層之對框構件黏著力並且確保該黏接著劑層與隔離件之間之良好之剝離性的本切晶黏晶膜，適合以於該黏接著劑層中除工件貼合用區域外亦包含框構件貼合用區域之方式，將切晶帶或其黏著劑層與其上之黏接著劑層設計為於膜面內方向為實質相同之尺寸。此種本切晶黏晶膜中可採用如下設計：於膜面內方向，黏接著劑層之外周端位於距離切晶帶之基材之外周端及黏著劑層之外周端例如為1000 μm以內。此種構成之切晶黏晶膜適合以一個衝壓加工等加工一次性地實施用以形成具有基材與黏著劑層之積層構造之一個切晶帶之加工、及用以形成一個黏接著劑層之加工。
於上述切晶黏晶膜Y之製造過程中，用以形成特定尺寸及形狀之切晶帶60之加工步驟(第1加工步驟)、及用以形成特定尺寸及形狀之黏晶膜70之加工步驟(第2加工步驟)必須為不同之步驟。第1加工步驟中，例如如圖16(a)所示，對具有特定之隔離件83、形成為基材61之基材層61'、及位於該等之間並形成為黏著劑層62之黏著劑層62'之積層構造之積層片材體，實施使加工刀B自基材層61'側刺入至隔離件83為止之加工。藉由第1加工步驟，具有隔離件83上之黏著劑層62與基材61之積層構造之切晶帶60形成於隔離件83上。切晶帶60周圍之材料積層部自隔離件83上被去除。第2加工步驟中，例如如圖16(b)所示，對具有特定之隔離件84及形成為黏晶膜70之接著劑層70'之積層構造之積層片材體，實施使加工刀B自接著劑層70'側刺入至隔離件84為止之加工。藉由第2加工步驟，於隔離件84上形成黏晶膜70。黏晶膜70周圍之材料積層部自隔離件84上被去除。如此以不同之步驟形成之切晶帶60與黏晶膜70，經過隔離件83自切晶帶60之剝離後，如圖16(c)所示，對準位置並貼合。於圖16(c)所示之切晶黏晶膜Y中，附帶被覆黏晶膜70表面及黏著劑層62表面之隔離件84。隔離件84於切晶黏晶膜Y之使用時自該膜剝離。
相對於此，切晶帶與其上之黏接著劑層於膜面內方向具有實質相同之設計尺寸之情形之本發明之切晶黏晶膜例如可藉由如下方式而製造。首先，藉由於特定之隔離件上塗佈黏接著劑層形成用之組合物而形成黏接著劑組合物層。其次，藉由於該黏接著劑組合物層上塗佈切晶帶黏著劑層形成用之組合物而形成黏著劑組合物層。其次，經過該等組合物層之一次性之乾燥，於隔離件上形成黏接著劑層及切晶帶黏著劑層。其次，於黏著劑層之露出面貼合切晶帶用之基材。其次，對具有隔離件、黏接著劑層、黏著劑層及基材之積層構造之該積層片材體，實施使加工刀自基材側刺入至隔離件為止之加工。藉此，具有隔離件上之黏接著劑層、黏著劑層及基材之積層構造之特定尺寸及形狀之切晶黏晶膜形成於隔離件上。自黏接著劑層之第1表面自由能減去隔離件之第2表面自由能之值為0～19 mJ/m2 ，較佳為0～16 mJ/m2 ，更佳為0～13 mJ/m2 之上述構成適合抑制因此種衝壓加工時之加工刀之刺入而導致之黏接著劑層與隔離件之間之部分剝離或隆起之發生。
如上所述，本發明之切晶黏晶膜適合實現黏接著劑層與隔離件之間之良好之剝離性，並且適合於衝壓加工時抑制隆起而形成該黏接著劑層及隔離件。
本切晶黏晶膜之隔離件於25℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/分鐘之條件下之剝離試驗中，對黏接著劑層顯示較佳為0.04 N/10 mm以上，更佳為0.05 N/10 mm以上之180°剝離黏著力。此種構成於在本切晶黏晶膜之製造過程中，於衝壓加工時抑制隆起而形成黏接著劑層與用以被覆其之隔離件之方面較佳。
本切晶黏晶膜之隔離件於25℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/分鐘之條件下之剝離試驗中，對黏接著劑層顯示較佳為0.1 N/10 mm以下，更佳為0.095 N/10 mm以下之180°剝離黏著力。此種構成於實現黏接著劑層與隔離件之間之良好之剝離性之方面較佳。
本切晶黏晶膜之隔離件較佳為具有用以形成與黏接著劑層之界面之非聚矽氧處理面。作為用以於隔離件形成非聚矽氧處理面之非聚矽氧處理，例如可列舉藉由非聚矽氧系脫模劑之脫模處理(脫模層之形成)。作為非聚矽氧系脫模劑，例如可列舉：長鏈烷基聚合物系脫模劑及氟樹脂系脫模劑。作為長鏈烷基聚合物系脫模劑，例如可列舉：具有碳數8以上之長鏈烷基且顯示脫模性之聚合物(脫模性聚合物)。就脫模性之觀點而言，該長鏈烷基之碳數較佳為8以上，例如為8〜50左右。作為碳數8以上之長鏈烷基，例如可列舉：辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十六烷基、十八烷基及二十烷基。作為脫模性聚合物，可列舉：具有此種長鏈烷基之丙烯酸烷基酯及/或甲基丙烯酸烷基酯與丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯腈等含極性基之單體之共聚物(丙烯酸系聚合物)。又，作為脫模性聚合物，亦可列舉：藉由至少具有一個可與活性氫反應之官能基且具有碳數8以上之烷基之長鏈烷基化合物而將含活性氫基之聚合物改性者。作為含活性氫基之聚合物，例如可列舉：部分皂化聚乙酸乙烯酯、聚乙烯醇、乙烯-乙烯醇、丁醛樹脂、聚伸乙基亞胺、纖維素樹脂、甲基丙烯酸甲酯-丙烯酸共聚物、胺基甲酸酯樹脂、醇酸樹脂、三聚氰胺樹脂及烯烴樹脂。作為可與活性氫反應之上述官能基，例如可列舉：異氰酸基、羧酸基、醯鹵、乙烯酮基、醛基及環氧基。作為具有可與活性氫反應之官能基之上述長鏈烷基化合物，例如可列舉：異氰酸十八烷基酯、異氰酸二十二烷基酯、十八酸、二十二酸、十八醯氟及二十二醯氯。作為氟樹脂系脫模劑，例如可列舉：聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基氟樹脂(PFA)、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(FEP)、乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)、乙烯-氯三氟乙烯共聚物(ECTFE)及聚偏二氟乙烯(PVDF)。隔離件具有非聚矽氧處理面之該構成適合實現處於上述範圍內之180°剝離黏著力。
圖1係本發明之一實施形態之切晶黏晶膜X之截面模式圖。切晶黏晶膜X係於半導體裝置之製造中，於獲得附帶作為黏晶膜之黏接著劑層之半導體晶片之過程中之例如如下述之擴展步驟中可使用者，具有包含切晶帶10、黏接著劑層20及隔離件S之積層構造。又，切晶黏晶膜X具有與半導體裝置之製造過程中之加工對象之半導體晶圓對應之尺寸之圓盤形狀，其直徑例如為345～380 mm之範圍內(12英吋晶圓對應型)、245～280 mm之範圍內(8英吋晶圓對應型)、195～230 mm之範圍內(6英吋晶圓對應型)或495～530 mm之範圍內(18英吋晶圓對應型)。
於切晶黏晶膜X中，切晶帶10具有包含基材11及黏著劑層12之積層構造。黏著劑層12於黏接著劑層20側具有黏著面12a。黏接著劑層20具有面20a、20b，於面20a側包含工件貼合用區域及框構件貼合用區域，且以面20b側可剝離地密接於切晶帶10之黏著劑層12或其黏著面12a。隔離件S於黏接著劑層20側具有面Sa，配置於黏接著劑層20上，可自黏接著劑層20剝離。黏接著劑層20之面20a與隔離件S之面Sa形成黏接著劑層20與隔離件S之界面。
切晶帶10之基材11係於切晶帶10或切晶黏晶膜X中作為支持體而發揮功能之元件。基材11例如為塑膠基材，作為該塑膠基材，可較佳地使用塑膠膜。作為塑膠基材之構成材料，例如可列舉：聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚烯烴、聚酯、聚胺基甲酸酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚苯硫醚、芳香族聚醯胺、氟樹脂、纖維素系樹脂及聚矽氧樹脂。作為聚烯烴，例如可列舉：低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-丁烯共聚物及乙烯-己烯共聚物。作為聚酯，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯及聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)。基材11可包含一種材料，亦可包含兩種以上之材料。基材11可具有單層構造，亦可具有多層構造。又，於基材11包含塑膠膜之情形時，可為未延伸膜，亦可為單軸延伸膜，亦可為雙軸延伸膜。於基材11上之黏著劑層12如下所述具有紫外線硬化性之情形時，基材11較佳為具有紫外線透過性。
於切晶黏晶膜X之使用過程中藉由對切晶帶10或基材11進行例如部分加熱而使之收縮之情形時，基材11較佳為具有熱收縮性。就於基材11中確保良好之熱收縮性之觀點而言，基材11較佳為含有乙烯-乙酸乙烯酯共聚物作為主成分。所謂基材11之主成分係指於基材構成成分中占最大質量比例之成分。又，於基材11包含塑膠膜之情形時，就使切晶帶10或基材11實現各向同性之熱收縮性之方面而言，較佳為基材11為雙軸延伸膜。切晶帶10或基材11之於加熱溫度100℃及加熱處理時間60秒之條件下進行之加熱處理試驗中獲得之熱收縮率例如為2～30%。該熱收縮率係指所謂的MD(Machine Direction，縱向)方向之熱收縮率及所謂的TD(Transverse Direction，橫向)方向之熱收縮率之至少一者。
基材11之黏著劑層12側之表面可實施用以提高與黏著劑層12之密接性之物理性處理、化學性或底塗處理。作為物理性處理，例如可列舉：電暈處理、電漿處理、砂墊(sand mat)加工處理、臭氧暴露處理、火焰暴露處理、高壓電擊暴露處理及離子化輻射處理。作為化學性處理，例如可列舉鉻酸處理。較佳為用以提高密接性之該處理於基材11之黏著劑層12側之表面整體實施。
關於基材11之厚度，就確保用以使基材11作為切晶帶10或切晶黏晶膜X中之支持體而發揮功能之強度之觀點而言，較佳為40 μm以上，更佳為50 μm以上，更佳為55 μm以上，更佳為60 μm以上。又，就於切晶帶10或切晶黏晶膜X中實現適度之可撓性之觀點而言，基材11之厚度較佳為200 μm以下，更佳為180 μm以下，更佳為150 μm以下。
切晶帶10之黏著劑層12含有黏著劑。黏著劑可為可藉由輻射照射或加熱等來自外部之作用而刻意地使黏著力降低之黏著劑(黏著力降低型黏著劑)，亦可為黏著力幾乎或完全不會藉由來自外部之作用而降低之黏著劑(黏著力非降低型黏著劑)。關於使用黏著力降低型黏著劑或黏著力非降低型黏著劑之哪一個作為黏著劑層12中之黏著劑，可根據使用切晶黏晶膜X而單片化之半導體晶片之單片化之方法或條件等切晶黏晶膜X之使用態樣而適宜選擇。
於使用黏著力降低型黏著劑作為黏著劑層12中之黏著劑之情形時，於切晶黏晶膜X之使用過程中，可分開使用黏著劑層12顯示相對較高之黏著力之狀態與顯示相對較低之黏著力之狀態。例如，於下述擴展步驟中使用切晶黏晶膜X時，為抑制、防止黏接著劑層20自黏著劑層12之隆起或剝離，利用黏著劑層12之高黏著力狀態，另一方面在此之後，於用以自切晶黏晶膜X之切晶帶10拾取附黏接著劑層之半導體晶片之下述拾取步驟中，為容易地自黏著劑層12拾取附黏接著劑層之半導體晶片，可利用黏著劑層12之低黏著力狀態。
作為此種黏著力降低型黏著劑，例如可列舉：具有輻射硬化性之黏著劑(輻射硬化性黏著劑)或加熱發泡型黏著劑等。於本實施形態之黏著劑層12中，可使用一種黏著力降低型黏著劑，亦可使用兩種以上之黏著力降低型黏著劑。又，可由黏著力降低型黏著劑形成黏著劑層12之整體，亦可由黏著力降低型黏著劑形成黏著劑層12之一部分。例如，於黏著劑層12具有單層構造之情形時，可由黏著力降低型黏著劑形成黏著劑層12之整體，亦可由黏著力降低型黏著劑形成黏著劑層12中之特定部位，由黏著力非降低型黏著劑形成其他部位。又，於黏著劑層12具有積層構造之情形時，可由黏著力降低型黏著劑形成構成積層構造之全部層，亦可由黏著力降低型黏著劑形成積層構造中之一部分層。
作為黏著劑層12中之輻射硬化性黏著劑，例如可列舉：藉由照射電子束、紫外線、α射線、β射線、γ射線或X射線而硬化之類型之黏著劑，可尤佳地使用藉由紫外線照射而硬化之類型之黏著劑(紫外線硬化性黏著劑)。
作為黏著劑層12中之輻射硬化性黏著劑，例如可列舉：作為丙烯酸系黏著劑之含有丙烯酸系聚合物等基礎聚合物、及具有輻射聚合性之碳-碳雙鍵等官能基之輻射聚合性之單體成分或低聚物成分之添加型輻射硬化性黏著劑。
上述丙烯酸系聚合物較佳為含有源自丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯之單體單元作為以質量比例計最多之單體單元。「(甲基)丙烯酸」係指「丙烯酸」及/或「甲基丙烯酸」。
作為用以形成丙烯酸系聚合物之單體單元之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環烷基酯、(甲基)丙烯酸芳基酯等含烴基之(甲基)丙烯酸酯。作為(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸之甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯及二十烷基酯。作為(甲基)丙烯酸環烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸之環戊酯及環己酯。作為(甲基)丙烯酸芳基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸苯酯及(甲基)丙烯酸苄酯。作為用以形成丙烯酸系聚合物之單體單元之之單體成分，可使用一種(甲基)丙烯酸酯，亦可使用兩種以上之(甲基)丙烯酸酯。作為用以形成丙烯酸系聚合物之單體單元之(甲基)丙烯酸酯，較佳為烷基之碳數為10以上之(甲基)丙烯酸烷基酯，更佳為丙烯酸十二烷基酯。又，就使黏著劑層12適當表現藉由(甲基)丙烯酸酯之黏著性等基本特性之方面而言，用以形成丙烯酸系聚合物之總單體成分中之(甲基)丙烯酸酯之比例較佳為40質量%以上，更佳為60質量%以上。
關於丙烯酸系聚合物，為對其凝集力或耐熱性等進行改質，可含有源自可與(甲基)丙烯酸酯共聚之其他單體之單體單元。作為此種單體，例如可列舉：含羧基之單體、酸酐單體、含羥基之單體、含縮水甘油基之單體、含磺酸基之單體、含磷酸基之單體、丙烯醯胺及丙烯腈等含官能基之單體。作為含羧基之單體，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸及丁烯酸。作為酸酐單體，例如可列舉：順丁烯二酸酐及伊康酸酐。作為含羥基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯及(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯。作為含縮水甘油基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸縮水甘油酯及(甲基)丙烯酸甲基縮水甘油酯。作為含磺酸基之單體，例如可列舉：苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯及(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸。作為含磷酸基之單體，例如可列舉：2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯。作為用於丙烯酸系聚合物之該其他共聚性單體，可使用一種單體，亦可使用兩種以上之單體。於上述丙烯酸系聚合物含有源自具有碳數10以上之烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯之單元(第1單元)之情形時，較佳為同時含有源自(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯之單元(第2單元)。
關於丙烯酸系聚合物，為了於其聚合物骨格中形成交聯結構，可含有源自可與(甲基)丙烯酸酯等單體成分共聚之多官能性單體之單體單元。作為此種多官能性單體，例如可列舉：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯(即聚(甲基)丙烯酸縮水甘油酯)、聚酯(甲基)丙烯酸酯及(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯。作為用於丙烯酸系聚合物之單體成分，可使用一種多官能性單體，亦可使用兩種以上之多官能性單體。就使黏著劑層12適當表現藉由(甲基)丙烯酸酯之黏著性等基本特性之方面而言，用以形成丙烯酸系聚合物之總單體成分中之多官能性單體之比例較佳為40質量%以下，更佳為30質量%以下。
丙烯酸系聚合物可將用以形成其之原料單體聚合而獲得。作為聚合方法，例如可列舉：溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合及懸浮聚合。就使用切晶帶10或切晶黏晶膜X之半導體裝置製造方法中之高度清潔性之觀點而言，較佳為切晶帶10或切晶黏晶膜X中之黏著劑層12中之低分子量物質較少，因此丙烯酸系聚合物之數量平均分子量較佳為10萬以上，更佳為20萬～300萬。
關於黏著劑層12或用以形成其之黏著劑，為提高丙烯酸系聚合物等基礎聚合物之數量平均分子量，例如可含有外部交聯劑。作為用以與丙烯酸系聚合物等基礎聚合物反應而形成交聯結構之外部交聯劑，可列舉：多異氰酸酯化合物、環氧化合物、多元醇化合物(多酚系化合物等)、氮丙啶化合物及三聚氰胺系交聯劑。黏著劑層12或用以形成其之黏著劑中之外部交聯劑之含量相對於基礎聚合物100質量份，較佳為6質量份以下，更佳為0.1～5質量份。
作為用以形成輻射硬化性黏著劑之上述輻射聚合性單體成分，例如可列舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯及1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯。作為用以形成輻射硬化性黏著劑之上述輻射聚合性低聚物成分，例如可列舉：胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物，較佳為分子量為100～30000左右者。輻射硬化性黏著劑中之輻射聚合性之單體成分或低聚物成分之總含量係於可藉由輻射照射而適宜降低所形成之黏著劑層12之黏著力之範圍內決定，相對於丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100質量份，例如為5～500質量份，較佳為40～150質量份。又，作為添加型之輻射硬化性黏著劑，例如可使用日本專利特開昭60-196956號公報中揭示者。
作為黏著劑層12中之輻射硬化性黏著劑，例如亦可列舉：含有於聚合物側鏈或聚合物主鏈中、聚合物主鏈末端具有輻射聚合性之碳-碳雙鍵等官能基之基礎聚合物的內在型輻射硬化性黏著劑。此種內在型輻射硬化性黏著劑於抑制因所形成之黏著劑層12內之低分子量成分之移動而引起之黏著特性之未意料之經時變化之方面較佳。
作為內在型輻射硬化性黏著劑中含有之基礎聚合物，較佳為以丙烯酸系聚合物為基本骨架者。作為形成此種基本骨架之丙烯酸系聚合物，可採用作為添加型輻射硬化性黏著劑中之丙烯酸系聚合物而上述者。作為於丙烯酸系聚合物中導入輻射聚合性之碳-碳雙鍵之方法，例如可列舉如下方法：使含有具有特定官能基(第1官能基)之單體之原料單體共聚而獲得丙烯酸系聚合物後，使具有可與第1官能基之間產生反應而鍵結之特定官能基(第2官能基)與輻射聚合性碳-碳雙鍵之化合物在維持碳-碳雙鍵之輻射聚合性之狀態下對丙烯酸系聚合物進行縮合反應或加成反應。
作為第1官能基與第2官能基之組合，例如可列舉：羧基與環氧基、環氧基與羧基、羧基與氮丙啶基、氮丙啶基與羧基、羥基與異氰酸基、異氰酸基與羥基。該等組合中，就反應追蹤之容易性之觀點而言，較佳為羥基與異氰酸基之組合或異氰酸基與羥基之組合。又，製作具有反應性較高之異氰酸基之聚合物時技術難度較高，故而就丙烯酸系聚合物之製作或獲取之容易性之方面而言，更佳為丙烯酸系聚合物側之上述第1官能基為羥基且上述第2官能基為異氰酸基之情形。於該情形時，作為一併具有輻射聚合性碳-碳雙鍵與作為第2官能基之異氰酸基的異氰酸酯化合物，即含輻射聚合性不飽和官能基之異氰酸酯化合物，例如可列舉：甲基丙烯醯基異氰酸酯、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(MOI)及間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯。
黏著劑層12中之輻射硬化性黏著劑較佳為含有光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，例如可列舉：α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、安息香醚系化合物、縮酮系化合物、芳香族磺醯氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、9-氧硫𠮿系化合物、樟腦醌、鹵代酮、醯基膦氧化物及醯基磷酸酯。作為α-酮醇系化合物，例如可列舉：4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮及1-羥基環己基苯基酮。作為苯乙酮系化合物，例如可列舉：甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、2,2-二乙氧基苯乙酮及2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-𠰌啉基丙烷-1-酮。作為安息香醚系化合物，例如可列舉：安息香乙醚、安息香異丙醚及茴香偶姻甲醚。作為縮酮系化合物，例如可列舉：苯偶醯二甲基縮酮。作為芳香族磺醯氯系化合物，例如可列舉：2-萘磺醯氯。作為光活性肟系化合物，例如可列舉：1-苯基-1,2-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟。作為二苯甲酮系化合物，例如可列舉：二苯甲酮、苯甲醯苯甲酸及3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮。作為9-氧硫系化合物，例如可列舉：9-氧硫、2-氯-9-氧硫𠮿、2-甲基-9-氧硫𠮿、2,4-二甲基-9-氧硫𠮿、異丙基-9-氧硫𠮿、2,4-二氯-9-氧硫𠮿、2,4-二乙基-9-氧硫𠮿及2,4-二異丙基-9-氧硫𠮿。黏著劑層12中之輻射硬化性黏著劑中之光聚合起始劑之含量相對於丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100質量份例如為0.05～20質量份。
黏著劑層12中之上述加熱發泡型黏著劑係含有藉由加熱而發泡或膨脹之成分之黏著劑。作為藉由加熱而發泡或膨脹之成分，例如可列舉：發泡劑及熱膨脹性微小球。
作為加熱發泡型黏著劑用之發泡劑，可列舉各種無機系發泡劑及有機系發泡劑。作為無機系發泡劑，例如可列舉：碳酸銨、碳酸氫銨、碳酸氫鈉、亞硝酸銨、硼氫化鈉及疊氮類。作為有機系發泡劑，例如可列舉：三氯單氟甲烷或二氯單氟甲烷等氯氟化烷烴；偶氮雙異丁腈或偶氮二甲醯胺、偶氮二甲酸鋇等偶氮系化合物；對甲苯磺醯肼或二苯基碸-3,3'-二磺醯肼、4,4'-氧基雙(苯磺醯肼)、烯丙基雙(磺醯肼)等肼系化合物；對甲苯基磺醯半卡肼或4,4'-氧基雙(苯磺醯半卡肼)等半卡肼系化合物；5-𠰌啉基-1,2,3,4-硫雜三唑等三唑系化合物以及N,N'-二亞硝基五亞甲基四胺或N,N'-二甲基-N,N'-二亞硝基對苯二甲醯胺等N-亞硝基系化合物。
作為加熱發泡型黏著劑用之熱膨脹性微小球，例如可列舉將利用加熱而容易地氣化膨脹之物質封入殼內之構成之微小球。作為藉由加熱而容易地氣化膨脹之物質，例如可列舉：異丁烷、丙烷及戊烷。藉由將利用加熱而容易地氣化膨脹之物質利用凝聚法或界面聚合法等封入至成殼物質內，可製作熱膨脹性微小球。作為成殼物質，可使用表現出熱熔融性之物質或可於封入物質之熱膨脹作用下破裂之物質。作為此種物質，例如可列舉：偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯及聚碸。
作為黏著劑層12中之上述黏著力非降低型黏著劑，例如可列舉感壓性黏著劑。作為該感壓性黏著劑，例如可使用以丙烯酸系聚合物為基礎聚合物之丙烯酸系黏著劑或橡膠系黏著劑。於黏著劑層12含有丙烯酸系黏著劑作為感壓性黏著劑之情形時，作為該丙烯酸系黏著劑之基礎聚合物之丙烯酸系聚合物較佳為含有源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元作為以質量比例計為最多之單體單元。作為此種丙烯酸系聚合物，例如可列舉上文有關輻射硬化性黏著劑所說明之丙烯酸系聚合物。
作為黏著劑層12中之感壓性黏著劑，可利用使上文有關黏著力降低型黏著劑所說明之輻射硬化性黏著劑藉由輻射照射而硬化之形態之黏著劑。作為此種完成硬化之輻射硬化型之黏著劑，根據聚合物成分之含量，即使黏著力經輻射照射而降低亦可顯示由該聚合物成分產生之黏著性，可於特定使用態樣下發揮可用於黏著保持被黏著體之黏著力。
於本實施形態之黏著劑層12中，可使用一種黏著力非降低型黏著劑，亦可使用兩種以上之黏著力非降低型黏著劑。又，可由黏著力非降低型黏著劑形成黏著劑層12之整體，亦可由黏著力非降低型黏著劑形成黏著劑層12之一部分。例如，於黏著劑層12具有單層構造之情形時，可由黏著力非降低型黏著劑形成黏著劑層12之整體，亦可由黏著力非降低型黏著劑形成黏著劑層12中之特定部位，由黏著力降低型黏著劑形成其他部位。又，於黏著劑層12具有積層構造之情形時，可由黏著力非降低型黏著劑形成構成積層構造之全部層，亦可由黏著力非降低型黏著劑形成積層構造中之一部分層。
黏著劑層12或用以形成其之黏著劑除上述各成分以外，亦可含有交聯促進劑或黏著賦予劑、防老化劑、著色劑等。作為著色劑，可列舉顏料及染料。又，著色劑可為接受輻射照射而著色之化合物。作為此種化合物，例如可列舉隱色染料。
黏著劑層12之厚度較佳為1～50 μm，更佳為2～30 μm，更佳為5～25 μm。此種構成例如於如下方面適合：於黏著劑層12含有輻射硬化性黏著劑之情形時取得該黏著劑層12於輻射硬化前後對黏接著劑層20之接著力之平衡性。
切晶黏晶膜X之黏接著劑層20兼具作為顯示黏晶用之熱硬化性之接著劑之功能、及用以保持半導體晶圓等工件與下述環狀框等框構件之黏著功能。於本實施形態中，用以形成黏接著劑層20之黏接著劑可具有含有熱硬化性樹脂與例如作為黏合劑成分之熱塑性樹脂之組成，亦可具有含有附帶可與硬化劑反應而生成鍵之熱硬化性官能基之熱塑性樹脂之組成。於用以形成黏接著劑層20之黏接著劑具有含有附帶熱硬化性官能基之熱塑性樹脂之組成之情形時，該黏接著劑無需進而含有熱硬化性樹脂(環氧樹脂)。此種黏接著劑層20可具有單層構造，亦可具有多層構造。
於黏接著劑層20含有熱硬化性樹脂之同時含有熱塑性樹脂之情形時，作為該熱硬化性樹脂，例如可列舉：環氧樹脂、酚樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂及熱硬化性聚醯亞胺樹脂。作為黏接著劑層20中之熱硬化性樹脂，可使用一種樹脂，亦可使用兩種以上之樹脂。作為黏接著劑層20中所含之熱硬化性樹脂，較佳為環氧樹脂，其原因在於存在可成為黏晶對象之半導體晶片之腐蝕原因之離子性雜質等之含量較少之傾向。又，作為環氧樹脂之硬化劑，較佳為酚樹脂。
作為環氧樹脂，例如可列舉：雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、茀型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥基苯基甲烷型、四酚基乙烷型、乙內醯脲型、異氰尿酸三縮水甘油酯型及縮水甘油胺型之環氧樹脂。酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂及四酚基乙烷型環氧樹脂就富有與作為硬化劑之酚樹脂之反應性且耐熱性優異之方面而言，作為黏接著劑層20中含有之環氧樹脂較佳。
作為可用作環氧樹脂之硬化劑之酚樹脂，例如可列舉：酚醛清漆型酚樹脂、可溶酚醛型酚樹脂及聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯。作為酚醛清漆型酚樹脂，例如可列舉：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂及壬基苯酚酚醛清漆樹脂。作為可用作環氧樹脂之硬化劑之酚樹脂，可使用一種酚樹脂，亦可使用兩種以上之酚樹脂。苯酚酚醛清漆樹脂或苯酚芳烷基樹脂由於在用作作為黏晶用接著劑之環氧樹脂之硬化劑之情形時有可提高該接著劑之連接可靠性之傾向，故而作為黏接著劑層20中含有之環氧樹脂之硬化劑較佳。
就使黏接著劑層20中之環氧樹脂與酚樹脂之硬化反應充分進行之觀點而言，酚樹脂以相對於環氧樹脂成分中之環氧基每1當量，該酚樹脂中之羥基較佳為0.5～2.0當量，更佳為0.8～1.2當量之量，含有於黏接著劑層20中。
作為黏接著劑層20中之熱硬化性樹脂之含有比例，就於黏接著劑層20中適當表現作為熱硬化型接著劑之功能之觀點而言，較佳為5～60質量%，更佳為10～50質量%。
作為黏接著劑層20中所含之熱塑性樹脂，例如可列舉：天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6-尼龍或6,6-尼龍等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸系樹脂、PET或PBT等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂及氟樹脂。作為黏接著劑層20中之熱塑性樹脂，可使用一種樹脂，亦可使用兩種以上之樹脂。作為黏接著劑層20中所含之熱塑性樹脂，較佳為丙烯酸系樹脂，其原因在於：離子性雜質較少且耐熱性較高，因此易於確保由黏接著劑層20產生之接合可靠性。又，就兼顧黏接著劑層20對下述環狀框等框構件之於室溫及其附近之溫度下之貼合性與剝離時殘渣之防止之觀點而言，黏接著劑層20較佳為含有玻璃轉移溫度為-10～10℃之聚合物作為熱塑性樹脂之主成分。所謂熱塑性樹脂之主成分係指熱塑性樹脂成分中占最大質量比例之樹脂成分。
關於聚合物之玻璃轉移溫度，可使用基於下述Fox式而求出之玻璃轉移溫度(理論值)。Fox式係聚合物之玻璃轉移溫度Tg與該聚合物之每個構成單體之均聚物之玻璃轉移溫度Tgi之關係式。下述Fox式中，Tg表示聚合物之玻璃轉移溫度(℃)，Wi表示構成該聚合物之單體i之重量分率，Tgi表示單體i之均聚物之玻璃轉移溫度(℃)。關於均聚物之玻璃轉移溫度，可使用文獻值。例如於「新高分子文庫7 塗料用合成樹脂入門」(北岡協三著，高分子刊行會，1995年)或「丙烯酸酯目錄(1997年度版)」(三菱麗陽股份有限公司)中列舉有各種均聚物之玻璃轉移溫度。另一方面，關於單體之均聚物之玻璃轉移溫度，亦可藉由日本專利特開2007-51271號公報中具體揭示之方法而求得。
Fox式 1/(273＋Tg)＝Σ[Wi/(273＋Tgi)]
於黏接著劑層20中作為熱塑性樹脂而含有之丙烯酸系樹脂較佳為含有源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元作為以質量比例計為最多之主要單體單元。作為此種(甲基)丙烯酸酯，例如可使用與有關作為黏著劑層12形成用之輻射硬化性黏著劑之一成分之丙烯酸系聚合物而於上文所述者相同之(甲基)丙烯酸酯。於黏接著劑層20中作為熱塑性樹脂而含有之丙烯酸系樹脂可含有源自可與(甲基)丙烯酸酯共聚之其他單體之單體單元。作為此種其他單體成分，例如可列舉：含羧基之單體、酸酐單體、含羥基之單體、含縮水甘油基之單體、含磺酸基之單體、含磷酸基之單體、丙烯醯胺、丙烯腈等含官能基之單體或各種多官能性單體，具體而言，可使用與作為有關作為黏著劑層12形成用之輻射硬化性黏著劑之一成分之丙烯酸系聚合物之可與(甲基)丙烯酸酯共聚之其他單體而於上文所述者相同者。就於黏接著劑層20中實現較高之凝集力之觀點而言，黏接著劑層20中所含之該丙烯酸系樹脂較佳為(甲基)丙烯酸酯與含羧基之單體與含氮原子之單體與多官能性單體之共聚物。作為該(甲基)丙烯酸酯，較佳為烷基之碳數為4以下之(甲基)丙烯酸烷基酯。作為該多官能性單體，較佳為聚縮水甘油基系多官能單體。黏接著劑層20中所含之該丙烯酸系樹脂更佳為丙烯酸乙酯與丙烯酸丁酯與丙烯酸與丙烯腈與聚(甲基)丙烯酸縮水甘油酯之共聚物。
於黏接著劑層20含有附帶熱硬化性官能基之熱塑性樹脂之情形時，作為該熱塑性樹脂，例如可使用含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂。用以形成該含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂之丙烯酸系樹脂較佳為含有源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元作為以質量比例計為最多之主要單體單元。作為此種(甲基)丙烯酸酯，例如可使用與有關作為黏著劑層12形成用之輻射硬化性黏著劑之一成分之丙烯酸系聚合物而於上文所述者相同之(甲基)丙烯酸酯。另一方面，作為用以形成含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂之熱硬化性官能基，例如可列舉：縮水甘油基、羧基、羥基及異氰酸基。該等之中，可較佳地使用縮水甘油基及羧基。即，作為含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂，可較佳地使用含縮水甘油基之丙烯酸系樹脂或含羧基之丙烯酸系樹脂。又，作為含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂之硬化劑，例如可使用作為有時作為黏著劑層12形成用之輻射硬化性黏著劑之一成分之外部交聯劑而於上文所述者。於含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂中之熱硬化性官能基為縮水甘油基之情形時，可較佳地使用多酚系化合物作為硬化劑，例如可使用上述各種酚樹脂。
關於為黏晶而硬化前之黏接著劑層20，為實現某種程度之交聯度，例如較佳為預先於黏接著劑層形成用樹脂組合物中調配可與黏接著劑層20中所含之上述樹脂之分子鏈末端之官能基等反應並鍵結之多官能性化合物作為交聯劑。此種構成對黏接著劑層20而言，於提高高溫下之接著特性、又謀求耐熱性之改善之方面較佳。作為此種交聯劑，例如可列舉多異氰酸酯化合物。作為多異氰酸酯化合物，例如可列舉：甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯及多元醇與二異氰酸酯之加成物。作為黏接著劑層形成用樹脂組合物中之交聯劑含量，相對於具有可與該交聯劑反應並鍵結之上述官能基之樹脂100質量份，就形成之黏接著劑層20之凝集力提昇之觀點而言，較佳為0.05質量份以上，就形成之黏接著劑層20之接著力提昇之觀點而言，較佳為7質量份以下。又，作為黏接著劑層20中之交聯劑，可與多異氰酸酯化合物併用環氧樹脂等其他多官能性化合物。
黏接著劑層20中之如以上之高分子量成分之含有比例較佳為50～100質量%，更佳為50～80質量%。所謂高分子量成分係指重量平均分子量為10000以上之成分。此種構成於謀求兼顧黏接著劑層20對下述環狀框等框構件之於室溫及其附近之溫度下之貼合性與剝離時殘渣之防止之方面較佳。又，黏接著劑層20可含有於23℃下為液狀之液狀樹脂。於黏接著劑層20含有此種液狀樹脂之情形時，黏接著劑層20中之該液狀樹脂之含有比例較佳為1～10質量%，更佳為1～5質量%。此種構成於謀求兼顧黏接著劑層20對下述環狀框等框構件之於室溫及其附近之溫度下之貼合性與剝離時殘渣之防止之方面較佳。
黏接著劑層20可含有填料。藉由於黏接著劑層20中調配填料，可調整黏接著劑層20之拉伸儲存模數等彈性模數或導電性、導熱性等物性。作為填料，可列舉無機填料及有機填料，尤佳為無機填料。作為無機填料，例如可列舉：氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶鬚、氮化硼、結晶質二氧化矽、非晶質二氧化矽，此外亦可列舉鋁、金、銀、銅、鎳等金屬單質或合金、非晶形碳黑、石墨。填料可具有球狀、針狀、片狀等各種形狀。黏接著劑層20中可調配一種填料，亦可調配兩種以上之填料。就確保黏接著劑層20對下述環狀框等框構件之貼合性之方面而言，黏接著劑層20中之填料含有比例較佳為30質量%以下，更佳為25質量%以下。
黏接著劑層20含有填料之情形時之該填料之平均粒徑較佳為0.005～10 μm，更佳為0.005～1 μm。該填料之平均粒徑為0.005 μm以上之構成於如下方面適合：於黏接著劑層20中，實現對半導體晶圓等被黏著體之較高潤濕性或接著性。該填料之平均粒徑為10 μm以下之構成於如下方面適合：於黏接著劑層20中享受充分之填料添加效果並且確保耐熱性。填料之平均粒徑例如可使用光度式之粒度分佈計(商品名「LA-910」，堀場製作所股份有限公司製造)而求得。
黏接著劑層20視需要可含有一種或兩種以上之其他成分。作為該其他成分，例如可列舉：阻燃劑、矽烷偶合劑及離子捕捉劑。作為阻燃劑，例如可列舉：三氧化銻、五氧化銻及溴化環氧樹脂。作為矽烷偶合劑，例如可列舉：β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷及γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷。作為離子捕捉劑，例如可列舉：水滑石類、氫氧化鉍、含水氧化銻(例如東亞合成股份有限公司製造之「IXE-300」)、特定結構之磷酸鋯(例如東亞合成股份有限公司製造之「IXE-100」)、矽酸鎂(例如協和化學工業股份有限公司製造之「KYOWAAD 600」)及矽酸鋁(例如協和化學工業股份有限公司製造之「KYOWAAD 700」)。可與金屬離子之間形成錯合物之化合物亦可用作離子捕捉劑。作為此種化合物，例如可列舉：三唑系化合物、四唑系化合物及聯吡啶系化合物。該等之中，就與金屬離子之間形成之錯合物之穩定性之觀點而言，較佳為三唑系化合物。作為此種三唑系化合物，例如可列舉：1,2,3-苯并三唑、1-{N,N-雙(2-乙基己基)胺基甲基}苯并三唑、羧基苯并三唑、2-(2-羥基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二第三丁基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羥基-3-第三丁基-5-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二第三戊基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-5-第三辛基苯基)苯并三唑、6-(2-苯并三唑基)-4-第三辛基-6'-第三丁基-4'-甲基-2,2'-亞甲基雙酚、1-(2,3-二羥基丙基)苯并三唑、1-(1,2-二羧基二乙基)苯并三唑、1-(2-乙基己基胺基甲基)苯并三唑、2,4-二第三戊基-6-{(H-苯并三唑-1-基)甲基}苯酚、2-(2-羥基-5-第三丁基苯基)-2H-苯并三唑、3-[3-第三丁基-4-羥基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸辛酯、3-[3-第三丁基-4-羥基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸2-乙基己酯、2-(2H-苯并三唑-2-基)-6-(1-甲基-1-苯基乙基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-第三丁基苯酚、2-(2-羥基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-5-第三辛基苯基)-苯并三唑、2-(3-第三丁基-2-羥基-5-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二第三戊基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二第三丁基苯基)-5-氯-苯并三唑、2-[2-羥基-3,5-二(1,1-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并三唑、2,2'-亞甲基雙[6-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚]、(2-[2-羥基-3,5-雙(α,α-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并三唑及3-[3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-第三丁基-4-羥基苯基]丙酸甲酯。又，氫醌化合物或羥基蒽醌化合物、多酚化合物等特定之含羥基化合物亦可用作離子捕捉劑。作為此種含羥基化合物，具體可列舉：1,2-苯二酚、茜素、1,5-二羥蒽醌、單寧、沒食子酸、沒食子酸甲酯及鄰苯三酚。
黏接著劑層20之厚度例如為1～200之μm之範圍內。該厚度之上限較佳為100 μm，更佳為80 μm。該厚度之下限較佳為3 μm，更佳為5 μm。
黏接著劑層20中形成與隔離件S之界面之面20a之表面自由能(第1表面自由能)為28～40 mJ/m2 ，較佳為28～37 mJ/m2 ，更佳為28～34 mJ/m2 。關於黏接著劑層20之面20a之表面自由能，例如可藉由關於用作黏接著劑層20中之成分之聚合物之材料設計而調整。例如，於使用丙烯酸系聚合物作為黏接著劑層20中之成分之情形時，作為該丙烯酸系聚合物之構成單體，存在低極性單體之比例越高，黏接著劑層20之表面自由能變得越小之傾向，作為同一構成單體，存在高極性單體之比例越高，黏接著劑層20之表面自由能變得越大之傾向。
隔離件S係用以被覆並保護切晶黏晶膜X之黏接著劑層20之表面之元件，使用切晶黏晶膜X時自該膜剝離。作為隔離件S，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、藉由氟系剝離劑或丙烯酸長鏈烷基酯系剝離劑等剝離劑進行表面塗佈之塑膠膜或紙類等。
隔離件S之面Sa較佳為經非聚矽氧處理。即，隔離件S具有用以形成與黏接著劑層20之界面之非聚矽氧處理面。作為用以於隔離件S形成非聚矽氧處理面之非聚矽氧處理，例如可列舉藉由非聚矽氧系脫模劑之脫模處理(脫模層之形成)。作為非聚矽氧系脫模劑，例如可列舉：長鏈烷基聚合物系脫模劑及氟樹脂系脫模劑。作為長鏈烷基聚合物系脫模劑，例如可列舉：具有碳數8以上之長鏈烷基且顯示脫模性之聚合物(脫模性聚合物)。就脫模性之觀點而言，該長鏈烷基之碳數較佳為8以上，例如為8〜50左右。作為碳數8以上之長鏈烷基，例如可列舉：辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十六烷基、十八烷基及二十烷基。作為脫模性聚合物，可列舉：具有此種長鏈烷基之丙烯酸烷基酯及/或甲基丙烯酸烷基酯與丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯腈等含極性基之單體之共聚物(丙烯酸系聚合物)。又，作為脫模性聚合物，亦可列舉：藉由至少具有一個可與活性氫反應之官能基且具有碳數8以上之烷基之長鏈烷基化合物而將含活性氫基之聚合物改性者。作為含活性氫基之聚合物，例如可列舉：部分皂化聚乙酸乙烯酯、聚乙烯醇、乙烯-乙烯醇、丁醛樹脂、聚伸乙基亞胺、纖維素樹脂、甲基丙烯酸甲酯-丙烯酸共聚物、胺基甲酸酯樹脂、醇酸樹脂、三聚氰胺樹脂及烯烴樹脂。作為可與活性氫反應之上述官能基，例如可列舉：異氰酸基、羧酸基、醯鹵、乙烯酮基、醛基及環氧基。作為具有可與活性氫反應之官能基之上述長鏈烷基化合物，例如可列舉：異氰酸十八烷基酯、異氰酸二十二烷基酯、十八酸、二十二酸、十八醯氟及二十二醯氯。作為氟樹脂系脫模劑，例如可列舉：聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基氟樹脂(PFA)、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(FEP)、乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)、乙烯-氯三氟乙烯共聚物(ECTFE)及聚偏二氟乙烯(PVDF)。
隔離件S中用以形成與黏接著劑層20之界面之面Sa之表面自由能(第2表面自由能)為14～35 mJ/m2 ，較佳為17～35 mJ/m2 ，更佳為20～35 mJ/m2 。關於隔離件S之面Sa之表面自由能，於對隔離件S之面Sa實施非聚矽氧處理之情形時，例如可藉由所使用之脫模劑之種類或濃度而調整。
自上述第1表面自由能減去此種第2表面自由能之值為0～19 mJ/m2 ，較佳為0～16 mJ/m2 ，更佳為0～13 mJ/m2 。
此種隔離件S之厚度例如為5～200 μm。又，隔離件S可為長條狀。於該情形時，例如，分別包含切晶帶10與黏接著劑層20之複數個積層體於長條狀之隔離件S上例如以等間隔配置，且該隔離件S被捲繞而成為滾筒之形態。
於切晶黏晶膜X中，隔離件S於25℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/分鐘之條件下之剝離試驗中對黏接著劑層20顯示較佳為0.04 N/10 mm以上，更佳為0.05 N/10 mm以上之180°剝離黏著力。
於切晶黏晶膜X中，隔離件S於25℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/分鐘之條件下之剝離試驗中對黏接著劑層20顯示較佳為0.1 N/10 mm以下，更佳為0.095 N/10 mm以下之180°剝離黏著力。
於本實施形態中，於切晶黏晶膜X之面內方向D，黏接著劑層20之外周端20e距離切晶帶10中之基材11之外周端11e及黏著劑層12之外周端12e為1000 μm以內，較佳為700 μm以內，更佳為500 μm以內，更佳為300 μm以內。即，黏接著劑層20之外周端20e之整個全周，於膜面內方向D，相對於基材11及黏著劑層12之外周端11e、12e，為內側1000 μm至外側1000 μm之間，較佳為內側700 μm至外側700 μm之間，更佳為內側500 μm至外側500 μm之間，更佳為內側300 μm至外側300 μm之間。切晶帶10或其黏著劑層12與其上之黏接著劑層20於面內方向D具有實質相同之尺寸之該構成中，黏接著劑層20如上所述，於面20a側除工件貼合用區域外亦包含框構件貼合用區域。
具有如以上之構成之切晶黏晶膜X例如可藉由以下方式而製造。
首先，如圖2(a)所示，於長條狀之隔離件S上形成黏接著劑組合物層C1。黏接著劑組合物層C1可藉由將製備為黏接著劑層20形成用之黏接著劑組合物塗佈於隔離件S上而形成。作為黏接著劑組合物之塗佈方法，例如可列舉：輥塗、網版塗佈及凹版塗佈。
其次，如圖2(b)所示，於黏接著劑組合物層C1上形成黏著劑組合物層C2。黏著劑組合物層C2可藉由將製備為黏著劑層12形成用之黏著劑組合物塗佈於黏接著劑組合物C1上而形成。作為黏著劑組合物之塗佈方法，例如可列舉：輥塗、網版塗佈及凹版塗佈。
其次，藉由經過隔離件S上之黏接著劑組合物層C1及黏著劑組合物層C2之一次性加熱處理，如圖2(c)所示形成黏接著劑層20'及黏著劑層12'。於該加熱處理中，視需要使兩層乾燥，又，兩層中視需要使之產生交聯反應。加熱溫度例如為60～175℃，加熱時間例如為0.5～5分鐘。黏接著劑層20'係加工形成為上述黏接著劑層20者。黏著劑層12'係加工形成為上述黏著劑層12者。
其次，如圖2(d)所示，於黏著劑層12'上壓接並貼合基材11'。基材11'係加工形成為上述基材11者。樹脂製之基材11'可藉由壓延製膜法、有機溶劑中之流延法、密閉系統中之吹脹擠出法、T型模頭擠出法、共擠出法、乾式層壓法等製膜方法而製作。視需要對製膜後之膜或基材11'實施特定之表面處理。於本步驟中，貼合溫度例如為30～50℃，較佳為35～45℃。貼合壓力(線壓)例如為0.1～20 kgf/cm，較佳為1～10 kgf/cm。藉由本步驟，獲得具有隔離件S、黏接著劑層20'、黏著劑層12'及基材11'之積層構造之長條狀之積層片材體。
其次，如圖3(a)所示，對上述積層片材體實施使加工刀自基材11'側刺入至隔離件S為止之加工(圖3(a)中模式地以粗實線表示切斷部位)。例如，使積層片材體以固定速度於一方向F流動，並且使以可圍繞與該方向F正交之軸心旋轉之方式配置，且於輥表面附帶衝壓加工用之加工刀之附加工刀之旋轉輥(未圖示)之附加工刀之表面附上特定之按壓力而抵接於積層片材體之基材11'側。藉此，一次性加工形成切晶帶10(基材11、黏著劑層12)與黏接著劑層20。分別包含切晶帶與黏接著劑層20之複數個積層體如此於隔離件S上加工形成後，如圖3(b)所示，自隔離件S上去除各積層體(切晶帶10、黏接著劑層20)之周圍之材料積層部。
藉由以上之方式，可製造切晶黏晶膜X。
切晶黏晶膜X具備切晶帶10上之作為黏晶膜之特定之黏接著劑層20及用以被覆其之特定之隔離件S，如上所述，黏接著劑層20之作為隔離件側表面之面20a之第1表面自由能為28～40 mJ/m2 ，較佳為28～37 mJ/m2 ，更佳為28～34 mJ/m2 ，隔離件S之作為黏接著劑層側表面之Sa之第2表面自由能為14～35 mJ/m2 ，較佳為17～35 mJ/m2 ，更佳為20～35 mJ/m2 ，自第1表面自由能減去第2表面自由能之值為0～19 mJ/m2 ，較佳為0～16 mJ/m2 ，更佳為0～13 mJ/m2 。關於黏接著劑層20與隔離件S之界面之第1及第2表面自由能之此種構成適合實現作為黏晶膜之黏接著劑層20與隔離件S之間之良好之剝離性，並且適合例如於如圖4(a)所示之衝壓加工時，抑制隆起而形成黏接著劑層20及隔離件S。具體而言，如下所述。
黏接著劑層20之面20a之第1表面自由能為28 mJ/m2 以上之構成於確保黏接著劑層20之對框構件黏著力之方面較佳。該第1表面自由能為40 mJ/m2 以下，較佳為37 mJ/m2 以下，更佳為34 mJ/m2 以下之構成於確保黏接著劑層20與框構件之間之良好之剝離性之方面較佳。隔離件S之面Sa之第2表面自由能為14 mJ/m2 以上，較佳為17 mJ/m2 以上，更佳為20 mJ/m2 以上之構成於在黏接著劑層20與隔離件S之間獲得充分之密接力之方面較佳。該第2表面自由能為35 mJ/m2 以下之構成於確保黏接著劑層20與隔離件S之間之良好之剝離性之方面較佳。並且，自第1表面自由能減去第2表面自由能之值為0～19 mJ/m2 ，較佳為0～16 mJ/m2 ，更佳為0～13 mJ/m2 之構成適合於切晶黏晶膜X之製造過程中，抑制隆起並藉由衝壓加工而形成黏接著劑層20與隔離件S。
關於適合確保作為黏晶膜之黏接著劑層20之對框構件黏著力並且確保黏接著劑層20與隔離件S之間之良好之剝離性的切晶黏晶膜X，可以於該黏接著劑層20中除工件貼合用區域外亦包含框構件貼合用區域之方式，將切晶帶10或其黏著劑層12與其上之黏接著劑層20設計為於膜面內方向為實質相同之尺寸。具體而言，如上所述，可採用如下設計：於切晶黏晶膜X之面內方向，接著劑層20之外周端20e距離切晶帶10之基材11及黏著劑層12之外周端11e、12e為1000 μm以內，較佳為700 μm以內，更佳為500 μm以內，更佳為300 μm以內。此種構成之切晶黏晶膜X適合以一個衝壓加工一次性地實施用以形成具有基材11與黏著劑層12之積層構造之一個切晶帶10之加工、及用以形成一個黏接著劑層20之加工。並且，自黏接著劑層20之第1表面自由能減去隔離件S之第2表面自由能之值為0～19 mJ/m2 ，較佳為0～16 mJ/m2 ，更佳為0～13 mJ/m2 之上述構成適合抑制因此種衝壓加工時之加工刀之刺入而導致之黏接著劑層20與隔離件S之間之部分剝離或隆起之發生。
如上所述，切晶黏晶膜X適合實現黏接著劑層20與隔離件S之間之良好之剝離性，並且適合於衝壓加工時抑制隆起而形成黏接著劑層20及隔離件S。
於切晶黏晶膜X中，隔離件S如上所述，於25℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/分鐘之條件下之剝離試驗中，對黏接著劑層20顯示較佳為0.04 N/10 mm以上，更佳為0.05 N/10 mm以上之180°剝離黏著力。此種構成於在切晶黏晶膜X之製造過程中，於衝壓加工時抑制隆起而形成黏接著劑層20及用以被覆其之隔離件S之方面較佳。
於切晶黏晶膜X中，隔離件S如上所述，於25℃、剝離角度180°及拉伸速度300 mm/分鐘之條件下之剝離試驗中，對黏接著劑層20顯示較佳為0.1 N/10 mm以下，更佳為0.095 N/10 mm以下之180°剝離黏著力。此種構成於實現黏接著劑層20與隔離件S之間之良好之剝離性之方面較佳。
隔離件S如上所述，較佳為具有用以形成與黏接著劑層20之界面之非聚矽氧處理面。此種構成適合實現處於上述範圍內之180°剝離黏著力。
圖4至圖9係表示本發明之一實施形態之半導體裝置製造方法。
於本半導體裝置製造方法中，首先，如圖4(a)及圖4(b)所示，於半導體晶圓W上形成分割槽30a(分割槽形成步驟)。半導體晶圓W具有第1面Wa及第2面Wb。於半導體晶圓W之第1面Wa側已製作有各種半導體元件(未圖示)，且已於第1面Wa上形成該半導體元件所需之配線構造等(未圖示)。於本步驟中，將具有黏著面T1a之晶圓加工用帶T1貼合於半導體晶圓W之第2面Wb側後，於半導體晶圓W由晶圓加工用帶T1保持之狀態下，使用切晶裝置等之旋轉切刀於半導體晶圓W之第1面Wa側形成特定深度之分割槽30a。分割槽30a係用以將半導體晶圓W分離為半導體晶片單元之空隙(圖4至圖6中將分割槽30a模式地以粗實線表示)。
其次，如圖4(c)所示，進行具有黏著面T2a之晶圓加工用帶T2於半導體晶圓W之第1面Wa側之貼合、及晶圓加工用帶T1自半導體晶圓W之剝離。
其次，如圖4(d)所示，於半導體晶圓W由晶圓加工用帶T2保持之狀態下，藉由對半導體晶圓W自第2面Wb進行研削加工而使之薄化至特定厚度(晶圓薄化步驟)。研削加工可使用具備研削石之研削加工裝置而進行。藉由該晶圓薄化步驟，於本實施形態中形成可單片化成複數個半導體晶片31之半導體晶圓30A。作為半導體晶圓30A，具體而言，該晶圓中具有於第2面Wb側將單片化成複數個半導體晶片31之部位連結之部位(連結部)。半導體晶圓30A之連結部之厚度，即，半導體晶圓30A之第2面Wb與分割槽30a之第2面Wb側末端之間之距離例如為1～30 μm，較佳為3～20 μm。
其次，如圖5(a)所示，將由晶圓加工用帶T2保持之半導體晶圓30A對剝離隔離件S之切晶黏晶膜X之黏接著劑層20進行貼合。其後，如圖5(b)所示，自半導體晶圓30A剝離晶圓加工用帶T2。於切晶黏晶膜X之黏著劑層12為輻射硬化性黏著劑層之情形時，可於半導體晶圓30A貼合於黏接著劑層20之後，自基材11側對黏著劑層12照射紫外線等輻射，代替切晶黏晶膜X之製造過程中之上述輻射照射。照射量例如為50～500 mJ/cm2 ，較佳為100～300 mJ/cm2 。於切晶黏晶膜X中進行作為黏著劑層12之黏著力降低措施之照射之區域(圖1所示之照射區域R)例如為黏著劑層12之黏接著劑層20貼合區域內之除去其周緣部以外之區域。
其次，於切晶黏晶膜X之黏接著劑層20上貼附環狀框41後，如圖6(a)所示，將附帶半導體晶圓30A之該切晶黏晶膜X固定於擴展裝置之保持器42。
其次，如圖6(b)所示，進行於相對低溫之條件下之第1擴展步驟(冷擴展步驟)，將半導體晶圓30A單片化成複數個半導體晶片31，並且將切晶黏晶膜X之黏接著劑層20割斷為小片之黏接著劑層21，而獲得附黏接著劑層之半導體晶片31。於本步驟中，使擴展裝置所具備之中空圓柱形狀之頂起構件43於切晶黏晶膜X之圖中下側抵接於切晶帶10並使之上升，使貼合有半導體晶圓30A之切晶黏晶膜X之切晶帶10以於包含半導體晶圓30A之徑向及圓周方向之二維方向上被拉伸之方式擴展。該擴展係於切晶帶10中產生例如15～32 MPa，較佳為20～32 MPa之範圍內之拉伸應力之條件下進行。冷擴展步驟之溫度條件例如為0℃以下，較佳為-20～-5℃，更佳為-15～-5℃，更佳為-15℃。冷擴展步驟之擴展速度(頂起構件43上升之速度)較佳為0.1～100 mm/秒。又，冷擴展步驟之擴展量較佳為3～16 mm。
於本步驟中，半導體晶圓30A中於薄壁且易破裂之部位產生割斷而單片化成半導體晶片31。並且，於本步驟中，與受到擴展之切晶帶10之黏著劑層12密接之黏接著劑層20中，於各半導體晶片31所密接之各區域中變形得以抑制，另一方面，於與半導體晶片31間之分割槽對向之部位中，於未產生此種變形抑制作用之狀態下，切晶帶10所產生之拉伸應力發揮作用。其結果，黏接著劑層20中，與半導體晶片31間之分割槽對向之部位發生割斷。本步驟後，如圖6(c)所示，使頂起構件43下降，解除切晶帶10之擴展狀態。
其次，如圖7(a)所示進行於相對高溫之條件下之第2擴展步驟，從而將附黏接著劑層之半導體晶片31間之距離(隔開距離)擴寬。於本步驟中，使擴展裝置所具備之中空圓柱形狀之頂起構件43再次上升，將切晶黏晶膜X之切晶帶10擴展。第2擴展步驟之溫度條件例如為10℃以上，較佳為15～30℃。第2擴展步驟之擴展速度(頂起構件43上升之速度)例如為0.1～10 mm/秒，較佳為0.3～1 mm/秒。又，第2擴展步驟之擴展量例如為3～16 mm。於本步驟中將附黏接著劑層之半導體晶片31之隔開距離擴寬至可藉由下述拾取步驟而適宜地自切晶帶10拾取附黏接著劑層之半導體晶片31之程度。本步驟後，如圖7(b)所示，使頂起構件43下降，解除切晶帶10之擴展狀態。就抑制切晶帶10上之附黏接著劑層之半導體晶片31之隔開距離於擴展狀態解除後縮小之方面而言，較佳為於解除擴展狀態之前，將切晶帶10之半導體晶片31保持區域外側之部分加熱而使之收縮。
其次，視需要經過使用水等清洗液對附帶附黏接著劑層之半導體晶片31之切晶帶10之半導體晶片31側進行清洗之清潔步驟後，如圖8所示，將附黏接著劑層之半導體晶片31自切晶帶10拾取(拾取步驟)。例如，於切晶帶10之圖中下側，使拾取機構之銷構件44上升而隔著切晶帶10將拾取對象之附黏接著劑層之半導體晶片31頂起後，藉由吸附治具45而吸附保持。於拾取步驟中，銷構件44之頂起速度例如為1～100 mm/秒，銷構件44之頂起量例如為50～3000 μm。
其次，如圖9(a)所示，將拾取之附黏接著劑層之半導體晶片31隔著黏接著劑層21對特定之被黏著體51暫時固定。作為被黏著體51，例如可列舉：引線框架、TAB(Tape Automated Bonding，捲帶式自動接合)膜、配線基板及另外製作之半導體晶片。黏接著劑層21之暫時固定時之25℃下之剪切接著力對被黏著體51較佳為0.2 MPa以上，更佳為0.2～10 MPa。黏接著劑層21之該剪切接著力為0.2 MPa以上之構成適合於下述打線接合步驟中，抑制因超音波振動或加熱而於黏接著劑層21與半導體晶片31或被黏著體51之接著面產生之剪切變形，從而適宜地進行打線接合。
其次，如圖9(b)所示，將半導體晶片31之電極墊(未圖示)與被黏著體51所具有之端子部(未圖示)經由接合線52電性連接(打線接合步驟)。半導體晶片31之電極墊或被黏著體51之端子部與接合線52之接線係藉由伴隨加熱之超音波熔接而實現，以不使黏接著劑層21熱硬化之方式進行。作為接合線52，例如可使用：金線、鋁線或銅線。打線接合中之線加熱溫度例如為80～250℃，較佳為80～220℃。又，其加熱時間為數秒～數分鐘。
其次，如圖9(c)所示，藉由用以保護被黏著體51上之半導體晶片31或接合線52之密封樹脂53而密封半導體晶片31(密封步驟)。於本步驟中，進行黏接著劑層21之熱硬化。於本步驟中，例如藉由使用模具進行之轉注成形技術而形成密封樹脂53。作為密封樹脂53之構成材料，例如可列舉環氧系樹脂。於本步驟中，用以形成密封樹脂53之加熱溫度例如為165～185℃，加熱時間例如為60秒～數分鐘。於本步驟(密封步驟)中密封樹脂53未充分硬化之情形時，於本步驟後進行用以使密封樹脂53完全硬化之後硬化步驟。即使於密封步驟中黏接著劑層21未完全熱硬化之情形時，亦可於後硬化步驟中使黏接著劑層21與密封樹脂53一同完全熱硬化。於後硬化步驟中，加熱溫度例如為165～185℃，加熱時間例如為0.5～8小時。
藉由以上之方式，可製造半導體裝置。
於本實施形態中，如上所述，將附黏接著劑層之半導體晶片31暫時固定於被黏著體51後，於黏接著劑層21未達到完全熱硬化之狀態下進行打線接合步驟。亦可代替此種構成，將附黏接著劑層之半導體晶片31暫時固定於被黏著體51後，使黏接著劑層21熱硬化後進行打線接合步驟。
於半導體裝置製造方法中，參照圖4(c)經過上述過程後，可進行圖10所示之晶圓薄化步驟代替參照圖4(d)之上述晶圓薄化步驟。於圖10所示之晶圓薄化步驟中，於半導體晶圓W由晶圓加工用帶T2保持之狀態下，藉由自第2面Wb之研削加工而將該晶圓薄化至特定厚度，形成包含複數個半導體晶片31且由晶圓加工用帶T2保持之半導體晶圓分割體30B。於本步驟中，可採用對晶圓進行研削直至分割槽30a自身於第2面Wb側露出為止的方法(第1方法)，亦可採用如下方法：自第2面Wb側對晶圓進行研削直至即將到達分割槽30a，其後，藉由自旋轉磨石對晶圓之按壓力之作用，使分割槽30a與第2面Wb之間產生裂痕從而形成半導體晶圓分割體30B(第2方法)。根據所採用之方法，適當決定參照圖4(a)及圖4(b)如上所述般形成之分割槽30a距離第1面Wa之深度。於圖10中，以粗實線模式地表示經過第1方法之分割槽30a或經過第2方法之分割槽30a及與其相連之裂痕。於本實施形態中，可將如此製作之半導體晶圓分割體30B代替上述半導體晶圓30A對剝離隔離件S之切晶黏晶膜X進行貼合後，參照圖5至圖9進行上述各步驟。
圖11(a)及圖11(b)係表示半導體晶圓分割體30B貼合於剝離隔離件S之切晶黏晶膜X後進行之第1擴展步驟(冷擴展步驟)。於本步驟中，使擴展裝置所具備之中空圓柱形狀之頂起構件43於切晶黏晶膜X之圖中下側抵接於切晶帶10並使之上升，使貼合有半導體晶圓分割體30B之切晶黏晶膜X之切晶帶10以於包含半導體晶圓分割體30B之徑向及圓周方向之二維方向上被拉伸之方式擴展。該擴展係於切晶帶10中產生例如1～100 MPa，較佳為5～40 MPa之範圍內之拉伸應力之條件下進行。本步驟之溫度條件例如為0℃以下，較佳為-20～-5℃，更佳為-15～-5℃，更佳為-15℃。本步驟之擴展速度(頂起構件43上升之速度)較佳為1～500 mm/秒。又，本步驟之擴展量較佳為50～200 mm。藉由此種冷擴展步驟，切晶黏晶膜X之黏接著劑層20被割斷為小片之黏接著劑層21而獲得附黏接著劑層之半導體晶片31。具體而言，於本步驟中，與受到擴展之切晶帶10之黏著劑層12密接之黏接著劑層20中，於半導體晶圓分割體30B之各半導體晶片31所密接之各區域中變形得以抑制，另一方面，於與半導體晶片31間之分割槽30a對向之部位中，於未產生此種變形抑制作用之狀態下，切晶帶10所產生之拉伸應力發揮作用。其結果，黏接著劑層20中，與半導體晶片31間之分割槽30a對向之部位被割斷。
於本實施形態之半導體裝置製造方法中，可對剝離隔離件S之切晶黏晶膜X貼合以如下方式製作之半導體晶圓30C，代替對剝離隔離件S之切晶黏晶膜X貼合半導體晶圓30A或半導體晶圓分割體30B之上述構成。
如圖12(a)及圖12(b)所示，首先，於半導體晶圓W中形成改質區域30b。半導體晶圓W具有第1面Wa及第2面Wb。於半導體晶圓W之第1面Wa側已製作有各種半導體元件(未圖示)，且於第1面Wa上已形成該半導體元件所需之配線構造等(未圖示)。於本步驟中，將具有黏著面T3a之晶圓加工用帶T3貼合於半導體晶圓W之第1面Wa側後，於半導體晶圓W由晶圓加工用帶T3保持之狀態下，使聚光點對準了晶圓內部之雷射光自晶圓加工用帶T3之相反側對半導體晶圓W沿其分割預定線進行照射，藉由利用多光子吸收之剝蝕而於半導體晶圓W內形成改質區域30b。改質區域30b係用以使半導體晶圓W分離為半導體晶片單元之脆弱化區域。關於在半導體晶圓中藉由雷射光照射而於分割預定線上形成改質區域30b之方法，例如於日本專利特開2002-192370號公報中進行了詳細說明。於該方法中，本實施形態中之雷射光照射條件例如於以下條件之範圍內適當調整。 ＜雷射光照射條件＞ (A)雷射光 雷射光源 半導體雷射激發Nd：YAG雷射 波長 1064 nm 雷射光點截面面積 3.14×10-8 cm2 振盪形態 Q開關脈衝 重複頻率 100 kHz以下 脈衝寬度 1 μs以下 輸出 1 mJ以下 雷射光品質 TEM00 偏光特性 直線偏光 (B)聚光用透鏡 倍率 100倍以下 NA 0.55 對雷射光波長之透過率 100%以下 (C)供載置半導體基板之載置台之移動速度 280 mm/秒以下
其次，於半導體晶圓W由晶圓加工用帶T3保持之狀態下，對半導體晶圓W自第2面Wb進行研削加工而使之薄化至特定厚度，藉此，如圖12(c)所示，形成可單片化成複數個半導體晶片31之半導體晶圓30C(晶圓薄化步驟)。於本實施形態中，可將以如上方式製作之半導體晶圓30C代替半導體晶圓30A對剝離隔離件S之切晶黏晶膜X進行貼合後，參照圖5至圖9進行上述各步驟。
圖13(a)及圖13(b)係表示將半導體晶圓30C對剝離隔離件S之切晶黏晶膜X進行貼合後進行之第1擴展步驟(冷擴展步驟)。於本步驟中，使擴展裝置所具備之中空圓柱形狀之頂起構件43於切晶黏晶膜X之圖中下側抵接於切晶帶10並使之上升，使貼合有半導體晶圓30C之切晶黏晶膜X之切晶帶10以於包含半導體晶圓30C之徑向及圓周方向之二維方向上被拉伸之方式擴展。該擴展係於切晶帶10中產生例如1～100 MPa，較佳為5～40 MPa之範圍內之拉伸應力之條件下進行。本步驟之溫度條件例如為0℃以下，較佳為-20～-5℃，更佳為-15～-5℃，更佳為-15℃。本步驟之擴展速度(頂起構件43上升之速度)較佳為1～500 mm/秒。又，本步驟之擴展量較佳為50～200 mm。藉由此種冷擴展步驟，切晶黏晶膜X之黏接著劑層20被割斷為小片之黏接著劑層21而獲得附黏接著劑層之半導體晶片31。具體而言，於本步驟中，於半導體晶圓30C中在脆弱之改質區域30b形成裂痕而單片化成半導體晶片31。與此同時，於本步驟中，與受到擴展之切晶帶10之黏著劑層12密接之黏接著劑層20中，於半導體晶圓30C之各半導體晶片31所密接之各區域中變形得以抑制，另一方面，於與晶圓之裂痕形成部位對向之部位，於未產生此種變形抑制作用之狀態下，切晶帶10所產生之拉伸應力發揮作用。其結果，黏接著劑層20中，與半導體晶片31間之裂痕形成部位對向之部位被割斷。
如上所述，切晶黏晶膜X可於獲得附黏接著劑層之半導體晶片之情況下使用。又，切晶黏晶膜X亦可於在積層複數個半導體晶片而進行三維安裝之情形時獲得附黏接著劑層之半導體晶片之情況下使用。可於此種三維安裝中之半導體晶片31間與黏接著劑層21一同介置隔離件，亦可不介置隔離件。 [實施例]
[實施例1] ＜切晶帶之製作＞ 於具備冷卻管、氮氣導入管、溫度計及攪拌裝置之反應容器內，將含有丙烯酸十二烷基酯100莫耳份、丙烯酸2-羥基乙酯(2HEA)20莫耳份、相對於該等單體成分100質量份為0.2質量份之作為聚合起始劑之過氧化苯甲醯、及作為聚合溶劑之甲苯之混合物，於60℃下氮氣環境中攪拌10小時(聚合反應)。藉此，獲得含有丙烯酸系聚合物P1 之聚合物溶液。該聚合物溶液中之丙烯酸系聚合物P1 之重量平均分子量(Mw)為46萬。其次，將含有該含有丙烯酸系聚合物P1 之聚合物溶液、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(MOI)、及作為加成反應觸媒之二月桂酸二丁基錫之混合物，於室溫下於空氣環境中攪拌48小時(加成反應)。於該反應溶液中，MOI調配量相對於丙烯酸系聚合物P1 中之源自2HEA之單元或其羥基之總量之莫耳比率為0.8。又，於該反應溶液中，二月桂酸二丁基錫之調配量相對於丙烯酸系聚合物P1 100質量份為0.01質量份。藉由該加成反應，獲得含有於側鏈具有甲基丙烯酸酯基之丙烯酸系聚合物P2 之聚合物溶液。其次，於該聚合物溶液中，相對於丙烯酸系聚合物P2 100質量份添加1質量份之多異氰酸酯化合物(商品名「Coronate L」，Tosoh股份有限公司製造)、及5質量份之光聚合起始劑(商品名「Irgacure 127」，BASF公司製造)並加以混合，且以該混合物之室溫下之黏度成為500 mPa・s之方式對該混合物添加甲苯進行稀釋，獲得黏著劑溶液。其次，使用敷料器，於具有實施有聚矽氧脫模處理之面之PET隔離件(厚度38 μm)之聚矽氧脫模處理面上塗佈黏著劑溶液，形成塗膜，對該塗膜於130℃下進行2分鐘之加熱乾燥，於PET隔離件上形成厚度為10 μm之黏著劑層。其次，使用貼合機，於室溫下於該黏著劑層之露出面貼合乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)製之基材(商品名「RB-0104」，厚度130 μm，倉敷紡績股份有限公司製造)。如以上方式製作切晶帶。
＜黏接著劑層之形成＞ 將丙烯酸系樹脂(丙烯酸乙酯與丙烯酸丁酯與丙烯腈與甲基丙烯酸縮水甘油酯之共聚物，重量平均分子量為120萬，玻璃轉移溫度為0℃，環氧值為0.4 eq/kg)55質量份、固體酚樹脂(商品名「MEHC-7851SS」，23℃下為固體，明和化成股份有限公司製造)20質量份、液狀酚樹脂(商品名「MEH-8000H」，23℃下為液狀，明和化成股份有限公司製造)2質量份、及二氧化矽填料(商品名「SO-E2」，Admatechs股份有限公司製造)22質量份添加至甲基乙基酮中並混合，以室溫下之黏度成為700 mPa・s之方式調整濃度，獲得接著劑組合物。其次，使用敷料器，於具有實施有作為非聚矽氧處理之長鏈烷基聚合物系脫模處理之面之PET隔離件(商品名「SHP-A」，厚度50 μm，FUJIKO股份有限公司製造)之脫模處理面上塗佈接著劑組合物，形成塗膜，對該塗膜於130℃下進行2分鐘之加熱乾燥，於PET隔離件上形成厚度10 μm之作為黏晶膜之黏接著劑層。
＜切晶黏晶膜之製作＞ 自上述切晶帶剝離PET隔離件後，使用貼合機於室溫下將切晶帶中露出之黏著劑層與附帶PET隔離件之上述黏接著劑層貼合，獲得積層片材體。其次，對該積層片材體進行使加工刀自切晶帶之EVA基材側刺入至隔離件為止之衝壓加工。具體而言，使積層片材體以10 m/分鐘之速度於一方向流動，並且使以可圍繞與該方向正交之軸心旋轉之方式配置，且於輥表面卷附有圓形衝壓加工用之尖頂刀(pinnacle knife)之附加工刀之旋轉輥之附加工刀之表面附上特定之按壓力而抵接於積層片材體之EVA基材側，進行衝壓加工。該衝壓加工中所使用之旋轉輥之圓周長即周長為378.9 mm。又，卷附於旋轉輥表面之尖頂刀為SUS製造，於輥表面以可衝壓加工之方式配置有直徑370 mm之圓，刀之高度為0.3 mm，刀尖形成之刃角為50°。藉由此種衝壓加工，切晶帶與黏接著劑層被一次性加工形成為圓盤形狀，切晶黏晶膜形成於隔離件上。其後，將形成之切晶黏晶膜之周圍之材料積層部自隔離件去除。自基材側對切晶帶之黏著劑層照射紫外線。於紫外線照射中，使用高壓水銀燈，照射累計光量為350 mJ/cm2 。如以上方式製作具有包含切晶帶與作為黏晶膜之黏接著劑層之積層構造之實施例1之切晶黏晶膜。
[實施例2] 除於黏接著劑層之形成中使用PET隔離件(商品名「SHP-A0」，厚度50 μm，FUJIKO股份有限公司製造)代替PET隔離件(商品名「SHP-A」，FUJIKO股份有限公司製造)以外，以與實施例1之切晶黏晶膜相同之方式，製作實施例2之切晶黏晶膜。PET隔離件(商品名「SHP-A0」，FUJIKO股份有限公司製造)具有作為非聚矽氧處理面之長鏈烷基聚合物系脫模處理面，於本實施例中，於PET隔離件(商品名「SHP-A0」，FUJIKO股份有限公司製造)之脫模處理面上形成厚度10 μm之作為黏晶膜之黏接著劑層。
[實施例3] 除於黏接著劑層之形成中使用PET隔離件(商品名「SHP-A1」，厚度50 μm，FUJIKO股份有限公司製造)代替PET隔離件(商品名「SHP-A」，FUJIKO股份有限公司製造)以外，以與實施例1之切晶黏晶膜相同之方式，製作實施例3之切晶黏晶膜。PET隔離件(商品名「SHP-A1」，FUJIKO股份有限公司製造)具有作為非聚矽氧處理面之長鏈烷基聚合物系脫模處理面，於本實施例中，於PET隔離件(商品名「SHP-A1」，FUJIKO股份有限公司製造)之脫模處理面上形成厚度10 μm之作為黏晶膜之黏接著劑層。
[比較例1] 除於黏接著劑層之形成中使用PET隔離件(商品名「MRA50」，厚度50 μm，三菱樹脂股份有限公司製造)代替PET隔離件(商品名「SHP-A」，FUJIKO股份有限公司製造)以外，以與實施例1之切晶黏晶膜相同之方式，製作比較例1之切晶黏晶膜。PET隔離件(商品名「MRA50」，厚度50 μm，三菱樹脂股份有限公司製造)具有聚矽氧處理面，於本比較例中，於PET隔離件(商品名「MRA50」，三菱樹脂股份有限公司製造)之聚矽氧處理面上形成厚度10 μm之作為黏晶膜之黏接著劑層。
[比較例2] 除於黏接著劑層之形成中使用PET隔離件(商品名「SHP-TY3R」，厚度50 μm，FUJIKO股份有限公司製造)代替PET隔離件(商品名「SHP-A」，FUJIKO股份有限公司製造)以外，以與實施例1之切晶黏晶膜相同之方式，製作比較例2之切晶黏晶膜。PET隔離件(商品名「SHP-TY3R」，FUJIKO股份有限公司製造)具有作為非聚矽氧處理面之長鏈烷基聚合物系脫模處理面，於本比較例中，於PET隔離件(商品名「SHP-TY3R」，FUJIKO股份有限公司製造)之脫模處理面上形成厚度10 μm之作為黏晶膜之黏接著劑層。
＜表面自由能＞ 關於實施例1～3及比較例1、2之各切晶黏晶膜，求出黏接著劑層之隔離件側表面之表面自由能(第1表面自由能)及隔離件之黏接著劑層側表面之表面自由能(第2表面自由能)。具體而言，首先，自切晶黏晶膜剝離該隔離件，使表面自由能鑑定對象面(黏接著劑層之隔離件側表面與隔離件之黏接著劑層側表面)露出。其次，使用接觸角計對於20℃及相對濕度65%之條件下與表面自由能鑑定對象面接觸之水(H2 O)及二碘甲烷(CH2 I2 )之各液滴測定接觸角。其次，使用所測定之水之接觸角θw及二碘甲烷之接觸角θi之值，依據Journal of Applied Polymer Science, vol.13, p1741-1747(1969)中記載之方法，求出γsd (表面自由能之分散力成分)及γsh (表面自由能之氫鍵力成分)。並且，將γsd 與γsh 相加所得之值γs(＝γsd ＋γsh )作為該對象面之表面自由能。關於各表面自由能鑑定對象面之γsd 及γsh ，作為下述式(1)及式(2)之二元聯立方程式之解而獲得。於式(1)(2)中，γw為水之表面自由能，γwd 為水之表面自由能之分散力成分，γwh 為水之表面自由能之氫鍵力成分，γi為碘甲烷之表面自由能，γid 為碘甲烷之表面自由能之分散力成分，γih 為碘甲烷之表面自由能之氫鍵力成分，使用作為已知文獻值之γw＝72.8 mJ/m2 ，γwd ＝21.8 mJ/m2 ，γwh ＝51.0 mJ/m2 ，γi＝50.8 mJ/m2 ，γid ＝48.5 mJ/m2 ，γih ＝2.3 mJ/m2 。將如此求得之黏接著劑層之隔離件側表面之第1表面自由能γs1 (mJ/m2 )及隔離件之黏接著劑層側表面之第2表面自由能γs2 (mJ/m2 )揭示於表1。該等表面自由能之差γs1 －γs2 (mJ/m2 )亦揭示於表1。
[數1]
＜黏接著劑層之180°剝離黏著力＞ 於實施例1～3及比較例1、2之各切晶黏晶膜中，研究隔離件對黏接著劑層之180°剝離黏著力。具體而言，首先，自切晶黏晶膜切出具有切晶帶基材、黏著劑層、黏接著劑層及隔離件之積層構造之積層體(寬100 mm×長120 mm)。其次，使用雙面膠帶對特定之板材貼合該積層體之切晶帶基材側。其次，使用拉伸試驗機(商品名「Autograph AGS-J」，島津製作所股份有限公司製造)，於板材上之該積層體中自黏接著劑層剝離隔離件，測定其180°剝離黏著力(N/10 nm)。於本測定中，測定溫度或剝離溫度為25℃，拉伸角度或剝離角度為180°，拉伸速度為300 mm/分鐘。其測定結果揭示於表1。
＜衝壓加工時之隆起＞ 於上述切晶黏晶膜製作過程中，進行用以於隔離件上一次性加工形成黏接著劑層與切晶帶之衝壓加工後，沿隔離件及黏接著劑層之外周端觀察該等界面之狀態。將隔離件與黏接著劑層之間未產生部分剝離或隆起之情形評價為「優」，將雖然產生此種隆起但該隆起處於自黏接著劑層外周端3 mm以內之長度之範圍內之情形評價為「可」，將產生自黏接著劑層外周端超過3 mm之較大隆起之情形評價為不及格。其測定結果揭示於表1。
＜隔離件剝離性＞ 分別對實施例1～3及比較例1、2之切晶黏晶膜研究隔離件之剝離性。具體而言，使用晶圓安裝裝置(商品名「MA-3000III」，日東精機股份有限公司製造)，進行經過將切晶黏晶膜貼合於特定之晶圓(直徑12英吋)之過程之晶圓安裝步驟。對切晶黏晶膜之晶圓之貼合係於貼合速度5 mm/秒、溫度60℃及壓力0.15 MPa之條件下進行。對實施例1～3及比較例1、2之切晶黏晶膜之各5張進行該晶圓安裝步驟。將全部5張切晶黏晶膜中可自黏接著劑層剝離隔離件而適宜地實行晶圓安裝步驟之情形評價為「優」，將1張以上之切晶黏晶膜中隔離件未適宜地自黏接著劑層剝離，無法實行晶圓安裝步驟之情形評價為「不及格」。其評價結果揭示於表1。
[評價] 實施例1～3之切晶黏晶膜與比較例1之切晶黏晶膜相比較，適合於衝壓加工時抑制隆起而形成黏接著劑層與隔離件。實施例1～3之切晶黏晶膜與比較例2之切晶黏晶膜相比較，適合於黏接著劑層與隔離件之間實現良好之剝離性。
[表1]
10‧‧‧切晶帶 11‧‧‧基材 11e‧‧‧外周端 11'‧‧‧基材 12‧‧‧黏著劑層 12a‧‧‧黏著面 12e‧‧‧外周端 12'‧‧‧黏著劑層 20、21‧‧‧黏接著劑層 20a‧‧‧面 20b‧‧‧面 20e‧‧‧外周端 20'‧‧‧黏接著劑層 30B‧‧‧半導體晶圓分割體 30a‧‧‧分割槽 30b‧‧‧改質區域 31‧‧‧半導體晶片 41‧‧‧環狀框 42‧‧‧保持器 43‧‧‧頂起構件 44‧‧‧銷構件 45‧‧‧吸附治具 51‧‧‧被黏著體 52‧‧‧接合線 53‧‧‧密封樹脂 60‧‧‧切晶帶 61‧‧‧基材 61'‧‧‧基材層 62‧‧‧黏著劑層 62'‧‧‧黏著劑層 61e‧‧‧外周端 62e‧‧‧外周端 70‧‧‧黏晶膜 70'‧‧‧接著劑層 70e‧‧‧外周端 81‧‧‧半導體晶圓 82‧‧‧環狀框 83‧‧‧隔離件 84‧‧‧隔離件 B‧‧‧加工刀 C1‧‧‧黏接著劑組合物層 C2‧‧‧黏著劑組合物層 D‧‧‧面內方向 F‧‧‧方向 R‧‧‧照射區域 S‧‧‧隔離件 Sa‧‧‧面 T1‧‧‧晶圓加工用帶 T2‧‧‧晶圓加工用帶 T3‧‧‧晶圓加工用帶 T1a‧‧‧黏著面 T2a‧‧‧黏著面 T3a‧‧‧黏著面 W、30A、30C‧‧‧半導體晶圓 Wa‧‧‧第1面 Wb‧‧‧第2面 X‧‧‧切晶黏晶膜 Y‧‧‧切晶黏晶膜
圖1係本發明之一實施形態之切晶黏晶膜之截面模式圖。 圖2(a)～(d)係表示圖1所示之切晶黏晶膜之製造方法之一部分步驟。 圖3(a)、(b)係表示繼圖2之後之步驟。 圖4(a)～(d)係表示使用圖1所示之切晶黏晶膜之半導體裝置製造方法之一部分步驟。 圖5(a)、(b)係表示繼圖4所示之步驟之後之步驟。 圖6(a)～(c)係表示繼圖5所示之步驟之後之步驟。 圖7(a)、(b)係表示繼圖6所示之步驟之後之步驟。 圖8係表示繼圖7所示之步驟之後之步驟。 圖9(a)～(c)係表示繼圖8所示之步驟之後之步驟。 圖10係表示使用圖1所示之切晶黏晶膜之半導體裝置製造方法之變化例之一部分步驟。 圖11(a)、(b)係表示使用圖1所示之切晶黏晶膜之半導體裝置製造方法之變化例之一部分步驟。 圖12(a)～(c)係表示使用圖1所示之切晶黏晶膜之半導體裝置製造方法之變化例之一部分步驟。 圖13(a)、(b)係表示使用圖1所示之切晶黏晶膜之半導體裝置製造方法之變化例之一部分步驟。 圖14係先前之切晶黏晶膜之截面模式圖。 圖15係表示圖14所示之切晶黏晶膜之使用態樣。 圖16(a)～(c)係表示圖14所示之切晶黏晶膜之製造方法。
10‧‧‧切晶帶
11‧‧‧基材
11e‧‧‧外周端
12‧‧‧黏著劑層
12a‧‧‧黏著面
12e‧‧‧外周端
20‧‧‧黏接著劑層
20a‧‧‧面
20b‧‧‧面
20e‧‧‧外周端
D‧‧‧面內方向
R‧‧‧照射區域
S‧‧‧隔離件
Sa‧‧‧面
X‧‧‧切晶黏晶膜

Claims (10)

  1. 一種切晶黏晶膜，其具備：具有由基材及黏著劑層所組成之積層構造之切晶帶、可剝離地密接於上述切晶帶之上述黏著劑層之黏接著劑層、及上述黏接著劑層上之可自該黏接著劑層剝離之隔離件，並且用以形成上述黏接著劑層與上述隔離件之界面之上述黏接著劑層之表面具有28~40mJ/m2之第1表面自由能，用以形成上述黏接著劑層與上述隔離件之界面之上述隔離件之表面具有14~35mJ/m2之第2表面自由能，自上述第1表面自由能減去上述第2表面自由能之值為0~19mJ/m2。
  2. 如請求項1之切晶黏晶膜，其中上述隔離件於25℃、剝離角度180°及拉伸速度300mm/分鐘之條件下之剝離試驗中，對上述黏接著劑層顯示0.04N/10mm以上之180°剝離黏著力。
  3. 如請求項1之切晶黏晶膜，其中上述隔離件於25℃、剝離角度180°及拉伸速度300mm/分鐘之條件下之剝離試驗中，對上述黏接著劑層顯示0.1N/10mm以下之180°剝離黏著力。
  4. 如請求項2之切晶黏晶膜，其中上述隔離件於25℃、剝離角度180°及拉伸速度300mm/分鐘之條件下之剝離試驗中，對上述黏接著劑層顯示0.1N/10mm以下之180°剝離黏著力。
  5. 如請求項1之切晶黏晶膜，其中上述隔離件具有用以形成與上述黏接著劑層之界面之非聚矽氧處理面。
  6. 如請求項2之切晶黏晶膜，其中上述隔離件具有用以形成與上述黏接著劑層之界面之非聚矽氧處理面。
  7. 如請求項3之切晶黏晶膜，其中上述隔離件具有用以形成與上述黏接著劑層之界面之非聚矽氧處理面。
  8. 如請求項4之切晶黏晶膜，其中上述隔離件具有用以形成與上述黏接著劑層之界面之非聚矽氧處理面。
  9. 如請求項5之切晶黏晶膜，其中上述非聚矽氧處理面係藉由長鏈烷基聚合物系脫模劑之脫模處理面。
  10. 如請求項1至9中任一項之切晶黏晶膜，其中上述黏接著劑層之外周端係於膜面內方向，位於距離上述切晶帶之上述基材之外周端及上述黏著劑層之外周端為1000μm以內。
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