CN111826097B - 切割芯片接合薄膜 - Google Patents

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Abstract

提供在用于将粘接剂层割断的扩展时粘合剂层不易破裂的切割芯片接合薄膜。一种切割芯片接合薄膜，其具备：具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带、及以可剥离的方式密合于前述切割带中的前述粘合剂层的粘接剂层，前述基材的前述粘合剂层侧表面实施了表面处理，前述基材与前述粘合剂层之间的、‑15℃下的剥离力与25℃下的剥离力的关系满足下述式(1)。(‑15℃下的剥离力)/(25℃下的剥离力)≥1 (1)。

Description

切割芯片接合薄膜
技术领域
本发明涉及切割芯片接合薄膜。更详细而言，本发明涉及能够在半导体装置的制造过程中使用的切割芯片接合薄膜。
背景技术
在半导体装置的制造过程中，在得到具有芯片接合用的尺寸与芯片相当的粘接薄膜的半导体芯片、即带有芯片接合用粘接剂层的半导体芯片的过程中有时使用切割芯片接合薄膜。切割芯片接合薄膜具有对应于作为加工对象的半导体晶圆的尺寸，例如具有由基材和粘合剂层构成的切割带、和可剥离地密合在该粘合剂层侧的芯片接合薄膜(粘接剂层)。
近年来，半导体晶圆正在薄型化，在经薄型化的半导体晶圆的切割时，以往的刀具切割方式有芯片容易缺损、芯片容易受损这样的问题。因此，已知有经过如下工序的方法：使用切割芯片接合薄膜，用于对切割芯片接合薄膜中的切割带进行扩展从而使芯片接合薄膜及半导体晶圆割断。
该方法首先在切割芯片接合薄膜的芯片接合薄膜上贴合半导体晶圆。该半导体晶圆例如按照之后与芯片接合薄膜一起被割断、能够单片化为多个半导体芯片的方式进行了加工。
然后，为了割断切割带上的芯片接合薄膜，使用扩展装置沿着包含半导体晶圆的径向和圆周方向的二维方向拉伸切割芯片接合薄膜的切割带。在该扩展工序中，在芯片接合薄膜中的相当于割断位置的位置处，位于芯片接合薄膜上的半导体晶圆也产生割断，半导体晶圆在切割芯片接合薄膜或切割带上被单片化为多个半导体芯片。
然后，对于切割带上的割断后的多个带有芯片接合薄膜的半导体芯片，为了拓宽间隔距离而再次进行扩展工序。然后，例如在经过清洗工序后，利用拾取机构的针状构件将各半导体芯片和与其密合的尺寸与芯片相当的芯片接合薄膜一起从切割带的下侧顶起，从切割带上进行拾取。由此得到带有芯片接合薄膜即粘接剂层的半导体芯片。该带有粘接剂层的半导体芯片借助其粘接剂层通过芯片接合固定到安装基板等被粘物上。
关于涉及如以上那样使用的切割芯片接合薄膜的技术，例如记载于下述专利文献1～3。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-2173号公报
专利文献2：日本特开2010-177401号公报
专利文献3：日本特开2016-115804号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是，想要使用扩展装置沿包含半导体晶圆的径向和圆周方向的二维方向对切割芯片接合薄膜的切割带进行拉伸来将粘接剂层割断时，有时切割带中的粘合剂层会破裂。若在基于扩展的粘接剂层的割断时粘合剂层发生破裂，则有时对切割带进行拉伸时产生的应力不会高效地传到粘接剂层，不能适当地将粘接剂层割断。
本发明是鉴于上述问题而作出的，其目的在于，提供在用于将粘接剂层割断的扩展时粘合剂层不易破裂的切割芯片接合薄膜。
用于解决问题的方案
本发明人等为了达成上述目的而进行了深入研究，结果发现，使用如下的切割芯片接合薄膜时，在用于将粘接剂层割断的扩展时粘合剂层不易破裂，所述切割芯片接合薄膜具备：切割带，具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；及粘接剂层，以可剥离的方式密合于上述切割带中的上述粘合剂层，上述基材的上述粘合剂层侧表面实施了表面处理，上述基材与上述粘合剂层之间的、-15℃下的剥离力为25℃下的剥离力以上。本发明是基于所述见解而完成的。
即，本发明提供切割芯片接合薄膜，其具备：切割带，具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；及粘接剂层，以可剥离的方式密合于上述切割带中的上述粘合剂层，上述基材的上述粘合剂层侧表面实施了表面处理，上述基材与上述粘合剂层之间的、-15℃下的剥离力与25℃下的剥离力的关系满足下述式(1)。
(-15℃下的剥离力)/(25℃下的剥离力)≥1(1)
本发明的切割芯片接合薄膜具备切割带及粘接剂层。切割带具有包含基材和粘合剂层的层叠结构。粘接剂层以可剥离的方式密合于切割带中的粘合剂层。这种构成的切割芯片接合薄膜可以在半导体装置的制造过程中用于得到带有粘接剂层的半导体芯片。
在半导体装置的制造过程中，如上所述，为了得到带有粘接剂层的半导体芯片，有时实施使用切割芯片接合薄膜进行的扩展工序、即用于割断的扩展工序。在该扩展工序中，需要使割断力适宜地作用于切割芯片接合薄膜中的切割带上的粘接剂层。对于本发明的切割芯片接合薄膜中的切割带，上述基材的上述粘合剂层侧表面实施了表面处理，并且上述基材与上述粘合剂层间的-15℃下的剥离力与25℃下的剥离力的关系满足上述式(1)。利用具有这种构成的本发明的切割芯片接合薄膜，在用于将粘接剂层割断的扩展时(特别是低温下的扩展时)粘合剂层不易破裂。另外，通过满足上述式(1)，有无论基材的种类怎样均可得到这种效果的倾向。
另外，对于本发明的切割芯片接合薄膜，基材与粘合剂层之间的-15℃下的剥离力优选超过6.5N/10mm。利用具有这种构成的本发明的切割芯片接合薄膜，低温下粘合剂层被牢固地保持于基材，在用于将粘接剂层割断的扩展时(特别是低温下的扩展时)，粘合剂层更不易破裂。
另外，对于本发明的切割芯片接合薄膜，粘合剂层优选为丙烯酸系粘合剂层。利用具有这种构成的本发明的切割芯片接合薄膜，容易设计满足上述式(1)的粘合剂层。
发明的效果
利用本发明的切割芯片接合薄膜，在制造半导体装置的过程中的用于将粘接剂层割断的扩展时粘合剂层不易破裂。因此，在粘接剂层的割断时对切割带进行拉伸时产生的应力高效地传到粘接剂层，能够更适当地将粘接剂层割断。
附图说明
图1为示出本发明的切割芯片接合薄膜的一实施方式的截面示意图。
图2示出使用图1所示的切割芯片接合薄膜的半导体装置的制造方法中的一部分工序。
图3示出图2所示的工序的后续工序。
图4示出图3所示的工序的后续工序。
图5示出图4所示的工序的后续工序。
图6示出图5所示的工序的后续工序。
图7示出图6所示的工序的后续工序。
图8示出使用图1所示的切割芯片接合薄膜的半导体装置的制造方法的变形例中的一部分工序。
图9示出使用图1所示的切割芯片接合薄膜的半导体装置的制造方法的变形例中的一部分工序。
图10示出使用图1所示的切割芯片接合薄膜的半导体装置的制造方法的变形例中的一部分工序。
图11示出使用图1所示的切割芯片接合薄膜的半导体装置的制造方法的变形例中的一部分工序。
附图标记说明
1 切割芯片接合薄膜
10 切割带
11 基材
12 粘合剂层
20、21 粘接剂层
W、30A、30C 半导体晶圆
30B 半导体晶圆分割体
30a 分割槽
30b 改性区域
31 半导体芯片
具体实施方式
[切割芯片接合薄膜]
本发明的切割芯片接合薄膜具备：切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；和粘接剂层，其以可剥离的方式密合于上述切割带中的上述粘合剂层。以下对本发明的切割芯片接合薄膜的一实施方式进行说明。
需要说明的是，本说明书中，也对如下的关于切割芯片接合薄膜的技术方案进行说明，所述切割芯片接合薄膜具备：切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；及粘接剂层，其以可剥离的方式密合于上述切割带中的前述粘合剂层，上述基材与上述粘合剂层之间的、-15℃下的剥离力与25℃下的剥离力的关系满足后述的式(1)。关于该切割芯片接合薄膜的优选构成，与关于本发明的切割芯片接合薄膜进行说明的内容同样。
另外，本说明书中还对如下的关于切割带的技术方案进行说明，所述切割带具有包含基材和粘合剂层的层叠结构，上述基材与上述粘合剂层之间的、-15℃下的剥离力与25℃下的剥离力的关系满足后述的式(1)。关于该切割带的优选构成，与关于本发明的切割芯片接合薄膜中的切割带进行说明的内容同样。
图1为示出本发明的切割芯片接合薄膜的一实施方式的截面示意图。如图1所示，切割芯片接合薄膜1具备：切割带10；和层叠于切割带10中的粘合剂层12上的粘接剂层20，在半导体装置的制造中，能够用于得到带有粘接剂层的半导体芯片的过程中的扩展工序。
切割芯片接合薄膜1具有圆盘形状，其尺寸对应于作为半导体装置的制造过程中的加工对象的半导体晶圆。切割芯片接合薄膜1的直径在例如345～380mm的范围内(12英寸晶圆对应型)、245～280mm的范围内(8英寸晶圆对应型)、195～230mm的范围内(6英寸晶圆对应型)、或495～530mm的范围内(18英寸晶圆对应型)。
切割芯片接合薄膜1中的切割带10具有包含基材11和粘合剂层12的层叠结构。切割芯片接合薄膜1中的、基材11与粘合剂层12之间即基材11的、粘合剂层12密合的一侧的表面11a与粘合剂层12的、基材11密合的一侧的表面12a的、-15℃下的剥离力与25℃下的剥离力的关系满足下述式(1)。
对于本发明的切割芯片接合薄膜，基材与粘合剂层之间的、-15℃下的剥离力与25℃下的剥离力的关系满足下述式(1)。通过使基材与粘合剂层之间的剥离力满足下述式(1)，从而在用于将粘接剂层割断的扩展时(特别是低温下的扩展时)，粘合剂层不易破裂。另外，通过满足上述式(1)，从而有无论基材的种类怎样均可得到这种效果的倾向。
(-15℃下的剥离力)/(25℃下的剥离力)≥1(1)
上述基材与粘合剂层之间的-15℃下的剥离力优选超过6.5N/10mm、更优选为7.5N/10mm以上、进一步优选为8.5N/10mm以上。上述-15℃下的剥离力超过6.5N/10mm时，低温下粘合剂层被牢固地保持于基材，在用于将粘接剂层割断的扩展时(特别是低温下的扩展时)，粘合剂层更不易破裂。需要说明的是，上述-15℃下的剥离力例如可以为50N/10mm以下、也可以为25N/10mm以下。
上述基材与粘合剂层之间的25℃下的剥离力优选0.5N/10mm以上、更优选为1.0N/10mm以上、进一步优选为1.5N/10mm以上。上述25℃下的剥离力为0.5N/10mm以上时，用于扩展带有粘接剂层的半导体芯片的间隔距离的扩展时的基材与粘合剂层的密合性高，该扩展时粘合剂层不易破裂。需要说明的是，上述25℃下的剥离力例如可以为50N/10mm以下、也可以为15N/10mm以下。
需要说明的是，本说明书中，基材与粘合剂层之间的、-15℃下的剥离力、及25℃下的剥离力为基于JIS K 6854-3测定的T型剥离强度。具体而言，通过下述的测定方法来测定。
<基材与粘合剂层之间的剥离力的测定方法>
将使强粘合力胶带贴合于切割带的粘合剂层表面、或切割芯片接合薄膜的粘接剂层表面而得到的层叠体作为试验样品，使用拉伸试验器，在规定的温度及拉伸速度300mm/分钟的条件下、通过T型剥离试验将上述试验样品的基材与粘合剂层之间剥离，测定剥离力。
基材11的粘合剂层12侧表面12a实施了表面处理。作为上述表面处理，例如可列举出电晕放电处理、等离子体处理、磨砂加工处理、臭氧暴露处理、火焰暴露处理、高压电击暴露处理、离子化辐射线处理等物理处理；铬酸处理等化学处理；基于涂布剂(底涂剂)的易粘接处理等。通过实施了表面处理，从而相对于未实施表面处理的情况，基材与粘合剂层之间的-15℃下的剥离力比25℃下的剥离力显著提高。对于该现象，推测如下。未实施表面处理的情况下，在剥离时发生界面剥离，与-15℃环境下相比，在25℃环境下更容易表现出粘合剂层的粘合力，因此有25℃下的剥离力更大的倾向。另一方面是因为，实施了表面处理的情况下，实施了表面处理的基材或表面处理层与粘合剂层之间形成化学键(共价键等)，在25℃环境下，化学键容易被切断，内聚破坏所消耗的能量小、剥离力的提高比较小，而与此相对，在-15℃环境下，化学键不易被切断、内聚破坏所消耗的能量大、剥离力的提高变得比较大。作为上述表面处理，其中，优选电晕处理。
需要说明的是，实施了基于涂布剂(底涂剂)的易粘接处理作为对基材的表面处理的情况下，上述剥离力测定中作为测定对象的剥离力可以为由利用涂布剂形成的层(涂布层)的内聚破坏所引起的剥离(内聚剥离)的剥离力、也可以为涂布层与基材或涂布层与粘合剂层的界面的剥离(界面剥离)的剥离力。
优选对基材的粘合剂层侧的表面整体实施了上述表面处理。另外，为了赋予抗静电能力，可以在基材表面设置包含金属、合金、它们的氧化物等的导电性的蒸镀层。
需要说明的是，本说明书中，关于数值范围分别示出优选的上限值及优选的下限值的情况下，视为记载了将所举出的全部上限值中的任意1个和全部下限值中的任意1个组合而成的所有数值范围。
(基材)
切割带中的基材为在切割带、切割芯片接合薄膜中作为支撑体而发挥作用的要素。作为基材，例如可列举出塑料基材(特别是塑料薄膜)。上述基材可以为单层，也可以为同种或不同种的基材的层叠体。
作为构成上述塑料基材的树脂，可列举例如：低密度聚乙烯、直链状低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、离聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物等聚烯烃树脂；聚氨基甲酸酯；聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸二乙醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等聚酯；聚碳酸酯；聚酰亚胺；聚醚醚酮；聚醚酰亚胺；芳族聚酰胺、全芳香族聚酰胺等聚酰胺；聚苯硫醚；氟树脂；聚氯乙烯；聚偏氯乙烯；纤维素树脂；有机硅树脂等。从确保基材良好的热收缩性、在后述的常温扩展工序中容易利用切割带或基材的局部热收缩维持芯片间隔距离的观点出发，基材优选包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚物作为主成分。
需要说明的是，基材的主成分为构成成分中占据最大的质量比例的成分。上述树脂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。粘合剂层如后述那样为辐射线固化型粘合剂层的情况下，基材优选具有辐射线透过性。
在基材为塑料薄膜时，上述塑料薄膜既可以未取向也可以沿着至少一个方向(一轴方向、二轴方向等)取向。在沿着至少一个方向取向时，塑料薄膜能够沿着该至少一个方向热收缩。当具有热收缩性时，能够使切割带的半导体晶圆的外周部分热收缩，由此能够以拓宽了单片化后的带有粘接剂层的半导体芯片彼此的间隔的状态进行固定，因此能够容易地进行半导体芯片的拾取。为了使基材和切割带具有各向同性的热收缩性，优选基材为二轴取向薄膜。需要说明的是，上述沿着至少一方向取向了的塑料薄膜可以通过将未拉伸的塑料薄膜沿着该至少一方向进行拉伸(一轴拉伸、二轴拉伸等)而得到。
基材和切割带在以加热温度100℃和加热时间处理60秒的条件进行的加热处理试验中的热收缩率优选为1～30％，更优选为2～25％，进一步优选为3～20％，特别优选为5～20％。上述热收缩率优选为MD方向和TD方向中的至少一个方向的热收缩率。
从确保基材作为切割带和切割芯片接合薄膜的支撑体发挥作用的强度的观点出发，基材的厚度优选为40μm以上，更优选为50μm以上，进一步优选为55μm以上，特别优选为60μm以上。另外，从使切割带和切割芯片接合薄膜实现适度的挠性的观点出发，基材的厚度优选为200μm以下，更优选为180μm以下，进一步优选为150μm以下。
(粘合剂层)
切割带的粘合剂层优选为含有丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的粘合剂层(丙烯酸系粘合剂层)。上述丙烯酸系聚合物是含有源自丙烯酸系单体(分子中具有(甲基)丙烯酰基的单体成分)的构成单元作为聚合物的构成单元的聚合物。
上述丙烯酸系聚合物优选为以质量比例计源自(甲基)丙烯酸酯的构成单元的含量最多的聚合物。需要说明的是，丙烯酸系聚合物既可以仅使用一种也可以使用两种以上。另外，在本说明书中，“(甲基)丙烯酸”表示“丙烯酸”和/或“甲基丙烯酸”(“丙烯酸”和“甲基丙烯酸”中的任一者或两者)，其它也同样。
作为上述(甲基)丙烯酸酯，例如，可列举出任选具有烷氧基的含烃基的(甲基)丙烯酸酯。作为含烃基的(甲基)丙烯酸酯，可列举出(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯、(甲基)丙烯酸芳基酯等。
作为上述(甲基)丙烯酸烷基酯，可列举例如：(甲基)丙烯酸的甲酯、乙酯、丙酯、异丙酯、丁酯、异丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、异戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、异辛酯、壬酯、癸酯、异癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯(月桂酯)、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等。
作为上述(甲基)丙烯酸环烷基酯，可列举例如：(甲基)丙烯酸的环戊酯、环己酯等。作为上述(甲基)丙烯酸芳基酯，可列举例如：(甲基)丙烯酸的苯酯、苄酯。
作为具有烷氧基的含烃基的(甲基)丙烯酸酯，可列举出将上述含烃基的(甲基)丙烯酸酯中的烃基中的1个以上氢原子取代为烷氧基而成者，例如可列举出(甲基)丙烯酸的2-甲氧基甲基酯、2-甲氧基乙基酯、2-甲氧基丁基酯等。
上述任选具有烷氧基的含烃基的(甲基)丙烯酸酯可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
对于上述任选具有烷氧基的含烃基的(甲基)丙烯酸酯，酯部中的碳数的总数(具有烷氧基的情况下，为包括烷氧基中的碳数的总数)优选为6～10。特别优选为烃基的碳数的总数为6～10的含烃基的(甲基)丙烯酸酯。所述情况下，有粘合剂层中的聚合物的玻璃化转变温度变高的倾向，低温下的剥离力容易变高、容易设计满足上述式(1)的切割带。
为了使粘合剂层适当地表现出基于任选具有烷氧基的含烃基的(甲基)丙烯酸酯的粘合性等基本特性，用于形成丙烯酸系聚合物的全部单体成分中的任选具有烷氧基的含烃基的(甲基)丙烯酸酯的比例优选20摩尔％以上、更优选为30摩尔％以上。进一步优选为40摩尔％以上。
需要说明的是，本说明书中，上述单体成分中不包含在对粘合剂层照射辐射线前的、组入到聚合物的阶段中具有辐射线聚合性基团的化合物(例如，后述的具有第2官能团及辐射线聚合性的碳-碳双键的化合物)。
对于上述丙烯酸系聚合物，出于内聚力、耐热性等的改性的目的，可以包含源自能与上述任选具有烷氧基的含烃基的(甲基)丙烯酸酯共聚的其他单体成分的构成单元。作为上述其他单体成分，例如可列举出含羧基单体、含酸酐单体、含羟基单体、含缩水甘油基单体、含磺酸基单体、含磷酸基单体、含氮原子单体等含极性基团的单体等。
作为上述含羧基的单体，可列举例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等。
作为上述酸酐单体，可列举例如：马来酸酐、衣康酸酐等。作为上述含羟基单体，可列举例如：(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯等。
作为上述含缩水甘油基单体，可列举例如：(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸甲基缩水甘油酯等。
作为上述含磺酸基单体，可列举例如：苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等。
作为上述含磷酸基单体，例如可列举出2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯等。
作为上述含氮原子单体，例如可列举出(甲基)丙烯酰基吗啉等含吗啉基单体、(甲基)丙烯腈等含氰基单体、(甲基)丙烯酰胺等含酰胺基单体等。
作为上述其他单体成分，其中，优选含羟基单体、含氮原子单体(特别是含吗啉基单体)，更优选为(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯((甲基)丙烯酸2-羟基乙酯)、(甲基)丙烯酰基吗啉。即，上述丙烯酸系聚合物优选包含源自(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯的构成单元和/或源自(甲基)丙烯酰基吗啉的构成单元。
上述其他单体成分可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
为了使粘合剂层适当地表现出基于任选具有烷氧基的含烃基的(甲基)丙烯酸酯的粘合性等基本特性，用于形成丙烯酸系聚合物的全部单体成分中的上述含极性基团单体的合计比例优选60摩尔％以下、更优选为50摩尔％以下。另外，从提高粘合剂层中的聚合物的玻璃化转变温度、低温下的剥离力容易变高、容易设计满足上述式(1)的切割带的观点出发，上述含极性基团单体的合计比例优选5摩尔％以上、更优选为10摩尔％以上。
为了使粘合剂层适当地表现出基于任选具有烷氧基的含烃基的(甲基)丙烯酸酯的粘合性等基本特性，用于形成丙烯酸系聚合物的全部单体成分中的源自含羟基单体的构成单元的比例优选5摩尔％以上、更优选为10摩尔％以上。另外，上述比例例如为80摩尔％以下，可以为70摩尔％以下、60摩尔％以下。
使用上述含氮原子单体作为形成丙烯酸系聚合物的单体成分的情况下，用于形成丙烯酸系聚合物的全部单体成分中的源自含氮原子单体的构成单元的比例优选为3摩尔％以上、更优选为5摩尔％以上。另外，上述比例例如为50摩尔％以下，可以为30摩尔％以下、20摩尔％以下。
上述丙烯酸系聚合物为了在其聚合物骨架中形成交联结构，可以含有源自多官能性单体的构成单元，该多官能性单体能与形成丙烯酸系聚合物的单体成分共聚。作为上述多官能性单体，可列举例如：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯(例如聚(甲基)丙烯酸缩水甘油酯)、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等在分子内具有(甲基)丙烯酰基和其它反应性官能团的单体等。
上述多官能性单体可以仅使用一种，也可以使用两种以上。为了使粘合剂层适当地表现出基于任选具有烷氧基的含烃基的(甲基)丙烯酸酯的粘合性等基本特性，用于形成丙烯酸系聚合物的全部单体成分中的上述多官能性单体的比例优选为40摩尔％以下、更优选为30摩尔％以下。
上述丙烯酸系聚合物优选在含有源自具有第1官能团的单体(例如上述含极性基团单体)的构成单元的同时，含有源自具有可与上述第1官能团反应的第2官能团及辐射线聚合性官能团的化合物的结构部。丙烯酸系聚合物具有这种构成的情况下，后述的辐射线固化性粘合剂的设计变容易。
作为上述第1官能团和上述第2官能团的组合，可列举例如：羧基与环氧基、环氧基与羧基、羧基与氮丙啶基、氮丙啶基与羧基、羟基与异氰酸酯基、异氰酸酯基与羟基等。这些中，从追踪反应的容易程度的观点出发，优选羟基与异氰酸酯基的组合、异氰酸酯基与羟基的组合。其中，制作具有反应性高的异氰酸酯基的聚合物的技术难度高，而从具有羟基的丙烯酸系聚合物的制作和入手的容易性的观点出发，优选上述第1官能团为羟基且上述第2官能团为异氰酸酯基的组合。
具有上述结构部的丙烯酸系聚合物特别优选在含有源自含羟基单体的构成单元的同时，含有源自具有辐射线聚合性的碳-碳双键(特别是(甲基)丙烯酰基)及异氰酸酯基的化合物的结构部。
作为具有辐射性聚合性的碳-碳双键及异氰酸酯基的化合物，可列举出甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯等。其中，优选2-丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯。另外，作为具有羟基的丙烯酸系聚合物，可列举出包含源自上述的含羟基单体、2-羟基乙基乙烯基醚、4-羟基丁基乙烯基醚、二乙二醇单乙烯基醚等醚系化合物的构成单元的丙烯酸系聚合物。
源自上述具有第1官能团的单体的构成单元与上述具有第2官能团及辐射线聚合性官能团的化合物的摩尔比[前者/后者]优选0.95以上、更优选为1.00以上、进一步优选为1.05以上、特别优选为1.10以上。上述摩尔比为0.95以上时，能充分促进第1官能团(例如羟基)与第2官能团(例如异氰酸酯基)的键合，但推测粘合剂层中的丙烯酸系聚合物中的未反应的第1官能团会残存一定程度，粘合剂层与基材之间的剥离力进一步提高，更不易引起扩展时的粘合剂层的破裂。上述摩尔比例如为10.00以下，可以为5.00以下、3.00以下、2.00以下、1.50以下、1.30以下。
特别是，含羟基单体与2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯的摩尔比[含羟基单体/2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯]优选为上述范围内。
丙烯酸系聚合物可通过将包含丙烯酸系单体的一种以上单体成分供于聚合而得到。作为聚合方法，可列举溶液聚合、乳液聚合、本体聚合、悬浮聚合等。
粘合剂层或形成粘合剂层的粘合剂可以含有交联剂。例如，当使用丙烯酸系聚合物作为基础聚合物时，能够使丙烯酸系聚合物交联、进一步减少粘合剂层中的低分子量物质。另外，能够提高丙烯酸系聚合物的数均分子量。
作为上述交联剂，可列举例如：多异氰酸酯化合物、环氧化合物、多元醇化合物(多酚类化合物等)、氮丙啶化合物、三聚氰胺化合物等。当使用交联剂时，其用量相对于基础聚合物100质量份优选为5质量份左右以下，更优选为0.1～5质量份。
丙烯酸系聚合物(使用交联剂的情况下为交联后)的玻璃化转变温度(Tg)优选-50～10℃、更优选为-40～0℃。上述Tg为上述范围内时，容易设计满足上述式(1)的粘合剂层。
丙烯酸系聚合物(使用交联剂的情况下为交联后)的质均分子量优选30万以上(例如30万～170万)，更优选为35万以上。质均分子量为30万以上时，有粘合剂层中的低分子量物质少的倾向，能够进一步抑制对粘接剂层、半导体晶圆等的污染。
粘合剂层可以是在切割芯片接合薄膜的使用过程中能够通过来自外部的作用有意地降低粘合力的粘合剂层(粘合力可降低型粘合剂层)，也可以是在切割芯片接合薄膜的使用过程中粘合力几乎或完全不因来自外部的作用降低的粘合剂层(粘合力非降低型粘合剂层)，可以根据使用切割芯片接合薄膜进行单片化的半导体晶圆的单片化的方法、条件等来适宜选择。
粘合剂层为粘合力可降低型粘合剂层的情况下，在切割芯片接合薄膜的制造过程、使用过程中，能够区分使用粘合剂层显示相对高的粘合力的状态和显示相对低的粘合力的状态。例如，在切割芯片接合薄膜的制造过程中，在切割带的粘合剂层上贴合粘接剂层时、将切割芯片接合薄膜用于切割工序时利用粘合剂层显示相对高的粘合力的状态能够抑制、防止粘接剂层等被粘物从粘合剂层浮起，另一方面，在其后的用于从切割芯片接合薄膜的切割带拾取带有粘接剂层的半导体芯片的拾取工序中，通过降低粘合剂层的粘合力能够容易地进行拾取。
作为形成这种粘合力可降低型粘合剂层的粘合剂，例如可列举出辐射线固化性粘合剂、加热发泡型粘合剂等。作为形成粘合力可降低型粘合剂层的粘合剂，可以仅使用一种粘合剂，也可以使用两种以上粘合剂。
作为上述辐射线固化性粘合剂，例如可以使用通过电子束、紫外线、α射线、β射线、γ射线、或X射线的照射进行固化的类型的粘合剂，特别优选可以使用通过紫外线照射进行固化的类型的粘合剂(紫外线固化性粘合剂)。
作为上述辐射线固化性粘合剂，例如可列举出添加型的辐射线固化性粘合剂，其含有：上述丙烯酸系聚合物等基础聚合物、和具有辐射线聚合性的碳-碳双键等官能团的辐射线聚合性的单体成分、低聚物成分。
作为上述辐射线聚合性的单体成分，可列举例如：氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。
作为上述辐射线聚合性的低聚物成分，例如，可列举出氨基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各种低聚物。优选分子量为100～30000左右者。
形成粘合剂层的辐射线固化性粘合剂中的上述辐射线固化性的单体成分及低聚物成分的含量相对于上述基础聚合物100质量份例如为5～500质量份，优选为40～150质量份左右。
另外，作为添加型的辐射线固化性粘合剂，可以使用例如日本特开昭60-196956号公报中公开的物质。
作为上述辐射线固化性粘合剂，也可列举出内在型的辐射线固化性粘合剂，其含有在聚合物侧链、聚合物主链中、聚合物主链末端具有辐射线聚合性的碳-碳双键等官能团的基础聚合物。若使用这种内在型的辐射线固化性粘合剂，则有能够抑制形成的粘合剂层内的低分子量成分的移动所引起的粘合特性的不期望的经时变化的倾向。
作为上述内在型的辐射线固化性粘合剂中含有的基础聚合物，优选丙烯酸系聚合物。作为辐射线聚合性的碳-碳双键向丙烯酸系聚合物中的导入方法，例如可列举出如下方法：使包含上述具有第1官能团的单体成分的原料单体聚合(共聚)而得到丙烯酸系聚合物后，使具有上述第2官能团及辐射线聚合性的碳-碳双键的化合物在维持碳-碳双键的辐射线聚合性的情况下与丙烯酸系聚合物进行缩合反应或加成反应。
上述辐射线固化性粘合剂优选含有光聚合引发剂。作为上述光聚合引发剂，可列举例如：α-酮醇类化合物、苯乙酮类化合物、苯偶姻醚类化合物、缩酮类化合物、芳香族磺酰氯类化合物、光活性肟类化合物、二苯甲酮类化合物、噻吨酮类化合物、樟脑醌、卤代酮、酰基氧化膦、酰基膦酸酯等。
作为上述α-酮醇类化合物，可列举例如：4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮、1-羟基环己基苯基酮等。
作为上述苯乙酮类化合物，可列举例如：甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-吗啉代丙烷-1-酮等。
作为上述苯偶姻醚类化合物，可列举例如：苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、茴香偶姻甲醚等。作为上述缩酮类化合物，可列举例如：苯偶酰二甲基缩酮等。
作为上述芳香族磺酰氯类化合物，可列举例如：2-萘磺酰氯等。作为上述光活性肟类化合物，可列举例如：1-苯基-1,2-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟等。
作为上述二苯甲酮类化合物，可列举例如：二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等。
作为上述噻吨酮类化合物，可列举例如：噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2,4-二异丙基噻吨酮等。
辐射线固化性粘合剂中的光聚合引发剂的含量相对于基础聚合物100质量份例如为0.05～20质量份。
上述加热发泡型粘合剂是含有通过加热而发泡、膨胀的成分(发泡剂、热膨胀性微球等)的粘合剂。
作为上述发泡剂，可列举各种无机系发泡剂、有机系发泡剂。作为上述无机系发泡剂，可列举例如：碳酸铵、碳酸氢铵、碳酸氢钠、亚硝酸铵、硼氢化钠、叠氮化物类等。作为上述有机系发泡剂，可列举例如：三氯一氟甲烷、二氯一氟甲烷等氯氟代烷烃；偶氮双异丁腈、偶氮二甲酰胺、偶氮二甲酸钡等偶氮类化合物；对甲苯磺酰肼、二苯基砜-3,3’-二磺酰肼、4,4’-氧代双苯磺酰肼、烯丙基双磺酰肼等肼类化合物；对甲苯磺酰基氨基脲、4,4’-氧代双(苯磺酰基氨基脲)等氨基脲类化合物；5-吗啉基-1,2,3,4-噻三唑等三唑类化合物；N,N’-二亚硝基五亚甲基四胺、N,N’-二甲基-N,N’-二亚硝基对苯二甲酰胺等N-亚硝基类化合物等。
作为上述热膨胀性微球，可列举例如构成为壳内内包有通过加热容易气化、膨胀的物质的微球。作为上述通过加热容易气化、膨胀的物质，可列举例如：异丁烷、丙烷、戊烷等。通过利用凝聚法、界面聚合法等将通过加热容易气化、膨胀的物质内包到壳形成物质内，从而能够制作热膨胀性微球。作为上述壳形成物质，可以使用显示热熔融性的物质、可通过内包物质的热膨胀作用而破裂的物质。作为这种物质，可列举例如：偏氯乙烯·丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏氯乙烯、聚砜等。
作为上述粘合力非降低型粘合剂层，可列举例如压敏型粘合剂层。需要说明的是，压敏型粘合剂层包括如下形态的粘合剂层：通过预先照射辐射线使由粘合力可降低型粘合剂层中记载的辐射线固化性粘合剂形成的粘合剂层固化但仍具有一定的粘合力。作为形成粘合力非降低型粘合剂层的粘合剂，既可以使用一种粘合剂，也可以使用两种以上粘合剂。
既可以是粘合剂层的整体为粘合力非降低型粘合剂层，也可以是一部分为粘合力非降低型粘合剂层。例如，在粘合剂层具有单层结构时，既可以是粘合剂层的整体为粘合力非降低型粘合剂层，也可以是粘合剂层中的规定部位(例如作为环形框的粘贴对象区域的位于中央区域的外侧的区域)为粘合力非降低型粘合剂层、其它部位(例如作为半导体晶圆的粘贴对象区域的中央区域)为粘合力可降低型粘合剂层。
在粘合剂层具有层叠结构时，既可以是层叠结构中的全部粘合剂层为粘合力非降低型粘合剂层，也可以是层叠结构中的一部分粘合剂层为粘合力非降低型粘合剂层。
预先通过辐射线照射使由辐射线固化性粘合剂形成的粘合剂层(辐射线未照射辐射线固化型粘合剂层)固化的形态的粘合剂层(辐射线照射完的辐射线固化型粘合剂层)虽然通过照射辐射线而粘合力降低，但仍显示出起因于所含的聚合物成分的粘合性，能够在切割工序等中使切割带的粘合剂层发挥最低限度的粘合力。
使用辐射线照射完的辐射线固化型粘合剂层的情况下，可以在粘合剂层的面扩展方向上粘合剂层的整体为辐射线照射完的辐射线固化型粘合剂层，也可以粘合剂层的一部分为辐射线照射完的辐射线固化型粘合剂层并且其他部分为辐射线未照射的辐射线固化型粘合剂层。
需要说明的是，本说明书中，“辐射线固化型粘合剂层”是指由辐射线固化性粘合剂形成的粘合剂层，包括具有辐射线固化性的辐射线未照射辐射线固化型粘合剂层及该粘合剂层通过辐射线照射进行固化后的辐射线固化完的辐射线固化型粘合剂层这两者。
作为形成上述压敏型粘合剂层的粘合剂，可以使用公知或惯用的压敏型的粘合剂，可以优选使用以丙烯酸系聚合物为基础聚合物的丙烯酸系粘合剂、橡胶类粘合剂。当粘合剂层含有丙烯酸系聚合物作为压敏型的粘合剂时，该丙烯酸系聚合物优选为含有源自(甲基)丙烯酸酯的构成单元作为质量比例最多的构成单元的聚合物。作为上述丙烯酸系聚合物，可以采用例如作为上述粘合剂层中可含有的丙烯酸系聚合物而说明的丙烯酸系聚合物。
粘合剂层或形成粘合剂层的粘合剂除了上述各成分以外还可以配混交联促进剂、增粘剂、防老剂、着色剂(颜料、染料等)等公知或惯用的用于粘合剂层的添加剂。
作为上述着色剂，可列举例如通过照射辐射线而产生着色的化合物。当含有通过照射辐射线而产生着色的化合物时，能够仅使被辐射线照射的部分着色。上述通过照射辐射线而产生着色的化合物为在照射辐射线前为无色或浅色、通过照射辐射线而变为有色的化合物，例如可列举隐色染料等。对上述通过照射辐射线而产生着色的化合物的用量没有特别限定，可以适宜选择。
对粘合剂层的厚度没有特别限定，当粘合剂层为由辐射线固化性粘合剂形成的粘合剂层时，从取得该粘合剂层在辐射线固化前后对粘接剂层的粘接力平衡的观点出发，优选为1～50μm左右，更优选为2～30μm，进一步优选为5～25μm。
(粘接剂层)
粘接剂层具有作为芯片接合用的显示热固化性的粘接剂的功能，进而根据需要兼有用于保持半导体晶圆等工件和环形框等框构件的粘合功能。粘接剂层能够通过施加拉伸应力而割断，通过施加拉伸应力将其割断来使用。
粘接剂层和构成粘接剂层的粘接剂可以含有热固化性树脂和例如作为粘结剂成分的热塑性树脂，也可以含有具有热固化性官能团的热塑性树脂，所述热固化性官能团能够与固化剂反应而发生键合。当构成粘接剂层的粘接剂含有具有热固化性官能团的热塑性树脂时，该粘接剂不必包含热固化性树脂(环氧树脂等)。粘接剂层既可以具有单层结构也可以具有多层结构。
作为上述热塑性树脂，可列举例如：天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙和6,6-尼龙等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、PET、PBT等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、氟树脂等。上述热塑性树脂既可以仅使用一种也可以使用两种以上。作为上述热塑性树脂，从离子性杂质少且耐热性高、从而容易确保利用粘接剂层的接合可靠性的理由出发，优选丙烯酸类树脂。
上述丙烯酸系树脂优选含有源自含烃基的(甲基)丙烯酸酯的构成单元作为质量比例最多的构成单元。作为该含烃基的(甲基)丙烯酸酯，可列举例如：作为形成在上述粘合剂层中可含有的丙烯酸系聚合物的含烃基的(甲基)丙烯酸酯而例示的含烃基的(甲基)丙烯酸酯。
上述丙烯酸类树脂也可以含有源自能够与含烃基的(甲基)丙烯酸酯共聚的其它单体成分的构成单元。作为上述其它单体成分，可列举例如：含羧基单体；酸酐单体；含羟基单体；含缩水甘油基单体；含磺酸基单体；含磷酸基单体；丙烯酰胺、丙烯腈等含有官能团的单体；各种多官能性单体等，具体而言，可以使用作为构成在上述粘合剂层中可含有的丙烯酸系聚合物的其它单体成分而例示的单体成分。
当粘接剂层含有热塑性树脂和热固化性树脂时，作为该热固化性树脂，可列举例如：环氧树脂、酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨基甲酸酯树脂、有机硅树脂、热固化性聚酰亚胺树脂等。上述热固化性树脂既可以仅使用一种也可以使用两种以上。从具有可能会导致芯片接合对象即半导体芯片腐蚀的离子性杂质等的含量少的倾向的理由出发，作为上述热固化性树脂，优选环氧树脂。另外，作为环氧树脂的固化剂，优选酚醛树脂。
作为上述环氧树脂，可列举例如：双酚A型、双酚F型、双酚S型、溴化双酚A型、氢化双酚A型、双酚AF型、联苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型、三羟苯基甲烷型、四(苯基羟基)乙烷(Tetraphenylolethane)型、乙内酰脲型、异氰脲酸三缩水甘油酯型、缩水甘油胺型的环氧树脂等。其中由于与作为固化剂的酚醛树脂富有反应性且耐热性优异而优选酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟苯基甲烷型环氧树脂、四(苯基羟基)乙烷型环氧树脂。
对于可作为环氧树脂的固化剂发挥作用的酚醛树脂，可列举例如：酚醛清漆型酚醛树脂、甲阶型酚醛树脂、聚对氧苯乙烯等聚氧苯乙烯等。作为酚醛清漆型酚醛树脂，可列举例如：苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、壬基苯酚酚醛清漆树脂等。上述酚醛树脂既可以仅使用一种也可以使用两种以上。其中，从用作作为芯片接合用粘接剂的环氧树脂的固化剂时有提高该粘接剂的连接可靠性的倾向的观点出发，优选苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂。
在粘接剂层中，从使环氧树脂和酚醛树脂的固化反应充分进行的观点出发，以使酚醛树脂中的羟基相对于环氧树脂成分中的环氧基1当量达到优选0.5～2.0当量、更优选0.7～1.5当量的量来包含该酚醛树脂。
当粘接剂层含有热固化性树脂时，关于上述热固化性树脂的含有比例，从使粘接剂层适宜地表现出作为热固化型粘接剂的功能的观点出发，相对于粘接剂层的总质量优选为5～60质量％，更优选为10～50质量％。
当粘接剂层含有具有热固化性官能团的热塑性树脂时，作为该热塑性树脂，可以使用例如含热固化性官能团的丙烯酸类树脂。该含热固化性官能团的丙烯酸类树脂中的丙烯酸类树脂优选含有源自含烃基的(甲基)丙烯酸酯的构成单元作为质量比例最多的构成单元。作为该含烃基的(甲基)丙烯酸酯，可列举例如：作为形成上述粘合剂层中可含有的丙烯酸系聚合物的含烃基的(甲基)丙烯酸酯而例示的含烃基的(甲基)丙烯酸酯。
另一方面，作为含热固化性官能团的丙烯酸类树脂中的热固化性官能团，可列举例如：缩水甘油基、羧基、羟基、异氰酸酯基等。其中优选缩水甘油基、羧基。即，作为含热固化性官能团的丙烯酸类树脂，特别优选含缩水甘油基的丙烯酸类树脂、含羧基的丙烯酸类树脂。
另外，优选与含热固化性官能团的丙烯酸类树脂一起含有固化剂，作为该固化剂，可列举例如：作为上述粘合剂层形成用的辐射线固化性粘合剂中可含有的交联剂而例示的交联剂。当含热固化性官能团的丙烯酸类树脂中的热固化性官能团为缩水甘油基时，优选使用多酚类化合物作为固化剂，例如可以使用上述各种酚醛树脂。
关于为了芯片接合而固化之前的粘接剂层，为了实现某种程度的交联度，例如优选在粘接剂层形成用树脂组合物中预先配混能够与粘接剂层中可含有的上述树脂的分子链末端的官能团等反应而键合的多官能性化合物作为交联成分。这种构成从提高粘接剂层在高温下的粘接特性的观点、以及实现耐热性的改善的观点出发是优选的。
作为上述交联成分，可列举例如：多异氰酸酯化合物。作为多异氰酸酯化合物，可列举例如：甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、对苯二异氰酸酯、1,5-萘二异氰酸酯、多元醇和二异氰酸酯的加成物等。另外，作为上述交联成分，可以将环氧树脂等其它多官能性化合物与多异氰酸酯化合物组合使用。
对于粘接剂层形成用树脂组合物中的交联成分的含量，相对于具有可与该交联成分反应并键合的上述官能团的树脂100质量份，从形成的粘接剂层的内聚力提高的观点出发，优选0.05质量份以上，从形成的粘接剂层的粘接力提高的观点出发，优选7质量份以下。
粘接剂层优选含有填料。通过向粘接剂层中配混填料，能够调整粘接剂层的导电性、热传导性、弹性模量等物性。作为填料，可列举无机填料和有机填料，特别优选无机填料。
作为无机填料，可列举例如：氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、钙氧化物、镁氧化物、铝氧化物、铝氮化物、硼酸铝晶须、氮化硼、结晶二氧化硅、非晶二氧化硅；以及铝、金、银、铜、镍等金属单质、合金；无定形碳黑、石墨等。填料可以具有球状、针状、薄片状等各种形状。作为上述填料，既可以仅使用一种也可以使用两种以上。
上述填料的平均粒径优选为0.005～10μm，更优选为0.005～1μm。当上述平均粒径为0.005μm以上时，对半导体晶圆等被粘物的润湿性、粘接性进一步提高。当上述平均粒径为10μm以下时，能够使为了赋予上述各特性而加入的填料的效果充分发挥，并且能够确保耐热性。需要说明的是，填料的平均粒径例如可以使用光度式粒度分布计(例如商品名“LA-910”、株式会社堀场制作所制)求出。
粘接剂层可以根据需要而含有其它成分。作为上述其它成分，可列举例如：固化催化剂、阻燃剂、硅烷偶联剂、离子捕获剂、染料等。上述其他添加剂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
作为上述阻燃剂，可列举例如：三氧化锑、五氧化锑、溴化环氧树脂等。
作为上述硅烷偶联剂，可列举例如：β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。
作为上述离子捕获剂，可列举例如：水滑石类、氢氧化铋、水合氧化锑(例如东亚合成株式会社制的“IXE-300”)、特定结构的磷酸锆(例如东亚合成株式会社制的“IXE-100”)、硅酸镁(例如协和化学工业株式会社制的“Kyoward 600”)、硅酸铝(例如协和化学工业株式会社制的“Kyoward 700”)等。
也可以使用能够与金属离子之间形成络合物的化合物作为离子捕获剂。作为这种化合物，可列举例如：三唑类化合物、四唑类化合物、联吡啶类化合物。这些中，从与金属离子之间形成的络合物的稳定性的观点出发，优选三唑类化合物。
作为上述三唑类化合物，可列举例如：1,2,3-苯并三唑、1-{N,N-双(2-乙基己基)氨基甲基}苯并三唑、羧基苯并三唑、2-(2-羟基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2-羟基-3,5-二叔丁基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羟基-3-叔丁基-5-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羟基-3,5-二叔戊基苯基)苯并三唑、2-(2-羟基-5-叔辛基苯基)苯并三唑、6-(2-苯并三唑基)-4-叔辛基-6’-叔丁基-4’-甲基-2,2’-亚甲基双酚、1-(2’,3’-羟基丙基)苯并三唑、1-(1,2-二羧基二乙基)苯并三唑、1-(2-乙基己基氨基甲基)苯并三唑、2,4-二叔戊基-6-{(H-苯并三唑-1-基)甲基}苯酚、2-(2-羟基-5-叔丁基苯基)-2H-苯并三唑、3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-(1,1-二甲基乙基)-4-羟基、3-[3-叔丁基-4-羟基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸辛酯、3-[3-叔丁基-4-羟基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸2-乙基己酯、2-(2H-苯并三唑-2-基)-6-(1-甲基-1-苯乙基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-叔丁基苯酚、2-(2-羟基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2-羟基-5-叔辛基苯基)-苯并三唑、2-(3-叔丁基-2-羟基-5-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羟基-3,5-二叔戊基苯基)苯并三唑、2-(2-羟基-3,5-二叔丁基苯基)-5-氯-苯并三唑、2-[2-羟基-3,5-二(1,1-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并三唑、2,2’-亚甲基双[6-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚]、2-[2-羟基-3,5-双(α,α-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并三唑、3-[3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-叔丁基-4-羟基苯基]丙酸甲基酯等。
另外，也可以使用对苯二酚化合物、羟基蒽醌化合物、多酚化合物等特定的含羟基化合物作为离子捕获剂。作为这种含羟基化合物，具体而言，可列举：1,2-苯二酚、茜素、1,5-二羟基蒽醌、鞣酸、没食子酸、没食子酸甲酯、连苯三酚等。
对粘接剂层的厚度(层叠体的情况下为总厚度)没有特别限定，为例如1～200μm。上限优选为100μm，更优选为80μm。下限优选为3μm，更优选为5μm。
对于本发明的切割芯片接合薄膜，在温度23℃、剥离速度300mm/分钟的条件下的T型剥离试验中的、上述粘合剂层与上述粘接剂层之间的剥离力优选为0.3N/20mm以上、更优选为0.5N/20mm以上、进一步优选为0.7N/20mm以上。上述剥离力为0.3N/20mm以上时，能够使粘合剂层与粘接剂层的密合性适度，在不进行辐射线固化的状态下实施扩展工序的情况下，容易抑制扩展工序及其后的粘合剂层与粘接剂层之间的剥离(浮起)的产生。
另外，上述剥离力越高越优选，其上限例如可以为10N/20mm、可以为5.0N/20mm、也可以为3.0N/20mm。需要说明的是，关于粘合剂层中使用了辐射线固化性粘合剂的切割芯片接合薄膜，辐射线固化前的粘合剂层的上述剥离力(紫外线固化前的T型剥离试验中的剥离力)优选为上述的值。
对于本发明的切割芯片接合薄膜，在温度23℃、剥离速度300mm/分钟的条件下的T型剥离试验中的、辐射线固化后的上述粘合剂层与上述粘接剂层之间的剥离力优选为0.3N/20mm以下，更优选为0.2N/20mm以下。上述剥离力为0.3N/20mm以下时，在辐射线固化后进行的拾取工序中容易实现良好的拾取。
切割芯片接合薄膜可以具有隔离体。具体而言，既可以是每个切割芯片接合薄膜具有隔离体的片状的形态，也可以是隔离体为长条状、在其上配置有多个切割芯片接合薄膜且该隔离体被卷绕成卷的形态。
隔离体是用于覆盖并保护切割芯片接合薄膜的粘接剂层的表面的要素，在使用切割芯片接合薄膜时从该薄膜剥离。作为隔离体，可列举例如：聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、利用氟类剥离剂或丙烯酸长链烷基酯类剥离剂等剥离剂进行了表面涂布的塑料薄膜或纸类等。隔离体的厚度为例如5～200μm。
作为本发明的切割芯片接合薄膜的一实施方式的切割芯片接合薄膜1例如可如下制造。
首先，基材11可以通过公知乃至惯用的制膜方法进行制膜而得到。作为上述制膜方法，例如，可列举出压延制膜法、有机溶剂中的浇铸法、密闭体系中的吹塑挤出法、T模挤出法、共挤出法、干层压法等。
然后，在基材11上涂布包含形成粘合剂层12的粘合剂及溶剂等的、形成粘合剂层12的组合物(粘合剂组合物)而形成涂布膜后，根据需要通过脱溶剂、固化等使该涂布膜固化，可以形成粘合剂层12。作为上述涂布的方法，例如，可列举出辊涂布、丝网涂布、凹版涂布等公知乃至惯用的涂布方法。另外，作为脱溶剂条件，例如，在温度80～150℃、时间0.5～5分钟的范围内进行。
另外，可以在隔离体上涂布粘合剂组合物而形成涂布膜后，通过上述的脱溶剂条件使涂布膜固化而形成粘合剂层12。然后，在基材11上与隔离体一起贴合粘合剂层12。如上操作，可以制作切割带10。
对于粘接剂层20，首先，制作包含树脂、填料、固化催化剂、溶剂等的、形成粘接剂层20的组合物(粘接剂组合物)。然后，将粘接剂组合物涂布于隔离体上而形成涂布膜后，根据需要通过脱溶剂、固化等使该涂布膜固化，形成粘接剂层20。作为涂布方法，没有特别限定，例如，可列举出辊涂布、丝网涂布、凹版涂布等公知乃至惯用的涂布方法。另外，作为脱溶剂条件，例如，在温度70～160℃、时间1～5分钟的范围内进行。
接着，将隔离体分别从切割带10及粘接剂层20剥离，以粘接剂层20与粘合剂层12成为贴合面的方式将两者贴合。贴合例如可以通过压接来进行。此时，层压温度没有特别限定，例如，优选30～50℃、更优选为35～45℃。另外，线压没有特别限定，例如，优选0.1～20kgf/cm、更优选为1～10kgf/cm。
如上所述，粘合剂层12为辐射线固化型粘合剂层的情况下，在粘接剂层20的贴合后对粘合剂层12照射紫外线等辐射线时，例如从基材11侧对粘合剂层12进行辐射线照射，其照射量例如为50～500mJ，优选为100～300mJ。
切割芯片接合薄膜1中进行作为粘合剂层12的粘合力降低措施的照射的区域(照射区域R)通常为粘合剂层12中的粘接剂层20贴合区域内的除其边缘部以外的区域。局部设置照射区域R的情况下，可以隔着形成了与除照射区域R以外的区域相对应的图案的光掩模进行。另外，也可列举出点状照射辐射线来形成照射区域R的方法。
如上操作，可以制作例如图1所示的切割芯片接合薄膜1。
[半导体装置的制造方法]
使用本发明的切割芯片接合薄膜可以制造半导体装置。具体而言，可以通过包含如下工序的制造方法来制造半导体装置：在本发明的切割芯片接合薄膜中的上述粘接剂层侧贴附包含多个半导体芯片的半导体晶圆的分割体、或能够单片化为多个半导体芯片的半导体晶圆的工序(有时称为“工序A”)；在相对低温的条件下扩展本发明的切割芯片接合薄膜中的切割带，至少割断上述粘接剂层，得到带有粘接剂层的半导体芯片的工序(有时称为“工序B”)；在相对高温的条件下扩展上述切割带，拓宽上述带有粘接剂层的半导体芯片彼此的间隔的工序(有时称为“工序C”)；和拾取上述带有粘接剂层的半导体芯片的工序(有时称为“工序D”)。
工序A中使用的上述包含多个半导体芯片的半导体晶圆的分割体、或能够单片化为多个半导体芯片的半导体晶圆可以如下得到。首先，如图2的(a)和图2的(b)所示在半导体晶圆W上形成分割槽30a(分割槽形成工序)。半导体晶圆W具有第1面Wa和第2面Wb。在半导体晶圆W中的第1面Wa侧已经安装了各种半导体元件(省略图示)，并且该半导体元件所需要的布线结构等(省略图示)也已经形成在第1面Wa上。
然后，将具有粘合面T1a的晶圆加工用胶带T1贴合于半导体晶圆W的第2面Wb侧后，以在晶圆加工用胶带T1上保持有半导体晶圆W的状态使用切割装置等旋转刀具在半导体晶圆W的第1面Wa侧形成规定深度的分割槽30a。分割槽30a为用于使半导体晶圆W分离为半导体芯片单元的空隙(在图2～4中，以粗线示意性示出分割槽30a)。
然后，如图2的(c)所示，进行具有粘合面T2a的晶圆加工用胶带T2向半导体晶圆W的第1面Wa侧的贴合、以及从半导体晶圆W剥离晶圆加工用胶带T1。
然后，如图2的(d)所示，以在晶圆加工用胶带T2上保持有半导体晶圆W的状态，通过从第2面Wb起的磨削加工使半导体晶圆W减薄至规定厚度(晶圆减薄工序)。磨削加工可以使用具有磨削磨石的磨削加工装置进行。通过该晶圆减薄工序，在本实施方式中可形成能够单片化为多个半导体芯片31的半导体晶圆30A。
半导体晶圆30A具体而言在该晶圆中具有在第2面Wb侧将要单片化为多个半导体芯片31的部位连接的部位(连接部)。半导体晶圆30A中的连接部的厚度、即半导体晶圆30A的第2面Wb与分割槽30a的第2面Wb侧的前端之间的距离为例如1～30μm，优选为3～20μm。
(工序A)
在工序A中，在切割芯片接合薄膜1中的粘接剂层20侧贴附包含多个半导体芯片的半导体晶圆的分割体、或能够单片化为多个半导体芯片的半导体晶圆。
在工序A的一实施方式中，如图3的(a)所示，将保持于晶圆加工用胶带T2的半导体晶圆30A与切割芯片接合薄膜1的粘接剂层20贴合。然后，如图3的(b)所示，从半导体晶圆30A剥离晶圆加工用胶带T2。
需要说明的是，在向粘接剂层20贴合半导体晶圆30A之后从基材11侧对粘合剂层12照射紫外线等辐射线。照射量为例如50～500mJ/cm2，优选为100～300mJ/cm2。切割芯片接合薄膜1中要进行作为粘合剂层12的粘合力降低措施的照射的区域(图1所示的照射区域R)为例如粘合剂层12中的粘接剂层20贴合区域内的除其边缘部以外的区域。
(工序B)
在工序B中，在相对低温的条件下扩展切割芯片接合薄膜1中的切割带10，至少割断粘接剂层20，得到带有粘接剂层的半导体芯片。
在工序B的一实施方式中，首先在切割芯片接合薄膜1中的切割带10的粘合剂层12上贴附环形框41，然后，如图4的(a)所示将带有半导体晶圆30A的该切割芯片接合薄膜1固定于扩展装置的保持件42。
然后，如图4的(b)所示进行相对低温的条件下的第1扩展工序(冷扩展工序)，将半导体晶圆30A单片化为多个半导体芯片31，并且将切割芯片接合薄膜1的粘接剂层20割断为小片的粘接剂层21，得到带有粘接剂层的半导体芯片31。
在冷扩展工序中，使扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件43在切割芯片接合薄膜1的图中下侧抵接于切割带10并上升，按照沿着包括半导体晶圆30A的径向和圆周方向的二维方向对贴合有半导体晶圆30A的切割芯片接合薄膜1的切割带10进行拉伸的方式进行扩展。
该扩展以使切割带10中产生15～32MPa、优选20～32MPa的范围内的拉伸应力的条件来进行。冷扩展工序中的温度条件为例如0℃以下，优选为-20～-5℃，更优选为-15～-5℃，更优选为-15℃。冷扩展工序中的扩展速度(使顶起构件43上升的速度)优选为0.1～100mm/秒。另外，冷扩展工序中的扩展量优选为3～16mm。
当在工序B中使用能够单片化为多个半导体芯片的半导体晶圆30A时，在半导体晶圆30A中较薄的、容易产生裂纹的部位发生割断，从而单片化为半导体芯片31。与此同时，工序B中，与被扩展的切割带10的粘合剂层12密合的粘接剂层20在各半导体芯片31所密合的各区域中变形受到抑制，另一方面，在位于图中的与半导体芯片31间的分割槽垂直的方向的位置处则不产生这种变形抑制，在该状态下切割带10中产生的拉伸应力发挥作用。其结果是，在粘接剂层20中位于与半导体芯片31间的分割槽垂直的方向的位置处被割断。在通过扩展而割断之后，如图4的(c)所示，使顶起构件43下降而解除切割带10的扩展状态。
(工序C)
在工序C中，在相对高温的条件下扩展上述切割带10，使上述带有粘接剂层的半导体芯片彼此的间隔拓宽。
在工序C的一实施方式中，首先如图5的(a)所示进行相对高温的条件下的第2扩展工序(常温扩展工序)，使带有粘接剂层的半导体芯片31间的距离(间隔距离)拓宽。
在工序C中，再次使扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件43上升而扩展切割芯片接合薄膜1的切割带10。第2扩展工序中的温度条件为例如10℃以上，优选为15～30℃。第2扩展工序中的扩展速度(使顶起构件43上升的速度)为例如0.1～10mm/秒，优选为0.3～1mm/秒。在工序C中，使带有粘接剂层的半导体芯片31的间隔距离拓宽至能够通过后述的拾取工序适宜地从切割带10拾取带有粘接剂层的半导体芯片31的程度。在通过扩展而拓宽间隔距离后，如图5的(b)所示使顶起构件43下降，解除切割带10的扩展状态。
从抑制解除扩展状态后切割带10上的带有粘接剂层的半导体芯片31的间隔距离变窄的观点出发，优选在解除扩展状态之前对切割带10中的半导体芯片31保持区域的外侧部分进行加热、使其收缩。
在工序C之后，根据需要可以具有清洁工序，其使用水等清洗液清洗具有带有粘接剂层的半导体芯片31的切割带10中的半导体芯片31侧。
(工序D)
在工序D(拾取工序)中，拾取单片化后的带有粘接剂层的半导体芯片。在工序D的一实施方式中，在根据需要经过上述清洁工序后，如图6所示从切割带10拾取带有粘接剂层的半导体芯片31。例如，对于拾取对象的带有粘接剂层的半导体芯片31，在切割带10的图中下侧使拾取机构的针状构件44上升而隔着切割带10进行顶起后，利用吸附夹具45将其吸附保持。在拾取工序中，针状构件44的顶起速度为例如1～100mm/秒，针状构件44的顶起量为例如50～3000μm。
上述半导体装置的制造方法还可以包含工序A～D以外的其它工序。例如，在一实施方式中，如图7的(a)所示，将所拾取的带有粘接剂层的半导体芯片31借助粘接剂层21暂时固定于被粘物51(暂时固定工序)。
作为被粘物51，可列举例如：引线框、TAB(载带自动键合，Tape AutomatedBonding)薄膜、布线基板、另外制作的半导体芯片等。粘接剂层21在暂时固定时在25℃下的剪切粘接力相对于被粘物51优选为0.2MPa以上，更优选为0.2～10MPa。粘接剂层21的上述剪切粘接力为0.2MPa以上的构成在后述的引线键合工序中能够抑制由于超声波振动、加热而在粘接剂层21与半导体芯片31或被粘物51的粘接面产生剪切变形，能适宜地进行引线键合。另外，粘接剂层21在暂时固定时在175℃下的剪切粘接力相对于被粘物51优选为0.01MPa以上，更优选为0.01～5MPa。
然后，如图7的(b)所示，将半导体芯片31的电极极板(省略图示)与被粘物51所具有的端子部(省略图示)借助接合引线52而电连接(引线接合工序)。
半导体芯片31的电极极板、被粘物51的端子部与接合引线52的连接可以通过伴有加热的超声波焊接而实现，以不使粘接剂层21热固化的方式来进行。作为接合引线52，可以使用例如金线、铝线、铜线等。引线接合中的引线加热温度为例如80～250℃，优选为80～220℃。另外，其加热时间为几秒～几分钟。
然后，如图7的(c)所示，通过用于保护被粘物51上的半导体芯片31、接合引线52的密封树脂53将半导体芯片31密封(密封工序)。
在密封工序中，粘接剂层21进行热固化。在密封工序中，例如通过使用模具进行的传递成型技术来形成密封树脂53。作为密封树脂53的构成材料，可以使用例如环氧类树脂。在密封工序中，用于形成密封树脂53的加热温度为例如165～185℃，加热时间为例如60秒～几分钟。
当在密封工序中密封树脂53未充分进行固化时，在密封工序之后进行用于使密封树脂53完全固化的后固化工序。即使在密封工序中粘接剂层21未完全热固化的情况下，也可以在后固化工序中与密封树脂53一起进行粘接剂层21的完全热固化。在后固化工序中，加热温度为例如165～185℃，加热时间为例如0.5～8小时。
在上述实施方式中，如上所述，在使带有粘接剂层的半导体芯片31暂时固定于被粘物51之后，在不使粘接剂层21完全热固化的状态下进行引线接合工序。也可以代替这种构成，在上述半导体装置的制造方法中，在将带有粘接剂层的半导体芯片31暂时固定于被粘物51后使粘接剂层21热固化，然后进行引线接合工序。
在上述半导体装置的制造方法中，作为其它实施方式，可以进行图8所示的晶圆减薄工序来代替参照图2的(d)的上述晶圆减薄工序。经过参照图2的(c)的上述过程后，在图8所示的晶圆减薄工序中，以在晶圆加工用胶带T2上保持有半导体晶圆W的状态通过从第2面Wb起的磨削加工将该晶圆减薄至规定厚度，形成包含多个半导体芯片31且被保持于晶圆加工用胶带T2的半导体晶圆分割体30B。
在上述晶圆减薄工序中，既可以采用将晶圆磨削至分割槽30a在第2面Wb侧露出为止的方法(第1方法)，也可以采用如下方法：从第2面Wb侧起磨削晶圆至即将到达分割槽30a，然后利用旋转磨石对晶圆的挤压力作用使分割槽30a与第2面Wb之间产生裂纹，从而形成半导体晶圆分割体30B(第2方法)。根据所采用的方法适宜确定参照图2的(a)和图2的(b)的如上形成的分割槽30a的、从第1面Wa起的深度。
在图8中，用粗线示意性示出经由第1方法而成的分割槽30a或经由第2方法而成的分割槽30a以及与其相连的裂纹。在上述半导体装置的制造方法中，可以在工序A中使用由此制作的半导体晶圆分割体30B作为半导体晶圆分割体来代替半导体晶圆30A，并进行参照图3至图7的上述各工序。
图9的(a)和图9的(b)示出该实施方式的工序B、即在将半导体晶圆分割体30B贴合于切割芯片接合薄膜1后进行的第1扩展工序(冷扩展工序)。
在该实施方式的工序B中，使扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件43在切割芯片接合薄膜1的图中下侧抵接于切割带10并上升，以沿着包含半导体晶圆分割体30B的径向和圆周方向的二维方向对贴合有半导体晶圆分割体30B的切割芯片接合薄膜1的切割带10进行拉伸的方式进行扩展。
该扩展以使切割带10中产生例如5～28MPa、优选8～25MPa的范围内的拉伸应力的条件来进行。冷扩展工序中的温度条件为例如0℃以下，优选为-20～-5℃，更优选为-15～-5℃，更优选为-15℃。冷扩展工序中的扩展速度(使顶起构件43上升的速度)优选为1～400mm/秒。另外，冷扩展工序中的扩展量优选为50～200mm。
通过这样的冷扩展工序，将切割芯片接合薄膜1的粘接剂层20割断为小片的粘接剂层21，得到带有粘接剂层的半导体芯片31。具体而言，在冷扩展工序中，在与要被扩展的切割带10的粘合剂层12密合的粘接剂层20中在半导体晶圆分割体30B的各半导体芯片31所密合的各区域中变形受到抑制，另一方面，在位于图中的与半导体芯片31间的分割槽30a垂直的方向的位置处则不产生这种变形抑制作用，在该状态下切割带10中产生的拉伸应力发挥作用。其结果是，在粘接剂层20中在位于图中的与半导体芯片31间的分割槽30a垂直的方向的位置处被割断。
在上述半导体装置的制造方法中，作为又一其它实施方式，可以使用如下制作的半导体晶圆30C来代替工序A中使用的半导体晶圆30A或半导体晶圆分割体30B。
在该实施方式中，如图10的(a)和图10的(b)所示，首先在半导体晶圆W中形成改性区域30b。半导体晶圆W具有第1面Wa和第2面Wb。半导体晶圆W中的第1面Wa侧已经安装了各种半导体元件(省略图示)，并且该半导体元件所需要的布线结构等(省略图示)也已经形成在第1面Wa上。
然后，将具有粘合面T3a的晶圆加工用胶带T3贴合于半导体晶圆W的第1面Wa侧后，以在晶圆加工用胶带T3上保持有半导体晶圆W的状态，从与晶圆加工用胶带T3相反的一侧对半导体晶圆W沿着预分割线照射聚光点位于晶圆内部的激光，利用由多光子吸收引起的消融在半导体晶圆W内形成改性区域30b。改性区域30b为用于使半导体晶圆W分离为半导体芯片单元的脆弱化区域。
关于通过激光照射在半导体晶圆中在预分割线上形成改性区域30b的方法，在例如日本特开2002-192370号公报中有详细记载，该实施方式中的激光照射条件例如可在以下条件的范围内适宜调整。
<激光照射条件>
(A)激光
(B)聚光用透镜
倍率 100倍以下
NA 0.55
对激光波长的透射率 100％以下
(C)载置有半导体基板的载置台的移动速度280mm/秒以下
然后，如图10的(c)所示，以在晶圆加工用胶带T3上保持有半导体晶圆W的状态，通过从第2面Wb起的磨削加工将半导体晶圆W减薄至规定厚度，由此形成能够单片化为多个半导体芯片31的半导体晶圆30C(晶圆减薄工序)。
在上述半导体装置的制造方法中，在工序A中，可以使用如此制作的半导体晶圆30C来代替半导体晶圆30A作为能单片化的半导体晶圆，进行参照图3～图7的上述的各工序。
图11的(a)和图11的(b)示出该实施方式中的工序B、即在将半导体晶圆30C贴合于切割芯片接合薄膜1后进行的第1扩展工序(冷扩展工序)。
在冷扩展工序中，使扩展装置所具备的中空圆柱形状的顶起构件43在切割芯片接合薄膜1的图中下侧抵接于切割带10并上升，以沿着包含半导体晶圆30C的径向和圆周方向的二维方向对贴合有半导体晶圆30C的切割芯片接合薄膜1的切割带10进行拉伸的方式进行扩展。
该扩展以使切割带10中产生例如5～28MPa、优选8～25MPa的范围内的拉伸应力的条件来进行。冷扩展工序中的温度条件为例如0℃以下，优选为-20～-5℃，更优选为-15～-5℃，更优选为-15℃。冷扩展工序中的扩展速度(使顶起构件43上升的速度)优选为1～400mm/秒。另外，冷扩展工序中的扩展量优选为50～200mm。
通过这样的冷扩展工序，将切割芯片接合薄膜1的粘接剂层20割断为小片的粘接剂层21，得到带有粘接剂层的半导体芯片31。具体而言，在冷扩展工序中，在半导体晶圆30C中在脆弱的改性区域30b处形成裂纹，单片化为半导体芯片31。与此同时，在冷扩展工序中，在与要被扩展的切割带10的粘合剂层12密合的粘接剂层20中在半导体晶圆30C的各半导体芯片31所密合的各区域中变形受到抑制，另一方面，在位于图中的与晶圆的裂纹形成位置垂直的方向的位置处则不产生这种变形抑制作用，在该状态下切割带10中产生的拉伸应力发挥作用。其结果是，在粘接剂层20中在位于图中的与半导体芯片31间的裂纹形成位置垂直的方向的位置处被割断。
另外，在上述半导体装置的制造方法中，切割芯片接合薄膜1如上所述能够用于要得到带有粘接剂层的半导体芯片的用途中，还可以在用于得到将多个半导体芯片层叠而进行3维安装时的带有粘接剂层的半导体芯片的用途中使用。这种3维安装的半导体芯片31之间既可以与粘接剂层21一起夹设间隔物，也可以不夹设间隔物。
[实施例]
以下举出实施例更详细地对本发明进行说明，但本发明不受这些实施例任何限定。需要说明的是，将实施例及比较例中的粘合剂层的构成丙烯酸系聚合物P2的各单体成分的组成示于表1。其中，表1中，对于表示组合物的组成的各数值的单位而言，单体成分相关的数值为相对的“摩尔”，单体成分以外的各成分相关的数值为相对于该丙烯酸系聚合物P2 100质量份的“质量份”。
实施例1
(切割带)
在具备冷凝管、氮气导入管、温度计、和搅拌装置的反应容器内，将包含丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)100摩尔、丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)20摩尔、相对于这些单体成分的总量100质量份为0.2质量份的作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰、和作为聚合溶剂的甲苯的混合物在61℃下、在氮气气氛下进行6小时搅拌(聚合反应)。由此，得到含有丙烯酸系聚合物P1的聚合物溶液。
然后，将包含该含有丙烯酸系聚合物P1的聚合物溶液、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)、和作为加成反应催化剂的二月桂酸二丁基锡的混合物在50℃下、在空气气氛下进行48小时搅拌(加成反应)。该反应溶液中，MOI的配混量为18摩尔。另外，该反应溶液中，二月桂酸二丁基锡的配混量相对于丙烯酸系聚合物P1 100质量份为0.01质量份。通过该加成反应，得到含有在侧链具有甲基丙烯酸酯基的丙烯酸系聚合物P2(包含源自含不饱和官能团的异氰酸酯化合物的构成单元的丙烯酸系聚合物)的聚合物溶液。
然后，在该聚合物溶液中加入相对于丙烯酸系聚合物P2 100质量份为2质量份的多异氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”、东曹株式会社制)、和2质量份的光聚合引发剂(商品名“Irgacure 651”、BASF公司制)并混合，并且以使该混合物的室温下的粘度成为500mPa·s的方式对该混合物添加甲苯进行稀释，得到粘合剂组合物。
然后，使用涂抹器在具有实施了有机硅脱模处理的面的PET隔离体(厚度50μm)的有机硅脱模处理面上涂布粘合剂组合物而形成粘合剂组合物层。然后，对该组合物层进行基于120℃下2分钟的加热的脱溶剂，在PET隔离体上形成厚度10μm的粘合剂层。
然后，使用层压机，在室温下将作为基材的聚烯烃薄膜(商品名“FUNCRARE NED#125”、厚度125μm、Gunze Limited制)的实施了电晕处理的表面贴合于该粘合剂层的露出面。然后对该贴合体在50℃下进行24小时的保存。如上所述地操作，制作实施例1的切割带。
(粘接剂层)
将丙烯酸系聚合物A1(商品名“TEISAN RESIN SG-P3”、Nagase ChemteXCorporation制)100质量份、固体酚醛树脂(商品名“MEHC-7851SS”、23℃下为固体、明和化成株式会社制)12质量份、和二氧化硅填料(商品名“SO-C2”、平均粒径为0.5μm、ADMATECHSCO.,LTD.制)100质量份加入到甲乙酮中进行混合，以使固体成分的浓度成为18质量％的方式调整浓度，得到粘接剂组合物。
然后，使用涂抹器将粘接剂组合物涂布于具有实施了有机硅脱模处理的面的PET隔离体(厚度50μm)的有机硅脱模处理面上而形成涂膜，对该涂膜在130℃下进行2分钟的脱溶剂。如上操作，在PET隔离体上制作实施例1中的厚度15μm的粘接剂层。
(切割芯片接合薄膜的制作)
从实施例1的切割带将PET隔离体剥离，将实施例1的粘接剂层贴合于露出的粘合剂层。贴合中使用手压辊。如此操作，制作实施例1的切割芯片接合薄膜。
实施例2
粘合剂层的制作中，将多异氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”、东曹株式会社制)的配混量设为1质量份，除此以外，与实施例1同样地操作，制作实施例2的切割带及切割芯片接合薄膜。
实施例3
粘合剂层的制作中，将多异氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”、东曹株式会社制)的配混量设为0.5质量份，除此以外，与实施例1同样地操作，制作实施例3的切割带及切割芯片接合薄膜。
实施例4
粘合剂层的制作中，将多异氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”、东曹株式会社制)的配混量设为0.2质量份，除此以外，与实施例1同样地操作，制作实施例4的切割带及切割芯片接合薄膜。
实施例5
(切割带)
在具备冷凝管、氮气导入管、温度计、和搅拌装置的反应容器内，将包含丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)100摩尔、丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)30摩尔、丙烯酰基吗啉(AM)15摩尔、相对于这些单体成分的总量100质量份为0.2质量份的作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰、和作为聚合溶剂的甲苯的混合物在61℃下、在氮气气氛下进行6小时搅拌(聚合反应)。由此，得到含有丙烯酸系聚合物P1的聚合物溶液。
然后，将包含该含有丙烯酸系聚合物P1的聚合物溶液、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)、和作为加成反应催化剂的二月桂酸二丁基锡的混合物在50℃下、在空气气氛下进行48小时搅拌(加成反应)。该反应溶液中，MOI的配混量为25摩尔。另外，该反应溶液中，二月桂酸二丁基锡的配混量相对于丙烯酸系聚合物P1 100质量份为0.01质量份。通过该加成反应，得到含有在侧链具有甲基丙烯酸酯基的丙烯酸系聚合物P2(包含源自含不饱和官能团的异氰酸酯化合物的构成单元的丙烯酸系聚合物)的聚合物溶液。
然后，在该聚合物溶液中加入相对于丙烯酸系聚合物P2 100质量份为2质量份的多异氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”、东曹株式会社制)、和2质量份的光聚合引发剂(商品名“Irgacure 651”、BASF公司制)并混合，并且以使该混合物的室温下的粘度成为500mPa·s的方式对该混合物添加甲苯进行稀释，得到粘合剂组合物。
然后，使用涂抹器在具有实施了有机硅脱模处理的面的PET隔离体(厚度50μm)的有机硅脱模处理面上涂布粘合剂组合物而形成粘合剂组合物层。然后，对该组合物层进行基于120℃下2分钟的加热的脱溶剂，在PET隔离体上形成厚度10μm的粘合剂层。
然后，使用层压机，在室温下将作为基材的聚烯烃薄膜(商品名“FUNCRARE NED#125”、厚度125μm、Gunze Limited制)的实施了电晕处理的表面贴合于该粘合剂层的露出面。然后对该贴合体在50℃下进行24小时的保存。如上所述地操作，制作实施例5的切割带。
(切割芯片接合薄膜的制作)
从实施例5的切割带将PET隔离体剥离，将实施例1的粘接剂层贴合于露出的粘合剂层。贴合中使用手压辊。如此操作，制作实施例5的切割芯片接合薄膜。
实施例6
粘合剂层的制作中，将多异氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”、东曹株式会社制)的配混量设为1质量份，除此以外，与实施例5同样地操作，制作实施例6的切割带及切割芯片接合薄膜。
实施例7
粘合剂层的制作中，将多异氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”、东曹株式会社制)的配混量设为0.5质量份，除此以外，与实施例5同样地操作，制作实施例7的切割带及切割芯片接合薄膜。
实施例8
粘合剂层的制作中，将多异氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”、东曹株式会社制)的配混量设为0.2质量份，除此以外，与实施例5同样地操作，制作实施例8的切割带及切割芯片接合薄膜。
实施例9
(切割带)
在具备冷凝管、氮气导入管、温度计、和搅拌装置的反应容器内，将包含甲基丙烯酸月桂酯(LMA)100摩尔、甲基丙烯酸2-羟基乙酯(HEMA)15摩尔、相对于这些单体成分的总量100质量份为0.2质量份的作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰、和作为聚合溶剂的甲苯的混合物在61℃下、在氮气气氛下进行6小时搅拌(聚合反应)。由此，得到含有丙烯酸系聚合物P1的聚合物溶液。
然后，将包含该含有丙烯酸系聚合物P1的聚合物溶液、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)、和作为加成反应催化剂的二月桂酸二丁基锡的混合物在50℃下、在空气气氛下进行48小时搅拌(加成反应)。该反应溶液中，MOI的配混量为12摩尔。另外，该反应溶液中，二月桂酸二丁基锡的配混量相对于丙烯酸系聚合物P1 100质量份为0.01质量份。通过该加成反应，得到含有在侧链具有甲基丙烯酸酯基的丙烯酸系聚合物P2(包含源自含不饱和官能团的异氰酸酯化合物的构成单元的丙烯酸系聚合物)的聚合物溶液。
然后，在该聚合物溶液中加入相对于丙烯酸系聚合物P2 100质量份为2质量份的多异氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”、东曹株式会社制)、和2质量份的光聚合引发剂(商品名“Irgacure 651”、BASF公司制)并混合，并且以使该混合物的室温下的粘度成为500mPa·s的方式对该混合物添加甲苯进行稀释，得到粘合剂组合物。
然后，使用涂抹器在具有实施了有机硅脱模处理的面的PET隔离体(厚度50μm)的有机硅脱模处理面上涂布粘合剂组合物而形成粘合剂组合物层。然后，对该组合物层进行基于120℃下2分钟的加热的脱溶剂，在PET隔离体上形成厚度10μm的粘合剂层。
然后，使用层压机，在室温下将作为基材的聚烯烃薄膜(商品名“FUNCRARE NED#125”、厚度125μm、Gunze Limited制)的实施了电晕处理的表面贴合于该粘合剂层的露出面。然后对该贴合体在50℃下进行24小时的保存。如上所述地操作，制作实施例9的切割带。
(切割芯片接合薄膜的制作)
从实施例9的切割带将PET隔离体剥离，将实施例1的粘接剂层贴合于露出的粘合剂层。贴合中使用手压辊。如此操作，制作实施例9的切割芯片接合薄膜。
实施例10
粘合剂层的制作中，将多异氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”、东曹株式会社制)的配混量设为1质量份，除此以外，与实施例9同样地操作，制作实施例10的切割带及切割芯片接合薄膜。
比较例1
(切割带)
在具备冷凝管、氮气导入管、温度计、和搅拌装置的反应容器内，将包含甲基丙烯酸月桂酯(LMA)100摩尔、甲基丙烯酸2-羟基乙酯(HEMA)25摩尔、相对于这些单体成分的总量100质量份为0.2质量份的作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰、和作为聚合溶剂的甲苯的混合物在61℃下、在氮气气氛下进行6小时搅拌(聚合反应)。由此，得到含有丙烯酸系聚合物P1的聚合物溶液。
然后，将包含该含有丙烯酸系聚合物P1的聚合物溶液、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)、和作为加成反应催化剂的二月桂酸二丁基锡的混合物在50℃下、在空气气氛下进行48小时搅拌(加成反应)。该反应溶液中，MOI的配混量为20摩尔。另外，该反应溶液中，二月桂酸二丁基锡的配混量相对于丙烯酸系聚合物P1 100质量份为0.01质量份。通过该加成反应，得到含有在侧链具有甲基丙烯酸酯基的丙烯酸系聚合物P2(包含源自含不饱和官能团的异氰酸酯化合物的构成单元的丙烯酸系聚合物)的聚合物溶液。
然后，在该聚合物溶液中加入相对于丙烯酸系聚合物P2 100质量份为0.5质量份的多异氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”、东曹株式会社制)、和2质量份的光聚合引发剂(商品名“Irgacure 651”、BASF公司制)并混合，并且以使该混合物的室温下的粘度成为500mPa·s的方式对该混合物添加甲苯进行稀释，得到粘合剂组合物。
然后，使用涂抹器在具有实施了有机硅脱模处理的面的PET隔离体(厚度50μm)的有机硅脱模处理面上涂布粘合剂组合物而形成粘合剂组合物层。然后，对该组合物层进行基于120℃下2分钟的加热的脱溶剂，在PET隔离体上形成厚度10μm的粘合剂层。
然后，使用层压机，在室温下将作为基材的聚烯烃薄膜(商品名“FUNCRARE NED#125”、厚度125μm、Gunze Limited制)的实施了电晕处理的表面贴合于该粘合剂层的露出面。然后对该贴合体在50℃下进行24小时的保存。如上所述地操作，制作比较例1的切割带。
(切割芯片接合薄膜的制作)
从比较例1的切割带将PET隔离体剥离，将实施例1的粘接剂层贴合于露出的粘合剂层。贴合中使用手压辊。如此操作，制作比较例1的切割芯片接合薄膜。
比较例2
粘合剂层的制作中，将多异氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”、东曹株式会社制)的配混量设为0.2质量份，除此以外，与比较例1同样地操作，制作比较例2的切割带及切割芯片接合薄膜。
比较例3
粘合剂层与基材的贴合中，使用层压机，在室温下将作为基材的LDPE薄膜(厚度100μm、无表面处理、日东电工株式会社制)贴合于粘合剂层的露出面，对该贴合体在50℃下进行24小时的保存，除此以外，与实施例1同样地操作，制作比较例3的切割带及切割芯片接合薄膜。
比较例4
粘合剂层与基材的贴合中，使用层压机，在室温下将作为基材的LDPE薄膜(厚度100μm、无表面处理、日东电工株式会社制)贴合于粘合剂层的露出面，对该贴合体在50℃下进行24小时的保存，除此以外，与实施例4同样地操作，制作比较例3的切割带及切割芯片接合薄膜。
<评价>
对实施例及比较例中得到的切割芯片接合薄膜进行以下的评价。
(1)T型剥离试验
对实施例及比较例中得到的切割芯片接合薄膜，将隔离体剥离，使芯片接合薄膜面露出。然后，将宽度50mm的背衬胶带(商品名“ELP BT315”、日东电工株式会社制)贴合于露出的芯片接合薄膜面。从贴合有背衬胶带的切割芯片接合薄膜切出宽度20mm×长度120mm，作为测定用样品。然后，使用所得测定用样品，对于基材与粘合剂层之间的剥离力，使用拉伸试验器(商品名“TG-1kN”、MinebeaMitsumi Inc.制)，在拉伸速度300mm/分钟的条件下、在-15℃及25℃的各温度条件下通过T型剥离试验，测定剥离力。将结果示于表1。
(2)扩展评价
使用商品名“ML300-Integration”(株式会社东京精密制)作为激光加工装置，使聚光点集合于12英寸的半导体晶圆的内部，沿格子状(8mm×6mm)的预分割线照射激光，在半导体晶圆的内部形成改性区域。对于激光的照射，在下述的条件下进行。
(A)激光
(B)聚光用透镜
倍率 50倍
NA 0.55
对激光波长的透射率 60％
(C)载置有半导体基板的载置台的移动速度100mm/秒
在半导体晶圆内部形成改性区域后，将背面研磨用保护带贴合于半导体晶圆的表面，使用背面研磨机(商品名“DGP 8760”、DISCO Inc.制)，对背面进行磨削以使半导体晶圆的厚度成为30μm。
将形成有改性区域的半导体晶圆和切割环贴合于实施例及比较例中得到的切割芯片接合薄膜(贴合温度为60℃)。然后，使用芯片分离装置(商品名“DDS 2300”、DISCOInc.制)，进行半导体晶圆及芯片接合薄膜的割断。具体而言，首先，使用冷扩展单元在温度-15℃、扩展速度300mm/秒、扩展量12mm的条件下进行冷扩展将半导体晶圆割断。然后，对于粘合剂层的破裂，将冷扩展后在粘合剂层存在破裂的情况评价为×、将无破裂的情况评价为○。将结果示于表1。
然后，使用热扩展单元在常温、扩展速度1mm/秒、扩展量9mm的条件下进行扩展，将加热器与切割带间的距离设为20mm，以切割带的旋转速度5°/秒使其旋转、并使顶起部的切割带在250℃下热收缩。数出此时的各半导体芯片的四个边中半导体芯片及背面保护薄膜被割断的边的个数，算出被割断的边的数量相对于全部的边的数量的比例作为割断率。将结果示于表1。
[表1]
作为以上的总结，以下附上本发明的构成及其变形。
[1]一种切割芯片接合薄膜，其具备：
切割带，具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；及
粘接剂层，以可剥离的方式密合于前述切割带中的前述粘合剂层，
前述基材的前述粘合剂层侧表面实施了表面处理，
前述基材与前述粘合剂层之间的、-15℃下的剥离力与25℃下的剥离力的关系满足下述式(1)。
(-15℃下的剥离力)/(25℃下的剥离力)≥1(1)
[2]根据[1]所述的切割芯片接合薄膜，其中，前述表面处理为电晕处理。
[3]一种切割芯片接合薄膜，其具备：
切割带，具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；及
粘接剂层，以可剥离的方式密合于前述切割带中的前述粘合剂层，
前述基材与前述粘合剂层之间的、-15℃下的剥离力与25℃下的剥离力的关系满足下述式(1)。
(-15℃下的剥离力)/(25℃下的剥离力)≥1(1)
[4]根据[1]～[3]中任一项所述的切割芯片接合薄膜，其中，前述基材与前述粘合剂层之间的-15℃下的剥离力超过6.5N/10mm。
[5]根据[1]～[4]中任一项所述的切割芯片接合薄膜，其中，前述基材与前述粘合剂层之间的-15℃下的剥离力为50N/10mm以下。
[6]根据[1]～[5]中任一项所述的切割芯片接合薄膜，其中，前述基材与前述粘合剂层之间的35℃下的剥离力为0.5N/10mm以上。
[7]根据[1]～[6]中任一项所述的切割芯片接合薄膜，其中，前述基材与前述粘合剂层之间的35℃下的剥离力为50N/10mm以下。
[8]根据[1]～[7]中任一项所述的切割芯片接合薄膜，其中，前述粘合剂层为包含丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的丙烯酸系粘合剂层。
[9]根据[8]所述的切割芯片接合薄膜，其中，前述丙烯酸系聚合物包含源自含羟基单体的构成单元。
[10]根据[9]所述的切割芯片接合薄膜，其中，前述含羟基单体为(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯。
[11]根据[9]或[10]所述的切割芯片接合薄膜，其中，用于形成前述丙烯酸系聚合物的全部单体成分中的前述含羟基单体的比例为5～80摩尔％。
[12]根据[8]～[11]中任一项所述的切割芯片接合薄膜，其中，前述丙烯酸系聚合物包含源自含氮原子单体(特别是含吗啉基单体)的构成单元。
[13]根据[12]所述的切割芯片接合薄膜，其中，前述含氮原子单体为(甲基)丙烯酰基吗啉。
[14]根据[12]或[13]所述的切割芯片接合薄膜，其中，用于形成前述丙烯酸系聚合物的全部单体成分中的前述含氮原子单体的比例为3～50摩尔％。
[15]根据[9]～[14]中任一项所述的切割芯片接合薄膜，其中，用于形成前述丙烯酸系聚合物的全部单体成分中的前述含羟基单体和前述含氮原子单体的合计比例为10～60摩尔％。
[16]根据[8]～[15]中任一项所述的切割芯片接合薄膜，其中，前述丙烯酸系聚合物具有：源自具有第1官能团的单体的构成单元、以及源自具有可与前述第1官能团反应的第2官能团及辐射线聚合性官能团的化合物的结构部。
[17]根据[16]所述的切割芯片接合薄膜，其中，前述第1官能团与前述第2官能团的组合为羟基与异氰酸酯基的组合、或异氰酸酯基与羟基的组合。
[18]根据[16]所述的切割芯片接合薄膜，其中，前述第1官能团为羟基，前述第2官能团为异氰酸酯基。
[19]根据[16]～[18]中任一项所述的切割芯片接合薄膜，其中，前述具有第2官能团及辐射线聚合性官能团的化合物为具有辐射线聚合性的碳-碳双键(特别是(甲基)丙烯酰基)及异氰酸酯基的化合物。
[20]根据[16]～[18]中任一项所述的切割芯片接合薄膜，其中，前述具有第2官能团及辐射线聚合性官能团的化合物为2-丙烯酰氧基乙基异氰酸酯和/或2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯。
[21]根据[16]～[20]中任一项所述的切割芯片接合薄膜，其中，前述源自具有第1官能团的单体的构成单元与前述具有第2官能团及辐射线聚合性官能团的化合物的摩尔比为0.95以上。
[22]根据[8]～[21]中任一项所述的切割芯片接合薄膜，其中，前述丙烯酸系聚合物(使用交联剂的情况下为交联后)的玻璃化转变温度(Tg)为-50～10℃(特别是-40～0℃)。
[23]根据[1]～[22]中任一项所述的切割芯片接合薄膜，其中，前述粘合剂层含有交联剂(特别是多异氰酸酯化合物)。
[24]根据[23]所述的切割芯片接合薄膜，其中，前述交联剂的用量相对于基础聚合物100质量份为0.1～5质量份。
[25]根据[1]～[24]中任一项所述的切割芯片接合薄膜，其中，前述粘合剂层包含固化催化剂(特别是二月桂酸二丁基锡)。
[26]一种切割芯片接合薄膜，其具备：
切割带，具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；及
粘接剂层，以可剥离的方式密合于前述切割带中的前述粘合剂层，
前述粘合剂层为包含丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的丙烯酸系粘合剂层，前述丙烯酸系聚合物具有：源自具有第1官能团的单体的构成单元、以及源自前述具有可与第1官能团反应的第2官能团及辐射线聚合性官能团的化合物的结构部，
前述源自具有第1官能团的单体的构成单元与前述具有第2官能团及辐射线聚合性官能团的化合物的摩尔比为0.95以上，
前述基材与前述粘合剂层之间的、-15℃下的剥离力与25℃下的剥离力的关系满足下述式(1)。
(-15℃下的剥离力)/(25℃下的剥离力)≥1
[27]一种切割芯片接合薄膜，其具备：
切割带，具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；及
粘接剂层，以可剥离的方式密合于前述切割带中的前述粘合剂层，
前述粘合剂层为包含丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的丙烯酸系粘合剂层，前述丙烯酸系聚合物(使用交联剂的情况下为交联后)的玻璃化转变温度(Tg)为-50～10℃(特别是-40～0℃)，
前述基材与前述粘合剂层之间的、-15℃下的剥离力与25℃下的剥离力的关系满足下述式(1)。
(-15℃下的剥离力)/(25℃下的剥离力)≥1
[28]一种切割芯片接合薄膜，其具备：
切割带，具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；及
粘接剂层，以可剥离的方式密合于前述切割带中的前述粘合剂层，
前述基材与前述粘合剂层之间的-15℃下的剥离力超过6.5N/10mm且为50N/10mm以下，
前述基材与前述粘合剂层之间的25℃下的剥离力超过0.5N/10mm且为50N/10mm以下，
前述基材与前述粘合剂层之间的、-15℃下的剥离力与25℃下的剥离力的关系满足下述式(1)。
(-15℃下的剥离力)/(25℃下的剥离力)≥1
[29]一种切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构，
前述基材与前述粘合剂层之间的、-15℃下的剥离力与25℃下的剥离力的关系满足下述式(1)。
(-15℃下的剥离力)/(25℃下的剥离力)≥1(1)
[30]根据[29]所述的切割带，其中，对前述基材的前述粘合剂层侧表面实施了表面处理(特别是电晕处理)。
[31]根据[29]或[30]中任一项所述的切割带，其中，前述基材与前述粘合剂层之间的-15℃下的剥离力超过6.5N/10mm。
[32]根据[29]～[31]中任一项所述的切割带，其中，前述基材与前述粘合剂层之间的-15℃下的剥离力为50N/10mm以下。
[33]根据[29]～[32]中任一项所述的切割带，其中，前述基材与前述粘合剂层之间的35℃下的剥离力为0.5N/10mm以上。
[34]根据[29]～[33]中任一项所述的切割带，其中，前述基材与前述粘合剂层之间的35℃下的剥离力为50N/10mm以下。
[35]根据[29]～[34]中任一项所述的切割带，其中，前述粘合剂层为包含丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的丙烯酸系粘合剂层。
[36]根据[35]所述的切割带，其中，前述丙烯酸系聚合物包含源自含羟基单体的构成单元。
[37]根据[36]所述的切割带，其中，前述含羟基单体为(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯。
[38]根据[36]或[37]所述的切割带，其中，用于形成前述丙烯酸系聚合物的全部单体成分中的前述含羟基单体的比例为5～80摩尔％。
[39]根据[35]～[38]中任一项所述的切割带，其中，前述丙烯酸系聚合物包含源自含氮原子单体(特别是含吗啉基单体)的构成单元。
[40]根据[39]所述的切割带，其中，前述含氮原子单体为(甲基)丙烯酰基吗啉。
[41]根据[39]或[40]所述的切割带，其中，用于形成前述丙烯酸系聚合物的全部单体成分中的前述含氮原子单体的比例为3～50摩尔％。
[42]根据[35]～[41]中任一项所述的切割带，其中，用于形成前述丙烯酸系聚合物的全部单体成分中的前述含羟基单体和前述含氮原子单体的合计比例为10～60摩尔％。
[43]根据[35]～[42]中任一项所述的切割带，其中，前述丙烯酸系聚合物具有：源自具有第1官能团的单体的构成单元、以及源自前述具有可与第1官能团反应的第2官能团及辐射线聚合性官能团的化合物的结构部。
[44]根据[43]所述的切割带，其中，前述第1官能团与前述第2官能团的组合为羟基与异氰酸酯基的组合、或异氰酸酯基与羟基的组合。
[45]根据[43]所述的切割带，其中，前述第1官能团为羟基、前述第2官能团为异氰酸酯基。
[46]根据[43]～[45]中任一项所述的切割带，其中，前述具有第2官能团及辐射线聚合性官能团的化合物为具有辐射线聚合性的碳-碳双键(特别是(甲基)丙烯酰基)及异氰酸酯基的化合物。
[47]根据[43]～[45]中任一项所述的切割带，其中，前述具有第2官能团及辐射线聚合性官能团的化合物为2-丙烯酰氧基乙基异氰酸酯和/或2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯。
[48]根据[43]～[47]中任一项所述的切割带，其中，前述源自具有第1官能团的单体的构成单元与前述具有第2官能团及辐射线聚合性官能团的化合物的摩尔比为0.95以上。
[49]根据[35]～[48]中任一项所述的切割带，其中，前述丙烯酸系聚合物(使用交联剂的情况下为交联后)的玻璃化转变温度(Tg)为-50～10℃(特别是-40～0℃)。
[50]根据[29]～[49]中任一项所述的切割带，其中，前述粘合剂层含有交联剂(特别是多异氰酸酯化合物)。
[51]根据[50]所述的切割带，其中，前述交联剂的用量相对于基础聚合物100质量份为0.1～5质量份。
[52]根据[29]～[51]中任一项所述的切割带，其中，前述粘合剂层包含固化催化剂(特别是二月桂酸二丁基锡)。
[53]一种切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构，
前述基材的前述粘合剂层侧表面实施了表面处理，
前述基材与前述粘合剂层之间的、-15℃下的剥离力与25℃下的剥离力的关系满足下述式(1)。
(-15℃下的剥离力)/(25℃下的剥离力)≥1(1)
[54]一种切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构，
前述粘合剂层为包含丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的丙烯酸系粘合剂层，前述丙烯酸系聚合物具有；源自具有第1官能团的单体的构成单元、以及源自前述具有可与第1官能团反应的第2官能团及辐射线聚合性官能团的化合物的结构部，
前述源自具有第1官能团的单体的构成单元与前述具有第2官能团及辐射线聚合性官能团的化合物的摩尔比为0.95以上，
前述基材与前述粘合剂层之间的、-15℃下的剥离力与25℃下的剥离力的关系满足下述式(1)。
(-15℃下的剥离力)/(25℃下的剥离力)≥1
[55]一种切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构，
前述粘合剂层为包含丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的丙烯酸系粘合剂层，前述丙烯酸系聚合物(使用交联剂的情况下为交联后)的玻璃化转变温度(Tg)为-50～10℃(特别是-40～0℃)，
前述基材与前述粘合剂层之间的、-15℃下的剥离力与25℃下的剥离力的关系满足下述式(1)。
(-15℃下的剥离力)/(25℃下的剥离力)≥1
[56]一种切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构，
前述基材与前述粘合剂层之间的-15℃下的剥离力超过6.5N/10mm且为50N/10mm以下，
前述基材与前述粘合剂层之间的25℃下的剥离力超过0.5N/10mm且为50N/10mm以下，
前述基材与前述粘合剂层之间的、-15℃下的剥离力与25℃下的剥离力的关系满足下述式(1)。
(-15℃下的剥离力)/(25℃下的剥离力)≥1。

Claims (2)

1.一种切割芯片接合薄膜，其具备：
切割带，具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；及
粘接剂层，以可剥离的方式密合于所述切割带中的所述粘合剂层，
所述基材的所述粘合剂层侧表面实施了表面处理，
所述粘合剂层为包含丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的丙烯酸系粘合剂层，
所述丙烯酸系聚合物在含有源自具有第1官能团的单体的构成单元的同时，含有源自具有可与所述第1官能团反应的第2官能团及辐射线聚合性官能团的化合物的结构部，
所述第1官能团和所述第2官能团的组合为羟基与异氰酸酯基的组合、或者异氰酸酯基与羟基的组合，
所述基材与所述粘合剂层之间的、-15℃下的剥离力与25℃下的剥离力的关系满足下述式(1)，
(-15℃下的剥离力)/(25℃下的剥离力)≥1 (1)。
2.根据权利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，所述基材与所述粘合剂层之间的-15℃下的剥离力超过6.5N/10mm。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102311711A (zh) * 2010-07-05 2012-01-11 日东电工株式会社 活性能量射线固化型再剥离用粘合剂以及切割·贴片薄膜
CN104756235A (zh) * 2012-10-18 2015-07-01 古河电气工业株式会社 切割胶带
CN107325741A (zh) * 2016-04-22 2017-11-07 日东电工株式会社 胶带及半导体装置的制造方法
CN108727999A (zh) * 2017-04-17 2018-11-02 日东电工株式会社 切割芯片接合薄膜
JP2019029465A (ja) * 2017-07-28 2019-02-21 日東電工株式会社 ダイボンドフィルム、ダイシングダイボンドフィルム、および半導体装置製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4876451B2 (ja) 2005-06-27 2012-02-15 日立化成工業株式会社 接着シート
JP5255465B2 (ja) 2009-01-29 2013-08-07 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ
JP5896636B2 (ja) * 2011-07-22 2016-03-30 日東電工株式会社 水分散型粘着剤組成物、粘着剤および粘着シート
JP6278178B2 (ja) * 2013-11-11 2018-02-14 日立化成株式会社 ウエハ加工用テープ
JP6379389B2 (ja) 2014-12-15 2018-08-29 リンテック株式会社 ダイシングダイボンディングシート
JP2017061586A (ja) * 2015-09-23 2017-03-30 日東電工株式会社 接着シート
JP7105120B2 (ja) * 2017-07-04 2022-07-22 日東電工株式会社 ダイシングテープ、ダイシングダイボンドフィルム、および半導体装置製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102311711A (zh) * 2010-07-05 2012-01-11 日东电工株式会社 活性能量射线固化型再剥离用粘合剂以及切割·贴片薄膜
CN104756235A (zh) * 2012-10-18 2015-07-01 古河电气工业株式会社 切割胶带
CN107325741A (zh) * 2016-04-22 2017-11-07 日东电工株式会社 胶带及半导体装置的制造方法
CN108727999A (zh) * 2017-04-17 2018-11-02 日东电工株式会社 切割芯片接合薄膜
JP2019029465A (ja) * 2017-07-28 2019-02-21 日東電工株式会社 ダイボンドフィルム、ダイシングダイボンドフィルム、および半導体装置製造方法

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