TWI803489B

TWI803489B - 切晶黏晶膜

Info

Publication number: TWI803489B
Application number: TW107112985A
Authority: TW
Inventors: 木村雄大; 高本尚英; 大西謙司; 宍戶雄一郎; 福井章洋; 大和道子; 井上真一
Original assignee: 日商日東電工股份有限公司
Priority date: 2017-04-17
Filing date: 2018-04-17
Publication date: 2023-06-01
Also published as: JP2018182275A; JP2018182294A; TW201842117A; TW201843728A; JP7019333B2; JP6995616B2; TW201843268A; JP7017334B2; TWI769242B; JP2018182276A

Abstract

本發明提供一種適於實現附接著劑層之半導體晶片自切晶帶之良好拾取的切晶黏晶膜。本發明之切晶黏晶膜X具備切晶帶10及接著劑層20。切晶帶10具有包含基材11與黏著劑層12之積層構造。接著劑層20可剝離地密接於黏著劑層12。用以形成黏著劑層12與接著劑層20之界面的黏著劑層12之表面12a及接著劑層20之表面20b能夠產生3.5 mJ/m² 以上之表面自由能差。

Description

切晶黏晶膜

本發明係關於一種於半導體裝置之製造過程中可使用之切晶黏晶膜。

於半導體裝置之製造過程中，為了獲得附帶與晶片尺寸相當之黏晶用接著膜的半導體晶片、即附有黏晶用接著劑層之半導體晶片，有時會使用切晶黏晶膜。切晶黏晶膜具有與作為加工對象之半導體晶圓對應之尺寸，例如具有：包含基材及黏著劑層之切晶帶、以及可剝離地密接於該黏著劑層側之黏晶膜(接著劑層)。

作為使用切晶黏晶膜獲得附接著劑層之半導體晶片之方法之一，已知經由擴張切晶黏晶膜中之切晶帶以割斷黏晶膜之步驟的方法。該方法首先於切晶黏晶膜之黏晶膜上貼合半導體晶圓。該半導體晶圓例如以其後能夠隨黏晶膜一起被割斷而單片化成複數個半導體晶片之方式進行有加工。繼而，使用擴張裝置擴張切晶黏晶膜之切晶帶，以割斷該黏晶膜從而由切晶帶上之黏晶膜產生分別與半導體晶片密接之複數個接著膜小片(接著劑層)(割斷用擴張步驟)。於該擴張步驟中，黏晶膜上之半導體晶圓於相當於黏晶膜中之割斷部位的部位亦發生割斷，而將切晶黏晶膜或切晶帶上之半導體晶圓單片化成複數個半導體晶片。繼而，為了擴寬切晶帶上之割斷後之複數個附接著劑層之半導體晶片相互間之距離，再次進行擴張步驟(間隔用擴張步驟)。繼而，例如經過洗淨步驟後，利用拾取機構之銷構件自切晶帶之下側將切晶帶上之附接著劑層之各半導體晶片頂起後，自切晶帶上進行拾取(拾取步驟)。此時，拾取對象之附接著劑層之半導體晶片中之接著劑層需適當地自切晶帶之黏著劑層剝離。如此獲得附帶黏晶膜即接著劑層之半導體晶片。該附接著劑層之半導體晶片經由其接著劑層，藉由黏晶而固著於安裝基板等被黏著體。例如下述專利文獻1~3中記載有如以上般使用之切晶黏晶膜之相關技術。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2007-2173號公報

[專利文獻2]日本專利特開2010-177401號公報

[專利文獻3]日本專利特開2012-23161號公報

圖14係以其剖面模式圖表示之作為切晶黏晶膜之一例之切晶黏晶膜Y。切晶黏晶膜Y包含切晶帶60及黏晶膜70。切晶帶60具有基材61與發揮黏著力之黏著劑層62之積層構造。黏晶膜70憑藉黏著劑層62之黏著力而密接於黏著劑層62。此種切晶黏晶膜Y具有與半導體裝置之製造過程中之加工對象即作為工件之半導體晶圓對應尺寸的圓盤形狀，可用於上述擴張步驟。例如，如圖15所示，半導體晶圓81貼合於黏晶膜70，且環狀框82貼附於黏著劑層62，於此狀態下實施擴張步驟。環狀框82係於貼附於切晶黏晶膜Y之狀態下，擴張裝置所具備之搬送臂等搬送機構於工件搬送時所機械抵接之框構件。切晶黏晶膜Y係以此種環狀框82可憑藉切晶帶60之黏著劑層62之黏著力而固定於該膜的方式設計。即，切晶黏晶膜Y具有確保於切晶帶60之黏著劑層62中在黏晶膜70之周圍存在環狀框構件貼附用區域的先前型設計。於此種設計中，黏著劑層62之外周端62e與黏晶膜70之外周端70e之間於膜面內方向上之間隔距離為10~30mm左右。

另一方面，於具備切晶帶與其黏著劑層上之黏晶膜之切晶黏晶膜中，於採用切晶帶或其黏著劑層與黏晶膜於膜面內方向上具有相同設計尺寸之構成之情形時，黏晶膜需承擔環狀框保持功能，因此，需確保對環狀框之黏著力。為了確保黏晶膜對環狀框之黏著力，例如使該黏晶膜較上述切晶黏晶膜Y中之黏晶膜70而變得低彈性化。然而，該低彈性化容易導致自切晶帶之黏著劑層剝離黏晶膜所需之剝離力上升。為了於上述拾取步驟中實現附接著劑層之半導體晶片之良好拾取，切晶帶之黏著劑層與黏晶膜之間之剝離力宜較小。

如上所述，切晶黏晶膜有於實現附接著劑層之半導體晶片自切晶帶之良好拾取之方面存在技術難題之情況。本發明係鑒於上述情況考慮而成者，其目的在於提供一種適於實現附接著劑層之半導體晶片自切晶帶之良好拾取的切晶黏晶膜。

本發明所提供之切晶黏晶膜具備切晶帶及接著劑層。切晶帶具有包含基材與黏著劑層之積層構造。接著劑層可剝離地密接於切晶帶中之黏著劑層。用以形成切晶帶黏著劑層與其上之接著劑層之界面的接著劑層之表面及黏著劑層之表面能夠產生3.5mJ/m²以上之表面自由能差。即，本切晶黏晶膜具備如下構成：於形成接著劑層與黏著劑層之界面的接著劑層表面及黏著劑層表面，接著劑層表面之表面自由能(第1表面自由能)與黏著劑層表面之表面自由能(第2表面自由能)的差為3.5mJ/m²以上或能夠達到 3.5mJ/m²以上。例如於切晶帶之黏著劑層為放射線硬化型黏著劑層等硬化型黏著劑層之情形時，本切晶黏晶膜係以接著劑層中之第1表面自由能與硬化後之黏著劑層中之第2表面自由能的差為3.5mJ/m²以上之方式構成。又，於本發明中，上述表面自由能差較佳為4mJ/m²以上，更佳為5mJ/m²以上。如上構成之切晶黏晶膜可用於在半導體裝置之製造過程中獲得附接著劑層之半導體晶片。

於半導體裝置之製造過程中，如上所述，存在為了獲得附接著劑層之半導體晶片而進行使用切晶黏晶膜之擴張步驟或拾取步驟之情況。於該拾取步驟中，需能夠自切晶帶之黏著劑層剝離附接著劑層之半導體晶片中之接著劑層而自切晶帶拾取該半導體晶片。本發明者等人獲得如下見解：本切晶黏晶膜之接著劑層與切晶帶黏著劑層之界面中之上述第1及第2表面自由能之差為3.5mJ/m²以上，較佳為4mJ/m²以上，更佳為5mJ/m²以上的狀態適於在拾取步驟中實現良好之拾取。詳見下述實施例及比較例中之記述。於接著劑層與黏著劑層之界面，接著劑層表面之表面自由能與黏著劑層表面之表面自由能的差越大，該等兩層間越不易發生構成材料之轉移。進而，接著劑層與黏著劑層之間不易發生構成材料之轉移則適於實現兩層間之較小剝離力，例如於使接著劑層低彈性化之情形時，適於在藉由該低彈性化確保接著劑層對框構件之黏著力之同時抑制該接著劑層與黏著劑層之間剝離力之上升。接著劑層與黏著劑層之界面中之第1及第2表面自由能之差為3.5mJ/m²以上，較佳為4mJ/m²以上，更佳為5mJ/m²以上的上述構成適於確保該黏著劑層與接著劑層之間具有能夠實現附接著劑層之半導體晶片於拾取步驟中之良好拾取之程度的較小剝離力。

適於在將接著劑層加以低彈性化而確保該接著劑層對框構件之黏著力之同時抑制該接著劑層與切晶帶黏著劑層之間剝離力之上升的本切晶黏晶膜適宜於膜面內方向上以實質相同之尺寸設計切晶帶或其黏著劑層與其上之接著劑層，而使該接著劑層不僅包含工件貼附用區域且包含框構件貼附用區域。本切晶黏晶膜例如可採用如下設計：於膜面內方向上，接著劑層之外周端與切晶帶之基材或黏著劑層之各外周端相距1000μm以內。此種構成之切晶黏晶膜適於藉由一衝壓加工等加工而一次地實施用以形成具有基材與黏著劑層之積層構造之一切晶帶之加工、及用以形成一接著劑層之加工。

於上述切晶黏晶膜Y之製造過程中，用以形成特定尺寸及形狀之切晶帶60之加工步驟(第1加工步驟)與用以形成特定尺寸及形狀之黏晶膜70之加工步驟(第2加工步驟)需分成獨立步驟。於第1加工步驟中，例如對於具有特定之分隔件、待形成為基材61之基材層、及位於該等之間之待形成為黏著劑層62之黏著劑層之積層構造的積層片體，實施將加工刀自基材層側起插入至分隔件為止之加工。待形成為黏著劑層62之黏著劑層係藉由在分隔件上塗佈黏著劑組合物與其後乾燥而形成。藉由第1加工步驟而於分隔件上形成具有分隔件上之黏著劑層62與基材61之積層構造之切晶帶60。於第2加工步驟中，例如對於具有特定之分隔件與待形成為黏晶膜70之接著劑層之積層構造之積層片體，實施將加工刀自接著劑層側起插入至分隔件為止之加工。待形成為黏晶膜70之接著劑層係藉由在分隔件上塗佈接著劑組合物與其後乾燥而形成。藉由第2加工步驟而於分隔件上形成黏晶膜70。其後將如此藉由單獨步驟所形成之切晶帶60與黏晶膜70進行位置對準並貼合。圖16表示附帶被覆黏晶膜70表面及黏著劑層62表面之分隔件83之切晶黏晶膜Y。

相對於此，切晶帶或其黏著劑層與其上之黏晶膜即接著劑層於膜面內方向上具有實質相同設計尺寸之情形時之本發明之切晶黏晶膜例如可藉由如下方式製造。首先，藉由在特定之分隔件上塗佈接著劑層形成用組合物而形成接著劑組合物層。繼而，藉由在該接著劑組合物層上塗佈切晶帶黏著劑層形成用組合物而形成黏著劑組合物層。繼而，藉由將該等組合物層一起乾燥而於分隔件上形成接著劑層及黏著劑層。繼而，於黏著劑層之露出面貼合切晶帶用基材。繼而，對具有分隔件、接著劑層、黏著劑層及基材之積層構造之該積層片材體實施將加工刀自基材側起插入至分隔件為止之加工。藉此，於分隔件上形成具有分隔件上之接著劑層、黏著劑層及基材之積層構造之特定尺寸及形狀的切晶黏晶膜。切晶帶或其黏著劑層與其上之接著劑層於膜面內方向上具有實質相同設計尺寸之情形時之本發明之切晶黏晶膜適於藉由一衝壓加工等加工而一次地實施用以形成具有基材與黏著劑層之積層構造之一切晶帶之加工、及用以形成一接著劑層之加工。此種本切晶黏晶膜就減少製造步驟數或控制製造成本等觀點而言適於高效率地進行製造。又，相較於分別形成切晶帶黏著劑層與接著劑層後進行貼合之製造方法，藉由接著劑層形成用組合物及切晶帶黏著劑層形成用組合物之積層形成與兩組合物層一起乾燥的上述製造方法容易導致於切晶帶黏著劑層與接著劑層之密接界面中兩層間之剝離力上升，但接著劑層與切晶帶黏著劑層之界面中之第1及第2表面自由能之差如上所述為3.5mJ/m²以上，較佳為4mJ/m²以上，更佳為5mJ/m²以上的本發明之上述構成適於確保該黏著劑層與接著劑層之間具有能夠實現附接著劑層之半導體晶片於拾取步驟中之良好拾取之程度的較小剝離力。

如此，本發明之切晶黏晶膜適於實現附接著劑層之半導體晶片自切晶帶之良好拾取。

就確保本切晶黏晶膜之切晶帶黏著劑層與接著劑層之間之上述較小剝離力之觀點而言，切晶帶黏著劑層係以於形成與接著劑層之密接界面之表面能夠具有較佳為32mJ/m²以下、更佳為30mJ/m²以下、更佳為28mJ/m²以下之表面自由能(第2表面自由能)的方式構成。於切晶帶黏著劑層為放射線硬化型黏著劑層等硬化型黏著劑層之情形時，硬化後之黏著劑層中之第2表面自由能較佳為32mJ/m²以下，更佳為30mJ/m²以下，更佳為28mJ/m²以下。又，就確保切晶帶黏著劑層與接著劑層之間之適度黏著力以避免於本切晶黏晶膜之搬送過程中等時該兩層間發生剝離之觀點而言，切晶帶黏著劑層係以於形成與接著劑層之密接界面之表面能夠具有較佳為15mJ/m²以上、更佳為18mJ/m²以上、更佳為20mJ/m²以上之表面自由能(第2表面自由能)的方式構成。於切晶帶黏著劑層為放射線硬化型黏著劑層等硬化型黏著劑層之情形時，硬化後之黏著劑層中之第2表面自由能較佳為15mJ/m²以上，更佳為18mJ/m²以上，更佳為20mJ/m²以上。

就確保切晶黏晶膜中之接著劑層與切晶帶黏著劑層之間所要求之密接力之觀點而言，本切晶黏晶膜之接著劑層中之上述第1表面自由能較佳為30mJ/m²以上，更佳為31mJ/m²以上，更佳為32mJ/m²以上。又，就確保該等接著劑層及黏著劑層之間之上述較小剝離力之觀點而言，該第1表面自由能較佳為45mJ/m²以下，更佳為43mJ/m²以下，更佳為40mJ/m²以下。

本切晶黏晶膜之接著劑層於23℃、剝離角度180°及拉伸速度10mm/min之條件下之剝離試驗中，對SUS平面表現出較佳為0.1N/10mm以上、更佳為0.3N/10mm以上、更佳為0.5N/10mm以上之180°剝離黏著力。有關接著劑層之黏著力之該構成適於確保本切晶黏晶膜對框構件之保持。又，該接著劑層於相同條件下之剝離試驗中，對SUS平面表現出較佳為20N/10mm以下、更佳為10N/10mm以下之180°剝離黏著力。有關接著劑層之黏著力之該構成適於確保框構件自本切晶黏晶膜之脫附性。

本切晶黏晶膜之接著劑層關於寬度4mm及厚度80μm之接著劑層試樣片於初期夾具間距離10mm、頻率10Hz、動態應變±0.5μm及升溫速度5℃/min之條件下測得之23℃下之拉伸儲存彈性模數較佳為100MPa以上，更佳為500MPa以上，更佳為1000MPa以上。有關接著劑層之拉伸儲存彈性模數之該構成適於確保接著劑層對框構件之黏著力，故適於確保本切晶黏晶膜對框構件之保持。又，該接著劑層於相同條件下測得之23℃下之拉伸儲存彈性模數較佳為4000MPa以下，更佳為3000MPa以下，更佳為2000MPa以下。有關接著劑層之拉伸儲存彈性模數之該構成適於確保框構件自本切晶黏晶膜之脫附性。

於本切晶黏晶膜中，切晶帶黏著劑層較佳為放射線硬化型黏著劑層，且於23℃及剝離速度300mm/min之條件下之T型剝離試驗中，放射線硬化後之黏著劑層與接著劑層之間之剝離力較佳為0.06N/20mm以上，更佳為0.1N/20mm以上，更佳為0.15N/20mm以上。此種構成適於確保切晶帶之硬化後黏著劑層與其上之接著劑層之間之密接性，因此，於使用本切晶黏晶膜時，於切晶帶黏著劑層之硬化後進行擴張步驟之情形時，適於抑制該步驟中發生附接著劑層之半導體晶片自黏著劑層局部地剝離即隆起之情況。又，於23℃及剝離速度300mm/min之條件下之T型剝離試驗中，放射線硬化後之黏著劑層與接著劑層之間之剝離力較佳為0.25N/20mm以下，更佳為0.23N/20mm以下，更佳為0.2N/20mm以下。此種構成適於實現在切晶帶黏著劑層之硬化後進行之拾取步驟中附接著劑層之半導體晶片自硬化後黏著劑層之良好拾取。

於本切晶黏晶膜中，切晶帶黏著劑層較佳為放射線硬化型黏著劑層，且於23℃及剝離速度300mm/min之條件下之T型剝離試驗中，放射線硬化前之黏著劑層與接著劑層之間之剝離力較佳為2N/20mm以上。此種構成適於確保切晶帶之未硬化黏著劑層與其上之接著劑層之間之密接性，因此，於使用本切晶黏晶膜時，於切晶帶之黏著劑層未硬化之狀態下進行擴張步驟之情形時，適於抑制該步驟中發生附接著劑層之半導體晶片自黏著劑層局部地剝離即隆起之情況。

關於本切晶黏晶膜中之用以形成切晶帶黏著劑層與接著劑層之界面的黏著劑層表面及接著劑層表面，兩表面之算術平均表面粗糙度(Ra)之差較佳為100nm以下。此種構成適於確保切晶帶黏著劑層與其上之接著劑層之間之密接性，因此，適於抑制擴張步驟中發生附接著劑層之半導體晶片自黏著劑層局部地剝離即隆起之情況。

本切晶黏晶膜中之黏著劑層較佳為含有包含源自烷基之碳數為10以上之(甲基)丙烯酸烷基酯之第1單元與源自(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯之第2單元的丙烯酸系聚合物。「(甲基)丙烯酸酯」意指「丙烯酸酯」及/或「甲基丙烯酸酯」。黏著劑層中之丙烯酸系聚合物包含源自具有碳數10以上之烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯之單元與源自(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯之單元的構成適於實現切晶帶黏著劑層與其上之接著劑層之間之較高之剪切接著力，因此，適於在擴張步驟中適當地使割斷力作用於在面內方向上受到擴張之切晶帶上之接著劑層以割斷該接著劑層。

於本切晶黏晶膜中之黏著劑層中之丙烯酸系聚合物中，上述第1單元相對於上述第2單元之莫耳比率較佳為1以上，更佳為3以上，更佳為5以上。此種構成如上所述適於確保切晶帶黏著劑層與其上之接著劑層之間具有較高之剪切接著力，且抑制於兩層間之積層方向上作用之結合性之相互作用，因此，有利於實現拾取步驟中之良好拾取。又，該莫耳比率較佳為40以下，更佳為35以下，更佳為30以下。此種構成適於確保切晶帶黏著劑層與接著劑層之間之密接性，而抑制擴張步驟中發生附接著劑層之半導體晶片自黏著劑層局部地剝離即隆起之情況。

本切晶黏晶膜中之黏著劑層中之丙烯酸系聚合物較佳為加成有作為放射線聚合性成分之含不飽和官能基之異氰酸酯化合物的加成物。於該情形時，丙烯酸系聚合物中之含不飽和官能基之異氰酸酯化合物相對於源自(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯之第2單元的莫耳比率較佳為0.1以上，更佳為0.2以上，更佳為0.3以上。該等構成適於藉由丙烯酸系聚合物與含不飽和官能基之異氰酸酯化合物之反應而將黏著劑層適度地高彈性化，有利於在擴張步驟中良好地割斷接著劑層。又，就減少硬化後黏著劑層中之低分子量成分之觀點而言，於用以形成對丙烯酸系聚合物加成含不飽和官能基之異氰酸酯化合物而成之加成物的包含丙烯酸系聚合物與含不飽和官能基之異氰酸酯化合物之反應組合物中，丙烯酸系聚合物中含不飽和官能基之異氰酸酯化合物相對於之源自(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯之單元(第2單元)的莫耳比率較佳為2以下，更佳為1.5以下，更佳為1.3以下。

10:切晶帶

10':帶

11:基材

11':基材

11e:外周端

12:黏著劑層

12':黏著劑層

12a:黏著面

12e:外周端

20:接著劑層

20':接著劑膜

20a:接著劑層之面

20b:接著劑層之面

20e:外周端

21:接著劑層

30a:分割槽

30b:改質區域

30A:半導體晶圓

30B:半導體晶圓分割體

30C:半導體晶圓

31:半導體晶片

41:環狀框

42:保持具

43:頂起構件

44:銷構件

45:吸附治具

51:被黏著體

52:接合線

53:密封樹脂

60:切晶帶

61:基材

62:黏著劑層

62e:外周端

70:黏晶膜

70e:外周端

81:半導體晶圓

82:環狀框

83:分隔件

C1:接著劑組合物層

C2:黏著劑組合物層

D:面內方向

F:移動方向

R:照射區域

S:分隔件

T1:晶圓加工用帶

T1a:黏著面

T2:晶圓加工用帶

T2a:黏著面

T3:晶圓加工用帶

T3a:黏著面

W:半導體晶圓

Wa:第1面

Wb:第2面

X:切晶黏晶膜

Y:切晶黏晶膜

圖1係本發明之一實施形態之切晶黏晶膜之剖面模式圖。

圖2係表示圖1所示之切晶黏晶膜於附帶分隔件之情形時之一例。

圖3(a)~(e)係表示圖1所示之切晶黏晶膜之製造方法之一例。

圖4(a)~(d)係表示使用圖1所示之切晶黏晶膜之半導體裝置製造方法中之部分步驟。

圖5(a)、(b)係表示圖4所示之步驟之後續步驟。

圖6(a)~(c)係表示圖5所示之步驟之後續步驟。

圖7(a)、(b)係表示圖6所示之步驟之後續步驟。

圖8係表示圖7所示之步驟之後續步驟。

圖9(a)~(c)係表示圖8所示之步驟之後續步驟。

圖10係表示使用圖1所示之切晶黏晶膜之半導體裝置製造方法之變化例中之部分步驟。

圖11(a)、(b)係表示使用圖1所示之切晶黏晶膜之半導體裝置製造方法之變化例中之部分步驟。

圖12(a)~(c)係表示使用圖1所示之切晶黏晶膜之半導體裝置製造方法之變化例中之部分步驟。

圖13(a)、(b)係表示使用圖1所示之切晶黏晶膜之半導體裝置製造方法之變化例中之部分步驟。

圖14係表示先前之切晶黏晶膜之剖面模式圖。

圖15係表示圖14所示之切晶黏晶膜之使用態樣。

圖16係表示圖14所示之切晶黏晶膜之一供給形態。

圖1係本發明之一實施形態之切晶黏晶膜X之剖面模式圖。切晶黏晶膜X可用於在半導體裝置製造時獲得附接著劑層之半導體晶片之過程中之例如下述擴張步驟，具有包含切晶帶10與接著劑層20之積層構造。又，切晶黏晶膜X具有與半導體裝置之製造過程中作為加工對象之半導體晶圓對應尺寸的圓盤形狀，其直徑例如處於345~380mm之範圍內(12英吋晶圓對應型)、245~280mm之範圍內(8英吋晶圓對應型)、195~230mm之範圍內(6英吋晶圓對應型)、或495~530mm之範圍內(18英吋晶圓對應型)。

於切晶黏晶膜X中，切晶帶10具有包含基材11與黏著劑層12之積層構造。黏著劑層12於接著劑層20側具有黏著面12a。接著劑層20具有面20a、20b，於面20a側包含工件貼附用區域及框構件貼附用區域，且以面20b側可剝離地密接於切晶帶10之黏著劑層12或其黏著面12a。黏著劑層12之黏著面12a與接著劑層20之面20b形成兩層之界面。又，切晶黏晶膜X具備如下構成：接著劑層20之面20b之表面自由能(第1表面自由能)與黏著劑層12之黏著面12a之表面自由能(第2表面自由能)的差為3.5mJ/m²以上、較佳為4mJ/m²以上，更佳為5mJ/m²以上之構成，或者該表面自由能差能夠達到3.5mJ/m²以上、較佳為4mJ/m²以上，更佳為5mJ/m²以上之構成。於本發明中，所謂接著劑層表面及黏著劑層表面之各表面自由能係採用如下值：使用接觸角計，於20℃及相對濕度65%之條件下測定與要求鑑定表面自由能之對象面接觸之水(H₂O)及二碘甲烷(CH₂I₂)之各液滴之接觸角，使用該接觸角θw、θi之值，依據Journal of Applied Polymer Science,vol.13,p1741~1747(1969)中所記載之方法求出γs^d(表面自由能之分散力成分)及γs^h(表面自由能之氫鍵力成分)，將兩者相加所獲得之值γs(=γs^d+γs^h)。該表面自由能γs之導出方法詳見下文實施例中之記述。

切晶帶10之基材11係於切晶帶10或切晶黏晶膜X中作為支持體發揮功能之元件。基材11可較佳地使用例如塑膠基材(尤其是塑膠膜)。作為該塑膠基材之構成材料，例如可列舉：聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚烯烴、聚酯、聚胺基甲酸酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚苯硫醚、芳香族聚醯胺、氟樹脂、纖維素系樹脂、及聚矽氧樹脂。作為聚烯烴，例如可列舉：低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚合聚丙烯、嵌段共聚合聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、及乙烯-己烯共聚物。作為聚酯，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯、及聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)。基材11可包含一種材料，亦可包含兩種以上之材料。基材11可具有單層構造，亦可具有多層構造。又，於基材11包含塑膠膜之情形時，可為無延伸膜，亦可為單軸延伸膜，亦可為雙軸延伸膜。於基材11上之黏著劑層12如下所述為紫外線硬化型之情形時，基材11較佳為具有紫外線透過性。

於切晶黏晶膜X使用之使用過程中例如藉由局部加熱使切晶帶10或基材11收縮之情形時，基材11較佳為具有熱收縮性。就確保基材11具有良好之熱收縮性之觀點而言，基材11較佳為包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚物作為主成分。所謂基材11之主成分係指於基材構成成分中占最大質量比率之成分。又，於基材11包含塑膠膜之情形時，就使切晶帶10或基材11實現各向同性熱收縮性之方面而言，基材11較佳為雙軸延伸膜。切晶帶10或基材11於加熱溫度100℃及加熱處理時間60秒之條件下進行之加熱處理試驗中之熱收縮率較佳為2~30%，更佳為2~25%，更佳為3~20%，更佳為5~20%。該熱收縮率係指所謂MD方向之熱收縮率及所謂TD方向之熱收縮率中之至少一者。

亦可對基材11中之黏著劑層12側之表面實施用以提高與黏著劑層12 之密接性之物理處理、化學處理或底塗處理。作為物理處理，例如可列舉：電暈處理、電漿處理、噴砂加工處理、臭氧暴露處理、火焰暴露處理、高壓電擊暴露處理、及離子化放射線處理。作為化學處理，例如可列舉鉻酸處理。用以提高密接性之該處理較佳為對基材11中之黏著劑層12側之整個表面實施。

就確保基材11作為切晶帶10或切晶黏晶膜X中之支持體發揮功能所需之強度之觀點而言，基材11之厚度較佳為40μm以上，更佳為50μm以上，更佳為55μm以上，更佳為60μm以上。又，就使切晶帶10或切晶黏晶膜X實現適度之可撓性之觀點而言，基材11之厚度較佳為200μm以下，更佳為180μm以下，更佳為150μm以下。

切晶帶10之黏著劑層12含有黏著劑。黏著劑可為藉由放射線照射或加熱等外部作用而能夠刻意地減弱黏著力之黏著劑(黏著力減弱型黏著劑)，亦可為黏著力幾乎或完全不會因外部作用而減弱之黏著劑(黏著力非減弱型黏著劑)。關於黏著劑層12中之黏著劑係使用黏著力減弱型黏著劑或使用黏著力非減弱型黏著劑，可根據使用切晶黏晶膜X進行單片化之半導體晶片之單片化方法或條件等、切晶黏晶膜X之使用態樣而適當選擇。

於使用黏著力減弱型黏著劑作為黏著劑層12中之黏著劑之情形時，於切晶黏晶膜X之使用過程中，可靈活運用黏著劑層12表現出相對較高之黏著力之狀態與表現出相對較低之黏著力之狀態。例如於下述擴張步驟中使用切晶黏晶膜X時，可利用黏著劑層12之高黏著力狀態以抑制、防止接著劑層20自黏著劑層12發生隆起或剝離，另一方面，於其後用以自切晶黏晶膜X之切晶帶10拾取附接著劑層之半導體晶片之下述拾取步驟中，可利用黏著劑層12之低黏著力狀態以使容易自黏著劑層12拾取附接著劑層之半導體晶片。

作為此種黏著力減弱型黏著劑，例如可列舉放射線硬化型黏著劑(具有放射線硬化性之黏著劑)或加熱發泡型黏著劑等。於本實施形態之黏著劑層12中，可使用一種黏著力減弱型黏著劑，亦可使用兩種以上之黏著力減弱型黏著劑。又，黏著劑層12整體可由黏著力減弱型黏著劑所形成，黏著劑層12亦可局部由黏著力減弱型黏著劑所形成。例如於黏著劑層12具有單層構造之情形時，黏著劑層12整體可由黏著力減弱型黏著劑所形成，亦可黏著劑層12中之特定部位由黏著力減弱型黏著劑所形成，其他部位由黏著力非減弱型黏著劑所形成。又，於黏著劑層12具有積層構造之情形時，可構成積層構造之全部層均由黏著力減弱型黏著劑所形成，亦可積層構造中之部分層由黏著力減弱型黏著劑所形成。

作為黏著劑層12中之放射線硬化型黏著劑，例如可使用藉由照射電子束、紫外線、α射線、β射線、γ射線或X射線而硬化之類型之黏著劑，可尤佳地使用藉由照射紫外線而硬化之類型之黏著劑(紫外線硬化型黏著劑)。

作為黏著劑層12中之放射線硬化型黏著劑，例如可列舉含有作為丙烯酸系黏著劑之丙烯酸系聚合物等基礎聚合物、與具有放射線聚合性碳-碳雙鍵等官能基之放射線聚合性之單體成分或低聚物成分的添加型之放射線硬化型黏著劑。

上述丙烯酸系聚合物較佳為包含源自丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯之單體單元作為質量比率最大之單體單元。「(甲基)丙烯酸」意指「丙烯酸」及/或「甲基丙烯酸」。

作為用以形成丙烯酸系聚合物之單體單元之(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環烷基酯、(甲基)丙烯酸芳基酯等含烴基之(甲基)丙烯酸酯。作為(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸之甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯(即月桂酯)、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、及二十烷基酯。作為(甲基)丙烯酸環烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸之環戊酯及環己酯。作為(甲基)丙烯酸芳基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸苯酯及(甲基)丙烯酸苄酯。作為用以形成丙烯酸系聚合物之單體單元之(甲基)丙烯酸酯，可使用一種(甲基)丙烯酸酯，亦可使用兩種以上之(甲基)丙烯酸酯。作為用以形成丙烯酸系聚合物之單體單元之(甲基)丙烯酸酯，上述之中，較佳為烷基之碳數為10以上之(甲基)丙烯酸烷基酯，更佳為(甲基)丙烯酸月桂酯。又，就使黏著劑層12適當表現出源於(甲基)丙烯酸酯之黏著性等基本特性之方面而言，用以形成丙烯酸系聚合物之全部單體成分中之(甲基)丙烯酸酯之比率較佳為40質量%以上，更佳為60質量%以上。

丙烯酸系聚合物為了改質其凝集力或耐熱性等，亦可包含源自能夠與(甲基)丙烯酸酯共聚合之其他單體的單體單元。作為此種其他單體，例如可列舉：含羧基之單體、酸酐單體、含羥基之單體、含縮水甘油基之單體、含磺酸基之單體、含磷酸基之單體、丙烯醯胺、及丙烯腈等含官能基之單體。作為含羧基之單體，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、及丁烯酸。作為酸酐單體，例如可列舉：順丁烯二酸酐及伊康酸酐。作為含羥基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基) 丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、及(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯。作為含縮水甘油基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸縮水甘油酯及(甲基)丙烯酸甲基縮水甘油酯。作為含磺酸基之單體，例如可列舉：苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、及(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸。作為含磷酸基之單體，例如可列舉：丙烯醯基磷酸2-羥基乙酯。作為用以形成丙烯酸系聚合物之該其他共聚性單體，可使用一種單體，亦可使用兩種以上之單體。於上述丙烯酸系聚合物包含源自具有碳數10以上之烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯之單元(第1單元)之情形時，較佳為一併包含源自(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯之單元(第2單元)。於此種丙烯酸系聚合物中，第1單元相對於第2單元之莫耳比率較佳為1以上，更佳為3以上，更佳為5以上。又，該莫耳比率較佳為40以下，更佳為35以下，更佳為30以下。

丙烯酸系聚合物為了於其聚合物骨架中形成交聯結構，亦可包含源自能夠與(甲基)丙烯酸酯等單體成分共聚合之多官能性單體的單體單元。作為此種多官能性單體，例如可列舉：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯(即聚(甲基)丙烯酸縮水甘油酯)、聚酯(甲基)丙烯酸酯、及(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯。作為用以形成丙烯酸系聚合物之多官能性單體，可使用一種多官能性單體，亦可使用兩種以上之多官能性單體。就使黏著劑層12適當表現出源於(甲基)丙烯酸酯之黏著性等基本特性之方面而言，用以形成丙烯酸系聚合物之全部單體成分中之多官能性單體之比率較佳為40質量%以下，更佳為30質量%以下。

丙烯酸系聚合物可由用以形成其之原料單體聚合而獲得。作為聚合方法，例如可列舉：溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、及懸浮聚合。就使用切晶帶10或切晶黏晶膜X之半導體裝置製造方法中之高度之潔淨性之觀點而言，切晶帶10或切晶黏晶膜X中之黏著劑層12中之低分子量物質宜較少，因此，丙烯酸系聚合物之數量平均分子量較佳為10萬以上，更佳為20萬~300萬。

為了提高丙烯酸系聚合物等基礎聚合物之數量平均分子量，黏著劑層12或用以形成其之黏著劑例如可含有外部交聯劑。作為用以與丙烯酸系聚合物等基礎聚合物反應而形成交聯結構之外部交聯劑，可列舉：多異氰酸酯化合物、環氧化合物、多元醇化合物(多酚系化合物等)、氮丙啶化合物、及三聚氰胺系交聯劑。黏著劑層12或用以形成其之黏著劑中之外部交聯劑之含量相對於基礎聚合物100質量份，較佳為5質量份以下，更佳為0.1~5質量份。

作為用以形成放射線硬化型黏著劑之上述放射線聚合性單體成分，例如可列舉：(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、及1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯。作為用以形成放射線硬化型黏著劑之上述放射線聚合性低聚物成分，例如可列舉：胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物，宜為分子量100~30000左右者。放射線硬化型黏著劑中之放射線聚合性之單體成分或低聚物成分之總含量係於能夠適當減弱所形成之黏著劑層12之黏著力之範圍內決定，相對於丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100質量份，例如為5~500質量份，較佳為40~150質量份。又，作為添加型之放射線硬化型黏著劑，例如可使用日本專利特開昭60-196956號公報中所揭示者。

作為黏著劑層12中之放射線硬化型黏著劑，例如亦可列舉含有於聚合物側鏈、或於聚合物主鏈中、聚合物主鏈末端具有放射線聚合性碳-碳雙鍵等官能基之基礎聚合物的內在型之放射線硬化型黏著劑。此種內在型之放射線硬化型黏著劑適於抑制因所形成之黏著劑層12內低分子量成分之移動而非意圖引起之黏著特性之經時變化。

作為內在型之放射線硬化型黏著劑所含有之基礎聚合物，較佳為以丙烯酸系聚合物作為基本骨架者。作為形成此種基本骨架之丙烯酸系聚合物，可採用上述丙烯酸系聚合物。作為於丙烯酸系聚合物中導入放射線聚合性碳-碳雙鍵之方法，例如可列舉如下方法：使包含具有特定官能基(第1官能基)之單體之原料單體共聚合而獲得丙烯酸系聚合物後，於維持碳-碳雙鍵之放射線聚合性之狀態下，使丙烯酸系聚合物和具有能夠與第1官能基之間發生反應而鍵結之特定官能基(第2官能基)及放射線聚合性碳-碳雙鍵之化合物進行縮合反應或加成反應。

作為第1官能基與第2官能基之組合，例如可列舉：羧基與環氧基、環氧基與羧基、羧基與氮丙啶基、氮丙啶基與羧基、羥基與異氰酸基、異氰酸基與羥基。該等組合之中，就易進行反應追蹤之觀點而言，宜為羥基與異氰酸基之組合或異氰酸基與羥基之組合。又，就製作具有反應性較高之異氰酸基之聚合物的技術難度較大，另一方面，丙烯酸系聚合物之易製作性或易獲得性之觀點而言，更宜為丙烯酸系聚合物側之上述第1官能基為羥基且上述第2官能基為異氰酸基之情形。於該情形時，作為同時具有放射線聚合性碳-碳雙鍵與作為第2官能基之異氰酸基之異氰酸酯化合物，即放射線聚合性之含不飽和官能基之異氰酸酯化合物，例如可列舉：甲基丙烯醯基異氰酸酯、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(MOI)、及異氰酸間異丙烯基-α,α-二甲基苄酯。於對上述丙烯酸系聚合物導入或加成含不飽和官能基之異氰酸酯化合物之情形時，該丙烯酸系聚合物中之含不飽和官能基之異氰酸酯化合物相對於源自(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯之單元(第2單元)的莫耳比率較佳為0.1以上，更佳為0.2以上，更佳為0.3以上。又，於用以形成對丙烯酸系聚合物加成含不飽和官能基之異氰酸酯化合物而成之加成物的包含丙烯酸系聚合物與含不飽和官能基之異氰酸酯化合物之反應組合物中，丙烯酸系聚合物中之含不飽和官能基之異氰酸酯化合物相對於源自(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯之單元(第2單元)的莫耳比率較佳為2以下，更佳為1.5以下，更佳為1.3以下。

黏著劑層12中之放射線硬化型黏著劑較佳為含有光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，例如可列舉：α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、安息香醚系化合物、縮酮系化合物、芳香族磺醯氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、9-氧硫

系化合物、樟腦醌、鹵代酮、醯基膦氧化物、及醯基磷酸酯。作為α-酮醇系化合物，例如可列舉：4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、及1-羥基環己基苯基酮。作為苯乙酮系化合物，例如可列舉：甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、及2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-

啉基丙烷-1。作為安息香醚系化合物，例如可列舉：安息香乙醚、安息香異丙醚、及茴香偶姻甲醚。作為縮酮系化合物，例如可列舉：苯偶醯二甲基縮酮。作為芳香族磺醯氯系化合物，例如可列舉：2-萘磺醯氯。作為光活性肟系化合物，例如可列舉：1-苯基-1,2-丙烷二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟。作為二苯甲酮系化合物，例如可列舉：二苯甲酮、苯甲醯苯甲酸、及3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮。作為9-氧硫

系化合物，例如可列舉：9-氧硫

、2-氯9-氧硫

、2-甲基9-氧硫

、2,4-二甲基9-氧硫

、異丙基9-氧硫

、2,4-二氯9-氧硫

、2,4-二乙基9-氧硫

、及2,4-二異丙基9-氧硫

。黏著劑層12中之放射線硬化型黏著劑中之光聚合起始劑之含量相對於丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100質量份例如為0.05~20質量份。

黏著劑層12中之上述加熱發泡型黏著劑係含有藉由加熱而發泡或膨脹之成分(發泡劑、熱膨脹性微小球等)之黏著劑，因此，作為發泡劑，可列舉各種無機系發泡劑及有機系發泡劑，作為熱膨脹性微小球，例如可列舉將藉由加熱而容易氣化膨脹之物質封入殼體內而構成之微小球。作為無機系發泡劑，例如可列舉：碳酸銨、碳酸氫銨、碳酸氫鈉、亞硝酸銨、氫硼化鈉、及疊氮化物類。作為有機系發泡劑，例如可列舉：三氯單氟甲烷或二氯單氟甲烷等氯氟化烷烴，偶氮二異丁腈或偶氮二甲醯胺、偶氮二甲酸鋇等偶氮系化合物，對甲苯磺醯肼或二苯碸-3,3'-二磺醯肼、4,4'-氧基雙(苯磺醯肼)、烯丙基雙(磺醯肼)等肼系化合物，ρ-甲苯磺醯半卡肼或4,4'-氧基雙(苯磺醯半卡肼)等半卡肼系化合物，5-

啉基-1,2,3,4-硫雜三唑等三唑系化合物，以及N,N'-二亞硝基五亞甲基四胺或N,N'-二甲基-N,N'-二亞硝基對苯二甲醯胺等N-亞硝基系化合物。作為用以形成如上所述之熱膨脹性微小球的藉由加熱而容易氣化膨脹之物質，例如可列舉：異丁烷、丙烷、及戊烷。利用凝聚法或界面聚合法等將藉由加熱而容易氣化膨脹之物質封入至成殼物質內，藉此可製作熱膨脹性微小球。作為成殼物質，可使用表現出熱熔融性之物質、或能夠於封入物質之熱膨脹作用下破裂之物質。作為此種物質，例如可列舉：偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯、及聚碸。

作為上述黏著力非減弱型黏著劑，例如可列舉：使上文關於黏著力減弱型黏著劑所記述之放射線硬化型黏著劑預先藉由放射線照射而硬化之形態之黏著劑(經放射線照射之放射線硬化型黏著劑)、或感壓型黏著劑等。經放射線照射之放射線硬化型黏著劑雖然因放射線照射導致黏著力減弱，但鑒於聚合物成分之含量，仍能夠顯示出源於該聚合物成分之黏著性，於特定之使用態樣中仍能夠發揮可用於黏著保持被黏著體之黏著力。於本實施形態之黏著劑層12中，可使用一種黏著力非減弱型黏著劑，亦可使用兩種以上之黏著力非減弱型黏著劑。又，黏著劑層12整體可由黏著力非減弱型黏著劑所形成，黏著劑層12亦可局部由黏著力非減弱型黏著劑所形成。例如於黏著劑層12具有單層構造之情形時，黏著劑層12整體可由黏著力非減弱型黏著劑所形成，亦可黏著劑層12中之特定部位由黏著力非減弱型黏著劑所形成，其他部位由黏著力減弱型黏著劑所形成。又，於黏著劑層12具有積層構造之情形時，可構成積層構造之全部層均由黏著力非減弱型黏著劑所形成，亦可積層構造中之部分層由黏著力非減弱型黏著劑所形成。

另一方面，作為黏著劑層12中之感壓型黏著劑，例如可使用以丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物之丙烯酸系黏著劑或橡膠系黏著劑。於黏著劑層12含有丙烯酸系黏著劑作為感壓型黏著劑之情形時，作為該丙烯酸系黏著劑之基礎聚合物的丙烯酸系聚合物較佳為包含源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元作為質量比率最大之單體單元。作為此種丙烯酸系聚合物，例如可列舉上文關於放射線硬化型黏著劑所記述之丙烯酸系聚合物。

黏著劑層12或用以構成其之黏著劑除含有上述各成分以外，亦可含有交聯促進劑、黏著賦予劑、防老化劑、顏料或染料等著色劑等。著色劑可為受到放射線照射而著色之化合物。作為此種化合物，例如可列舉隱色染料。

黏著劑層12於形成與接著劑層20之界面的黏著面12a具有較佳為32mJ/m²以下、更佳為30mJ/m²以下、更佳為28mJ/m²以下之表面自由能(第2表面自由能)，或者能夠具有較佳為32mJ/m²以下，更佳為30mJ/m²以下，更佳為28mJ/m²以下之表面自由能(第2表面自由能)。於黏著劑層12為放射線硬化型黏著劑層等硬化型黏著劑層之情形時，硬化後之黏著劑層12中之第2表面自由能較佳為32mJ/m²以下，更佳為30mJ/m²以下，更佳為28mJ/m²以下。又，黏著劑層12於形成與接著劑層20之界面的黏著面12a具有較佳為15mJ/m²以上、更佳為18mJ/m²以上、更佳為20mJ/m²以上之表面自由能(第2表面自由能)，或者能夠具有較佳為15mJ/m²以上、更佳為18mJ/m²以上、更佳為20mJ/m²以上之表面自由能(第2表面自由能)。於黏著劑層12為放射線硬化型黏著劑層等硬化型黏著劑層之情形時，硬化後之黏著劑層12中之第2表面自由能較佳為15mJ/m²以上，更佳為18mJ/m²以上，更佳為20mJ/m²以上。黏著劑層12之黏著面12a之表面自由能可藉由黏著劑層12中之用以形成丙烯酸系聚合物等基礎聚合物之各種單體之組成之調整等而實現。

黏著劑層12之厚度較佳為1~50μm，更佳為2~30μm，更佳為5~25μm。此種構成適於取得例如黏著劑層12包含放射線硬化型黏著劑之情形時該黏著劑層12於放射線硬化之前後對接著劑層20之接著力之平衡性。

切晶黏晶膜X之接著劑層20兼備作為表現出熱硬化性之黏晶用接著劑之功能、及用以保持半導體晶圓等工件與環狀框等框構件之黏著功能。於本實施形態中，用以構成接著劑層20之黏/接著劑可具有包含熱硬化性樹脂與例如作為黏合劑成分之熱塑性樹脂的組成，亦可具有包含帶有能夠與硬化劑反應而生成鍵之熱硬化性官能基之熱塑性樹脂的組成。於用以構成接著劑層20之黏/接著劑具有包含帶有熱硬化性官能基之熱塑性樹脂的組成之情形時，該黏/接著劑無需進而包含熱硬化性樹脂(環氧樹脂等)。此種接著劑層20可具有單層構造，亦可具有多層構造。

於接著劑層20同時包含熱塑性樹脂與熱硬化性樹脂之情形時，作為該熱硬化性樹脂，例如可列舉：環氧樹脂、酚樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、及熱硬化性聚醯亞胺樹脂。於構成接著劑層20時，可使用一種熱硬化性樹脂，亦可使用兩種以上之熱硬化性樹脂。作為接著劑層20所含之熱硬化性樹脂，較佳為環氧樹脂，其原因在於存在可能引起黏晶對象之半導體晶片腐蝕之離子性雜質等之含量較少之傾向。又，作為環氧樹脂之硬化劑，較佳為酚樹脂。

作為環氧樹脂，例如可列舉：雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、茀型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥基苯基甲烷型、四酚基乙烷型、乙內醯脲型、異氰尿酸三縮水甘油酯型、及縮水甘油胺型之環氧樹脂。作為接著劑層20所含之環氧樹脂，就與作為硬化劑之酚樹脂之反應性充分且耐熱性優異之方面而言，較佳為酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、及四酚基乙烷型環氧樹脂。

關於可發揮作為環氧樹脂硬化劑之作用之酚樹脂，例如可列舉：酚醛清漆型酚樹脂、可溶酚醛型酚樹脂、及聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯。作為酚醛清漆型酚樹脂，例如可列舉：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、及壬基苯酚酚醛清漆樹脂。可發揮作為環氧樹脂硬化劑之作用之酚樹脂可使用一種酚樹脂，亦可使用兩種以上之酚樹脂。苯酚酚醛清漆樹脂或苯酚芳烷基樹脂於用作作為黏晶用接著劑之環氧樹脂之硬化劑之情形時，存在可提高該接著劑之連接可靠性之傾向，因此作為接著劑層20所含之環氧樹脂之硬化劑較佳。

於接著劑層20中，就使環氧樹脂與酚樹脂之硬化反應充分進行之觀點而言，以使該酚樹脂中之羥基相對於環氧樹脂成分中之環氧基1當量而較佳成為0.5~2.0當量、更佳成為0.8~1.2當量的量包含酚樹脂。

作為接著劑層20所含之熱塑性樹脂，例如可列舉：天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6-尼龍或6,6-尼龍等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸系樹脂、PET或PBT等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、及氟樹脂。於構成接著劑層20時，可使用一種熱塑性樹脂，亦可使用兩種以上之熱塑性樹脂。作為接著劑層20所含之熱塑性樹脂，較佳為丙烯酸系樹脂，其原因在於離子性雜質較少且耐熱性較高，故容易確保接著劑層20之接合可靠性。又，就同時實現接著劑層20於室溫及其附近之溫度下對下述環狀框之貼附性與防止剝離時之殘渣之觀點而言，接著劑層20較佳為包含玻璃轉移溫度為-10~10℃之聚合物作為熱塑性樹脂之主成分。所謂熱塑性樹脂之主成分係指於熱塑性樹脂成分中占最大質量比率之樹脂成分。

關於聚合物之玻璃轉移溫度，可採用基於下述Fox式所求出之玻璃轉移溫度(理論值)。Fox式係聚合物之玻璃轉移溫度Tg與該聚合物中之各構成單體之均聚物之玻璃轉移溫度Tgi的關係式。於下述Fox式中，Tg表示聚合物之玻璃轉移溫度(℃)，Wi表示構成該聚合物之單體i之重量分率，Tgi表示單體i之均聚物之玻璃轉移溫度(℃)。均聚物之玻璃轉移溫度可採用文獻值，例如於「新高分子文庫7塗料用合成樹脂入門」(北岡協三著，高分子刊行會，1995年)或「Acrylic Ester Catalog(1997年版)」(Mitsubishi Rayon股份有限公司)中列舉有各種均聚物之玻璃轉移溫度。另一方面，單體之均聚物之玻璃轉移溫度亦可藉由日本專利特開2007-51271號公報中所具體記載之方法而求出。

Fox式：1/(273+Tg)=Σ[Wi/(273+Tgi)]

接著劑層20所包含之作為熱塑性樹脂之丙烯酸系樹脂較佳為包含源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元作為質量比率最大之主單體單元。作為此種(甲基)丙烯酸酯，可使用例如與上文關於作為黏著劑層12形成用放射線硬化型黏著劑之一成分之丙烯酸系聚合物所記述者相同的(甲基)丙烯酸酯。接著劑層20所包含之作為熱塑性樹脂之丙烯酸系樹脂亦可包含源自能夠與(甲基)丙烯酸酯共聚合之其他單體的單體單元。作為此種其他單體成分，例如可列舉：含羧基之單體、酸酐單體、含羥基之單體、含縮水甘油基之單體、含磺酸基之單體、含磷酸基之單體、丙烯醯胺、丙烯腈等含官能基之單體、或者各種多官能性單體，具體而言，可使用與上文關於作為黏著劑層12形成用放射線硬化型黏著劑之一成分之丙烯酸系聚合物的作為能夠與(甲基)丙烯酸酯共聚合之其他單體所記述者相同的單體。就使接著劑層20實現較高之凝集力之觀點而言，接著劑層20所含之該丙烯酸系樹脂較佳為(甲基)丙烯酸酯(尤其是烷基之碳數為4以下之(甲基)丙烯酸烷基酯)、含羧基之單體、含氮原子之單體、及多官能性單體(尤其是聚縮水甘油基系多官能單體)的共聚物，更佳為丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸、丙烯腈、及聚(甲基)丙烯酸縮水甘油酯之共聚物。

就使接著劑層20適當表現出作為熱硬化型接著劑之功能之觀點而言，接著劑層20中之熱硬化性樹脂之含有比率較佳為5~60質量%，更佳為10~50質量%。

於接著劑層20包含帶有熱硬化性官能基之熱塑性樹脂之情形時，作為該熱塑性樹脂，例如可使用含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂。用以構成該含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂的丙烯酸系樹脂較佳為包含源自(甲基)丙烯酸酯之單體單元作為質量比率最大之主單體單元。作為此種(甲基)丙烯酸酯，可使用例如與上文關於作為黏著劑層12形成用放射線硬化型黏著劑之一成分之丙烯酸系聚合物所記述者相同的(甲基)丙烯酸酯。另一方面，作為用以構成含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂的熱硬化性官能基，例如可列舉：縮水甘油基、羧基、羥基、及異氰酸基。該等之中，可較佳地使用縮水甘油基及羧基。即，作為含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂，可較佳地使用含縮水甘油基之丙烯酸系樹脂或含羧基之丙烯酸系樹脂。又，作為含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂之硬化劑，可使用例如上文關於有時作為黏著劑層12形成用放射線硬化型黏著劑之一成分之外部交聯劑所記述者。於含熱硬化性官能基之丙烯酸系樹脂中之熱硬化性官能基為縮水甘油基之情形時，作為硬化劑，可較佳地使用多酚系化合物，例如可使用上述各種酚樹脂。

對於在以黏晶為目的而進行硬化前之接著劑層20，為了實現一定程度之交聯度，較佳為例如於接著劑層形成用樹脂組合物中調配能夠與接著劑層20所含之上述樹脂之分子鏈末端之官能基等反應並鍵結之多官能性化合物作為交聯劑。此種構成適於提高接著劑層20於高溫下之接著特性，且適於實現接著劑層20於耐熱性上之改善。作為此種交聯劑，例如可列舉多異氰酸酯化合物。作為多異氰酸酯化合物，例如可列舉：甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、及多元醇與二異氰酸酯之加成物。關於接著劑層形成用樹脂組合物中之交聯劑之含量，相對於具有能夠與該交聯劑反應並鍵結之上述官能基之樹脂100質量份，就提高所形成之接著劑層20之凝集力之觀點而言，較佳為0.05質量份以上，就提高所形成之接著劑層20之接著力之觀點而言，較佳為7質量份以下。又，作為接著劑層20中之交聯劑，亦可將環氧樹脂等其他多官能性化合物與多異氰酸酯化合物併用。

接著劑層20中之如上所述之高分子量成分之含有比率較佳為50~100質量%，更佳為50~80質量%。所謂高分子量成分係指重量平均分子量10000以上之成分。此種構成有利於同時實現接著劑層20於室溫及其附近之溫度下對下述環狀框之貼附性與防止剝離時之殘渣。又，接著劑層20亦可含有23℃下為液狀之液狀樹脂。於接著劑層20含有此種液狀樹脂之情形時，接著劑層20中之該液狀樹脂之含有比率較佳為1~10質量%，更佳為1~5質量%。此種構成有利於同時實現接著劑層20於室溫及其附近之溫度下對下述環狀框之貼附性與防止剝離時之殘渣。

接著劑層20亦可含有填料。藉由對接著劑層20調配填料，可調整接著劑層20之拉伸儲存彈性模數等彈性模數、或導電性、導熱性等物性。作為填料，可列舉無機填料及有機填料，尤佳為無機填料。作為無機填料，例如可列舉：氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶鬚、氮化硼、結晶質二氧化矽、非晶質二氧化矽，此外亦可列舉鋁、金、銀、銅、鎳等金屬單質、或合金、非晶質碳黑、石墨。填料可具有球狀、針狀、薄片狀等各種形狀。作為接著劑層20中之填料，可使用一種填料，亦可使用兩種以上之填料。為了確保接著劑層20於下述冷擴張步驟中對環狀框之貼附性，接著劑層20中之填料含有比率較佳為30質量%以下，更佳為25質量%以下。

接著劑層20含有填料之情形時之該填料之平均粒徑較佳為0.005~10μm，更佳為0.005~1μm。該填料之平均粒徑為0.005μm以上之構成適於實現接著劑層20對半導體晶圓等被黏著體之較高之潤濕性或接著性。該填料之平均粒徑為10μm以下之構成適於接著劑層20享有充分之填料添加效果且適於確保耐熱性。填料之平均粒徑可使用例如光度式粒度分佈計(商品名「LA-910」，堀場製作所股份有限公司製造)而求出。

接著劑層20視需要亦可含有其他成分。作為該其他成分，例如可列舉：阻燃劑、矽烷偶合劑、及離子捕捉劑。作為阻燃劑，例如可列舉：三氧化銻、五氧化銻、及溴化環氧樹脂。作為矽烷偶合劑，例如可列舉：β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、及γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷。作為離子捕捉劑，例如可列舉：水滑石類、氫氧化鉍、含水氧化銻(例如東亞合成股份有限公司製造之「IXE-300」)、特定結構之磷酸鋯(例如東亞合成股份有限公司製造之「IXE-100」)、矽酸鎂(例如協和化學工業股份有限公司製造之「Kyoword 600」)、及矽酸鋁(例如協和化學工業股份有限公司製造之「Kyoword 700」)。亦可使用能夠與金屬離子之間形成錯合物之化合物作為離子捕捉劑。作為此種化合物，例如可列舉：三唑系化合物、四唑系化合物、及聯吡啶系化合物。該等之中，就與金屬離子之間所形成之錯合物之穩定性之觀點而言，較佳為三唑系化合物。作為此種三唑系化合物，例如可列舉：1,2,3-苯并三唑、1-{N,N-雙(2-乙基己基)胺基甲基}苯并三唑、羧基苯并三唑、2-(2-羥基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二第三丁基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羥基-3-第三丁基-5-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二第三戊基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-5-第三辛基苯基)苯并三唑、6-(2-苯并三唑基)-4-第三辛基-6'-第三丁基-4'-甲基-2,2'-亞甲基雙酚、1-(2,3-二羥基丙基)苯并三唑、1-(1,2-二羧基二乙基)苯并三唑、1-(2-乙基己基胺基甲基)苯并三唑、2,4-二第三戊基-6-{(H-苯并三唑-1-基)甲基}苯酚、2-(2-羥基-5-第三丁基苯基)-2H-苯并三唑、3-[3-第三丁基-4-羥基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸辛酯、3-[3-第三丁基-4-羥基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸2-乙基己酯、2-(2H-苯并三唑-2-基)-6-(1-甲基-1-苯基乙基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-第三丁基苯酚、2-(2-羥基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-5-第三辛基苯基)苯并三唑、2-(3-第三丁基-2-羥基-5-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二第三戊基苯基)苯并三唑、2-(2-羥基-3,5-二第三丁基苯基)-5-氯-苯并三唑、2-[2-羥基-3,5-二(1,1-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并三唑、2,2'-亞甲基雙[6-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚]、2-[2-羥基-3,5-雙(α,α-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并三唑、及3-[3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-第三丁基-4-羥基苯基]丙酸甲酯。又，亦可使用氫醌(quinol)化合物、或羥基蒽醌化合物、多酚化合物等特定之含羥基之化合物作為離子捕捉劑。作為此種含羥基之化合物，具體而言，可列舉：1,2-苯二酚、茜素、蒽絳酚(anthrarufin)、單寧、沒食子酸、沒食子酸甲酯、連苯三酚等。作為如上所述之其他成分，可使用一種成分，亦可使用兩種以上之成分。

接著劑層20之厚度例如處於1~200μm之範圍。該厚度之上限較佳為100μm，更佳為80μm。該厚度之下限較佳為3μm，更佳為5μm。

接著劑層20中之形成與黏著劑層12之界面的面20b之表面自由能(第1表面自由能)較佳為30mJ/m²以上，更佳為31mJ/m²以上，更佳為32mJ/m²以上。又，該第1表面自由能較佳為45mJ/m²以下，更佳為43mJ/m²以下，更佳為40mJ/m²以下。

接著劑層20於23℃、剝離角度180°及拉伸速度10mm/min之條件下之剝離試驗中，對SUS平面表現出0.1N/10mm以上、更佳為0.3N/10mm以上、更佳為0.5N/10mm以上之180°剝離黏著力。又，該接著劑層20於相同條件下之剝離試驗中，對SUS平面表現出較佳為20N/10mm以下、更佳為10N/10mm以下之180°剝離黏著力。此種180°剝離黏著力可使用拉伸試驗機(商品名「Autograph AGS-J」，島津製作所股份有限公司製造)進行測定。供於該測定之試樣片係藉由如下方式製作。首先，自切晶黏晶膜X切出寬度10mm×長度100mm之尺寸之具有基材11、黏著劑層12及接著劑層20之積層構造的積層體。於黏著劑層12為紫外線硬化型之情形時，自切晶黏晶膜X中之基材11側對黏著劑層12照射350mJ/cm²之紫外線使黏著劑層12硬化後，再切出該積層體。繼而，藉由在60℃下使2kg 輥往返1次之壓接作業將積層體之接著劑層20側貼合於矽晶圓，其後，將該貼合體於60℃下放置2分鐘。繼而，自矽晶圓上之接著劑層20剝離黏著劑層12及基材11。繼而，對殘留於矽晶圓上之接著劑層20貼合襯底膠帶(商品名「BT-315」，日東電工股份有限公司製造)，自矽晶圓剝離接著劑層20，而使接著劑層20自矽晶圓轉印至該襯底膠帶。如此製作附帶襯底膠帶之接著劑層試樣片(寬度10mm×長度100mm)。該試樣片向作為被黏著體之SUS板之貼合係藉由使2kg輥往返1次之壓接作業進行。

接著劑層20關於寬度4mm及厚度80μm之接著劑層20試樣片於初期夾具間距離10mm、頻率10Hz、動態應變±0.5μm及升溫速度5℃/min之條件下測得之23℃下之拉伸儲存彈性模數較佳為100MPa以上，更佳為500MPa以上，更佳為1000MPa以上。又，接著劑層20於相同條件下測得之23℃下之拉伸儲存彈性模數較佳為4000MPa以下，更佳為3000MPa以下，更佳為2000MPa以下。拉伸儲存彈性模數可基於使用動態黏彈性測定裝置(商品名「Rheogel-E4000」，UBM公司製造)進行之動態黏彈性測定而求出。於該測定中，作為測定對象物之試樣片之尺寸設為寬度4mm×長度20mm×厚度80μm，試樣片保持用夾具之初期夾具間距離設為10mm，測定模式採用拉伸模式，測定溫度範圍設為-30℃~100℃，頻率設為10Hz，動態應變設為±0.5μm，升溫速度設為5℃/min。

於本實施形態中，於切晶黏晶膜X之面內方向D上，接著劑層20之外周端20e與切晶帶10中之基材11之外周端11e及黏著劑層12之外周端12e相距1000μm以內、較佳為500μm以內。即，接著劑層20之外周端20e於膜面內方向D上，其全周位於相對於基材11之外周端11e而言之內側1000μm至外側1000μm之間、較佳為內側500μm至外側500μm之間，且位於相對於黏著劑層12之外周端12e而言之內側1000μm至外側1000μm之間、較佳為內側500μm至外側500μm之間。於切晶帶10或其黏著劑層12與其上之接著劑層20在面內方向D上具有實質相同尺寸之該構成中，接著劑層20如上所述於面20a側不僅包含工件貼附用區域且包含框構件貼附用區域。

於切晶黏晶膜X中，於切晶帶10之黏著劑層12為放射線硬化型黏著劑層之情形時，於23℃及剝離速度300mm/min之條件下之T型剝離試驗中，放射線硬化後之黏著劑層12與接著劑層20之間之剝離力較佳為0.06N/20mm以上，更佳為0.1N/20mm以上，更佳為0.15N/20mm以上。於23℃及剝離速度300mm/min之條件下之T型剝離試驗中，放射線硬化後之黏著劑層12與接著劑層20之間之剝離力較佳為0.25N/20mm以下，更佳為0.23N/20mm以下，更佳為0.2N/20mm以下。於23℃及剝離速度300mm/min之條件下之T型剝離試驗中，放射線硬化前之黏著劑層12與接著劑層20之間之剝離力較佳為2N/20mm以上。此種T型剝離試驗可使用拉伸試驗機(商品名「Autograph AGS-J」，島津製作所股份有限公司製造)進行。供於該試驗之試樣片係藉由如下方式製作。首先，自切晶黏晶膜X中之基材11側對黏著劑層12照射350mJ/cm²之紫外線使黏著劑層12硬化。繼而，於切晶黏晶膜X之接著劑層20側貼合襯底膠帶(商品名「BT-315」，日東電工股份有限公司製造)後，切出寬度50mm×長度120mm之尺寸之試樣片。

關於切晶黏晶膜X中之用以形成黏著劑層12與接著劑層20之界面的黏著劑層12表面及接著劑層20表面，兩表面之算術平均表面粗糙度(Ra)之差較佳為100nm以下。

切晶黏晶膜X如圖2所示可附帶分隔件S。具體而言，可採用各切晶黏晶膜X分別附帶分隔件S之片狀之形態，亦可採用分隔件S呈長條狀而於其上配置複數個切晶黏晶膜X且將該分隔件S捲繞成輥狀之形態。分隔件S係用以被覆切晶黏晶膜X之接著劑層20之表面對其進行保護之要素，於使用切晶黏晶膜X時自該膜剝離。作為分隔件S，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、表面經氟系剝離劑或丙烯酸長鏈烷基酯系剝離劑等剝離劑塗佈之塑膠膜或紙類等。分隔件S之厚度例如為5~200μm。

具有如上所述之構成之切晶黏晶膜X例如可藉由如下方式製造。

首先，如圖3(a)所示，於長條狀之分隔件S上形成接著劑組合物層C1。接著劑組合物層C1可藉由在分隔件S上塗佈所製備之接著劑層20形成用接著劑組合物而形成。作為接著劑組合物之塗佈方法，例如可列舉：輥式塗佈、網版塗佈、及凹版塗佈。

繼而，如圖3(b)所示，於接著劑組合物層C1上形成黏著劑組合物層C2。黏著劑組合物層C2可藉由在接著劑組合物層C1上塗佈所製備之黏著劑層12形成用黏著劑組合物而形成。作為黏著劑組合物之塗佈方法，例如可列舉：輥式塗佈、網版塗佈、及凹版塗佈。

繼而，藉由將接著劑組合物層C1與黏著劑組合物層C2一起進行加熱處理而於分隔件S上形成接著劑層20'及黏著劑層12'。於該加熱處理中，視需要使兩層乾燥，又，視需要使兩層進行交聯反應。加熱溫度例如為60~175℃，加熱時間例如為0.5~5分鐘。接著劑層20'待被加工形成為上述接著劑層20。黏著劑層12'待被加工形成為上述黏著劑層12。

繼而，如圖3(c)所示，於黏著劑層12'上壓接基材11'而進行貼合。基材11'待被加工形成為上述基材11。樹脂製之基材11'可藉由壓延製膜法、有機溶劑中之流延法、密閉系統中之吹脹擠出法、T型模頭擠出法、共擠出法、乾式層壓法等製膜方法製作。視需要對製膜後之膜或基材11'實施特定之表面處理。於本步驟中，貼合溫度例如為30~50℃，較佳為35~45℃。貼合壓力(線壓)例如為0.1~20kgf/cm，較佳為1~10kgf/cm。藉由本步驟而獲得具有分隔件S、接著劑層20'、黏著劑層12'及基材11'之積層構造之長條狀之積層片材體。

繼而，如圖3(d)所示，對於上述積層片體，實施將加工刀自基材11'之側起插入至分隔件S為止之加工(於圖3(d)中，以粗實線模式性地表示切斷部位)。例如一面使積層片體沿一方向F以一定速度移動，一面使以能夠繞與該方向F正交之軸心旋轉之方式配置且於輥表面安裝有衝壓加工用加工刀之附加工刀之旋轉輥(未圖示)的附加工刀之表面以特定之按壓力抵接於積層片體之基材11'側。藉此，一次加工形成切晶帶10(基材11、黏著劑層12)與接著劑層20，而於分隔件S上形成切晶黏晶膜X。此後，如圖3(e)所示，自分隔件S上去除切晶黏晶膜X周圍之材料積層部。

藉由如上方式可製造切晶黏晶膜X。

於半導體裝置之製造過程中，如上所述，存在為了獲得附接著劑層之半導體晶片而進行使用切晶黏晶膜之擴張步驟或拾取步驟之情況，於該拾取步驟中，需能夠自黏著劑層剝離附接著劑層之半導體晶片中之接著劑層而自切晶帶拾取該半導體晶片。本發明者等人獲得如下見解：本發明之切晶黏晶膜X之黏著劑層12與接著劑層20之界面中之上述第1及第2表面自由能之差為3.5mJ/m²以上，較佳為4mJ/m²以上，更佳為5mJ/m²以上的狀態適於在拾取步驟中實現良好之拾取。詳見下述實施例及比較例中之記述。於黏著劑層12與接著劑層20之界面，黏著劑層12之黏著面12a之表面自由能與接著劑層20之面20b之表面自由能的差越大，該等兩層間越不易發生構成材料之轉移。進而，黏著劑層12與接著劑層20之間不易發生構成材料之轉移則適於實現兩層間之較小剝離力。黏著劑層12與接著劑層20之界面中之第1及第2表面自由能之差為3.5mJ/m²以上，較佳為4mJ/m²以上，更佳為5mJ/m²以上的上述構成適於確保該黏著劑層12與接著劑層20之間具有能夠實現附接著劑層之半導體晶片於拾取步驟中之良好拾取之程度的較小剝離力。

適於抑制黏著劑層12與接著劑層20之間剝離力之上升的切晶黏晶膜X可於膜面內方向上以實質相同之尺寸設計切晶帶10或其黏著劑層12與其上之接著劑層20，以實現藉由使接著劑層20低彈性化而確保對框構件之黏著力而使接著劑層20不僅包含工件貼附用區域且可包含框構件貼附用區域。具體而言，可採用如下設計：如上所述，於切晶黏晶膜X之面內方向上，接著劑層20之外周端20e與切晶帶10之基材11之外周端11e或黏著劑層12之外周端12e相距1000μm以內、較佳為500μm以內。此種切晶黏晶膜X適於藉由一衝壓加工等加工而一次地實施用以形成具有基材11與黏著劑層12之積層構造之一切晶帶10之加工、及用以形成一接著劑層20之加工。此種切晶黏晶膜X就減少製造步驟數或控制製造成本等觀點而言適於高效率地進行製造。又，相較於分別形成黏著劑層與接著劑層後進行貼合之製造方法，藉由接著劑層形成用組合物及黏著劑層形成用組合物之積層形成與兩組合物層之一起乾燥的上述製造方法容易導致於黏著劑層與接著劑層之密接界面中兩層間之剝離力上升，但黏著劑層12與接著劑層20之界面中之第1及第2表面自由能之差如上所述為3.5mJ/m²以上、較佳為4 mJ/m²以上、更佳為5mJ/m²以上的上述構成適於確保該黏著劑層12與接著劑層20之間具有能夠實現附接著劑層之半導體晶片於拾取步驟中之良好拾取之程度的較小剝離力。

如上所述，切晶黏晶膜X適於實現附接著劑層之半導體晶片自切晶帶10之良好拾取。

如上所述，切晶黏晶膜X中之黏著劑層12係以於形成與接著劑層20之界面的黏著面12a能夠具有較佳為32mJ/m²以下、更佳為30mJ/m²以下、更佳為28mJ/m²以下之表面自由能(第2表面自由能)的方式構成。該構成適於確保切晶黏晶膜X之黏著劑層12與接著劑層20之間之上述較小剝離力。又，如上所述，黏著劑層12係以於形成與接著劑層20之界面的黏著面12a能夠具有較佳為15mJ/m²以上、更佳為18mJ/m²以上、更佳為20mJ/m²以上之表面自由能(第2表面自由能)的方式構成。該構成就確保黏著劑層12與接著劑層20之間之適度黏著力以避免例如於切晶黏晶膜X之搬送過程中等時該兩層間發生剝離之觀點而言較佳。

如上所述，切晶黏晶膜X之接著劑層20中之上述第1表面自由能較佳為30mJ/m²以上，更佳為31mJ/m²以上，更佳為32mJ/m²以上。該構成適於確保接著劑層20與黏著劑層12之間所要求之密接力。又，該第1表面自由能較佳為45mJ/m²以下，更佳為43mJ/m²以下，更佳為40mJ/m²以下。該構成適於確保接著劑層20與黏著劑層12之間之上述較小剝離力。

如上所述，接著劑層20於23℃、剝離角度180°及拉伸速度10mm/min之條件下之剝離試驗中，對SUS平面表現出0.1N/10mm以上、更佳為0.3N/10mm以上、更佳為0.5N/10mm以上之180°剝離黏著力。該構成適於確保切晶黏晶膜X對框構件之保持。又，如上所述，該接著劑層20於相同條件下之剝離試驗中，對SUS平面表現出較佳為20N/10mm以下、更佳為10N/10mm以下之180°剝離黏著力。該構成適於確保框構件自切晶黏晶膜X之脫附性。

如上所述，接著劑層20關於寬度4mm及厚度80μm之接著劑層20試樣片於初期夾具間距離10mm、頻率10Hz、動態應變±0.5μm及升溫速度5℃/min之條件下測得之23℃下之拉伸儲存彈性模數較佳為100MPa以上，更佳為500MPa以上，更佳為1000MPa以上。該構成適於確保接著劑層20對框構件之黏著力，故適於確保切晶黏晶膜X對框構件之保持。又，如上所述，該接著劑層20於相同條件下測得之23℃下之拉伸儲存彈性模數較佳為4000MPa以下，更佳為3000MPa以下，更佳為2000MPa以下。該構成適於確保框構件自切晶黏晶膜X之脫附性。

於切晶黏晶膜X中，於切晶帶10之黏著劑層12為放射線硬化型之黏著劑層12之情形時，於23℃及剝離速度300mm/min之條件下之T型剝離試驗中，放射線硬化後之黏著劑層12與接著劑層20之間之剝離力如上所述較佳為0.06N/20mm以上，更佳為0.1N/20mm以上，更佳為0.15N/20mm以上。該構成適於確保切晶帶10之硬化後之黏著劑層12與其上之接著劑層20之間之密接性，因此，於使用切晶黏晶膜X時，於黏著劑層12之硬化後進行擴張步驟之情形時，適於抑制該步驟中發生附接著劑層之半導體晶片自黏著劑層12局部地剝離即隆起之情況。於23℃及剝離速度300mm/min之條件下之T型剝離試驗中，放射線硬化後之黏著劑層12與接著劑層20之間之剝離力如上所述較佳為0.25N/20mm以下，更佳為0.23N/20mm以下，更佳為0.2N/20mm以下。該構成適於在黏著劑層12之硬化後進行之拾取步驟中實現附接著劑層之半導體晶片自硬化後之黏著劑層12之良好拾取。又，於23℃及剝離速度300mm/min之條件下之T型剝離試驗中，放射線硬化前之黏著劑層12與接著劑層20之間之剝離力如上所述較佳為2N/20mm以上。該構成適於確保切晶帶10中之處於未硬化狀態之黏著劑層12與其上之接著劑層20之間之密接性，因此，於使用切晶黏晶膜X時，於黏著劑層12未硬化之狀態下進行擴張步驟之情形時，適於抑制該步驟中發生附接著劑層之半導體晶片自黏著劑層12局部地剝離即隆起之情況。

關於切晶黏晶膜X中之用以形成黏著劑層12與接著劑層20之界面的黏著劑層12之黏著面12a及接著劑層20之面20b，兩表面之算術平均表面粗糙度(Ra)之差如上所述較佳為100nm以下。該構成適於確保黏著劑層12與其上之接著劑層20之間之密接性，因此，適於抑制擴張步驟中發生附接著劑層之半導體晶片自黏著劑層12局部地剝離即隆起之情況。

如上所述，切晶黏晶膜X中之黏著劑層12較佳為含有包含源自烷基之碳數為10以上之(甲基)丙烯酸烷基酯之第1單元與源自(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯之第2單元的丙烯酸系聚合物。該構成適於實現黏著劑層12與其上之接著劑層20之間之較高之剪切接著力，因此，適於在擴張步驟中適當地使割斷力作用於在面內方向上受到擴張之切晶帶10上之接著劑層20以割斷該接著劑層20。

於黏著劑層12中之丙烯酸系聚合物中，上述第1單元相對於上述第2單元之莫耳比率如上所述較佳為1以上，更佳為3以上，更佳為5以上。該構成如上所述適於確保黏著劑層12與其上之接著劑層20之間之較高之剪切接著力，且抑制於兩層間之積層方向上作用之結合性之相互作用，因此，有利於實現拾取步驟中之良好拾取。又，該莫耳比率如上所述較佳為 40以下，更佳為35以下，更佳為30以下。該構成適於確保黏著劑層12與接著劑層20之間之密接性，而抑制擴張步驟中發生附接著劑層之半導體晶片自黏著劑層12局部地剝離即隆起之情況。

如上所述，黏著劑層12中之丙烯酸系聚合物較佳為加成有作為放射線聚合性成分之含不飽和官能基之異氰酸酯化合物的加成物。於黏著劑層12中之丙烯酸系聚合物為此種含不飽和官能基之異氰酸酯化合物加成物之情形時，該丙烯酸系聚合物中之含不飽和官能基之異氰酸酯化合物相對於源自(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯之第2單元的莫耳比率較佳為0.1以上，更佳為0.2以上，更佳為0.3以上。該等構成適於藉由丙烯酸系聚合物與含不飽和官能基之異氰酸酯化合物之反應而將黏著劑層12適度地高彈性化，有利於在擴張步驟中良好地割斷接著劑層20。又，就減少硬化後之黏著劑層12中之低分子量成分之觀點而言，於用以形成對丙烯酸系聚合物加成含不飽和官能基之異氰酸酯化合物而成之加成物的包含丙烯酸系聚合物與含不飽和官能基之異氰酸酯化合物之反應組合物中，丙烯酸系聚合物中之含不飽和官能基之異氰酸酯化合物相對於源自(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯之單元(第2單元)的莫耳比率如上所述較佳為2以下，更佳為1.5以下，更佳為1.3以下。

圖4~圖9係表示本發明之一實施形態之半導體裝置製造方法。

於本半導體裝置製造方法中，首先，如圖4(a)及圖4(b)所示，於半導體晶圓W上形成分割槽30a(分割槽形成步驟)。半導體晶圓W具有第1面Wa及第2面Wb。於半導體晶圓W中之第1面Wa側已置入各種半導體元件(未圖示)，且第1面Wa上已形成有該半導體元件所需之配線構造等(未圖示)。於本步驟中，將具有黏著面T1a之晶圓加工用帶T1貼合於半導體晶圓W之第2面Wb側後，於半導體晶圓W保持於晶圓加工用帶T1之狀態下，使用切晶裝置等之旋轉刀片於半導體晶圓W之第1面Wa側形成特定深度之分割槽30a。分割槽30a係用以將半導體晶圓W分離成半導體晶片單元之空隙(於圖4至圖6中，以粗實線模式性地表示分割槽30a)。

繼而，如圖4(c)所示，進行具有黏著面T2a之晶圓加工用帶T2向半導體晶圓W之第1面Wa側之貼合、與晶圓加工用帶T1自半導體晶圓W之剝離。

繼而，如圖4(d)所示，於半導體晶圓W保持於晶圓加工用帶T2之狀態下，藉由對半導體晶圓W自第2面Wb進行研削加工而使之薄化，直至成為特定厚度(晶圓薄化步驟)。研削加工可使用具備研削磨石之研削加工裝置進行。藉由該晶圓薄化步驟，於本實施形態中，形成能夠單片化成複數個半導體晶片31之半導體晶圓30A。半導體晶圓30A具體而言，該晶圓於第2面Wb側具有將待單片化成複數個半導體晶片31之部位加以連結之部位(連結部)。半導體晶圓30A中之連結部之厚度、即半導體晶圓30A之第2面Wb與分割槽30a之第2面Wb側末端之間的距離例如為1~30μm，較佳為3~20μm。

繼而，如圖5(a)所示，將保持於晶圓加工用帶T2之半導體晶圓30A貼合於切晶黏晶膜X之接著劑層20。此後，如圖5(b)所示，自半導體晶圓30A剝離晶圓加工用帶T2。於切晶黏晶膜X中之黏著劑層12為放射線硬化型黏著劑層之情形時，亦可於將半導體晶圓30A貼合於接著劑層20後再自基材11之側對黏著劑層12照射紫外線等放射線，以此代替切晶黏晶膜X之製造過程中之上述放射線照射。照射量例如為50~500mJ/cm²，較佳為100~300mJ/cm²。切晶黏晶膜X中進行作為黏著劑層12之黏著力減弱措施之照射的區域(圖1所示之照射區域R)例如為黏著劑層12中之接著劑層20貼合區域內除其周緣部以外之區域。

繼而，於切晶黏晶膜X中之接著劑層20上貼附環狀框41後，如圖6(a)所示，將附帶半導體晶圓30A之該切晶黏晶膜X固定於擴張裝置之保持具42。

繼而，如圖6(b)所示，進行相對低溫之條件下之第1擴張步驟(冷擴張步驟)，而將半導體晶圓30A單片化成複數個半導體晶片31，且將切晶黏晶膜X之接著劑層20割斷成小片之接著劑層21，從而獲得附接著劑層之半導體晶片31。於本步驟中，擴張裝置所具備之中空圓柱形狀之頂起構件43於切晶黏晶膜X之圖中下側抵接於切晶帶10並上升，使貼合有半導體晶圓30A之切晶黏晶膜X之切晶帶10以於包含半導體晶圓30A之徑方向及周方向之二維方向上受到拉伸之方式擴張。該擴張係於使切晶帶10產生15~32MPa、較佳為20~32MPa之範圍內之拉伸應力的條件下進行。冷擴張步驟中之溫度條件例如為0℃以下，較佳為-20~-5℃，更佳為-15~-5℃，更佳為-15℃。冷擴張步驟中之擴張速度(頂起構件43之上升速度)較佳為0.1~100mm/sec。又，冷擴張步驟中之擴張量較佳為3~16mm。

於本步驟中，半導體晶圓30A於較薄且易破裂之部位發生割斷而單片化成半導體晶片31。並且，於本步驟中，切晶帶10產生之拉伸應力於與受到擴張之切晶帶10之黏著劑層12密接之接著劑層20中，發揮於與各半導體晶片31密接之各區域中抑制變形之作用，另一方面，於與半導體晶片31間之分割槽對向之部位，未產生此種變形抑制作用。其結果，接著劑層20於與半導體晶片31間之分割槽對向之部位發生割斷。於本步驟之後，如圖6(c)所示，使頂起構件43下降而解除切晶帶10之擴張狀態。

繼而，如圖7(a)所示，進行相對高溫之條件下之第2擴張步驟，而將附接著劑層之半導體晶片31間之距離(間隔距離)擴寬。於本步驟中，擴張裝置所具備之中空圓柱形狀之頂起構件43再次上升，而使切晶黏晶膜X之切晶帶10擴張。第2擴張步驟中之溫度條件例如為10℃以上，較佳為15~30℃。第2擴張步驟中之擴張速度(頂起構件43之上升速度)例如為0.1~10mm/sec，較佳為0.3~1mm/sec。又，第2擴張步驟中之擴張量例如為3~16mm。於本步驟中，將附接著劑層之半導體晶片31之間隔距離擴寬至在下述拾取步驟中能夠適當地自切晶帶10拾取附接著劑層之半導體晶片31之程度。於本步驟之後，如圖7(b)所示，使頂起構件43下降而解除切晶帶10之擴張狀態。為了抑制切晶帶10上之附接著劑層之半導體晶片31之間隔距離於擴張狀態解除後縮小，較佳為於解除擴張狀態前，對切晶帶10中之較半導體晶片31保持區域而言外側之部分進行加熱而使之收縮。

繼而，視需要使用水等清洗液清洗附帶附接著劑層之半導體晶片31的切晶帶10中之半導體晶片31側，經過該清洗步驟後，如圖8所示，自切晶帶10拾取附接著劑層之半導體晶片31(拾取步驟)。例如於切晶帶10之圖中下側，使拾取機構之銷構件44上升而隔著切晶帶10將拾取對象之附接著劑層之半導體晶片31頂起後，利用吸附治具45進行吸附保持。於拾取步驟中，銷構件44之頂起速度例如為1~100mm/sec，銷構件44之頂起量例如為50~3000μm。

繼而，如圖9(a)所示，將所拾取之附接著劑層之半導體晶片31經由接著劑層21而暫時固定於特定之被黏著體51。作為被黏著體51，例如可列舉：引線框架、TAB(Tape Automated Bonding，捲帶式自動接合)膜、配線基板、及另外製作之半導體晶片。接著劑層21於暫時固定時在25℃下對被黏著體51之剪切接著力較佳為0.2MPa以上，更佳為0.2~10MPa。接著劑層21之該剪切接著力為0.2MPa以上之構成適於抑制在下述打線接合步驟中因超音波振動或加熱導致接著劑層21與半導體晶片31或與被黏著體51之接著面處產生剪切變形之情況，而可適當地進行打線接合。又，接著劑層21於暫時固定時在175℃下對被黏著體51之剪切接著力較佳為0.01MPa以上，更佳為0.01~5MPa。

繼而，如圖9(b)所示，將半導體晶片31之電極墊(未圖示)與被黏著體51所具有之端子部(未圖示)經由接合線52而電性連接(打線接合步驟)。半導體晶片31之電極墊或被黏著體51之端子部與接合線52之接線係藉由伴隨加熱之超音波焊接而實現，且以不會使接著劑層21熱硬化之方式進行。作為接合線52，例如可使用金線、鋁線、或銅線。打線接合時之線加熱溫度例如為80~250℃，較佳為80~220℃。又，其加熱時間為數秒~數分鐘。

繼而，如圖9(c)所示，藉由用以保護被黏著體51上之半導體晶片31或接合線52之密封樹脂53而將半導體晶片31加以密封(密封步驟)。於本步驟中，接著劑層21進行熱硬化。於本步驟中，例如藉由使用模具進行之轉注成形技術形成密封樹脂53。作為密封樹脂53之構成材料，例如可使用環氧系樹脂。於本步驟中，用以形成密封樹脂53之加熱溫度例如為165~185℃，加熱時間例如為60秒~數分鐘。於本步驟(密封步驟)中密封樹脂53未充分硬化之情形時，於本步驟之後進行用以使密封樹脂53完全硬化之後硬化步驟。於密封步驟中接著劑層21未完全熱硬化之情形時，亦可於後硬化步驟中使接著劑層21與密封樹脂53一起實現完全之熱硬化。於後硬化步驟中，加熱溫度例如為165~185℃，加熱時間例如為0.5~8小時。

藉由如上方式可製造半導體裝置。

於本實施形態中，如上所述，將附接著劑層之半導體晶片31暫時固定於被黏著體51後，進行打線接合步驟而暫不使接著劑層21完全熱硬化。於本發明中，亦可代替此種構成，於將附接著劑層之半導體晶片31暫時固定於被黏著體51後，先使接著劑層21熱硬化再進行打線接合步驟。

於本發明之半導體裝置製造方法中，亦可進行圖10所示之晶圓薄化步驟代替參照圖4(d)之上述晶圓薄化步驟。參照圖4(c)經過上述過程後，於圖10所示之晶圓薄化步驟中，於半導體晶圓W保持於晶圓加工用帶T2之狀態下，藉由對該晶圓自第2面Wb進行研削加工而使之薄化，直至成為特定厚度，而形成包含複數個半導體晶片31且保持於晶圓加工用帶T2之半導體晶圓分割體30B。於本步驟中，可採用如下方法：研削晶圓直至分割槽30a其本身於第2面Wb側露出(第1方法)；亦可採用如下方法：自第2面Wb側研削晶圓直至即將到達分割槽30a，其後，藉由自旋轉磨石向晶圓之按壓力之作用使分割槽30a與第2面Wb之間產生裂痕而形成半導體晶圓分割體30B(第2方法)。根據所採用之方法，適當決定參照圖4(a)及圖4(b)如上所述般所形成之分割槽30a距離第1面Wa之深度。於圖10中，以粗實線模式性地表示經第1方法處理後之分割槽30a、或經第2方法處理後之分割槽30a及與其相連與其相連之裂痕。於本發明中，可使用藉由如上方式製作之半導體晶圓分割體30B代替半導體晶圓30A，將其貼合於切晶黏晶膜X後，參照圖5至圖9而進行上述各步驟。

圖11(a)及圖11(b)係表示於切晶黏晶膜X貼合半導體晶圓分割體30B後進行之第1擴張步驟(冷擴張步驟)。於本步驟中，擴張裝置所具備之中空圓柱形狀之頂起構件43於切晶黏晶膜X之圖中下側抵接於切晶帶10並上升，使貼合有半導體晶圓分割體30B之切晶黏晶膜X之切晶帶10以於包含半導體晶圓分割體30B之徑方向及周方向之二維方向上受到拉伸之方式擴張。該擴張係於使切晶帶10產生例如1~100MPa、較佳為5~40MPa之範圍內之拉伸應力的條件下進行。本步驟中之溫度條件例如為0℃以下，較佳為-20~-5℃，更佳為-15~-5℃，更佳為-15℃。本步驟中之擴張速度(頂起構件43之上升速度)較佳為1~500mm/sec。又，本步驟中之擴張量較佳為50~200mm。藉由此冷擴張步驟，切晶黏晶膜X之接著劑層20割斷成小片之接著劑層21而獲得附接著劑層之半導體晶片31。具體而言，於本步驟中，切晶帶10產生之拉伸應力於與受到擴張之切晶帶10之黏著劑層12密接之接著劑層20中，發揮於與半導體晶圓分割體30B之各半導體晶片31密接之各區域中抑制變形之作用，另一方面，於與半導體晶片31間之分割槽30a對向之部位，未產生此種變形抑制作用。其結果，接著劑層20於與半導體晶片31間之分割槽30a對向之部位發生割斷。

於本發明之半導體裝置製造方法中，亦可將藉由如下方式製作之半導體晶圓30C貼合於切晶黏晶膜X，以代替將半導體晶圓30A或半導體晶圓分割體30B貼合於切晶黏晶膜X之上述構成。

如圖12(a)及圖12(b)所示，首先，於半導體晶圓W形成改質區域30b。半導體晶圓W具有第1面Wa及第2面Wb。於半導體晶圓W中之第1面Wa側已置入各種半導體元件(未圖示)，且第1面Wa上已形成有該半導體元件所需之配線構造等(未圖示)。於本步驟中，將具有黏著面T3a之晶圓加工用帶T3貼合於半導體晶圓W之第1面Wa側後，於半導體晶圓W保持於晶圓加工用帶T3之狀態下，自晶圓加工用帶T3之相反側對半導體晶圓W沿其分割預定線向晶圓內部照射由聚光點聚集而成之雷射光，藉由利用多光子吸收之剝蝕而於半導體晶圓W內形成改質區域30b。改質區域30b係用以將半導體晶圓W分離成半導體晶片單元之脆弱化區域。關於藉由對半導體晶圓照射雷射光而於分割預定線上形成改質區域30b之方法，例如於日本專利特開2002-192370號公報中有詳細記述，本實施形態中之雷射光照射條件例如於以下條件範圍內適當調整。

<雷射光照射條件>

(A)雷射光

雷射光源：半導體雷射激發Nd：YAG雷射

波長：1064nm

雷射光點截面面積：3.14×10^-8cm²

振盪形態：Q開關脈衝

反覆頻率：100kHz以下

脈衝寬度：1μs以下

輸出：1mJ以下

雷射光品質：TEM00

偏光特性：直線偏光

(B)聚光用透鏡

倍率：100倍以下

NA(numerical aperture，數值孔徑)：0.55

對雷射光波長之透過率：100%以下

(C)供載置半導體基板之載置台之移動速度：280mm/sec以下

繼而，如圖12(c)所示，於半導體晶圓W保持於晶圓加工用帶T3之狀態下，藉由對半導體晶圓W自第2面Wb進行研削加工而使之薄化，直至成為特定厚度，藉此形成能夠單片化成複數個半導體晶片31之半導體晶圓30C(晶圓薄化步驟)。於本發明中，可使用藉由如上方式製作之半導體晶圓30C代替半導體晶圓30A，將其貼合於切晶黏晶膜X後，參照圖5至圖9而進行上述各步驟。

圖13(a)及圖13(b)係表示於切晶黏晶膜X貼合半導體晶圓30C後進行之第1擴張步驟(冷擴張步驟)。於本步驟中，擴張裝置所具備之中空圓柱形狀之頂起構件43於切晶黏晶膜X之圖中下側抵接於切晶帶10並上升，使貼合有半導體晶圓30C之切晶黏晶膜X之切晶帶10以於包含半導體晶圓30C之徑方向及周方向之二維方向上受到拉伸之方式擴張。該擴張係於使切晶帶10產生例如1~100MPa、較佳為5~40MPa之範圍內之拉伸應力的條件下進行。本步驟中之溫度條件例如為0℃以下，較佳為-20~-5℃，更佳為-15~-5℃，更佳為-15℃。本步驟中之擴張速度(頂起構件43之上升速度)較佳為1~500mm/sec。又，本步驟中之擴張量較佳為50~200mm。藉由此冷擴張步驟，切晶黏晶膜X之接著劑層20割斷成小片之接著劑層21而獲得附接著劑層之半導體晶片31。具體而言，於本步驟中，使半導體晶圓30C於脆弱之改質區域30b形成裂痕而單片化成半導體晶片31。並且，於本步驟中，切晶帶10產生之拉伸應力於與受到擴張之切晶帶10之黏著劑層12密接之接著劑層20中，發揮於與半導體晶圓30C之各半導體晶片31密接之各區域中抑制變形之作用，另一方面，於與晶圓之裂痕形成部位對向之部位，未產生此種變形抑制作用。其結果，接著劑層20於與半導體晶片31間之裂痕形成部位對向之部位發生割斷。

又，於本發明中，切晶黏晶膜X如上所述可用於獲得附接著劑層之半導體晶片，亦可用於獲得積層複數個半導體晶片進行三維安裝之情形時之附接著劑層之半導體晶片。於此種三維安裝中之半導體晶片31間，可一併介存接著劑層21與間隔件，亦可不介存間隔件。

[實施例] [實施例1]

〈接著劑層〉

於甲基乙基酮中添加丙烯酸系聚合物A₁(丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯腈、及甲基丙烯酸縮水甘油酯之共聚物，重量平均分子量為120萬，玻璃轉移溫度為0℃，環氧值為0.4eq/kg)54質量份、固態酚樹脂(商品名「MEHC-7851SS」，23℃下固態，明和化成股份有限公司製造)3質量份、液態酚樹脂(商品名「MEH-8000H」，23℃下液狀，明和化成股份有限公司製造)3質量份、及二氧化矽填料(商品名「SO-C2」，平均粒徑為0.5μm，Admatechs股份有限公司製造)40質量份，加以混合，調整濃度以使室溫下之黏度成為700mPa‧s，而獲得接著劑組合物C₁。繼而，於具有經聚矽氧脫模處理之面之PET分隔件(厚度38μm)之聚矽氧脫模處理面上，使用敷料器塗佈接著劑組合物C₁而形成塗膜，對該塗膜於130℃下進行2分鐘之加熱乾燥。藉由如上方式於PET分隔件上形成實施例1中之厚度10μm之接著劑層。將實施例1中之接著劑層之組成示於表1(於表1中，除下述關於MOI之數值以外，表示組合物之組成之各數值之單位係該組合物內之相對“質量份”)。

〈黏著劑層〉

於具備冷卻管、氮氣導入管、溫度計、及攪拌裝置之反應容器內，將包含丙烯酸月桂酯(LA)100莫耳份、丙烯酸2-羥基乙酯(2HEA)20莫耳份、相對於該等單體成分100質量份為0.2質量份之作為聚合起始劑之過氧化苯甲醯、及作為聚合溶劑之甲苯的混合物於氮氣環境中於60℃下攪拌10小時(聚合反應)。藉此，獲得含有丙烯酸系聚合物P₁之聚合物溶液。該聚合物溶液中之丙烯酸系聚合物P₁其重量平均分子量(Mw)為46萬，玻璃轉移溫度為9.5℃，源自LA之單元相對於源自2HEA之單元的莫耳比率為5。繼而，將包含該含有丙烯酸系聚合物P₁之聚合物溶液、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(MOI)、及作為加成反應觸媒之二月桂酸二丁基錫的混合物於室溫下於空氣環境中攪拌48小時(加成反應)。於該反應溶液中，MOI之調配量相對於上述丙烯酸月桂酯100莫耳份為20莫耳份，該MOI調配量相對於丙烯酸系聚合物P₁中之源自2HEA之單元或其羥基總量的莫耳比率為1。又，於該反應溶液中，二月桂酸二丁基錫之調配量相對於丙烯酸系聚合物P₁ 100質量份為0.01質量份。藉由該加成反應而獲得含有側鏈具有甲基丙烯酸酯基之丙烯酸系聚合物P₂(加成有含不飽和官能基之異氰酸酯化合物的丙烯酸系聚合物)之聚合物溶液。繼而，於該聚合物溶液中添加相對於丙烯酸系聚合物P₂ 100質量份為1質量份之多異氰酸酯化合物(商品名「Coronate L」，Tosoh股份有限公司製造)與2質量份之光聚合起始劑(商品名「Irgacure 127」，BASF公司製造)，加以混合，並對該混合物添加甲苯進行稀釋，以使該混合物於室溫下之黏度成為500mPa‧s，而獲得黏著劑組合物C₂。繼而，使用敷料器，於形成於PET分隔件上之上述接著劑層上塗佈黏著劑組合物C₂而形成塗膜，對該塗膜於130℃下進行2分鐘之加熱乾燥，而於接著劑層上形成厚度10μm之黏著劑層。繼而，使用貼合機，於室溫下於該黏著劑層之露出面貼合乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)製基材(商品名「RB-0104」，厚度130μm，倉敷紡織股份有限公司製造)。繼而，進行將加工刀自EVA基材側起插入至分隔件為止之衝壓加工。藉此，於分隔件上形成具有EVA基材/黏著劑層/接著劑層之積層構造之直徑370mm之圓盤形狀之切晶黏晶膜。藉由如上方式製作具有包含切晶帶(EVA基材/黏著劑層)與接著劑層之積層構造之實施例1之切晶黏晶膜。

[實施例2~3、參考例1]

於形成黏著劑層時，將MOI之調配量自20莫耳份變為16莫耳份(實施例2)、12莫耳份(實施例3)、或8莫耳份(參考例1)，除此以外，藉由與實施例1之切晶黏晶膜相同之方式製作實施例2~3、參考例1之各切晶黏晶膜。

[實施例5]

〈接著劑層〉

於甲基乙基酮中添加丙烯酸系聚合物A₂(商品名「Teisanresin SG-70L」，具有腈基之丙烯酸系共聚物，重量平均分子量為90萬，玻璃轉移溫度為-13℃，羧酸值為5mgKOH/g，Nagase chemteX股份有限公司製造)18質量份、固態環氧樹脂(商品名「KI-3000」，23℃下固態，新日鐵住金化學股份有限公司製造)6質量份、液狀環氧樹脂(商品名「YL-980」，23℃下液狀，三菱化學股份有限公司製造)5質量份、及二氧化矽填料(商品名「SO-C2」，平均粒徑為0.5μm，Admatechs股份有限公司製造)40質量份，加以混合，調整濃度以使室溫下之黏度成為700mPa‧s，而獲得接著劑組合物C₃。繼而，於具有經聚矽氧脫模處理之面之PET分隔件(厚度38μm)之聚矽氧脫模處理面上，使用敷料器塗佈接著劑組合物C₃而形成塗膜，對該塗膜於130℃下進行2分鐘之加熱乾燥。藉由如上方式於PET分隔件上形成實施例5中之厚度10μm之接著劑層。

〈黏著劑層〉

將MOI之調配量自20莫耳份變為16莫耳份，除此以外，藉由與實施例1中之上述黏著劑層相同之方式形成實施例5之黏著劑層，製作實施例5之切晶黏晶膜。

[實施例6]

於具備冷卻管、氮氣導入管、溫度計、及攪拌裝置之反應容器內，將包含丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)100莫耳份、丙烯酸2-羥基乙酯(2HEA)20莫耳份、相對於該等單體成分100質量份為0.2質量份之作為聚合起始劑之過氧化苯甲醯、及作為聚合溶劑之甲苯的混合物於氮氣環境中於60℃下攪拌10小時(聚合反應)。藉此，獲得含有丙烯酸系聚合物P₃之聚合物溶液。該聚合物溶液中之丙烯酸系聚合物P₃其重量平均分子量(Mw)為40萬，玻璃轉移溫度為60℃。繼而，將包含該含有丙烯酸系聚合物P₃之聚合物溶液、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(MOI)、及作為加成反應觸媒之二月桂酸二丁基錫的混合物於室溫下空氣環境中攪拌48小時(加成反應)。於該反應溶液中，MOI之調配量相對於上述丙烯酸2-乙基己酯100莫耳份為16莫耳份。又，於該反應溶液中，二月桂酸二丁基錫之調配量相對於丙烯酸系聚合物P₃ 100質量份為0.01質量份。藉由該加成反應而獲得含有側鏈具有甲基丙烯酸酯基之丙烯酸系聚合物P₄之聚合物溶液。繼而，於該聚合物溶液中添加相對於丙烯酸系聚合物P₄ 100質量份為1質量份之多異氰酸酯化合物(商品名「Coronate L」，Tosoh股份有限公司製造)與2質量份之光聚合起始劑(商品名「Irgacure 127」，BASF公司製造)，加以混合，並對該混合物添加甲苯進行稀釋，以使該混合物於室溫下之黏度成為500mPa‧s，而獲得黏著劑組合物C₄。於由接著劑組合物C₃所形成之接著劑層上形成黏著劑層時，使用黏著劑組合物C₄，除此以外，藉由與實施例5之切晶黏晶膜相同之方式製作實施例6之切晶黏晶膜。

[比較例1]

於形成黏著劑層時，使用上述黏著劑組合物C₄代替上述黏著劑組合物C₂，除此以外，藉由與實施例1之切晶黏晶膜相同之方式製作比較例1之切晶黏晶膜。

[比較例2]

與上文關於實施例1之記述同樣地，於PET分隔件上由上述接著劑組合物C₁形成接著劑層(厚度10μm)。將該接著劑層於附帶分隔件之狀態下衝壓加工成直徑370mm。另一方面，於具有經聚矽氧脫模處理之面之PET分隔件(厚度38μm)之聚矽氧脫模處理面上，使用敷料器塗佈上述黏著劑組合物C₄而形成塗膜，對該塗膜於130℃下進行2分鐘之加熱乾燥，而於PET分隔件上形成厚度10μm之黏著劑層。繼而，使用貼合機，於室溫下於該黏著劑層之露出面貼合乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)製基材(商品名「RB-0104」，厚度130μm，倉敷紡織股份有限公司製造)。將如此獲得之積層片材體於附帶分隔件之狀態下衝壓加工成直徑370mm而形成切晶帶。繼而，將如此獲得之切晶帶與接著劑層一面以切晶帶之中心與接著劑層之中心成為一致之方式進行位置對準一面進行貼合。藉由如上方式製作具有包含切晶帶(EVA基材/黏著劑層)與接著劑層之積層構造之比較例2之切晶黏晶膜。

〈表面自由能〉

針對實施例1~6及比較例1、2之各切晶黏晶膜，求出接著劑層中之黏著劑層側表面之表面自由能、及紫外線硬化後之黏著劑層中之接著劑層側表面之表面自由能。具體而言，首先，對切晶黏晶膜中之切晶帶黏著劑層自切晶帶基材側照射紫外線，而使該黏著劑層紫外線硬化。於照射紫外線時，使用高壓水銀燈，累計照射光量設為350mJ/cm²。繼而，自切晶帶或其黏著劑層剝離接著劑層，而使表面自由能鑑定對象面(接著劑層之黏著劑層側表面與黏著劑層之接著劑層側表面)露出。繼而，使用接觸角計，於20℃及相對濕度65%之條件下測定與表面自由能鑑定對象面接觸之水(H₂O)及二碘甲烷(CH₂I₂)之各液滴之接觸角。繼而，使用所測得之水之接觸角θw及二碘甲烷之接觸角θi之值，依據Journal of Applied Polymer Science,vol.13,p1741~1747(1969)中所記載之方法，求出γs^d(表面自由能之分散力成分)及γs^h(表面自由能之氫鍵力成分)。進而，採用γs^d與γs^h相加所得之值γs(=γs^d+γs^h)作為該對象面之表面自由能。表面自由能鑑定對象面各自之γs^d及γs^h係作為下述式(1)及式(2)之二元聯立方程式之解而獲得。於式(1)、(2)中，γw表示水之表面自由能、γw^d表示水之表面自由能之分散力成分、γw^h表示水之表面自由能之氫鍵力成分、γi表示碘甲烷之表面自由能、γi^d表示碘甲烷之表面自由能之分散力成分、γi^h表示碘甲烷之表面自由能之氫鍵力成分，採用如下之既知文獻值：γw=72.8mJ/m²、γw^d=21.8mJ/m²、γw^h=51.0mJ/m²、γi=50.8mJ/m²、γi^d=48.5mJ/m²、γi^h=2.3mJ/m²。將如此求出之接著劑層中之黏著劑層側表面之表面自由能γs₁(mJ/m²)、及紫外線硬化後之黏著劑層中之接著劑層側表面之表面自由能γs₂(mJ/m²)示於表1。亦將該等表面自由能之差｜γs₁-γs₂｜(mJ/m²)示於表1。

[數1]

〈表面粗糙度〉

針對實施例1~6及比較例1、2之各切晶黏晶膜，測定接著劑層中之黏著劑層側表面之表面粗糙度、及黏著劑層中之接著劑層側表面之表面粗糙度。具體而言，首先，對切晶黏晶膜中之切晶帶之黏著劑層自切晶帶基材側照射紫外線，而使該黏著劑層紫外線硬化。於照射紫外線時，使用高壓水銀燈，累計照射光量設為350mJ/cm²。繼而，自切晶帶或其黏著劑層剝離接著劑層。繼而，對經該剝離而露出之接著劑層表面及黏著劑層表面，分別使用共焦雷射顯微鏡(商品名「OPTELICS H300」，Lasertec股份有限公司製造)求出算術平均表面粗糙度。將接著劑層中之黏著劑層側表面之表面粗糙度Ra₁(nm)、黏著劑層中之接著劑層側表面之表面粗糙度Ra₂(nm)、及該等表面粗糙度之差｜Ra₁-Ra₂｜(nm)示於表1。

〈接著劑層之180°剝離黏著力〉

針對實施例1~6及比較例1、2之各切晶黏晶膜中之接著劑層，藉由如下方式測定23℃下之180°剝離黏著力。首先，對切晶帶中之黏著劑層自基材側照射紫外線。於照射紫外線時，使用高壓水銀燈，累計照射光量設為350mJ/cm²。繼而，自該切晶黏晶膜切出具有切晶帶基材、黏著劑層及接著劑層之積層構造之積層體(寬度10mm×長度100mm)。繼而，藉由在60℃下使2kg輥往返1次之壓接作業將該積層體之接著劑層側貼合於矽晶圓，其後，將該貼合體於60℃下放置2分鐘。繼而，自矽晶圓上之接著劑層剝離黏著劑層與基材。繼而，對殘留於矽晶圓上之接著劑層貼合襯底膠帶(商品名「BT-315」，日東電工股份有限公司製造)，自矽晶圓剝離接著劑層，而使接著劑層自矽晶圓轉印至該襯底膠帶。如此製作附帶襯底膠帶之接著劑層試樣片(寬度10mm×長度100mm)。將接著劑層試樣片貼合於作為被黏著體之SUS板，藉由使2kg輥往返1次之壓接作業將接著劑層試樣片與被黏著體進行壓接。進而，於室溫下放置30分鐘後，使用拉伸試驗機(商品名「Autograph AGS-J」，島津製作所股份有限公司製造)，測定接著劑層試樣片對SUS板之180°剝離黏著力(N/10nm)。於本測定中，測定溫度或剝離溫度設為23℃，拉伸角度或剝離角度設為180°，拉伸速度設為10mm/min。將該測定結果示於表1。

〈接著劑層之拉伸儲存彈性模數〉

針對實施例1~6及比較例1、2中之各接著劑層，基於使用動態黏彈性測定裝置(商品名「Rheogel-E4000」，UBM公司製造)進行之動態黏彈性測定，求出23℃下之拉伸儲存彈性模數(MPa)。供於動態黏彈性測定之試樣片係藉由如下方式準備：將各接著劑層進行積層而形成厚度80μm之積層體後，自該積層體切出寬度4mm×長度20mm之尺寸者。又，於本測定中，試樣片保持用夾具之初期夾具間距離設為10mm，測定模式採用拉伸模式，測定溫度範圍設為-30℃~100℃，頻率設為10Hz，動態應變設為±0.5μm，升溫速度設為5℃/min。將該測定結果示於表1。

〈T型剝離試驗〉

針對實施例1~6及比較例1、2之各切晶黏晶膜，藉由如下方式測定黏著劑層與接著劑層之間之剝離力。首先，由各切晶黏晶膜製作黏著劑層處於未硬化狀態之試驗片。具體而言，於切晶黏晶膜之接著劑層側貼合襯底膠帶(商品名「BT-315」，日東電工股份有限公司製造)，自該附帶襯底膠帶之切晶黏晶膜切出寬度50mm×長度120mm之尺寸之試驗片。進而，使用拉伸試驗機(商品名「Autograph AGS-J」，島津製作所股份有限公司製造)，對該試驗片進行T型剝離試驗，測定剝離力(N/20mm)。於本測定中，溫度條件設為23℃，剝離速度設為300mm/min。另一方面，再由各切晶黏晶膜製作黏著劑層處於硬化狀態之試驗片。具體而言，自切晶黏晶膜中之基材側對黏著劑層照射350mJ/cm²之紫外線使黏著劑層硬化後，於切晶黏晶膜之接著劑層側貼合襯底膠帶(商品名「BT-315」，日東電工股份有限公司製造)，自該附帶襯底膠帶之切晶黏晶膜切出寬度50mm×長度120mm之尺寸之試驗片。進而，使用拉伸試驗機(商品名「Autograph AGS-J」，島津製作所股份有限公司製造)，對該試驗片進行T型剝離試驗，測定剝離力(N/20mm)。於本測定中，溫度條件設為23℃，剝離速度設為300mm/min。將以上之T型剝離試驗中之測定結果示於表1。

〈擴張步驟與拾取步驟之實施〉

使用實施例1~6及比較例1、2之各切晶黏晶膜，進行如下之貼合步驟、用以割斷之第1擴張步驟(冷擴張步驟)、用以間隔之第2擴張步驟(常溫擴張步驟)、及拾取步驟。

於貼合步驟中，將保持於晶圓加工用帶(商品名「UB-3083」，日東電工股份有限公司製造)之半導體晶圓分割體貼合於切晶黏晶膜之接著劑層後，自半導體晶圓分割體剝離晶圓加工用帶。切晶黏晶膜係對切晶帶之黏著劑層自基材側照射紫外線而使該黏著劑層預先紫外線硬化者。於照射紫外線時，使用高壓水銀燈，累計照射光量設為350mJ/cm²。於貼合時，使用貼合機，貼合速度設為10mm/sec，溫度條件設為60℃，壓力條件設為0.15MPa。又，半導體晶圓分割體係藉由如下方式形成而準備。首先，針對處於與環狀框一起保持於晶圓加工用帶(商品名「V-12S」，日東電工股份有限公司製造)之狀態的兩面均經鏡面拋光處理之裸晶圓(直徑12英吋，厚度780μm，東京化工股份有限公司製造)，於其一面之側，使用切晶裝置(商品名「DFD6361」，Disco股份有限公司製造)，利用旋轉刀片(商品名「NBC-ZH 203O SE HCBB」，Disco股份有限公司製造)形成單片化用之分割槽(寬度25μm，深度50μm，一區塊呈10mm×10mm之格子狀)。繼而，於分割槽形成面貼合晶圓加工用帶(商品名「UB-3083」，日東電工股份有限公司製造)後，將上述晶圓加工用帶(商品名「V-12S」)自晶圓剝離。此後，使用背面研磨裝置(商品名「DGP8760」，Disco股份有限公司製造)，自晶圓之另一面(未形成分割槽之面)之側進行研削加工，藉此將該晶圓薄化至厚度25μm。藉由如上方式形成半導體晶圓分割體(處於保持於晶圓加工用帶之狀態)。該半導體晶圓分割體中包含複數個半導體晶片(10mm×10mm)。

冷擴張步驟係使用晶片隔離裝置(商品名「Die Separator DDS2300」，Disco股份有限公司製造)，藉由其冷擴張單元進行。具體而言，首先，於室溫下，於附帶半導體晶圓分割體之上述切晶黏晶膜中之接著劑層之環狀框貼附用區域(工件貼附用區域之周圍)貼附直徑12英吋之SUS製環狀框(Disco股份有限公司製造)。繼而，將該切晶黏晶膜安裝於裝置內，藉由同一裝置之冷擴張單元對附帶半導體晶圓分割體之切晶黏晶膜之切晶帶進行擴張。於該冷擴張步驟中，溫度為-15℃，擴張速度為100mm/sec，擴張量為7mm。

常溫擴張步驟係使用晶片隔離裝置(商品名「Die Separator DDS2300」，Disco股份有限公司製造)，藉由其常溫擴張單元進行。具體而言，藉由同一裝置之常溫擴張單元對經過上述冷擴張步驟之附帶半導體晶圓分割體之切晶黏晶膜之切晶帶進行擴張。於該常溫擴張步驟中，溫度為23℃，擴張速度為1mm/sec，擴張量為10mm。此後，對經過常溫擴張之切晶黏晶膜實施加熱收縮處理。該處理溫度為200℃，處理時間為20秒。

於拾取步驟中，使用具有拾取機構之裝置(商品名「Die Bonder SPA-300」，新川股份有限公司製造)，嘗試於切晶帶上拾取經單片化之附接著劑層之半導體晶片。關於該拾取，銷構件之頂起速度為1mm/sec，頂起量為2000μm，拾取評價數為5個。

於使用實施例1~6及比較例1、2之各切晶黏晶膜進行之如上所述之過程中，關於冷擴張步驟，於經單片化之附接著劑層之半導體晶片未自切晶帶隆起之情形時，將割斷時之隆起評價為優(◎)，於經單片化之附接著劑層之半導體晶片之隆起(即，經單片化之附接著劑層之半導體晶片中之該接著劑層自切晶帶黏著劑層局部地剝離)之面積達單片化半導體晶片之總面積之40%以上之情形時，將割斷時之隆起評價為不良(×)。關於拾取步驟，於5個附接著劑層之半導體晶片全部自切晶帶成功拾取之情形時，將拾取性評價為優(◎)，於自切晶帶成功拾取之附接著劑層之半導體晶片之個數為1~4個之情形時，將拾取性評價為良(○)，於附接著劑層之半導體晶片無一自切晶帶成功拾取之情形時，將拾取性評價為不良(×)。將該等評價結果示於表1。

[評價]

根據實施例1~6之切晶黏晶膜，於冷擴張步驟中，可良好地割斷接著劑層而不會發生附接著劑層之半導體晶片自切晶帶隆起之情況，並且，於拾取步驟中，可適當地拾取附接著劑層之半導體晶片。

10‧‧‧切晶帶

11‧‧‧基材

11e‧‧‧外周端

12‧‧‧黏著劑層

12a‧‧‧黏著面

12e‧‧‧外周端

20‧‧‧接著劑層

20a‧‧‧接著劑層之面

20b‧‧‧接著劑層之面

20e‧‧‧外周端

D‧‧‧面內方向

R‧‧‧照射區域

X‧‧‧切晶黏晶膜

Claims

一種切晶黏晶膜，其具備切晶帶與接著劑層，該切晶帶具有包含基材與黏著劑層之積層構造，該接著劑層可剝離地密接於上述切晶帶中之上述黏著劑層；用以形成上述接著劑層與上述黏著劑層之界面的上述接著劑層之表面及上述黏著劑層之表面能夠產生3.5~9mJ/m²之表面自由能差，且上述黏著劑層之表面自由能為硬化後之黏著劑層之表面自由能。
如請求項1之切晶黏晶膜，其中上述黏著劑層之上述表面能夠具有32mJ/m²以下之表面自由能。
如請求項1之切晶黏晶膜，其中上述接著劑層之上述表面之表面自由能為30~45mJ/m²。
如請求項1之切晶黏晶膜，其中上述接著劑層於23℃、剝離角度180°及拉伸速度10mm/min之條件下之剝離試驗中對SUS平面表現出0.1~20N/10mm之180°剝離黏著力。
如請求項1之切晶黏晶膜，其中上述接著劑層關於寬度4mm及厚度80μm之接著劑層試樣片於初期夾具間距離10mm、頻率10Hz、動態應變±0.5μm及升溫速度5℃/min之條件下測得之23℃下之拉伸儲存彈性模數為100~4000MPa。
如請求項1之切晶黏晶膜，其中上述黏著劑層為放射線硬化型黏著劑層，且於23℃及剝離速度300mm/min之條件下之T型剝離試驗中，放射線硬化前之上述黏著劑層與上述接著劑層之間之剝離力為2N/20mm以上。
如請求項1之切晶黏晶膜，其中上述黏著劑層之上述表面之算術平均表面粗糙度與上述接著劑層之上述表面之算術平均表面粗糙度的差為100nm以下。
如請求項1之切晶黏晶膜，其中上述黏著劑層含有包含源自烷基之碳數為10以上之(甲基)丙烯酸烷基酯之第1單元及源自(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯之第2單元的丙烯酸系聚合物。
如請求項8之切晶黏晶膜，其中上述丙烯酸系聚合物中之上述第1單元相對於上述第2單元之莫耳比率為1~40。
如請求項8之切晶黏晶膜，其中上述丙烯酸系聚合物為含不飽和官能基之異氰酸酯化合物之加成物。
如請求項10之切晶黏晶膜，其中上述丙烯酸系聚合物中之上述含不飽和官能基之異氰酸酯化合物相對於上述第2單元的莫耳比率為0.1以上。
如請求項1至11中任一項之切晶黏晶膜，其中上述黏著劑層為放射線硬化型黏著劑層，且於23℃及剝離速度300mm/min之條件下之T型剝離試驗中，放射線硬化後之上述黏著劑層與上述接著劑層與之間之剝離力為0.06~0.25N/20mm。
如請求項12之切晶黏晶膜，其中上述接著劑層之外周端於膜面內方向上與上述黏著劑層之外周端相距1000μm以內。
如請求項1至11中任一項之切晶黏晶膜，其中上述接著劑層之外周端於膜面內方向上與上述黏著劑層之外周端相距1000μm以內。