JP7289688B2 - 接着フィルム付きダイシングテープ - Google Patents

接着フィルム付きダイシングテープ Download PDF

Info

Publication number
JP7289688B2
JP7289688B2 JP2019059390A JP2019059390A JP7289688B2 JP 7289688 B2 JP7289688 B2 JP 7289688B2 JP 2019059390 A JP2019059390 A JP 2019059390A JP 2019059390 A JP2019059390 A JP 2019059390A JP 7289688 B2 JP7289688 B2 JP 7289688B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive film
dicing tape
adhesive
peel
meth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019059390A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020161642A (ja
Inventor
謙司 大西
雄一郎 宍戸
雄大 木村
敏正 杉村
章洋 福井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to JP2019059390A priority Critical patent/JP7289688B2/ja
Priority to TW109107849A priority patent/TWI825285B/zh
Priority to KR1020200034838A priority patent/KR20200115226A/ko
Priority to CN202010218433.XA priority patent/CN111748290B/zh
Publication of JP2020161642A publication Critical patent/JP2020161642A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7289688B2 publication Critical patent/JP7289688B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/24—Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/241—Polyolefin, e.g.rubber
    • C09J7/243—Ethylene or propylene polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/24—Homopolymers or copolymers of amides or imides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/40—Adhesives in the form of films or foils characterised by release liners
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2423/00—Presence of polyolefin
    • C09J2423/04—Presence of homo or copolymers of ethene
    • C09J2423/046—Presence of homo or copolymers of ethene in the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2467/00—Presence of polyester
    • C09J2467/005—Presence of polyester in the release coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Description

本発明は、半導体装置の製造過程で使用することのできる接着フィルム付きダイシングテープに関する。
半導体装置の製造過程においては、ダイボンディング用のチップ相当サイズの接着フィルムを伴う半導体チップ、即ち接着フィルム付き半導体チップを得るうえで、接着フィルム付きダイシングテープが使用される場合がある。接着フィルム付きダイシングテープは、例えば、基材および粘着剤層からなるダイシングテープと、その粘着剤層側に剥離可能に密着している接着フィルムとを有する。接着フィルムは、ワークである半導体ウエハを上回るサイズの円盤形状を有し、例えば、その接着フィルムを上回るサイズの円盤形状を有するダイシングテープに対してその粘着剤層側に同心円状に貼り合わされている。
接着フィルム付きダイシングテープを使用して接着フィルム付き半導体チップを得る手法の一つとして、接着フィルム付きダイシングテープにおけるダイシングテープをエキスパンドして接着フィルムを割断するための工程を経る手法が知られている。この手法では、まず、接着フィルム付きダイシングテープの接着フィルム上に半導体ウエハが貼り合わせられる。この半導体ウエハは、例えば、後に接着フィルムの割断に共だって割断されて複数の半導体チップへと個片化可能なように、加工されたものである。次に、所定のエキスパンド装置において、それぞれが半導体チップに密着している複数の接着フィルム小片がダイシングテープ上の接着フィルムから生じるように当該接着フィルムを割断すべく、接着フィルム付きダイシングテープのダイシングテープがその径方向にエキスパンドされる（エキスパンド工程）。このエキスパンド工程では、接着フィルム上の半導体ウエハにおける接着フィルム割断箇所に対応する箇所でも割断が生じ、接着フィルム付きダイシングテープないしダイシングテープ上にて半導体ウエハが複数の半導体チップに個片化される。次に、ピックアップ工程機構等を備える所定のダイシングボンディング装置において、各半導体チップがそれに密着しているチップ相当サイズの接着フィルムと共に、ダイシングテープの下側からピックアップ機構のピン部材によって突き上げられたうえでダイシングテープ上からピックアップされる（ピックアップ工程）。このようにして、接着フィルム付きの半導体チップが得られる。この接着フィルム付き半導体チップは、その接着フィルムを介して、実装基板等の被着体にダイボンディングによって固着されることとなる。例えば以上のように使用される接着フィルム付きダイシングテープに関する技術については、例えば下記の特許文献１,２に記載されている。
特開２００７－２１７３号公報 特開２０１０－１７７４０１号公報
接着フィルム付きダイシングテープにおいては、従来、紫外線硬化性を有する粘着剤層がダイシングテープ粘着剤層として採用される場合がある。そのような接着フィルム付きダイシングテープが使用される半導体装置製造過程では、上述のピックアップ工程より前に、紫外線照射装置において、多数の接着フィルム付き半導体チップを伴うダイシングテープ粘着剤層に対するＵＶ照射によって当該粘着剤層の粘着力が有意に低下させられる（紫外線照射工程）。
紫外線照射装置は、例えば、ＵＶ照射が実施されるチャンバを備える。ＵＶ照射対象のワーク（例えば、上述の個片化で得られた半導体チップを保持する接着フィルム付きダイシングテープ）は、例えば複数枚一組でマガジン内に格納された状態でチャンバ内にセットされ、紫外線照射工程に付される。半導体装置製造ラインでは、紫外線照射装置が連続的に稼動して、例えばこのような紫外線照射工程が、新たな一組のＵＶ照射対象ワークごとに順次に繰り返されることがある。
しかしながら、紫外線照射装置が連続的に稼動すると、連続的または断続的なＵＶ照射が続くチャンバ内の環境温度が上昇する傾向にある。ＵＶ照射時のチャンバ内温度は、接着フィルム付きダイシングテープの紫外線硬化性ダイシングテープ粘着剤層の紫外線硬化の程度に影響を与え、従って同粘着剤層の粘着力低下の程度に影響を与える。具体的には、ＵＶ照射時のチャンバ内温度が高いほど、接着フィルム付きダイシングテープの紫外線硬化性ダイシングテープ粘着剤層における紫外線硬化の進行の程度は低く、その粘着力低下の程度は小さい傾向にある。
そのため、紫外線照射工程において高温環境下でのＵＶ照射を経た接着フィルム付きダイシングテープ（ダイシングテープ上に個片化された接着フィルム付き半導体チップを伴う）では、従来、その後のピックアップ工程において、ダイシングテープからの接着フィルム付き半導体チップのピックアップを適切に行えない場合がある。
本発明は、以上のような事情のもとで考え出されたものであって、その目的は、接着フィルム付き半導体チップを得るために接着フィルム付きダイシングテープを使用して行うエキスパンド工程においてダイシングテープ上の接着フィルムにつき良好に割断させるのに適するとともに、割断後の接着フィルム付き半導体チップについてダイシングテープからの浮きを抑制しつつピックアップ工程での良好なピックアップを実現するのに適した、接着フィルム付きダイシングテープを提供することにある。
本発明により提供される接着フィルム付きダイシングテープは、ダイシングテープおよび接着フィルムを備える。ダイシングテープは、基材と紫外線硬化性の粘着剤層とを含む積層構造を有する。接着フィルムは、ダイシングテープの粘着剤層に剥離可能に密着している。また、本接着フィルム付きダイシングテープは、温度２２℃にて３００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線照射を受けた第１試験片における粘着剤層と接着フィルムの間の、Ｔ型剥離試験により測定される第１剥離粘着力に対する、温度６０℃にて３００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線照射を受けた第２試験片における粘着剤層と接着フィルムの間の、Ｔ型剥離試験により測定される第２剥離粘着力の比率が、０.８～２であり、好ましくは０.９～１.８である。第１および第２試験片は、それぞれ、本接着フィルム付きダイシングテープから切り出される試験片であり、ダイシングテープとその紫外線硬化性粘着剤層に剥離可能に密着している接着フィルムとを有する。本発明において、試験片の受ける紫外線照射とは、当該試験片における粘着剤層に対する基材越しの紫外線照射（基材の側からの照射）をいうものとする。３００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線照射は、例えば、照射強度１５０ｍＷ/ｃｍ2の紫外線の２秒間の照射によって実現されうる。また、第１および第２剥離粘着力を測定するための上記Ｔ型剥離試験は、２３℃および剥離速度３００ｍｍ/分の条件で実施されるものとする。以上のような構成の本接着フィルム付きダイシングテープは、半導体装置の製造において接着フィルム付き半導体チップを得る過程で使用し得るものである。
本接着フィルム付きダイシングテープは、上記のように、温度２２℃にて３００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線照射を受けた第１試験片における粘着剤層と接着フィルムの間の、Ｔ型剥離試験により測定される第１剥離粘着力に対する、温度６０℃にて３００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線照射を受けた第２試験片における粘着剤層と接着フィルムの間の、Ｔ型剥離試験により測定される第２剥離粘着力の比率が、０.８～２であり、好ましくは０.９～１.８である。ダイシングテープの紫外線硬化性粘着剤層において、紫外線照射による粘着力低下の温度依存性がこの程度の範囲に収まる場合には、環境温度変動を実際上は伴う紫外線照射工程での紫外線照射よりも前の粘着力（ＵＶ照射前粘着力）と紫外線照射後の粘着力（ＵＶ照射後粘着力）とのバランスを図りやすく、従って、ダイシングテープ上における接着フィルムとウエハを割断するための上述のエキスパンド工程でダイシングテープ粘着剤層に求められる相対的に高い粘着力と、接着フィルム付き半導体チップをダイシングテープからピックアップするための上述のピックアップ工程でダイシングテープ粘着剤層に求められる相対的に低い粘着力との両立を図りやすい。このような知見を本発明者らは得ている。具体的には、後記の実施例および比較例をもって示すとおりである。
上記比率が、２以下であり、好ましくは１.８以下であるという構成は、ダイシングテープ粘着剤層の粘着力に関し、充分に強いＵＶ照射前粘着力を確保したうえで、常温環境下での紫外線照射を経た場合に至る粘着力はもとより、６０℃程度の高温環境下での紫外線照射を経た場合に至る粘着力を、ピックアップ工程で求められる充分に弱いＵＶ照射後粘着力として実用なものとするのに適するのである。また、エキスパンド工程で求められる相対的に高い粘着力が充分に確保されるダイシングテープ粘着剤層は、エキスパンド工程から紫外線照射工程までの間において、ダイシングテープ上の接着フィルム付き半導体チップについてダイシングテープからの浮きを抑制するのに適する。
以上のように、本接着フィルム付きダイシングテープは、エキスパンド工程においてダイシングテープ上の接着フィルムにつき良好に割断させるのに適するとともに、割断後の接着フィルム付き半導体チップについて、ダイシングテープからの浮きを抑制しつつピックアップ工程での好なピックアップを実現するのに適するのである。
本接着フィルム付きダイシングテープにおける上記第１剥離粘着力は、好ましくは０.０３～０.１５Ｎ/２０ｍｍである。このような構成は、ダイシングテープ粘着剤層について、紫外線照射工程での実際上の環境温度変動を加味したＵＶ照射後粘着力を実用的な範囲に収めるうえで好適である。
本接着フィルム付きダイシングテープにおけるダイシングテープ粘着剤層と接着フィルムの間の、２３℃および剥離速度３００ｍｍ/分の条件でのＴ型剥離試験により測定される剥離粘着力は、好ましくは１.５～４.５Ｎ/２０ｍｍである。このような構成は、本接着フィルム付きダイシングテープを使用してエキスパンド工程を行う場合に、エキスパンド工程から紫外線照射工程までの間において、ダイシングテープ上の接着フィルム付き半導体チップについてダイシングテープからの浮きを抑制するのに適する。また、当該構成は、ダイシングテープ粘着剤層について、ＵＶ照射前粘着力として実用的であるとともに、紫外線照射工程での実際上の環境温度変動を加味したＵＶ照射後粘着力を実用的な範囲に収めるうえで好適である。
本接着フィルム付きダイシングテープにおける粘着剤層と接着フィルムの間の、－５℃および剥離速度３００ｍｍ/分の条件でのＴ型剥離試験により測定される剥離粘着力は、好ましくは０.５～２Ｎ/２０ｍｍである。このような構成は、本接着フィルム付きダイシングテープを使用して例えば０℃以下の低温条件下でエキスパンド工程を行う場合に、ダイシングテープ上の接着フィルムを良好に割断させるのに適する。また、当該構成は、ダイシングテープ粘着剤層について、ＵＶ照射前粘着力として実用的であるとともに、紫外線照射工程での実際上の環境温度変動を加味したＵＶ照射後粘着力を実用的な範囲に収めるうえで好適である。
本接着フィルム付きダイシングテープにおける接着フィルムの２５℃での貯蔵弾性率（引張り貯蔵弾性率）は、好ましくは１～５ＧＰａ、より好ましくは１.２～４ＧＰａである。このような構成は、室温およびその近傍の温度範囲において、ダイシングテープ粘着剤層に対する接着フィルムの密着性を確保するうえで好適である。
本接着フィルム付きダイシングテープにおける接着フィルムの－５℃での貯蔵弾性率は、好ましくは３～５ＧＰａ、より好ましくは３.５～４.５ＧＰａである。このような構成は、接着フィルムにおいて例えば０℃以下の低温条件下での割断性を確保するのに適する。
本接着フィルム付きダイシングテープにおけるダイシングテープは、幅１０ｍｍのダイシングテープ試験片について初期チャック間距離１００ｍｍ、－５℃、および引張速度３００ｍｍ／分の条件で行われる引張試験において歪み値２０％で示す引張応力が、好ましくは３～１２ＭＰａ、より好ましくは３.５～１１.５ＭＰａである。このような構成は、本接着フィルム付きダイシングテープを使用して例えば０℃以下の温度条件下でエキスパンド工程を行う場合に、ダイシングテープ上の接着フィルムを良好に割断させるのに適する。
本発明の一の実施形態に係る接着フィルム付きダイシングテープの断面模式図である。 図１に示すイシング接着フィルム付きダイシングテープの平面図である。 図１に示す接着フィルム付きダイシングテープが使用される半導体装置製造方法の一例における一部の工程を表す。 図３に示す工程の後に続く工程を表す。 図４に示す工程の後に続く工程を表す。 図５に示す工程の後に続く工程を表す。 図６に示す工程の後に続く工程を表す。 図７に示す工程の後に続く工程を表す。 図８に示す工程の後に続く工程を表す。 図１に示す接着フィルム付きダイシングテープが使用される半導体装置製造方法の他の例における一部の工程を表す。 図１０に示す工程の後に続く工程を表す。 図１に示す接着フィルム付きダイシングテープが使用される半導体装置製造方法の他の例における一部の工程を表す。 図１２に示す工程の後に続く工程を表す。
図１は、本発明の一の実施形態に係る接着フィルム付きダイシングテープＸの断面模式図である。接着フィルム付きダイシングテープＸは、ダイシングテープ１０と接着フィルム２０とを含む積層構造を有する。ダイシングテープ１０は、基材１１と粘着剤層１２とを含む積層構造を有する。粘着剤層１２は、接着フィルム２０側に粘着面１２ａを有する。接着フィルム２０は、ダイシングテープ１０の粘着剤層１２ないしその粘着面１２ａに剥離可能に密着している。本実施形態では、ダイシングテープ１０および接着フィルム２０は、図２に示すように、円盤形状を有し且つ同心円状に配されている。このような接着フィルム付きダイシングテープＸは、半導体装置の製造において接着フィルム付き半導体チップを得る過程で使用することのできるものである。
接着フィルム付きダイシングテープＸにおけるダイシングテープ１０の基材１１は、ダイシングテープ１０ないし接着フィルム付きダイシングテープＸにおいて支持体として機能する要素である。基材１１は、紫外線透過性を有する例えばプラスチック基材であり、当該プラスチック基材としてはプラスチックフィルムを好適に用いることができる。プラスチック基材の構成材料としては、例えば、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフェニルスルフィド、アラミド、フッ素樹脂、セルロース系樹脂、およびシリコーン樹脂が挙げられる。ポリオレフィンとしては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、エチレン－酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン－(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン－(メタ)アクリル酸エステル共重合体、エチレン－ブテン共重合体、およびエチレン－ヘキセン共重合体が挙げられる。ポリエステルとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、およびポリブチレンテレフタレートが挙げられる。基材１１は、一種類の材料からなってもよし、二種類以上の材料からなってもよい。基材１１は、単層構造を有してもよいし、多層構造を有してもよい。また、基材１１は、プラスチックフィルムよりなる場合、無延伸フィルムであってもよいし、一軸延伸フィルムであってもよいし、二軸延伸フィルムであってもよい。
基材１１における粘着剤層１２側の表面は、粘着剤層１２との密着性を高めるための物理的処理、化学的処理、または下塗り処理が施されていてもよい。物理的処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、サンドマット加工処理、オゾン暴露処理、火炎暴露処理、高圧電撃暴露処理、およびイオン化放射線処理が挙げられる。化学的処理としては例えばクロム酸処理が挙げられる。
基材１１の厚さは、ダイシングテープ１０ないし接着フィルム付きダイシングテープＸにおける支持体として基材１１が機能するための強度を確保するという観点からは、好ましくは４０μｍ以上、好ましくは５０μｍ以上である。また、ダイシングテープ１０ないし接着フィルム付きダイシングテープＸにおいて適度な可撓性を実現するという観点からは、基材１１の厚さは、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１８０μｍ以下である。
ダイシングテープ１０の粘着剤層１２は、紫外線照射によって粘着力の低下を生じる紫外線硬化性の粘着剤層である。紫外線硬化性の粘着剤層を形成するための粘着剤としては、アクリル系粘着剤たるアクリル系ポリマーなどのベースポリマーと、紫外線重合性の炭素－炭素二重結合等の官能基を有する紫外線重合性のモノマー成分やオリゴマー成分とを含有する、添加型の紫外線硬化性粘着剤が挙げられる。
上記のアクリル系ポリマーは、好ましくは、(メタ)アクリル酸エステルに由来するモノマーユニットを質量割合で最も多く含む。「(メタ)アクリル」は、「アクリル」および／または「メタクリル」を意味するものとする。アクリル系ポリマーのモノマーユニットをなすための(メタ)アクリル酸エステル、即ち、アクリル系ポリマーの構成モノマーである(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル、および(メタ)アクリル酸アリールエステルが挙げられる。(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸のメチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ-ブチルエステル、ｔ-ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２-エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル（即ちラウリルエステル）、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、およびエイコシルエステルが挙げられる。(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸のシクロペンチルエステルおよびシクロヘキシルエステルが挙げられる。(メタ)アクリル酸アリールエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸フェニルおよび(メタ)アクリル酸ベンジルが挙げられる。アクリル系ポリマーの構成モノマーとして、一種類の(メタ)アクリル酸エステルが用いられてもよいし、二種類以上の(メタ)アクリル酸エステルが用いられてもよい。アクリル系ポリマーのための(メタ)アクリル酸エステルとしては、好ましくは、(メタ)アクリル酸２-エチルヘキシルおよび(メタ)アクリル酸ラウリルからなる群より選択される少なくとも一種が用いられる。また、(メタ)アクリル酸エステルに依る粘着性等の基本特性を粘着剤層１２にて適切に発現させるうえでは、アクリル系ポリマーの構成モノマー全体における(メタ)アクリル酸エステルの割合は、好ましくは２５mol％以上、より好ましくは３０mol％以上である。また、同割合は、例えば７０mol％以下である。
上記のアクリル系ポリマーは、例えばその凝集力や耐熱性の改質の観点から、(メタ)アクリル酸エステルと共重合可能な一種類の又は二種類以上の他のモノマーに由来するモノマーユニットを含んでいてもよい。アクリル系ポリマーのモノマーユニットをなすための他の共重合性モノマー、即ち、アクリル系ポリマーの構成モノマーである他の共重合性モノマーとしては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、窒素含有モノマー、エポキシ基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、および、リン酸基含有モノマーが挙げられる。カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、(メタ)アクリル酸カルボキシエチル、(メタ)アクリル酸カルボキシペンチル、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、およびクロトン酸が挙げられる。酸無水物モノマーとしては、例えば、無水マレイン酸および無水イタコン酸が挙げられる。ヒドロキシ基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸２-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸２-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸４-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸６-ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸８-ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸１０-ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸１２-ヒドロキシラウリル、および(メタ)アクリル酸(４-ヒドロキシメチルシクロヘキシル)メチルが挙げられる。窒素含有モノマーとしては、例えば、アクリロイルモルフォリン、アクリルアミド、およびアクリロニトリルが挙げられる。エポキシ基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸グリシジルおよび(メタ)アクリル酸メチルグリシジルが挙げられる。スルホン酸基含有モノマーとしては、例えば、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２-(メタ)アクリルアミド-２-メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、および(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸が挙げられる。リン酸基含有モノマーとしては、例えば２-ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートが挙げられる。アクリル系ポリマーのための上記共重合性モノマーとしては、好ましくは、ヒドロキシ基含有モノマーおよび窒素含有モノマーが用いられる。ヒドロキシ基含有モノマーとしては、好ましくは、(メタ)アクリル酸２-ヒドロキシエチルおよび(メタ)アクリル酸４-ヒドロキシブチルからなる群より選択される少なくとも一種が用いられる。窒素含有モノマーとしては、好ましくはアクリロイルモルフォリンが用いられる。
上記のアクリル系ポリマーがヒドロキシ基含有モノマーに由来するモノマーユニットを含むものである場合、即ち、アクリル系ポリマーがその構成モノマーとしてヒドロキシ基含有モノマーを含む場合、当該アクリル系ポリマーにおける構成モノマーとしてのヒドロキシ基含有モノマーの割合は、好ましくは１５～３０mol％、より好ましくは１３～２８mol％である。このような構成は、粘着剤層１２について、その被着体との間での剥離力の制御のしやすさという観点から好ましい。
上記のアクリル系ポリマーが窒素含有モノマーに由来するモノマーユニットを含むものである場合、即ち、アクリル系ポリマーがその構成モノマーとして窒素含有モノマーを含む場合、当該アクリル系ポリマーにおける構成モノマーとしての窒素含有モノマーの割合は、好ましくは５～２５mol％、より好ましくは６～２３mol％である。このような構成は、粘着剤層１２について、その被着体に対する粘着力を確保するという観点から好ましい。
上記のアクリル系ポリマーがその構成モノマーとしてアクリロイルモルフォリン（ＡＣＭＯ）を含む場合、当該アクリル系ポリマーにおける、(メタ)アクリル酸アルキルエステルに対するアクリロイルモルフォリンの割合（モル比率）は、好ましくは０.２５以上である。このような構成は、粘着剤層１２について、その被着体に対する粘着力を確保するという観点から好ましい。同割合は、粘着剤層１２において強すぎない粘着力を実現するという観点からは、例えば０.９以下であり、好ましくは０.８以下である。
アクリル系ポリマーは、そのポリマー骨格中に架橋構造を形成するために、(メタ)アクリル酸エステルなどのモノマー成分と共重合可能な多官能性モノマーに由来するモノマーユニットを含んでいてもよい。そのような多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ポリグリシジル(メタ)アクリレート、ポリエステル(メタ)アクリレート、およびウレタン(メタ)アクリレートが挙げられる。「(メタ)アクリレート」は、「アクリレート」および／または「メタクリレート」を意味するものとする。アクリル系ポリマーの構成モノマーとして、一種類の多官能性モノマーが用いられてもよいし、二種類以上の多官能性モノマーが用いられてもよい。(メタ)アクリル酸エステルに依る粘着性等の基本特性を粘着剤層１２にて適切に発現させるうえでは、アクリル系ポリマーの構成モノマー全体における多官能性モノマーの割合は、好ましくは４０mol％以下、好ましくは３０mol％以下である。
アクリル系ポリマーは、それを形成するための原料モノマーを重合して得ることができる。重合手法としては、例えば、溶液重合、乳化重合、塊状重合、および懸濁重合が挙げられる。ダイシングテープ１０ないし接着フィルム付きダイシングテープＸの使用される半導体装置製造過程における高度の清浄性の観点からは、ダイシングテープ１０ないし接着フィルム付きダイシングテープＸにおける粘着剤層１２中の低分子量物質は少ない方が好ましいところ、アクリル系ポリマーの重量平均分子量は、好ましくは１０万以上、より好ましくは２０万～３００万である。アクリル系ポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフ（ＧＰＣ）により測定して得られた、標準ポリスチレン換算の値をいうものとする。
粘着剤層１２ないしそれをなすための粘着剤は、アクリル系ポリマーなどベースポリマーの平均分子量を高めるために例えば、架橋剤を含有してもよい。アクリル系ポリマーなどベースポリマーと反応して架橋構造を形成するための架橋剤としては、多官能イソシアネート系架橋剤としてのポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、ポリオール化合物、アジリジン化合物、およびメラミン系架橋剤が挙げられる。粘着剤層１２における紫外線照射による粘着力低下の温度依存性（紫外線照射時の環境温度が高いほど、粘着剤層１２における紫外線硬化の進行の程度は低く、その粘着力低下の程度は小さい傾向）を抑制するという観点からは、同架橋剤は、好ましくは、多官能イソシアネート系架橋剤としてのポリイソシアネート化合物である。
粘着剤層１２ないしそれをなすための粘着剤組成物における架橋剤の含有量は、アクリル系ポリマーなどベースポリマー１００質量部に対して、好ましくは０.１質量部以上、より好ましくは０.３質量部以上、より好ましくは０.５質量部以上である。同含有量は、好ましくは５質量部以下、より好ましくは４質量部以下、より好ましくは３質量部以下である。このような構成は、粘着剤層１２における、対リングフレーム密着性や、紫外線照射による粘着力低下の温度依存性の抑制、という観点から好ましい。
紫外線硬化性粘着剤をなすための上記の紫外線重合性モノマー成分としては、例えば、ウレタン(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、および１,４-ブタンジオールジ(メタ)アクリレートが挙げられる。紫外線硬化性粘着剤をなすための上記の紫外線重合性オリゴマー成分としては、例えば、ウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系など種々のオリゴマーが挙げられ、分子量１００～３００００程度のものが適当である。紫外線硬化性粘着剤中の紫外線重合性のモノマー成分やオリゴマー成分の総含有量は、形成される粘着剤層１２の粘着力を適切に低下させ得る範囲で決定され、アクリル系ポリマーなどのベースポリマー１００質量部に対して、好ましくは５～５００質量部であり、より好ましくは４０～１５０質量部である。また、添加型の紫外線硬化性粘着剤としては、例えば特開昭６０－１９６９５６号公報に開示のものを用いてもよい。
粘着剤層１２のための紫外線硬化性粘着剤としては、例えば、紫外線重合性の炭素－炭素二重結合等の官能基をポリマー側鎖や、ポリマー主鎖中、ポリマー主鎖末端に有するベースポリマーを含有する内在型の紫外線硬化性粘着剤も挙げられる。このような内在型の紫外線硬化性粘着剤は、形成される粘着剤層１２内での低分子量成分の移動に起因する粘着特性の意図しない経時的変化を抑制するうえで好適である。
内在型の紫外線硬化性粘着剤に含有されるベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。そのような基本骨格をなすアクリル系ポリマーとしては、上述のアクリル系ポリマーを採用することができる。アクリル系ポリマーへの紫外線重合性の炭素－炭素二重結合の導入手法としては、例えば、所定の官能基（第１の官能基）を有するモノマーを含む原料モノマーを共重合させてアクリル系ポリマーを得た後、第１の官能基との間で反応を生じて結合しうる所定の官能基（第２の官能基）と紫外線重合性炭素－炭素二重結合とを有する化合物を、炭素－炭素二重結合の紫外線重合性を維持したままアクリル系ポリマーに対して縮合反応または付加反応させる方法が、挙げられる。
第１の官能基と第２の官能基の組み合わせとしては、例えば、カルボキシ基とエポキシ基、エポキシ基とカルボキシ基、カルボキシ基とアジリジル基、アジリジル基とカルボキシ基、ヒドロキシ基とイソシアネート基、イソシアネート基とヒドロキシ基が挙げられる。これら組み合わせのうち、反応追跡の容易さの観点からは、ヒドロキシ基とイソシアネート基の組み合わせや、イソシアネート基とヒドロキシ基の組み合わせが、好ましい。また、反応性の高いイソシアネート基を有するポリマーを作製するのは技術的難易度が高いので、アクリル系ポリマーの作製または入手のしやすさの観点からは、アクリル系ポリマー側の上記第１の官能基がヒドロキシ基であり且つ上記第２の官能基がイソシアネート基である場合が、より好ましい。この場合、紫外線重合性炭素－炭素二重結合と第２の官能基たるイソシアネート基とを併有するイソシアネート化合物、即ち、紫外線重合性の不飽和官能基含有イソシアネート化合物としては、例えば、イソシアネート基含有(メタ)アクリレートが挙げられる。イソシアネート基含有(メタ)アクリレートとしては、例えば、２-(メタ)アクリロイルオキシエチルイソシアネート、(メタ)アクリロイルイソシアネート、および、ｍ-イソプロペニル-α,α-ジメチルベンジルイソシアネートが挙げられ。
内在型の紫外線硬化性粘着剤をなすためのアクリル系ポリマーが構成モノマーとしてイソシアネート基含有(メタ)アクリレートを含む場合、当該アクリル系ポリマーにおける構成モノマーとしてのイソシアネート基含有(メタ)アクリレートの割合は、好ましくは１２～２５mol％である（内在型の紫外線硬化性粘着剤をなすためのアクリル系ポリマーの主鎖に付加されるイソシアネート基含有(メタ)アクリレートは、本実施形態では、同粘着剤をなすアクリル系ポリマーの構成モノマーとする）。このような構成は、接着フィルム付きダイシングテープＸの使用過程で粘着力を変化させて利用される粘着剤層１２についての当該粘着力ないし剥離力の制御の観点から好ましい。これとともに、同構成は、粘着剤層１２における紫外線照射による粘着力低下の温度依存性の抑制という観点からも好ましい。
内在型の紫外線硬化性粘着剤をなすためのアクリル系ポリマーは、好ましくは、(メタ)アクリル酸２-ヒドロキシエチルや(メタ)アクリル酸ラウリルなど(メタ)アクリル酸アルキルエステルと、(メタ)アクリル酸２-ヒドロキシエチルや(メタ)アクリル酸４-ヒドロキシブチルなどヒドロキシ基含有モノマーと、および、２-(メタ)アクリロイルオキシエチルイソシアネートなどイソシアネート基含有(メタ)アクリレートとを構成モノマーとして含み、より好ましくは、(メタ)アクリル酸２-ヒドロキシエチルや(メタ)アクリル酸ラウリルなど(メタ)アクリル酸アルキルエステルと、(メタ)アクリル酸２-ヒドロキシエチルや(メタ)アクリル酸４-ヒドロキシブチルなどヒドロキシ基含有モノマーと、アクリロイルモルフォリンとなど窒素含有モノマーと、２-(メタ)アクリロイルオキシエチルイソシアネートなどイソシアネート基含有(メタ)アクリレートとを構成モノマーとして含む。このような構成は、接着フィルム付きダイシングテープＸの使用過程で粘着力を変化させて利用される粘着剤層１２についての当該粘着力ないし剥離力の制御の観点から好ましい。
粘着剤層１２は、好ましくは光重合開始剤を含有する。光重合開始剤としては、例えば、α-ケトール系化合物、アセトフェノン系化合物、ベンゾインエーテル系化合物、ケタール系化合物、芳香族スルホニルクロリド系化合物、光活性オキシム系化合物、ベンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、およびアシルホスフォナートが挙げられる。α-ケトール系化合物としては、例えば、４-(２-ヒドロキシエトキシ)フェニル(２-ヒドロキシ-２-プロピル)ケトン、α-ヒドロキシ-α,α'-ジメチルアセトフェノン、２-メチル-２-ヒドロキシプロピオフェノン、および１-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンが挙げられる。アセトフェノン系化合物としては、例えば、メトキシアセトフェノン、２,２-ジメトキシ-１,２-ジフェニルエタン-１-オン、２,２-ジエトキシアセトフェノン、および２-メチル-１-[４-(メチルチオ)-フェニル]-２-モルホリノプロパン-１が挙げられる。ベンゾインエーテル系化合物としては、例えば、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、およびアニソインメチルエーテルが挙げられる。ケタール系化合物としては、例えばベンジルジメチルケタールが挙げられる。芳香族スルホニルクロリド系化合物としては、例えば２-ナフタレンスルホニルクロリドが挙げられる。光活性オキシム系化合物としては、例えば、１-フェニル-１,２-プロパンジオン-２-(Ｏ-エトキシカルボニル)オキシムが挙げられる。ベンゾフェノン系化合物としては、例えば、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、および３,３'-ジメチル-４-メトキシベンゾフェノンが挙げられる。チオキサントン系化合物としては、例えば、チオキサントン、２-クロロチオキサントン、２-メチルチオキサントン、２,４-ジメチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、２,４-ジクロロチオキサントン、２,４-ジエチルチオキサントン、および２,４-ジイソプロピルチオキサントンが挙げられる。粘着剤層１２における光重合開始剤の含有量は、アクリル系ポリマーなどのベースポリマー１００質量部に対して例えば０.０５～１０質量部である。
粘着剤層１２ないしそれをなすための粘着剤は、上述の各成分に加えて、架橋促進剤、粘着付与剤、老化防止剤、および、顔料や染料などの着色剤を、含有してもよい。着色剤は、放射線照射を受けて着色する化合物であってもよい。そのような化合物としては、例えばロイコ染料が挙げられる。
粘着剤層１２の厚さは、好ましくは１～５０μｍ、より好ましくは２～３０μｍ、より好ましくは５～２５μｍである。このような構成は、例えば、粘着剤層１２の紫外線硬化の前後における例えば接着フィルム２０に対する接着力のバランスをとるうえで、好適である。
以上のような構成のダイシングテープ１０は、幅１０ｍｍのダイシングテープ試験片について初期チャック間距離１００ｍｍ、－５℃、および引張速度３００ｍｍ／分の条件で行われる引張試験において歪み値２０％で示す引張応力が、好ましくは３～１２ＭＰａ、より好ましくは３.５～１１.５ＭＰａである。
ダイシングテープ１０の引張応力に関する上記のような構成を確保するうえでは、基材１１は、好ましくは、エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）製の単層構造基材であるか、或いは、厚さ５０μｍ以上のＥＶＡ層を含む多層構造基材である。
接着フィルム付きダイシングテープＸにおける接着フィルム２０は、熱硬化性を示すダイボンディング用接着剤として機能しうる構成を有する。接着フィルム２０は、樹脂成分として、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とを含む組成を有してもよいし、硬化剤と反応して結合を生じ得る熱硬化性官能基を伴う熱可塑性樹脂を含む組成を有してもよい。このような接着フィルム２０は、単層構造を有してもよいし、隣接層間で組成の異なる多層構造を有してもよい。
接着フィルム２０が熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とを含む組成を有する場合の当該熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、および熱硬化性ポリイミド樹脂が挙げられる。接着フィルム２０は、一種類の熱硬化性樹脂を含有してもよいし、二種類以上の熱硬化性樹脂を含有してもよい。エポキシ樹脂は、ダイボンディング対象である半導体チップの腐食原因となりうるイオン性不純物等の含有量が少ない傾向にあることから、接着フィルム２０中の熱硬化性樹脂として好ましい。また、エポキシ樹脂に熱硬化性を発現させるための硬化剤としては、フェノール樹脂が好ましい。
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型、ヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型、およびグリシジルアミン型の、エポキシ樹脂が挙げられる。フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、およびテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み且つ耐熱性に優れることから、接着フィルム２０中のエポキシ樹脂として好ましい。
エポキシ樹脂の硬化剤として作用しうるフェノール樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、および、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレンが挙げられる。ノボラック型フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ-ブチルフェノールノボラック樹脂、およびノニルフェノールノボラック樹脂が挙げられる。接着フィルム２０は、エポキシ樹脂の硬化剤として、一種類のフェノール樹脂を含有してもよいし、二種類以上のフェノール樹脂を含有してもよい。フェノールノボラック樹脂やフェノールアラルキル樹脂は、ダイボンディング用接着剤としてのエポキシ樹脂の硬化剤として用いられる場合に当該接着剤の接続信頼性を向上させる傾向にあるので、接着フィルム２０中のエポキシ樹脂用硬化剤として好ましい。
接着フィルム２０がエポキシ樹脂とその硬化剤としてのフェノール樹脂とを含有する場合、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対してフェノール樹脂中の水酸基が好ましくは０.５～２.０当量、より好ましくは０.８～１.２当量である割合で、両樹脂は配合される。このような構成は、接着フィルム２０の硬化にあたって当該エポキシ樹脂およびフェノール樹脂の硬化反応を十分に進行させるうえで好ましい。
接着フィルム２０における熱硬化性樹脂の含有割合は、接着フィルム２０においてその熱硬化型接着剤としての機能を適切に発現させるという観点からは、好ましくは５～６０質量％、より好ましくは１０～５０質量％である。
接着フィルム２０中の熱可塑性樹脂は例えばバインダー機能を担うものであり、接着フィルム２０が熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とを含む組成を有する場合の当該熱可塑性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体、エチレン－アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６-ナイロンや６,６-ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレートやポリブチレンテレフタレート等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、およびフッ素樹脂が挙げられる。接着フィルム２０は、一種類の熱可塑性樹脂を含有してもよいし、二種類以上の熱可塑性樹脂を含有してもよい。アクリル樹脂は、イオン性不純物が少なく且つ耐熱性が高いことから、接着フィルム２０中の熱可塑性樹脂として好ましい。
接着フィルム２０が熱可塑性樹脂としてアクリル樹脂を含有する場合の当該アクリル樹脂は、好ましくは、(メタ)アクリル酸エステルに由来するモノマーユニットを質量割合で最も多く含む。
アクリル樹脂のモノマーユニットをなすための(メタ)アクリル酸エステル、即ち、アクリル樹脂の構成モノマーである(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル、および(メタ)アクリル酸アリールエステルが挙げられる。そのような(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、粘着剤層１２のためのアクリル系ポリマーの構成モノマーとして上記した(メタ)アクリル酸アルキルエステルが挙げられる。アクリル樹脂の構成モノマーとして、一種類の(メタ)アクリル酸エステルが用いられてもよいし、二種類以上の(メタ)アクリル酸エステルが用いられてもよい。
アクリル樹脂は、例えばその凝集力や耐熱性の改質の観点から、(メタ)アクリル酸エステルと共重合可能な一種類の又は二種類以上の他のモノマーに由来するモノマーユニットを含んでいてもよい。アクリル樹脂のモノマーユニットをなすための他の共重合性モノマー、即ち、アクリル樹脂の構成モノマーである他の共重合性モノマーとしては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、窒素含有モノマー、エポキシ基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、およびリン酸基含有モノマーが挙げられる。これらモノマーについて、具体的には、粘着剤層１２のためのアクリル系ポリマーの構成モノマーとして上記したものを挙げることができる。
接着フィルム２０が、熱硬化性官能基を伴う熱可塑性樹脂を含む組成を有する場合、当該熱可塑性樹脂としては、例えば、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂を用いることができる。この熱硬化性官能基含有アクリル樹脂をなすためのアクリル樹脂は、好ましくは、(メタ)アクリル酸エステルに由来するモノマーユニットを質量割合で最も多く含む。そのような(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、粘着剤層１２のためのアクリル系ポリマーの構成モノマーとして上記したのと同様の(メタ)アクリル酸エステルを用いることができる。一方、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂をなすための熱硬化性官能基としては、例えば、グリシジル基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、およびイソシアネート基が挙げられる。これらのうち、グリシジル基およびカルボキシ基を好適に用いることができる。すなわち、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂としては、グリシジル基含有アクリル樹脂やカルボキシ基含有アクリル樹脂を好適に用いることができる。また、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂における熱硬化性官能基の種類に応じて、それと反応を生じうる硬化剤が選択される。熱硬化性官能基含有アクリル樹脂の熱硬化性官能基がグリシジル基である場合、硬化剤としては、エポキシ樹脂用硬化剤として上記したのと同様のフェノール樹脂を用いることができる。
ダイボンディングのために硬化される前の接着フィルム２０について、ある程度の架橋度を実現するためには、例えば、接着フィルム２０に含まれる上述の樹脂成分の分子鎖末端の官能基等と反応して結合を生じうる多官能性化合物を架橋剤として接着フィルム形成用樹脂組成物に配合しておくのが好ましい。このような構成は、接着フィルム２０について、高温下での接着特性を向上させるうえで、また、耐熱性の改善を図るうえで、好適である。そのような架橋剤としては、例えばポリイソシアネート化合物が挙げられる。ポリイソシアネート化合物としては、例えば、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ-フェニレンジイソシアネート、１,５-ナフタレンジイソシアネート、および、多価アルコールとジイソシアネートの付加物が挙げられる。接着フィルム形成用樹脂組成物における架橋剤含有量は、当該架橋剤と反応して結合を生じうる上記官能基を有する樹脂１００質量部に対し、形成される接着フィルム２０の凝集力向上の観点からは好ましくは０.０５質量部以上であり、形成される接着フィルム２０の接着力向上の観点からは好ましくは７質量部以下である。また、接着フィルム２０における架橋剤としては、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物をポリイソシアネート化合物と併用してもよい。
接着フィルム２０は、フィラーを含有してもよい。接着フィルム２０へのフィラーの配合は、接着フィルム２０の弾性率や、降伏点強度、破断伸度などの物性を調整するうえで好ましい。フィラーとしては、無機フィラーおよび有機フィラーが挙げられる。フィラーは、球状、針状、フレーク状など各種形状を有していてもよい。また、接着フィルム２０は、一種類のフィラーを含有してもよいし、二種類以上のフィラーを含有してもよい。
上記の無機フィラーの構成材料としては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミニウムウィスカ、窒化ホウ素、結晶質シリカ、および非晶質シリカが挙げられる。無機フィラーの構成材料としては、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケル等の単体金属や、合金、アモルファスカーボン、グラファイトなども挙げられる。接着フィルム２０が無機フィラーを含有する場合の当該無機フィラーの含有量は、好ましくは１０質量％以上、より好ましくは２０質量％以上である。また、同含有量は、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは４５質量％以下である。
上記の有機フィラーの構成材料としては、例えば、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、およびポリエステルイミドが挙げられる。接着フィルム２０が有機フィラーを含有する場合の当該有機フィラーの含有量は、好ましくは２質量％以上、より好ましくは５質量％以上である。また、同含有量は、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１５質量％以下である。
接着フィルム２０がフィラーを含有する場合の当該フィラーの平均粒径は、好ましくは０.００５～１０μｍ、より好ましくは０.０５～１μｍである。当該フィラーの平均粒径が０.００５μｍ以上であるという構成は、接着フィルム２０において、半導体ウエハ等の被着体に対する高い濡れ性や接着性を実現するうえで好適である。当該フィラーの平均粒径が１０μｍ以下であるという構成は、接着フィルム２０において十分なフィラー添加効果を得るとともに耐熱性を確保するうえで好適である。フィラーの平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計（商品名「ＬＡ－９１０」，株式会社堀場製作所製）を使用して求めることができる。
接着フィルム２０は、熱硬化触媒を含有してもよい。接着フィルム２０への熱硬化触媒の配合は、接着フィルム２０の硬化にあたって樹脂成分の硬化反応を十分に進行させたり、硬化反応速度を高めるうえで、好ましい。そのような熱硬化触媒としては、例えば、イミダゾール系化合物、トリフェニルフォスフィン系化合物、アミン系化合物、およびトリハロゲンボラン系化合物が挙げられる。イミダゾール系化合物としては、例えば、２-メチルイミダゾール、２-ウンデシルイミダゾール、２-ヘプタデシルイミダゾール、１,２-ジメチルイミダゾール、２-エチル-４-メチルイミダゾール、２-フェニルイミダゾール、２-フェニル-４-メチルイミダゾール、１-ベンジル-２-メチルイミダゾール、１-ベンジル-２-フェニルイミダゾール、１-シアノエチル-２-メチルイミダゾール、１-シアノエチル-２-ウンデシルイミダゾール、１-シアノエチル-２-フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２,４-ジアミノ-６-[２'-メチルイミダゾリル-(１')]-エチル-ｓ-トリアジン、２,４-ジアミノ-６-[２'-ウンデシルイミダゾリル-(１')]-エチル-ｓ-トリアジン、２,４-ジアミノ-６-[２'-エチル-４'-メチルイミダゾリル-(１')]-エチル-ｓ-トリアジン、２,４-ジアミノ-６-[２'-メチルイミダゾリル-(１')]-エチル-ｓ-トリアジンイソシアヌル酸付加物、２-フェニル-４,５-ジヒドロキシメチルイミダゾール、および２-フェニル-４-メチル-５-ヒドロキシメチルイミダゾールが挙げられる。トリフェニルフォスフィン系化合物としては、例えば、トリフェニルフォスフィン、トリ(ブチルフェニル)フォスフィン、トリ(ｐ-メチルフェニル)フォスフィン、トリ(ノニルフェニル)フォスフィン、ジフェニルトリルフォスフィン、テトラフェニルホスホニウムブロマイド、メチルトリフェニルホスホニウムブロマイド、メチルトリフェニルホスホニウムクロライド、メトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロライド、およびベンジルトリフェニルホスホニウムクロライドが挙げられる。トリフェニルフォスフィン系化合物には、トリフェニルフォスフィン構造とトリフェニルボラン構造とを併有する化合物も含まれるものとする。そのような化合物としては、例えば、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラ-ｐ-トリルボレート、ベンジルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、およびトリフェニルホスフィントリフェニルボランが挙げられる。アミン系化合物としては、例えば、モノエタノールアミントリフルオロボレートおよびジシアンジアミドが挙げられる。トリハロゲンボラン系化合物としては、例えばトリクロロボランが挙げられる。接着フィルム２０は、一種類の熱硬化触媒を含有してもよいし、二種類以上の熱硬化触媒を含有してもよい。
接着フィルム２０は、必要に応じて、一種類の又は二種類以上の他の成分を含有してもよい。当該他の成分としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、およびイオントラップ剤が挙げられる。
接着フィルム２０の厚さは、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは７μｍ以上である。また、接着フィルム２０の厚さは、好ましくは１５０μｍ以下、より好ましくは１４０μｍ以下である。
接着フィルム２０の２５℃での貯蔵弾性率（引張り貯蔵弾性率）は、好ましくは１～５ＧＰａ、より好ましくは１.２～４ＧＰａである。接着フィルム２０の－５℃での貯蔵弾性率（引張り貯蔵弾性率）は、上述のように、好ましくは３～５ＧＰａ、より好ましくは３.５～４.５ＧＰａである。この貯蔵弾性率については、例えば、動的粘弾性測定装置（商品名「ＲＳＡIII」，ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製）を使用して行う動的粘弾性測定により求めることができる。本測定においては、試料片保持用チャックの初期チャック間距離は２２.５ｍｍとし、測定モードは引張りモードとし、測定環境は窒素雰囲気下とし、測定温度範囲は例えば－４０℃から２８０℃とし、周波数は１０Ｈｚとし、動的ひずみは０.００５％とし、昇温速度は１０℃/分とする。接着フィルム２０の貯蔵弾性率の調整は、例えば、接着フィルム２０におけるフィラー配合量の調整、アクリル系ポリマーなど配合熱可塑性樹脂のガラス転移温度の調整、および、常温固形の熱硬化性成分の配合量の調整によって、行うことが可能である。
以上のような構成を有する接着フィルム付きダイシングテープＸは、温度２２℃にて３００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線照射を受けた第１試験片における粘着剤層１２と接着フィルム２０の間の、Ｔ型剥離試験により測定される第１剥離粘着力に対する、温度６０℃にて３００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線照射を受けた第２試験片における粘着剤層１２と接着フィルム２０の間の、Ｔ型剥離試験により測定される第２剥離粘着力の比率が、０.８～２であり、好ましくは０.９～１.８である。第１および第２試験片は、それぞれ、接着フィルム付きダイシングテープＸから切り出される試験片であり、ダイシングテープ１０とその紫外線硬化性の粘着剤層１２に剥離可能に密着している接着フィルム２０とを有する。本実施形態において、試験片の受ける紫外線照射とは、当該試験片における粘着剤層１２に対する基材１１越しの紫外線照射（基材１１の側からの照射）をいうものとする。３００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線照射は、例えば、照射強度１５０ｍＷ/ｃｍ2の紫外線の２秒間の照射によって実現されうる。また、第および第２剥離粘着力を測定するための上記Ｔ型剥離試験は、２３℃および剥離速度３００ｍｍ/分の条件で実施されるものとする。Ｔ型剥離試験は、例えば、Ｔ型剥離試験機（商品名「オートグラフＡＧ-２０ＫＮＳＤ」，株式会社島津製作所製）を使用して実施することができる。
接着フィルム付きダイシングテープＸにおける上記第１剥離粘着力は、好ましくは０.０３～０.１５Ｎ/２０ｍｍである。
接着フィルム付きダイシングテープＸにおける粘着剤層１２と接着フィルム２０の間の、２３℃および剥離速度３００ｍｍ/分の条件でのＴ型剥離試験により測定される剥離粘着力（第３剥離粘着力）は、好ましくは１.５～４.５Ｎ/２０ｍｍである。
接着フィルム付きダイシングテープＸにおける粘着剤層１２と接着フィルム２０の間の、－５℃および剥離速度３００ｍｍ/分の条件でのＴ型剥離試験により測定される剥離粘着力（第４剥離粘着力）は、好ましくは０.５～２Ｎ/２０ｍｍである。
これら剥離粘着力（第１～第４剥離粘着力）の調整は、例えば、上述の貯蔵弾性率の調整によって行うことが可能である。
以上のような接着フィルム付きダイシングテープＸは、例えば以下のようにして製造することができる。
接着フィルム付きダイシングテープＸのダイシングテープ１０については、用意した基材１１上に粘着剤層１２を設けることによって作製することができる。例えば樹脂製の基材１１は、カレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法などの製膜手法によって、作製することができる。製膜後のフィルムないし基材１１には、必要に応じて所定の表面処理が施される。粘着剤層１２の形成においては、例えば、粘着剤層形成用の粘着剤組成物を調製した後、まず、当該組成物を基材１１上または所定のセパレータ上に塗布して粘着剤組成物層を形成する。粘着剤組成物の塗布手法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、およびグラビア塗工が挙げられる。次に、この粘着剤組成物層において、加熱によって、必要に応じて乾燥させ、また、必要に応じて架橋反応を生じさせる。加熱温度は例えば８０～１５０℃であり、加熱時間は例えば０.５～５分間である。粘着剤層１２がセパレータ上に形成される場合には、当該セパレータを伴う粘着剤層１２を基材１１に貼り合わせ、その後、セパレータが剥離される。これにより、基材１１と粘着剤層１２との積層構造を有する上述のダイシングテープ１０が作製される。
接着フィルム付きダイシングテープＸの接着フィルム２０の作製においては、まず、接着フィルム２０形成用の接着剤組成物を調製した後、所定のセパレータ上に当該組成物を塗布して接着剤組成物層を形成する。セパレータとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、並びに、フッ素系剥離剤や長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙類などが、挙げられる。接着剤組成物の塗布手法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、およびグラビア塗工が挙げられる。次に、この接着剤組成物層において、加熱によって、必要に応じて乾燥させ、また、必要に応じて架橋反応を生じさせる。加熱温度は例えば７０～１６０℃であり、加熱時間は例えば１～５分間である。以上のようにして、セパレータを伴う形態で上述の接着フィルム２０を作製することができる。
接着フィルム付きダイシングテープＸの作製においては、次に、セパレータを伴う接着フィルム２０を所定の直径の円盤形に打ち抜き加工した後、ダイシングテープ１０の粘着剤層１２側に接着フィルム２０を圧着して貼り合わせる。貼合わせ温度は、例えば３０～５０℃であり、好ましくは３５～４５℃である。貼合わせ圧力（線圧）は、例えば０.１～２０ｋｇｆ／ｃｍであり、好ましくは１～１０ｋｇｆ／ｃｍである。次に、このようにして接着フィルム２０と貼り合わせられたダイシングテープ１０を、ダイシングテープ１０の中心と接着フィルム２０の中心とが一致するように、所定の直径の円盤形に打ち抜き加工する。
以上のようにして、接着フィルム付きダイシングテープＸを作製することができる。接着フィルム付きダイシングテープＸには、接着フィルム２０側に、少なくとも接着フィルム２０を被覆する形態でセパレータ（図示略）が設けられていてもよい。セパレータは、接着フィルム２０や粘着剤層１２が露出しないように保護するための要素であり、接着フィルム付きダイシングテープＸを使用する際には当該フィルムから剥がされる。
図３から図９は、以上のような接着フィルム付きダイシングテープＸが使用される半導体装置製造方法の一例を表す。
本半導体装置製造方法においては、まず、図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、半導体ウエハＷに改質領域３０ａが形成される。半導体ウエハＷは、第１面Ｗａおよび第２面Ｗｂを有する。半導体ウエハＷにおける第１面Ｗａの側には各種の半導体素子（図示略）が既に作り込まれ、且つ、当該半導体素子に必要な配線構造等（図示略）が第１面Ｗａ上に既に形成されている。本工程では、粘着面Ｔ１ａを有するウエハ加工用テープＴ１が半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側に貼り合わされた後、ウエハ加工用テープＴ１に半導体ウエハＷが保持された状態で、ウエハ内部に集光点の合わせられたレーザー光がウエハ加工用テープＴ１とは反対の側から半導体ウエハＷに対してその分割予定ラインに沿って照射され、多光子吸収によるアブレーションに因って半導体ウエハＷ内に改質領域３０ａが形成される。改質領域３０ａは、半導体ウエハＷを半導体チップ単位に分離させるための脆弱化領域である。半導体ウエハにおいてレーザー光照射によって分割予定ライン上に改質領域３０ａを形成する方法については、例えば特開２００２－１９２３７０号公報に詳述されているところ、本実施形態におけるレーザー光照射件は、例えば以下の条件の範囲内で適宜に調整される。
＜レーザー光照射条件＞
（Ａ）レーザー光
レーザー光源 半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長 １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積 ３.１４×１０-8ｃｍ2
発振形態 Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数 １００ｋＨｚ以下
パルス幅 １μｓ以下
出力 １ｍＪ以下
レーザー光品質 ＴＥＭ００
偏光特性 直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率 １００倍以下
ＮＡ ０.５５
レーザー光波長に対する透過率 １００％以下
（Ｃ）半導体基板が載置される載置台の移動速度 ２８０ｍｍ／秒以下
次に、ウエハ加工用テープＴ１に半導体ウエハＷが保持された状態で、半導体ウエハＷが所定の厚さに至るまで第２面Ｗｂからの研削加工によって薄化され、これにより、図３（ｃ）に示すように、複数の半導体チップ３１に個片化可能な半導体ウエハ３０Ａが形成される（ウエハ薄化工程）。研削加工は、研削砥石を備える研削加工装置を使用して行うことができる。
次に、図４（ａ）に示すように、ウエハ加工用テープＴ１に保持された半導体ウエハ３０Ａが、接着フィルム付きダイシングテープＸの接着フィルム２０側に対して貼り合わせられる。この後、図４（ｂ）に示すように、半導体ウエハ３０Ａからウエハ加工用テープＴ１が剥がされる。
次に、接着フィルム付きダイシングテープＸにおける接着フィルム２０周りの粘着剤層１２上に例えばＳＵＳ製のリングフレーム４１が貼り付けられた後、図５（ａ）に示すように、半導体ウエハ３０Ａを伴う当該接着フィルム付きダイシングテープＸがリングフレーム４１を介してエキスパンド装置の保持具４２に固定される。
次に、所定の低温条件下での第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）が、図５（ｂ）に示すように行われ、半導体ウエハ３０Ａが複数の半導体チップ３１へと個片化されるとともに、接着フィルム付きダイシングテープＸの接着フィルム２０が小片の接着フィルム２１に割断されて、接着フィルム付き半導体チップ３１が得られる。本工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３が、接着フィルム付きダイシングテープＸの図中下側においてダイシングテープ１０に当接して上昇され、半導体ウエハ３０Ａの貼り合わされた接着フィルム付きダイシングテープＸのダイシングテープ１０が、半導体ウエハ３０Ａの径方向および周方向を含む二次元方向に引き伸ばされるようにエキスパンドされる。このエキスパンドは、ダイシングテープ１０において例えば１５～３２ＭＰａの引張応力が生ずる条件で行われる。クールエキスパンド工程における温度条件は、例えば０℃以下であり、好ましくは－２０～－５℃、より好ましくは－１５～－５℃、より好ましくは－１５℃である。クールエキスパンド工程におけるエキスパンド速度（突き上げ部材４３が上昇する速度）は、例えば１～４００ｍｍ／秒である。また、クールエキスパンド工程におけるエキスパンド量は、例えば３～１６ｍｍである。クールエキスパン工程でのエキスパンドに関するこれら条件については、後記のクールエキスパン工程においても同様である。
このようなクールエキスパンド工程により、接着フィルム付きダイシングテープＸの接着フィルム２０が小片の接着フィルム２１に割断されて接着フィルム付き半導体チップ３１が得られる。具体的に、本工程では、半導体ウエハ３０Ａにおいて脆弱な改質領域３０ａにクラックが形成されて半導体チップ３１への個片化が生じる（ステルスダイシングされた形態のウエハと接着フィルムの割断）。これとともに、本工程では、エキスパンドされるダイシングテープ１０の粘着剤層１２に密着している接着フィルム２０において、半導体ウエハ３０Ａの各半導体チップ３１が密着している各領域では変形が抑制される一方で、ウエハのクラック形成箇所に対向する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ１０に生ずる引張応力が作用する。その結果、接着フィルム２０において半導体チップ３１間のクラック形成箇所に対向する箇所が割断されることとなる。本工程の後、図５（ｃ）に示すように、突き上げ部材４３が下降されて、ダイシングテープ１０におけるエキスパンド状態が解除される。
次に、第２エキスパンド工程（常温エキスパンド工程）が、図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように行われ、接着フィルム付き半導体チップ３１間の距離が広げられる。本工程では、エキスパンド装置の備えるテーブル４４が上昇され、接着フィルム付きダイシングテープＸのダイシングテープ１０がエキスパンドされる。テーブル４４は、テーブル面上のワークに負圧を作用させて当該ワークを真空吸着可能なものである。第２エキスパンド工程における温度条件は、例えば１０℃以上であり、好ましくは１５～３０℃である。第２エキスパンド工程におけるエキスパンド速度（テーブル４４が上昇する速度）は、例えば０.１～１０ｍｍ／秒である。また、第２エキスパンド工程におけるエキスパンド量は例えば３～１６ｍｍである。本工程では、テーブル４４の上昇によってダイシングテープ１０がエキスパンドされ（これにより、接着フィルム付き半導体チップ３１の離間距離が広げられる）、その後、テーブル４４はダイシングテープ１０を真空吸着する。そして、テーブル４４によるその吸着を維持した状態で、図６（ｃ）に示すように、テーブル４４がワークを伴って下降される。本実施形態では、この状態において、接着フィルム付きダイシングテープＸにおける半導体ウエハ３０Ａ周り（半導体チップ３１保持領域より外側の部分）が加熱されて収縮させられる（ヒートシュリンク工程）。その後、テーブル４４による真空吸着状態が解除される。ヒートシュリンク工程を経ることにより、接着フィルム付きダイシングテープＸにおいて、上述の第１エキスパンド工程や第２エキスパンド工程にて引き伸ばされて一旦弛緩したウエハ貼合わせ領域に所定程度の張力が作用する状態となり、前記真空吸着状態解除後であっても半導体チップ３１間の離隔距離が固定される。
本半導体装置製造方法では、次に、図７に示すように、粘着剤層１２において紫外線硬化を進めてその粘着力を低下させるための紫外線照射を行う（紫外線照射工程）。具体的には、例えば高圧水銀ランプを使用して、ダイシングテープ１０の基材１１の側から粘着剤層１２に対してその全体にわたり紫外線照射Ｒを行う。照射積算光量は、例えば５０～５００ｍＪ/ｃｍ2であり、好ましくは１００～３００ｍＪ/ｃｍ2である。接着フィルム付きダイシングテープＸにおいて粘着剤層１２の粘着力低減措置としての紫外線照射が行われる領域は、例えば、粘着剤層１２における接着フィルム２０貼合わせ領域内のその周縁部を除く図１に示すような領域Ｄである。
本半導体装置製造方法では、次に、接着フィルム付きダイシングテープＸにおける半導体チップ３１側を水などの洗浄液を使用して洗浄するクリーニング工程を必要に応じて経た後、ピックアップ機構とエキスパンド機構とを共に備えるダイシングボンディング装置を使用して、ピックアップ工程を行う。
具体的には、まず、図８（ａ）に示すように、複数の半導体チップ３１を伴う接着フィルム付きダイシングテープＸないしそのダイシングテープ１０がリングフレーム４１を介してダイボンディング装置の保持具４５に固定された状態で、同装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４６が、ダイシングテープ１０の図中下側においてダイシングテープ１０に当接して上昇される。これにより、ダイシングテープ１０がその径方向および周方向を含む二次元方向に引き伸ばされるようにエキスパンドされる（ピックアップ前エキスパンド）。
次に、図８（ｂ）に示すように、接着フィルム付き半導体チップ３１をダイシングテープ１０からピックアップする。例えば、ピックアップ対象の接着フィルム付き半導体チップ３１について、ダイシングテープ１０の図中下側においてピックアップ機構のピン部材４７を上昇させてダイシングテープ１０を介して突き上げた後、吸着治具４８によって吸着保持する。このピックアップにおいて、ピン部材４７の突き上げ速度は例えば１～１００ｍｍ／秒であり、ピン部材４７の突き上げ量は例えば５０～３０００μｍである。
次に、図９（ａ）に示すように、ピックアップされた接着フィルム付き半導体チップ３１が、所定の被着体５１に対して接着フィルム２１を介して仮固着される。被着体５１としては、例えば、リードフレーム、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）フィルム、および配線基板が挙げられる。
次に、図９（ｂ）に示すように、半導体チップ３１の電極パッド（図示略）と被着体５１の有する端子部（図示略）とをボンディングワイヤー５２を介して電気的に接続する（ワイヤーボンディング工程）。半導体チップ３１の電極パッドや被着体５１の端子部とボンディングワイヤー５２との結線は、加熱を伴う超音波溶接によって実現され、接着フィルム２１を熱硬化させないように行われる。ボンディングワイヤー５２としては、例えば金線、アルミニウム線、または銅線を用いることができる。ワイヤーボンディングにおけるワイヤー加熱温度は、例えば８０～２５０℃である。また、その加熱時間は数秒～数分間である。
次に、図９（ｃ）に示すように、被着体５１上の半導体チップ３１やボンディングワイヤー５２を保護するための封止樹脂５３によって半導体チップ３１を封止する（封止工程）。本工程では、接着フィルム２１の熱硬化が進む。本工程では、例えば、金型を使用して行うトランスファーモールド技術によって封止樹脂５３が形成される。封止樹脂５３の構成材料としては、例えばエポキシ系樹脂を用いることができる。本工程において、封止樹脂５３を形成するための加熱温度は例えば１６５～１８５℃であり、加熱時間は例えば６０秒～数分間である。本工程（封止工程）で封止樹脂５３の硬化が充分には進行しない場合には、本工程の後に封止樹脂５３を完全に硬化させるための後硬化工程が行われる。封止工程において接着フィルム２１が完全に熱硬化しない場合であっても、後硬化工程において封止樹脂５３と共に接着フィルム２１の完全な熱硬化が可能となる。後硬化工程において、加熱温度は例えば１６５～１８５℃であり、加熱時間は例えば０.５～８時間である。
以上のようにして、半導体装置を製造することができる。
本半導体装置製造方法おいては、半導体ウエハ３０Ａが接着フィルム付きダイシングテープＸに貼り合わされるという上述の構成に代えて、次のようにして作製される半導体ウエハ３０Ｂが接着フィルム付きダイシングテープＸに貼り合わされてもよい。
半導体ウエハ３０Ｂの作製においては、まず、図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示すように、半導体ウエハＷに分割溝３０ｂが形成される（分割溝形成工程）。半導体ウエハＷは、第１面Ｗａおよび第２面Ｗｂを有する。半導体ウエハＷにおける第１面Ｗａの側には各種の半導体素子（図示略）が既に作り込まれ、且つ、当該半導体素子に必要な配線構造等（図示略）が第１面Ｗａ上に既に形成されている。本工程では、粘着面Ｔ２ａを有するウエハ加工用テープＴ２が半導体ウエハＷの第２面Ｗｂ側に貼り合わされた後、ウエハ加工用テープＴ１に半導体ウエハＷが保持された状態で、半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側に所定深さの分割溝３０ｂがダイシング装置等の回転ブレードを使用して形成される。分割溝３０ｂは、半導体ウエハＷを半導体チップ単位に分離させるための空隙である（図面において分割溝３０ｂを模式的に太線で表す）。
次に、図１０（ｃ）に示すように、粘着面Ｔ３ａを有するウエハ加工用テープＴ３の、半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側への貼り合わせと、半導体ウエハＷからのウエハ加工用テープＴ２の剥離とが、行われる。
次に、図１０（ｄ）に示すように、ウエハ加工用テープＴ３に半導体ウエハＷが保持された状態で、半導体ウエハＷが所定の厚さに至るまで第２面Ｗｂからの研削加工によって薄化される（ウエハ薄化工程）。このウエハ薄化工程によって、本実施形態では、複数の半導体チップ３１に個片化可能な半導体ウエハ３０Ｂが形成される。半導体ウエハ３０Ｂは、具体的には、当該ウエハにおいて複数の半導体チップ３１へと個片化されることとなる部位を第２面Ｗｂ側にて連結する部位（連結部）を有する。半導体ウエハ３０Ｂにおける連結部の厚さ、即ち、半導体ウエハ３０Ｂの第２面Ｗｂと分割溝３０ｂの第２面Ｗｂ側先端との間の距離は、例えば１～３０μｍである。以上のようにして作製される半導体ウエハ３０Ｂが半導体ウエハ３０Ａの代わりに接着フィルム付きダイシングテープＸに貼り合わされたうえで、図５から図９を参照して上述した各工程が行われてもよい。
図１１（ａ）および図１１（ｂ）は、半導体ウエハ３０Ｂが接着フィルム付きダイシングテープＸに貼り合わされた後に行われる第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）を具体的に表す。本工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３が、接着フィルム付きダイシングテープＸの図中下側においてダイシングテープ１０に当接して上昇され、半導体ウエハ３０Ｂの貼り合わされた接着フィルム付きダイシングテープＸのダイシングテープ１０が、半導体ウエハ３０Ｂの径方向および周方向を含む二次元方向に引き伸ばされるようにエキスパンドされる。このようなクールエキスパンド工程により、半導体ウエハ３０Ｂにおいて薄肉で割れやすい部位に割断が生じて半導体チップ３１への個片化が生じる（ハーフカットブレードダイシングされた形態のウエハと接着フィルムの割断）。これとともに、本工程では、エキスパンドされるダイシングテープ１０の粘着剤層１２に密着している接着フィルム２０において各半導体チップ３１が密着している各領域では変形が抑制される一方で、半導体チップ３１間の分割溝に対向する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ１０に生ずる引張応力が作用する。その結果、接着フィルム２０において半導体チップ３１間の分割溝に対向する箇所が割断されることとなる。こうして得られる接着フィルム付き半導体チップ３１は、図８を参照して上述したピックアップ工程を経た後、半導体装置製造過程における実装工程に供されることとなる。
本半導体装置製造方法おいては、図１０（ｄ）を参照して上述したウエハ薄化工程に代えて、図１２に示すウエハ薄化工程を行ってもよい。図１０（ｃ）を参照して上述した過程を経た後、図１２に示すウエハ薄化工程では、ウエハ加工用テープＴ３に半導体ウエハＷが保持された状態で、当該ウエハが所定の厚さに至るまで第２面Ｗｂからの研削加工によって薄化されて、複数の半導体チップ３１を含んでウエハ加工用テープＴ３に保持された半導体ウエハ分割体３０Ｃ（ブレードダイシングされた形態のウエハ）が形成される。本工程では、分割溝３０ｂそれ自体が第２面Ｗｂ側に露出するまでウエハを研削する手法（第１の手法）を採用してもよいし、第２面Ｗｂ側から分割溝３０ｂに至るより前までウエハを研削し、その後、回転砥石からウエハへの押圧力の作用により分割溝３０ｂと第２面Ｗｂとの間にクラックを生じさせて半導体ウエハ分割体３０Ｃを形成する手法（第２の手法）を採用してもよい。採用される手法に応じて、図１０（ａ）および図１０（ｂ）を参照して上述したように形成される分割溝３０ｂの、第１面Ｗａからの深さは、適宜に決定される。図１２では、第１の手法を経た分割溝３０ｂ、または、第２の手法を経た分割溝３０ｂおよびこれに連なるクラックについて、模式的に太線で表す。このようにして作製される半導体ウエハ分割体３０Ｃが半導体ウエハ３０Ａや半導体ウエハ３０Ｂの代わりに接着フィルム付きダイシングテープＸに貼り合わされたうえで、図５から図９を参照して上述した各工程が行われてもよい。
図１３（ａ）および図１３（ｂ）は、半導体ウエハ分割体３０Ｃが接着フィルム付きダイシングテープＸに貼り合わされた後に行われる第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）を具体的に表す。本工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３が、接着フィルム付きダイシングテープＸの図中下側においてダイシングテープ１０に当接して上昇され、半導体ウエハ分割体３０Ｃの貼り合わされた接着フィルム付きダイシングテープＸのダイシングテープ１０が、半導体ウエハ分割体３０Ｃの径方向および周方向を含む二次元方向に引き伸ばされるようにエキスパンドされる。このようなクールエキスパンド工程により、エキスパンドされるダイシングテープ１０の粘着剤層１２に密着している接着フィルム２０において、半導体ウエハ分割体３０Ｃの各半導体チップ３１が密着している各領域では変形が抑制される一方で、半導体チップ３１間の分割溝３０ｂに対向する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ１０に生ずる引張応力が作用する。その結果、接着フィルム２０において半導体チップ３１間の分割溝３０ｂに対向する箇所が割断されることとなる（ブレードダイシングされた形態のウエハと接着フィルムの割断）。こうして得られる接着フィルム付き半導体チップ３１は、図８を参照して上述したピックアップ工程を経た後、半導体装置製造過程における実装工程に供されることとなる。
接着フィルム付きダイシングテープＸは、上述のように、温度２２℃にて３００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線照射を受けた第１試験片における粘着剤層１２と接着フィルム２０の間の、２３℃および剥離速度３００ｍｍ/分の条件でのＴ型剥離試験により測定される第１剥離粘着力に対する、温度６０℃にて３００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線照射を受けた第２試験片における粘着剤層１２と接着フィルム２０の間の、２３℃および剥離速度３００ｍｍ/分の条件でのＴ型剥離試験により測定される第２剥離粘着力の比率が、０.８～２であり、好ましくは０.９～１.８である。ダイシングテープ１０の紫外線硬化性の粘着剤層１２において、紫外線照射による粘着力低下の温度依存性がこの程度の範囲に収まる場合には、環境温度変動を実際上は伴う紫外線照射工程での紫外線照射よりも前の粘着力（ＵＶ照射前粘着力）と紫外線照射後の粘着力（ＵＶ照射後粘着力）とのバランスを図りやすく、従って、ダイシングテープ１０上の接着フィルム２０とウエハを割断するための上述の割断用の各エキスパンド工程で求められる相対的に高い粘着力と、接着フィルム付き半導体チップをダイシングテープ１０からピックアップするための上述のピックアップ工程で求められる相対的に低い粘着力との両立を図りやすい。このような知見を本発明者らは得ている。具体的には、後記の実施例および比較例をもって示すとおりである。
上記比率が、２以下であり、好ましくは１.８以下であるという構成は、粘着剤層１２の粘着力に関し、充分に強いＵＶ照射前粘着力を確保したうえで、常温環境下での紫外線照射を経た場合に至る粘着力はもとより、６０℃程度の高温環境下での紫外線照射を経た場合に至る粘着力を、ピックアップ工程で求められる充分に弱いＵＶ照射後粘着力として実用なものとするのに適するのである。また、エキスパンド工程で求められる相対的に高い粘着力が充分に確保される粘着剤層１２は、エキスパンド工程から紫外線照射工程までの間において、ダイシングテープ１０上の接着フィルム付き半導体チップ３１についてダイシングテープ１０からの浮きを抑制するのに適する。
以上のように、接着フィルム付きダイシングテープＸは、エキスパンド工程においてダイシングテープ１０上の接着フィルム２０につき良好に割断させるのに適するとともに、割断後の接着フィルム付き半導体チップ３１について、ダイシングテープ１０からの浮きを抑制しつつピックアップ工程での好なピックアップを実現するのに適するのである。
接着フィルム付きダイシングテープＸにおける上記第１剥離粘着力は、上述のように、好ましくは０.０３～０.１５Ｎ/２０ｍｍである。このような構成は、粘着剤層１２について、紫外線照射工程での実際上の環境温度変動を加味したＵＶ照射後粘着力を実用的な範囲に収めるうえで好適である。
接着フィルム付きダイシングテープＸにおける粘着剤層１２と接着フィルム２０の間の、２３℃および剥離速度３００ｍｍ/分の条件でのＴ型剥離試験により測定される剥離粘着力（第３剥離粘着力）は、上述のように、好ましくは１.５～４.５Ｎ/２０ｍｍである。このような構成は、割断用のエキスパンド工程から紫外線照射工程までの間において、ダイシングテープ１０上の接着フィルム付き半導体チップ３１についてダイシングテープ１０からの浮きを抑制するのに適する。また、当該構成は、粘着剤層１２について、ＵＶ照射前粘着力として実用的であるとともに、紫外線照射工程での実際上の環境温度変動を加味したＵＶ照射後粘着力を実用的な範囲に収めるうえで好適である。
接着フィルム付きダイシングテープＸにおける粘着剤層１２と接着フィルム２０の間の、－５℃および剥離速度３００ｍｍ/分の条件でのＴ型剥離試験により測定される剥離粘着力（第４剥離粘着力）は、上述のように、好ましくは０.５～２Ｎ/２０ｍｍである。このような構成は、接着フィルム付きダイシングテープＸを使用して例えば０℃以下の低温条件下で割断用のエキスパンド工程を行う場合に、ダイシングテープ１０上の接着フィルム２０を良好に割断させるのに適する。また、当該構成は、粘着剤層１２について、ＵＶ照射前粘着力として実用的であるとともに、紫外線照射工程での実際上の環境温度変動を加味したＵＶ照射後粘着力を実用的な範囲に収めるうえで好適である。
接着フィルム付きダイシングテープＸにおける接着フィルム２０の２５℃での貯蔵弾性率（引張り貯蔵弾性率）は、上述のように、好ましくは１～５ＧＰａ、より好ましくは１.２～４ＧＰａである。このような構成は、室温およびその近傍の温度範囲において、粘着剤層１２に対する接着フィルム２０の密着性を確保するうえで好適である。
接着フィルム付きダイシングテープＸにおける接着フィルム２０の－５℃での貯蔵弾性率は、上述のように、好ましくは３～５ＧＰａ、より好ましくは３.５～４.５ＧＰａである。このような構成は、接着フィルム２０において例えば０℃以下の低温条件下での割断性を確保するのに適する。
接着フィルム付きダイシングテープＸにおけるダイシングテープ１０は、上述のように、幅１０ｍｍのダイシングテープ試験片について初期チャック間距離１００ｍｍ、－５℃、および引張速度３００ｍｍ／分の条件で行われる引張試験において歪み値２０％で示す引張応力が、好ましくは３～１２ＭＰａ、より好ましくは３.５～１１.５ＭＰａである。このような構成は、低温条件下での割断用のエキスパンド工程において、ダイシングテープ１０上の接着フィルム２０を良好に割断させるのに適する。
〔実施例１〕
〈ダイシングテープの作製〉
冷却管と、窒素導入管と、温度計と、撹拌装置とを備える反応容器内で、アクリル酸２-エチルヘキシル（２ＥＨＡ）５４モル部と、アクリル酸２-ヒドロキシエチル（ＨＥＡ）１８モル部と、アクリロイルモルフォリン（ＡＣＭＯ）１４モル部と、重合開始剤である過酸化ベンゾイルと、重合溶媒であるトルエンとを含む混合物を、６１℃で６時間、窒素雰囲気下で撹拌した（重合反応）。この混合物において、過酸化ベンゾイルの含有量はモノマー成分１００質量部に対して０.２質量部であり、トルエンの含有量はモノマー成分１００質量部に対して６５質量部である。この重合反応により、アクリル系ポリマーＰ1を含有するポリマー溶液を得た。次に、アクリル系ポリマーＰ1含有の当該溶液に、１４モル部の２-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）を加えた後、５０℃で４８時間、空気雰囲気下で撹拌した（付加反応）。これにより、側鎖にメタクリロイル基を有するアクリル系ポリマーＰ2を含有するポリマー溶液を得た。次に、当該ポリマー溶液に、アクリル系ポリマーＰ2１００質量部に対して０.８質量部の架橋剤（商品名「コロネートＬ」，ポリイソシアネート化合物，東ソー株式会社製）と、５質量部の光重合開始剤（商品名「イルガキュア３６９」，ＢＡＳＦ社製）とを加えて混合し、粘着剤組成物を得た。次に、シリコーン離型処理の施された面を有するＰＥＴセパレータのシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して粘着剤組成物を塗布して粘着剤組成物層を形成した。次に、この組成物層について１２０℃で２分間の加熱乾燥を行い、ＰＥＴセパレータ上に厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。次に、ラミネーターを使用して、この粘着剤層の露出面にエチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）製の基材（商品名「ＲＢ０１０３」，厚さ１２５μｍ，倉敷紡績株式会社製）を室温で貼り合わせた。以上のようにして、基材と粘着剤層とを含む実施例１のダイシングテープを作製した。実施例１ならびに後記の各実施例および各比較例におけるダイシングテープ（ＤＴ）の粘着剤層に関する組成を表１に掲げる。表１では、アクリル系ポリマー（ＡＰ）の構成モノマーについては、モノマー間のモル比が記され、架橋剤については、アクリル系ポリマー１００質量部に対する質量比が記されている（モノマー組成に関しては、２ＥＨＡに対するＡＣＭＯの割合も記されている）。
〈接着フィルムの作製〉
アクリル樹脂Ａ1（商品名「テイサンレジンＳＧ-Ｐ３」，重量平均分子量８５万，ガラス転移温度１２℃，ナガセケムテックス株式会社製）８０質量部と、フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨ-７８５１ＳＳ」，明和化成株式会社製）２０質量部と、無機フィラー（商品名「ＳＯ-２５」，球状シリカ，株式会社アドマテックス製）５０質量部とを、メチルエチルケトンに加えて混合し、固形分濃度２０質量％の接着剤組成物を得た。次に、シリコーン離型処理の施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ３８μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して接着剤組成物を塗布して接着剤組成物層を形成した。次に、この組成物層について１３０℃で２分間の加熱乾燥を行い、ＰＥＴセパレータ上に厚さ１０μｍの実施例１の接着フィルムを作製した。実施例１ならびに後記の各実施例および各比較例における接着フィルムに関する組成（質量比）を表１に掲げる。
〈接着フィルム付きダイシングテープの作製〉
ＰＥＴセパレータを伴う実施例１の上述の接着フィルムを直径３３０ｍｍの円盤形に打ち抜き加工した。次に、上述のダイシングテープからＰＥＴセパレータを剥離した後、当該ダイシングテープにおいて露出した粘着剤層と、ＰＥＴセパレータを伴う接着フィルムとを、ロールラミネーターを使用して貼り合わせた。この貼り合わせにおいて、貼合わせ速度を１０ｍｍ/分とし、温度条件を２３℃とし、圧力条件を０.１５ＭＰａとした。次に、このようにして接着フィルムと貼り合わせられたダイシングテープを、ダイシングテープの中心と接着フィルムの中心とが一致するように、直径３７０ｍｍの円盤形に打ち抜き加工した。以上のようにして、ダイシングテープと接着フィルムとを含む積層構造を有する実施例１の接着フィルム付きダイシングテープを作製した。
〔実施例２〕
〈ダイシングテープの作製〉
冷却管と、窒素導入管と、温度計と、撹拌装置とを備える反応容器内で、アクリル酸２-エチルヘキシル（２ＥＨＡ）３０モル部と、アクリル酸４-ヒドロキシブチル（４ＨＢＡ）２７モル部と、アクリロイルモルフォリン（ＡＣＭＯ）２３モル部と、重合開始剤である過酸化ベンゾイルと、重合溶媒であるトルエンとを含む混合物を、６１℃で６時間、窒素雰囲気下で撹拌した（重合反応）。この混合物において、過酸化ベンゾイルの含有量はモノマー成分１００質量部に対して０.２質量部であり、トルエンの含有量はモノマー成分１００質量部に対して６５質量部である。この重合反応により、アクリル系ポリマーＰ3を含有するポリマー溶液を得た。次に、アクリル系ポリマーＰ3含有の当該溶液に、２０モル部の２-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）を加えた後、５０℃で４８時間、空気雰囲気下で撹拌した（付加反応）。これにより、側鎖にメタクリロイル基を有するアクリル系ポリマーＰ4を含有するポリマー溶液を得た。次に、当該ポリマー溶液に、アクリル系ポリマーＰ4１００質量部に対して２.５質量部の架橋剤（商品名「コロネートＬ」，ポリイソシアネート化合物，東ソー株式会社製）と、５質量部の光重合開始剤（商品名「イルガキュア３６９」，ＢＡＳＦ社製）とを加えて混合し、粘着剤組成物を得た。次に、シリコーン離型処理の施された面を有するＰＥＴセパレータのシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して粘着剤組成物を塗布して粘着剤組成物層を形成した。次に、この組成物層について１２０℃で２分間の加熱乾燥を行い、ＰＥＴセパレータ上に厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。次に、ラミネーターを使用して、この粘着剤層の露出面にエチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）製の基材（商品名「ＮＥＤ１２５」，厚さ１２５μｍ，グンゼ株式会社製）を室温で貼り合わせた。以上のようにして、基材と粘着剤層とを含む実施例２のダイシングテープを作製した。
〈接着フィルムの作製〉
アクリル樹脂Ａ1（商品名「テイサンレジンＳＧ-Ｐ３」，ナガセケムテックス株式会社製）９０質量部と、フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨ-７８５１ＳＳ」，明和化成株式会社製）１０質量部と、無機フィラー（商品名「ＳＯ-２５」，株式会社アドマテックス製）５０質量部とを、メチルエチルケトンに加えて混合し、固形分濃度２０質量％の接着剤組成物を得た。次に、シリコーン離型処理の施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ３８μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して接着剤組成物を塗布して接着剤組成物層を形成した。次に、この組成物層について１３０℃で２分間の加熱乾燥を行い、ＰＥＴセパレータ上に厚さ１０μｍの実施例２の接着フィルムを作製した。
〈接着フィルム付きダイシングテープの作製〉
実施例１のダイシングテープおよび接着フィルムの代わりに実施例２のダイシングテープおよび接着フィルムを用いたこと以外は実施例１の接着フィルム付きダイシングテープと同様にして、実施例２の接着フィルム付きダイシングテープを作製した。
〔実施例３〕
ダイシングテープ粘着剤層の形成において、２ＥＨＡの量を５４モル部に代えて３６モル部としたこと、ＨＥＡの量を１８モル部に代えて２０モル部としたこと、１０モル部の４ＨＢＡを用いたこと、ＡＣＭＯの量を１４モル部に代えて９モル部としたこと、ＭＯＩの量を１４モル部に代えて２５モル部としたこと、および、架橋剤の量を０.８質量部に代えて３質量部としたこと、以外は実施例１の接着フィルム付きダイシングテープと同様にして、実施例３の接着フィルム付きダイシングテープを作製した。
〔比較例１〕
ダイシングテープ粘着剤層の形成において、２ＥＨＡの量を５４モル部に代えて７６モル部としたこと、ＨＥＡの量を１８モル部に代えて１４モル部としたこと、ＡＣＭＯを用いなかったこと、ＭＯＩの量を１４モル部に代えて１０モル部としたこと、架橋剤の量を０.８質量部に代えて０.４質量部としたこと、および、ＥＶＡ製基材に代えてポリオレフィン製の基材（商品名「ＩＮＦＵＳＥ ９８０７」，倉敷紡績株式会社製）を用いたこと、以外は実施例１のダイシングテープと同様にして、比較例１のダイシングテープを作製した。
〈接着フィルムの作製〉
アクリル樹脂Ａ2（商品名「テイサンレジンＳＧ-708-６」，ナガセケムテックス株式会社製）９０質量部と、フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨ-７８５１ＳＳ」，明和化成株式会社製）１０質量部と、無機フィラー（商品名「ＳＯ-２５」，株式会社アドマテックス製）５０質量部とを、メチルエチルケトンに加えて混合し、固形分濃度２０質量％の接着剤組成物を得た。次に、シリコーン離型処理の施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ３８μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して接着剤組成物を塗布して接着剤組成物層を形成した。次に、この組成物層について１３０℃で２分間の加熱乾燥を行い、ＰＥＴセパレータ上に厚さ１０μｍの比較例１の接着フィルムを作製した。
〈接着フィルム付きダイシングテープの作製〉
実施例１のダイシングテープおよび接着フィルムの代わりに比較例１のダイシングテープおよび接着フィルムを用いたこと以外は実施例１の接着フィルム付きダイシングテープと同様にして、比較例１の接着フィルム付きダイシングテープを作製した。
〔比較例２〕
ダイシングテープ粘着剤層の形成において、２ＥＨＡの量を５４モル部に代えて６５モル部としたこと、ＨＥＡの量を１８モル部に代えて１８モル部としたこと、ＡＣＭＯの量を１４モル部に代えて８モル部としたこと、ＭＯＩの量を１４モル部に代えて８モル部としたこと、架橋剤の量を０.８質量部に代えて５質量部としたこと、および、ＥＶＡ製基材に代えてポリオレフィン製の基材（商品名「ＩＮＦＵＳＥ ９５３０」，倉敷紡績株式会社製）を用いたこと、以外は実施例１の接着フィルム付きダイシングテープと同様にして、比較例２の接着フィルム付きダイシングテープを作製した。
〈ＵＶ照射後粘着力（２２℃）〉
実施例１～３および比較例１,２の各接着フィルム付きダイシングテープについて、２２℃での紫外線照射を経たダイシングテープ粘着剤層と接着フィルムとの間の剥離粘着力を調べた。まず、高圧水銀ランプを使用して、接着フィルム付きダイシングテープにおけるダイシングテープ基材の側からダイシングテープ粘着剤層に対して２２℃の温度条件下で３００ｍＪ/ｃｍ2（照射強度１５０ｍＷ/ｃｍ2，２秒間）の紫外線を照射した。次に、接着フィルム付きダイシングテープにおいて、接着フィルム側のＰＥＴセパレータを剥離した後、接着フィルム側に裏打ちテープ（商品名「ＢＴ-３１５」，日東電工株式会社製）を貼り合わせた。次に、当該裏打ちテープを伴う接着フィルム付きダイシングテープから、幅５０ｍｍおよび長さ１２０ｍｍのサイズの試験片を切り出した。そして、当該試験片について、Ｔ型剥離試験機（商品名「オートグラフＡＧ-２０ＫＮＳＤ」，株式会社島津製作所製）を使用してＴ型剥離試験を行い、剥離粘着力Ｆ1（Ｎ/２０ｍｍ）を測定した。本測定においては、温度条件を２３℃とし、剥離速度を３００ｍｍ/分とした。その結果を表１に掲げる。
〈ＵＶ照射後粘着力（６０℃）〉
実施例１～３および比較例１,２の各接着フィルム付きダイシングテープについて、６０℃での紫外線照射を経たダイシングテープ粘着剤層と接着フィルムとの間の剥離粘着力を調べた。まず、表面温度を６０℃に調整したホットプレート上に、接着フィルム付きダイシングテープをその接着フィルム側（ＰＥＴセパレータを伴う）がホットプレートに接するように置き、１０秒静置後に、高圧水銀ランプを使用して、接着フィルム付きダイシングテープにおけるダイシングテープ基材の側からダイシングテープ粘着剤層に対して６０℃の温度条件下で３００ｍＪ/ｃｍ2（照射強度１５０ｍＷ/ｃｍ2，２秒間）の紫外線を照射した。次に、接着フィルム付きダイシングテープにおいて、接着フィルム側のＰＥＴセパレータを剥離した後、接着フィルム側に裏打ちテープ（商品名「ＢＴ-３１５」，日東電工株式会社製）を貼り合わせた。次に、当該裏打ちテープを伴う接着フィルム付きダイシングテープから、幅５０ｍｍおよび長さ１２０ｍｍのサイズの試験片を切り出した。そして、当該試験片について、Ｔ型剥離試験機（商品名「オートグラフＡＧ-２０ＫＮＳＤ」，株式会社島津製作所製）を使用してＴ型剥離試験を行い、剥離粘着力Ｆ2（Ｎ/２０ｍｍ）を測定した。本測定においては、温度条件を２３℃とし、剥離速度を３００ｍｍ/分とした。その結果を表１に掲げる。また、上記の剥離粘着力Ｆ1に対する剥離粘着力Ｆ2の比率も記す。
〈ＵＶ照射前粘着力〉
実施例１～３および比較例１,２の各接着フィルム付きダイシングテープについて、紫外線照射を受ける前のダイシングテープ粘着剤層と接着フィルムとの間の剥離粘着力を調べた。まず、接着フィルム付きダイシングテープにおいて、接着フィルム側のＰＥＴセパレータを剥離した後、接着フィルム側に裏打ちテープ（商品名「ＢＴ-３１５」，日東電工株式会社製）を貼り合わせた。次に、当該裏打ちテープを伴う接着フィルム付きダイシングテープから、幅５０ｍｍおよび長さ１２０ｍｍのサイズの試験片を切り出した。そして、当該試験片について、Ｔ型剥離試験機（商品名「オートグラフＡＧ-２０ＫＮＳＤ」，株式会社島津製作所製）を使用してＴ型剥離試験を行い、剥離粘着力Ｆ3（Ｎ/２０ｍｍ）を測定した。本測定においては、温度条件を２３℃とし、剥離速度を３００ｍｍ/分とした。その結果を表１に掲げる。
また、実施例１～３および比較例１,２の各接着フィルム付きダイシングテープについて、Ｔ型剥離試験での温度条件を２３℃に代えて－５℃としたこと以外は剥離粘着力Ｆ3の測定と同様にして、紫外線照射を受ける前のダイシングテープ粘着剤層と接着フィルムとの間の剥離粘着力Ｆ4を測定した。その結果を表１に掲げる。
〔ダイシングテープの引張応力〕
実施例１～３および比較例１,２の各接着フィルム付きダイシングテープのダイシングテープについて引張応力を調べた。まず、ダイシングテープから、幅１０ｍｍおよび長さ ｍｍのサイズの試験片を切り出した。次に、試験片について、引張試験機（商品名「オートグラフＡＧＳ-Ｊ」，株式会社島津製作所製）を使用して引張試験を行い、歪み値２０％で生ずる引張応力を測定した。本引張試験において、初期チャック間距離は１００ｍｍであり、温度条件は－５℃であり、引張速度は３００ｍｍ／分である。同一のダイシングテープに由来する 枚の試験片に係る測定値の平均を、当該ダイシングテープにおける－５℃での引張応力とした。その値を表１に掲げる。
〔接着フィルムの貯蔵弾性率〕
実施例１～３および比較例１,２の各接着フィルム付きダイシングテープの接着フィルムについて、動的粘弾性測定装置（商品名「ＲＳＡIII」，ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製）を使用して行う動的粘弾性測定に基づき、２５℃での貯蔵弾性率（引張り貯蔵弾性率）および－５℃での貯蔵弾性率（引張り貯蔵弾性率）を求めた。測定に供される試料片は、実施例および比較例ごとに、複数枚の接着フィルムを厚さ２００μｍに積層した積層体を形成した後、当該積層体から幅１０ｍｍ×長さ４０ｍｍのサイズで切り出して用意したものである。また、本測定においては、試料片保持用チャックの初期チャック間距離を２２.５ｍｍとし、測定モードを引張りモードとし、測定環境を窒素雰囲気下とし、測定温度範囲を－４０℃から２８０℃とし、周波数を１０Ｈｚとし、動的ひずみを０.００５％とし、昇温速度を１０℃/分とした。各接着フィルムごとに、２５℃での貯蔵弾性率Ｅ1（ＧＰａ）と－５℃での貯蔵弾性率Ｅ2（ＧＰａ）とを、表１に掲げる。
〔貼合せ工程およびエキスパンド工程〕
実施例１～３および比較例１,２の各接着フィルム付きダイシングテープを使用して、以下のような貼合わせ工程、割断のための第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）、および、離間のための第２エキスパンド工程（常温エキスパンド工程）を行った。
貼合わせ工程では、ウエハ加工用テープ（商品名「ＵＢ-３０８３Ｄ」，日東電工株式会社製）に保持された半導体ウエハを接着フィルム付きダイシングテープの接着剤層に対して貼り合わせ、その後、半導体ウエハからウエハ加工用テープを剥離した。半導体ウエハは、ハーフカットダイシングおよび薄化を経たものであり、個片化用の分割溝（幅２５μｍ，一区画１０ｍｍ×１０ｍｍの格子状をなす）が形成され且つ５０μｍの厚さを有する。貼合わせにおいては、ラミネーターを使用し、貼合わせ速度を１０ｍｍ/秒とし、温度条件を６０℃とし、圧力条件を０.１５ＭＰａとした。また、本工程では、半導体ウエハにおいて分割溝形成面とは反対の側の面を、接着フィルム付きダイシングテープにおける接着剤層に対して貼り合わせた。
クールエキスパンド工程は、ダイセパレート装置（商品名「ダイセパレータ ＤＤＳ２３００」，株式会社ディスコ製）を使用して、そのクールエキスパンドユニットにて行った。具体的には、半導体ウエハを伴う上述の接着フィルム付きダイシングテープないしその粘着剤層にリングフレームを貼り付けたうえで、当該接着フィルム付きダイシングテープを装置内にセットし、同装置のクールエキスパンドユニットにて、半導体ウエハを伴う接着フィルム付きダイシングテープのダイシングテープをエキスパンドした。このクールエキスパンド工程において、温度は－５℃であり、エキスパンド速度は２００ｍｍ/秒であり、エキスパンド量は１２ｍｍである。本工程により、ダイシングテープ上において半導体ウエハが個片化されて複数の接着剤層付き半導体チップが得られた。
常温エキスパンド工程は、ダイセパレート装置（商品名「ダイセパレータ ＤＤＳ２３００」，株式会社ディスコ製）を使用して、その常温エキスパンドユニットにて行った。具体的には、上述のクールエキスパンド工程を経た半導体ウエハを伴う接着フィルム付きダイシングテープのダイシングテープを、同装置の常温エキスパンドユニットにてエキスパンドした。この常温エキスパンド工程において、温度は２３℃であり、エキスパンド速度は１ｍｍ/秒であり、エキスパンド量は１０ｍｍである。そして、ダイシングテープにおける、ワーク貼着領域より外側の周縁部について、加熱収縮処理を施した（ヒートシュリンク）。この処理において、加熱用の温風の温度は２５０℃であってその風量は４０Ｌ/分であり、ヒート距離（温風吹き出し口から加熱対象物までの距離）は２０ｍｍであり、ワークを伴うダイシングテープを保持するステージのローテーションスピードは３°/秒である。
〈割断性の評価〉
以上のような過程を経てワークを伴う各接着フィルム付きダイシングテープの粘着剤層に対し、ダイシングテープ越しに、温度２０℃において３００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線照射を行った。その後、ダイボンディング装置（商品名「ダイボンダー ＳＰＡ-３００」，株式会社新川製）を使用して、ダイシングテープからの接着フィルム付き半導体チップのピックアップを試みた（ピックアップ工程）。この工程では、ピックアップを試みたチップの数を１００とし、ピックアップ高さを３５０μｍとした。接着フィルム付き半導体チップについて適切にピックアップされることを、接着フィルム付きダイシングテープにおける接着フィルムとそれに伴うワークに関する割断性の指標とし、同接着フィルムの割断性について、ピックアップを試みた１００個の半導体チップのうち、接着フィルムを伴う半導体チップとして本工程でピックアップできたチップの数が９９以上である場合を“良”と評価し、接着フィルムを伴う半導体チップとしてピックアップできたチップの数が９８以下である場合を“不良”と評価した。その結果を表１に掲げる。
〈浮き抑制の評価〉
上述の過程（ヒートシュリンクまでの過程）を経てワークを伴う各接着フィルム付きダイシングテープを、室温で３時間静置した後、接着フィルム付き半導体チップにおける当該接着フィルムの、ダイシングテープからの浮きを、顕微鏡を使用して観察した。そして、上述の両エキスパンド工程を経てダイシングテープ上に接着フィルム付き半導体チップ群が形成されるべき領域の総面積に対する、ダイシングテープと接着フィルムとの間に発生した浮きの面積の割合を、求めた。エキスパンド工程後に浮きが発生しにくいこと（浮き抑制）について、発生した浮きの面積が３０％未満である場合を“良”と評価し、同面積が３０％以上である場合を“不良”と評価した。その結果を表１に掲げる。
〈常温・高温ＵＶ照射後のピックアップ性の評価〉
上述の過程（ヒートシュリンクまでの過程）を経てワークを伴う各接着フィルム付きダイシングテープの粘着剤層に対し、ダイシングテープ越しに、温度２５℃において３００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線照射を行った。その後、ダイボンディング装置（商品名「ダイボンダー ＳＰＡ-３００」，株式会社新川製）を使用して、ダイシングテープからの接着フィルム付き半導体チップのピックアップを試みた（第１のピックアップ工程）。この工程では、ピックアップを試みたチップの数を５０とし、ピックアップ高さを３５０μｍとした。
また、別途用意されて上述の過程（ヒートシュリンクまでの過程）を経た実施例１～３および比較例１,２の各接着フィルム付きダイシングテープ（ワークを伴う）を、そのワークないし半導体チップの側をホットプレート面に当接させつつ、設定温度６０℃のホットプレート上に置いた。このような６０℃での加熱状態で、接着フィルム付きダイシングテープの粘着剤層に対してダイシングテープ越しに３００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線照射を行った。その後、ダイボンディング装置（商品名「ダイボンダー ＳＰＡ-３００」，株式会社新川製）を使用して、ダイシングテープからの接着フィルム付き半導体チップのピックアップを試みた（第２のピックアップ工程）。この工程では、ピックアップを試みたチップの数を５０とし、ピックアップ高さを３５０μｍとした。
ダイシングテープ粘着剤層に対する紫外線照射を経た後の、ダイシングテープからの接着フィルム付き半導体チップのピックアップ性については、上述の第１および第２のピックアップ工程のそれぞれにおいて、ピックアップ対象の５０個の接着フィルム付き半導体チップすべてをピックアップできた場合を“良”と評価し、両ピックアップ工程でのピックアップ対象総数１００のうち一つでもピックアップできなかった接着フィルム付き半導体チップがあった場合を“不良”と評価した。その結果を表１に掲げる。比較例１,２の接着フィルム付きダイシングテープでは、具体的には、第２のピックアップ工程でピックアップできなかった接着フィルム付き半導体チップが１以上あった。
Figure 0007289688000001
Ｘ 接着フィルム付きダイシングテープ
１０ ダイシングテープ
１１ 基材
１２ 粘着剤層
２０，２１ 接着フィルム
Ｗ，３０Ａ，３０Ｂ 半導体ウエハ
３０Ｃ 半導体ウエハ分割体
３０ａ 改質領域
３０ｂ 分割溝
３１ 半導体チップ

Claims (7)

  1. 基材と紫外線硬化性の粘着剤層とを含む積層構造を有するダイシングテープと、
    前記ダイシングテープにおける前記粘着剤層に剥離可能に密着している接着フィルムとを備え、
    温度２２℃にて３００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線照射を受けた第１試験片における前記粘着剤層と前記接着フィルムの間の、２３℃および剥離速度３００ｍｍ/分の条件でのＴ型剥離試験により測定される第１剥離粘着力に対する、温度６０℃にて３００ｍＪ/ｃｍ2の紫外線照射を受けた第２試験片における前記粘着剤層と前記接着フィルムの間の、２３℃および剥離速度３００ｍｍ/分の条件でのＴ型剥離試験により測定される第２剥離粘着力の比率が、０.８～２である、接着フィルム付きダイシングテープ。
  2. 前記第１剥離粘着力は０.０３～０.１５Ｎ/２０ｍｍである、請求項１に記載の接着フィルム付きダイシングテープ。
  3. 前記粘着剤層と前記接着フィルムの間の、２３℃および剥離速度３００ｍｍ/分の条件でのＴ型剥離試験により測定される剥離粘着力が１.５～４.５Ｎ/２０ｍｍである、請求項１または２に記載の接着フィルム付きダイシングテープ。
  4. 前記粘着剤層と前記接着フィルムの間の、－５℃および剥離速度３００ｍｍ/分の条件でのＴ型剥離試験により測定される剥離粘着力が０.５～２Ｎ/２０ｍｍである、請求項１から３のいずれか一つに記載の接着フィルム付きダイシングテープ。
  5. 前記接着フィルムの２５℃での貯蔵弾性率が１～５ＧＰａである、請求項１から４のいずれか一つに記載の接着フィルム付きダイシングテープ。
  6. 前記接着フィルムの－５℃での貯蔵弾性率が３～５ＧＰａである、請求項１から５のいずれか一つに記載の接着フィルム付きダイシングテープ。
  7. 幅１０ｍｍのダイシングテープ試験片について初期チャック間距離１００ｍｍ、－５℃、および引張速度３００ｍｍ／分の条件で行われる引張試験において、歪み値２０％で３～１２ＭＰａの引張応力を示す、請求項１から６のいずれか一つに記載の接着フィルム付きダイシングテープ。
JP2019059390A 2019-03-26 2019-03-26 接着フィルム付きダイシングテープ Active JP7289688B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019059390A JP7289688B2 (ja) 2019-03-26 2019-03-26 接着フィルム付きダイシングテープ
TW109107849A TWI825285B (zh) 2019-03-26 2020-03-10 附有接著膜之切晶帶
KR1020200034838A KR20200115226A (ko) 2019-03-26 2020-03-23 접착 필름을 갖는 다이싱 테이프
CN202010218433.XA CN111748290B (zh) 2019-03-26 2020-03-25 带粘接薄膜的切割带

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019059390A JP7289688B2 (ja) 2019-03-26 2019-03-26 接着フィルム付きダイシングテープ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020161642A JP2020161642A (ja) 2020-10-01
JP7289688B2 true JP7289688B2 (ja) 2023-06-12

Family

ID=72639857

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019059390A Active JP7289688B2 (ja) 2019-03-26 2019-03-26 接着フィルム付きダイシングテープ

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7289688B2 (ja)
KR (1) KR20200115226A (ja)
CN (1) CN111748290B (ja)
TW (1) TWI825285B (ja)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007294855A (ja) 2006-03-27 2007-11-08 Furukawa Electric Co Ltd:The ウェハ加工方法及びそれに用いるウェハ加工用テープ
JP2015185591A (ja) 2014-03-20 2015-10-22 日立化成株式会社 ウエハ加工用テープ
JP2017157727A (ja) 2016-03-03 2017-09-07 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理方法
JP2018026567A (ja) 2017-08-21 2018-02-15 日立化成株式会社 ダイシング・ダイボンディング一体型テープの製造方法
WO2018181240A1 (ja) 2017-03-31 2018-10-04 古河電気工業株式会社 半導体ウェハ表面保護用粘着テープ及び半導体ウェハの加工方法
JP2018195746A (ja) 2017-05-19 2018-12-06 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
JP2019009260A (ja) 2017-06-23 2019-01-17 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型接着性シート
JP2019016787A (ja) 2017-07-04 2019-01-31 日東電工株式会社 ダイシングテープ、ダイシングダイボンドフィルム、および半導体装置製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101029235B1 (ko) * 2001-08-10 2011-04-18 닛토덴코 가부시키가이샤 다이싱용 점착 시트 및 다이싱 방법
JP2006295030A (ja) * 2005-04-14 2006-10-26 Nitto Denko Corp 半導体装置の製造方法、およびそれに用いる粘着シート
JP4876451B2 (ja) 2005-06-27 2012-02-15 日立化成工業株式会社 接着シート
JP2007281067A (ja) * 2006-04-04 2007-10-25 Nitto Denko Corp 半導体装置の製造方法、及びそれに用いる半導体ウェハ加工用の粘着シート
JP5000370B2 (ja) * 2007-04-20 2012-08-15 日東電工株式会社 ウォータージェットレーザダイシング用粘着シート
JP5255465B2 (ja) 2009-01-29 2013-08-07 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ
JP5451107B2 (ja) * 2009-02-24 2014-03-26 日東電工株式会社 自発巻回性積層シート及び自発巻回性粘着シート
JP5744434B2 (ja) * 2010-07-29 2015-07-08 日東電工株式会社 加熱剥離シート一体型半導体裏面用フィルム、半導体素子の回収方法、及び半導体装置の製造方法
JP2014129491A (ja) * 2012-12-28 2014-07-10 Nitto Denko Corp シート状粘着剤、粘着積層体及び可撓性部材の製造方法
JP2017098354A (ja) * 2015-11-20 2017-06-01 日東電工株式会社 封止半導体素子および半導体装置の製造方法
JP6851689B2 (ja) * 2016-05-18 2021-03-31 日東電工株式会社 バックグラインドテープ
JP2018178002A (ja) * 2017-04-17 2018-11-15 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
JP7017334B2 (ja) * 2017-04-17 2022-02-08 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007294855A (ja) 2006-03-27 2007-11-08 Furukawa Electric Co Ltd:The ウェハ加工方法及びそれに用いるウェハ加工用テープ
JP2015185591A (ja) 2014-03-20 2015-10-22 日立化成株式会社 ウエハ加工用テープ
JP2017157727A (ja) 2016-03-03 2017-09-07 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理方法
WO2018181240A1 (ja) 2017-03-31 2018-10-04 古河電気工業株式会社 半導体ウェハ表面保護用粘着テープ及び半導体ウェハの加工方法
JP2018195746A (ja) 2017-05-19 2018-12-06 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
JP2019009260A (ja) 2017-06-23 2019-01-17 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型接着性シート
JP2019016787A (ja) 2017-07-04 2019-01-31 日東電工株式会社 ダイシングテープ、ダイシングダイボンドフィルム、および半導体装置製造方法
JP2018026567A (ja) 2017-08-21 2018-02-15 日立化成株式会社 ダイシング・ダイボンディング一体型テープの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111748290B (zh) 2023-12-01
TWI825285B (zh) 2023-12-11
KR20200115226A (ko) 2020-10-07
CN111748290A (zh) 2020-10-09
JP2020161642A (ja) 2020-10-01
TW202039726A (zh) 2020-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102532978B1 (ko) 다이싱 다이 본드 필름
TWI803489B (zh) 切晶黏晶膜
TWI789409B (zh) 黏晶膜、切晶黏晶膜及半導體裝置製造方法
US20120070960A1 (en) Dicing die bond film, method of manufacturing dicing die bond film, and method of manufacturing semiconductor device
US20110053346A1 (en) Dicing/die bonding film
JP7287797B2 (ja) 接着フィルム付きダイシングテープ
JP2017183705A (ja) ダイシングダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
TWI786145B (zh) 切晶帶及切晶黏晶膜
JP2013038408A (ja) 半導体ウェハ固定用粘着テープ、半導体チップの製造方法及び接着フィルム付き粘着テープ
KR20200110207A (ko) 접착 필름을 구비하는 다이싱 테이프
JP2020098861A (ja) 接着フィルム、ダイシングテープ付き接着フィルム、および半導体装置製造方法
CN111004588A (zh) 切割芯片接合薄膜
KR20180116751A (ko) 다이싱 다이 본드 필름
JP7289688B2 (ja) 接着フィルム付きダイシングテープ
JP7160739B2 (ja) ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルム
CN108728000B (zh) 切割芯片接合薄膜
JP7389556B2 (ja) ダイシングダイボンドフィルム
TWI843808B (zh) 切晶黏晶膜
JP7176919B2 (ja) ダイシングダイボンドフィルム
KR20200107833A (ko) 다이싱 테이프 및 접착 필름을 구비한 다이싱 테이프
JP2020092157A (ja) ダイシングダイボンドフィルム

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220107

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20221222

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230104

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230523

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230531

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7289688

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150