JP7160739B2 - ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルム - Google Patents
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Description
〈半導体背面密着フィルムの作製〉
半導体背面密着フィルムの作製においては、まず、アクリル樹脂A1(商品名「テイサンレジン SG-P3」,重量平均分子量は85万,ガラス転移温度Tgは12℃,ナガセケムテックス株式会社製)100質量部と、エポキシ樹脂E1(商品名「KI-3000-4」,東都化成株式会社製)80質量部と、エポキシ樹脂E2(商品名「JER YL980」,三菱化学株式会社製)34質量部と、フェノール樹脂(商品名「MEH-7851SS」,明和化成株式会社製)119質量部と、フィラー(商品名「SO-25R」,シリカ,平均粒径は0.5μm,株式会社アドマテックス製)250質量部と、黒系染料(商品名「OIL BLACK BS」,オリエント化学工業株式会社製)33質量部と、熱硬化触媒(商品名「キュアゾール 2PHZ-PW」,四国化成工業株式会社製)6質量部とを、メチルエチルケトンに加えて混合し、固形分濃度28質量%の接着剤組成物を得た。次に、シリコーン離型処理の施された面を有するPETセパレータ(厚さ50μm)のシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して当該接着剤組成物を塗布して接着剤組成物層を形成した。次に、この組成物層について130℃で2分間の加熱を行って乾燥させ、PETセパレータ上に厚さ25μmの実施例1の半導体背面密着フィルム(未硬化状態にある熱硬化型の単一層をなすこととなるフィルム)を作製した。実施例1ならびに後記の各実施例および比較例における各層の組成を表1,2に掲げる(表1,2では、層ごとの組成が成分の質量比で表されている)。
冷却管と、窒素導入管と、温度計と、撹拌装置とを備える反応容器内で、アクリル酸2-エチルヘキシル(2EHA)100質量部と、アクリル酸2-ヒドロキシエチル(HEA)19質量部と、重合開始剤である過酸化ベンゾイルと0.4質量部と、重合溶媒であるトルエン80質量部とを含む混合物を、60℃で10時間、窒素雰囲気下で撹拌した(重合反応)。この重合反応により、アクリル系ポリマーP1を含有するポリマー溶液を得た。次に、アクリル系ポリマーP1含有の当該溶液に、12質量部の2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート(MOI)を加えた後、50℃で60時間、空気雰囲気下で撹拌した(付加反応)。これにより、側鎖にメタクリロイル基を有するアクリル系ポリマーP2を含有するポリマー溶液を得た。次に、当該ポリマー溶液と、それに含まれるアクリル系ポリマーP2100質量部に対して0.25質量部の架橋剤(商品名「コロネートL」,ポリイソシアネート化合物,東ソー株式会社製)と、2質量部の光重合開始剤(商品名「イルガキュア651」,BASF社製)と、所定量のトルエンとを混合し、固形分濃度28質量%の粘着剤組成物を得た。次に、シリコーン離型処理の施された面を有するPETセパレータのシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して粘着剤組成物を塗布して粘着剤組成物層を形成した。次に、この組成物層について120℃で2分間の加熱乾燥を行い、PETセパレータ上に厚さ10μmの粘着剤層を形成した。次に、ラミネーターを使用して、この粘着剤層の露出面にエチレン-酢酸ビニル共重合体(EVA)製の基材(商品名「RB0103」,厚さ125μm,倉敷紡績株式会社製)を室温で貼り合わせた。以上のようにして、基材と紫外線硬化性の粘着剤層とを含む積層構造の実施例1のダイシングテープを作製した。実施例1ならびに後記の各実施例および比較例におけるダイシングテープ(DT)粘着剤層中の架橋剤の配合量を表1,2に掲げる。
PETセパレータを伴う実施例1の上述の半導体背面密着フィルムを直径330mmの円盤形に打ち抜き加工した。次に、上述のダイシングテープからPETセパレータを剥離した後、当該ダイシングテープにおいて露出した粘着剤層と、PETセパレータを伴う半導体背面密着フィルムとを、ハンドローラーを使用して貼り合わせた。次に、このようにして半導体背面密着フィルムと貼り合わせられたダイシングテープを、ダイシングテープの中心と半導体背面密着フィルムの中心とが一致するように、直径370mmの円盤形に打ち抜き加工した。以上のようにして、ダイシングテープと半導体背面密着フィルムとを含む積層構造を有する実施例1のダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムを作製した。
ダイシングテープ粘着剤層の形成において、架橋剤(商品名「コロネートL」)の量を0.25質量部に代えて1質量部(実施例2)または5質量部(実施例3)としたこと以外は実施例1のダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムと同様にして、実施例2,3のダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムを作製した。
半導体背面密着フィルムの作製において、エポキシ樹脂E1(商品名「KI-3000-4」,東都化成株式会社製)の量を80質量部に代えて52質量部としたこと、エポキシ樹脂E2(商品名「JER YL980」,三菱化学株式会社製)の量を34質量部に代えて22質量部としたこと、フェノール樹脂(商品名「MEH-7851SS」,明和化成株式会社製)の量を119質量部に代えて76質量部としたこと、フィラー(商品名「SO-25R」,シリカ,平均粒径は0.5μm,株式会社アドマテックス製)の量を250質量部に代えて188質量部としたこと、黒系染料(商品名「OIL BLACK BS」,オリエント化学工業株式会社製)の量を33質量部に代えて25質量部としたこと、および、熱硬化触媒(商品名「キュアゾール 2PHZ-PW」,四国化成工業株式会社製)の量を6質量部に代えて4質量部としたこと、以外は実施例1の半導体背面密着フィルムと同様にして、実施例4の半導体背面密着フィルムを作製した。ダイシングテープ粘着剤層の形成において、架橋剤(商品名「コロネートL」)の量を0.25質量部に代えて1質量部としたこと以外は実施例1のダイシングテープと同様にして、実施例4のダイシングテープを作製した。そして、実施例1の半導体背面密着フィルムとダイシングテープに代えて実施例4の半導体背面密着フィルムとダイシングテープを用いたこと以外は、実施例1のダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムと同様にして、実施例4のダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムを作製した。
半導体背面密着フィルムの作製において、エポキシ樹脂E1(商品名「KI-3000-4」,東都化成株式会社製)の量を80質量部に代えて34質量部としたこと、エポキシ樹脂E2(商品名「JER YL980」,三菱化学株式会社製)の量を34質量部に代えて15質量部としたこと、フェノール樹脂(商品名「MEH-7851SS」,明和化成株式会社製)の量を119質量部に代えて51質量部としたこと、フィラー(商品名「SO-25R」,シリカ,平均粒径は0.5μm,株式会社アドマテックス製)の量を250質量部に代えて150質量部としたこと、黒系染料(商品名「OIL BLACK BS」,オリエント化学工業株式会社製)の量を33質量部に代えて20質量部としたこと、および、熱硬化触媒(商品名「キュアゾール 2PHZ-PW」,四国化成工業株式会社製)の量を6質量部に代えて4質量部としたこと、以外は実施例1の半導体背面密着フィルムと同様にして、実施例5の半導体背面密着フィルムを作製した。ダイシングテープ粘着剤層の形成において、架橋剤(商品名「コロネートL」)の量を0.25質量部に代えて1質量部としたこと以外は実施例1のダイシングテープと同様にして、実施例5のダイシングテープを作製した。そして、実施例1の半導体背面密着フィルムとダイシングテープに代えて実施例5の半導体背面密着フィルムとダイシングテープを用いたこと以外は、実施例1のダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムと同様にして、実施例5のダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムを作製した。
〈半導体背面密着フィルムの作製〉
実施例6の半導体背面密着フィルムの作製においては、まず、レーザーマーク層(LM層)をなすこととなる第1フィルムと、接着層(AH層)をなすこととなる第2フィルムとを、個別に作製した。
ダイシングテープ粘着剤層の形成において、架橋剤(商品名「コロネートL」)の量を0.25質量部に代えて1質量部としたこと以外は実施例1のダイシングテープと同様にして、実施例6のダイシングテープを作製した。
PETセパレータを伴う実施例6の上述の半導体背面密着フィルムを直径330mmの円盤形に打ち抜き加工した。次に、当該半導体背面密着フィルムの第1フィルム側からPETセパレータを剥離し且つ実施例6のダイシングテープからPETセパレータを剥離した後、当該ダイシングテープの粘着剤層に対し、PETセパレータを伴う半導体背面密着フィルムをその第1フィルム側を介して、ハンドローラーを使用して貼り合わせた。次に、このようにして半導体背面密着フィルムと貼り合わせられたダイシングテープを、ダイシングテープの中心と半導体背面密着フィルムの中心とが一致するように、直径370mmの円盤形に打ち抜き加工した。以上のようにして、ダイシングテープと半導体背面密着フィルムとを含む積層構造を有する実施例6のダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムを作製した。
接着層をなすこととなる第2フィルムの作製においてフィラー(商品名「SO-25R」,株式会社アドマテックス製)の量を258質量部に代えて168質量部としたこと以外は実施例6のダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムと同様にして、実施例7のダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムを作製した。
半導体背面密着フィルムの作製において、エポキシ樹脂E1(商品名「KI-3000-4」,東都化成株式会社製)の量を80質量部に代えて10質量部としたこと、エポキシ樹脂E2(商品名「JER YL980」,三菱化学株式会社製)の量を34質量部に代えて10質量部としたこと、フェノール樹脂(商品名「MEH-7851SS」,明和化成株式会社製)の量を119質量部に代えて22質量部としたこと、フィラー(商品名「SO-25R」,シリカ,平均粒径は0.5μm,株式会社アドマテックス製)の量を250質量部に代えて101質量部としたこと、黒系染料(商品名「OIL BLACK BS」,オリエント化学工業株式会社製)の量を33質量部に代えて9質量部としたこと、および、熱硬化触媒(商品名「キュアゾール 2PHZ-PW」,四国化成工業株式会社製)の量を6質量部に代えて4質量部としたこと、以外は実施例1の半導体背面密着フィルムと同様にして、比較例1の半導体背面密着フィルムを作製した。ダイシングテープ粘着剤層の形成において、架橋剤(商品名「コロネートL」)の量を0.25質量部に代えて5質量部としたこと以外は実施例1のダイシングテープと同様にして、比較例1のダイシングテープを作製した。そして、実施例1の半導体背面密着フィルムとダイシングテープに代えて比較例1の半導体背面密着フィルムとダイシングテープを用いたこと以外は、実施例1のダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムと同様にして、比較例1のダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムを作製した。
半導体背面密着フィルムの作製において、エポキシ樹脂E1(商品名「KI-3000-4」,東都化成株式会社製)の量を80質量部に代えて10質量部としたこと、エポキシ樹脂E2(商品名「JER YL980」,三菱化学株式会社製)の量を34質量部に代えて10質量部としたこと、フェノール樹脂(商品名「MEH-7851SS」,明和化成株式会社製)の量を119質量部に代えて22質量部としたこと、フィラー(商品名「SO-25R」,シリカ,平均粒径は0.5μm,株式会社アドマテックス製)の量を250質量部に代えて101質量部としたこと、黒系染料(商品名「OIL BLACK BS」,オリエント化学工業株式会社製)の量を33質量部に代えて9質量部としたこと、および、熱硬化触媒(商品名「キュアゾール 2PHZ-PW」,四国化成工業株式会社製)の量を6質量部に代えて4質量部としたこと、以外は実施例1のダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムと同様にして、比較例2のダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムを作製した。
半導体背面密着フィルムの作製において、エポキシ樹脂E1(商品名「KI-3000-4」,東都化成株式会社製)の量を80質量部に代えて138質量部としたこと、エポキシ樹脂E2(商品名「JER YL980」,三菱化学株式会社製)の量を34質量部に代えて138質量部としたこと、フェノール樹脂(商品名「MEH-7851SS」,明和化成株式会社製)の量を119質量部に代えて291質量部としたこと、フィラー(商品名「SO-25R」,シリカ,平均粒径は0.5μm,株式会社アドマテックス製)の量を250質量部に代えて471質量部としたこと、黒系染料(商品名「OIL BLACK BS」,オリエント化学工業株式会社製)の量を33質量部に代えて40質量部としたこと、および、熱硬化触媒(商品名「キュアゾール 2PHZ-PW」,四国化成工業株式会社製)の量を6質量部に代えて17質量部としたこと、以外は実施例1のダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムと同様にして、比較例3のダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムを作製した。
第2フィルムの作製においてフィラー(商品名「SO-25R」,株式会社アドマテックス製)の量を258質量部に代えて313質量部としたこと以外は実施例6の半導体背面密着フィルムと同様にして、比較例4の半導体背面密着フィルムを作製した。ダイシングテープ粘着剤層の形成において架橋剤(商品名「コロネートL」)の量を0.25質量部に代えて5質量部としたこと以外は実施例1のダイシングテープと同様にして、比較例4のダイシングテープを作製した。そして、実施例6の半導体背面密着フィルムとダイシングテープに代えて比較例4の半導体背面密着フィルムとダイシングテープを用いたこと以外は実施例6のダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムと同様にして、比較例4のダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムを作製した。
第2フィルムの作製においてフィラー(商品名「SO-25R」,株式会社アドマテックス製)の量を258質量部に代えて78質量部としたこと以外は実施例6の半導体背面密着フィルムと同様にして、比較例5の半導体背面密着フィルムを作製した。そして、実施例6の半導体背面密着フィルムとダイシングテープに代えて比較例5の半導体背面密着フィルムと実施例1のダイシングテープと同様のダイシングテープを用いたこと以外は実施例6のダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムと同様にして、比較例5のダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムを作製した。
実施例1~7および比較例1~5の各ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムについて、25℃でのダイシングテープと半導体背面密着フィルムの間の剥離粘着力を測定した。まず、ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムの半導体背面密着フィルム側にハンドローラーを使用して裏打ちテープ(商品名「BT-315」,日東電工株式会社製)を貼り合わせた。次に、当該裏打ちテープを伴うダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムから、幅20mmおよび長さ200mmのサイズの試験片(第1試験片)を切り出した。次に、この試験片のダイシングテープ側を強粘着力の両面粘着テープを介してシリコンウエハに貼り付けた。そして、当該試験片について、引張試験機(商品名「オートグラフ AGS-J」,株式会社島津製作所製)を使用して、剥離試験を行い、ダイシングテープと半導体背面密着フィルムとの間の第1剥離粘着力F1(N/20mm)を測定した。本測定においては、温度条件を25℃とし、剥離角度を180°とし、引張速度を300mm/分とした。その結果を表1,2に掲げる。
実施例1~7および比較例1~5の各ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムにおける半導体背面密着フィルムのワーク貼着面について、シリコンウエハに対する25℃での剥離粘着力を調べた。まず、ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムにおいてダイシングテープの基材の側から粘着剤層に対して積算照射光量300mJ/cm2の紫外線を照射して粘着剤層を硬化させた後、当該ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムのダイシングテープから半導体背面密着フィルムを剥離した。次に、剥離された半導体背面密着フィルムのダイシングテープ側表面(剥離によって露出した側の面)に裏打ちテープ(商品名「BT-315」,日東電工株式会社製)を貼り合わせた。次に、この貼り合わせ体から、半導体背面密着フィルムと裏打ちテープとの積層構造を有する、幅20mmラ長さ200mmのサイズの試験片(第1の半導体背面密着フィルム試験片)を、切り出した。次に、70℃のホットプレート上に載置された、2000番の研削材によって仕上げられた研磨面(鏡面仕上げ面)を有するシリコンウエハ(直径8インチ,厚さ500μm)について、その表面温度が70℃であることを確認した後、当該シリコンウエハの鏡面仕上げ面に試験片の半導体背面密着フィルム側の面を貼り合わせた。貼り合わせは、2kgのハンドローラーを2往復させる圧着作業によって行った。貼り合わせの後、試験片を伴う当該ウエハを、ホットプレート上で1分間、静置した。そして、当該試験片について、引張試験機(商品名「オートグラフ AGS-J」,株式会社島津製作所製)を使用して、剥離試験を行い、試験片(第1の半導体背面密着フィルム試験片)とシリコンウエハ平面との間の第2剥離粘着力F2(N/20mm)を測定した。本測定においては、温度条件を25℃とし、剥離角度を180°とし、引張速度を300mm/分とした。その結果を表1,2に掲げる。この剥離試験において、裏打ちテープ(商品名「BT-315」)と半導体背面密着フィルムとの界面で剥離が生じた場合については、第2剥離粘着力F2が8N/20mmを超える旨を表内に示す(半導体背面密着フィルムとシリコンウエハの間の剥離粘着力を測定する後記の剥離試験の測定結果に関しても同様である)。
実施例1~7および比較例1~5の各ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムについて、60℃でのダイシングテープと半導体背面密着フィルムの間の剥離粘着力を測定した。具体的には、第1剥離粘着力測定用の試験片と同様にして第3剥離粘着力測定用の試験片(第2試験片)を作成し、当該試験片について、引張試験機(商品名「オートグラフ AGS-J」,株式会社島津製作所製)を使用して、剥離試験を行い、ダイシングテープと半導体背面密着フィルムとの間の第3剥離粘着力F3(N/20mm)を測定した。本測定においては、温度条件を60℃とし、剥離角度を180°とし、引張速度を300mm/分とした。その結果を表1,2に掲げる。
実施例1~7および比較例1~5の各ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムにおける半導体背面密着フィルムのワーク貼着面について、シリコンウエハに対する60℃での剥離粘着力を調べた。具体的には、第2剥離粘着力測定用の試験片と同様にして第3剥離粘着力測定用の試験片(第2の半導体背面密着フィルム試験片)を作成し、剥離試験での測定温度を25℃に代えて60℃としたこと以外は第2剥離粘着力測定に関して上述したのと同様に、シリコンウエハに対する半導体背面密着フィルム試験片の貼り合わせから剥離試験までを行い、試験片とシリコンウエハ平面との間の第4剥離粘着力F4(N/20mm)を測定した。その結果を表1,2に掲げる。
実施例1~7および比較例1~5の各ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムにおける半導体背面密着フィルムの、25℃でのシリコンウエハに対する密着性を調べた。まず、ラミネータを使用して、2000番の研削材によって仕上げられた研磨面(鏡面仕上げ面)を有するシリコンウエハ(直径8インチ,厚さ500μm)の鏡面仕上げ面に、ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムを貼り合わせ、その後、ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルム付きシリコンウエハを、室温環境下で20分間、静置した。貼り合わせにおいて、温度は70℃、貼合わせ速度は10mm/分、圧力は0.15MPaである。次に、ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルム付きシリコンウエハを当該ウエハがホットプレート面に接する態様で25℃のホットプレート上に置き、その30秒後に、ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムにおけるダイシングテープを手でゆっくり引っ張ってウエハから剥がすための剥離作業を行った。この剥離作業では、ダイシングテープの剥離角度は100°~180°の範囲に収まる程度とし、引張速度は1~300mm/分程度である。半導体背面密着フィルムの25℃での対ウエハ密着性について、剥離作業によってダイシングテープと半導体背面密着フィルムの界面で剥離が生じた場合を“良”と評価し、剥離作業によって半導体背面密着フィルムとシリコンウエハの界面で剥離が生じた場合を“不良”と評価した。その評価結果を表1,2に掲げる。
実施例1~7および比較例1~5の各ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムにおける半導体背面密着フィルムの、60℃でのシリコンウエハからの剥離性を調べた。具体的には、ホットプレートの温度を25℃に代えて60℃としたこと以外は、対ウエハの25℃での密着性評価に関して上述したのと同様に、シリコンウエハへのダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムの貼り合わせから剥離作業までを行った。半導体背面密着フィルムの60℃での対ウエハ剥離性について、剥離作業によって半導体背面密着フィルムとシリコンウエハの界面で剥離が生じた場合を“良”と評価し、剥離作業によってダイシングテープと半導体背面密着フィルムの界面で剥離が生じた場合を“不良”と評価した。その評価結果を表1,2に掲げる。
実施例1~7および比較例1~5の各ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムについて、所定の加熱処理を経た後の25℃でのダイシングテープと半導体背面密着フィルムの間の剥離粘着力を測定した。まず、恒温槽内において、ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムを80℃で1時間の加熱処理に付した。次に、20分間の放冷後のダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムの半導体背面密着フィルム側にハンドローラーを使用して裏打ちテープ(商品名「BT-315」,日東電工株式会社製)を貼り合わせた。次に、当該裏打ちテープを伴うダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムから、幅20mmおよび長さ200mmのサイズの試験片(第3試験片)を切り出した。そして、当該試験片について、引張試験機(商品名「オートグラフ AGS-J」,株式会社島津製作所製)を使用して、剥離試験を行い、ダイシングテープと半導体背面密着フィルムとの間の第5剥離粘着力F5(N/20mm)を測定した。本測定においては、温度条件を25℃とし、剥離角度を180°とし、引張速度を300mm/分とした。その結果を表1,2に掲げる。
実施例1~7および比較例1~5の各ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムにおける半導体背面密着フィルムのワーク貼着面について、所定の加熱処理を経た後の25℃でのシリコンウエハに対する剥離粘着力を調べた。まず、ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムにおいてダイシングテープの基材の側から粘着剤層に対して積算照射光量300mJ/cm2の紫外線を照射して粘着剤層を硬化させた後、当該ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムのダイシングテープから半導体背面密着フィルムを剥離した。次に、剥離された半導体背面密着フィルムのダイシングテープ側表面(剥離によって露出した側の面)に裏打ちテープ(商品名「BT-315」,日東電工株式会社製)を貼り合わせた。次に、この貼り合わせ体から、半導体背面密着フィルムと裏打ちテープとの積層構造を有する、幅20mmラ長さ200mmのサイズの試験片(第3の半導体背面密着フィルム試験片)を、切り出した。次に、70℃のホットプレート上に載置された、2000番の研削材によって仕上げられた研磨面(鏡面仕上げ面)を有するシリコンウエハ(直径8インチ,厚さ500μm)についてその表面温度が70℃であることを確認した後、当該シリコンウエハの鏡面仕上げ面に試験片の半導体背面密着フィルム側の面を貼り合わせ、その後、試験片を伴う当該ウエハを、ホットプレート上で1分間、静置した。貼り合わせは、2kgのハンドローラーを2往復させる圧着作業によって行った。次に、恒温槽内において、試験片を伴う当該ウエハを80℃で1時間の加熱処理に付した。そして、20分間の放冷の後、当該試験片について、引張試験機(商品名「オートグラフ AGS-J」,株式会社島津製作所製)を使用して、剥離試験を行い、試験片(第3の半導体背面密着フィルム試験片)とシリコンウエハ平面との間の第6剥離粘着力F6(N/20mm)を測定した。本測定においては、温度条件を25℃とし、剥離角度を180°とし、引張速度を300mm/分とした。その結果を表1,2に掲げる。
実施例1~7および比較例1~5の各ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムについて、所定の加熱処理を経た後の60℃でのダイシングテープと半導体背面密着フィルムの間の剥離粘着力を測定した。具体的には、第5剥離粘着力測定用の試験片と同様にして第3剥離粘着力測定用の試験片(第4試験片)を作成し、当該試験片について、引張試験機(商品名「オートグラフ AGS-J」,株式会社島津製作所製)を使用して、剥離試験を行い、ダイシングテープと半導体背面密着フィルムとの間の第7剥離粘着力F7(N/20mm)を測定した。本測定においては、温度条件を60℃とし、剥離角度を180°とし、引張速度を300mm/分とした。その結果を表1,2に掲げる。
実施例1~7および比較例1~5の各ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムにおける半導体背面密着フィルムのワーク貼着面について、所定の加熱処理を経た後の60℃でのシリコンウエハに対する剥離粘着力を調べた。具体的には、第6剥離粘着力測定用の試験片と同様にして第8剥離粘着力測定用の試験片(第4の半導体背面密着フィルム試験片)を作成し、剥離試験での測定温度を25℃に代えて60℃としたこと以外は第6剥離粘着力測定に関して上述したのと同様に、シリコンウエハに対する半導体背面密着フィルム試験片の貼り合わせから剥離試験までを行い、試験片(第4の半導体背面密着フィルム試験片)とシリコンウエハ平面との間の第8剥離粘着力F8(N/20mm)を測定した。その結果を表1,2に掲げる。
実施例1~7および比較例1~5の各ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムにおける半導体背面密着フィルムについて、所定の加熱処理を経た後の25℃でのシリコンウエハに対する密着性を調べた。まず、ラミネータを使用して、2000番の研削材によって仕上げられた研磨面(鏡面仕上げ面)を有するシリコンウエハ(直径8インチ,厚さ500μm)の鏡面仕上げ面に、ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムを貼り合わせた。この貼り合わせにおいて、温度は70℃、貼合わせ速度は1m/分、圧力は0.15MPaである。次に、恒温槽内において、ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルム付きシリコンウエハを80℃で1時間の加熱処理に付した。その後、ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルム付きシリコンウエハを、室温環境下で20分間、放冷した。次に、ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルム付きシリコンウエハを当該ウエハがホットプレート面に接する態様で25℃のホットプレート上に置き、その30秒後に、ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムにおけるダイシングテープを手でゆっくり引っ張ってウエハから剥がすための剥離作業を行った。この剥離作業では、ダイシングテープの剥離角度は100°~180°の範囲に収まる程度とし、引張速度は1~300mm/分程度である。半導体背面密着フィルムの、加熱処理後の25℃での対ウエハ密着性について、剥離作業によってダイシングテープと半導体背面密着フィルムの界面で剥離が生じた場合を“良”と評価し、剥離作業によって半導体背面密着フィルムとシリコンウエハの界面で剥離が生じた場合を“不良”と評価した。その評価結果を表1,2に掲げる。
実施例1~7および比較例1~5の各ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムにおける半導体背面密着フィルムの、所定の加熱処理を経た後の60℃でのシリコンウエハからの剥離性を調べた。具体的には、ホットプレートの温度を25℃に代えて60℃としたこと以外は、対ウエハの25℃での密着性評価に関して上述したのと同様に、シリコンウエハへのダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルムの貼り合わせから剥離作業までを行った。半導体背面密着フィルムの、加熱処理後の60℃での対ウエハ剥離性について、剥離作業によってダイシングテープと半導体背面密着フィルムの界面で剥離が生じた場合を“良”と評価し、剥離作業によって半導体背面密着フィルムとシリコンウエハの界面で剥離が生じた場合を“不良”と評価した。その評価結果を表1,2に掲げる。
10,10’ フィルム(半導体背面密着フィルム)
11 レーザーマーク層
12 接着層
20 ダイシングテープ
21 基材
22 粘着剤層
W,30 ウエハ
31 チップ
Claims (9)
- 基材と粘着剤層とを含む積層構造を有するダイシングテープと、
前記ダイシングテープにおける前記粘着剤層に剥離可能に密着している半導体背面密着フィルムとを備え、
第1試験片における前記ダイシングテープと前記半導体背面密着フィルムとの間の、25℃、剥離角度180°および引張速度300mm/分の条件での剥離試験で測定される第1剥離粘着力より、シリコンウエハ平面に対して70℃で貼り合わされた第1の半導体背面密着フィルム試験片と前記シリコンウエハ平面との間の、25℃、剥離角度180°および引張速度300mm/分の条件での剥離試験で測定される第2剥離粘着力は、大きく、
第2試験片における前記ダイシングテープと前記半導体背面密着フィルムとの間の、60℃、剥離角度180°および引張速度300mm/分の条件での剥離試験で測定される第3剥離粘着力より、シリコンウエハ平面に対して70℃で貼り合わされた第2の半導体背面密着フィルム試験片と前記シリコンウエハ平面との間の、60℃、剥離角度180°および引張速度300mm/分の条件での剥離試験で測定される第4剥離粘着力は、小さい、ダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルム。 - 前記第1剥離粘着力は0.2~3N/20mmである、請求項1に記載のダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルム。
- 前記第2剥離粘着力は3N/20mm以上である、請求項1または2に記載のダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルム。
- 前記第3剥離粘着力は0.2~3N/20mmである、請求項1から3のいずれか一つに記載のダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルム。
- 前記第4剥離粘着力は0.2N/20mm以下である、請求項1から4のいずれか一つに記載のダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルム。
- 80℃で1時間の加熱処理を経た第3試験片における前記ダイシングテープと前記半導体背面密着フィルムとの間の、25℃、剥離角度180°および引張速度300mm/分の条件での剥離試験で測定される第5剥離粘着力より、シリコンウエハ平面に対する70℃での貼り合わせとその後の80℃で1時間の加熱処理とを経た第3の半導体背面密着フィルム試験片と前記シリコンウエハ平面との間の、25℃、剥離角度180°および引張速度300mm/分の条件での剥離試験で測定される第6剥離粘着力は、大きい、請求項1から5のいずれか一つに記載のダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルム。
- 前記第6剥離粘着力は3N/20mm以上である、請求項6に記載のダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルム。
- 80℃で1時間の加熱処理を経た第4試験片における前記ダイシングテープと前記半導体背面密着フィルムとの間の、60℃、剥離角度180°および引張速度300mm/分の条件での剥離試験で測定される第7剥離粘着力より、シリコンウエハ平面に対する70℃での貼り合わせとその後の80℃で1時間の加熱処理とを経た第4の半導体背面密着フィルム試験片と前記シリコンウエハ平面との間の、60℃、剥離角度180°および引張速度300mm/分の条件での剥離試験で測定される第8剥離粘着力は、大きい、請求項1から7のいずれか一つに記載のダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルム。
- 前記第8剥離粘着力は3N/20mm以上である、請求項8に記載のダイシングテープ一体型半導体背面密着フィルム。
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