JP5744434B2 - 加熱剥離シート一体型半導体裏面用フィルム、半導体素子の回収方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- H01L2224/16238—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
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Description
前記粘着シートが、加熱により前記半導体裏面フィルムとの剥離力が低下する加熱剥離型粘着シートである。
前記半導体ウエハをダイシングして半導体素子を形成する工程と、
前記加熱剥離シート一体型半導体裏面用フィルムを加熱する工程と、
前記半導体素子を前記半導体裏面用フィルムとともに前記加熱剥離シートの粘着剤層から剥離する工程とを具備する。
図1で示されるように、加熱剥離シート一体型半導体裏面用フィルム1は、基材31上に粘着剤層32が設けられた粘着シート3と、粘着剤層32上に設けられたフリップチップ型半導体裏面用フィルム2とを備える構成である。一体型半導体裏面用フィルム1では、粘着シート3として、粘着剤層32と半導体裏面用フィルム2との間の剥離力が加熱により低下する加熱剥離型粘着シート(加熱剥離シート)を採用している。本実施形態に係る一体型半導体裏面用フィルム1では、以下に詳述するように、粘着剤層32が、加熱により膨張する熱膨張性微小球を含有する熱膨張性層32aと、熱膨張性層32a上に形成された非熱膨張性の粘着層32bとを有する。
半導体裏面用フィルム2はフィルム状の形態を有している。半導体裏面用フィルム2は、通常、製品としての加熱剥離シート一体型半導体裏面用フィルムの形態では、未硬化状態(半硬化状態を含む)であり、加熱剥離シート一体型半導体裏面用フィルムを半導体ウエハに貼着させた後に熱硬化される(詳細については後述する)。ここで、半導体裏面用フィルムは単層でもよく複数の層が積層された積層フィルムであってもよい。
<ゲル分率の測定方法>
半導体裏面用フィルムから約0.1gをサンプリングして精秤し(試料の重量)、該サンプルをメッシュ状シートで包んだ後、約50mlのトルエン中に室温で1週間浸漬させる。その後、溶剤不溶分(メッシュ状シートの内容物)をトルエンから取り出し、130℃で約2時間乾燥させ、乾燥後の溶剤不溶分を秤量し(浸漬・乾燥後の重量)、下記式(a)よりゲル分率(重量%)を算出する。
ゲル分率(重量%)=[(浸漬・乾燥後の重量)/(試料の重量)]×100 (a)
本発明におけるコントラストの測定方法は、キーエンス(株)製CV−5000によって加工部および非加工部の明度を算出した後、以下の計算式によって求められる値のことを示している。
コントラスト=(加工部の明度−非加工部の明度)/加工部の明度×100(%)
図1に示したように、当該一体型半導体裏面用フィルムの加熱剥離型の粘着シート3、すなわち加熱剥離シートは、基材31上に粘着剤層32が形成されて構成されている。本実施形態に係る粘着剤層32は、加熱により膨張する熱膨張性微小球を含有する熱膨張性層32aと、この熱膨張性層32a上に形成された非熱膨張性の粘着層32bを有する。
熱膨張性層32aは、加熱により膨張する熱膨張性微小球を含有し、その膨張による凹凸変形を介して粘着層も凹凸変形させ、半導体裏面用フィルム2に対する接着力を低減させるものである。従って、半導体裏面用フィルムと接着した加熱剥離シートを任意な時にその熱膨張性層を加熱処理することで、半導体裏面用フィルムから簡単に剥離することができる。
前記粘着剤層32は粘着剤により形成されており、粘着性を有している。このような粘着剤としては、特に制限されず、公知の粘着剤の中から適宜選択することができる。粘着層を介した半導体裏面用フィルムに対する加熱前の適度な接着力の制御性と加熱による接着力の低減性とのバランスなどの点より好ましい粘着剤は、常温から150℃の温度域における動的弾性率が5万〜1000万dyn/cm2のポリマーをベースポリマーとするものであるが、これに限定されない。
(メタ)アクリル酸(アクリル酸、メタクリル酸)、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー;
無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物基含有モノマー;
(メタ)アクリル酸ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシラウリル、(4−ヒドロキシメチルシクロヘキシル)メチルメタクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー;
スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー;
2−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー;
(メタ)アクリルアミド、N,N−ジメチル(メタ)アクリルアミド、N−ブチル(メタ)アクリルアミド、N−メチロール(メタ)アクリルアミド、N−メチロールプロパン(メタ)アクリルアミドなどの(N−置換)アミド系モノマー;
(メタ)アクリル酸アミノエチル、(メタ)アクリル酸N,N−ジメチルアミノエチル、(メタ)アクリル酸t−ブチルアミノエチルなどの(メタ)アクリル酸アミノアルキル系モノマー;
(メタ)アクリル酸メトキシエチル、(メタ)アクリル酸エトキシエチルなどの(メタ)アクリル酸アルコキシアルキル系モノマー;
アクリロニトリル、メタクリロニトリルなどのシアノアクリレートモノマー;
(メタ)アクリル酸グリシジルなどのエポキシ基含有アクリル系モノマー;
スチレン、α−メチルスチレンなどのスチレン系モノマー;
酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルなどのビニルエステル系モノマー;
イソプレン、ブタジエン、イソブチレンなどのオレフィン系モノマー;
ビニルエーテルなどのビニルエーテル系モノマー;
N−ビニルピロリドン、メチルビニルピロリドン、ビニルピリジン、ビニルピペリドン、ビニルピリミジン、ビニルピペラジン、ビニルピラジン、ビニルピロール、ビニルイミダゾール、ビニルオキサゾール、ビニルモルホリン、N−ビニルカルボン酸アミド類、N−ビニルカプロラクタムなどの窒素含有モノマー;
N−シクロヘキシルマレイミド、N−イソプロピルマレイミド、N−ラウリルマレイミド、N−フェニルマレイミドなどのマレイミド系モノマー;
N−メチルイタコンイミド、N−エチルイタコンイミド、N−ブチルイタコンイミド、N−オクチルイタコンイミド、N−2−エチルヘキシルイタコンイミド、N−シクロヘキシルイタコンイミド、N−ラウリルイタコンイミドなどのイタコンイミド系モノマー;
N−(メタ)アクリロイルオキシメチレンスクシンイミド、N−(メタ)アクルロイル−6−オキシヘキサメチレンスクシンイミド、N−(メタ)アクリロイル−8−オキシオクタメチレンスクシンイミドなどのスクシンイミド系モノマー;
(メタ)アクリル酸ポリエチレングリコール、(メタ)アクリル酸ポリプロピレングリコール、(メタ)アクリル酸メトキシエチレングリコール、(メタ)アクリル酸メトキシポリプロピレングリコールなどのグリコール系アクリルエステルモノマー;
(メタ)アクリル酸テトラヒドロフルフリル、フッ素(メタ)アクリレート、シリコーン(メタ)アクリレートなどの複素環、ハロゲン原子、ケイ素原子などを有するアクリル酸エステル系モノマー;
ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレート、ジビニルベンゼン、ブチルジ(メタ)アクリレート、ヘキシルジ(メタ)アクリレートなどの多官能モノマー等が挙げられる。これらの共重合性単量体成分は1種又は2種以上使用できる。
熱膨張性層に配合する熱膨張性微小球としては、例えば、容易にガス化して熱膨張性を示す物質を殻形成物質からなる殻の内部に内包させたマイクロカプセル等が挙げられる。前記熱膨張性を示す物質としては、例えばイソブタンやプロパン、ペンタンの如く容易にガス化する物質が挙げられる。また、前記殻形成物質としては、例えば塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体やポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスルホンの如き熱溶融性物質、熱膨張で破壊する物質等が挙げられる。熱膨張性物質を殻の内部に内包する方法としては、例えばコアセルベーション法や界面重合法等の方式が挙げられる。
前記熱膨張性層32aの形成に際しては、図例の如く基材31にて熱膨張性層32aを支持した形態としている。かかる支持形態は、熱膨張性層、ひいては粘着層が基材にて支持補強されて加熱剥離型粘着シートの取扱性が向上し、半導体裏面用フィルムへの接着や加熱後の半導体裏面用フィルムからの剥離などを能率的に行える利点などを有している。
本実施形態において熱膨張性層の上に設ける粘着層は、半導体裏面用フィルムへの接着と加熱による接着力の低減処理時に半導体裏面用フィルムに対する汚染物、特にミクロな汚染物が増大することの防止などを目的とする。
(1)重合等で得られたアクリルポリマー等を例えばヘプタン(脂肪族系炭化水素)のような非溶媒又は貧溶媒に入れ攪拌すると、ポリマー中の低分子物がヘプタンに溶解しホリマー中の高分子物が沈殿する。このような作業を繰り返す事により、低分子量の少ないアクリルポリマーが得られる。
(2)通常のラジカル重合では、分子量分布が大きく重合の際に低分子量が出来てしまう。しかしリビングラジカル重合やアニオン重合を行う事で、分子量分布の少ないポリマーが得られるので低分子量の少ないポリマーを得られる。
(3)通常のラジカル重合では、初期に分子量の大きいポリマーが得られ重合の後期になると分子量の小さいもの重合されるので、重合率で80.5%〜97%のポリマーを粘着剤のポリマーとして使用することで、低分子量の少ない粘着剤が得られる。
加熱剥離型粘着シートの接着力を低減するための加熱処理は、例えばホットプレートや熱風乾燥機、近赤外線ランプなどの適宜な加熱手段を介して行うことができる。加熱処理の条件は、半導体裏面用フィルムの表面状態や熱膨張性微粒子の種類等による接着面積の減少性、基材や被着体の耐熱性、熱容量や加熱手段などの条件により適宜に決定することができる。
本実施の形態に係る加熱剥離シート一体型半導体裏面用フィルムの製造方法について、図1に示す加熱剥離シート一体型半導体裏面用フィルム1を例にして説明する。先ず、基材31は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Tダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。
半導体ウエハとしては、公知乃至慣用の半導体ウエハであれば特に制限されず、各種素材の半導体ウエハから適宜選択して用いることができる。本発明では、半導体ウエハとしては、シリコンウエハを好適に用いることができる。
本実施の形態に係る半導体素子の回収方法及び半導体装置の製造方法について、図3を参照しながら以下に説明する。図3は、前記加熱剥離シート一体型半導体裏面用フィルム1を用いた場合の半導体装置の製造方法を示す断面模式図である。
先ず、図3(a)で示されるように、加熱剥離シート一体型半導体裏面用フィルム1の半導体裏面用フィルム2上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離し、当該半導体裏面用フィルム2上に半導体ウエハ4を貼着して、これを接着保持させ固定する(マウント工程)。このとき前記半導体裏面用フィルム2は未硬化状態(半硬化状態を含む)にある。また、加熱剥離シート一体型半導体裏面用フィルム1は、半導体ウエハ4の裏面に貼着される。半導体ウエハ4の裏面とは、回路面とは反対側の面(非回路面、非電極形成面などとも称される)を意味する。貼着方法は特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着は、通常、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行われる。
次に、図3(b)で示されるように、半導体ウエハ4のダイシングを行う。これにより、半導体ウエハ4を所定のサイズに切断して個片化(小片化)し、半導体チップ(半導体素子)5を製造する。ダイシングは、例えば、半導体ウエハ4の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えば、加熱剥離シート一体型半導体裏面用フィルム1まで切込みを行うフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウエハ4は、半導体裏面用フィルムを有する加熱剥離シート一体型半導体裏面用フィルム1により優れた密着性で接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウエハ4の破損も抑制できる。なお、半導体裏面用フィルム2がエポキシ樹脂を含む樹脂組成物により形成されていると、ダイシングにより切断されても、その切断面において半導体裏面用フィルムの接着剤層の糊はみ出しが生じるのを抑制又は防止することができる。その結果、切断面同士が再付着(ブロッキング)することを抑制又は防止することができ、後述のピックアップを一層良好に行うことができる。
次いで、加熱剥離シート一体型半導体裏面用フィルム1における加熱剥離シートと半導体裏面用フィルムとの間の剥離力を低下させるために加熱処理を行う。加熱方法については、加熱剥離シートの説明の項で行っているので、ここでは省略する。
加熱剥離シート一体型半導体裏面用フィルム1に接着固定された半導体チップ5を回収する為に、図3(c)で示されるように、半導体チップ5のピックアップを行って、半導体チップ5を半導体裏面用フィルム2とともに加熱剥離シート3より剥離させる。当該半導体装置の製造方法では、ピックアップ工程に先んじて行われる加熱工程において加熱剥離シートと半導体裏面用フィルムとの間の剥離力が低下しているので、半導体チップ5をスムーズに回収することができる。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ5を加熱剥離シート一体型半導体裏面用フィルム1の基材31側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ5をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。なお、ピックアップされた半導体チップ5は、その裏面が半導体裏面用フィルム2により保護されている。
ピックアップした半導体チップ5は、図3(d)で示されるように、基板等の被着体に、フリップチップボンディング方式(フリップチップ実装方式)により固定させる。具体的には、半導体チップ5を、半導体チップ5の回路面(表面、回路パターン形成面、電極形成面などとも称される)が被着体6と対向する形態で、被着体6に常法に従い固定させる。例えば、半導体チップ5の回路面側に形成されているバンプ51を、被着体6の接続パッドに被着された接合用の導電材(半田など)61に接触させて押圧しながら導電材を溶融させることにより、半導体チップ5と被着体6との電気的導通を確保し、半導体チップ5を被着体6に固定させることができる(フリップチップボンディング工程)。このとき、半導体チップ5と被着体6との間には空隙が形成されており、その空隙間距離は、一般的に30μm〜300μm程度である。尚、半導体チップ5を被着体6上にフリップチップボンディング(フリップチップ接続)した後は、半導体チップ5と被着体6との対向面や間隙を洗浄し、該間隙に封止材(封止樹脂など)を充填させて封止することが重要である。
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー(商品名「パラクロンW−197CM」根上工業株式会社製):100部に対して、エポキシ樹脂(商品名「エピコート1004」JER株式会社製):113部、フェノール樹脂(商品名「ミレックスXLC−4L」三井化学株式会社製):121部、球状シリカ(商品名「SO−25R」株式会社アドマテックス製):246部、染料(商品名「OIL BLACK BS」オリエント化学工業株式会社製):3部をメチルエチルケトンに溶解して、固形分濃度が23.6重量%となる接着剤組成物の溶液を調製した。
(製造例1)
温度計、撹拌機、窒素導入管および還流冷却管を備えた内容量500mlの三つ口フラスコ型反応器内に、アクリル酸n−ブチル50部、アクリル酸2−エチルヘキシル50部、アクリル酸5部、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル0.1部、酢酸エチル200部を全体が200gとなるように配合して投入し、窒素ガスを約1時間導入しながら攪拌し、内部の空気を窒素で置換した。その後、内部の温度を58℃にし、この状態で約4時間保持して重合を行い、アクリル系共重合体Aを得た。
厚さ50μmのPETフィルムの片面に実施例1と同様にして熱膨張性層を形成し、その上に厚さ2μmの汚染防止型で放射線硬化型の粘着層を設けて、加熱剥離型粘着シートを得た。なお、汚染防止型で放射線硬化型の粘着層は、前記アクリル系共重合体Bにウレタンアクリレート100部とイソシアネート系架橋剤を3部と光重合開始剤3部を配合したアクリル系粘着剤をセパレータ上に塗布乾燥して形成し、それを移着することにより設けた。
厚さ50μmのPETフィルムの片面に実施例1と同等の40μmの熱膨張性層を形成し、その上にアクリル重合体C100部にイソシアネート系架橋剤を3部配合し塗布・乾燥させて厚さ3μmの汚染防止型粘着層を設けて、剥離処理したPETフィルム(50μm)でカバーし加熱剥離型粘着シートを得た。
PET基材(50μm)を使用し実施例1と同様にして熱膨張性層を形成し、その上に厚さ5μmの汚染防止型で放射線硬化型の粘着層を設けて、加熱剥離型粘着シートを得た。
熱膨張性層の上に粘着層を設けないほかは実施例1に準じて加熱剥離型粘着シートを得た。
アクリル系粘着剤Aを用い、それに熱膨張性微粒子を配合せずに単なる粘着層を形成し、かつその上に粘着層を設けないほかは実施例1に準じて粘着シートを得た。
(実施例1〜5及び比較例1)
上記半導体裏面用フィルムXを、製造例および比較製造例に示す加熱剥離シートの粘着剤層上に、ラミネーターを用いて貼り合せ、加熱剥離シート一体型半導体裏面用フィルムを作製した。ラミネーターの条件は下記の通りである。
(ラミネーター条件)
ラミネーター装置:LPA330/450
ラミネーター温度:40℃
ラミネート速度:1600mm/min
実施例ならびに比較例で作製した加熱剥離シートを用いた加熱剥離シート一体型半導体裏面用フィルムにウエハをマウントし、その後ダイシングを行い加熱処理した後のピックアップ性を評価し半導体裏面用フィルム付シリコンチップの回収率を求めた(N=20)。なお、実施例2および実施例4については、加熱剥離シート一体型半導体裏面用フィルムにマウントされたウエハをダイシングした後に紫外線照射を行い、さらに加熱処理を行ってからピックアップを行いチップの回収率を評価した。結果を表1に示す。
研削装置:商品名「DFG−8560」ディスコ社製
半導体ウエハ:8インチ径(厚さ0.6mmから0.2mmに裏面研削)
貼り付け装置:商品名「MA−3000III」日東精機株式会社製
貼り付け速度計:10mm/min
貼り付け圧力:0.15MPa
貼り付け時のステージ温度:70℃
ダイシング装置:商品名「DFD−6361」ディスコ社製
ダイシングリング:「2−8−1」(ディスコ社製)
ダイシング速度:30mm/sec
ダイシングブレード:
Z1;ディスコ社製「203O−SE 27HCDD」
Z2;ディスコ社製「203O−SE 27HCBB」
ダイシングブレード回転数:
Z1;40,000rpm
Z2;45,000rpm
カット方式:ステップカット
ウェハチップサイズ:10.0mm角
紫外線(UV)照射装置:高圧水銀灯
紫外線照射積算光量:500mJ/cm2
出力:75W
照射強度150mW/cm2
加熱温度:180℃
加熱時間:30秒
ピックアップ装置:商品名「SPA−300」株式会社新川社製
ピックアップニードル本数:9本
ニードル突き上げ速度:20mm/s
ニードル突き上げ量:500μm
ピックアップ時間:1秒
加熱剥離シート エキスパンド量:3mm
粘着剤層由来の有機物等による半導体裏面用フィルムの汚染度を確認するために、有機物等の付着の程度をX線光電子分光分析(ESCA)により評価した。ただし、半導体裏面用フィルムも有機ポリマー成分で構成されており、直接半導体裏面用フィルム表面を測定しても有機物量の変化を検出することは困難であることに鑑み、半導体裏面用フィルムに代えて半導体ウエハを加熱剥離シートを貼着し、その半導体ウエハ表面への有機物等の付着の度合いにより半導体裏面用フィルムの汚染度の指標とした。
ΔC=表面炭素元素比率C1(%)−表面炭素元素比率C2(%)
C/Si=表面炭素元素比率C1(%)/表面Si元素比率Si(%)
ESCA(XPS)装置:アルバックファイ社製5400
X線源:MgKα 15kV(300W)
加熱後の加熱剥離シートの粘着剤層の表面粗さ(Ra)を、JIS B 0601に基づき、Veeco社製の非接触三次元粗さ測定装置(NT3300)を用いて測定した。測定条件は、50倍とし、測定値は、測定データにMedian filterをかけて求めた。測定は、各加熱剥離シートについて、測定箇所を変更しながら5回行い、その平均値を表面粗さ(Ra)とした。結果を表1に示す。
表1から分かる通り、実施例に係る加熱剥離シート一体型半導体裏面用フィルムでは、チップ回収率が100%であり、良好なピックアップ性を発揮することが示された。一方、熱膨張性微小球を含まない粘着シートで構成された比較例1のフィルムでは、チップ回収率が15%とかなり低い値となった。これは、粘着シートと半導体裏面用フィルムとの間の剥離力が、半導体素子のピックアップには強すぎたことが原因であると考えられる。また、汚染防止用の粘着層が熱膨張性層上に設けられた実施例1〜4に係るフィルムと比較して、粘着層を設けていない実施例5に係るフィルムでは、加熱して熱膨張性微小球が膨張した後のΔC及びC/Si及び加熱剥離シートの表面粗さRaが大きい値となったことから、半導体裏面用フィルムの汚染及び凹凸化の抑制には非膨張性の粘着層を設けることが好ましいことが分かった。さらに、実施例1及び3と比較して、紫外線硬化型の粘着剤層を採用する実施例2及び4では、紫外線照射後の表面粗さRaが若干小さかったことから、半導体裏面用フィルムの平坦性がより求められる場合は、紫外線硬化型の粘着剤層を採用することが好ましいことが示された。
2 半導体裏面用フィルム
3 粘着シート(加熱剥離シート)
31 基材
32 粘着剤層
32a 熱膨張性層
32b 粘着層
33 半導体ウエハの貼着部分に対応する部分
4 半導体ウエハ
5 半導体チップ
51 半導体チップ5の回路面側に形成されているバンプ
6 被着体
61 被着体6の接続パッドに被着された接合用の導電材
Claims (9)
- 基材層及び粘着剤層を有する粘着シートと、この粘着シートの粘着剤層上に形成された半導体裏面用フィルムとを備え、
前記裏面用フィルムは、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを含む樹脂組成物により構成されており、
前記粘着シートが、加熱により前記半導体裏面フィルムとの剥離力が低下する加熱剥離型粘着シートであることを特徴とする加熱剥離シート一体型のフリップチップ型半導体裏面保護用フィルム。 - 前記粘着剤層として、加熱により膨張する熱膨張性微小球を含有する熱膨張性層を有することを特徴とする請求項1に記載のフリップチップ型半導体裏面保護用フィルム。
- 前記粘着剤層として、前記熱膨張性層上に形成された非熱膨張性の粘着層を前記半導体裏面用フィルムとの間にさらに有することを特徴とする請求項2に記載のフリップチップ型半導体裏面保護用フィルム。
- 前記熱膨張性微小球の加熱膨張の開始温度が100℃以上であることを特徴とする請求項2又は3に記載のフリップチップ型半導体裏面保護用フィルム。
- 前記熱膨張性微小球の体積膨張率が5倍以上である請求項2〜4のいずれか1項に記載のフリップチップ型半導体裏面保護用フィルム。
- 前記粘着シートが、前記基材層と前記熱膨張性層との間にゴム状有機弾性層をさらに有する請求項2〜5のいずれか1項に記載のフリップチップ型半導体裏面保護用フィルム。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載のフリップチップ型半導体裏面保護用フィルムにおける半導体裏面用フィルム上に半導体ウエハを貼着する工程と、
前記半導体ウエハをダイシングして半導体素子を形成する工程と、
前記加熱剥離シート一体型半導体裏面用フィルムを加熱する工程と、
前記半導体素子を前記半導体裏面用フィルムとともに前記加熱剥離シートの粘着剤層から剥離する工程とを具備する半導体素子の回収方法。 - 請求項7に記載の半導体素子の回収方法により回収した半導体素子を被着体上にフ
リップチップ接続する工程を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1〜6のいずれか1項に記載のフリップチップ型半導体裏面保護用フィルムを用いた半導体装置の製造方法であって、
前記フリップチップ型半導体裏面保護用フィルムにおける半導体裏面用フィルム上に半導体ウエハを貼着する工程と、
前記半導体ウエハをダイシングして半導体素子を形成する工程と、
前記半導体素子を前記半導体裏面用フィルムとともに、加熱処理を行い加熱剥離シートから剥離する工程と、
前記半導体素子を前記被着体上にフリップチップ接続する工程とを具備する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010170919A JP5744434B2 (ja) | 2010-07-29 | 2010-07-29 | 加熱剥離シート一体型半導体裏面用フィルム、半導体素子の回収方法、及び半導体装置の製造方法 |
US13/190,664 US8652938B2 (en) | 2010-07-29 | 2011-07-26 | Thermally releasable sheet-integrated film for semiconductor back surface, method of collecting semiconductor element, and method of producing semiconductor device |
TW104142855A TWI542474B (zh) | 2010-07-29 | 2011-07-28 | 結合有熱脫離片之半導體背面保護膜、收集半導體元件之方法及半導體裝置之製造方法 |
TW100126857A TWI522245B (zh) | 2010-07-29 | 2011-07-28 | 半導體裝置之製造方法 |
CN201110217053.5A CN102373022B (zh) | 2010-07-29 | 2011-07-29 | 半导体背面用加热剥离片集成膜、半导体元件的收集方法和半导体器件的生产方法 |
KR20110075607A KR20120022588A (ko) | 2010-07-29 | 2011-07-29 | 가열 박리 시트 일체형 반도체 이면용 필름, 반도체 소자의 회수 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR1020170079975A KR101829585B1 (ko) | 2010-07-29 | 2017-06-23 | 가열 박리 시트 일체형 반도체 이면용 필름, 반도체 소자의 회수 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010170919A JP5744434B2 (ja) | 2010-07-29 | 2010-07-29 | 加熱剥離シート一体型半導体裏面用フィルム、半導体素子の回収方法、及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012033636A JP2012033636A (ja) | 2012-02-16 |
JP5744434B2 true JP5744434B2 (ja) | 2015-07-08 |
Family
ID=45527164
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010170919A Active JP5744434B2 (ja) | 2010-07-29 | 2010-07-29 | 加熱剥離シート一体型半導体裏面用フィルム、半導体素子の回収方法、及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8652938B2 (ja) |
JP (1) | JP5744434B2 (ja) |
KR (2) | KR20120022588A (ja) |
CN (1) | CN102373022B (ja) |
TW (2) | TWI522245B (ja) |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130160931A1 (en) * | 2011-12-21 | 2013-06-27 | Francesco Sportelli | Method of providing an air passage in a tire |
JP5591859B2 (ja) * | 2012-03-23 | 2014-09-17 | 株式会社東芝 | 基板の分離方法及び分離装置 |
JP5921927B2 (ja) * | 2012-03-27 | 2016-05-24 | 日東電工株式会社 | 加熱剥離型粘着シート |
JP6000668B2 (ja) * | 2012-06-07 | 2016-10-05 | 日東電工株式会社 | 半導体素子のマーキング方法、半導体装置の製造方法、及び半導体装置 |
JP6170290B2 (ja) * | 2012-10-11 | 2017-07-26 | 日東電工株式会社 | 積層体 |
JP6211771B2 (ja) * | 2013-02-08 | 2017-10-11 | 日東電工株式会社 | 粘着テープ |
JP6180139B2 (ja) * | 2013-03-11 | 2017-08-16 | リンテック株式会社 | 保護膜形成用複合シートおよび保護膜形成用フィルム付チップの製造方法 |
WO2014142151A1 (ja) * | 2013-03-13 | 2014-09-18 | リンテック株式会社 | 保護膜形成用複合シート、保護膜形成用複合シートの製造方法および保護膜付チップの製造方法 |
PT2980835T (pt) * | 2013-03-27 | 2021-01-27 | Lintec Corp | Folha compósita para formar película protetora |
JP5778721B2 (ja) * | 2013-07-19 | 2015-09-16 | 日東電工株式会社 | 熱剥離型粘着テープ及び電子部品の切断方法 |
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JP6530242B2 (ja) * | 2015-06-01 | 2019-06-12 | 日東電工株式会社 | 半導体裏面用フィルム及びその用途 |
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JP6813565B2 (ja) * | 2015-07-22 | 2021-01-13 | サン ケミカル コーポレイション | プリント回路基板用インク |
CN108026430B (zh) * | 2015-09-30 | 2020-09-01 | 味之素株式会社 | 密封用树脂组合物 |
JP6577341B2 (ja) * | 2015-11-13 | 2019-09-18 | 日東電工株式会社 | 積層体および半導体装置の製造方法 |
JP2017088782A (ja) * | 2015-11-13 | 2017-05-25 | 日東電工株式会社 | 積層体および合同体・組み合わせの回収方法・半導体装置の製造方法 |
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BR112018070012B1 (pt) | 2016-03-29 | 2022-11-29 | Essilor International | Elemento óptico laminado funcionalizado com resistência ao desbaste melhorada |
WO2017166116A1 (zh) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 宁德新能源科技有限公司 | 结构胶纸及其制备方法 |
JP6745136B2 (ja) * | 2016-05-16 | 2020-08-26 | 株式会社アルバック | 電子部品の製造方法および処理システム |
JP2018010964A (ja) * | 2016-07-13 | 2018-01-18 | 株式会社村田製作所 | 回路モジュールの製造方法および成膜装置 |
JP7331362B2 (ja) | 2017-07-24 | 2023-08-23 | 東レ株式会社 | フィルム |
JP7373267B2 (ja) * | 2018-03-29 | 2023-11-02 | リンテック株式会社 | 個片体の製造方法 |
JP7373268B2 (ja) * | 2018-03-29 | 2023-11-02 | リンテック株式会社 | 個片体形成装置および個片体形成方法 |
CN111886309B (zh) * | 2018-03-30 | 2022-06-10 | 琳得科株式会社 | 固化密封体的防翘曲用层叠体、以及固化密封体的制造方法 |
JP7402601B2 (ja) * | 2018-05-09 | 2023-12-21 | リンテック株式会社 | 個片体形成装置および個片体形成方法 |
JP7190270B2 (ja) * | 2018-06-27 | 2022-12-15 | リンテック株式会社 | シート貼付方法 |
JP7190271B2 (ja) * | 2018-06-27 | 2022-12-15 | リンテック株式会社 | シート貼付装置およびシート貼付方法 |
JP7190272B2 (ja) * | 2018-06-27 | 2022-12-15 | リンテック株式会社 | シート貼付装置およびシート貼付方法 |
JP6897642B2 (ja) * | 2018-08-31 | 2021-07-07 | カシオ計算機株式会社 | 熱膨張性シート、熱膨張性シートの製造方法、造形物及び造形物の製造方法 |
WO2020070790A1 (ja) * | 2018-10-02 | 2020-04-09 | リンテック株式会社 | 積層体及び硬化封止体の製造方法 |
JP7407714B2 (ja) | 2018-12-04 | 2024-01-04 | 古河電気工業株式会社 | リフロー対応ダイシングテープ |
JP7289688B2 (ja) * | 2019-03-26 | 2023-06-12 | 日東電工株式会社 | 接着フィルム付きダイシングテープ |
WO2020196758A1 (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | リンテック株式会社 | 粘着シート、粘着シートの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
JP7269095B2 (ja) * | 2019-05-29 | 2023-05-08 | 古河電気工業株式会社 | ガラス加工用テープ |
JP7333211B2 (ja) * | 2019-06-21 | 2023-08-24 | リンテック株式会社 | 保護膜形成用複合シート、及び保護膜付き半導体チップの製造方法 |
KR102321518B1 (ko) * | 2021-02-08 | 2021-11-04 | (주)라이타이저 | 감광성 수지를 이용한 led칩 전사 장치 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3594853B2 (ja) | 1999-11-08 | 2004-12-02 | 日東電工株式会社 | 加熱剥離型粘着シート |
JP2001226650A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-21 | Nitto Denko Corp | 放射線硬化型熱剥離性粘着シート、及びこれを用いた切断片の製造方法 |
JP4651799B2 (ja) * | 2000-10-18 | 2011-03-16 | 日東電工株式会社 | エネルギー線硬化型熱剥離性粘着シート、及びこれを用いた切断片の製造方法 |
JP2004063551A (ja) | 2002-07-25 | 2004-02-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体素子表面保護用フィルム及び半導体素子ユニット |
DE10235482B3 (de) | 2002-08-02 | 2004-01-22 | Süss Microtec Lithography Gmbh | Vorrichtung zum Fixieren dünner und flexibler Substrate |
JP4341343B2 (ja) | 2002-10-04 | 2009-10-07 | 日立化成工業株式会社 | 表面保護フィルム及びその製造方法 |
JP4364508B2 (ja) | 2002-12-27 | 2009-11-18 | リンテック株式会社 | チップ裏面用保護膜形成用シートおよび保護膜付きチップの製造方法 |
JP2004221169A (ja) | 2003-01-10 | 2004-08-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体素子保護材、及び半導体装置 |
JP2005179496A (ja) | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Nitto Denko Corp | 加熱剥離型粘着シート |
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JP4865312B2 (ja) | 2005-12-05 | 2012-02-01 | 古河電気工業株式会社 | チップ用保護膜形成用シート |
JP2007250970A (ja) | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体素子裏面保護用フィルム及びそれを用いた半導体装置とその製造法 |
JP4846406B2 (ja) | 2006-03-28 | 2011-12-28 | リンテック株式会社 | チップ用保護膜形成用シート |
JP2008006386A (ja) | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Furukawa Electric Co Ltd:The | チップ用保護膜形成用シートによる保護膜形成方法。 |
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JP4849993B2 (ja) | 2006-08-14 | 2012-01-11 | 日東電工株式会社 | 粘着シート、その製造方法および積層セラミックシートの切断方法 |
JP2008166451A (ja) | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Furukawa Electric Co Ltd:The | チップ保護用フィルム |
JP5196838B2 (ja) * | 2007-04-17 | 2013-05-15 | リンテック株式会社 | 接着剤付きチップの製造方法 |
JP2009130320A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | チップ保護用フィルム |
JP2010031183A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | エネルギー線硬化型チップ保護用フィルム |
JP2010129700A (ja) | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Nitto Denko Corp | ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法 |
JP4728380B2 (ja) | 2008-11-26 | 2011-07-20 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法 |
JP4810565B2 (ja) * | 2008-11-26 | 2011-11-09 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法 |
JP5456440B2 (ja) * | 2009-01-30 | 2014-03-26 | 日東電工株式会社 | ダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルム |
CN101924056A (zh) | 2009-06-15 | 2010-12-22 | 日东电工株式会社 | 半导体背面用切割带集成膜 |
JP5456642B2 (ja) * | 2009-12-24 | 2014-04-02 | 日東電工株式会社 | フリップチップ型半導体裏面用フィルム |
JP5641641B2 (ja) * | 2010-07-29 | 2014-12-17 | 日東電工株式会社 | ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム及び半導体装置の製造方法 |
-
2010
- 2010-07-29 JP JP2010170919A patent/JP5744434B2/ja active Active
-
2011
- 2011-07-26 US US13/190,664 patent/US8652938B2/en active Active
- 2011-07-28 TW TW100126857A patent/TWI522245B/zh active
- 2011-07-28 TW TW104142855A patent/TWI542474B/zh active
- 2011-07-29 CN CN201110217053.5A patent/CN102373022B/zh active Active
- 2011-07-29 KR KR20110075607A patent/KR20120022588A/ko active Search and Examination
-
2017
- 2017-06-23 KR KR1020170079975A patent/KR101829585B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201609421A (zh) | 2016-03-16 |
US20120028442A1 (en) | 2012-02-02 |
KR20120022588A (ko) | 2012-03-12 |
TWI522245B (zh) | 2016-02-21 |
KR20170077095A (ko) | 2017-07-05 |
TW201213140A (en) | 2012-04-01 |
US8652938B2 (en) | 2014-02-18 |
CN102373022A (zh) | 2012-03-14 |
TWI542474B (zh) | 2016-07-21 |
KR101829585B1 (ko) | 2018-02-14 |
JP2012033636A (ja) | 2012-02-16 |
CN102373022B (zh) | 2015-05-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121126 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131107 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131113 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140107 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140603 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20140903 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20141114 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150430 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |