JP2014123743A - ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム - Google Patents

Abstract

【課題】半導体素子のピックアップの際の良好な剥離性を維持しつつ、ダイシングの際のチップ飛びやチッピングの発生、切削水が粘着剤層とフリップチップ型半導体裏面用フィルムとの間に進入するのを防止することが可能なダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面を保護するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルム２と、ダイシングテープ３とを備えるダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムであって、ダイシングテープは、基材３１上に少なくとも粘着剤層３２が設けられた構造であり、フリップチップ型半導体裏面用フィルムは粘着剤層上に設けられており、粘着剤層は、放射線の照射により、フリップチップ型半導体裏面用フィルムに対する粘着力が低下する放射線硬化型である。
【選択図】図１

Description

本発明は、フリップチップ型半導体裏面用フィルムを備えたダイシングテープ一体型半
導体裏面用フィルムに関する。フリップチップ型半導体裏面用フィルムは、半導体チップ
等の半導体素子の裏面の保護と、強度向上等のために用いられる。また本発明は、ダイシ
ングテープ一体型半導体裏面用フィルムを用いた半導体装置の製造方法及びフリップチッ
プ実装の半導体装置に関する。

近年、半導体装置及びそのパッケージの薄型化、小型化がより一層求められている。そ
のため、半導体装置及びそのパッケージとして、半導体チップ等の半導体素子が基板上に
フリップチップボンディングにより実装された（フリップチップ接続された）フリップチ
ップ型の半導体装置が広く利用されている。当該フリップチップ接続は半導体チップの回
路面が基板の電極形成面と対向する形態で固定されるものである。このような半導体装置
等では、半導体チップの裏面を保護フィルムにより保護し、半導体チップの損傷等を防止
している場合がある。

特開２００８−１６６４５１号公報 特開２００８−００６３８６号公報 特開２００７−２６１０３５号公報 特開２００７−２５０９７０号公報 特開２００７−１５８０２６号公報 特開２００４−２２１１６９号公報 特開２００４−２１４２８８号公報 特開２００４−１４２４３０号公報 特開２００４−０７２１０８号公報 特開２００４−０６３５５１号公報

しかしながら、前記保護フィルムにより半導体チップの裏面を保護するためには、ダイ
シング工程で得られた半導体チップに対し、その裏面に保護フィルムを貼り付けるための
新たな工程を追加する必要がある。その結果、工程数が増え、製造コスト等が増加するこ
とになる。そこで、本願発明者らは、製造コストの低減を図るため、ダイシングテープ一
体型の半導体裏面用フィルムを開発した。このダイシングテープ一体型半導体裏面用フィ
ルムは、基材上に粘着剤層を有するダイシングテープと、前記ダイシングテープの粘着剤
層上に設けられたフリップチップ型半導体裏面用フィルムとを有する構造である。半導体
装置の製造に際して、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムは、次の通りに用い
られる。先ず、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムに於けるフリップチップ型
半導体裏面用フィルム上に半導体ウエハを貼着する。次に、この半導体ウエハをダイシン
グして半導体素子を形成する。続いて、半導体素子を前記フリップチップ型半導体裏面用
フィルムと共に、ダイシングテープの粘着剤層から剥離してピックアップした後、半導体
素子を基板等の被着体上にフリップチップ接続させる。これにより、フリップチップ型の
半導体装置が得られる。しかし、前記に記載のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィ
ルムであると、粘着剤層とフリップチップ型半導体裏面用フィルムの密着性が高い場合に
は、半導体素子のピックアップが困難になる場合がある。

この半導体素子のピックアップ性に関し、本願発明者らは、放射線硬化型の粘着剤層で
あって、放射線照射により予め硬化させたものを備えたダイシングテープ一体型半導体裏
面用フィルムを更に開発した。当該ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムである
と、半導体素子のピックアップの際に、放射線照射を行わなくても、粘着剤層とフリップ
チップ型半導体裏面用フィルムの間で良好な剥離性を示すので、ピックアップ性が改善さ
れ、更に、放射線の照射工程も不要なため、半導体装置を製造するための製造工程数の低
減が図れ、製造コストの削減が図れる。

しかし、前記に記載のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムであると、粘着剤
層が予め放射線硬化されていることから、粘着剤層とフリップチップ型半導体裏面用フィ
ルムとの間の密着性が低い。その為、例えば、半導体ウェハのダイシングの際に、半導体
素子のチップ飛びやチッピングが発生するという問題がある。また、ダイシングの際に用
いられる切削水が粘着剤層とフリップチップ型半導体裏面用フィルムとの間に進入すると
いう問題もある。

本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、半導体素子のピックアッ
プの際の良好な剥離性を維持しつつ、半導体ウェハのダイシングの際の半導体素子のチッ
プ飛びやチッピングの発生、ダイシングの際に用いる切削水が粘着剤層とフリップチップ
型半導体裏面用フィルムとの間に進入するのを防止することが可能なダイシングテープ一
体型半導体裏面用フィルム及び半導体装置の製造方法を提供することにある。

本願発明者等は、上記従来の問題点を解決すべく検討した結果、下記構成を採用するこ
とにより、前記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させるに至った。

即ち、本発明に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムは、被着体上にフリ
ップチップ接続された半導体素子の裏面を保護するためのフリップチップ型半導体裏面用
フィルムと、ダイシングテープとを備えるダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム
であって、前記ダイシングテープは、基材上に少なくとも粘着剤層が設けられた構造であ
り、前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムは前記粘着剤層上に設けられており、前
記粘着剤層は、放射線の照射により、フリップチップ型半導体裏面用フィルムに対する粘
着力が低下する放射線硬化型であることを特徴とする。

前記構成に於いては、粘着剤層とフリップチップ型半導体裏面用フィルムの間の密着性
が良好であるので、例えば、半導体ウェハのダイシングの際に半導体素子のチップ飛びや
チッピングが発生するのを防止することができる。ここで、ダイシングの際には、例えば
、ダイシングブレード等を高速で回転させて半導体ウェハを切断するが、冷却、切り屑の
飛散防止のために切削部分に切削水を噴射して行うことが一般的である。本発明に於いて
は、粘着剤層とフリップチップ型半導体裏面用フィルムの間の密着性が良好であるため、
両者の間に切削水が進入するのを防止することができる。更に、前記構成に於いては、粘
着剤層として放射線照射型のものを用いるので、例えば、半導体素子のピックアップの直
前に放射線照射を行えば、フリップチップ型半導体裏面用フィルムに対する粘着力の低減
が図れる。これにより、フリップチップ型半導体裏面用フィルムと共に半導体素子をピッ
クアップする際に、糊残りを発生させることなく良好にピックアップすることができる。
尚、前記半導体素子の裏面とは、回路が形成された面（回路面）とは反対側の面（非回路
面）を意味する。

前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムは着色剤が添加されたものであることが好
ましい。これにより、フリップチップ型半導体裏面用フィルムは優れたマーキング性及び
外観性を発揮する機能を有することができる。その結果、例えば、半導体素子、又は半導
体素子が用いられた半導体装置の非回路面側の面に、フリップチップ型半導体裏面用フィ
ルムを介して、印刷方法やレーザーマーキング方法などの各種マーキング方法を利用する
ことにより、マーキングを施し、文字情報や図形情報などの各種情報を付与させることが
できる。また、フリップチップ型半導体裏面用フィルムと、ダイシングテープとの区別が
容易になるので、作業性等を向上させることができる。

また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記に記載のダイシングテープ一体型半
導体裏面用フィルムを用いた半導体装置の製造方法であって、前記ダイシングテープ一体
型半導体裏面用フィルムに於けるフリップチップ型半導体裏面用フィルム上に半導体ウェ
ハを貼着する工程と、前記半導体ウェハをダイシングして半導体素子を形成する工程と、
前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムにおける前記粘着剤層に対し、前記基
材側から放射線を照射する工程と、前記半導体素子を前記フリップチップ型半導体裏面用
フィルムと共に、ダイシングテープの粘着剤層から剥離する工程と、前記半導体素子を前
記被着体上にフリップチップ接続させる工程とを具備することを特徴とする。

前記方法に於いては、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムに於けるフリップ
チップ型半導体裏面用フィルム上に半導体ウエハを貼着させ、半導体ウェハの裏面を保護
した状態で半導体ウェハのダイシングを行う。このとき、粘着剤層は放射線照射等により
予め硬化されたものではないため、フリップチップ型半導体裏面用フィルムとの間の密着
性が良好な状態になっている。従って、半導体素子のチップ飛びやチッピングが発生する
のを防止することができる。また、ダイシングの際には、冷却、切り屑の飛散防止のため
に切削水を噴射して行うが、前記方法に於いては、粘着剤層とフリップチップ型半導体裏
面用フィルムの間の密着性が良好であるため、両者の間に切削水が進入するのを防止しな
がらダイシングを行うことができる。

また、前記方法に於いては、基材側から粘着剤層に対し放射線を照射することで、フリ
ップチップ型半導体裏面用フィルムに対する粘着力を低減させる。これにより、半導体素
子をフリップチップ型半導体裏面用フィルムと共に、ダイシングテープの粘着剤層から、
糊残りを発生させることなく、容易にピックアップさせることができる。即ち、前記の製
造方法であると、ダイシング工程の際には半導体素子のチップ飛びやチッピング、粘着剤
層とフリップチップ型半導体裏面用フィルムの間への切削水の進入を防止すると共に、ピ
ックアップ工程の際には半導体素子を良好にピックアップさせることが可能になる。

また、本発明に係るフリップチップ型半導体装置は、前記に記載の半導体装置の製造方
法により製造されたものであることを特徴とする。

本発明によれば、基材上に粘着剤層を有するダイシングテープと、該粘着剤層上に設け
られたフリップチップ型半導体裏面用フィルムとを有するダイシングテープ一体型半導体
裏面用フィルムにおいて、当該粘着剤層として放射線照射によりフリップチップ型半導体
裏面用フィルムに対する粘着力が低下する放射線硬化型のものを採用するので、ピックア
ップの前に（特にピックアップの際に）当該粘着剤層に放射線を照射することで、半導体
素子のピックアップを良好に行うことができる。また、放射線を照射しない状態では、粘
着剤層とフリップチップ型半導体裏面用フィルムの間の密着性は良好であるため、半導体
ウェハのダイシングの際には半導体素子のチップ飛びやチッピングが発生するのを防止す
ることができる。更に、ダイシングの際には、冷却、切り屑の飛散防止のために切削水を
噴射して行われるが、当該切削水が粘着剤層とフリップチップ型半導体裏面用フィルムの
間に進入するのも防止することができる。即ち、本発明の構成であると、ダイシング時の
半導体素子のチップ飛びやチッピング、粘着剤層とフリップチップ型半導体裏面用フィル
ムの間への切削水の進入を防止しつつ、ピックアップ時には良好な剥離性を示すことが可
能なダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを提供することができる。

本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの一例を示す断面模式図である。 本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの他の例を示す断面模式図である。 本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを用いた半導体装置の製造方法の一例を示す断面模式図である。

本発明の実施の一形態について、図１及び図２を参照しながら説明するが、本発明はこ
れらの例に限定されない。図１は、本実施の形態に係るダイシングテープ一体型半導体裏
面用フィルムの一例を示す断面模式図である。図２は、本実施の形態に係るダイシングテ
ープ一体型半導体裏面用フィルムの他の例を示す断面模式図である。なお、本明細書にお
いて、図には、説明に不要な部分は省略し、また、説明を容易にするために拡大又は縮小
等して図示した部分がある。

（ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム）
図１で示されるように、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、基材３１
上に粘着剤層３２が設けられたダイシングテープ３と、前記粘着剤層３２上に設けられた
フリップチップ型半導体裏面用フィルム（以下、「半導体裏面用フィルム」という場合が
ある）２とを備える構成である。前記半導体裏面用フィルム２は、半導体ウエハ貼着部分
に対応する部分３２ａ上にのみ設けられている。また、本発明は、図２で示されるように
、粘着剤層３２の全面に半導体裏面用フィルム１２が設けられた構成のダイシングテープ
一体型半導体裏面用フィルム１１であってもよい。なお、半導体裏面用フィルム２の表面
（ウエハの裏面に貼着される側の表面）は、ウエハ裏面に貼着されるまでの間、セパレー
タ等により保護されていてもよい。

（フリップチップ型半導体裏面用フィルム）
半導体裏面用フィルム２、１２はフィルム状の形態を有している。半導体裏面用フィル
ム２、１２は、通常、製品としてのダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの形態
では、未硬化状態（半硬化状態を含む）であり、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フ
ィルムを半導体ウエハに貼着させた後に熱硬化される（詳細については後述する）。

本実施の形態に係る半導体裏面用フィルム２、１２は樹脂組成物により形成することが
でき、熱硬化性樹脂成分と、熱可塑性樹脂成分とを含む樹脂組成物により形成されている
ことが好ましい。また、半導体裏面用フィルム２、１２は、熱硬化性樹脂成分が用いられ
ていない熱可塑性樹脂組成物で構成されていてもよく、熱可塑性樹脂成分が用いられてい
ない熱硬化性樹脂組成物で構成されていてもよい。

前記熱可塑性樹脂成分としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、ク
ロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチ
レン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可
塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ
樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＢＴ（ポリブチレンテ
レフタレート）等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が
挙げられる。熱可塑性樹脂成分は単独で又は２種以上を併用して用いることができる。こ
れらの熱可塑性樹脂成分のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信
頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。

前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下（好ましく
は炭素数４〜１８、更に好ましくは炭素数６〜１０、特に好ましくは炭素数８又は９）の
直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又
は２種以上を成分とする重合体等が挙げられる。すなわち、本発明では、アクリル樹脂と
は、メタクリル樹脂も含む広義の意味である。前記アルキル基としては、例えば、メチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル
基、ペンチル基、イソペンチル基、へキシル基、ヘプチル基、２−エチルヘキシル基、オ
クチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデ
シル基、ドデシル基（ラウリル基）、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オ
クタデシル基等が挙げられる。

また、前記アクリル樹脂を形成するための他のモノマー（アルキル基の炭素数が３０以
下のアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステル以外のモノマー）としては、特に限
定されるものではなく、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレ
ート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸若しくはク
ロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸
等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリ
ル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アク
リル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）
アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若し
くは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシ
ル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミ
ド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スル
ホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホ
ン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフ
ェート等の様な燐酸基含有モノマーなどが挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸とはアク
リル酸及び／又はメタクリル酸をいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。

また、前記熱硬化性樹脂成分としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂の他、アミノ樹
脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド
樹脂等が挙げられる。熱硬化性樹脂成分は、単独で又は２種以上併用して用いることがで
きる。熱硬化性樹脂成分としては、特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等含有
が少ないエポキシ樹脂が好適である。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹
脂を好適に用いることができる。

エポキシ樹脂としては、特に限定は無く、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、
ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノ
ールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エ
ポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオンレン型エ
ポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン
型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型エポ
キシ樹脂、トリスグリシジルイソシアヌレート型エポキシ樹脂若しくはグリシジルアミン
型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を用いることができる。

エポキシ樹脂としては、前記例示のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポ
キシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン
型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹
脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。

更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、
例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック
樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等
のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等
のポリオキシスチレン等が挙げられる。フェノール樹脂は単独で又は２種以上を併用して
用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノ
ールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができる
からである。

エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポ
キシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５当量〜２．０当量になるように配
合することが好適である。より好適なのは、０．８当量〜１．２当量である。即ち、両者
の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性
が劣化し易くなるからである。

本発明では、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の熱硬化促進触媒が用いられていても良い
。熱硬化促進触媒としては、特に制限されず、公知の熱硬化促進触媒の中から適宜選択し
て用いることができる。熱硬化促進触媒は単独で又は２種以上を組み合わせて用いること
ができる。熱硬化促進触媒としては、例えば、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、
イミダゾール系硬化促進剤、ホウ素系硬化促進剤、リン−ホウ素系硬化促進剤などを用い
ることができる。

前記半導体裏面用フィルムとしては、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂を含む樹脂組成
物や、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂を含む樹脂組成物により形成され
ていることが好適である。これらの樹脂は、イオン性不純物が少なく耐熱性が高いので、
半導体素子の信頼性を確保できる。この場合の配合比は、特に制限されないが、例えば、
アクリル樹脂が含まれている場合、アクリル樹脂成分１００重量部に対して、エポキシ樹
脂とフェノール樹脂の混合量が１０重量部〜２００重量部の範囲から適宜選択することが
できる。

半導体裏面用フィルム２、１２は、半導体ウエハの裏面（回路非形成面）に対して接着
性（密着性）を有していることが重要である。半導体裏面用フィルム２、１２は、例えば
、熱硬化性樹脂成分としてのエポキシ樹脂を含む樹脂組成物により形成することができる
。半導体裏面用フィルム２、１２を予めある程度架橋させておく場合には、作製に際し、
重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておく
ことができる。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることが
できる。

前記架橋剤としては、特に制限されず、公知の架橋剤を用いることができる。具体的に
は、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物
系架橋剤の他、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属
塩系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、ア
ミン系架橋剤などが挙げられる。架橋剤としては、イソシアネート系架橋剤やエポキシ系
架橋剤が好適である。また、前記架橋剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用すること
ができる。

前記イソシアネート系架橋剤としては、例えば、１，２−エチレンジイソシアネート、
１，４−ブチレンジイソシアネート、１，６−ヘキサメチレンジイソシアネートなどの低
級脂肪族ポリイソシアネート類；シクロペンチレンジイソシアネート、シクロへキシレン
ジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、水素添加トリレンジイソシアネ−ト、
水素添加キシレンジイソシアネ−トなどの脂環族ポリイソシアネート類；２，４−トリレ
ンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタン
ジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートなどの芳香族ポリイソシアネート類など
が挙げられ、その他、トリメチロールプロパン／トリレンジイソシアネート３量体付加物
［日本ポリウレタン工業（株）製、商品名「コロネートＬ」］、トリメチロールプロパン
／ヘキサメチレンジイソシアネート３量体付加物［日本ポリウレタン工業（株）製、商品
名「コロネートＨＬ」］なども用いられる。また、前記エポキシ系架橋剤としては、例え
ば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、ジグリシジルアニ
リン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−グリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，６−ヘキ
サンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、エ
チレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、
ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジル
エーテル、ソルビトールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル
、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエー
テル、ソルビタンポリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンポリグリシジルエー
テル、アジピン酸ジグリシジルエステル、ｏ−フタル酸ジグリシジルエステル、トリグリ
シジル−トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレート、レゾルシンジグリシジルエ
ーテル、ビスフェノール−Ｓ−ジグリシジルエーテルの他、分子内にエポキシ基を２つ以
上有するエポキシ系樹脂などが挙げられる。

なお、架橋剤の使用量は、特に制限されず、架橋させる程度に応じて適宜選択すること
ができる。具体的には、架橋剤の使用量としては、例えば、ポリマー成分（特に、分子鎖
末端の官能基を有する重合体）１００重量部に対し、通常７重量部以下（例えば、０．０
５重量部〜７重量部）とするのが好ましい。架橋剤の使用量がポリマー成分１００重量部
に対して７重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。なお、凝集力向上の
観点からは、架橋剤の使用量はポリマー成分１００重量部に対して０．０５重量部以上で
あることが好ましい。

なお、本発明では、架橋剤を用いる代わりに、あるいは、架橋剤を用いるとともに、電
子線や紫外線などの照射により架橋処理を施すことも可能である。

前記半導体裏面用フィルム２、１２は着色されていることが好ましい。これにより、優
れたマーキング性及び外観性を発揮させることができ、付加価値のある外観の半導体装置
とすることが可能になる。このように、着色された半導体裏面用フィルム２、１２は、優
れたマーキング性を有しているので、半導体素子又は該半導体素子が用いられた半導体装
置の非回路面側の面に、半導体裏面用フィルム２、１２を介して、印刷方法やレーザーマ
ーキング方法などの各種マーキング方法を利用することにより、マーキングを施し、文字
情報や図形情報などの各種情報を付与させることができる。特に、着色の色をコントロー
ルすることにより、マーキングにより付与された情報（文字情報、図形情報など）を、優
れた視認性で視認することが可能になる。また、半導体裏面用フィルムは着色されている
ので、ダイシングテープと、半導体裏面用フィルムとを、容易に区別することができ、作
業性等を向上させることができる。更に、例えば半導体装置として、製品別に色分けする
ことも可能である。半導体裏面用フィルム２、１２を有色にする場合（無色・透明ではな
い場合）、着色により呈している色としては特に制限されないが、例えば、黒色、青色、
赤色などの濃色であることが好ましく、特に黒色であることが好適である。

本実施の形態において、濃色とは、基本的には、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系で規定されるＬ^*が、
６０以下（０〜６０）［好ましくは５０以下（０〜５０）、さらに好ましくは４０以下（
０〜４０）］となる濃い色のことを意味している。

また、黒色とは、基本的には、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系で規定されるＬ^*が、３５以下（０〜３
５）［好ましくは３０以下（０〜３０）、さらに好ましくは２５以下（０〜２５）］とな
る黒色系色のことを意味している。なお、黒色において、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系で規定される
ａ^*やｂ^*は、それぞれ、Ｌ^*の値に応じて適宜選択することができる。ａ^*やｂ^*としては
、例えば、両方とも、−１０〜１０であることが好ましく、より好ましくは−５〜５であ
り、特に−３〜３の範囲（中でも０又はほぼ０）であることが好適である。

なお、本実施の形態において、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系で規定されるＬ^*、ａ^*、ｂ^*は、色彩色
差計（商品名「ＣＲ−２００」ミノルタ社製；色彩色差計）を用いて測定することにより
求められる。なお、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系は、国際照明委員会（ＣＩＥ）が１９７６年に推奨
した色空間であり、ＣＩＥ１９７６（Ｌ^*ａ^*ｂ^*）表色系と称される色空間のことを意味
している。また、Ｌ^*ａ^*ｂ^*表色系は、日本工業規格では、ＪＩＳ Ｚ ８７２９に規定さ
れている。

半導体裏面用フィルム２、１２を着色する際には、目的とする色に応じて、色材（着色
剤）を用いることができる。このような色材としては、黒系色材、青系色材、赤系色材な
どの各種濃色系色材を好適に用いることができ、特に黒系色材が好適である。色材として
は、顔料、染料などいずれであってもよい。色材は単独で又は２種以上を組み合わせて用
いることができる。なお、染料としては、酸性染料、反応染料、直接染料、分散染料、カ
チオン染料等のいずれの形態の染料であっても用いることが可能である。また、顔料も、
その形態は特に制限されず、公知の顔料から適宜選択して用いることができる。

特に、色材として染料を用いると、半導体裏面用フィルム２、１２中には、染料が溶解
により均一又はほぼ均一に分散した状態となるため、着色濃度が均一又はほぼ均一な半導
体裏面用フィルム（ひいてはダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム）を容易に製
造することができる。そのため、色材として染料を用いると、ダイシングテープ一体型半
導体裏面用フィルム１における半導体裏面用フィルム２、１２は、着色濃度を均一又はほ
ぼ均一とすることができ、マーキング性や外観性を向上させることができる。

黒系色材としては、特に制限されないが、例えば、無機の黒系顔料、黒系染料から適宜
選択することができる。また、黒系色材としては、シアン系色材（青緑系色材）、マゼン
ダ系色材（赤紫系色材）およびイエロー系色材（黄系色材）が混合された色材混合物であ
ってもよい。黒系色材は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。もちろ
ん、黒系色材は、黒以外の色の色材と併用することもできる。

具体的には、黒系色材としては、例えば、カーボンブラック（ファーネスブラック、チ
ャンネルブラック、アセチレンブラック、サーマルブラック、ランプブラックなど）、グ
ラファイト（黒鉛）、酸化銅、二酸化マンガン、アゾ系顔料（アゾメチンアゾブラックな
ど）、アニリンブラック、ペリレンブラック、チタンブラック、シアニンブラック、活性
炭、フェライト（非磁性フェライト、磁性フェライトなど）、マグネタイト、酸化クロム
、酸化鉄、二硫化モリブデン、クロム錯体、複合酸化物系黒色色素、アントラキノン系有
機黒色色素などが挙げられる。

本発明では、黒系色材としては、Ｃ．Ｉ．ソルベントブラック３、同７、同２２、同２
７、同２９、同３４、同４３、同７０、Ｃ．Ｉ．ダイレクトブラック１７、同１９、同２
２、同３２、同３８、同５１、同７１、Ｃ．Ｉ．アシッドブラック１、同２、同２４、同
２６、同３１、同４８、同５２、同１０７、同１０９、同１１０、同１１９、同１５４Ｃ
．Ｉ．ディスパーズブラック１、同３、同１０、同２４等のブラック系染料；Ｃ．Ｉ．ピ
グメントブラック１、同７等のブラック系顔料なども利用することができる。

このような黒系色材としては、例えば、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ＢＹ」、商品名「
ＯｉｌＢｌａｃｋ ＢＳ」、商品名「ＯｉｌＢｌａｃｋ ＨＢＢ」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌ
ａｃｋ ８０３」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ８６０」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ
５９７０」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ５９０６」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ５９
０５」（オリエント化学工業株式会社製）などが市販されている。

黒系色材以外の色材としては、例えば、シアン系色材、マゼンダ系色材、イエロー系色
材などが挙げられる。シアン系色材としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントブルー２５、
同３６、同６０、同７０、同９３、同９５；Ｃ．Ｉ．アシッドブルー６、同４５等のシア
ン系染料；Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１、同２、同３、同１５、同１５：１、同１５：２
、同１５：３、同１５：４、同１５：５、同１５：６、同１６、同１７、同１７：１、同
１８、同２２、同２５、同５６、同６０、同６３、同６５、同６６；Ｃ．Ｉ．バットブル
ー４；同６０、Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン７等のシアン系顔料などが挙げられる。

また、マゼンダ系色材において、マゼンダ系染料としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベン
トレッド１、同３、同８、同２３、同２４、同２５、同２７、同３０、同４９、同５２、
同５８、同６３、同８１、同８２、同８３、同８４、同１００、同１０９、同１１１、同
１２１、同１２２；Ｃ．Ｉ．ディスパースレッド９；Ｃ．Ｉ．ソルベントバイオレット８
、同１３、同１４、同２１、同２７；Ｃ．Ｉ．ディスパースバイオレット１；Ｃ．Ｉ．ベ
ーシックレッド１、同２、同９、同１２、同１３、同１４、同１５、同１７、同１８、同
２２、同２３、同２４、同２７、同２９、同３２、同３４、同３５、同３６、同３７、同
３８、同３９、同４０；Ｃ．Ｉ．ベーシックバイオレット１、同３、同７、同１０、同１
４、同１５、同２１、同２５、同２６、同２７、２８などが挙げられる。

マゼンダ系色材において、マゼンダ系顔料としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッ
ド１、同２、同３、同４、同５、同６、同７、同８、同９、同１０、同１１、同１２、同
１３、同１４、同１５、同１６、同１７、同１８、同１９、同２１、同２２、同２３、同
３０、同３１、同３２、同３７、同３８、同３９、同４０、同４１、同４２、同４８：１
、同４８：２、同４８：３、同４８：４、同４９、同４９：１、同５０、同５１、同５２
、同５２：２、同５３：１、同５４、同５５、同５６、同５７：１、同５８、同６０、同
６０：１、同６３、同６３：１、同６３：２、同６４、同６４：１、同６７、同６８、同
８１、同８３、同８７、同８８、同８９、同９０、同９２、同１０１、同１０４、同１０
５、同１０６、同１０８、同１１２、同１１４、同１２２、同１２３、同１３９、同１４
４、同１４６、同１４７、同１４９、同１５０、同１５１、同１６３、同１６６、同１６
８、同１７０、同１７１、同１７２、同１７５、同１７６、同１７７、同１７８、同１７
９、同１８４、同１８５、同１８７、同１９０、同１９３、同２０２、同２０６、同２０
７、同２０９、同２１９、同２２２、同２２４、同２３８、同２４５；Ｃ．Ｉ．ピグメン
トバイオレット３、同９、同１９、同２３、同３１、同３２、同３３、同３６、同３８、
同４３、同５０；Ｃ．Ｉ．バットレッド１、同２、同１０、同１３、同１５、同２３、同
２９、同３５などが挙げられる。

また、イエロー系色材としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントイエロー１９、同４４、
同７７、同７９、同８１、同８２、同９３、同９８、同１０３、同１０４、同１１２、同
１６２等のイエロー系染料；Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ３１、同４３；Ｃ．Ｉ．ピグメ
ントイエロー１、同２、同３、同４、同５、同６、同７、同１０、同１１、同１２、同１
３、同１４、同１５、同１６、同１７、同２３、同２４、同３４、同３５、同３７、同４
２、同５３、同５５、同６５、同７３、同７４、同７５、同８１、同８３、同９３、同９
４、同９５、同９７、同９８、同１００、同１０１、同１０４、同１０８、同１０９、同
１１０、同１１３、同１１４、同１１６、同１１７、同１２０、同１２８、同１２９、同
１３３、同１３８、同１３９、同１４７、同１５０、同１５１、同１５３、同１５４、同
１５５、同１５６、同１６７、同１７２、同１７３、同１８０、同１８５、同１９５；Ｃ
．Ｉ．バットイエロー１、同３、同２０等のイエロー系顔料などが挙げられる。

シアン系色材、マゼンダ系色材、イエロー系色材などの各種色材は、それぞれ、単独で
又は２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、シアン系色材、マゼンダ系色材
、イエロー系色材などの各種色材を２種以上用いる場合、これらの色材の混合割合（また
は配合割合）としては、特に制限されず、各色材の種類や目的とする色などに応じて適宜
選択することができる。

半導体裏面用フィルム２、１２を着色させる場合、その着色形態は特に制限されない。
例えば、半導体裏面用フィルムは、着色剤が添加された単層のフィルム状物であってもよ
い。また、少なくとも熱硬化性樹脂成分により形成された樹脂層と、着色剤層とが少なく
とも積層された積層フィルムであってもよい。なお、半導体裏面用フィルム２、１２が樹
脂層と着色剤層との積層フィルムである場合、積層形態の半導体裏面用フィルム２、１２
としては、樹脂層／着色剤層／樹脂層の積層形態を有していることが好ましい。この場合
、着色剤層の両側の２つの樹脂層は、同一の組成の樹脂層であってもよく、異なる組成の
樹脂層であってもよい。

半導体裏面用フィルム２、１２には、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することが
できる。他の添加剤としては、例えば、充填剤（フィラー）、難燃剤、シランカップリン
グ剤、イオントラップ剤の他、増量剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤などが挙げ
られる。

前記充填剤としては、無機充填剤、有機充填剤のいずれであってもよいが、無機充填剤
が好適である。無機充填剤等の充填剤の配合により、半導体裏面用フィルムに導電性の付
与や熱伝導性の向上、弾性率の調節等を図ることができる。なお、半導体裏面用フィルム
２、１２としては導電性であっても、非導電性であってもよい。前記無機充填剤としては
、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化
ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケ
ル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田などの金属、又は合金類、その他カーボン
などからなる種々の無機粉末などが挙げられる。充填剤は単独で又は２種以上を併用して
用いることができる。充填剤としては、なかでも、シリカ、特に溶融シリカが好適である
。なお、無機充填剤の平均粒径は０．１μｍ〜８０μｍの範囲内であることが好ましい。
無機充填剤の平均粒径は、例えば、レーザー回折型粒度分布測定装置によって測定するこ
とができる。

前記充填剤（特に無機充填剤）の配合量は、有機樹脂成分１００重量部に対して８０重
量部以下（０重量部〜８０重量部）であることが好ましく、特に０重量部〜７０重量部で
あることが好適である。

また、前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エ
ポキシ樹脂等が挙げられる。難燃剤は、単独で、又は２種以上を併用して用いることがで
きる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキ
シル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−
グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。シランカップリング剤は
、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、
例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。イオントラップ剤は、単
独で又は２種以上を併用して用いることができる。

半導体裏面用フィルム２、１２は、例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂成分と、必
要に応じてアクリル樹脂等の熱可塑性樹脂成分と、必要に応じて溶媒やその他の添加剤な
どとを混合して樹脂組成物を調製し、フィルム状の層に形成する慣用の方法を利用し形成
することができる。具体的には、例えば、前記樹脂組成物を、ダイシングテープの粘着剤
層３２上に塗布する方法、適当なセパレータ（剥離紙など）上に前記樹脂組成物を塗布し
て樹脂層（又は接着剤層）を形成し、これを粘着剤層３２上に転写（移着）する方法など
により、半導体裏面用フィルムとしてのフィルム状の層（接着剤層）を形成することがで
きる。なお、前記樹脂組成物は、溶液であっても分散液であってもよい。

なお、半導体裏面用フィルム２、１２が、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂成分を含む樹
脂組成物により形成されている場合、半導体裏面用フィルム２、１２は、半導体ウエハに
適用する前の段階では、熱硬化性樹脂成分が未硬化又は部分硬化の状態である。この場合
、半導体ウエハに適用後に（具体的には、通常、フリップチップボンディング工程で封止
材をキュアする際に）、半導体裏面用フィルム２、１２中の熱硬化性樹脂成分を完全に又
はほぼ完全に硬化させる。

このように、半導体裏面用フィルム２、１２は、熱硬化性樹脂成分を含んでいても、該
熱硬化性樹脂成分は未硬化又は部分硬化の状態であるため、半導体裏面用フィルムのゲル
分率としては、特に制限されないが、例えば、５０重量％以下（０重量％〜５０重量％）
の範囲より適宜選択することができ、好ましくは３０重量％以下（０重量％〜３０重量％
）であり、特に１０重量％以下（０重量％〜１０重量％）であることが好適である。半導
体裏面用フィルム２、１２のゲル分率の測定方法は、以下の測定方法により測定すること
ができる。

＜ゲル分率の測定方法＞
半導体裏面用フィルム２、１２から約０．１ｇをサンプリングして精秤し（試料の重量
）、該サンプルをメッシュ状シートで包んだ後、約５０ｍｌのトルエン中に室温で１週間
浸漬させた。その後、溶剤不溶分（メッシュ状シートの内容物）をトルエンから取り出し
、１３０℃で約２時間乾燥させ、乾燥後の溶剤不溶分を秤量し（浸漬・乾燥後の重量）、
下記式（ａ）よりゲル分率（重量％）を算出する。
ゲル分率（重量％）＝［（浸漬・乾燥後の重量）／（試料の重量）］×１００ （ａ）

なお、半導体裏面用フィルム２、１２のゲル分率は、樹脂成分の種類やその含有量、架
橋剤の種類やその含有量の他、加熱温度や加熱時間などによりコントロールすることがで
きる。

本発明において、半導体裏面用フィルム２、１２は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂成
分を含む樹脂組成物により形成されたフィルム状物である場合、半導体ウエハに対する密
着性を有効に発揮することができる。

尚、半導体ウエハのダイシング工程では切削水を使用することから、半導体裏面用フィ
ルム２、１２が吸湿して、常態以上の含水率になる場合がある。この様な高含水率のまま
、フリップチップボンディングを行うと、半導体裏面用フィルム２、１２と半導体ウエハ
又はその加工体（半導体）との接着界面に水蒸気が溜まり、浮きが発生する場合がある。
従って、半導体裏面用フィルム２、１２としては、透湿性の高いコア材料を両面に設けた
構成とすることにより、水蒸気が拡散して、かかる問題を回避することが可能となる。か
かる観点から、コア材料の片面又は両面に半導体裏面用フィルム２、１２を形成した多層
構造を半導体裏面用フィルムとして用いてもよい。前記コア材料としては、フィルム（例
えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム
、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプ
ラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、シリコン基板又はガラス基板等が挙げられ
る。

半導体裏面用フィルム２、１２の厚さ（積層フィルムの場合は総厚）は特に限定されな
いが、例えば、２μｍ〜２００μｍ程度の範囲から適宜選択することができる。更に、前
記厚さは４μｍ〜１６０μｍ程度が好ましく、６μｍ〜１００μｍ程度がより好ましく、
１０μｍ〜８０μｍ程度が特に好ましい。

前記半導体裏面用フィルム２、１２の未硬化状態における２３℃での引張貯蔵弾性率は
１ＧＰａ以上（例えば、１ＧＰａ〜５０ＧＰａ）であることが好ましく、より好ましくは
２ＧＰａ以上であり、特に３ＧＰａ以上であることが好適である。前記引張貯蔵弾性率が
１ＧＰａ以上であると、半導体チップを半導体裏面用フィルム２、１２と共に、ダイシン
グテープの粘着剤層３２から剥離させた後、半導体裏面用フィルム２、１２を支持体上に
載置して、輸送等を行った際に、半導体裏面用フィルムが支持体に貼着するのを有効に抑
制又は防止することができる。尚、前記支持体は、例えば、キャリアテープにおけるトッ
プテープやボトムテープなどをいう。なお、半導体裏面用フィルムが熱硬化性樹脂成分を
含む樹脂組成物により形成されている場合、前述のように、熱硬化性樹脂成分は、通常、
未硬化又は部分硬化の状態であるので、半導体裏面用フィルムの２３℃における引張貯蔵
弾性率は、通常、熱硬化性樹脂成分が未硬化状態又は部分硬化状態での２３℃における引
張貯蔵弾性率となる。

ここで、半導体裏面用フィルム２、１２は単層でもよく複数の層が積層された積層フィ
ルムであってもよいが、積層フィルムの場合、前記引張貯蔵弾性率は積層フィルム全体と
して１ＧＰａ以上（例えば、１ＧＰａ〜５０ＧＰａ）であればよい。また、半導体裏面用
フィルムの未硬化状態における前記引張貯蔵弾性率（２３℃）は、樹脂成分（熱可塑性樹
脂、熱硬化性樹脂）の種類やその含有量、シリカフィラー等の充填材の種類やその含有量
を適宜設定することなどによりコントロールすることができる。なお、半導体裏面用フィ
ルム２、１２が複数の層が積層された積層フィルムである場合（半導体裏面用フィルムが
積層の形態を有している場合）、その積層形態としては、例えば、ウエハ接着層とレーザ
ーマーク層とからなる積層形態などを例示することができる。また、このようなウエハ接
着層とレーザーマーク層との間には、他の層（中間層、光線遮断層、補強層、着色層、基
材層、電磁波遮断層、熱伝導層、粘着層など）が設けられていてもよい。なお、ウエハ接
着層はウエハに対して優れた密着性（接着性）を発揮する層であり、ウエハの裏面と接触
する層である。一方、レーザーマーク層は優れたレーザーマーキング性を発揮する層であ
り、半導体チップの裏面にレーザーマーキングを行う際に利用される層である。

尚、前記引張貯蔵弾性率は、ダイシングテープ３に積層させずに、未硬化状態の半導体
裏面用フィルム２、１２を作製し、レオメトリック社製の動的粘弾性測定装置「Ｓｏｌｉ
ｄ Ａｎａｌｙｚｅｒ ＲＳ Ａ２」を用いて、引張モードにて、サンプル幅：１０ｍｍ
、サンプル長さ：２２．５ｍｍ、サンプル厚さ：０．２ｍｍで、周波数：１Ｈｚ、昇温速
度：１０℃／分、窒素雰囲気下、所定の温度（２３℃）にて測定して、得られた引張貯蔵
弾性率の値とした。

図１に示すダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１において、半導体裏面用フ
ィルム２の半導体ウエハに対する粘着力は、粘着剤層３２の前記部分３２ａに対する粘着
力（後述する）よりも大きくなるように設計するのが好ましい。半導体ウエハに対する粘
着力はその種類に応じて適宜に設定されるものであるが、ダイシング時、ピックアップ時
及びダイボンド時の信頼性、並びにピックアップ性の点から、０．５Ｎ／２０ｍｍ〜１５
Ｎ／２０ｍｍの範囲内が好ましく、０．７Ｎ／２０ｍｍ〜１０Ｎ／２０ｍｍの範囲内がよ
り好ましい。また、半導体裏面用フィルム２の前記部分３２ａに対する粘着力は、０．０
２Ｎ／２０ｍｍ〜１０Ｎ／２０ｍｍの範囲内が好ましく、０．０５Ｎ／２０ｍｍ〜５Ｎ／
２０ｍｍの範囲内がより好ましい。尚、前記粘着力は、常温（２３℃）、剥離角度１８０
度、剥離速度３００ｍｍ／分の条件下で測定した値である。

図２に示すダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１１において、半導体ウエハ
貼着部分１２ａの半導体ウエハに対する粘着力は、粘着剤層３２の部分３２ａに対する粘
着力（後述する）よりも大きくなるように設計するのが好ましい。半導体ウエハに対する
粘着力はその種類に応じて適宜に設定されるものであるが、ダイシング時、ピックアップ
時及びダイボンド時の信頼性、並びにピックアップ性の点から、前記と同様、０．５Ｎ／
２０ｍｍ〜１５Ｎ／２０ｍｍの範囲内が好ましく、０．７Ｎ／２０ｍｍ〜１０Ｎ／２０ｍ
ｍの範囲内がより好ましい。また、前記半導体ウエハ貼着部分１２ａの前記部分３２ａに
対する粘着力は、０．０２Ｎ／２０ｍｍ〜１０Ｎ／２０ｍｍの範囲内が好ましく、０．０
５Ｎ／２０ｍｍ〜５Ｎ／２０ｍｍの範囲内がより好ましい。また、前記半導体ウエハ貼着
部分１２ａ以外の他の部分１２ｂの、前記部分３２ａ以外の他の部分３２ｂに対する粘着
力は、０．５０Ｎ／２０ｍｍ〜２０Ｎ／２０ｍｍの範囲内が好ましく０．７０Ｎ／２０ｍ
ｍ〜１５Ｎ／２０ｍｍの範囲内がより好ましい。尚、前記粘着力は、常温（２３℃）、剥
離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／分の条件下で測定した値である。

前記半導体裏面用フィルム２、１２は、セパレータ（剥離ライナー）により保護されて
いることが好ましい（図示せず）。セパレータは、実用に供するまで半導体裏面用フィル
ムを保護する保護材としての機能を有している。また、セパレータは、更に、ダイシング
テープの基材上の粘着剤層３２に半導体裏面用フィルム２、１２を転写する際の支持基材
として用いることができる。セパレータはダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム
１の半導体裏面用フィルム上に半導体ウエハを貼着する際に剥がされる。セパレータとし
ては、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系
剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルム（ポリエチレンテレフタ
レートなど）や紙等も使用可能である。なお、セパレータは従来公知の方法により形成す
ることができる。また、セパレータの厚さ等も特に制限されない。

半導体裏面用フィルム２、１２は、少なくとも一方の面に剥離層を有するセパレータに
より保護されていてもよい。

また、半導体裏面用フィルム２、１２における可視光（波長：４００ｎｍ〜８００ｎｍ
）の光線透過率（可視光透過率）は、特に制限されないが、例えば、２０％以下（０％〜
２０％）の範囲であることが好ましく、より好ましくは１０％以下（０％〜１０％）、特
に好ましくは５％以下（０％〜５％）である。半導体裏面用フィルム２、１２は、可視光
透過率が２０％より大きいと、光線通過により、半導体素子に悪影響を及ぼす恐れがある
。また、前記可視光透過率（％）は、半導体裏面用フィルム２、１２の樹脂成分の種類や
その含有量、着色剤（顔料や染料など）の種類やその含有量、無機充填材の含有量などに
よりコントロールすることができる。

半導体裏面用フィルム２、１２の可視光透過率（％）は、次の通りにして測定すること
ができる。即ち、厚さ（平均厚さ）２０μｍの半導体裏面用フィルム２、１２単体を作製
する。次に、半導体裏面用フィルム２、１２に対し、波長：４００ｎｍ〜８００ｎｍの可
視光線［装置：島津製作所製の可視光発生装置（商品名「ＡＢＳＯＲＰＴＩＯＮ ＳＰＥ
ＣＴＲＯ ＰＨＯＴＯＭＥＴＲ」）］を所定の強度で照射し、透過した可視光線の強度を
測定する。更に、可視光線が半導体裏面用フィルム２、１２を透過する前後の強度変化よ
り、可視光透過率の値を求めることができる。尚、２０μｍの厚さでない半導体裏面用フ
ィルム２、１２の可視光透過率（％；波長：４００ｎｍ〜８００ｎｍ）の値により、厚さ
：２０μｍの半導体裏面用フィルム２、１２の可視光透過率（％；波長：４００ｎｍ〜８
００ｎｍ）を導き出すことも可能である。また、本発明では、厚さ２０μｍの半導体裏面
用フィルム２、１２の場合における可視光透過率（％）を求めているが、本発明に係る半
導体裏面用フィルムは厚さ２０μｍのものに限定される趣旨ではない。

また、半導体裏面用フィルム２、１２としては、その吸湿率が低い方が好ましい。具体
的には、前記吸湿率は１重量％以下が好ましく、より好ましくは０．８重量％以下である
。前記吸湿率を１重量％以下にすることにより、レーザーマーキング性を向上させること
ができる。また、例えば、リフロー工程に於いて、半導体裏面用フィルム２、１２と半導
体素子との間でボイドの発生などを抑制又は防止することもできる。尚、前記吸湿率は、
半導体裏面用フィルム２、１２を、温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨの雰囲気下で１６８
時間放置する前後の重量変化により算出した値である。半導体裏面用フィルム２、１２が
熱硬化性樹脂成分を含む樹脂組成物により形成されている場合、前記吸湿率は、熱硬化後
の半導体裏面用フィルムに対し、温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨの雰囲気下で１６８時
間放置したときの値を意味する。また、前記吸湿率は、例えば、無機フィラーの添加量を
変化させることにより調整することができる。

また、半導体裏面用フィルム２、１２としては、揮発分の割合が少ない方が好ましい。
具体的には、加熱処理後の半導体裏面用フィルム２、１２の重量減少率（重量減少量の割
合）が１重量％以下が好ましく、０．８重量％以下がより好ましい。加熱処理の条件は、
例えば、加熱温度２５０℃、加熱時間１時間である。前記重量減少率を１重量％以下にす
ることにより、レーザーマーキング性を向上させることができる。また、例えば、リフロ
ー工程に於いて、フリップチップ型の半導体装置にクラックが発生するのを抑制又は防止
することができる。前記重量減少率は、例えば、鉛フリーハンダリフロー時のクラック発
生を減少させ得る無機物を添加することにより、調整することができる。なお、半導体裏
面用フィルム２、１２が熱硬化性樹脂成分を含む樹脂組成物により形成されている場合、
前記重量減少率は、熱硬化後の半導体裏面用フィルムに対し、加熱温度２５０℃、加熱時
間１時間の条件下で加熱したときの値を意味する。

（ダイシングテープ）
前記ダイシングテープ３は、基材３１上に粘着剤層３２が形成されて構成されている。
このように、ダイシングテープ３は、基材３１と、粘着剤層３２とが積層された構成を有
していればよい。基材（支持基材）３１は粘着剤層等の支持母体として用いることができ
る。前記基材３１は放射線透過性を有していることが好ましい。前記基材３１としては、
例えば、紙などの紙系基材；布、不織布、フェルト、ネットなどの繊維系基材；金属箔、
金属板などの金属系基材；プラスチックのフィルムやシートなどのプラスチック系基材；
ゴムシートなどのゴム系基材；発泡シートなどの発泡体や、これらの積層体［特に、プラ
スチック系基材と他の基材との積層体や、プラスチックフィルム（又はシート）同士の積
層体など］等の適宜な薄葉体を用いることができる。本発明では、基材としては、プラス
チックのフィルムやシートなどのプラスチック系基材を好適に用いることができる。この
ようなプラスチック材における素材としては、例えば、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロ
ピレン（ＰＰ）、エチレン−プロピレン共重合体等のオレフィン系樹脂；エチレン−酢酸
ビニル共重合体（ＥＶＡ）、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体
、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体等のエチレンをモ
ノマー成分とする共重合体；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフ
タレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等のポリエステル；アクリ
ル系樹脂；ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）；ポリウレタン；ポリカーボネート；ポリフェニレ
ンスルフィド（ＰＰＳ）；ポリアミド（ナイロン）、全芳香族ポリアミド（アラミド）等
のアミド系樹脂；ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）；ポリイミド；ポリエーテル
イミド；ポリ塩化ビニリデン；ＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合
体）；セルロース系樹脂；シリコーン樹脂；フッ素樹脂などが挙げられる。

また基材３１の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラ
スチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施
したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダ
イシング後にその基材３１を熱収縮させることにより粘着剤層３２と半導体裏面用フィル
ム２、１２との接着面積を低下させて、半導体チップの回収の容易化を図ることができる
。

基材３１の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例
えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化
学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施
すことができる。

前記基材３１は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応
じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、基材３１には、帯電防止能を
付与する為、前記の基材３１上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが３０〜５
００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材３１は単層あるいは２種以
上の複層でもよい。

基材３１の厚さ（積層体の場合は総厚）は特に制限されず、強度や柔軟性、使用目的な
どに応じて適宜に選択でき、例えば、一般的には１０００μｍ以下（例えば、１μｍ〜１
０００μｍ）、好ましくは１０μｍ〜５００μｍ、さらに好ましくは２０μｍ〜３００μ
ｍ、特に３０μｍ〜２００μｍ程度であるが、これらに限定されない。

なお、基材３１には、本発明の効果等を損なわない範囲で、各種添加剤（着色剤、充填
剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤、難燃剤など）が含まれていてもよい
。

前記粘着剤層３２は少なくとも放射線硬化型粘着剤により形成されており、放射線の照
射により半導体裏面用フィルム２、１２に対する粘着力の低減が図れる。ピックアップの
際に硬化させる部分は粘着剤層３２の全領域である必要はない。半導体裏面用フィルム２
、又は半導体裏面用フィルム１２における半導体ウエハの貼着部分１２ａに対応する部分
３２ａを少なくとも硬化させればよい（図１及び図２参照）。図１に示すダイシングテー
プ一体型半導体裏面用フィルム１の場合、粘着剤層３２に於ける他の部分３２ｂにはダイ
シングリング３５を固定することができる。ダイシングリング３５は、例えばステンレス
製などの金属からなるものや樹脂製のものを使用できる。

ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１、１１において、半導体裏面用フィル
ム２、１２に対する粘着剤層３２の粘着力は、ウエハの固定保持力の観点からは、０．０
２Ｎ／２０ｍｍ〜１０Ｎ／２０ｍｍの範囲内が好ましく、０．０５Ｎ／２０ｍｍ〜５Ｎ／
２０ｍｍの範囲内がより好ましい。前記粘着力が０．０２Ｎ／２０ｍｍ未満であると、半
導体素子の接着固定が不十分となるため、ダイシングの際にチップ飛びやチッピングが発
生する場合がある。また、粘着剤層３２と半導体裏面用フィルム２、１２の間の密着性が
低下するため、ダイシングの際に使用される切削水が両者の間に進入する場合がある。一
方、前記粘着力が１０Ｎ／２０ｍｍを超えると、ダイシングリングに対する糊残りが発生
する場合がある。尚、前記粘着力は、常温（２３℃）、剥離角度１８０度、剥離速度３０
０ｍｍ／分の条件下で測定した値である。

ここで、半導体ウエハの直径をｒ１とし、粘着剤層３２における前記部分３２ａの直径
をｒ２とし、半導体裏面用フィルム２又は半導体裏面用フィルム１２における半導体ウエ
ハ貼着部分１２ａの直径をｒ３とした場合、ｒ１＜ｒ２＜ｒ３の関係を満たすことが好ま
しい。これにより、半導体ウエハの全面を半導体裏面用フィルム２、１２上に接着固定す
ることができる。

前記放射線硬化型粘着剤は、ベースポリマーとして、ラジカル反応性炭素−炭素二重結
合を、アクリル系ポリマーの側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在
型の紫外線硬化型粘着剤や、アクリル系粘着剤に、紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴ
マー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤などを用いることができる。内在型の紫
外線硬化型粘着剤は、低分子量成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は
多くは含まない為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤中を移動することなく、安定した
層構造の粘着剤層を形成することができるため、放射線硬化型粘着剤としては、内在型の
紫外線硬化型粘着剤を好適に用いることができる。なお、紫外線硬化型粘着剤としては、
内在型の紫外線硬化型粘着剤と、添加型の紫外線硬化型粘着剤が混合された紫外線硬化型
粘着剤であってもよい。具体的には、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するベース
ポリマー（特にアクリル系ポリマー）を含む内在型の紫外線硬化型粘着剤に、特性を悪化
させない程度に紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分が配合された紫外線硬化型
粘着剤を用いることもできる。

本発明に於いて、前記アクリル系ポリマーとしては、アクリル酸エステルを主モノマー
成分として用いたものが挙げられる。前記アクリル酸エステルとしては、例えば、アクリ
ル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、
イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓｅｃ−ブチルエステル
、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、
ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエス
テル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ド
デシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、
オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素
数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及びアクリル酸シクロアルキル
エステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）等が挙げられ
る。これらのモノマーは単独で又は２種以上を併用して用いてもよい。

前記に例示したアクリル酸エステルのうち、本発明に於いては、化学式ＣＨ_２＝ＣＨＣ
ＯＯＲ（式中、Ｒは炭素数６〜１０、より好ましくは炭素数８〜９のアルキル基である。
）で表されるモノマーを用いることが好ましい。炭素数が６以上であると、剥離力が大き
くなり過ぎるのを抑制し、ピックアップ性の低下を防止できる。その一方、炭素数が１０
以下であると、半導体裏面用フィルム２、１２との接着性の低下を抑制し、その結果、ダ
イシングの際にチップ飛びが発生するのを防止できる。また、アクリル酸エステルが化学
式ＣＨ_２＝ＣＨＣＯＯＲで表される場合、その配合割合は、アクリル系ポリマーのアクリ
ル酸エステル１００ｍｏｌ％に対し５０〜９１ｍｏｌ％が好ましく、８０〜８７ｍｏｌ％
がより好ましい。配合割合が５０ｍｏｌ％未満であると、剥離力が大きくなり過ぎ、ピッ
クアップ性が低下する場合がある。その一方、９１ｍｏｌ％を超えると、粘着性が低下し
ダイシングの際にチップ飛びが発生する場合がある。更に、前記化学式で表されるモノマ
ーのうち、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸イソオクチル、アクリル酸イソノ
ニルが特に好ましい。

前記アクリル系ポリマーは、モノマー成分として、前記アクリル酸エステルと共重合可
能なヒドロキシル基含有モノマーが用いられたものであっても良い。ヒドロキシル基含有
モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリ
ル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アク
リル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）
アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（
４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。前
記ヒドロキシル基含有モノマーとしては、ヒドロキシアルキル基におけるアルキル基が炭
素数２〜４の（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキル（例えば、（メタ）アクリル酸２−
ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４
−ヒドロキシブチルなど）が好適であり、その中でも、ヒドロキシアルキル基におけるア
ルキル基が炭素数２〜４のアクリル酸ヒドロキシアルキル（例えば、アクリル酸２−ヒド
ロキシエチル、アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、アクリル酸４−ヒドロキシブチルな
ど）を好適に用いることができる。前記ヒドロキシル基含有モノマーは単独で又は２種以
上組み合わせて用いることができる。

前記ヒドロキシル基含有モノマーの配合割合は、アクリル酸エステル１００ｍｏｌ％に
対し１０〜４０ｍｏｌ％の範囲内であることが好ましく、１５〜３０ｍｏｌ％の範囲内で
あることがより好ましい。配合割合が１０ｍｏｌ％未満であると、放射線照射後の架橋が
不足し、ピックアップ性が低下する場合がある。その一方、配合割合が４０ｍｏｌ％を超
えると、粘着剤の極性が高くなり、半導体裏面用フィルム２、１２との相互作用が高くな
ることにより剥離が困難になる。

前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記
アクリル酸アルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでい
てもよい。この様なモノマー成分として、例えば、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エ
チル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸イソプロピル、メタクリル酸ブチル、メタク
リル酸イソブチル、メタクリル酸ｔ−ブチル、メタクリル酸ｓ−ブチル、メタクリル酸ペ
ンチル等のメタクリル酸アルキルエステル；アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチ
ル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレ
イン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水
イタコン酸等の酸無水物モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ
）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンス
ルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレ
ンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフ
ェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル、メタクリル酸シ
クロアルキルエステル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２
種以上を使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重
量％以下が好ましい。但し、前記カルボキシル基含有モノマーの場合、そのカルボキシル
基と半導体裏面用フィルム２、１２中のエポキシ樹脂におけるエポキシ基とが反応するこ
とにより、粘着剤層３２と半導体裏面用フィルム２、１２との境界面が消失し、両者の剥
離性が低下することがある。従って、カルボキシル基含有モノマーの使用量は、全モノマ
ー成分の０〜３重量％以下が好ましい。また、これらのモノマー成分のうち、本発明の粘
着剤層３２を構成するアクリル系ポリマーはモノマー成分としてはアクリル酸を含まない
方が好ましい。アクリル酸は半導体裏面用フィルム２、１２に物質拡散し、粘着剤層３２
と半導体裏面用フィルム２、１２との境界面を消失させて剥離性を低下する場合があるか
らである。

ここで、前記アクリル系ポリマーは、共重合用モノマー成分として多官能性モノマーを
含まないことが好ましい。これにより、多官能性モノマーがダイボンドフィルムに物質拡
散をすることがなくなり、粘着剤層３２と半導体裏面用フィルム２、１２の境界面が消失
することによるピックアップ性の低下を防止することができる。

また、分子内にラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物を使
用することにより、アクリル系ポリマー（特にヒドロキシル基含有アクリル系ポリマー）
の側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端にラジカル反応性炭素−炭素二重結合が導入されたア
クリル系ポリマーを得ることができる。前記イソシアネート化合物としては、例えば、メ
タクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、２−ア
クリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジ
ルイソシアネート等が挙げられる。

前記分子内にラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物の配合
割合は、ヒドロキシル基含有モノマー１００ｍｏｌ％に対し７０〜９０ｍｏｌ％の範囲内
であることが好ましく、７５〜８５ｍｏｌ％の範囲内であることがより好ましい。配合割
合が７０ｍｏｌ％未満であると、放射線照射後の架橋が不足し、ピックアップ性が低下す
る場合がある。その一方、配合割合が９０ｍｏｌ％を超えると、粘着剤の極性が高くなり
半導体裏面用フィルム２、１２との相互作用が高くなることにより剥離が困難となりピッ
クアップ性が低下する。

前記アクリル系ポリマーは、前述のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。
重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。
清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。こ
の点から、アクリル系ポリマーの重量平均分子量は、好ましくは３５万〜１００万、更に
好ましくは４５万〜８０万程度である。重量平均分子量の測定は、ＧＰＣ（ゲル・パーミ
エーション・クロマトグラフィー）により行い、ポリスチレン換算により算出した値であ
る。

本発明では、内在型の紫外線硬化型粘着剤には、分子内にラジカル反応性炭素−炭素二
重結合を２個以上有する化合物が配合されていてもよい。分子内にラジカル反応性炭素−
炭素二重結合を２個以上有する化合物は、架橋度合いの調整、引張弾性率の調整などのた
めに用いられる。分子内にラジカル反応性炭素−炭素二重結合を２個以上有する化合物と
しては、添加型の放射線硬化型粘着剤で用いられる紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴ
マー成分などが挙げられる。具体的には、このような分子内にラジカル反応性炭素−炭素
二重結合を２個以上有する化合物の成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタ
ン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメ
チロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリ
レート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒ
ドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレ
ート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等のモノマーが挙げられる。また
、前記イソシアネート化合物も挙げられる。更に、ウレタン系、ポリエーテル系、ポリエ
ステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々の放射線硬化性のオリゴマーも
挙げられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。また、分子
内にラジカル反応性炭素−炭素二重結合を２個以上有する化合物の配合割合は、粘着剤を
構成するアクリル系ポリマー１００重量部に対して５００重量部以下（例えば、５重量部
〜５００重量部）であり、好ましくは４０重量部〜１５０重量部程度である。配合割合が
５重量部未満であると、放射線照射後の架橋の程度が低く、引張弾性率が低下する。その
結果、半導体ウエハのダイシングの際には、粘着剤層３２上にダイシングリングを貼り付
けた場合、当該ダイシングリングに対し糊残りが発生し、半導体チップのピックアップの
際には、剥離力が大きくなり過ぎてピックアップ性が低下する場合がある。その一方、配
合割合が５００重量部を超えると引張弾性率が高くなる。その結果、ダイシングの際にチ
ップ飛びが発生する場合がある。

前記アクリル系ポリマーへのラジカル反応性炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限さ
れず、様々な方法を採用できるが、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に
導入するのが分子設計の点で容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーにヒドロキ
シル基を有するモノマーを共重合した後、このヒドロキシル基と反応しうるイソシアネー
ト基及びラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物を、ラジカル
反応性炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が
挙げられる。イソシアネート基及びラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシア
ネート化合物としては、前記に例示したものが挙げられる。

前記放射線硬化型粘着剤には、光重合開始剤を含有させるのが好ましい。光重合開始剤
としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プ
ロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２
−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−
ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセト
フェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）
−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエ
チルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾ
インエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２−ナフタレ
ンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―
プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物
；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェ
ノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メ
チルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、
２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプ
ロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケト
ン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配
合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して
、例えば０．０５〜２０重量部程度である。

尚、放射線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、放射線硬化型の粘着剤層
３２の表面から酸素（空気）を遮断するのが望ましい。その方法としては、例えば粘着剤
層３２の表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線等の放射線の照
射を行う方法等が挙げられる。

本発明では、粘着剤層３２には、本発明の効果を損なわない範囲で、各種添加剤（例え
ば、粘着付与樹脂、着色剤、増粘剤、増量剤、充填剤、可塑剤、老化防止剤、酸化防止剤
、界面活性剤、架橋剤など）が含まれていても良い。

前記架橋剤は、紫外線照射前の粘着力の調整や、紫外線照射後の粘着力の調整などの為
に用いることができる。架橋剤を用いることにより、外部架橋を行うことができる。架橋
剤としては、特に制限されず、公知の架橋剤を用いることができる。具体的には、架橋剤
としては、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物系
架橋剤の他、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩
系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミ
ン系架橋剤などが挙げられ、イソシアネート系架橋剤やエポキシ系架橋剤が好適である。
架橋剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。なお、架橋剤の使用量
は、特に制限されないが、架橋すべきベースポリマー（特にアクリルポリマー）とのバラ
ンスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、架
橋剤は、前記ベースポリマー１００重量部に対して、２０重量部程度以下、更には０．１
重量部〜１０重量部配合するのが好ましい。

前記イソシアネート系架橋剤としては、例えば、１，２−エチレンジイソシアネート、
１，４−ブチレンジイソシアネート、１，６−ヘキサメチレンジイソシアネートなどの低
級脂肪族ポリイソシアネート類；シクロペンチレンジイソシアネート、シクロへキシレン
ジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、水素添加トリレンジイソシアネ−ト、
水素添加キシレンジイソシアネ−トなどの脂環族ポリイソシアネート類；２，４−トリレ
ンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタン
ジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートなどの芳香族ポリイソシアネート類など
が挙げられ、その他、トリメチロールプロパン／トリレンジイソシアネート３量体付加物
［日本ポリウレタン工業（株）製、商品名「コロネートＬ」］、トリメチロールプロパン
／ヘキサメチレンジイソシアネート３量体付加物［日本ポリウレタン工業（株）製、商品
名「コロネートＨＬ」］なども用いられる。また、前記エポキシ系架橋剤としては、例え
ば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、ジグリシジルアニ
リン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−グリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，６−ヘキ
サンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、エ
チレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、
ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジル
エーテル、ソルビトールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル
、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエー
テル、ソルビタンポリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンポリグリシジルエー
テル、アジピン酸ジグリシジルエステル、ｏ−フタル酸ジグリシジルエステル、トリグリ
シジル−トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレート、レゾルシンジグリシジルエ
ーテル、ビスフェノール−Ｓ−ジグリシジルエーテルの他、分子内にエポキシ基を２つ以
上有するエポキシ系樹脂などが挙げられる。

粘着剤層３２は、例えば、粘着剤（感圧接着剤）と、必要に応じて溶媒やその他の添加
剤などとを混合して、シート状の層に形成する慣用の方法を利用し形成することができる
。具体的には、例えば、粘着剤および必要に応じて溶媒やその他の添加剤を含む混合物を
、基材３１上に塗布する方法、適当なセパレータ（剥離紙など）上に前記混合物を塗布し
て粘着剤層を形成し、これを基材３１上に転写（移着）する方法などにより粘着剤層３２
を形成することができる。

粘着剤層３２の厚さは特に制限されず、例えば、５μｍ〜３００μｍ（好ましくは５μ
ｍ〜２００μｍ、さらに好ましくは５μｍ〜１００μｍ、特に好ましくは７μｍ〜５０μ
ｍ）程度である。粘着剤層３２の厚さが前記範囲内であると、適度な粘着力を発揮するこ
とができる。なお、粘着剤層３２は単層、複層の何れであってもよい。

なお、本発明では、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１、１１には、帯電
防止能を持たせることができる。これにより、その接着時及び剥離時等に於ける静電気の
発生やそれによる半導体ウエハ等の帯電で回路が破壊されること等を防止することができ
る。帯電防止能の付与は、基材３１、粘着剤層３２乃至半導体裏面用フィルム２、１２へ
帯電防止剤や導電性物質を添加する方法、基材３１への電荷移動錯体や金属膜等からなる
導電層を付設する方法等、適宜な方式で行うことができる。これらの方式としては、半導
体ウエハを変質させるおそれのある不純物イオンが発生しにくい方式が好ましい。導電性
の付与、熱伝導性の向上等を目的として配合される導電性物質（導電フィラー）としては
、銀、アルミニウム、金、銅、ニッケル、導電性合金等の球状、針状、フレーク状の金属
粉、アルミナ等の金属酸化物、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げら
れる。ただし、前記半導体裏面用フィルム２、１２は、非導電性であることが、電気的に
リークしないようにできる点から好ましい。

また、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１、１１は、ロール状に巻回され
た形態で形成されていてもよく、シート（フィルム）が積層された形態で形成されていて
もよい。例えば、ロール状に巻回された形態を有している場合、半導体裏面用フィルム２
、１２とダイシングテープ３との積層体を、必要に応じてセパレータにより保護した状態
でロール状に巻回して、ロール状に巻回された状態又は形態のダイシングテープ一体型半
導体裏面用フィルム１、１１として作製することができる。なお、ロール状に巻回された
状態又は形態のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１、１１としては、基材３
１と、前記基材３１の一方の面に形成された粘着剤層３２と、前記粘着剤層３２上に形成
された半導体裏面用フィルム２、１２と、前記基材３１の他方の面に形成された剥離処理
層（背面処理層）とで構成されていてもよい。

なお、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１の厚さ（半導体裏面用フィルム
の厚さと、基材３１及び粘着剤層３２からなるダイシングテープの厚さの総厚）としては
、例えば、８μｍ〜１５００μｍの範囲から選択することができ、好ましくは２０μｍ〜
８５０μｍ（さらに好ましくは３１μｍ〜５００μｍ、特に好ましくは４７μｍ〜３３０
μｍ）である。

なお、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１、１１において、半導体裏面用
フィルム２、１２の厚さと、ダイシングテープ３の粘着剤層３２の厚さとの比や、半導体
裏面用フィルム２、１２の厚さと、ダイシングテープ３の厚さ（基材３１及び粘着剤層３
２の総厚）との比をコントロールすることにより、ダイシング工程時のダイシング性、ピ
ックアップ工程時のピックアップ性などを向上させることができ、ダイシングテープ一体
型半導体裏面用フィルム１、１１を半導体ウエハのダイシング工程〜半導体チップのフリ
ップチップボンディング工程にかけて有効に利用することができる。

（ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの製造方法）
本実施の形態に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの製造方法について
、図１に示すダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を例にして説明する。先ず
、基材３１は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては
、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーシ
ョン押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。

次に、基材３１上に粘着剤組成物を塗布し、乾燥させて（必要に応じて加熱架橋させて
）粘着剤層３２を形成する。塗布方式としては、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア
塗工等が挙げられる。なお、粘着剤層組成物を直接基材３１に塗布して、基材３１上に粘
着剤層３２を形成してもよく、また、粘着剤組成物を表面に剥離処理を行った剥離紙等に
塗布して粘着剤層３２を形成させた後、該粘着剤層３２を基材３１に転写させてもよい。
これにより、基材３１上に粘着剤層３２を形成されたダイシングテープ３が作製される。

一方、半導体裏面用フィルム２を形成する為の形成材料を剥離紙上に乾燥後の厚みが所
定厚みとなる様に塗布し、更に所定条件下で乾燥して（熱硬化が必要な場合などでは、必
要に応じて加熱処理を施し乾燥して）、塗布層を形成する。この塗布層を前記粘着剤層３
２上に転写することにより、半導体裏面用フィルム２を粘着剤層３２上に形成する。なお
、前記粘着剤層３２上に、半導体裏面用フィルム２を形成する為の形成材料を直接塗布し
た後、所定条件下で乾燥する（熱硬化が必要な場合などでは、必要に応じて加熱処理を施
して乾燥する）ことによっても、半導体裏面用フィルム２を粘着剤層３２上に形成するこ
とができる。以上により、本発明に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１
を得ることができる。なお、半導体裏面用フィルム２を形成する際に熱硬化を行う場合、
部分硬化の状態となる程度で熱硬化を行うことが重要であるが、好ましくは熱硬化を行わ
ない。

本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１、１１は、フリップチップ接
続工程を具備する半導体装置の製造の際に好適に用いることができる。すなわち、本発明
のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１、１１は、フリップチップ実装の半導
体装置を製造する際に用いられ、半導体チップの裏面に、ダイシングテープ一体型半導体
裏面用フィルム１、１１の半導体裏面用フィルム２、１２が貼着している状態又は形態で
、フリップチップ実装の半導体装置が製造される。従って、本発明のダイシングテープ一
体型半導体裏面用フィルム１、１１は、フリップチップ実装の半導体装置（半導体チップ
が基板等の被着体に、フリップチップボンディング方式で固定された状態又は形態の半導
体装置）に対して用いることができる。

（半導体ウエハ）
半導体ウエハとしては、公知乃至慣用の半導体ウエハであれば特に制限されず、各種素
材の半導体ウエハから適宜選択して用いることができる。本発明では、半導体ウエハとし
ては、シリコンウエハを好適に用いることができる。

（半導体装置の製造方法）
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について、図３を参照しながら以下に説明す
る。図３は、前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を用いた場合の半導体
装置の製造方法を示す断面模式図である。

前記半導体装置の製造方法は、前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を
用いて半導体装置を製造することができる。具体的には、前記半導体裏面用フィルム２上
に半導体ウェハ４を貼着する工程と、前記半導体ウェハ４をダイシングして半導体素子を
形成する工程と、前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１における前記粘着
剤層３２に対し、前記基材３１側から放射線を照射する工程と、前記半導体素子５を前記
半導体裏面用フィルム２と共に、ダイシングテープ３の粘着剤層３２から剥離する工程と
、前記半導体素子５を前記被着体６上にフリップチップ接続させる工程とを具備する。

［マウント工程］
先ず、図３（ａ）で示されるように、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１
の半導体裏面用フィルム２上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離し、当該半導体
裏面用フィルム２上に半導体ウエハ４を貼着して、これを接着保持させ固定する（マウン
ト工程）。このとき前記半導体裏面用フィルム２は未硬化状態（半硬化状態を含む）にあ
る。また、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１は、半導体ウエハ４の裏面に
貼着される。半導体ウエハ４の裏面とは、回路面とは反対側の面（非回路面、非電極形成
面などとも称される）を意味する。貼着方法は特に限定されないが、圧着による方法が好
ましい。圧着は、通常、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行われる。

［ダイシング工程］
次に、図３（ｂ）で示されるように、半導体ウエハ４のダイシングを行う。これにより
、半導体ウエハ４を所定のサイズに切断して個片化（小片化）し、半導体チップ５を製造
する。ダイシングは、例えば、半導体ウエハ４の回路面側から常法に従い行われる。また
、本工程では、例えば、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１まで切込みを行
うフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置として
は特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。更に、ダイシングブレード等
を高速で回転させて半導体ウェハ４を切断するため、冷却や切り屑の飛散防止のために切
断部分に切削水を噴射して行われる。ここで、粘着剤層３２は放射線硬化されていないと
、半導体裏面用フィルム２との密着性が極めて良好なため、両者の間に切削水が進入する
のを確実に防止することができる。また、半導体ウエハ４は、半導体裏面用フィルム２を
有するダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１により優れた密着性で接着固定さ
れているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウエハ４の破損も抑
制できる。なお、半導体裏面用フィルム２がエポキシ樹脂を含む樹脂組成物により形成さ
れていると、ダイシングにより切断されても、その切断面において半導体裏面用フィルム
の接着剤層の糊はみ出しが生じるのを抑制又は防止することができる。その結果、切断面
同士が再付着（ブロッキング）することを抑制又は防止することができ、後述のピックア
ップを一層良好に行うことができる。

また、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１のエキスパンドを行う場合、該
エキスパンドは従来公知のエキスパンド装置を用いて行うことができる。エキスパンド装
置は、ダイシングリングを介してダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を下方
へ押し下げることが可能なドーナッツ状の外リングと、外リングよりも径が小さくダイシ
ングテープ一体型半導体裏面用フィルムを支持する内リングとを有している。このエキス
パンド工程により、後述のピックアップ工程において、隣り合う半導体チップ同士が接触
して破損するのを防ぐことが出来る。

［放射線の照射工程］
次に、図３（ｃ）で示されるように、前記粘着剤層３２に対し、前記基材３１側から放
射線を照射する。これにより、粘着剤層３２の半導体裏面用フィルム２、１２に対する粘
着力を低減させることができる。放射線の照射は粘着剤層３２の全面に行ってもよく、半
導体裏面用フィルム２又は半導体裏面用フィルム１２の半導体ウェハ貼着部分１２に対応
する部分３２ａにのみ行ってもよい。後者の場合、半導体裏面用フィルム２、又は半導体
裏面用フィルム１２の半導体ウエハ貼着部分１２ａに対応する部分以外の部分の全部又は
一部を遮光させて、放射線を照射する。遮光材料としては、支持フィルム上でフォトマス
クになり得るものを印刷や蒸着等で作製することができる。

前記放射線の照射は５０ｍＪ／ｃｍ^２〜２０００ｍＪ／ｃｍ^２の範囲内で行われること
が好ましく、更には、１００ｍＪ／ｃｍ^２〜１０００ｍＪ／ｃｍ^２の範囲内で行われるこ
とが好ましい。放射線の照射を５０ｍＪ／ｃｍ^２以上（特に１００ｍＪ／ｃｍ^２以上）に
することにより、粘着剤層３２の硬化を十分なものにし、半導体裏面用フィルム２、１２
との剥離性を良好にする。その結果、良好なピックアップ性能を可能にし、ピックアップ
後に半導体裏面用フィルム２、１２に粘着剤が付着（いわゆる糊残り）するのを防止でき
る。その一方、放射線の照射を２０００ｍＪ／ｃｍ^２以下（特に１０００ｍＪ／ｃｍ^２以
下）にすることにより、基材３１に対する熱的ダメージを低減することができる。また、
粘着剤層３２の硬化が過度に進行して引張弾性率が大きくなりすぎ、エキスパンド性が低
下するのを防止できる。尚、前記放射線としては、Ｘ線、紫外線、電子線等が挙げられる
。

なお、図３では、放射線の照射工程は、ダイシング工程とピックアップ工程の間の工程
となっているが、ピックアップ工程の前であれば、いずれの段階（例えば、マウント工程
の前、マウント工程とダイシング工程との間など）であってもよい。

［ピックアップ工程］
ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１に接着固定された半導体チップ５を回
収する為に、図３（ｄ）で示されるように、半導体チップ５のピックアップを行って、半
導体チップ５を半導体裏面用フィルム２とともにダイシングテープ３より剥離させる。ピ
ックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば
、個々の半導体チップ５をダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１の基材３１側
からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によ
ってピックアップする方法等が挙げられる。但し、本発明に於いては、粘着剤層３２が放
射線の照射により予め硬化されているので、当該粘着剤層３２に対する放射線の照射は行
われない。なお、ピックアップされた半導体チップ５は、その裏面が半導体裏面用フィル
ム２により保護されている。

［フリップチップ接続工程］
ピックアップした半導体チップ５は、図３（ｅ）で示されるように、基板等の被着体６
に、フリップチップボンディング方式（フリップチップ実装方式）により固定させる。具
体的には、半導体チップ５を、半導体チップ５の回路面（表面、回路パターン形成面、電
極形成面などとも称される）が被着体６と対向する形態で、被着体６に常法に従い固定さ
せる。例えば、半導体チップ５の回路面側に形成されているバンプ５１を、被着体６の接
続パッドに被着された接合用の導電材（半田など）６１に接触させて押圧しながら導電材
を溶融させることにより、半導体チップ５と被着体６との電気的導通を確保し、半導体チ
ップ５を被着体６に固定させることができる（フリップチップボンディング工程）。この
とき、半導体チップ５と被着体６との間には空隙が形成されており、その空隙間距離は、
一般的に３０μｍ〜３００μｍ程度である。尚、半導体チップ５を被着体６上にフリップ
チップボンディングした後は、半導体チップ５と被着体６との対向面や間隙を洗浄し、該
間隙に封止材（封止樹脂など）を充填させて封止することが重要である。

被着体６としては、リードフレームや回路基板（配線回路基板など）等の各種基板を用
いることができる。このような基板の材質としては、特に限定されるものではないが、セ
ラミック基板や、プラスチック基板が挙げられる。プラスチック基板としては、例えば、
エポキシ基板、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリイミド基板等が挙げられる。

フリップチップボンディング工程（フリップチップ接続工程）において、バンプや導電
材の材質としては、特に限定されず、例えば、錫−鉛系金属材、錫−銀系金属材、錫−銀
−銅系金属材、錫−亜鉛系金属材、錫−亜鉛−ビスマス系金属材等の半田類（合金）や、
金系金属材、銅系金属材などが挙げられる。

なお、フリップチップボンディング工程では、導電材を溶融させて、半導体チップ５の
回路面側のバンプと、被着体６の表面の導電材とを接続させているが、この導電材の溶融
時の温度としては、通常、２６０℃程度（例えば、２５０℃〜３００℃）となっている。
本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムは、半導体裏面用フィルムをエポ
キシ樹脂等により形成することにより、このフリップチップボンディング工程における高
温にも耐えられる耐熱性を有するものとすることができる。

本工程では、半導体チップ５と被着体６との対向面（電極形成面）や間隙の洗浄を行う
のが好ましい。当該洗浄に用いられる洗浄液としては、特に制限されず、例えば、有機系
の洗浄液や、水系の洗浄液が挙げられる。本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用
フィルムにおける半導体裏面用フィルムは、洗浄液に対する耐溶剤性を有しており、これ
らの洗浄液に対して実質的に溶解性を有していない。そのため、前述のように、洗浄液と
しては、各種洗浄液を用いることができ、特別な洗浄液を必要とせず、従来の方法により
洗浄させることができる。

次に、フリップチップボンディングされた半導体チップ５と被着体６との間の間隙を封
止するための封止工程を行う。封止工程は、封止樹脂を用いて行われる。このときの封止
条件としては特に限定されないが、通常、１７５℃で６０秒間〜９０秒間の加熱を行うこ
とにより、封止樹脂の熱硬化が行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５℃
〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。当該工程における熱処理により、封止樹
脂が、熱硬化の進行に伴い硬化する。また、当該工程により、半導体裏面用フィルム２を
完全に又はほぼ完全に熱硬化させることができ、優れた密着性で半導体素子の裏面に貼着
させることができる。更に、本発明に係る半導体裏面用フィルム２は、未硬化状態であっ
ても当該封止工程の際に、封止材と共に熱硬化させることができるので、半導体裏面用フ
ィルム２を熱硬化させるための工程を新たに追加する必要がない。

前記封止樹脂としては、絶縁性を有する樹脂（絶縁樹脂）であれば特に制限されず、公
知の封止樹脂等の封止材から適宜選択して用いることができるが、弾性を有する絶縁樹脂
がより好ましい。封止樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物等が挙げら
れる。エポキシ樹脂としては、前記に例示のエポキシ樹脂等が挙げられる。また、エポキ
シ樹脂を含む樹脂組成物による封止樹脂としては、樹脂成分として、エポキシ樹脂以外に
、エポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂（フェノール樹脂など）や、熱可塑性樹脂などが含ま
れていてもよい。なお、フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂の硬化剤としても利用す
ることができ、このようなフェノール樹脂としては、前記に例示のフェノール樹脂などが
挙げられる。

前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１や半導体裏面用フィルムを用いて
製造された半導体装置（フリップチップ実装の半導体装置）は、半導体チップの裏面に半
導体裏面用フィルムが貼着されているため、各種マーキングを優れた視認性で施すことが
できる。特に、マーキング方法がレーザーマーキング方法であっても、優れたコントラス
ト比でマーキングを施すことができ、レーザーマーキングにより施された各種情報（文字
情報、図研情報など）を良好に視認することが可能である。なお、レーザーマーキングを
行う際には、公知のレーザーマーキング装置を利用することができる。また、レーザーと
しては、気体レーザー、個体レーザー、液体レーザーなどの各種レーザーを利用すること
ができる。具体的には、気体レーザーとしては、特に制限されず、公知の気体レーザーを
利用することができるが、炭酸ガスレーザー（ＣＯ_２レーザー）、エキシマレーザー（Ａ
ｒＦレーザー、ＫｒＦレーザー、ＸｅＣｌレーザー、ＸｅＦレーザーなど）が好適である
。また、固体レーザーとしては、特に制限されず、公知の固体レーザーを利用することが
できるが、ＹＡＧレーザー（Ｎｄ：ＹＡＧレーザーなど）、ＹＶＯ_４レーザーが好適であ
る。

本発明のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム１を用いて製造された半導体装
置は、フリップチップ実装方式で実装された半導体装置であるので、ダイボンディング実
装方式で実装された半導体装置よりも、薄型化、小型化された形状となっている。このた
め、各種の電子機器・電子部品又はそれらの材料・部材として好適に用いることができる
。具体的には、本発明のフリップチップ実装の半導体装置が利用される電子機器としては
、いわゆる「携帯電話」や「ＰＨＳ」、小型のコンピュータ（例えば、いわゆる「ＰＤＡ
」（携帯情報端末）、いわゆる「ノートパソコン」、いわゆる「ネットブック（商標）」
、いわゆる「ウェアラブルコンピュータ」など）、「携帯電話」及びコンピュータが一体
化された形態の小型の電子機器、いわゆる「デジタルカメラ（商標）」、いわゆる「デジ
タルビデオカメラ」、小型のテレビ、小型のゲーム機器、小型のデジタルオーディオプレ
イヤー、いわゆる「電子手帳」、いわゆる「電子辞書」、いわゆる「電子書籍」用電子機
器端末、小型のデジタルタイプの時計などのモバイル型の電子機器（持ち運び可能な電子
機器）などが挙げられるが、もちろん、モバイル型以外（設置型など）の電子機器（例え
ば、いわゆる「ディスクトップパソコン」、薄型テレビ、録画・再生用電子機器（ハード
ディスクレコーダー、ＤＶＤプレイヤー等）、プロジェクター、マイクロマシンなど）な
どであってもよい。また、電子部品又は、電子機器・電子部品の材料・部材としては特に
限定されず、例えば、いわゆる「ＣＰＵ」の部材、各種記憶装置（いわゆる「メモリー」
、ハードディスクなど）の部材などが挙げられる。

以下、本発明に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。また、各例中、部は特記がない限りいずれ
も重量基準である。

（実施例１）
＜ダイシングテープの作製＞
冷却管、窒素導入管、温度計、及び、撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸−２−
エチルヘキシル（以下、「２ＥＨＡ」ともいう。）８６．４部、アクリル酸−２−ヒドロ
キシエチル（以下、「ＨＥＡ」ともいう。）１３．６部、過酸化ベンゾイル０．２部、及
び、トルエン６５部を入れ、窒素気流中で６１℃にて６時間重合処理をし、アクリル系ポ
リマーＡを得た。

アクリル系ポリマーＡに２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（以下、「Ｍ
ＯＩ」ともいう。）１４．６部を加え、空気気流中で５０℃にて４８時間、付加反応処理
をし、アクリル系ポリマーＡ’を得た。

次に、アクリル系ポリマーＡ’１００部に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「
コロネートＬ」、日本ポリウレタン（株）製）２部、及び、光重合開始剤（商品名「イル
ガキュア６５１」、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）５部を加えて、粘着剤組成
物溶液Ａを得た。

粘着剤組成物溶液Ａを、ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、
１２０℃で２分間加熱乾燥し、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。次いで、形成した粘
着剤層上に、ポリオレフィンフィルムを貼り合せた。このポリオレフィンフィルムは、厚
さ１００μｍであり、フレーム貼付領域に対応する部分に放射線を遮光する印刷層が予め
形成されたものである。その後、５０℃にて２４時間加熱して架橋処理を行い、チップ保
持用テープＡを作製した。

＜フリップチップ型半導体裏面用フィルムの作製＞
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマ
ー（商品名「パラクロンＷ−１９７ＣＭ」根上工業株式会社製）１００部に対して、エポ
キシ樹脂（商品名「エピコート１００４」ＪＥＲ株式会社製）１１３部、フェノール樹脂
（商品名「ミレックスＸＬＣ−４Ｌ」三井化学株式会社製）１２１部、球状シリカ（商品
名「ＳＯ−２５Ｒ」株式会社アドマテックス製）２４６部、染料１（商品名「ＯＩＬ Ｇ
ＲＥＥＮ ５０２」オリエント化学工業株式会社製）５部、染料２（商品名「ＯＩＬ Ｂ
ＬＡＣＫ ＢＳ」オリエント化学工業株式会社製）５部をメチルエチルケトンに溶解して
、固形分濃度が２３．６重量％となる樹脂組成物の溶液を調製した。

この樹脂組成物の溶液を、剥離ライナ（セパレータ）としてシリコーン離型処理した厚
さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム上に塗布
した後、１３０℃で２分間乾燥させることにより、厚さ（平均厚さ）２０μｍのフリップ
チップ型半導体裏面用フィルムを作製した。

＜ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムの作製＞
前記半導体裏面用フィルムを、前記ダイシングテープの粘着剤層上に、ラミネーターを
用いて貼り合せ、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを作製した。尚、ラミネ
ーターの条件は下記の通りである。

＜ラミネーター条件＞
ラミネーター装置：ＬＰＡ３３０／４５０
ラミネーター温度：４０℃
ラミネート速度：１６００ｍｍ／ｍｉｎ

（比較例１）
＜ダイシングテープの作製＞
実施例１と同様にしてダイシングテープを作製した。その後、粘着剤層の半導体ウエハ
貼付け部分（直径２００ｍｍ）に相当する部分（直径２２０ｍｍ）にのみ、紫外線を直接
照射して紫外線硬化させた。これにより、本比較例に係るダイシングテープを作製した。
尚、紫外線の照射条件は下記の通りとした。

＜紫外線の照射条件＞
紫外線（ＵＶ）照射装置：高圧水銀灯
紫外線照射積算光量：５００ｍＪ／ｃｍ^２
出力：７５Ｗ
照射強度：１５０ｍＷ／ｃｍ^２

＜フリップチップ型半導体裏面用フィルムの作製＞
実施例１と同様にして、フリップチップ型半導体裏面用フィルムを作製した。

＜ダイシングテープ一体型ウエハ裏面保護フィルムの作製＞
前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムを、前記ダイシングテープの粘着剤層上に
、ラミネーターを用いて貼り合せ、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを作製
した。

（評価）
実施例１及び比較例１で作製したダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムについ
て、ダイシング性及びピックアップ性を下記の方法により評価及び測定した。評価又は測
定結果は、表１に併記した。

＜ダイシング性の評価方法＞
実施例１及び比較例１のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを用いて、以下
の要領で、実際に半導体ウエハのダイシングを行ってダイシング性、即ち、半導体チップ
のチップ飛びやチッピングの発生の有無、及び切削水の進入の有無を評価した。

先ず、半導体ウエハ（直径８インチ、厚さ０．６ｍｍ；シリコンミラーウエハ）を裏面
研磨処理し、厚さ０．２ｍｍのミラーウエハをワークとして用いた。次に、ダイシングテ
ープ一体型半導体裏面用フィルムからセパレータを剥離した後、ミラーウエハ（直径８イ
ンチ、厚さ２００μｍ；シリコンミラーウエハ）を半導体裏面用フィルム上に７０℃でロ
ール圧着して貼り合わせた。更に、ミラーウエハのダイシングを行った。ダイシングは１
．０ｍｍ角のチップサイズとなる様にフルカットした。なお、貼り合わせ条件、ダイシン
グ条件は、下記のとおりである。

［半導体ウエハ研削条件］
研削装置：商品名「ＤＦＧ−８５６０」ディスコ社製
半導体ウエハ：８インチ径（厚さ０．６ｍｍから０．２ｍｍに裏面研削）

［貼り合わせ条件］
貼り付け装置：商品名「ＭＡ−３０００III」日東精機株式会社製
貼り付け速度計：１０ｍｍ／ｍｉｎ
貼り付け圧力：０．１５ＭＰａ
貼り付け時のステージ温度：７０℃

［ダイシング条件］
ダイシング装置：商品名「ＤＦＤ−６３６１」ディスコ社製
ダイシングリング：「２−８−１」（ディスコ社製）
ダイシング速度：３０ｍｍ／ｓｅｃ

ダイシングブレード：
Ｚ１；ディスコ社製「２０３Ｏ−ＳＥ ２７ＨＣＤＤ」
Ｚ２；ディスコ社製「２０３Ｏ−ＳＥ ２７ＨＣＢＢ」
ダイシングブレード回転数：
Ｚ１；４０，０００ｒ／ｍｉｎ
Ｚ２；４５，０００ｒ／ｍｉｎ カット方式：ステップカット
ウエハチップサイズ：１．０ｍｍ角
切削水供給量：２．０ｌ／ｍｉｎ

［ダイシング時のチップ飛び及び水浸入評価基準］
ダイシング時の切削水の浸入の有無は、ダイシングテープの基材側から観察し、粘着剤
層と半導体裏面用フィルムの間に切削水が確認されなかった場合を○とし、確認された場
合を×とした。また、チップ飛びは、半導体ウェハをダイシングすることにより、合計５
０個の半導体チップを形成し、チップ飛びの発生数が５個以下の場合を○とし、５個より
多い場合を×とした。

［ダイシング時のチッピング評価基準］
ダイシングに作製した５０個の半導体チップを収集し、これらの半導体チップの側面の
うち、最後に切断された面を観察した。チップ欠け（チッピング）の深さを全て測定し、
深さが最大のものを、その半導体チップにおけるチッピングの大きさとした。下記表１に
、チッピングの大きさの最大値と、５０個の半導体チップの平均値を示す。半導体チップ
の厚みの半分以上の大きさのチッピングが発生した場合、即ち、最大値が１００μｍ未満
の場合を○とし、１００μｍ以上である場合を×とした。

＜ピックアップ性の評価方法＞
次に、半導体チップのピックアップを行った。ピックアップは、粘着剤層に対する紫外
線の照射後に行った。照射条件は下記の通りである。紫外線の照射後、ダイシングテープ
一体型半導体裏面用フィルムのダイシングテープ側からニードルで突き上げて、ダイシン
グにより得られた半導体チップをフリップチップ型半導体裏面用フィルムとともに粘着剤
層からピックアップした。このときの半導体チップ（全個数：４００個）のピックアップ
の成功率（％）を求め、ピックアップ性を評価した。従って、ピックアップ性は、ピック
アップ率が１００％に近いほど良好である。なお、ピックアップ条件は、下記の通りであ
る。

＜紫外線の照射条件＞
紫外線（ＵＶ）照射装置：高圧水銀灯
紫外線照射積算光量：５００ｍＪ／ｃｍ^２
出力：７５Ｗ
照射強度１５０ｍＷ／ｃｍ^２
尚、紫外線照射はダイシングテープの基材側から行った。

［ピックアップ条件］
ピックアップ装置：商品名「ＳＰＡ−３００」株式会社新川社製
ピックアップニードル本数：１本
ニードル突き上げ速度：２０ｍｍ／ｓ
ニードル突き上げ量 ： ５００μｍ
ピックアップ時間：１秒
ダイシングテープ エキスパンド量 : ３ｍｍ

（結果）
表１から分かる通り、実施例１に係るダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムで
は、粘着剤層とフリップチップ型半導体裏面用フィルムの間への切削水の浸入は確認され
なかった。また、チップ飛びやチッピングの発生も低減できることが確認された。更に、
ピックアップ性も良好であった。一方、比較例１に係るダイシングテープ一体型半導体裏
面用フィルムでは、粘着剤層とフリップチップ型半導体裏面用フィルムの間に切削水の浸
入が確認された。また、チップ飛びやチッピングも発生していた。

１、１１ ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム
２、１２ 半導体裏面用フィルム
３ ダイシングテープ
４ 半導体ウエハ
５ 半導体チップ
６ 被着体
１２ａ 半導体ウェハ貼着部分
１２ｂ 半導体ウェハ貼着部分以外の他の部分
３１ 基材
３２ 粘着剤層
３２ａ 半導体ウエハ貼着部分に対応する部分
３２ｂ 半導体ウエハ貼着部分に対応する部分以外の他の部分
５１ 半導体チップ５の回路面側に形成されているバンプ
６１ 被着体６の接続パッドに被着された接合用の導電材

Claims (6)

1. 被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面を保護するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムと、ダイシングテープとを備えるダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムであって、
   前記ダイシングテープは、基材上に少なくとも粘着剤層が設けられた構造であり、
   前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムは前記粘着剤層上に設けられており、
   前記粘着剤層は、放射線の照射により、前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムに対する粘着力が低下する放射線硬化型であり、
   前記基材には、前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムの半導体ウェハ貼着部分に対応する部分以外の部分の少なくとも一部を遮光する遮光材料が形成されているダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム。
2. 前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムは着色剤が添加されたものである請求項１に記載のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム。
3. 前記粘着剤層を形成する放射線硬化型粘着剤はアクリル系粘着剤であり、
   前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムはアクリル樹脂を含む請求項１又は２に記載のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム。
4. 前記基材には、前記粘着剤層のフレーム貼付領域に対応する部分に遮光材料が形成されている請求項１〜３のいずれかに記載のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム。
5. 請求項１〜４のいずれかに記載のダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを用いた半導体装置の製造方法であって、
   前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムに於けるフリップチップ型半導体裏面用フィルム上に半導体ウェハを貼着する工程と、
   前記半導体ウェハをダイシングして半導体素子を形成する工程と、
   前記ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムにおける前記粘着剤層に対し、前記基材側から放射線を照射する工程と、
   前記半導体素子を前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムと共に、ダイシングテープの粘着剤層から剥離する工程と、
   前記半導体素子を前記被着体上にフリップチップ接続させる工程とを具備する半導体装置の製造方法。
6. 請求項５に記載の半導体装置の製造方法により製造されたものであるフリップチップ型半導体装置。
   

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