JP2007266420A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、赤外線(レーザー)の吸収率が高い保護膜17を介して、ダイシングシート21の上面に半導体ウェハが貼着される。従って、ダイシングシート21を透過するレーザー28を照射して、保護膜17の上面に所定の認識マーク20を刻印することができる。更に、可視光線を透過させるダイシングシート21の上方から、カメラ32を用いて半導体装置部24の位置を検出して位置合わせを行うことができる。従って、レーザー照射および半導体装置部24の位置認識を、ダイシングシート21の上面のみから行うことが可能となり、認識マークの形成に必要とされるコストを低減させることができる。
【選択図】図4
Description
先ず、図1を参照して本形態の製造方法により製造される半導体装置10の構成を説明する。図1(A)は半導体装置10の断面図であり、図1(B)はその斜視図である。
本形態では、図2から図5を参照して、第1の実施の形態にて構成を説明した半導体装置の製造方法を説明する。
11 半導体基板
12 絶縁層
13 電極
14 配線
15 外部電極
16 被覆層
17 保護膜
18 記号マーク
19 位置マーク
20 認識マーク
21 ダイシングシート
22 半導体ウェハ
23 ウェハリング
24 半導体装置部
25 接着層
26 ブレード
27 ダイシングライン
28 レーザー
29 画像
30 紫外線
31 反射板
32 カメラ
Claims (6)
- 第1主面と、前記第1主面に対向する第2主面とを具備し、複数の半導体装置部が形成された半導体ウェハを用意する第1工程と、
前記半導体ウェハの前記第1主面を、保護膜を介してダイシングシートに貼着する第2工程と、
前記半導体ウェハおよび前記保護膜をダイシングして前記半導体装置部を互いに分離する第3工程と、
前記ダイシングシートを透過して前記保護膜に光線を照射することにより、前記保護膜の表面に認識マークを形成する第4工程と、
前記ダイシングシートから前記半導体装置部を剥離させる第5工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第4工程では、
個別に分離された前記半導体装置部の周辺部を位置認識して、前記光線を照射する照射装置と前記半導体装置部とを相対的に位置合わせすることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記保護膜は、前記ダイシングシートよりも前記光線の吸収率が高いことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記保護膜は、前記ダイシングシートよりも硬い材料から成ることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記光線は、赤外線レーザーであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ダイシングシートは、紫外線照射により粘着力が低下する接着材をその表面に有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
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