JP2010153607A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の半導体装置10は、半導体基板11と、半導体基板11の下面に形成された配線14を具備しており、半導体材料が露出する半導体基板11の上面に、レーザーを照射することにより形成された捺印20が設けられた構成となっている。更に、樹脂材料を炭化させた炭化物を半導体基板11の表面に付着させることにより捺印20が形成されるので、捺印20を明瞭なものとすることができる。
【選択図】図1
Description
先ず、図1を参照して本形態の半導体装置10を説明する。図1(A)は半導体装置10の断面図であり、図1(B)は断面図であり、図1(C)は捺印が形成される箇所を拡大して示す平面図であり、図1(D)は図1(C)のD−D’線に於ける断面図である。
本形態では、図2から図8を参照して、第1の実施の形態にて構成を説明した半導体装置の製造方法を説明する。
11 半導体基板
12 絶縁層
13 パッド
14 配線
15 溝
16 被覆層
17 外部電極
18 記号マーク
19 位置マーク
20 捺印
21 ダイシングシート
22 半導体ウェハ
24 半導体装置部
26 ブレード
27 ダイシングライン
28 レーザー
30 グラインダ
32 接着層
34 保護シート
36 接着層
38、38A、38B、38C、38D 凹状部
40、40A、40B、40C、40D 炭化領域
42 炭化物
Claims (8)
- 素子領域が形成されると共に、互いに対向する第1主面および第2主面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記第1主面側に設けられて前記素子領域と接続された配線層と、
前記半導体基板の前記第2主面にレーザーを照射することにより形成された捺印と、を備え、
前記半導体基板の前記第2主面において前記捺印が形成された領域には、レーザー照射による樹脂の炭化物が付着されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記炭化物は、絶縁性接着材が炭化した物質であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記捺印が形成される前記半導体基板の前記第2主面には、互いに離間した複数の凹状部が設けられ、
各々の前記凹状部に対して、前記凹状部およびその周辺部に前記炭化物を付着させた炭化領域が設けられ、
隣接する一方の前記炭化領域と、隣接する他方の前記炭化領域の一部が重畳することを特徴とする請求項2記載の半導体装置。 - 前記凹状部は平面視で円形であり、各々の前記凹状部と前記炭化領域とは相互に同心円状に配置されることを特徴とする請求項3記載の半導体装置。
- 互いに対向する第1主面および第2主面を有し、前記第1主面側に形成された配線を含む半導体装置部がマトリックス状に設けられた半導体ウェハを用意する工程と、
前記半導体ウェハの前記第1主面側から、前記半導体装置部同士の境界に沿ってダイシングを行い、前記半導体ウェハの厚みよりも浅い溝を形成する工程と、
前記半導体ウェハを前記第2主面側から研削し、前記溝が設けられた箇所にて前記半導体装置部を分離する工程と、
前記半導体ウェハの前記第2主面であって、前記半導体装置部が備える半導体基板の主面を、接着層を介して支持シートの主面に貼着する工程と、
前記半導体装置部の前記半導体基板にレーザーを照射することにより捺印を行う工程と、を備え、
前記捺印を行う工程では、前記支持シートおよび前記接着層を透過して、前記半導体装置部の前記半導体基板に前記レーザーを照射し、前記レーザーによる発熱により前記接着層を炭化させた炭化物を、前記捺印が行われた領域に付着させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記捺印を行う工程では、
前記レーザーをショット照射することにより、前記半導体基板の主面を局所的に窪ませた凹状部を、互いに離間した状態で複数個設け、
各々の前記凹状部に対して、前記凹状部およびその周辺部の前記半導体基板に、前記接着層を炭化させた炭化領域を設け、
隣接する一方の前記炭化領域と、隣接する他方の前記炭化領域とを一部重畳させることを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。 - 前記レーザーの波長は532nmであることを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。
- 前記支持シートは、周囲がウェハリングにより支持されたダイシングシートであることを特徴とする請求項7記載の半導体装置の製造方法。
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