JP2007184658A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】裏面が鏡面化処理された場合であっても、光学式検査装置による効率的な自動検査を可能とすること。
【解決手段】本発明によれば、外部接続電極が形成された表面と、表面に対向し、鏡面状態である裏面１０（＃ａ）を有する半導体装置であって、裏面１０（＃ａ）の一部に、レーザマーキング法によって粗面化処理された粗面化領域１４を設ける。この粗面化領域１４は、レーザマーキング法によって印字された該半導体装置自体の製品情報マーク１４（＃ａ）を含んでいる。また、この粗面化領域１４は、裏面１０（＃ａ）に光を照射した場合、粗面化領域１４と鏡面化領域１２との光反射率の違いから製品情報を読み取ることができる程度に、粗面化領域１４の個数、大きさ、形状、配置場所を決定する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、基板上に配線パターン等の部品が実装された半導体装置に係り、更に詳しくは、基板の裏面に装置自体の機種名、ロット番号等の製品情報が印字された半導体装置に関する。

Ｓｉ、ＧａＡｓ等の半導体装置を実装する場合には、直接フェースダウンによるフリップチップ接続する方式を取り入れる事により小型軽量化がなされている。そして、半導体装置の実装後には、必ず検査工程がある。このため、裏面には、装置自体の機種名、ロット番号等の製品情報や、インデクス用マーク、検査用マーク等が、インクや、レーザマーキング法等によって印字されている（例えば、特許文献１乃至４参照）。

一方、このような半導体装置は、薄型化を狙っているため、大概は裏面がグラインダーにより研削され、鏡面化されている。このため、製品情報や、マークに比べ光沢があるため、製品情報やマークの光学式検査装置による自動検査には適さない。そこで、例えば特許文献５に記載されているように、基板の光反射率よりも小さい光反射率を有するインク塗布部を設けたり、あるいは、一旦鏡面化処理され製品情報やマークが設けられた裏面全面に、敢えて粗面化処理を施すことによって、コントラストが製品情報やマークに近づけられている。これによって、光学式査装置を用いて、半導体装置の製品情報が読み取られたり、マークの位置が認識されている。

この粗面化処理としては、サンドブラスト法や、砥粒によるラッピング法、あるいはフッ酸系の混酸によるエッチング処理法などがある。このような粗面化処理によって、それぞれ、半導体装置の裏面が物理的または化学的に不均一に削られ、裏面全体の光沢が抑えられることによって、光学式検査装置による自動検査が可能となっている。
特開２０００−１１４１２９号公報 特開２００１−８５２８５号公報 特開平８−１９１０３８号公報 特開平４−１０６９６０号公報 特開２００３−３１８３３５号公報

しかしながら、このような従来の半導体装置では、以下のような問題がある。

すなわち、従来、半導体装置の裏面は、一旦鏡面化処理され、その後製品情報マークやインデクス用または検査用のマーク等が設けられた後に、粗面化処理されている。

しかしながら、この粗面化処理によって、インクによって印字されたマークについては、その一部が消去されたり、あるいはレーザマーキング法によって形成されたマークについては、その凹凸の一部が削られてしまう。このため、光学式検査装置による自動検査を行った場合、マークの認識精度が低下する恐れがあるという問題がある。

この問題を回避するために、粗面化処理後に再びマークを再形成することも考えられる。しかしながら、粗面化処理された面にインクによる印字を行った場合、インクがにじんでしまい、ぼやけた印字になるために、本質的な解決には至らない。また、レーザマーキング法を用いる場合であっても、粗面化処理された面に対しては、凹凸のために、安定したパターンを形成することができず、やはり本質的な解決には至らない。また、サンドブラスト法や混酸によるエッチング処理方法を適用すれば、必要な部分にのみ粗面化処理をすることも可能と考えられる。しかしながら、これら方法では、フォトリソ工程や洗浄、リンス工程などそれらに付随する工程が多いため不利である。

また、図２７に示すように、シリコン基板６０、封止樹脂２８そして複数の外部接続端子３６からなる半導体装置１８は、最終的に分割ライン２５に沿って分割することによって各半導体装置１６を分離する段階で、図２７（ａ）に示すように、裏面に予めダイシング治具６２に接着されたダイシングテープ２０が貼り付けられる。一般的なダイシングテープ２０は、接着剤とベースフィルム材から構成されており、接着剤の材料としてはアクリル樹脂が、ベースフィルム材としては塩化ビニル樹脂が用いられている。

そして、半導体装置１８から、各半導体装置１６を分離する場合には、図２７（ｂ）に示すように専用のダイシングブレード１７によって分割ライン２５に沿って切断した後に、図２７（ｃ）に示すようにヒータ６４を内蔵したステージ６６とリング６８で構成された拡張機に載せられ、加熱される。ヒータ６４によってダイシングテープ２０が加熱された後、ダイシング治具６２が動かないように固定された状態で、ステージ６６とリング６８とが既に公知の上下機構によって図中に示す上側に押し上げられ、図２７（ｃ）に示すように、隣接していた半導体装置１６の間がダイシングテープ２０の延びとともに広がり、各半導体装置１６が隔離される。その後、図２７（ｄ）に示すように、リング６８とダイシング治具６２との間でダイシングテープ２０をカットして、ステージ６６から取り外し、ダイシングテープ２０の裏面側から紫外線７０が照射される。ダイシングテープ２０の接着剤として用いられているアクリル樹脂は、この紫外線照射によって接着力が低下する。このようにして接着力が弱められた後に、図２７（ｅ）に示すように、各半導体装置１６の裏面からダイシングテープ２０が剥離される。

この場合、マークのために裏面に形成された凹凸が十分小さければ、ダイシングテープ２０を裏面から容易に剥離することができるが、この凹凸がある程度大きい場合には、凹凸面に沿ってダイシングテープ２０が溶着してしまい、剥離することが困難になる恐れがあるという問題がある。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、裏面が鏡面化処理された場合であっても、裏面に形成された製品情報等のマークを画像処理によって精度良く認識することができ、もって、光学式検査装置による効率的な自動検査を可能とする半導体装置を提供することにある。

上記の目的を達成するために、本発明では、以下のような手段を講じる。

請求項１に記載の半導体装置は、外部接続電極が形成された第１面と、鏡面状態である第２面とを有する半導体装置であって、
前記第２面はレーザマーキング法によって形成された凹部と前記凹部の周囲の凸部とからなる複数のクレータからなる粗面化領域を有し、
隣接するクレータ間の前記第２面に沿った隔離距離は前記クレータの前記第２面に沿った最大幅以下であり、
前記粗面化領域には製品情報を示す第１マークと、コントラスト調整用の第２マークとがクレータの集合により形成され、
前記第２マークを構成するクレータの個数、大きさ、形状、及び配置場所は、前記第２面に光が照射された場合、前記第２面のコントラストが前記第１マークを読み取ることが可能なコントラストとなるように決定されている。

請求項２に記載の半導体装置は、請求項１に記載の半導体装置において、前記粗面化領域は規則的に配列された略円形状のクレータからなる半導体装置。

請求項３に記載の半導体装置は、請求項１または請求項２に記載の半導体装置において、前記第２面はダイシングテープが剥離可能な表面粗さである半導体装置。

請求項４に記載の半導体装置は、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置において、互いに隣接するクレータの凸部がオーバーラップしている半導体装置。

請求項５に記載の半導体装置は、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置において、互いに隣接するクレータの凸部がオーバーラップしない半導体装置。

請求項６に記載の半導体装置は、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置において、前記凹部の底部と前記凸部の頂部との差を１μｍ以上１０μｍ以下になるようにした半導体装置。

請求項７に記載の半導体装置は、請求項６に記載の半導体装置において、前記凹部の底部と前記凸部の頂部との差を５μｍ以上１０μｍ以下になるようにした半導体装置。

従って、本発明においては、請求項１乃至請求項７のような手段を講じることにより、製品情報等のマークからなる粗面化領域によって、裏面のコントラストを下げることができる。これによって、裏面に光を照射した場合、粗面化領域と粗面化処理されていない領域との光反射率の違いから製品情報等を読み取ることが可能となる。以上により、光学式検査装置による効率的な自動検査が可能となる。

本発明によれば、裏面が鏡面化処理された場合であっても、裏面に形成された製品情報等のマークを画像処理によって精度良く認識することができ、もって、光学式検査装置による効率的な自動検査が可能となる。

以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を参照しながら説明する。

なお、以下の各形態の説明に用いる図中の符号は、図２７と同一部分については同一符号を付して示すことにする。

（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態を図１から図２５を用いて説明する。

図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の裏面の概念例を示す平面図である。

すなわち、本実施の形態に係る半導体装置の裏面１０（＃ａ）は、グラインダー等により鏡面化処理され、しかる後に、その一部に、レーザマーキング法によって粗面化処理された粗面化領域１４を設けている。したがって、粗面化領域１４以外の領域は、鏡面化領域１２である。

粗面化領域１４には、半導体装置の製品情報用マーク１４（＃ａ）、インデクス用あるいは検査用のマーク１４（＃ｂ）、コントラスト調整用マーク１４（＃ｃ）等のマークを設けている。

次に、図２から図１７、および図２２から図２４を用いて本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。

まず、図２に示すように、シリコン、あるいはＧａＡｓ等の半導体ウエハ１０には通常の方法によって図示しないアクティブエリアに半導体素子が形成され、アクティブエリアのデバイスと接続した電極パッド１３を公知の方法で形成し、電極パッド１３の表面のみを残してウエハ全表面をＰＳＧ、ＮＳＧ等或いはその組合せで構成されたガラス質の保護膜１１で覆う。つまり、表面は電極パッド１３のみが露出した状態のウエハ１０を準備する。なお、２５は、最終的にウエハ１０を切断することによって、各半導体装置１６毎にピックアップするための分割ライン２５である。

次に、図３に示すように、感光性を有する前駆体のポリアミック酸をスピンコーティング法等のコーティング方法を用いて後約１０μｍの厚さに塗布し、プリベーキングを行ないポリアミック酸を加熱して脱水させ固形化する。形成されたポリイミド層１５の膜厚は約５μｍ程度である。また、この時点ではまだイミド化率は８０％以下である。その後、所定のガラスマスクを用いて所定の条件で露光、現像してポリイミドをパターンニングし、ポリイミドを再びポストキュアーしてイミド化率を８０〜９５％近くに上げ、最終のポリイミド層１５を形成する。

次に、図４に示すように、ＵＢＭ１９をポリイミド層１５の全表面上に形成する。この形成方法は従来方法であるスパッター方法を用いて前処理に続いて例えばＴｉを１０００〜２５００Å（１Åは１０^−８ｃｍ）形成し、続いてＣｕを４５００から７５００Å程度形成する。

次に、図５に示すように、液状で且つ感光性有するめっきレジスト２１をスピンコーティング法等のコーティング方法で塗布し、プリベークした後、所定のガラスマスクで露光・現像を行なうことでめっきレジスト２１をパターンニングする。

次に、図６に示すように、ＵＢＭ１９をカソードにし、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ等の導電性材料を用いて再配線層２３を形成する。この場合、噴流式あるいはラック式電解めっき方法で例えばＣｕを使用した場合、その厚みは約５．０μｍ程度である。

次に、図７に示すように、めっきレジスト２１をアルカリ性の剥離剤を使用して剥離する。

次に、図８に示すように、真空あるいは大気圧でラミネート方法により再配線層２３が形成されたウエハ１０の表面に約１００μｍ厚さの感光性を有するドライフィルムレジスト２４をラミネートする。そして、再配線層２３上で、ポスト電極を形成すべきところが開口するように予定のガラスマスクを用いて露光、現像を行なってドライフィルムレジスト２４をパターンニングする。

次に、図９に示すように、ＵＢＭ１９を共通カソード電極にして電解めっき法で例えばＣｕを用いてポスト電極２６を形成する．このポスト電極２６の厚みは約７０〜９０μｍである。

次に、図１０に示すように、アルカリ性のドライフィルムレジスト剥離液を用いてドライフィルムレジスト２４を剥離させ、ＵＢＭ１９を露出させる。そして図１１に示すように、この露出したＵＢＭ１９を、再配線層２３をマスクに見立ててＵＢＭ１９を表面層であるＣｕ層から硫酸＋過酸化水素水溶液系あるいはアルカリ系のＣｕエッチング液を用い、エッチング液温度約３０℃程度で全面剥離し、Ｃｕ層剥離が完了したら水洗、乾燥を行い、露出しているＴｉ層をエッチングする。使用するエッチング液は、液温度を約５０℃〜６５℃程度の過酸化水素水等のＴｉエッチング液を用い、エッチング液に浸漬して剥離する。剥離完了後、ＤＩＷで洗浄し、乾燥する。

次に、図１２に示すように、液状のエポキシ樹脂等の封止樹脂２８をトランスファーモールディング方法、印刷方法等の封止方法でポスト電極２６が完全に埋め込まれるようにウエハ１０全面を被覆し、図示しないオーブンあるいは炉を用いて封止樹脂２８を不活性雰囲気中あるいは大気雰囲気中で約１２０℃〜１５０℃、約６０分間程度加熱し、硬化させる。

次に、図１３に示すように、封止樹脂２８に埋没したポスト電極２６の表面を露出させるためにウエハ１０表面側をケミカル・メカニカル・ポリッシング（ＣＭＰ）法を用いて研磨し、封止樹脂表面２９を平坦化させるとともに、ポスト電極２６の頭頂部表面３０を露出させる。このとき封止樹脂２８の厚みは８０μｍ〜９０μｍである。

次に、図１４に示すように、研磨した研磨面３２上に表面への汚染、ダメージ等を防止する為に表面保護テープ３４を加熱加圧して張り合わせ、ケミカル・メカニカル・ポリッシング（ＣＭＰ）法でウエハ１０の裏面１０（＃ａ）を研摩して初期のウエハ厚み６００μｍ〜７５０μｍを５００μｍ〜４００μｍに薄くする。この裏面研摩を行なうことによって、図１５に示すように、ウエハ１０の裏面１０（＃ａ）を鏡面状態に形成する。また、外部接続端子形成前の半導体装置の厚みを約５００μｍ程度にする。この表裏研摩は最終的に半導体装置の総厚みを８００μｍ以下に抑えるために不可欠な工程である。

次に、図１６に示すように、露出したポスト電極２６上に半田ボールを搭載するか、あるいは半田ペーストを印刷し、外部接続端子を構成する導電性材料を供給した後に、加熱して半田を一端溶融させて溶けた半田の表面張力で突起状の外部接続端子３６を形成する。なお、外部接続端子３６を半田としたが、これに限られる訳ではなく導電性を示すものであればどんなもの、構成でもかまわない。

次に、図１７に示すように、外部接続端子３６を形成後、専用の治具３８にウエハ１０を外部接続端子３６が下に来るように配置し、ウエハ裏面１０（＃ａ）が図中上になるようにしてウエハ１０を治具３８に固定して図示しないレーザマーキング装置にセットする。そして、予め設定されたプログラムに基づいて、予め決定された半導体装置の、予め決定された位置に、予め決定された情報あるいはマークをレーザマーキング装置（例えば、ＧＳＩムモニクス株式会社製、モデル；ＷＨ−４１００）を使用し、印字速度を５００〜１０００ｍｍ／秒、パルスレートを５〜１５ｋＨｚとしＹＡＧレーザ光の第２高調波を用いて形成する。例えば、印字速度を１０００ｍｍ／秒、パルスレートを１０ｋＨｚに設定すれば１００μｍピッチで後述するクレータ（ｃｒａｔｅｒ）４０を形成することができ、複数のクレータ４０からなる製品情報用マーク、インデクス用または検査用のマーク、コントラスト調整用マーク等のマークを形成する。

次に、クレータ４０の形成に関し詳細に説明する。図１８は、複数のクレータ４０によって形成されてなる粗面化領域１４を拡大した平面図の一例である。図１８に示すように、マーク１４（＃ａ，＃ｂ，＃ｃ）は、ウエハ１０の裏面１０（＃ａ）がレーザ照射されてなる多数のクレータ４０がほぼ規則的に配置されることによって形成されてなる。

図１９は、一列に形成されたクレータ４０の平面図およびそれに対応する断面図である。各クレータ４０は、レーザ照射されることによって裏面１０（＃ａ）が溶融してなる凹部４０（＃ａ）と、溶融痕が凹部４０（＃ａ）の周囲に堆積した凸部４０（＃ｂ）とによって形成されてなり、裏面１０（＃ａ）において略円形状をしている。典型的には、凹部４０（＃ａ）の裏面１０に対する深さＡは２μｍ程度、凸部４０（＃ｂ）の裏面１０（＃ａ）に対する高さＢは２μｍ程度、裏面１０（＃ａ）に沿ったクレータ４０の直径Ｗ、すなわち最大幅は５０μｍ程度である。

凹部４０（＃ａ）の深さＡと、凸部４０（＃ｂ）の高さＢとの和である表面粗さ（Ａ＋Ｂ）は、裏面１０（＃ａ）のコントラストに大きな影響を及ぼす。この表面粗さが１μｍ以上あれば、裏面１０（＃ａ）に光を照射した場合、乱反射を促進し、裏面１０（＃ａ）のコントラストを十分に下げる。ただし、表面粗さの値が大きくなれば、ダイシングテープ２０が凹部４０（＃ａ）に溶着してしまい、剥離することが次第に困難になる。したがって、ダイシングテープ２０の剥離性の観点から、表面粗さは１０μｍとするのが望ましい。以上を鑑み、本実施の形態では、表面粗さを１μｍ以上１０μｍ以下になるように、好ましくは５μｍ程度にしている。

また、図１８および図１９では、隣接するクレータ４０同士がオーバーラップしていない。この場合、各クレータ４０間は鏡面である。

図２０は、粗面化領域１４を拡大した平面図の別の一例である。ここでは、隣接するクレータ４０同士がオーバーラップしている。裏面１０（＃ａ）に光を照射した場合における乱反射を促進し、コントラストを下げるという観点からは、粗面化領域１４により多くのクレータ４０を設ければ良いので、このような配置であっても構わない。しかしながら、このように、高密度でクレータ４０を形成するためには、レーザの照射ポイント数が多くなり、粗面化領域１４の形成に多大な時間を要してしまう。このため、必要最低限の乱反射効果を得るのに十分な密度でクレータ４０を形成するのが望ましい。以上を鑑み、本実施の形態では、図１９に示すように、互いに隣接するクレータ４０間の裏面１０（＃ａ）に沿った隔離距離Ｄを、クレータ４０の直径Ｗ、すなわち最大幅以下、好ましくは最大幅の１／２以下としている。

このような粗面化領域１４によって、裏面１０（＃ａ）のコントラストを下げている。これによって、図示しない光学式検査装置が、裏面１０（＃ａ）に光を照射し、製品情報用マーク１４（＃ａ）から製品情報を認識したり、インデクス用あるいは検査用のマーク１４（＃ｂ）を認識できるようにしている。

裏面１０（＃ａ）に設けられる粗面化領域１４の個数、大きさ、形状、配置場所等については、光学式検査装置が、製品情報用マーク１４（＃ａ）から製品情報を認識したり、インデクス用あるいは検査用のマーク１４（＃ｂ）を認識できるのであれば、特に限定はない。したがって、図２１に示すように、製品情報用マーク１４（＃ａ）を大きく取ることによって裏面１０（＃ａ）のコントラストを十分に下げることができれば、コントラスト調整用マーク１４（＃ｃ）を省略するようにしてもよい。

こうして、図１８および図１９に示すように、ウエハ裏面１０（＃ａ）にレーザ照射されることによって凹部４０（＃ａ）と、凹部４０（＃ａ）の周囲の凸部４０（＃ｂ）とによって形成され、且つ表面粗さが１μｍ以上１０μｍ以下のクレータ４０を、互いに隣接するクレータ４０同士がオーバーラップしないように配置して形成することができる。

このようにクレータ４０が形成されてなる粗面化領域１４によって、確実にダイシングテープ２０から容易に、且つ確実に剥離することができる。更に、このようなクレータ４０形状のため、凹部４０（＃ａ）周辺に形成される凸部４０（＃ｂ）にアクリル樹脂接着剤が残査としてのこることなく剥離することができる。

次に、図２２に示すように、ウエハ１０を分割ライン２５から分割する為に、予めダイシングリング４２に接着固定した塩化ビニル樹脂で形成されたベースフィルム４４上にアクリル樹脂系の接着剤層４６が形成されてなるダイシングテープ２０と、マーク１４（＃ａ，＃ｂ，＃ｃ）が形成されたウエハ裏面１０（＃ａ）を相対的に加熱加圧して貼り合せウエハ１０をダイシングテープ２０に固定する。この状態のウエハ１０をダイシング装置にセットし、図２３に示すように、ハウジング１７（＃ａ）とハウジング１７（＃ｂ）とを備えた公知のダイシングブレード１７を回転軸Ｒを中心に回転させることによって、ウエハ１０を格子状にカットする。その後、紫外線をダイシングテープ２０面側から照射して、アクリル樹脂の接着力を低下させたのち、図２４に示すように、分割された半導体装置１６をピックアップする。

尚、上記プロセスではピックアップをダイシング後に行なったが、既に公知のエキスパンド法を用いてダイシング後にダイシングテープ２０とともに放射状に引き伸ばす（エキスパンド）して各半導体装置１６を更に引き離すことをしても構わない。

次に、上述したようなマークを有する半導体装置１６の実装構造を図２５に示す。半導体装置１６は外部接続端子３６を介して基板４８上に形成された回路配線５０の所定の場所に半田接合される。この基板４８の回路配線５０には、半導体装置１６とは別の電子部品５１が搭載されていても良い。上述したようなマーク１４（＃ａ，＃ｂ，＃ｃ）は、レーザ照射されることによって凹部４０（＃ａ）と、凹部４０（＃ａ）の周囲の凸部４０（＃ｂ）とによって形成され、且つ表面粗さが１μｍ以上１０μｍ以下になる複数のクレータ４０からなるので、半導体装置１６を実装後の光学式検査装置で検査を行なっても正確に認識できる。

次に、以上のように構成した本実施の形態に係る半導体装置の作用について説明する。

すなわち、本実施の形態に係る半導体装置１６では、裏面１０（＃ａ）が、グラインダー等により鏡面化処理され、しかる後に、その一部に、レーザマーキング法によって粗面化処理された粗面化領域１４が設けられている。粗面化領域１４には、半導体装置１６の製品情報用マーク１４（＃ａ）、インデクス用あるいは検査用のマーク１４（＃ｂ）、コントラスト調整用マーク１４（＃ｃ）等のマークが設けられる。これらは、裏面１０（＃ａ）がレーザ照射されてなる多数のクレータ４０がほぼ規則的に配置されることによって形成される。

クレータ４０の表面粗さは、裏面１０（＃ａ）のコントラストに大きな影響を及ぼす。この表面粗さが１μｍ以上あれば、裏面１０（＃ａ）に光を照射した場合、乱反射を促進し、裏面１０（＃ａ）のコントラストを十分に下げることが知られている。一方、表面粗さの値が大きくなれば、ダイシングテープ２０が凹部４０（＃ａ）に溶着してしまい、剥離することが段々困難になるため、ダイシングテープ２０の剥離性の観点から、表面粗さは１０μｍとするのが望ましい。

本実施の形態では、このクレータ４０の表面粗さが、１μｍ以上１０μｍ以下、好ましくは５μｍ程度とされているので、裏面１０（＃ａ）に光を照射した場合、乱反射が促進され、裏面１０（＃ａ）のコントラストが十分に低減されるとともに、ダイシングテープ２０を剥離する場合であっても、容易に剥離される。

一方、裏面１０（＃ａ）のコントラストを下げるという観点からは、粗面化領域１４におけるクレータ４０の数密度が高いほど好ましいが、高密度でクレータ４０を形成するためには、レーザの照射ポイント数も多くなり、粗面化領域１４の形成に多大な時間を要してしまう。しかしながら本実施の形態では、互いに隣接するクレータ４０間の裏面１０（＃ａ）に沿った隔離距離Ｄを、クレータ４０の直径、すなわち最大幅以下、好ましくは最大幅の１／２以下としているので、必要最低限の乱反射効果が実現されるとともに、レーザマーキングによる粗面化領域１４の形成に要する時間が短縮される。

上述したように、本実施の形態に係る半導体装置１６においては、上記のように、粗面化領域１４が設けられることによって、裏面１０（＃ａ）のコントラストが低下するために、光学式検査装置によって裏面１０（＃ａ）に光を照射した場合、製品情報用マーク１４（＃ａ）から製品情報が精度良く認識される。また、インデクス用または検査用のマーク１４（＃ｂ）もまた精度良く認識される。これによって、光学式検査装置によってなされる検査効率の向上を図ることが可能となる。

裏面１０（＃ａ）に設けられる粗面化領域１４の個数、大きさ、形状、配置場所等については、光学式検査装置が、製品情報用マーク１４（＃ａ）から製品情報を認識したり、インデクス用または検査用のマーク１４（＃ｂ）を認識できるのであれば、特に限定はない。したがって、図２１に示すように、製品情報用マーク１４（＃ａ）を大きく取ることによって裏面１０（＃ａ）のコントラストを十分に下げることができれば、コントラスト調整用マーク１４（＃ｃ）を省略することができるなど、柔軟に設けることができ、制約条件は少ない。

また、粗面化領域１４には、必要最低限の密度でクレータ４０を形成すればよいので、レーザマーキングによる粗面化領域１４の形成に要する時間を短縮することができる。更に、ダイシングテープ２０を剥離する場合であっても、容易に剥離することができる。尚、本実施の形態ではＷＬＣＳＰ（ウエハレベルＣＳＰ）で説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、基板４８の表面と外部接続端子３６との間に別の半導体装置、例えばＧａＡｓデバイス等の能動素子や、レジスタンス、キャパシタンス、インダクタンス等の受動素子が埋め込まれた半導体装置でもかまわない。

（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態を図２６を用いて説明する。

図２６は、本実施の形態に係る半導体装置１６の実装構造を示す立断面図である。

すなわち、本実施の形態に係る半導体装置１６の実装構造体は、エポキシ、ポリイミド、ポリエーテルイミド（ＰＥＴ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）等のプラスチックフィルムで形成されたフレキシブル基板５２上に、キャスチング法、ラミネート法、スパッタ−めっき法等の方法により、Ｃｕ等の導電性材を形成し、エッチングレジストをパターンニングして導電性材料をエッチングして回路配線５０を形成し、図示しない接続用パッド以外の露出領域を図示しないソルダーレジスト等で表面保護膜を形成したフレキシブル基板５２に、バンプ電極５４を介して半導体装置１６をフリップチップボンディングしている。更に、フレキシブル基板５２と半導体装置１６とで形成される空間に、エポキシ樹脂等の封止樹脂２８をサイドポッティング法により充填し形成している。

そして、ウエハ裏面１０（＃ａ）のみならず、フレキシブル基板５２を構成するプラスチックフィルム上や、半導体装置１６および電子部品５１ともに接続されていない回路配線５０にもまた粗面化領域１４を設け、実装構造体のロット番号等の製品情報マーク１４（＃ａ）、インデクス用または検査用のマーク１４（＃ｂ）、あるいはコントラスト調整用マーク１４（＃ｃ）等のマークを、第１の実施の形態で説明したクレータ４０で構成し、形成する。

このようにウエハ裏面１０（＃ａ）のみならず、フレキシブル基板５２上にもまた粗面化領域１４を設けることによって、マーク１４（＃ａ，＃ｂ，＃ｃ）をレーザ光を用いて認識できる為、高速に処理することができる。更に、上述したようなマークで情報を構成したので、少ない領域に情報を書き込むことができる。

本来、プラスティックからなるフレキシブル基板５２は半透明であり透過性が高く、光学式の認識装置では光が透過し認識できなかったが、本発明のマークを使用すると、光学式認識装置を用いても光が乱反射するので透過せず、反射光が多く得ることができるので実装構造体に書き込まれた情報を高速に読みこむことができる。更に、回路配線５０を安定してエッチングする為に形成されたダミー配線や、フレキシブル基板５２の反りを低減させる目的で残されたＣｕ表面、つまり、製品特性、品質に影響を及ぼさないＣｕ表面にマークを形成してもよい。

以上、本発明を実施するための最良の形態について、添付図面を参照しながら説明したが、本発明はかかる構成に限定されない。特許請求の範囲の発明された技術的思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

第１の実施の形態に係る半導体装置の裏面の一例を示す平面図。 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の各工程における半導体装置の一例を示す立断面図（ウエハ準備）。 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の各工程における半導体装置の一例を示す立断面図（ポリイミド塗布及びパターニング）。 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の各工程における半導体装置の一例を示す立断面図（ＵＢＭ形成）。 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の各工程における半導体装置の一例を示す立断面図（レジスト塗布及びパターニング）。 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の各工程における半導体装置の一例を示す立断面図（再配線形成）。 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の各工程における半導体装置の一例を示す立断面図（レジスト剥離）。 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の各工程における半導体装置の一例を示す立断面図（ドライフィルムレジストラミネート及びパターニング等）。 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の各工程における半導体装置の一例を示す立断面図（ポスト電極形成）。 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の各工程における半導体装置の一例を示す立断面図（ドライフィルムレジスト剥離）。 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の各工程における半導体装置の一例を示す立断面図（ＵＢＭエッチング）。 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の各工程における半導体装置の一例を示す立断面図（封止樹脂塗布）。 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の各工程における半導体装置の一例を示す立断面図（表面ポリッシング）。 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の各工程における半導体装置の一例を示す立断面図（保護テープ貼り合わせ）。 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の各工程における半導体装置の一例を示す立断面図（裏面ポリッシング）。 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の各工程における半導体装置の一例を示す立断面図（外部接続端子形成）。 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の各工程における半導体装置の一例を示す立断面図（マーキング）。 粗面化領域を拡大した平面図の一例。 一列に形成されたクレータの平面図およびそれに対応する断面図。 粗面化領域を拡大した平面図の別の一例。 第１の実施の形態に係る半導体装置の裏面の別の例を示す平面図。 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の各工程における半導体装置の一例を示す立断面図（ダイシングテープ貼り付け）。 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の各工程における半導体装置の一例を示す立断面図（半導体装置分割）。 第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の各工程における半導体装置の一例を示す立断面図（半導体装置ピックアップ）。 第１の実施の形態に係る半導体装置の実装構造の一例を示す立断面図。 第２の実施の形態に係る半導体装置の実装構造の一例を示す立断面図。 従来技術によるダイシングテープを剥離するプロセスを示す工程図。

符号の説明

１０…半導体ウエハ、１０（＃ａ）…裏面、１１…保護膜、１２…鏡面化領域、１３…電極パッド、１４…粗面化領域、１４（＃ａ）…製品情報用マーク、１４（＃ｂ）…インデクス用または検査用のマーク、１４（＃ｃ）…コントラスト調整用マーク、１５…ポリイミド層、１６，１８…半導体装置、１７…ダイシングブレード、１７（＃ａ），１７（＃ｂ）…ハウジング、１９…ＵＢＭ、２０…ダイシングテープ、２１…めっきレジスト、２３…再配線層、２４…ドライフィルムレジスト、２５…分割ライン、２６…ポスト電極、２８…封止樹脂、２９…封止樹脂表面、３０…頭頂部表面、３２…研磨面、３４…表面保護テープ、３６…外部接続端子、３８…治具、４０…クレータ、４０（＃ａ）…凹部、４０（＃ｂ）…凸部、４２…ダイシングリング、４４…ベースフィルム、４６…接着剤層、４８…基板、５０…回路配線、５１…電子部品、５２…フレキシブル基板、５４…バンプ電極、６０…シリコン基板、６２…ダイシング治具、６４…ヒータ、６６…ステージ、６８…リング、７０…紫外線

Claims (7)

1. 外部接続電極が形成された第１面と、鏡面状態である第２面とを有する半導体装置であって、
   前記第２面はレーザマーキング法によって形成された凹部と前記凹部の周囲の凸部とからなる複数のクレータからなる粗面化領域を有し、
   隣接するクレータ間の前記第２面に沿った隔離距離は前記クレータの前記第２面に沿った最大幅以下であり、
   前記粗面化領域には製品情報を示す第１マークと、コントラスト調整用の第２マークとがクレータの集合により形成され、
   前記第２マークを構成するクレータの個数、大きさ、形状、及び配置場所は、前記第２面に光が照射された場合、前記第２面のコントラストが前記第１マークを読み取ることが可能なコントラストとなるように決定されている半導体装置。
2. 請求項１に記載の半導体装置において、
   前記粗面化領域は規則的に配列された略円形状のクレータからなる半導体装置。
3. 請求項１または請求項２に記載の半導体装置において、
   前記第２面はダイシングテープが剥離可能な表面粗さである半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置において、
   互いに隣接するクレータの凸部がオーバーラップしている半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置において、
   互いに隣接するクレータの凸部がオーバーラップしない半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置において、
   前記凹部の底部と前記凸部の頂部との差を１μｍ以上１０μｍ以下になるようにした半導体装置。
7. 請求項６に記載の半導体装置において、
   前記凹部の底部と前記凸部の頂部との差を５μｍ以上１０μｍ以下になるようにした半導体装置。

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