JP2007150174A - 半導体装置のマーク形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 シリコン基板1の下面に、レーザ照射によるレーザ加工を行うことにより、凹部22からなる文字等のマークを形成する。この場合、凹部22の深さをマーク(例えば、文字)として認識し得る程度の深さ1〜10μmあるいはそれ以上にすると、凹部22の縁部にバリ23が形成され、シリコン溶融物が飛散して凹部22の周囲におけるシリコン基板1の下面にシリコン屑24が付着する。そこで、次に、シリコン基板1の下面にシリコン溶解可能なフッ酸等の溶液を均等に吹き付けてウェットエッチングを行なうと、バリ23及びシリコン屑24が除去され、シリコン基板1の凹部22以外の下面が平坦化される。
【選択図】 図4
Description
2 接続パッド
3 絶縁膜
5 保護膜
7 下地金属層
8 配線
9 柱状電極
10 封止膜
11 半田ボール
22 凹部
23 バリ
24 シリコン屑
25 ダイシング用の粘着テープ
Claims (5)
- 半導体基板の一面にレーザ照射によるレーザ加工により凹部からなるマークを形成し、この後、前記レーザ加工により前記半導体基板の一面に形成された不要物を除去することを特徴とする半導体装置のマーク形成方法。
- 請求項1に記載の発明において、前記半導体基板はウエハ状態のシリコン基板であり、前記不要物は、前記凹部の縁部に形成されたバリ及び前記凹部の周囲における前記シリコン基板の一面に付着したシリコン屑であることを特徴とする半導体装置のマーク形成方法。
- 請求項2に記載の発明において、前記バリ及び前記シリコン屑の除去はウェットエッチングにより行うことを特徴とする半導体装置のマーク形成方法。
- 請求項2に記載の発明において、前記バリ及び前記シリコン屑を除去した後に、前記シリコン基板の一面をダイシング用の粘着テープに貼り付け、ダイシングを行うことを特徴とする半導体装置のマーク形成方法。
- 請求項2に記載の発明において、前記バリ及び前記シリコン屑を除去した後に、前記シリコン基板の一面をダイシング用の紫外線硬化型の粘着シートに貼り付け、ダイシングを行うことを特徴とする半導体装置のマーク形成方法。
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JP2005345612A JP2007150174A (ja) | 2005-11-30 | 2005-11-30 | 半導体装置のマーク形成方法 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023286518A1 (ja) * | 2021-07-13 | 2023-01-19 | 信越半導体株式会社 | デブリ判定方法 |
WO2023286519A1 (ja) * | 2021-07-13 | 2023-01-19 | 信越半導体株式会社 | デブリ判定方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08191038A (ja) * | 1995-01-11 | 1996-07-23 | Kawasaki Steel Corp | 半導体基板へのマーキング方法 |
-
2005
- 2005-11-30 JP JP2005345612A patent/JP2007150174A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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JPH08191038A (ja) * | 1995-01-11 | 1996-07-23 | Kawasaki Steel Corp | 半導体基板へのマーキング方法 |
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WO2023286518A1 (ja) * | 2021-07-13 | 2023-01-19 | 信越半導体株式会社 | デブリ判定方法 |
WO2023286519A1 (ja) * | 2021-07-13 | 2023-01-19 | 信越半導体株式会社 | デブリ判定方法 |
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