JP2007150174A5 - - Google Patents

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Claims (5)

  1. シリコン基板からなり集積回路を有する半導体基板の一面に前記集積回路に電気的に接続されて設けられた複数の柱状電極を形成し、前記半導体基板の他面にレーザ照射によるレーザ加工により凹部からなるマークを形成し、この後、前記レーザ加工により前記半導体基板の前記凹部の縁部に形成されたバリ及び前記凹部の周囲に付着したシリコン屑不要物を除去することを特徴とする半導体装置のマーク形成方法。
  2. 請求項1に記載の発明において、前記バリ及び前記シリコン屑の除去は研磨材を用いた機械的研磨により行うことを特徴とする半導体装置のマーク形成方法。
  3. 請求項に記載の発明において、前記バリ及び前記シリコン屑の除去はウェットエッチ
    ングにより行うことを特徴とする半導体装置のマーク形成方法。
  4. 請求項に記載の発明において、前記バリ及び前記シリコン屑を除去した後に、前記シ
    リコン基板の一面をダイシング用の粘着テープに貼り付け、ダイシングを行うことを特徴
    とする半導体装置のマーク形成方法。
  5. 請求項に記載の発明において、前記バリ及び前記シリコン屑を除去した後に、前記シ
    リコン基板の一面をダイシング用の紫外線硬化型の粘着シートに貼り付け、ダイシングを
    行うことを特徴とする半導体装置のマーク形成方法。
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