JP2008012654A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 複数のチップを有する半導体ウェーハにおける前記各チップの所定の領域上に、振動膜を形成する工程（ａ）と、
   前記各チップの前記振動膜上に位置する犠牲層を含む中間膜を前記半導体ウェーハ上に形成する工程（ｂ）と、
   前記中間膜上に固定膜を形成する工程（ｃ）と、
   前記半導体ウェーハに対するエッチングにより、前記犠牲層を除去して前記振動膜と前記固定膜との間に空隙を設ける工程（ｄ）と、
   前記半導体ウェーハをレーザダイシングすることにより、前記各チップを分離する工程（ｅ）とを備え、
   前記犠牲膜を除去して空隙を設ける工程（ｄ）の後に、前記チップを分離する工程（ｅ）が行なわれることを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 請求項１において、
   前記工程（ｅ）において、前記半導体ウェーハの前記固定膜が形成された面に表面保護テープを貼り付けた後、前記半導体ウェーハの他方の面から前記レーザダイシングを行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 請求項１において、
   前記工程（ｅ）において、前記半導体ウェーハの前記固定膜が形成された面とは反対の面にダイシングテープを貼り付けた後、前記固定膜が形成された面から前記レーザダイシングを行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 請求項１において、
   前記工程（ｄ）の後で且つ前記工程（ｅ）の前に、前記半導体ウェーハの前記固定膜が形成された面に表面保護テープを貼り付けた後、前記半導体ウェーハの他方の面を研磨する工程を更に備え、
   前記工程（ｅ）において、前記半導体ウェーハの前記他方の面から前記レーザダイシングを行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 請求項１〜４のいずれか一つにおいて、
   前記工程（ｅ）は、
   前記各チップの周囲にレーザ照射を行なうことにより、前記各チップを囲む変質層を形成する工程と、
   前記半導体ウェーハに力を加えることにより前記変質層に沿って前記各チップを分離する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。