JP2020518133A5 - - Google Patents

Claims (34)

1. 方法であって、
   ウエハの接合面への保護層を前記ウエハを含む基板に適用する工程と、
   前記ウエハ及び前記保護層を複数の半導体ダイ構成要素に個片化する工程と、
   複数の前記半導体ダイ構成要素のうち各々の前記半導体ダイ構成要素の個別の接合面を露出させるように前記保護層を除去する工程と、
   別の基板の表面に接合するため複数の前記半導体ダイ構成要素のうち１つ又は２つ以上の前記半導体ダイ構成要素の前記個別の接合面を準備する工程と、を含む、方法。
2. 前記保護層は、前記ウエハの第１の接合面の第１の保護層であり、前記基板は、前記ウエハの第２の接合面の第２の保護層を備え、
   前記第２の接合面は、前記第１の接合面とは異なり、
   前記方法は、さらに、前記第２の保護層を除去する工程を含む、請求項１に記載の方法。
3. 複数の前記半導体ダイ構成要素のうち１つ又は２つ以上の前記半導体ダイ構成要素の前記個別の接合面を準備する工程は、複数の前記半導体ダイ構成要素のうち１つ又は２つ以上の前記半導体ダイ構成要素の前記個別の接合面をプラズマ活性化させる工程を含む、請求項１に記載の前記方法。
4. 前記基板は、第１の基板であり、前記接合面は、第１の接合面であり、
   前記方法は、さらに、複数の前記半導体ダイ構成要素のうち少なくとも１つの前記半導体ダイ構成要素の個別の前記接合面を、前記第２の基板の前記第２の接合面に接合する工程を含む、請求項１に記載の前記方法。
5. 複数の前記半導体ダイ構成要素のうち少なくとも１つの前記半導体ダイ構成要素の前記個別の接合面を、前記第２の基板の前記第２の接合面に接合する工程は、複数の前記半導体ダイ構成要素のうち少なくとも１つの前記半導体ダイ構成要素の前記個別の接合面を、接着剤又は介在層なしに前記第２の基板の前記第２の接合面に直接に接合する工程を含む、請求項４に記載の前記方法。
6. 複数の前記半導体ダイ構成要素のうち１つ又は２つ以上の前記半導体ダイ構成要素の個別の前記接合面を、前記第２の基板の前記第２の接合面に接合する工程は、複数の前記半導体ダイ構成要素のうち少なくとも１つの前記半導体ダイ構成要素の個別の前記接合面を、前記第２の基板の前記第２の接合面にハイブリッド接合する工程を含む、請求項４に記載の前記方法。
7. さらに、ハイブリッド接合する工程のために前記第２の基板の前記第２の接合面を活性化させる工程を含む、請求項６に記載の前記方法。
8. さらに、メガソニック洗浄処理を用いて複数の前記半導体ダイ構成要素を洗浄する工程を含む、請求項１に記載の前記方法。
9. さらに、複数の前記半導体ダイ構成要素のうち個別の前記半導体ダイ構成要素の縁部から粒子を取り除くため、複数の前記半導体ダイ構成要素のうち個別の前記半導体ダイ構成要素の前記縁部をエッチングする工程を含む、請求項１に記載の前記方法。
10. さらに、腐食液からほぼ平坦な面を保護するため、前記エッチングする工程の前に、複数の前記半導体ダイ構成要素のうち各々の前記半導体ダイ構成要素のほぼ平坦な面に保護コーティングを適用する工程を含む、請求項９に記載の前記方法。
11. さらに、複数の前記半導体ダイ構成要素のうち第１の前記半導体ダイ構成要素の前記個別の接合面を、複数の前記半導体ダイ構成要素のうち第２の前記半導体ダイ構成要素の前記個別の接合面に接合する工程を含む、請求項１に記載の前記方法。
12. 方法であって、
    複数の半導体ダイ構成要素を提供するためウエハを個片化する工程と、
    複数の前記半導体ダイ構成要素のうち１つ又は２つ以上の前記半導体ダイ構成要素の接合面から保護層を除去する工程と、
    基板の表面に接合するため複数の前記半導体ダイ構成要素のうち１つ又は２つ以上の前記半導体ダイ構成要素の前記接合面を準備する工程と、
    複数の前記半導体ダイ構成要素のうち１つ又は２つ以上の前記半導体ダイ構成要素を、前記基板の前記表面に直接接合する工程と、を含む、方法。
13. 複数の前記半導体ダイ構成要素のうち１つ又は２つ以上の前記半導体ダイ構成要素の前記接合面を準備する工程は、複数の前記半導体ダイ構成要素のうち１つ又は２つ以上の前記半導体ダイ構成要素の前記個別の接合面を、プラズマ活性化する工程を含む、請求項１２に記載の方法。
14. 方法であって、
    ほぼ平坦な面を有するウエハに保護層又はコーティングを適用する工程と、
    複数の半導体ダイ構成要素を提供するように前記ウエハを個片化する工程と、
    複数の前記半導体ダイ構成要素のうち１つ又は２つ以上の前記半導体ダイ構成要素の接合面から前記保護層又は前記コーティングを除去する工程と、
    基板の表面に接合するため複数の前記半導体ダイ構成要素のうち１つ又は２つ以上の前記半導体ダイ構成要素の前記接合面を準備する工程と、
    複数の前記半導体ダイ構成要素のうち１つ又は２つ以上の前記半導体ダイ構成要素を、前記基板の前記表面にハイブリッド接合する工程とを含む、方法。
15. 複数の前記半導体ダイ構成要素のうち１つ又は２つ以上の前記半導体ダイ構成要素の前記接合面を準備する工程は、複数の前記半導体ダイ構成要素のうち１つ又は２つ以上の前記半導体ダイ構成要素の前記個別の接合面を、プラズマ活性化する工程を含む、請求項１４に記載の方法。
16. さらに、メガソニック洗浄処理を用いて複数の前記半導体ダイ構成要素を洗浄する工程を含む、請求項１４に記載の前記方法。
17. 方法であって、
    ウエハの接合面への保護層を前記ウエハを含む基板に適用する工程と、
    前記ウエハ及び前記保護層を複数の半導体ダイ構成要素に個片化する工程と、
    複数の前記半導体ダイ構成要素のうち１つ又は２つ以上の前記半導体ダイ構成要素の個別の接合面を露出させるように前記保護層を除去する工程と、
    を含む、方法。
18. 複数の前記半導体ダイ構成要素のうち１つ又は２つ以上の前記半導体ダイ構成要素の前記個別の接合面を洗浄する工程を更に含む、請求項１７に記載の方法。
19. 複数の前記半導体ダイ構成要素のうち１つ又は２つ以上の前記半導体ダイ構成要素の前記個別の接合面を洗浄する工程は、複数の前記半導体ダイ構成要素のうち１つ又は２つ以上の前記半導体ダイ構成要素の前記個別の接合面を機械的に洗浄する工程を含む、請求項１８に記載の方法。
20. 複数の前記半導体ダイ構成要素のうち１つ又は２つ以上の前記半導体ダイ構成要素の前記個別の接合面を洗浄する工程は、複数の前記半導体ダイ構成要素のうち１つ又は２つ以上の前記半導体ダイ構成要素の前記個別の接合面を化学的に洗浄する工程を含む、請求項１８に記載の方法。
21. 複数の前記半導体ダイ構成要素のうち１つ又は２つ以上の前記半導体ダイ構成要素の前記個別の接合面を洗浄する工程は、複数の前記半導体ダイ構成要素のうち１つ又は２つ以上の前記半導体ダイ構成要素の前記個別の接合面を湿式洗浄する工程を含む、請求項１８に記載の方法。
22. さらに、複数の前記半導体ダイ構成要素のうち１つ又は２つ以上の前記半導体ダイ構成要素の前記個別の接合面をプラズマ活性化する工程を含む、請求項１７に記載の方法。
23. さらに、キャリアに固定される複数の前記半導体ダイ構成要素のうち１つ又は２つ以上の前記半導体ダイ構成要素の間の間隙を形成するように前記基板に結合された前記キャリアを延伸する工程と、
    １つ又は２つ以上の前記間隙に沿って前記キャリアを穿孔する工程と、を含む、請求項１７に記載の方法。
24. １つ又は２つ以上の前記間隙に沿って前記キャリアを穿孔する工程は、ダイシングブレード、高温ナイフ、又は光学ナイフのうち１つ又は２つ以上を用いて１つ又は２つ以上の前記間隙に沿って前記キャリアを穿孔する工程を含む、請求項２３に記載の方法。
25. さらに、複数の前記半導体ダイ構成要素のうち１つ又は２つ以上の前記半導体ダイ構成要素が、前記キャリアに固定され、前記縁部は１つ又は２つ以上の前記間隙において露出される間、複数の前記半導体ダイ構成要素のうち１つ又は２つ以上の前記半導体ダイ構成要素の１つ又は２つ以上の縁部を洗浄する工程を含む、請求項２３に記載の方法。
26. 前記キャリアは、ダイシングシートを含む、請求項２３に記載の方法。
27. 前記保護層は、前記ウエハの前記第１の接合面上の第１の保護層であり、前記基板は、前記ウエハの前記第２の接合面上の第２の保護層を含み、前記第２の接合面は、前記第１の接合面とは異なり、
    前記方法は、さらに、前記ウエハを複数の前記半導体ダイ構成要素に個片化する工程の後に前記第２の保護層を除去する工程を含む、請求項１７に記載の方法。
28. 方法であって、
    ウエハを含む基板に、前記ウエハの接合面への保護層を適用する工程であって、前記基板はキャリアに結合される、前記適用する工程と、
    複数の前記半導体ダイ構成要素に前記ウエハ及び前記保護層を個片化する工程と、
    前記キャリアを延伸させて、前記キャリアに固定された複数の前記半導体ダイ構成要素の１つ又は２つ以上の前記半導体ダイ構成要素間に間隙を形成する、前記キャリアを延伸させる工程と、
    前記キャリアを延伸させる工程の後に、複数の前記半導体ダイ構成要素のうち１つ又は２つ以上の前記半導体ダイ構成要素の個別の接合面を露出させるため前記保護層を除去する工程と、を含む、方法。
29. さらに、複数の前記半導体ダイ構成要素のうち１つ又は２つ以上の前記半導体ダイ構成要素の前記個別の接合面をプラズマ活性化する工程を含む、請求項２８に記載の方法。
30. さらに、１つ又は２つ以上の前記間隙に沿って前記キャリアを穿孔する工程を含む、請求項２８に記載の方法。
31. １つ又は２つ以上の前記間隙に沿って前記キャリアを穿孔する工程は、ダイシングブレード、高温ナイフ、又は光学ナイフのうち１つ又は２つ以上を用いて１つ又は２つ以上の前記間隙に沿って前記キャリアを穿孔する工程を含む、請求項３０に記載の方法。
32. さらに、複数の前記半導体ダイ構成要素のうち１つ又は２つ以上の前記半導体ダイ構成要素の前記個別の接合面を洗浄する工程と、
    複数の前記半導体ダイ構成要素のうち１つ又は２つ以上の前記半導体ダイ構成要素の縁部を洗浄する工程であって、前記縁部は前記間隙に露出され、前記縁部を洗浄する工程とを含む、請求項３０に記載の方法。
33. 複数の前記半導体ダイ構成要素のうち１つ又は２つ以上の前記半導体ダイ構成要素の前記個別の接合面を洗浄する工程は、（ｉ）前記個別の接合面を機械的に洗浄する工程、（ｉｉ）前記個別の接合面を化学的に洗浄する工程、又は、（ｉｉｉ）前記個別の接合面を湿式洗浄する工程、のうち少なくとも１つを含む、請求項３２に記載の方法。
34. 前記保護層は、前記ウエハの第１の接合面上の第１の保護層であり、前記基板は、前記ウエハの前記第２の接合面上の第２の保護層を含み、前記第２の接合面は、前記第１の接合面とは異なり、
    前記方法は、さらに、前記ウエハを複数の前記半導体ダイ構成要素に個片化する工程の後に前記第２の保護層を除去する工程を含む、請求項２８に記載の方法。