JPH07193294A - 電子部品およびその製造方法 - Google Patents
電子部品およびその製造方法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 286
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 36
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 106
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 29
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 25
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 19
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 18
- RIUWBIIVUYSTCN-UHFFFAOYSA-N trilithium borate Chemical compound [Li+].[Li+].[Li+].[O-]B([O-])[O-] RIUWBIIVUYSTCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 8
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 21
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 21
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 18
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 abstract description 11
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 15
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 3
- -1 silicon nitride Chemical compound 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N azane;hydrogen peroxide Chemical compound [NH4+].[O-]O SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000001483 high-temperature X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical group [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0595—Holders; Supports the holder support and resonator being formed in one body
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
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- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1035—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by two sealing substrates sandwiching the piezoelectric layer of the BAW device
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
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- H10N30/2041—Beam type
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 熱的機械的安定性に優れ、また十分な気密性
をとりながら、電極引出しを行うことのできる電子部品
およびその製造方法を提供する。 【構成】 第１の基板１と、第２の基板２とを有し、第
１の基板１の表面に、端子電極を構成する導体層３と、
この導体層３の上に形成された絶縁層４とを有し、絶縁
層４と第２の基板とが、水素結合および共有結合の内の
少なくとも一方の結合により、直接接合されている。接
合初期は、接合面である絶縁層４表面と第２の基板２表
面に吸着した水素、水酸基による水素結合により結合が
主として行われ、熱処理すると、界面から水素が離脱
し、酸素が関与した共有結合が増加し接合が強化され
る。このため、熱的変動、機械的振動に対して安定した
性能が得られる。
をとりながら、電極引出しを行うことのできる電子部品
およびその製造方法を提供する。 【構成】 第１の基板１と、第２の基板２とを有し、第
１の基板１の表面に、端子電極を構成する導体層３と、
この導体層３の上に形成された絶縁層４とを有し、絶縁
層４と第２の基板とが、水素結合および共有結合の内の
少なくとも一方の結合により、直接接合されている。接
合初期は、接合面である絶縁層４表面と第２の基板２表
面に吸着した水素、水酸基による水素結合により結合が
主として行われ、熱処理すると、界面から水素が離脱
し、酸素が関与した共有結合が増加し接合が強化され
る。このため、熱的変動、機械的振動に対して安定した
性能が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、電子部品およびその
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】水晶振動子、ＳＡＷフィルターに代表さ
れる圧電効果を利用した各種の圧電デバイスは、各種高
周波フィルタや発振子として、無線通信機器に広く利用
されている。これらの圧電デバイスは電界を加えた時の
圧電素子の機械的振動を利用している。従って、機械的
振動を損なうことなく、圧電素子の固定をどう行うか
が、性能に密接に関連している。とくに圧電特性に悪影
響を与えることなく、圧電素子を固定し、気密封止し、
圧電素子の電極を外部へ電気的に引出す方法の開発が、
重要な課題となっている。
れる圧電効果を利用した各種の圧電デバイスは、各種高
周波フィルタや発振子として、無線通信機器に広く利用
されている。これらの圧電デバイスは電界を加えた時の
圧電素子の機械的振動を利用している。従って、機械的
振動を損なうことなく、圧電素子の固定をどう行うか
が、性能に密接に関連している。とくに圧電特性に悪影
響を与えることなく、圧電素子を固定し、気密封止し、
圧電素子の電極を外部へ電気的に引出す方法の開発が、
重要な課題となっている。
【０００３】従来の圧電デバイスにおいては、以下の方
法が用いられている。まず第１にバネやねじで圧電素子
を機械的に固定する方法がある。この支持方法は、簡便
であるが、熱的変化や機械的衝撃に対して長期間安定な
ものを得ることが困難である。第２に、エポキシ樹脂や
シリコーン系樹脂などからなる各種接着剤や導電性ペー
ストを用いて、圧電素子を固定する方法も知られてい
る。しかし、これらの接着剤は耐熱性が低いので、圧電
デバイスの製造過程において２３０℃前後の半田リフロ
ー処理を行うと、圧電素子の振動周波数が変化するとい
う問題がある。また、使用する場合においても、長期間
の熱的安定性に劣るという問題がある。
法が用いられている。まず第１にバネやねじで圧電素子
を機械的に固定する方法がある。この支持方法は、簡便
であるが、熱的変化や機械的衝撃に対して長期間安定な
ものを得ることが困難である。第２に、エポキシ樹脂や
シリコーン系樹脂などからなる各種接着剤や導電性ペー
ストを用いて、圧電素子を固定する方法も知られてい
る。しかし、これらの接着剤は耐熱性が低いので、圧電
デバイスの製造過程において２３０℃前後の半田リフロ
ー処理を行うと、圧電素子の振動周波数が変化するとい
う問題がある。また、使用する場合においても、長期間
の熱的安定性に劣るという問題がある。
【０００４】また、低融点のガラスを用いた接合を圧電
デバイスに利用することも知られている。低融点のガラ
スを用いても、実際に信頼性の高い圧電デバイスを得る
ためには、５００℃程度以上の熱処理が必要となるの
で、接合する基板の熱膨張率を一致させる必要があると
いう問題がある。また、圧電デバイスの構成材料には、
その温度まで、熱的に安定な材料を用いなければならな
いという制約がある。
デバイスに利用することも知られている。低融点のガラ
スを用いても、実際に信頼性の高い圧電デバイスを得る
ためには、５００℃程度以上の熱処理が必要となるの
で、接合する基板の熱膨張率を一致させる必要があると
いう問題がある。また、圧電デバイスの構成材料には、
その温度まで、熱的に安定な材料を用いなければならな
いという制約がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】これらの問題点を解決
する一つの方法として、特開平第４−２８３９５７号公
報は、圧電単結晶である水晶とシリコンとを直接接合に
よって接合する方法を開示している。直接接合によって
接合された構造は、熱的および機械的変化に対して極め
て安定であるといった優れた特徴を有している。ここで
記述されている製造方法は、接合する水晶およびシリコ
ンの表面を清浄化したのち、接合予定表面を親水化処理
して重ね合わせ熱処理を行うという方法である。この方
法は機械的、熱的に極めて安定ではあるものの、接合部
から端子電極を引き出すのが不可能であったので、圧電
素子と他の素子と接続するために、ビアホールを形成す
る必要があるなどの種々の制約が加えられていた（特開
平第４−２８３９５７号公報の図１参照）。
する一つの方法として、特開平第４−２８３９５７号公
報は、圧電単結晶である水晶とシリコンとを直接接合に
よって接合する方法を開示している。直接接合によって
接合された構造は、熱的および機械的変化に対して極め
て安定であるといった優れた特徴を有している。ここで
記述されている製造方法は、接合する水晶およびシリコ
ンの表面を清浄化したのち、接合予定表面を親水化処理
して重ね合わせ熱処理を行うという方法である。この方
法は機械的、熱的に極めて安定ではあるものの、接合部
から端子電極を引き出すのが不可能であったので、圧電
素子と他の素子と接続するために、ビアホールを形成す
る必要があるなどの種々の制約が加えられていた（特開
平第４−２８３９５７号公報の図１参照）。
【０００６】したがって、この発明の目的は、上記課題
を鑑み、熱的機械的安定性に優れ、また十分な気密性を
とりながら、電極引出しを行うことのできる電子部品お
よびその製造方法を提供することである。
を鑑み、熱的機械的安定性に優れ、また十分な気密性を
とりながら、電極引出しを行うことのできる電子部品お
よびその製造方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の電子部品は、
第１の基板と、第２の基板とを有し、第１の基板の表面
に、端子電極を構成する導体層と、この導体層の上に形
成された絶縁層とを有し、絶縁層と第２の基板とが、水
素結合および共有結合の内の少なくとも一方の結合によ
り、直接接合されたものである。
第１の基板と、第２の基板とを有し、第１の基板の表面
に、端子電極を構成する導体層と、この導体層の上に形
成された絶縁層とを有し、絶縁層と第２の基板とが、水
素結合および共有結合の内の少なくとも一方の結合によ
り、直接接合されたものである。
【０００８】請求項２の電子部品は、請求項１におい
て、絶縁層と第２の基板が直接接合で接合された界面の
厚みが２０ｎｍ以下である。請求項３の電子部品は、請
求項１において、導体層は、絶縁層により埋設されてい
る。請求項４の電子部品は、請求項１において、第２の
基板は周辺に凸部を有し、絶縁層と第２の基板の凸部の
少なくとも一部とが、直接接合されている。
て、絶縁層と第２の基板が直接接合で接合された界面の
厚みが２０ｎｍ以下である。請求項３の電子部品は、請
求項１において、導体層は、絶縁層により埋設されてい
る。請求項４の電子部品は、請求項１において、第２の
基板は周辺に凸部を有し、絶縁層と第２の基板の凸部の
少なくとも一部とが、直接接合されている。
【０００９】請求項５の電子部品は、請求項１におい
て、第１の基板は、圧電基板である。請求項６の電子部
品は、請求項５において、圧電基板は、水晶、ニオブ酸
リチウム、タンタル酸リチウムおよびほう酸リチウムの
群の中から選ばれた単結晶圧電基板である。請求項７の
電子部品は、請求項１において、第２の基板は、水晶、
ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムおよびほう酸リ
チウムの群の中から選ばれた単結晶圧電基板である。
て、第１の基板は、圧電基板である。請求項６の電子部
品は、請求項５において、圧電基板は、水晶、ニオブ酸
リチウム、タンタル酸リチウムおよびほう酸リチウムの
群の中から選ばれた単結晶圧電基板である。請求項７の
電子部品は、請求項１において、第２の基板は、水晶、
ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムおよびほう酸リ
チウムの群の中から選ばれた単結晶圧電基板である。
【００１０】請求項８の電子部品は、請求項１におい
て、第２の基板は、シリコン単結晶基板である。請求項
９の電子部品は、請求項１において、第２の基板は、ガ
ラス基板である。請求項１０の電子部品は、請求項１に
おいて、第１の基板に設けた導体層が、第１の基板に電
界を加えるための少なくとも一方の電極となっている。
て、第２の基板は、シリコン単結晶基板である。請求項
９の電子部品は、請求項１において、第２の基板は、ガ
ラス基板である。請求項１０の電子部品は、請求項１に
おいて、第１の基板に設けた導体層が、第１の基板に電
界を加えるための少なくとも一方の電極となっている。
【００１１】請求項１１の電子部品は、請求項１におい
て、第１の基板に設けた導体層が、第１の基板に電界を
加えるための電極に接続された引出し配線となってい
る。請求項１２の電子部品は、請求項１において、第２
の基板に、第２の導体層および第２の絶縁層をこの順に
積層した。請求項１３の電子部品は、請求項１におい
て、機能部と、この機能部を気密封止するパッケージ部
とを備え、機能部は、基板と、この基板の表面に形成さ
れた端子電極を構成する導体層と、この導体層の上に形
成された絶縁層とを有し、パッケージ部の少なくとも一
部と絶縁層とが、水素結合および共有結合の内の少なく
とも一方の結合により、直接接合されたものである。
て、第１の基板に設けた導体層が、第１の基板に電界を
加えるための電極に接続された引出し配線となってい
る。請求項１２の電子部品は、請求項１において、第２
の基板に、第２の導体層および第２の絶縁層をこの順に
積層した。請求項１３の電子部品は、請求項１におい
て、機能部と、この機能部を気密封止するパッケージ部
とを備え、機能部は、基板と、この基板の表面に形成さ
れた端子電極を構成する導体層と、この導体層の上に形
成された絶縁層とを有し、パッケージ部の少なくとも一
部と絶縁層とが、水素結合および共有結合の内の少なく
とも一方の結合により、直接接合されたものである。
【００１２】請求項１４の電子部品は、請求項１３にお
いて、機能部の基板は、圧電基板であり、この機能部は
圧電素子として機能する。請求項１５の電子部品の製造
方法は、第１の基板と、第２の基板と、第１の基板と第
２の基板との間に端子電極を構成する導体層とを有する
電子部品の製造方法であって、第１の基板の表面に、端
子電極を構成する導体層を形成する工程と、導体層の上
に絶縁層を形成する工程と、絶縁層および第２の基板の
表面を親水化処理する工程と、絶縁層と第２の基板と
を、親水化処理された表面を内側にして、重ね合わせる
工程と、を包含し、第１の基板と第２の基板とを、水素
結合および共有結合の内の少なくとも一方の結合によ
り、直接接合するものである。
いて、機能部の基板は、圧電基板であり、この機能部は
圧電素子として機能する。請求項１５の電子部品の製造
方法は、第１の基板と、第２の基板と、第１の基板と第
２の基板との間に端子電極を構成する導体層とを有する
電子部品の製造方法であって、第１の基板の表面に、端
子電極を構成する導体層を形成する工程と、導体層の上
に絶縁層を形成する工程と、絶縁層および第２の基板の
表面を親水化処理する工程と、絶縁層と第２の基板と
を、親水化処理された表面を内側にして、重ね合わせる
工程と、を包含し、第１の基板と第２の基板とを、水素
結合および共有結合の内の少なくとも一方の結合によ
り、直接接合するものである。
【００１３】請求項１６の電子部品の製造方法は、請求
項１５において、重ね合わせ工程の後に、熱処理を施す
工程を包含する。請求項１７の電子部品の製造方法は、
請求項１５において、導体層形成工程は、真空蒸着法、
スパッタリング法および化学気相成長法の内の１つの方
法を用いる。
項１５において、重ね合わせ工程の後に、熱処理を施す
工程を包含する。請求項１７の電子部品の製造方法は、
請求項１５において、導体層形成工程は、真空蒸着法、
スパッタリング法および化学気相成長法の内の１つの方
法を用いる。
【００１４】請求項１８の電子部品の製造方法は、請求
項１５において、絶縁層形成工程は、真空蒸着法、スパ
ッタリング法および化学気相成長法の内の１つの方法を
用いる。請求項１９の電子部品の製造方法は、請求項１
５において、絶縁層形成工程の後に、絶縁層の表面を平
坦化する工程を包含する。
項１５において、絶縁層形成工程は、真空蒸着法、スパ
ッタリング法および化学気相成長法の内の１つの方法を
用いる。請求項１９の電子部品の製造方法は、請求項１
５において、絶縁層形成工程の後に、絶縁層の表面を平
坦化する工程を包含する。
【００１５】請求項２０の電子部品の製造方法は、請求
項１５において、絶縁層形成工程は、導体層上に、液状
の絶縁体の前駆体を塗布し、この前駆体を熱処理する工
程である。請求項２１の電子部品の製造方法は、請求項
１６において、熱処理工程は、導体層と第２の基板の間
に電界を印加する工程を包含する。
項１５において、絶縁層形成工程は、導体層上に、液状
の絶縁体の前駆体を塗布し、この前駆体を熱処理する工
程である。請求項２１の電子部品の製造方法は、請求項
１６において、熱処理工程は、導体層と第２の基板の間
に電界を印加する工程を包含する。
【００１６】請求項２２の電子部品の製造方法は、第１
の基板と、第２の基板と、第１の基板と第２の基板との
間に端子電極を構成する導体層とを有する電子部品の製
造方法であって、第１の基板および第２の基板の表面
に、各々端子電極を構成する第１の導体層および第２の
導体層を形成する工程と、第１の導体層および第２の導
体層の上に各々第１の絶縁層および第２の絶縁層を形成
する工程と、第１の絶縁層および第２の絶縁層の表面を
親水化処理する工程と、第１の絶縁層と第２の絶縁層と
を、親水化処理された表面を内側にして、重ね合わせる
工程と、を包含し、第１の基板と第２の基板とを、水素
結合および共有結合の内の少なくとも一方の結合によ
り、直接接合するものである。
の基板と、第２の基板と、第１の基板と第２の基板との
間に端子電極を構成する導体層とを有する電子部品の製
造方法であって、第１の基板および第２の基板の表面
に、各々端子電極を構成する第１の導体層および第２の
導体層を形成する工程と、第１の導体層および第２の導
体層の上に各々第１の絶縁層および第２の絶縁層を形成
する工程と、第１の絶縁層および第２の絶縁層の表面を
親水化処理する工程と、第１の絶縁層と第２の絶縁層と
を、親水化処理された表面を内側にして、重ね合わせる
工程と、を包含し、第１の基板と第２の基板とを、水素
結合および共有結合の内の少なくとも一方の結合によ
り、直接接合するものである。
【００１７】
【作用】この発明の構成によれば、接合初期は、接合面
である絶縁層表面と第２の基板表面に吸着した水素、水
酸基による水素結合により結合が主として行われ、熱処
理すると、界面から水素が離脱し、酸素が関与した共有
結合が増加し接合が強化される。このため、熱的変動、
機械的振動に対して安定した性能が得られる（請求項１
〜２２）。
である絶縁層表面と第２の基板表面に吸着した水素、水
酸基による水素結合により結合が主として行われ、熱処
理すると、界面から水素が離脱し、酸素が関与した共有
結合が増加し接合が強化される。このため、熱的変動、
機械的振動に対して安定した性能が得られる（請求項１
〜２２）。
【００１８】直接接合された界面層の厚みは、２０ｎｍ
以下の超薄層で接合できるため、この直接接合界面にお
ける気密性は極めて良好なものとなる（請求項２）。ま
た、圧電基板である第１の基板と支持基板である第２の
基板に同一材料を用いれば、熱膨張率が同じであること
から、温度変化に対して安定する。第１の基板と同じ熱
膨張率を有するガラスで第２の基板を形成しても同様の
効果が得られる。第２の基板が水晶、珪素（シリコン単
結晶）の場合、第２の基板も珪素と酸素の共有結合で構
成されており、熱処理時の水素結合から共有結合への移
行はスムーズに行われる。また、第２の基板がニオブ酸
リチウム、タンタル酸リチウム、ほう酸リチウムの場
合、構成元素に酸素が多く含まれていることから、この
酸素と無機絶縁層中の珪素が容易に共有結合を形成し接
合が行われる。第２の基板がガラスの場合は、通常珪酸
が含有されており、珪素と酸素との共有結合が存在する
ことから、水素結合から共有結合への移行はスムーズに
行われる（請求項５〜９）。
以下の超薄層で接合できるため、この直接接合界面にお
ける気密性は極めて良好なものとなる（請求項２）。ま
た、圧電基板である第１の基板と支持基板である第２の
基板に同一材料を用いれば、熱膨張率が同じであること
から、温度変化に対して安定する。第１の基板と同じ熱
膨張率を有するガラスで第２の基板を形成しても同様の
効果が得られる。第２の基板が水晶、珪素（シリコン単
結晶）の場合、第２の基板も珪素と酸素の共有結合で構
成されており、熱処理時の水素結合から共有結合への移
行はスムーズに行われる。また、第２の基板がニオブ酸
リチウム、タンタル酸リチウム、ほう酸リチウムの場
合、構成元素に酸素が多く含まれていることから、この
酸素と無機絶縁層中の珪素が容易に共有結合を形成し接
合が行われる。第２の基板がガラスの場合は、通常珪酸
が含有されており、珪素と酸素との共有結合が存在する
ことから、水素結合から共有結合への移行はスムーズに
行われる（請求項５〜９）。
【００１９】第１の基板に設けた導体層を、第１の基板
に電界を加えるための少なくとも一方の電極とし、ある
いは、第１の基板に電界を加えるための電極に接続され
た引出し配線とすることにより、電界印加電極構成なら
びに電極引き出し構成の自由度が大きく、ビアホールが
不要であり、気密封止が容易である等の作用が得られる
（請求項１０，１１）。
に電界を加えるための少なくとも一方の電極とし、ある
いは、第１の基板に電界を加えるための電極に接続され
た引出し配線とすることにより、電界印加電極構成なら
びに電極引き出し構成の自由度が大きく、ビアホールが
不要であり、気密封止が容易である等の作用が得られる
（請求項１０，１１）。
【００２０】また、第１の基板と、第１の基板の表面に
形成された端子電極を構成する導体層と、導体層の上に
形成された絶縁層とを有する機能部を気密封止するパッ
ケージ部を第２の基板の周辺に凸部を形成する等して構
成することにより、優れた振動特性を有する圧電デバイ
ス等の電子部品を得ることができる（請求項１３，１
４，４）。
形成された端子電極を構成する導体層と、導体層の上に
形成された絶縁層とを有する機能部を気密封止するパッ
ケージ部を第２の基板の周辺に凸部を形成する等して構
成することにより、優れた振動特性を有する圧電デバイ
ス等の電子部品を得ることができる（請求項１３，１
４，４）。
【００２１】また、絶縁層と第２の基板を重ね合わせて
熱処理を行う時に、導体層と第２の基板界面に直流電圧
を加えることにより、界面での可動イオンの移動がおこ
り、このイオンの静電力により、接合がより容易におこ
り、短時間またはより低温で良好な接合を得ることがで
きる（請求項１６，２１）。また、導体層を絶縁層に２
次元的に完全に埋め込み、絶縁層表面を平坦化した後、
直接接合を行うことにより、直接接合界面での気密性を
さらに高めることができる（請求項１９，３）。
熱処理を行う時に、導体層と第２の基板界面に直流電圧
を加えることにより、界面での可動イオンの移動がおこ
り、このイオンの静電力により、接合がより容易におこ
り、短時間またはより低温で良好な接合を得ることがで
きる（請求項１６，２１）。また、導体層を絶縁層に２
次元的に完全に埋め込み、絶縁層表面を平坦化した後、
直接接合を行うことにより、直接接合界面での気密性を
さらに高めることができる（請求項１９，３）。
【００２２】また、導体層形成後、絶縁層の前駆体を溶
液状で塗布し、乾燥、熱処理することにより絶縁層を形
成することにより、絶縁層表面を平坦化する工程を省略
することができる（請求項２０）。また、第１の基板と
同様に、第２の基板に第２の導体層および第２の絶縁層
をこの順に積層し、絶縁層表面およびこの絶縁層表面に
接合される第２の絶縁層表面を親水化処理して重ね合わ
せ熱処理するとともに、この重ね合わせ熱処理を行う時
に、第１の基板側に設けた導体層と第２の基板側に設け
た第２の導体層間に直流電圧を加える場合にも、イオン
の静電力により、接合がより容易におこるが、接合界面
により高い直流の電界強度を加えることができ、低い直
流電圧で容易に良好な接合を得ることができる（請求項
２２）。
液状で塗布し、乾燥、熱処理することにより絶縁層を形
成することにより、絶縁層表面を平坦化する工程を省略
することができる（請求項２０）。また、第１の基板と
同様に、第２の基板に第２の導体層および第２の絶縁層
をこの順に積層し、絶縁層表面およびこの絶縁層表面に
接合される第２の絶縁層表面を親水化処理して重ね合わ
せ熱処理するとともに、この重ね合わせ熱処理を行う時
に、第１の基板側に設けた導体層と第２の基板側に設け
た第２の導体層間に直流電圧を加える場合にも、イオン
の静電力により、接合がより容易におこるが、接合界面
により高い直流の電界強度を加えることができ、低い直
流電圧で容易に良好な接合を得ることができる（請求項
２２）。
【００２３】
【実施例】以下に、この発明の実施例の電子部品とその
製造方法について、図面を参照しながら説明する。 （実施例１）この発明の第１の実施例による電子部品を
図１ないし図５を参照しながら説明する。
製造方法について、図面を参照しながら説明する。 （実施例１）この発明の第１の実施例による電子部品を
図１ないし図５を参照しながら説明する。
【００２４】図１に示す電子部品は、被支持基板（機能
性基板）である単結晶圧電基板（第１の基板）１、支持
基板（第２の基板）２、導体層３、絶縁層４とを有す
る。単結晶圧電基板１と支持基板２とは、導体層３およ
び絶縁層４を介して、絶縁層４と支持基板２との界面
で、水素結合または共有結合により直接接合されてい
る。本願明細書において、接着剤を用いずに水素結合ま
たは共有結合によって形成される接合を、「直接接合」
と呼ぶ。直接接合においては、水素結合と共有結合が混
在することもある。また、基板の材料の性質によって、
イオン結合が接合に寄与することもある。
性基板）である単結晶圧電基板（第１の基板）１、支持
基板（第２の基板）２、導体層３、絶縁層４とを有す
る。単結晶圧電基板１と支持基板２とは、導体層３およ
び絶縁層４を介して、絶縁層４と支持基板２との界面
で、水素結合または共有結合により直接接合されてい
る。本願明細書において、接着剤を用いずに水素結合ま
たは共有結合によって形成される接合を、「直接接合」
と呼ぶ。直接接合においては、水素結合と共有結合が混
在することもある。また、基板の材料の性質によって、
イオン結合が接合に寄与することもある。
【００２５】単結晶圧電基板１の材料としては、水晶、
ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムおよびほう酸リ
チウムの群から選ばれた材料が適している。支持基板２
の材料としては、水晶、ニオブ酸リチウム、タンタル酸
リチウムおよびほう酸リチウムの群から選ばれた単結晶
圧電材料、ガラス基板（第２の実施例）、珪素などの半
導体材料（第３の実施例）を用いることができる。
ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムおよびほう酸リ
チウムの群から選ばれた材料が適している。支持基板２
の材料としては、水晶、ニオブ酸リチウム、タンタル酸
リチウムおよびほう酸リチウムの群から選ばれた単結晶
圧電材料、ガラス基板（第２の実施例）、珪素などの半
導体材料（第３の実施例）を用いることができる。
【００２６】導体層３の材料としては、金、アルミニウ
ム、銅、ニッケルまたはタングステンなどを用いること
が出来、真空蒸着、スパッタリング、化学気相成長法
（ＣＶＤ法）などの薄膜技術を用いて、成膜できるもの
であれば、いずれの材料を用いることができる。絶縁層
４としては、酸化珪素などの珪素酸化物、窒化珪素など
の珪素窒化物、高抵抗珪素、珪酸を含むガラスなどが使
用できる。
ム、銅、ニッケルまたはタングステンなどを用いること
が出来、真空蒸着、スパッタリング、化学気相成長法
（ＣＶＤ法）などの薄膜技術を用いて、成膜できるもの
であれば、いずれの材料を用いることができる。絶縁層
４としては、酸化珪素などの珪素酸化物、窒化珪素など
の珪素窒化物、高抵抗珪素、珪酸を含むガラスなどが使
用できる。
【００２７】つぎに、この電子部品の製造方法について
説明する。水晶、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウ
ムおよびほう酸リチウムの群から選ばれた単結晶圧電基
板１を研磨により平坦化し、さらに表面が鏡面状態にな
るまで研磨する。つぎに単結晶圧電基板１の接合予定部
表面を、洗剤や各種の溶剤を用いて極めて清浄にする
（図２（ａ））。支持基板２の接合予定表面も、単結晶
圧電基板１と同様に、鏡面状態になるまで研磨し、清浄
にする（図２（ｅ））。次に、単結晶圧電基板１の少な
くとも接合予定表面に、真空蒸着、スパッタリング、化
学気相成長法などの方法を用いて、導体層３を積層する
（図２（ｂ））。導体層３の厚みは0.1 μｍから５μｍ
程度で自由に設定できる。つぎに導体層３の上に、真空
蒸着、スパッタリング、化学気相成長法などの方法を用
いて、絶縁層４を積層する（図２（ｃ））。絶縁層４の
厚みは１μｍから１０μｍ程度である。つぎに、単結晶
圧電基板１上に形成された絶縁層４及び支持基板２の接
合予定部表面を親水化する（図２（ｄ）及び（ｆ））。
具体的には、親水処理液として、アンモニア−過酸化水
素系水溶液を用い、この溶液に絶縁層４を有する単結晶
圧電基板１及び支持基板２を浸した後、純水で洗浄する
ことによって、親水化された表面が得られる。
説明する。水晶、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウ
ムおよびほう酸リチウムの群から選ばれた単結晶圧電基
板１を研磨により平坦化し、さらに表面が鏡面状態にな
るまで研磨する。つぎに単結晶圧電基板１の接合予定部
表面を、洗剤や各種の溶剤を用いて極めて清浄にする
（図２（ａ））。支持基板２の接合予定表面も、単結晶
圧電基板１と同様に、鏡面状態になるまで研磨し、清浄
にする（図２（ｅ））。次に、単結晶圧電基板１の少な
くとも接合予定表面に、真空蒸着、スパッタリング、化
学気相成長法などの方法を用いて、導体層３を積層する
（図２（ｂ））。導体層３の厚みは0.1 μｍから５μｍ
程度で自由に設定できる。つぎに導体層３の上に、真空
蒸着、スパッタリング、化学気相成長法などの方法を用
いて、絶縁層４を積層する（図２（ｃ））。絶縁層４の
厚みは１μｍから１０μｍ程度である。つぎに、単結晶
圧電基板１上に形成された絶縁層４及び支持基板２の接
合予定部表面を親水化する（図２（ｄ）及び（ｆ））。
具体的には、親水処理液として、アンモニア−過酸化水
素系水溶液を用い、この溶液に絶縁層４を有する単結晶
圧電基板１及び支持基板２を浸した後、純水で洗浄する
ことによって、親水化された表面が得られる。
【００２８】この後、清浄な雰囲気中で、支持基板２の
接合予定部表面と、絶縁層４の表面とを重ね合わせて加
熱することにより、表面に吸着した水構成成分である水
酸基のファンデアーワールス力（水素結合）により、界
面で基板同士の接合が形成される（図２（ｇ））。さら
に、接合界面を加熱することによって、接合強度は強化
される（図２（ｈ））。加熱温度が低い場合には、それ
ぞれの表面に吸着した水酸基間の水素結合の直接接合に
対する寄与は大きい。接合界面を１００℃〜１０００℃
程度の温度で数分から数１０時間熱処理すると、界面か
ら水素が離脱し、酸素の関与した結合が形成され接合は
強化される。高温Ｘ線回折法などを用いて接合された基
板の格子歪を測定した結果から、水酸基による結合から
酸素を介した結合が形成され始める温度は、２００℃か
ら３００℃の間と推定される。したがって、この温度以
下で熱処理した場合には、水酸基の水素結合が直接接合
の主体であり、この温度より十分高温で熱処理した場合
には、酸素を介した結合が直接接合の主体になると推定
される。
接合予定部表面と、絶縁層４の表面とを重ね合わせて加
熱することにより、表面に吸着した水構成成分である水
酸基のファンデアーワールス力（水素結合）により、界
面で基板同士の接合が形成される（図２（ｇ））。さら
に、接合界面を加熱することによって、接合強度は強化
される（図２（ｈ））。加熱温度が低い場合には、それ
ぞれの表面に吸着した水酸基間の水素結合の直接接合に
対する寄与は大きい。接合界面を１００℃〜１０００℃
程度の温度で数分から数１０時間熱処理すると、界面か
ら水素が離脱し、酸素の関与した結合が形成され接合は
強化される。高温Ｘ線回折法などを用いて接合された基
板の格子歪を測定した結果から、水酸基による結合から
酸素を介した結合が形成され始める温度は、２００℃か
ら３００℃の間と推定される。したがって、この温度以
下で熱処理した場合には、水酸基の水素結合が直接接合
の主体であり、この温度より十分高温で熱処理した場合
には、酸素を介した結合が直接接合の主体になると推定
される。
【００２９】室温で直接接合した場合においても、相当
の接合強度があるので、実際の電子部品の用途によって
は十分実用に供することができる。半田リフロー工程を
経て製造される電子部品の場合には、半田リフロー温度
（２３０℃程度）以上で、直接接合を行うことが望まし
い。また、直接接合を形成する際に、接合される界面に
圧力を加えることによって、接合強度を向上することも
できる。
の接合強度があるので、実際の電子部品の用途によって
は十分実用に供することができる。半田リフロー工程を
経て製造される電子部品の場合には、半田リフロー温度
（２３０℃程度）以上で、直接接合を行うことが望まし
い。また、直接接合を形成する際に、接合される界面に
圧力を加えることによって、接合強度を向上することも
できる。
【００３０】直接接合の原理を図３を参照しながら説明
する。支持基板２または単結晶圧電基板１上に形成され
た絶縁層４の表面に親水化処理を施すことによって、そ
れぞれの方面に水酸基が生成される（図３（ａ））。親
水化された表面同士を重ね合わせると、それぞれの表面
が有する水酸基の間で、水素結合が形成される（図３
（ｂ））。この水素結合によって、支持基板２と単結晶
圧電基板１とは直接接合される。さらに、加熱処理を施
すことによって、水素結合から、水または水素が離脱
し、酸素を介した共有結合が形成される（図３
（ｃ））。
する。支持基板２または単結晶圧電基板１上に形成され
た絶縁層４の表面に親水化処理を施すことによって、そ
れぞれの方面に水酸基が生成される（図３（ａ））。親
水化された表面同士を重ね合わせると、それぞれの表面
が有する水酸基の間で、水素結合が形成される（図３
（ｂ））。この水素結合によって、支持基板２と単結晶
圧電基板１とは直接接合される。さらに、加熱処理を施
すことによって、水素結合から、水または水素が離脱
し、酸素を介した共有結合が形成される（図３
（ｃ））。
【００３１】単結晶圧電基板及び支持基板の種々の組み
合わせについて、加熱処理を施すことなく直接接合を行
った界面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて観察し
た。直接接合された界面層の厚みは、いずれの組み合わ
せにおいても１０ｎｍ程度（数分子層程度）以下であ
り、２０ｎｍを越えるような接合層は見られなかった。
これに対して、一般の有機系接着剤を用いて接合する
と、接合層の厚みは通常１μｍ〜５μｍ程度となる。ま
た低融点ガラスなどの無機接着剤を用いた場合にもほぼ
同様の厚みとなる。いずれの接着剤を用いても、２０ｎ
ｍ以下に接合層の厚みを制御することはできず、本発明
の直接接合のような精密接合は得られない。
合わせについて、加熱処理を施すことなく直接接合を行
った界面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて観察し
た。直接接合された界面層の厚みは、いずれの組み合わ
せにおいても１０ｎｍ程度（数分子層程度）以下であ
り、２０ｎｍを越えるような接合層は見られなかった。
これに対して、一般の有機系接着剤を用いて接合する
と、接合層の厚みは通常１μｍ〜５μｍ程度となる。ま
た低融点ガラスなどの無機接着剤を用いた場合にもほぼ
同様の厚みとなる。いずれの接着剤を用いても、２０ｎ
ｍ以下に接合層の厚みを制御することはできず、本発明
の直接接合のような精密接合は得られない。
【００３２】この実施例の製造方法によれば、このよう
に２０ｎｍ以下の超薄層で接合できることから、この直
接接合界面における気密性は極めて良好なものとなる。
この実施例では、絶縁層４に、珪素、酸化珪素、窒化珪
素、及び珪酸を含有するガラスなどを使用しており、い
ずれの場合も、水素の離脱によって、酸素と珪素の共有
結合が増加し、接合が強化される。
に２０ｎｍ以下の超薄層で接合できることから、この直
接接合界面における気密性は極めて良好なものとなる。
この実施例では、絶縁層４に、珪素、酸化珪素、窒化珪
素、及び珪酸を含有するガラスなどを使用しており、い
ずれの場合も、水素の離脱によって、酸素と珪素の共有
結合が増加し、接合が強化される。
【００３３】また、上記のように、単結晶圧電基板１と
して、水晶、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムお
よびほう酸リチウムの群から選ばれた材料を用い、支持
基板２として、水晶、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リ
チウムおよびほう酸リチウムの群から選ばれた単結晶圧
電基板、珪素半導体基板、ガラス基板を用い、絶縁層４
として、酸化珪素などの珪素酸化物、窒化珪素などの珪
素窒化物、高抵抗珪素、珪酸を含むガラスを用いて、こ
の実施例の製造方法によって接合すると、水酸基による
水素結合もしくは酸素を介した共有結合による直接接合
が得られる。この直接接合は、接合界面に接着剤などの
他の材料を有さないので、熱的、機械的に安定で、気密
性の高い接合が得られる。
して、水晶、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムお
よびほう酸リチウムの群から選ばれた材料を用い、支持
基板２として、水晶、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リ
チウムおよびほう酸リチウムの群から選ばれた単結晶圧
電基板、珪素半導体基板、ガラス基板を用い、絶縁層４
として、酸化珪素などの珪素酸化物、窒化珪素などの珪
素窒化物、高抵抗珪素、珪酸を含むガラスを用いて、こ
の実施例の製造方法によって接合すると、水酸基による
水素結合もしくは酸素を介した共有結合による直接接合
が得られる。この直接接合は、接合界面に接着剤などの
他の材料を有さないので、熱的、機械的に安定で、気密
性の高い接合が得られる。
【００３４】特に、支持基板２の材料として、水晶、珪
素（シリコン単結晶）などの、珪素と酸素の共有結合を
有する材料を用いた場合、熱処理することによって、直
接接合界面における水素結合から共有結合への移行はス
ムーズである。またニオブ酸リチウム、タンタル酸リチ
ウムまたはほう酸リチウムを用いた場合、構成元素に酸
素が多く含まれているので、この酸素と絶縁層４中の珪
素が容易に共有結合を形成し接合が行われる。また、ガ
ラスを用いた場合は、ガラスには通常珪酸が含有されて
おり、珪素と酸素の共有結合を含むので、水素結合から
共有結合への移行はスムーズである。
素（シリコン単結晶）などの、珪素と酸素の共有結合を
有する材料を用いた場合、熱処理することによって、直
接接合界面における水素結合から共有結合への移行はス
ムーズである。またニオブ酸リチウム、タンタル酸リチ
ウムまたはほう酸リチウムを用いた場合、構成元素に酸
素が多く含まれているので、この酸素と絶縁層４中の珪
素が容易に共有結合を形成し接合が行われる。また、ガ
ラスを用いた場合は、ガラスには通常珪酸が含有されて
おり、珪素と酸素の共有結合を含むので、水素結合から
共有結合への移行はスムーズである。
【００３５】各基板の組合せは、上記組合せであれば、
いずれの組合せにおいても、この実施例の製造方法によ
り良好な直接接合を得ることができる。熱処理温度は結
晶が圧電性を保つ範囲内、および支持基板２、導体層
３、絶縁層４が変質しない温度内で、高温で行うほど接
合強度が向上する。このような方法で作製した電子部品
は、原子レベルでの接合が行われていることから、熱的
変化、機械的変動に対して、極めて安定な特性が得られ
る。具体的には、２５０℃以上で熱処理した場合、２３
０℃の半田付け処理に対して、初期特性の変動はほとん
ど見られない。
いずれの組合せにおいても、この実施例の製造方法によ
り良好な直接接合を得ることができる。熱処理温度は結
晶が圧電性を保つ範囲内、および支持基板２、導体層
３、絶縁層４が変質しない温度内で、高温で行うほど接
合強度が向上する。このような方法で作製した電子部品
は、原子レベルでの接合が行われていることから、熱的
変化、機械的変動に対して、極めて安定な特性が得られ
る。具体的には、２５０℃以上で熱処理した場合、２３
０℃の半田付け処理に対して、初期特性の変動はほとん
ど見られない。
【００３６】このような構成は、種々の電子部品に適用
できる。図４に、本発明による圧電デバイスの例を示
す。参照符号１，２，３，４は図１と同様に、それぞ
れ、被支持基板である単結晶圧電基板、支持基板、導体
層、絶縁層である。単結晶圧電基板１と支持基板２は、
導体層３及び絶縁層４を介して、直接接合されている。
接合された単結晶圧電基板１と支持基板２との両側に、
上部電極５及び下部電極６が形成されている。この圧電
デバイスにおいては、支持基板２として、単結晶圧電基
板１と同様の単結晶圧電基板を用いる。
できる。図４に、本発明による圧電デバイスの例を示
す。参照符号１，２，３，４は図１と同様に、それぞ
れ、被支持基板である単結晶圧電基板、支持基板、導体
層、絶縁層である。単結晶圧電基板１と支持基板２は、
導体層３及び絶縁層４を介して、直接接合されている。
接合された単結晶圧電基板１と支持基板２との両側に、
上部電極５及び下部電極６が形成されている。この圧電
デバイスにおいては、支持基板２として、単結晶圧電基
板１と同様の単結晶圧電基板を用いる。
【００３７】図４の圧電デバイスは、単結晶圧電基板
１、２を適当な方向に分極させておき、電極５，６と導
体層３の間に電圧を加えることにより、いわゆるバイモ
ルフと呼ばれる圧電アクチュエータとして動作させるこ
とができる。この場合、導体層３は単結晶圧電基板１、
２に電界を加える電極として作用する。図５に圧電デバ
イスの別の例を示す。図５において、参照符号１，２，
３，４は図１と同様に、それぞれ、被支持基板である単
結晶圧電基板、支持基板、導体層、絶縁層である。単結
晶圧電基板１の上に導体層３と対向して上部電極５が設
けられている。支持基板２の一部に貫通孔７が設けらて
いる。さらに、支持基板２の上面に配線８、９が配され
ている。配線８と導体層３とは、導電性接着剤１０によ
って、電気的に接続されている。上部電極５と配線９
は、金属ワイヤー１１によって、電気的に接続されてい
る。本構造において、単結晶圧電基板１は圧電振動子と
して動作し、支持基板２は単結晶圧電基板１を保持して
いる。導体層３の貫通孔７に面した部分と上部電極５
は、圧電振動励振電極として作用する。導体層３の接合
界面部分は、支持基板２の上面の配線８に接続するため
の端子電極の役割をはたす。
１、２を適当な方向に分極させておき、電極５，６と導
体層３の間に電圧を加えることにより、いわゆるバイモ
ルフと呼ばれる圧電アクチュエータとして動作させるこ
とができる。この場合、導体層３は単結晶圧電基板１、
２に電界を加える電極として作用する。図５に圧電デバ
イスの別の例を示す。図５において、参照符号１，２，
３，４は図１と同様に、それぞれ、被支持基板である単
結晶圧電基板、支持基板、導体層、絶縁層である。単結
晶圧電基板１の上に導体層３と対向して上部電極５が設
けられている。支持基板２の一部に貫通孔７が設けらて
いる。さらに、支持基板２の上面に配線８、９が配され
ている。配線８と導体層３とは、導電性接着剤１０によ
って、電気的に接続されている。上部電極５と配線９
は、金属ワイヤー１１によって、電気的に接続されてい
る。本構造において、単結晶圧電基板１は圧電振動子と
して動作し、支持基板２は単結晶圧電基板１を保持して
いる。導体層３の貫通孔７に面した部分と上部電極５
は、圧電振動励振電極として作用する。導体層３の接合
界面部分は、支持基板２の上面の配線８に接続するため
の端子電極の役割をはたす。
【００３８】このような構成において、単結晶圧電基板
１と支持基板２に同一材料（例えば水晶）を用いれば、
熱膨張率が同じであることから、温度変化に対して安定
な圧電デバイスが得られる。また、この場合、圧電デバ
イスの励振用下部電極として動作する導体層３と、支持
基板２の上面に配置された配線８，９が同一平面上に存
在しているので、支持基板２にビアホールなどを設け
て、支持基板２の下部より配線を引き回す必要がない。
このように、配線を単純に出来るという利点がある。ま
た、配線部分がすべて同一平面にあるので、支持基板２
の上部のみを気密封止すれば、振動部分を気密封止する
ことができる。したがって、実装上も有利である。絶縁
層４と支持基板２とは、水素結合または共有結合により
直接接合されており、熱的変化、および機械的振動に対
してきわめて安定であり、長期信頼性に優れた圧電デバ
イスが得られる。なお、貫通孔７の部分の絶縁層４は、
エッチングなどにより除去してあるが、膜厚が薄い場合
にはそのまま残しておいても構わない。
１と支持基板２に同一材料（例えば水晶）を用いれば、
熱膨張率が同じであることから、温度変化に対して安定
な圧電デバイスが得られる。また、この場合、圧電デバ
イスの励振用下部電極として動作する導体層３と、支持
基板２の上面に配置された配線８，９が同一平面上に存
在しているので、支持基板２にビアホールなどを設け
て、支持基板２の下部より配線を引き回す必要がない。
このように、配線を単純に出来るという利点がある。ま
た、配線部分がすべて同一平面にあるので、支持基板２
の上部のみを気密封止すれば、振動部分を気密封止する
ことができる。したがって、実装上も有利である。絶縁
層４と支持基板２とは、水素結合または共有結合により
直接接合されており、熱的変化、および機械的振動に対
してきわめて安定であり、長期信頼性に優れた圧電デバ
イスが得られる。なお、貫通孔７の部分の絶縁層４は、
エッチングなどにより除去してあるが、膜厚が薄い場合
にはそのまま残しておいても構わない。
【００３９】導電性接着剤１０や金属ワイヤー１１は、
単に電気的導通をとるためのものであり、他の材料を用
いても良い。 （実施例２）この発明の第２の実施例による電子部品
を、図６および図７を参照しながら説明する。図６にお
いて、参照符号１は第１の実施例と同様に、水晶、ニオ
ブ酸リチウム、タンタル酸リチウム等の群から選ばれた
被支持基板である単結晶圧電基板を示す。この実施例に
おいては、支持基板（第２の基板）１２として、ガラス
基板を用いる。ガラス基板１２の材料としては、ほう珪
酸系ガラス、石英ガラスなど珪素を含むガラスを用いる
ことができる。この実施例の電子部品は、第１の実施例
と同様の方法で製造することができる。このような構成
は、例えば、図７に示すような、熱的、機械的に安定な
圧電デバイスに適用できる。図７において、参照符号１
は被支持基板である単結晶圧電基板、３は導体層、４は
絶縁層、１２はガラスからなる支持基板である。１３は
支持基板１２の一部に設けられた貫通孔である。５は電
子部品の上面に設けた上部電極である。８，９，１０，
１１の各構成要素の機能と名称は第１の実施例と同じで
ある。導体層３の貫通孔１３に面した部分と上部電極５
は、圧電振動励振電極として用いられる。導体層３の接
合界面部分は、支持基板１２の上面の配線に接続するた
めの端子電極の役割をはたしている。
単に電気的導通をとるためのものであり、他の材料を用
いても良い。 （実施例２）この発明の第２の実施例による電子部品
を、図６および図７を参照しながら説明する。図６にお
いて、参照符号１は第１の実施例と同様に、水晶、ニオ
ブ酸リチウム、タンタル酸リチウム等の群から選ばれた
被支持基板である単結晶圧電基板を示す。この実施例に
おいては、支持基板（第２の基板）１２として、ガラス
基板を用いる。ガラス基板１２の材料としては、ほう珪
酸系ガラス、石英ガラスなど珪素を含むガラスを用いる
ことができる。この実施例の電子部品は、第１の実施例
と同様の方法で製造することができる。このような構成
は、例えば、図７に示すような、熱的、機械的に安定な
圧電デバイスに適用できる。図７において、参照符号１
は被支持基板である単結晶圧電基板、３は導体層、４は
絶縁層、１２はガラスからなる支持基板である。１３は
支持基板１２の一部に設けられた貫通孔である。５は電
子部品の上面に設けた上部電極である。８，９，１０，
１１の各構成要素の機能と名称は第１の実施例と同じで
ある。導体層３の貫通孔１３に面した部分と上部電極５
は、圧電振動励振電極として用いられる。導体層３の接
合界面部分は、支持基板１２の上面の配線に接続するた
めの端子電極の役割をはたしている。
【００４０】このような構成において、単結晶圧電基板
１とガラス支持基板１２の熱膨張率を同じになるように
設定すれば、温度変化に対して安定な圧電デバイスが得
られる。この場合、圧電デバイスの励振下部電極として
作用する導体層３と、単結晶圧電基板を保持するガラス
支持基板１２の上面に配置された配線８，９が同一面上
に形成されているので、支持基板１２にビアホールなど
を設けて、支持基板１２の下部より配線を引き回す必要
がない。従って、配線を単純化できるとういう利点があ
る。また第１の実施例と同様に、振動部分の気密封止も
容易に行える。またガラス支持基板１２と絶縁層４と
は、直接接合されており、熱的変化、および機械的振動
に対してきわめて安定であり、長期信頼性に優れた圧電
デバイスが得られる。
１とガラス支持基板１２の熱膨張率を同じになるように
設定すれば、温度変化に対して安定な圧電デバイスが得
られる。この場合、圧電デバイスの励振下部電極として
作用する導体層３と、単結晶圧電基板を保持するガラス
支持基板１２の上面に配置された配線８，９が同一面上
に形成されているので、支持基板１２にビアホールなど
を設けて、支持基板１２の下部より配線を引き回す必要
がない。従って、配線を単純化できるとういう利点があ
る。また第１の実施例と同様に、振動部分の気密封止も
容易に行える。またガラス支持基板１２と絶縁層４と
は、直接接合されており、熱的変化、および機械的振動
に対してきわめて安定であり、長期信頼性に優れた圧電
デバイスが得られる。
【００４１】（実施例３）この発明の第３の実施例によ
る電子部品を図８および図９を参照しながら説明する。
図８において、参照符号１は第１の実施例と同様、水
晶、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム等の群から
選ばれた単結晶圧電基板である。３は導体層、４は絶縁
層、５，８，９，１０，１１の各構成要素の名称と機能
は第１の実施例と同様である。この実施例では、支持基
板（第２の基板）１４として、珪素からなる半導体基板
を用いる。この実施例の電子部品は、第１の実施例と同
様の方法で製造することができる。このような構成は、
例えば、図９に示すような、保持構造に優れ、熱的、機
械的に安定で半導体回路と集積化できる圧電デバイスな
どに適用できる。図９において、参照符号１は単結晶圧
電基板、３は導体層、４は絶縁層、１４は珪素からなる
半導体基板であり、１５は半導体支持基板１４の一部に
設けられた貫通孔である。５は単結晶圧電基板１の上面
に設けた上部電極である。１６は半導体基板１４上に設
けられたトランジスタなどの電子部品あるいはトランジ
スタなどで構成される集積回路であり、１７は半導体基
板１４上の電子部品や集積回路と圧電デバイスの下部電
極である導体層３を電気的に接続する配線で、導体層と
の接続は、例えば導電性接着剤１８で接続され、上部電
極５は、例えば配線ワイヤー１９などで半導体基板１４
上の配線２０に接続されている。導体層３の貫通孔１５
に面した部分と上部電極５は、圧電振動励振電極として
用いられる。導体層３の接合界面部分は、半導体基板１
４の上面の配線に接続するための端子電極の役割をはた
している。
る電子部品を図８および図９を参照しながら説明する。
図８において、参照符号１は第１の実施例と同様、水
晶、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム等の群から
選ばれた単結晶圧電基板である。３は導体層、４は絶縁
層、５，８，９，１０，１１の各構成要素の名称と機能
は第１の実施例と同様である。この実施例では、支持基
板（第２の基板）１４として、珪素からなる半導体基板
を用いる。この実施例の電子部品は、第１の実施例と同
様の方法で製造することができる。このような構成は、
例えば、図９に示すような、保持構造に優れ、熱的、機
械的に安定で半導体回路と集積化できる圧電デバイスな
どに適用できる。図９において、参照符号１は単結晶圧
電基板、３は導体層、４は絶縁層、１４は珪素からなる
半導体基板であり、１５は半導体支持基板１４の一部に
設けられた貫通孔である。５は単結晶圧電基板１の上面
に設けた上部電極である。１６は半導体基板１４上に設
けられたトランジスタなどの電子部品あるいはトランジ
スタなどで構成される集積回路であり、１７は半導体基
板１４上の電子部品や集積回路と圧電デバイスの下部電
極である導体層３を電気的に接続する配線で、導体層と
の接続は、例えば導電性接着剤１８で接続され、上部電
極５は、例えば配線ワイヤー１９などで半導体基板１４
上の配線２０に接続されている。導体層３の貫通孔１５
に面した部分と上部電極５は、圧電振動励振電極として
用いられる。導体層３の接合界面部分は、半導体基板１
４の上面の配線に接続するための端子電極の役割をはた
している。
【００４２】この実施例では、圧電デバイスの励振下部
電極である導体層３と、単結晶圧電基板を保持する半導
体基板１４の上面に配置された配線部分１７が同一面上
に形成しているため、保持用の役割をしている半導体基
板１４にビアホールなどを設けて、下部より配線を引き
回す必要がないなど配線上有利である。また半導体基板
１４の上部に、圧電デバイスを含めて、すべての配線お
よび部品が存在するため、気密封止を半導体基板１４上
面だけで行うことがことができる。また半導体基板１４
と単結晶圧電基板１とは、絶縁層４を介して直接接合さ
れており、熱的変化、および機械的振動に対してきわめ
て安定であり、長期信頼性に優れた圧電デバイスが得ら
れる。
電極である導体層３と、単結晶圧電基板を保持する半導
体基板１４の上面に配置された配線部分１７が同一面上
に形成しているため、保持用の役割をしている半導体基
板１４にビアホールなどを設けて、下部より配線を引き
回す必要がないなど配線上有利である。また半導体基板
１４の上部に、圧電デバイスを含めて、すべての配線お
よび部品が存在するため、気密封止を半導体基板１４上
面だけで行うことがことができる。また半導体基板１４
と単結晶圧電基板１とは、絶縁層４を介して直接接合さ
れており、熱的変化、および機械的振動に対してきわめ
て安定であり、長期信頼性に優れた圧電デバイスが得ら
れる。
【００４３】（実施例４）この発明の第４の実施例につ
いて説明する。この実施例では、第１〜３の実施例の製
造方法において、重ね合わせて熱処理を行う時にさら
に、導体層３と支持基板２界面に直流電圧を加える（第
１の実施例）。すなわち、水晶、ニオブ酸リチウム、タ
ンタル酸リチウムおよびほう酸リチウムの群から選ばれ
た単結晶圧電基板１への導体層３および絶縁層４の形成
およびその表面ならびに支持基板２表面の親水化処理ま
では、第１の実施例と同様に行う。つぎに重ね合わせて
熱処理を行う時にさらに、導体層３と支持基板２界面に
直流電圧を加える。加熱しながら界面に直流電界を加え
ることによって、界面での可動イオンの移動がおこり、
このイオンの静電力により、接合がより容易におこり、
短時間またはより低温で良好な接合を得ることができ
る。具体的には、直流５００Ｖ〜１０００Ｖの電圧を加
えることにより、接合に要する時間が、第１の実施例の
場合よりも３０〜５０％短縮できる。
いて説明する。この実施例では、第１〜３の実施例の製
造方法において、重ね合わせて熱処理を行う時にさら
に、導体層３と支持基板２界面に直流電圧を加える（第
１の実施例）。すなわち、水晶、ニオブ酸リチウム、タ
ンタル酸リチウムおよびほう酸リチウムの群から選ばれ
た単結晶圧電基板１への導体層３および絶縁層４の形成
およびその表面ならびに支持基板２表面の親水化処理ま
では、第１の実施例と同様に行う。つぎに重ね合わせて
熱処理を行う時にさらに、導体層３と支持基板２界面に
直流電圧を加える。加熱しながら界面に直流電界を加え
ることによって、界面での可動イオンの移動がおこり、
このイオンの静電力により、接合がより容易におこり、
短時間またはより低温で良好な接合を得ることができ
る。具体的には、直流５００Ｖ〜１０００Ｖの電圧を加
えることにより、接合に要する時間が、第１の実施例の
場合よりも３０〜５０％短縮できる。
【００４４】また、接合部表面の親水化処理を省略する
こともできる。親水化処理をしない場合は、より高い電
圧を加え、より高温で行うことによって、直接接合する
ことができる。しかし熱膨張率差の大きいもの同士を接
合する場合や、高温で熱処理を行うと特性の変わるもの
同士を接合する場合には、親水化処理して接合する方が
好ましい。
こともできる。親水化処理をしない場合は、より高い電
圧を加え、より高温で行うことによって、直接接合する
ことができる。しかし熱膨張率差の大きいもの同士を接
合する場合や、高温で熱処理を行うと特性の変わるもの
同士を接合する場合には、親水化処理して接合する方が
好ましい。
【００４５】（実施例５）この発明の第５の実施例を図
１０を参照しながら説明する。この実施例では、水晶、
ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムおよびほう酸リ
チウムの群から選ばれた被支持基板である単結晶圧電基
板１への導体層３および絶縁層４の形成までは、第１の
実施例と同様に行う。この実施例においては、さらに、
支持基板２側にも同様にして、第２の導体層２３、第２
の絶縁層２４を形成する。それぞれの接合予定絶縁層表
面を第１の実施例の製造方法と同様にして、親水処理、
純水洗浄を行う。
１０を参照しながら説明する。この実施例では、水晶、
ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムおよびほう酸リ
チウムの群から選ばれた被支持基板である単結晶圧電基
板１への導体層３および絶縁層４の形成までは、第１の
実施例と同様に行う。この実施例においては、さらに、
支持基板２側にも同様にして、第２の導体層２３、第２
の絶縁層２４を形成する。それぞれの接合予定絶縁層表
面を第１の実施例の製造方法と同様にして、親水処理、
純水洗浄を行う。
【００４６】つぎに重ね合わせて熱処理を行う時に、単
結晶圧電基板１側に設けた導体層３と支持基板２側に設
けた第２の導体層２３との間に直流電圧を加えることに
よって、接合界面に直流電圧を加える。加熱しながら界
面に直流電界を加えることによって、界面で可動イオン
の移動がおこり、このイオンの静電力により、単結晶圧
電基板１と支持基板２の接合がより容易におこる。この
場合、第４の実施例よりも、接合界面により高い直流の
電界強度を加えることができるので、第４の実施例より
も一桁以上低い直流電圧で容易に良好な接合を得ること
ができる。これは、図１０に得られた電子部品の構造を
示す。図１０において、１，２，３，４の各構成要素の
名称と機能は、第１の実施例と同様である。第２の導体
層２３を使用しないか、導体層３と電気的に接続してお
くことにより、第１の実施例で述べたデバイスとほぼ同
様の機能の圧電デバイスを得ることができる。
結晶圧電基板１側に設けた導体層３と支持基板２側に設
けた第２の導体層２３との間に直流電圧を加えることに
よって、接合界面に直流電圧を加える。加熱しながら界
面に直流電界を加えることによって、界面で可動イオン
の移動がおこり、このイオンの静電力により、単結晶圧
電基板１と支持基板２の接合がより容易におこる。この
場合、第４の実施例よりも、接合界面により高い直流の
電界強度を加えることができるので、第４の実施例より
も一桁以上低い直流電圧で容易に良好な接合を得ること
ができる。これは、図１０に得られた電子部品の構造を
示す。図１０において、１，２，３，４の各構成要素の
名称と機能は、第１の実施例と同様である。第２の導体
層２３を使用しないか、導体層３と電気的に接続してお
くことにより、第１の実施例で述べたデバイスとほぼ同
様の機能の圧電デバイスを得ることができる。
【００４７】（実施例６）この発明の第６の実施例によ
る電子部品を図１１ないし図１４を参照しながら説明す
る。図１１は、この実施例による圧電デバイスの断面構
造を示す。図１２は図１１の水平断面図、図１３は図１
１の左側面図を示す。図１１ないし図１３中の参照符号
１は第１の実施例と同様、水晶、ニオブ酸リチウム、タ
ンタル酸リチウム等の群から選ばれた被支持基板である
単結晶圧電基板である。この実施例の単結晶圧電基板１
とその上下に形成された導体層３，３′は、圧電デバイ
スの機能部を構成する。また、この実施例の支持基板
２，２′は、中央に凹部２５，２５′（周辺に凸部）を
有し、機能部を気密封止するパッケージ部を構成する。
支持基板２，２′の材料としては、実施例１〜３と同様
に、水晶、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムおよ
びほう酸リチウムの群から選ばれた単結晶圧電基板、珪
素などの半導体基板、ガラス基板を用いることができ
る。
る電子部品を図１１ないし図１４を参照しながら説明す
る。図１１は、この実施例による圧電デバイスの断面構
造を示す。図１２は図１１の水平断面図、図１３は図１
１の左側面図を示す。図１１ないし図１３中の参照符号
１は第１の実施例と同様、水晶、ニオブ酸リチウム、タ
ンタル酸リチウム等の群から選ばれた被支持基板である
単結晶圧電基板である。この実施例の単結晶圧電基板１
とその上下に形成された導体層３，３′は、圧電デバイ
スの機能部を構成する。また、この実施例の支持基板
２，２′は、中央に凹部２５，２５′（周辺に凸部）を
有し、機能部を気密封止するパッケージ部を構成する。
支持基板２，２′の材料としては、実施例１〜３と同様
に、水晶、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムおよ
びほう酸リチウムの群から選ばれた単結晶圧電基板、珪
素などの半導体基板、ガラス基板を用いることができ
る。
【００４８】この実施例の単結晶圧電基板１は、図１２
に示すように、その内側に突起部１ａを有する。突起部
１ａは、単結晶圧電基板１に、開口部を設けることによ
って形成される。突起部１ａの上下両面には、中央部が
対向するように導体層３、３′が設けられており、振動
部として機能する。単結晶圧電基板１の突起部１ａ以外
の部分は、支持基板２，２′の周辺の凸部と、絶縁層
４，４′を介して、直接接合される。その結果、突起部
１ａは、支持基板２，２′の凹部２５，２５′内に気密
封止される。また、突起部１ａの両面に形成された上部
電極３′及び下部電極３は、突起部１ａの付け根に向か
って延長部３ａ，３′ａを有し、延長部３ａ，３′ａ
は、対向しないように配置されている。延長部３ａ，
３′ａの付け根部分は、絶縁層４，４′で覆われ、絶縁
層４，４′を介して、支持基板２，２′と直接接合され
ている。上部及び下部電極３，３′の延長部３ａ，３′
ａは、単結晶圧電基板１の端部において、その端面を露
出しているので（図１３）、延長部３ａ，３′ａは、圧
電デバイスの端子電極として機能する。さらに、この実
施例の圧電デバイスは、単結晶圧電基板１の突起部１ａ
は、支持基板２，２′と接合される周辺部から、開口部
によって分離されているので、優れた振動特性を有す
る。また、上部及び下部電極３，３′の延長部３ａ，
３′ａは、単結晶圧電基板１を介して互いに対向しない
ように配置されているので、延長部３ａ，３′ａにおい
て、励振されることも抑制される。
に示すように、その内側に突起部１ａを有する。突起部
１ａは、単結晶圧電基板１に、開口部を設けることによ
って形成される。突起部１ａの上下両面には、中央部が
対向するように導体層３、３′が設けられており、振動
部として機能する。単結晶圧電基板１の突起部１ａ以外
の部分は、支持基板２，２′の周辺の凸部と、絶縁層
４，４′を介して、直接接合される。その結果、突起部
１ａは、支持基板２，２′の凹部２５，２５′内に気密
封止される。また、突起部１ａの両面に形成された上部
電極３′及び下部電極３は、突起部１ａの付け根に向か
って延長部３ａ，３′ａを有し、延長部３ａ，３′ａ
は、対向しないように配置されている。延長部３ａ，
３′ａの付け根部分は、絶縁層４，４′で覆われ、絶縁
層４，４′を介して、支持基板２，２′と直接接合され
ている。上部及び下部電極３，３′の延長部３ａ，３′
ａは、単結晶圧電基板１の端部において、その端面を露
出しているので（図１３）、延長部３ａ，３′ａは、圧
電デバイスの端子電極として機能する。さらに、この実
施例の圧電デバイスは、単結晶圧電基板１の突起部１ａ
は、支持基板２，２′と接合される周辺部から、開口部
によって分離されているので、優れた振動特性を有す
る。また、上部及び下部電極３，３′の延長部３ａ，
３′ａは、単結晶圧電基板１を介して互いに対向しない
ように配置されているので、延長部３ａ，３′ａにおい
て、励振されることも抑制される。
【００４９】この実施例の構造の製造方法は、基本的に
は実施例１で述べた方法と同様である。一部付加される
工程は、導体層３，３′を絶縁層４，４′で覆った後に
行う絶縁層４，４′の平坦化処理工程である。具体的に
は、図１４に示すように、導体層３を形成した後、その
上から少なくとも導体層３以上の厚みを有する無機薄膜
層を、真空蒸着またはスパッタリングまたは化学気相成
長法などにより形成し、研磨などの方法により導体層部
分の上部に盛り上がって形成された絶縁層部を除去して
表面を平坦化する工程である。この状態にして絶縁層４
と支持基板２を直接接合することにより、この界面での
気密封止を完全なものにすることができる。なお、直接
接合の方法は実施例４に述べた方法でもよい。
は実施例１で述べた方法と同様である。一部付加される
工程は、導体層３，３′を絶縁層４，４′で覆った後に
行う絶縁層４，４′の平坦化処理工程である。具体的に
は、図１４に示すように、導体層３を形成した後、その
上から少なくとも導体層３以上の厚みを有する無機薄膜
層を、真空蒸着またはスパッタリングまたは化学気相成
長法などにより形成し、研磨などの方法により導体層部
分の上部に盛り上がって形成された絶縁層部を除去して
表面を平坦化する工程である。この状態にして絶縁層４
と支持基板２を直接接合することにより、この界面での
気密封止を完全なものにすることができる。なお、直接
接合の方法は実施例４に述べた方法でもよい。
【００５０】この実施例では、圧電デバイスの励振電極
である導体層３，３′が、絶縁層４，４′に２次元的に
埋め込まれて、平面的に支持基板２，２′の空洞部から
外部に導出されているので、直接接合による気密封止を
極めて容易に行うことができる。また、熱的変化、およ
び機械的振動に対しては、他の実施例と同様きわめて安
定であり、長期信頼性に優れた圧電デバイスが得られ
る。
である導体層３，３′が、絶縁層４，４′に２次元的に
埋め込まれて、平面的に支持基板２，２′の空洞部から
外部に導出されているので、直接接合による気密封止を
極めて容易に行うことができる。また、熱的変化、およ
び機械的振動に対しては、他の実施例と同様きわめて安
定であり、長期信頼性に優れた圧電デバイスが得られ
る。
【００５１】この実施例においては、支持基板２，２′
の周辺に凸部を設け、その凸部で被支持基板１と直接接
合した構造を示したが、本発明は、上記の構造に限られ
ない。例えば、被支持基板１の両面の中央部に凹部を設
け、その凹部内に励振用電極を形成し、周辺の凸部に励
振用電極と接続された端子電極を形成し、電極上に形成
された絶縁層を介して、平板状支持基板と直接接合する
ことも可能である。
の周辺に凸部を設け、その凸部で被支持基板１と直接接
合した構造を示したが、本発明は、上記の構造に限られ
ない。例えば、被支持基板１の両面の中央部に凹部を設
け、その凹部内に励振用電極を形成し、周辺の凸部に励
振用電極と接続された端子電極を形成し、電極上に形成
された絶縁層を介して、平板状支持基板と直接接合する
ことも可能である。
【００５２】また、この実施例においては、被支持基板
１の振動部の片方の端辺を固定する構造（片持ち構造）
としたが、圧電振動エネルギーの閉じこめを電極の構造
などで行うことができる場合、振動部をその両端辺で固
定、または、振動部の全周辺で固定することも可能であ
る。全周辺（４辺）で固定する場合には、端子電極を同
一端辺に形成する必要は無く、向かい合う端辺あるいは
任意の端辺に形成しても良い。図１５は、第６の実施例
による他の圧電デバイスの断面構造を示す。図１６は図
１５の水平断面図、図１７は図１５の左側面図を示す。
図１６ないし図１７中の参照符号１は図１１と同じであ
る。また、図１１ないし図１３の圧電デバイスでは、被
支持基板１の上下両面に、それぞれ励振電極と端子電極
とを形成したが、図１５ないし図１７に示すように、被
支持基板１にビアホール３′ｂを設け、励振電極３′を
ビアホール３′ｂを介して、被支持基板１の他方の面に
上に引き出し、電極３と同じ面上に形成した端子電極
３′ｃに接続することも可能である。この構造において
は、ビアホール３′ｂの上下の面は、いずれも気密封止
された内部にあるので、ビアホール３′ｂを気密封止す
る必要がない。従って、このようにビアホール３′ｂを
形成しても、信頼性の高い気密封止が得られる。
１の振動部の片方の端辺を固定する構造（片持ち構造）
としたが、圧電振動エネルギーの閉じこめを電極の構造
などで行うことができる場合、振動部をその両端辺で固
定、または、振動部の全周辺で固定することも可能であ
る。全周辺（４辺）で固定する場合には、端子電極を同
一端辺に形成する必要は無く、向かい合う端辺あるいは
任意の端辺に形成しても良い。図１５は、第６の実施例
による他の圧電デバイスの断面構造を示す。図１６は図
１５の水平断面図、図１７は図１５の左側面図を示す。
図１６ないし図１７中の参照符号１は図１１と同じであ
る。また、図１１ないし図１３の圧電デバイスでは、被
支持基板１の上下両面に、それぞれ励振電極と端子電極
とを形成したが、図１５ないし図１７に示すように、被
支持基板１にビアホール３′ｂを設け、励振電極３′を
ビアホール３′ｂを介して、被支持基板１の他方の面に
上に引き出し、電極３と同じ面上に形成した端子電極
３′ｃに接続することも可能である。この構造において
は、ビアホール３′ｂの上下の面は、いずれも気密封止
された内部にあるので、ビアホール３′ｂを気密封止す
る必要がない。従って、このようにビアホール３′ｂを
形成しても、信頼性の高い気密封止が得られる。
【００５３】（実施例７）この発明の第７の実施例につ
いて説明する。この実施例では、実施例１〜６における
絶縁層４を形成する方法に、溶液を用いる。絶縁層４の
前駆体を溶液状で塗布し、熱処理することによって固化
し、絶縁層４を形成する。得られた絶縁層４の表面と他
方の接合部表面を親水化し、重ね合わせて熱処理を行う
ことによって、他の実施例と同様に、直接接合を形成す
ることができる。
いて説明する。この実施例では、実施例１〜６における
絶縁層４を形成する方法に、溶液を用いる。絶縁層４の
前駆体を溶液状で塗布し、熱処理することによって固化
し、絶縁層４を形成する。得られた絶縁層４の表面と他
方の接合部表面を親水化し、重ね合わせて熱処理を行う
ことによって、他の実施例と同様に、直接接合を形成す
ることができる。
【００５４】溶液状で塗布（例えばスピンコーティン
グ）することにより、導体層３の部分の凸部が平面上に
存在しても、導体層３の厚みよりも厚く塗布膜を形成す
ることにより、図１８に示すように、導体層３の上部を
平坦化できる。従って、実施例６で述べた絶縁層４の平
坦化工程が不要となるので、製造方法を単純化できる。
溶液状で塗布し、熱処理により絶縁層を形成できる材料
としては、例えばアルキルシラノール（ＲＳｉ（ＯＨ）
3 ；Ｒはアルキル基）がある。これをアルコールなどの
溶剤に溶かし塗布し、乾燥した後、３００℃〜６００℃
で熱処理することによって、溶媒やアルキル基が除去さ
れる。その結果、アルキルシラノールは、珪素酸化物に
変化する。このようにして得られた珪素酸化物は、Ｓｉ
Ｏが何重にも（３次元的に）結合したもので、一般に
（−ＳｉＯ−）ｎと表わすことができるものであり、良
好な絶縁性を有する。また、本発明の構造においては、
絶縁層４の膜厚は十分薄いので、直接接合した場合、そ
の界面での気密性は十分良好にとることができる。
グ）することにより、導体層３の部分の凸部が平面上に
存在しても、導体層３の厚みよりも厚く塗布膜を形成す
ることにより、図１８に示すように、導体層３の上部を
平坦化できる。従って、実施例６で述べた絶縁層４の平
坦化工程が不要となるので、製造方法を単純化できる。
溶液状で塗布し、熱処理により絶縁層を形成できる材料
としては、例えばアルキルシラノール（ＲＳｉ（ＯＨ）
3 ；Ｒはアルキル基）がある。これをアルコールなどの
溶剤に溶かし塗布し、乾燥した後、３００℃〜６００℃
で熱処理することによって、溶媒やアルキル基が除去さ
れる。その結果、アルキルシラノールは、珪素酸化物に
変化する。このようにして得られた珪素酸化物は、Ｓｉ
Ｏが何重にも（３次元的に）結合したもので、一般に
（−ＳｉＯ−）ｎと表わすことができるものであり、良
好な絶縁性を有する。また、本発明の構造においては、
絶縁層４の膜厚は十分薄いので、直接接合した場合、そ
の界面での気密性は十分良好にとることができる。
【００５５】また、この方法で形成した絶縁層４は、表
面に水酸基が残りやすいので、直接接合を容易に形成す
ることができある。また、熱処理時に、水酸基から離脱
した水素が接合界面から逃げ易いため、接合後界面にボ
イドが発生しないという効果もある。これ以外にも溶液
状で塗布し、熱処理により絶縁層４を形成できるもので
あれば同様の効果が得られる。
面に水酸基が残りやすいので、直接接合を容易に形成す
ることができある。また、熱処理時に、水酸基から離脱
した水素が接合界面から逃げ易いため、接合後界面にボ
イドが発生しないという効果もある。これ以外にも溶液
状で塗布し、熱処理により絶縁層４を形成できるもので
あれば同様の効果が得られる。
【００５６】なお、上記実施例では、電子部品の特定の
応用例のみを示したが、これらに限定されるものではな
い。
応用例のみを示したが、これらに限定されるものではな
い。
【００５７】
【発明の効果】この発明の電子部品およびその製造方法
によれば、接合初期は、接合面である絶縁層表面と第２
の基板表面に吸着した水素、水酸基による水素結合によ
り結合が主として行われ、熱処理すると、界面から水素
が離脱し、酸素が関与した共有結合が増加し接合が強化
される。このため、熱的変動、機械的振動に対して安定
した性能が得られる（請求項１〜２２）。
によれば、接合初期は、接合面である絶縁層表面と第２
の基板表面に吸着した水素、水酸基による水素結合によ
り結合が主として行われ、熱処理すると、界面から水素
が離脱し、酸素が関与した共有結合が増加し接合が強化
される。このため、熱的変動、機械的振動に対して安定
した性能が得られる（請求項１〜２２）。
【００５８】直接接合された界面層の厚みは、２０ｎｍ
以下の超薄層で接合できるため、この直接接合界面にお
ける気密性は極めて良好なものとなる（請求項２）。ま
た、圧電基板である第１の基板と支持基板である第２の
基板に同一材料を用いれば、熱膨張率が同じであること
から、温度変化に対して安定する。第１の基板と同じ熱
膨張率を有するガラスで第２の基板を形成しても同様の
効果が得られる。第２の基板が水晶、珪素（シリコン単
結晶）の場合、第２の基板も珪素と酸素の共有結合で構
成されており、熱処理時の水素結合から共有結合への移
行はスムーズに行われる。また、第２の基板がニオブ酸
リチウム、タンタル酸リチウム、ほう酸リチウムの場
合、構成元素に酸素が多く含まれていることから、この
酸素と無機絶縁層中の珪素が容易に共有結合を形成し接
合が行われる。第２の基板がガラスの場合は、通常珪酸
が含有されており、珪素と酸素との共有結合が存在する
ことから、水素結合から共有結合への移行はスムーズに
行われる（請求項５〜９）。
以下の超薄層で接合できるため、この直接接合界面にお
ける気密性は極めて良好なものとなる（請求項２）。ま
た、圧電基板である第１の基板と支持基板である第２の
基板に同一材料を用いれば、熱膨張率が同じであること
から、温度変化に対して安定する。第１の基板と同じ熱
膨張率を有するガラスで第２の基板を形成しても同様の
効果が得られる。第２の基板が水晶、珪素（シリコン単
結晶）の場合、第２の基板も珪素と酸素の共有結合で構
成されており、熱処理時の水素結合から共有結合への移
行はスムーズに行われる。また、第２の基板がニオブ酸
リチウム、タンタル酸リチウム、ほう酸リチウムの場
合、構成元素に酸素が多く含まれていることから、この
酸素と無機絶縁層中の珪素が容易に共有結合を形成し接
合が行われる。第２の基板がガラスの場合は、通常珪酸
が含有されており、珪素と酸素との共有結合が存在する
ことから、水素結合から共有結合への移行はスムーズに
行われる（請求項５〜９）。
【００５９】第１の基板に設けた導体層を、第１の基板
に電界を加えるための少なくとも一方の電極とし、ある
いは、第１の基板に電界を加えるための電極に接続され
た引出し配線とすることにより、電界印加電極構成なら
びに電極引き出し構成の自由度が大きく、ビアホールが
不要であり、気密封止が容易である等の作用が得られる
（請求項１０，１１）。
に電界を加えるための少なくとも一方の電極とし、ある
いは、第１の基板に電界を加えるための電極に接続され
た引出し配線とすることにより、電界印加電極構成なら
びに電極引き出し構成の自由度が大きく、ビアホールが
不要であり、気密封止が容易である等の作用が得られる
（請求項１０，１１）。
【００６０】また、第１の基板と、第１の基板の表面に
形成された端子電極を構成する導体層と、導体層の上に
形成された絶縁層とを有する機能部を気密封止するパッ
ケージ部を第２の基板の周辺に凸部を形成する等して構
成することにより、優れた振動特性を有する圧電デバイ
ス等の電子部品を得ることができる（請求項１３，１
４，４）。
形成された端子電極を構成する導体層と、導体層の上に
形成された絶縁層とを有する機能部を気密封止するパッ
ケージ部を第２の基板の周辺に凸部を形成する等して構
成することにより、優れた振動特性を有する圧電デバイ
ス等の電子部品を得ることができる（請求項１３，１
４，４）。
【００６１】また、絶縁層と第２の基板を重ね合わせて
熱処理を行う時に、導体層と第２の基板界面に直流電圧
を加えることにより、界面での可動イオンの移動がおこ
り、このイオンの静電力により、接合がより容易におこ
り、短時間またはより低温で良好な接合を得ることがで
きる（請求項１６，２１）。また、導体層を絶縁層に２
次元的に完全に埋め込み、絶縁層表面を平坦化した後、
直接接合を行うことにより、直接接合界面での気密性を
さらに高めることができる（請求項１９，３）。
熱処理を行う時に、導体層と第２の基板界面に直流電圧
を加えることにより、界面での可動イオンの移動がおこ
り、このイオンの静電力により、接合がより容易におこ
り、短時間またはより低温で良好な接合を得ることがで
きる（請求項１６，２１）。また、導体層を絶縁層に２
次元的に完全に埋め込み、絶縁層表面を平坦化した後、
直接接合を行うことにより、直接接合界面での気密性を
さらに高めることができる（請求項１９，３）。
【００６２】また、導体層形成後、絶縁層の前駆体を溶
液状で塗布し、乾燥、熱処理することにより絶縁層を形
成することにより、絶縁層表面を平坦化する工程を省略
することができる（請求項２０）。また、第１の基板と
同様に、第２の基板に第２の導体層および第２の絶縁層
をこの順に積層し、絶縁層表面およびこの絶縁層表面に
接合される第２の絶縁層表面を親水化処理して重ね合わ
せ熱処理するとともに、この重ね合わせ熱処理を行う時
に、第１の基板側に設けた導体層と第２の基板側に設け
た第２の導体層間に直流電圧を加える場合にも、イオン
の静電力により、接合がより容易におこるが、接合界面
により高い直流の電界強度を加えることができ、低い直
流電圧で容易に良好な接合を得ることができる（請求項
２２）。
液状で塗布し、乾燥、熱処理することにより絶縁層を形
成することにより、絶縁層表面を平坦化する工程を省略
することができる（請求項２０）。また、第１の基板と
同様に、第２の基板に第２の導体層および第２の絶縁層
をこの順に積層し、絶縁層表面およびこの絶縁層表面に
接合される第２の絶縁層表面を親水化処理して重ね合わ
せ熱処理するとともに、この重ね合わせ熱処理を行う時
に、第１の基板側に設けた導体層と第２の基板側に設け
た第２の導体層間に直流電圧を加える場合にも、イオン
の静電力により、接合がより容易におこるが、接合界面
により高い直流の電界強度を加えることができ、低い直
流電圧で容易に良好な接合を得ることができる（請求項
２２）。
【図１】この発明の第１の実施例の電子部品の断面図で
ある。
ある。
【図２】第１の実施例の製造方法を示す工程図である。
【図３】この発明の直接接合の原理を示す模式図であ
る。
る。
【図４】第１の実施例による圧電デバイスの断面図であ
る。
る。
【図５】第１の実施例による他の圧電デバイスの断面図
である。
である。
【図６】この発明の第２の実施例の電子部品の断面図で
ある。
ある。
【図７】第２の実施例による圧電デバイスの断面図であ
る。
る。
【図８】この発明の第３の実施例の電子部品の断面図で
ある。
ある。
【図９】第３の実施例による圧電デバイスの断面図であ
る。
る。
【図１０】この発明の第５の実施例の電子部品の断面図
である。
である。
【図１１】この発明の第６の実施例の電子部品の断面正
面図である。
面図である。
【図１２】図１１の水平断面図である。
【図１３】図１１の左側面図である。
【図１４】第６の実施例の絶縁層の製造方法を示す説明
図である。
図である。
【図１５】この発明の第６の実施例の変形例の電子部品
の断面図である。
の断面図である。
【図１６】図１５の水平断面図である。
【図１７】図１５の左側面図である。
【図１８】この発明の第７の実施例の絶縁層の説明図で
ある。
ある。
１ 第１の基板（単結晶圧電基板） ２ 第２の基板（支持基板） ３ 導体層 ４ 絶縁層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０３Ｈ 3/08 7259−5Ｊ 9/10 7719−5Ｊ 9/17 Ｇ 7719−5Ｊ 9/25 Ａ 7259−5Ｊ (72)発明者 杉本 雅人 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (22)
- 【請求項１】 第１の基板と、第２の基板とを有し、 前記第１の基板の表面に、端子電極を構成する導体層
と、この導体層の上に形成された絶縁層とを有し、 前記絶縁層と前記第２の基板とが、水素結合および共有
結合の内の少なくとも一方の結合により、直接接合され
た電子部品。 - 【請求項２】 絶縁層と第２の基板が直接接合で接合さ
れた界面の厚みが２０ｎｍ以下である請求項１記載の電
子部品。 - 【請求項３】 導体層は、絶縁層により埋設されている
請求項１記載の電子部品。 - 【請求項４】 第２の基板は周辺に凸部を有し、絶縁層
と第２の基板の凸部の少なくとも一部とが、直接接合さ
れている請求項１記載の電子部品。 - 【請求項５】 第１の基板は、圧電基板である請求項１
記載の電子部品。 - 【請求項６】 圧電基板は、水晶、ニオブ酸リチウム、
タンタル酸リチウムおよびほう酸リチウムの群の中から
選ばれた単結晶圧電基板である請求項５記載の電子部
品。 - 【請求項７】 第２の基板は、水晶、ニオブ酸リチウ
ム、タンタル酸リチウムおよびほう酸リチウムの群の中
から選ばれた単結晶圧電基板である請求項１記載の電子
部品。 - 【請求項８】 第２の基板は、シリコン単結晶基板であ
る請求項１記載の電子部品。 - 【請求項９】 第２の基板は、ガラス基板である請求項
１記載の電子部品。 - 【請求項１０】 第１の基板に設けた導体層が、第１の
基板に電界を加えるための少なくとも一方の電極となっ
ている請求項１記載の電子部品。 - 【請求項１１】 第１の基板に設けた導体層が、第１の
基板に電界を加えるための電極に接続された引出し配線
となっている請求項１記載の電子部品。 - 【請求項１２】 第２の基板に、第２の導体層および第
２の絶縁層をこの順に積層した請求項１記載の電子部
品。 - 【請求項１３】 機能部と、この機能部を気密封止する
パッケージ部とを備え、前記機能部は、基板と、この基
板の表面に形成された端子電極を構成する導体層と、こ
の導体層の上に形成された絶縁層とを有し、 前記パッケージ部の少なくとも一部と前記絶縁層とが、
水素結合および共有結合の内の少なくとも一方の結合に
より、直接接合された電子部品。 - 【請求項１４】 機能部の基板は、圧電基板であり、こ
の機能部は圧電素子として機能する請求項１３記載の電
子部品。 - 【請求項１５】 第１の基板と、第２の基板と、前記第
１の基板と前記第２の基板との間に端子電極を構成する
導体層とを有する電子部品の製造方法であって、 前記第１の基板の表面に、端子電極を構成する前記導体
層を形成する工程と、 前記導体層の上に絶縁層を形成する工程と、 前記絶縁層および前記第２の基板の表面を親水化処理す
る工程と、 前記絶縁層と前記第２の基板とを、親水化処理された表
面を内側にして、重ね合わせる工程と、 を包含し、前記第１の基板と前記第２の基板とを、水素
結合および共有結合の内の少なくとも一方の結合によ
り、直接接合する電子部品の製造方法。 - 【請求項１６】 重ね合わせ工程の後に、熱処理を施す
工程を包含する請求項１５記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項１７】 導体層形成工程は、真空蒸着法、スパ
ッタリング法および化学気相成長法の内の１つの方法を
用いる請求項１５記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項１８】 絶縁層形成工程は、真空蒸着法、スパ
ッタリング法および化学気相成長法の内の１つの方法を
用いる請求項１５記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項１９】 絶縁層形成工程の後に、絶縁層の表面
を平坦化する工程を包含する請求項１５記載の電子部品
の製造方法。 - 【請求項２０】 絶縁層形成工程は、導体層上に、液状
の絶縁体の前駆体を塗布し、この前駆体を熱処理する工
程である請求項１５記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項２１】 熱処理工程は、導体層と第２の基板の
間に電界を印加する工程を包含する請求項１６記載の電
子部品の製造方法。 - 【請求項２２】 第１の基板と、第２の基板と、前記第
１の基板と前記第２の基板との間に端子電極を構成する
導体層とを有する電子部品の製造方法であって、 前記第１の基板および前記第２の基板の表面に、各々端
子電極を構成する第１の導体層および第２の導体層を形
成する工程と、 前記第１の導体層および前記第２の導体層の上に各々第
１の絶縁層および第２の絶縁層を形成する工程と、 前記第１の絶縁層および前記第２の絶縁層の表面を親水
化処理する工程と、 前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とを、親水化処理
された表面を内側にして、重ね合わせる工程と、 を包含し、前記第１の基板と前記第２の基板とを、水素
結合および共有結合の内の少なくとも一方の結合によ
り、直接接合する電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6266412A JPH07193294A (ja) | 1993-11-01 | 1994-10-31 | 電子部品およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-273501 | 1993-11-01 | ||
| JP27350193 | 1993-11-01 | ||
| JP6266412A JPH07193294A (ja) | 1993-11-01 | 1994-10-31 | 電子部品およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07193294A true JPH07193294A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=17528779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6266412A Pending JPH07193294A (ja) | 1993-11-01 | 1994-10-31 | 電子部品およびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5771555A (ja) |
| EP (1) | EP0651449B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07193294A (ja) |
| DE (1) | DE69429848T2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5994821A (en) * | 1996-11-29 | 1999-11-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Displacement control actuator |
| JP2005129825A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-19 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化合物半導体基板の製造方法 |
| JP2006510222A (ja) * | 2002-12-17 | 2006-03-23 | イブル・フォトニクス・インコーポレイテッド | 強誘電性単結晶膜構造物の製造方法 |
| JP2007089117A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-04-05 | Seiko Instruments Inc | 圧電振動子、発振器、電子部品、電子機器、圧電振動子の製造方法及び電子部品の製造方法 |
| CN100351938C (zh) * | 2001-11-02 | 2007-11-28 | 松下电器产业株式会社 | 压电体驱动元件及其制造方法 |
| JP2010100520A (ja) * | 1998-03-24 | 2010-05-06 | Silverbrook Research Pty Ltd | ナノチューブ、及び該ナノチューブを有する電気装置 |
| JP2011087079A (ja) * | 2009-10-14 | 2011-04-28 | Ngk Insulators Ltd | 弾性表面波素子 |
| JP2011193291A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Seiko Instruments Inc | パッケージ、およびパッケージ製造方法 |
| JP2012165132A (ja) * | 2011-02-04 | 2012-08-30 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイスの製造方法 |
| WO2022176689A1 (ja) * | 2021-02-19 | 2022-08-25 | 信越化学工業株式会社 | 複合ウェーハおよびその製造方法 |
Families Citing this family (129)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0742598B1 (en) * | 1995-05-08 | 2000-08-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a composite substrate and a piezoelectric device using the substrate |
| US5759753A (en) * | 1995-07-19 | 1998-06-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Piezoelectric device and method of manufacturing the same |
| EP0768532B1 (en) * | 1995-10-09 | 2003-04-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Acceleration sensor and method for producing the same, and shock detecting device using the same |
| JP3880150B2 (ja) * | 1997-06-02 | 2007-02-14 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波素子 |
| JPH1130628A (ja) * | 1997-07-11 | 1999-02-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 加速度センサー用バイモルフ型圧電素子とその製造方法 |
| US6550116B2 (en) | 1997-07-11 | 2003-04-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing a bimorph piezoelectric device for acceleration sensor |
| GB2330664B (en) * | 1997-10-21 | 2002-01-23 | Integrated Optical Components | The manufacture of integrated optical devices |
| DE19821527A1 (de) * | 1998-05-13 | 1999-12-02 | Siemens Ag | Schwingkreis |
| US6316332B1 (en) | 1998-11-30 | 2001-11-13 | Lo Yu-Hwa | Method for joining wafers at a low temperature and low stress |
| JP3887137B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2007-02-28 | セイコーインスツル株式会社 | 圧電振動子の製造方法 |
| DE19928190A1 (de) * | 1999-06-19 | 2001-01-11 | Bosch Gmbh Robert | Piezoaktor |
| US6500694B1 (en) * | 2000-03-22 | 2002-12-31 | Ziptronix, Inc. | Three dimensional device integration method and integrated device |
| US6984571B1 (en) | 1999-10-01 | 2006-01-10 | Ziptronix, Inc. | Three dimensional device integration method and integrated device |
| US20020048900A1 (en) * | 1999-11-23 | 2002-04-25 | Nova Crystals, Inc. | Method for joining wafers at a low temperature and low stress |
| IL133453A0 (en) * | 1999-12-10 | 2001-04-30 | Shellcase Ltd | Methods for producing packaged integrated circuit devices and packaged integrated circuit devices produced thereby |
| JP2001171132A (ja) * | 1999-12-10 | 2001-06-26 | Samsung Electro Mech Co Ltd | インクジェットプリンタヘッド用アクチュエータの製造方法 |
| US6521144B2 (en) * | 2000-01-07 | 2003-02-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Conductive adhesive and connection structure using the same |
| US6902987B1 (en) * | 2000-02-16 | 2005-06-07 | Ziptronix, Inc. | Method for low temperature bonding and bonded structure |
| US6563133B1 (en) * | 2000-08-09 | 2003-05-13 | Ziptronix, Inc. | Method of epitaxial-like wafer bonding at low temperature and bonded structure |
| US6975109B2 (en) * | 2000-09-01 | 2005-12-13 | Honeywell International Inc. | Method for forming a magnetic sensor that uses a Lorentz force and a piezoelectric effect |
| JP4211886B2 (ja) * | 2001-02-28 | 2009-01-21 | 日本電波工業株式会社 | 水晶振動子 |
| JP2002261570A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-09-13 | Citizen Watch Co Ltd | 水晶振動子用パッケージベースおよびそれを用いた水晶振動子パッケージ構造体の製造方法 |
| JP3908512B2 (ja) * | 2001-11-16 | 2007-04-25 | セイコーインスツル株式会社 | 圧電トランスデューサ及び脈波検出装置 |
| US20100107389A1 (en) * | 2002-01-11 | 2010-05-06 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method of fabricating an electrode for a bulk acoustic resonator |
| DE10200741A1 (de) * | 2002-01-11 | 2003-07-24 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung einer topologieoptimierten Elektrode für einen Resonator in Dünnfilmtechnologie |
| US7033664B2 (en) | 2002-10-22 | 2006-04-25 | Tessera Technologies Hungary Kft | Methods for producing packaged integrated circuit devices and packaged integrated circuit devices produced thereby |
| US7109092B2 (en) | 2003-05-19 | 2006-09-19 | Ziptronix, Inc. | Method of room temperature covalent bonding |
| US7262495B2 (en) | 2004-10-07 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | 3D interconnect with protruding contacts |
| US7563691B2 (en) | 2004-10-29 | 2009-07-21 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method for plasma enhanced bonding and bonded structures formed by plasma enhanced bonding |
| CN101048285B (zh) * | 2004-10-26 | 2011-06-08 | 惠普开发有限公司 | 等离子增强粘合方法和由等离子增强粘合形成的粘合结构 |
| US7259499B2 (en) * | 2004-12-23 | 2007-08-21 | Askew Andy R | Piezoelectric bimorph actuator and method of manufacturing thereof |
| US20060255691A1 (en) * | 2005-03-30 | 2006-11-16 | Takahiro Kuroda | Piezoelectric resonator and manufacturing method thereof |
| US7485968B2 (en) | 2005-08-11 | 2009-02-03 | Ziptronix, Inc. | 3D IC method and device |
| JP4983010B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2012-07-25 | 富士通株式会社 | 圧電素子及びその製造方法 |
| DE102006008721B4 (de) * | 2006-02-24 | 2009-12-24 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Verfahren zur Herstellung eines akustischen Spiegels für einen piezoelektrischen Resonator und Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrischen Resonators |
| JP4627269B2 (ja) * | 2006-02-24 | 2011-02-09 | 日本碍子株式会社 | 圧電薄膜デバイスの製造方法 |
| JP4435758B2 (ja) * | 2006-06-29 | 2010-03-24 | 日本電波工業株式会社 | 水晶片の製造方法 |
| US7564177B2 (en) * | 2006-12-26 | 2009-07-21 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Crystal unit having stacked structure |
| US8179023B2 (en) * | 2007-02-20 | 2012-05-15 | Nihon Dempa Kogyo, Co., Ltd. | Package-type piezoelectric resonator and method of manufacturing package-type piezoelectric resonator |
| JP5048471B2 (ja) * | 2007-12-05 | 2012-10-17 | セイコーインスツル株式会社 | パッケージの製造方法、パッケージ、電子デバイス、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
| US8115365B2 (en) * | 2008-04-15 | 2012-02-14 | Ngk Insulators, Ltd. | Surface acoustic wave devices |
| WO2010024199A1 (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-04 | 京セラ株式会社 | 積層型圧電素子およびこれを用いた噴射装置ならびに燃料噴射システム |
| US8133346B2 (en) * | 2008-09-30 | 2012-03-13 | Cordis Corporation | Medical device having bonding regions and method of making the same |
| JP2010091467A (ja) * | 2008-10-09 | 2010-04-22 | Rohm Co Ltd | 圧力センサおよび圧力センサの製造方法 |
| JP4843012B2 (ja) * | 2008-11-17 | 2011-12-21 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイスとその製造方法 |
| JP5073772B2 (ja) * | 2009-09-16 | 2012-11-14 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイス |
| EP2617076B1 (en) * | 2010-09-15 | 2014-12-10 | Ricoh Company, Limited | Electromechanical transducing device and manufacturing method thereof |
| JP2012175492A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 |
| JP5905677B2 (ja) * | 2011-08-02 | 2016-04-20 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器およびその製造方法 |
| US8987976B2 (en) * | 2011-09-23 | 2015-03-24 | Qualcomm Incorporated | Piezoelectric resonator having combined thickness and width vibrational modes |
| US8735219B2 (en) | 2012-08-30 | 2014-05-27 | Ziptronix, Inc. | Heterogeneous annealing method and device |
| US20150262902A1 (en) | 2014-03-12 | 2015-09-17 | Invensas Corporation | Integrated circuits protected by substrates with cavities, and methods of manufacture |
| US11069734B2 (en) | 2014-12-11 | 2021-07-20 | Invensas Corporation | Image sensor device |
| US9741620B2 (en) | 2015-06-24 | 2017-08-22 | Invensas Corporation | Structures and methods for reliable packages |
| US10886250B2 (en) | 2015-07-10 | 2021-01-05 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
| US9953941B2 (en) | 2015-08-25 | 2018-04-24 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Conductive barrier direct hybrid bonding |
| US9852988B2 (en) | 2015-12-18 | 2017-12-26 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Increased contact alignment tolerance for direct bonding |
| US10446532B2 (en) | 2016-01-13 | 2019-10-15 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Systems and methods for efficient transfer of semiconductor elements |
| US10204893B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-02-12 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Stacked dies and methods for forming bonded structures |
| US10446487B2 (en) | 2016-09-30 | 2019-10-15 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Interface structures and methods for forming same |
| US10580735B2 (en) | 2016-10-07 | 2020-03-03 | Xcelsis Corporation | Stacked IC structure with system level wiring on multiple sides of the IC die |
| TWI822659B (zh) | 2016-10-27 | 2023-11-21 | 美商艾德亞半導體科技有限責任公司 | 用於低溫接合的結構和方法 |
| US10002844B1 (en) | 2016-12-21 | 2018-06-19 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Bonded structures |
| US10796936B2 (en) | 2016-12-22 | 2020-10-06 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Die tray with channels |
| US20180182665A1 (en) | 2016-12-28 | 2018-06-28 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Processed Substrate |
| KR102320673B1 (ko) | 2016-12-28 | 2021-11-01 | 인벤사스 본딩 테크놀로지스 인코포레이티드 | 적층된 기판의 처리 |
| TWI782939B (zh) | 2016-12-29 | 2022-11-11 | 美商英帆薩斯邦德科技有限公司 | 具有整合式被動構件的接合結構 |
| WO2018147940A1 (en) | 2017-02-09 | 2018-08-16 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Bonded structures |
| WO2018169968A1 (en) | 2017-03-16 | 2018-09-20 | Invensas Corporation | Direct-bonded led arrays and applications |
| US10515913B2 (en) | 2017-03-17 | 2019-12-24 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Multi-metal contact structure |
| US10508030B2 (en) | 2017-03-21 | 2019-12-17 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Seal for microelectronic assembly |
| WO2018183739A1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-04 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Interface structures and methods for forming same |
| US10269756B2 (en) | 2017-04-21 | 2019-04-23 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Die processing |
| US10529634B2 (en) | 2017-05-11 | 2020-01-07 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Probe methodology for ultrafine pitch interconnects |
| US10879212B2 (en) | 2017-05-11 | 2020-12-29 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Processed stacked dies |
| US10446441B2 (en) | 2017-06-05 | 2019-10-15 | Invensas Corporation | Flat metal features for microelectronics applications |
| US10217720B2 (en) | 2017-06-15 | 2019-02-26 | Invensas Corporation | Multi-chip modules formed using wafer-level processing of a reconstitute wafer |
| US10840205B2 (en) | 2017-09-24 | 2020-11-17 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Chemical mechanical polishing for hybrid bonding |
| US11195748B2 (en) | 2017-09-27 | 2021-12-07 | Invensas Corporation | Interconnect structures and methods for forming same |
| US11031285B2 (en) | 2017-10-06 | 2021-06-08 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Diffusion barrier collar for interconnects |
| CN208385458U (zh) * | 2017-10-13 | 2019-01-15 | 济南晶正电子科技有限公司 | 纳米级单晶薄膜 |
| US10658313B2 (en) | 2017-12-11 | 2020-05-19 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Selective recess |
| US11011503B2 (en) | 2017-12-15 | 2021-05-18 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Direct-bonded optoelectronic interconnect for high-density integrated photonics |
| US11380597B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-07-05 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Bonded structures |
| US10923408B2 (en) | 2017-12-22 | 2021-02-16 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Cavity packages |
| US10727219B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-07-28 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Techniques for processing devices |
| US11169326B2 (en) | 2018-02-26 | 2021-11-09 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Integrated optical waveguides, direct-bonded waveguide interface joints, optical routing and interconnects |
| US11256004B2 (en) | 2018-03-20 | 2022-02-22 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Direct-bonded lamination for improved image clarity in optical devices |
| US11056348B2 (en) | 2018-04-05 | 2021-07-06 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Bonding surfaces for microelectronics |
| US11244916B2 (en) | 2018-04-11 | 2022-02-08 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Low temperature bonded structures |
| US10790262B2 (en) | 2018-04-11 | 2020-09-29 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Low temperature bonded structures |
| US10964664B2 (en) | 2018-04-20 | 2021-03-30 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | DBI to Si bonding for simplified handle wafer |
| US11004757B2 (en) | 2018-05-14 | 2021-05-11 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Bonded structures |
| US11276676B2 (en) | 2018-05-15 | 2022-03-15 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Stacked devices and methods of fabrication |
| CN112514059B (zh) | 2018-06-12 | 2024-05-24 | 隔热半导体粘合技术公司 | 堆叠微电子部件的层间连接 |
| KR20210009426A (ko) | 2018-06-13 | 2021-01-26 | 인벤사스 본딩 테크놀로지스 인코포레이티드 | 패드로서의 ｔｓｖ |
| US11393779B2 (en) | 2018-06-13 | 2022-07-19 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Large metal pads over TSV |
| US10910344B2 (en) | 2018-06-22 | 2021-02-02 | Xcelsis Corporation | Systems and methods for releveled bump planes for chiplets |
| WO2020010056A1 (en) | 2018-07-03 | 2020-01-09 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Techniques for joining dissimilar materials in microelectronics |
| WO2020010265A1 (en) | 2018-07-06 | 2020-01-09 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Microelectronic assemblies |
| WO2020010136A1 (en) | 2018-07-06 | 2020-01-09 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Molded direct bonded and interconnected stack |
| US11450799B2 (en) | 2018-08-07 | 2022-09-20 | Jinan Jingzheng Electronics Co., Ltd. | Micron-scale monocrystal film |
| US11515291B2 (en) | 2018-08-28 | 2022-11-29 | Adeia Semiconductor Inc. | Integrated voltage regulator and passive components |
| US11296044B2 (en) | 2018-08-29 | 2022-04-05 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Bond enhancement structure in microelectronics for trapping contaminants during direct-bonding processes |
| US11011494B2 (en) | 2018-08-31 | 2021-05-18 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Layer structures for making direct metal-to-metal bonds at low temperatures in microelectronics |
| US11158573B2 (en) | 2018-10-22 | 2021-10-26 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Interconnect structures |
| US11244920B2 (en) | 2018-12-18 | 2022-02-08 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Method and structures for low temperature device bonding |
| CN113330557A (zh) | 2019-01-14 | 2021-08-31 | 伊文萨思粘合技术公司 | 键合结构 |
| US11901281B2 (en) | 2019-03-11 | 2024-02-13 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Bonded structures with integrated passive component |
| US10854578B2 (en) | 2019-03-29 | 2020-12-01 | Invensas Corporation | Diffused bitline replacement in stacked wafer memory |
| US11610846B2 (en) | 2019-04-12 | 2023-03-21 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Protective elements for bonded structures including an obstructive element |
| US11373963B2 (en) | 2019-04-12 | 2022-06-28 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Protective elements for bonded structures |
| US11205625B2 (en) | 2019-04-12 | 2021-12-21 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Wafer-level bonding of obstructive elements |
| US11355404B2 (en) | 2019-04-22 | 2022-06-07 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Mitigating surface damage of probe pads in preparation for direct bonding of a substrate |
| US11385278B2 (en) | 2019-05-23 | 2022-07-12 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Security circuitry for bonded structures |
| US11296053B2 (en) | 2019-06-26 | 2022-04-05 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Direct bonded stack structures for increased reliability and improved yield in microelectronics |
| US11862602B2 (en) | 2019-11-07 | 2024-01-02 | Adeia Semiconductor Technologies Llc | Scalable architecture for reduced cycles across SOC |
| US11762200B2 (en) | 2019-12-17 | 2023-09-19 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Bonded optical devices |
| US11876076B2 (en) | 2019-12-20 | 2024-01-16 | Adeia Semiconductor Technologies Llc | Apparatus for non-volatile random access memory stacks |
| US11721653B2 (en) | 2019-12-23 | 2023-08-08 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Circuitry for electrical redundancy in bonded structures |
| US11842894B2 (en) | 2019-12-23 | 2023-12-12 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Electrical redundancy for bonded structures |
| WO2021188846A1 (en) | 2020-03-19 | 2021-09-23 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Dimension compensation control for directly bonded structures |
| US11742314B2 (en) | 2020-03-31 | 2023-08-29 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Reliable hybrid bonded apparatus |
| WO2021236361A1 (en) | 2020-05-19 | 2021-11-25 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Laterally unconfined structure |
| US11631647B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-04-18 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Integrated device packages with integrated device die and dummy element |
| US11764177B2 (en) | 2020-09-04 | 2023-09-19 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Bonded structure with interconnect structure |
| US11728273B2 (en) | 2020-09-04 | 2023-08-15 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Bonded structure with interconnect structure |
| US11264357B1 (en) | 2020-10-20 | 2022-03-01 | Invensas Corporation | Mixed exposure for large die |
| US12010920B2 (en) * | 2021-02-08 | 2024-06-11 | Wisconsin Alumni Research Foundation | 3D-printed ferroelectric metamaterial with giant piezoelectricity and biomimetic mechanical toughness |
Family Cites Families (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2123236A (en) * | 1936-04-22 | 1938-07-12 | Bell Telephone Labor Inc | Crystal holder |
| NL235370A (ja) * | 1958-01-23 | |||
| GB1138401A (en) * | 1965-05-06 | 1969-01-01 | Mallory & Co Inc P R | Bonding |
| FR2338607A1 (fr) * | 1976-01-16 | 1977-08-12 | France Etat | Resonateur a quartz a electrodes non adherentes au cristal |
| US4009516A (en) * | 1976-03-29 | 1977-03-01 | Honeywell Inc. | Pyroelectric detector fabrication |
| US4191905A (en) * | 1977-06-17 | 1980-03-04 | Citizen Watch Company Limited | Sealed housings for a subminiature piezoelectric vibrator |
| JPS5451792A (en) * | 1977-09-30 | 1979-04-23 | Citizen Watch Co Ltd | Container for miniature piezoelectric oscillator |
| JPS5925486B2 (ja) * | 1977-11-15 | 1984-06-18 | シチズン時計株式会社 | 圧電振動子の容器 |
| JPS5478694A (en) * | 1977-12-05 | 1979-06-22 | Matsushima Kogyo Co Ltd | Crystal vibrator |
| SU705642A1 (ru) * | 1978-07-06 | 1979-12-25 | Предприятие П/Я Х-5332 | Кварцевый резонатор |
| JPS5564414A (en) * | 1978-11-10 | 1980-05-15 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Container for crystal vibrator |
| FR2445029A1 (fr) * | 1978-12-19 | 1980-07-18 | France Etat | Resonateur piezoelectrique a tiroir |
| US4270105A (en) * | 1979-05-14 | 1981-05-26 | Raytheon Company | Stabilized surface wave device |
| CH625372A5 (ja) * | 1979-07-06 | 1981-09-15 | Ebauchesfabrik Eta Ag | |
| JPS56131219A (en) * | 1980-03-17 | 1981-10-14 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Energy-confined type piezoelectric filter |
| JPS5967710A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-17 | Seikosha Co Ltd | 厚みすべり圧電振動子 |
| FR2547458B3 (fr) * | 1983-06-07 | 1986-02-21 | Electronique Piezoelectricite | Resonateur piezoelectrique pourvu d'un dispositif d'encapsulation |
| US4479070A (en) * | 1983-06-10 | 1984-10-23 | Sperry Corporation | Vibrating quartz diaphragm pressure sensor |
| US4502932A (en) * | 1983-10-13 | 1985-03-05 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Acoustic resonator and method of making same |
| US4633122A (en) * | 1985-06-18 | 1986-12-30 | Pennwalt Corporation | Means for electrically connecting electrodes on different surfaces of piezoelectric polymeric films |
| NL8501773A (nl) * | 1985-06-20 | 1987-01-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen. |
| US4639631A (en) * | 1985-07-01 | 1987-01-27 | Motorola, Inc. | Electrostatically sealed piezoelectric device |
| JPS6227040A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-05 | Sapporo Breweries Ltd | 物質を澱粉に吸着あるいは包接させる方法 |
| US4665374A (en) * | 1985-12-20 | 1987-05-12 | Allied Corporation | Monolithic programmable signal processor using PI-FET taps |
| US4698820A (en) * | 1986-05-01 | 1987-10-06 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Magnetic device and method of manufacture |
| GB2202989B (en) * | 1987-04-02 | 1991-01-09 | Stc Plc | Crystal resonnator |
| JPS63285195A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-22 | Yokogawa Electric Corp | 単結晶水晶体の接合方法 |
| JPH01211217A (ja) * | 1988-02-17 | 1989-08-24 | Seiko Epson Corp | 磁気記憶媒体 |
| JPH01251405A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Ngk Insulators Ltd | 磁気ヘッド用コア |
| US4883215A (en) * | 1988-12-19 | 1989-11-28 | Duke University | Method for bubble-free bonding of silicon wafers |
| JPH02232606A (ja) * | 1989-03-06 | 1990-09-14 | Ibiden Co Ltd | 薄膜導波型光アイソレータの製造方法 |
| DE3922671A1 (de) * | 1989-07-10 | 1991-01-24 | Siemens Ag | Akustoelektronisches bauelement mit einer oberflaechenwellenanordnung und einer elektronischen halbleiterschaltung |
| JPH03178206A (ja) * | 1989-12-06 | 1991-08-02 | Nec Corp | モノリシック集積回路化発振器 |
| US5075641A (en) * | 1990-12-04 | 1991-12-24 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | High frequency oscillator comprising cointegrated thin film resonator and active device |
| DE4041276C1 (ja) * | 1990-12-21 | 1992-02-27 | Siemens Ag, 8000 Muenchen, De | |
| JP2643620B2 (ja) * | 1991-03-13 | 1997-08-20 | 松下電器産業株式会社 | 電圧制御発振器とその製造方法 |
| JPH04313221A (ja) * | 1991-04-10 | 1992-11-05 | Kawasaki Steel Corp | デポジション拡散方法および装置 |
| JPH04313211A (ja) * | 1991-04-10 | 1992-11-05 | Sony Corp | 貼り合わせ基板の製造方法 |
| US5185589A (en) * | 1991-05-17 | 1993-02-09 | Westinghouse Electric Corp. | Microwave film bulk acoustic resonator and manifolded filter bank |
| EP0823780B8 (en) * | 1991-09-12 | 2002-09-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electro-acoustic hybrid integrated circuit and manufacturing method thereof |
| US5319324A (en) * | 1991-10-02 | 1994-06-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of direct bonding of crystals and crystal devices |
| GB2260642B (en) * | 1991-10-19 | 1995-02-08 | Northern Telecom Ltd | Crystal resonator device |
| US5166646A (en) * | 1992-02-07 | 1992-11-24 | Motorola, Inc. | Integrated tunable resonators for use in oscillators and filters |
| NL9200515A (nl) * | 1992-03-20 | 1993-10-18 | Philips Nv | Elektrische machine, werkwijze voor het aan elkaar bevestigen van een zacht-magnetisch lichaam en een hard-magnetisch lichaam en werkwijze voor het aan elkaar bevestigen van twee hard-magnetische lichamen. |
| EP0575948B1 (en) * | 1992-06-23 | 1997-04-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Quartz device and manufacturing method thereof |
| US5302879A (en) * | 1992-12-31 | 1994-04-12 | Halliburton Company | Temperature/reference package, and method using the same for high pressure, high temperature oil or gas well |
| JP2701709B2 (ja) * | 1993-02-16 | 1998-01-21 | 株式会社デンソー | ２つの材料の直接接合方法及び材料直接接合装置 |
| JP3188546B2 (ja) * | 1993-03-23 | 2001-07-16 | キヤノン株式会社 | 絶縁体と導電体との接合体並びに接合方法 |
| JPH1151792A (ja) * | 1997-07-31 | 1999-02-26 | Matsushita Electric Works Ltd | センサ信号回路 |
-
1994
- 1994-10-31 EP EP94117186A patent/EP0651449B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-10-31 JP JP6266412A patent/JPH07193294A/ja active Pending
- 1994-10-31 DE DE69429848T patent/DE69429848T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-05-04 US US08/433,687 patent/US5771555A/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-01-22 US US08/787,362 patent/US5925973A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5994821A (en) * | 1996-11-29 | 1999-11-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Displacement control actuator |
| JP2010100520A (ja) * | 1998-03-24 | 2010-05-06 | Silverbrook Research Pty Ltd | ナノチューブ、及び該ナノチューブを有する電気装置 |
| CN100351938C (zh) * | 2001-11-02 | 2007-11-28 | 松下电器产业株式会社 | 压电体驱动元件及其制造方法 |
| JP2006510222A (ja) * | 2002-12-17 | 2006-03-23 | イブル・フォトニクス・インコーポレイテッド | 強誘電性単結晶膜構造物の製造方法 |
| JP4727993B2 (ja) * | 2002-12-17 | 2011-07-20 | イブル・フォトニクス・インコーポレイテッド | 強誘電性単結晶膜構造物の製造方法 |
| JP2005129825A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-19 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化合物半導体基板の製造方法 |
| JP2007089117A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-04-05 | Seiko Instruments Inc | 圧電振動子、発振器、電子部品、電子機器、圧電振動子の製造方法及び電子部品の製造方法 |
| JP2011087079A (ja) * | 2009-10-14 | 2011-04-28 | Ngk Insulators Ltd | 弾性表面波素子 |
| JP2011193291A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Seiko Instruments Inc | パッケージ、およびパッケージ製造方法 |
| JP2012165132A (ja) * | 2011-02-04 | 2012-08-30 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイスの製造方法 |
| US9148107B2 (en) | 2011-02-04 | 2015-09-29 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Method for manufacturing acoustic wave device |
| WO2022176689A1 (ja) * | 2021-02-19 | 2022-08-25 | 信越化学工業株式会社 | 複合ウェーハおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0651449B1 (en) | 2002-02-13 |
| EP0651449A3 (en) | 1997-05-07 |
| EP0651449A2 (en) | 1995-05-03 |
| DE69429848T2 (de) | 2002-09-26 |
| DE69429848D1 (de) | 2002-03-21 |
| US5771555A (en) | 1998-06-30 |
| US5925973A (en) | 1999-07-20 |
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