JP2011193291A - パッケージ、およびパッケージ製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】キャビティ内の真空状態を確実に維持しつつ、強度の低下を抑制できる信頼性の高いパッケージ、およびパッケージ製造方法を提供する。
【解決手段】互いに接合材３５を介して陽極接合されるベース基板２、およびリッド基板３と、これらベース基板２とリッド基板３との間に形成されるキャビティＣとを有し、このキャビティＣ内に圧電振動片４を封入可能なパッケージ９において、ベース基板２の接合面２ａに、短側面２ｂに開口部を有する電極用凹部２２を形成すると共に、電極用凹部２２に取り出し電極２４を形成し、取り出し電極２４の外表面２４ａに絶縁部２６が形成されている。
【選択図】図３

Description

この発明は、２つのガラス基板の間に電子部品を封入するパッケージ、およびパッケージ製造方法に関するものである。

この種のパッケージとしては、例えば、電子部品として水晶等からなる圧電振動片を用い、携帯電話や携帯情報端末機器の時刻源や制御信号等のタイミング源、およびリファレンス信号源等として利用される圧電振動子が知られている。この圧電振動子は、ガラス基板であるベース基板とリッド基板とが直接接合されることにより形成される２層構造の表面実装型であって、両基板の間に形成されたキャビティ（密閉室）内に圧電振動片が収容されている。キャビティは、電子部品（水晶等）の高精度化のために真空状態に維持される。

ここで、２層構造の圧電振動子のパッケージは、ベース基板に貫通孔を形成し、この貫通孔に銀ペーストなどの導電部材を充填して焼成することで貫通電極を形成している場合が多い。貫通電極を形成することによって、水晶振動子と、ベース基板の外側に設けられた外部電極とが電気的に接続される（例えば、特許文献１参照）。

特開２００２−１２４８４５号公報

しかしながら、上述の従来技術にあっては、貫通電極が形成されている部分からのガスの流入等により、キャビティ内の真空状態を維持するのが困難であり、電子部品が経年劣化する虞があるという課題がある。
また、ベース基板に貫通孔を形成するので、パッケージの強度が低下するという課題がある。
ここで、ガラスに代えてセラミックスや樹脂等により各基板を形成することも考えられるが、セラミックスを用いる場合、製造コストが増大すると共に小型化が困難である一方、樹脂を用いる場合、樹脂から発生するガスが圧電振動子の精度に影響を及ぼす虞がある。

そこで、この発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、キャビティ内の真空状態を確実に維持しつつ、強度の低下を抑制できる信頼性の高いパッケージ、およびパッケージ製造方法を提供するものである。

上記の課題を解決するために、本発明に係るパッケージは、互いに接合材を介して陽極接合される第１ガラス基板、および第２ガラス基板と、これら第１ガラス基板と第２ガラス基板との間に形成されるキャビティとを有し、このキャビティ内に電子部品を封入可能なパッケージにおいて、前記第１ガラス基板、および前記第２ガラス基板の何れか一方の接合面に、外側面側に開口部を有する電極用凹部を複数形成すると共に、これら電極用凹部に取り出し電極を形成し、これら取り出し電極の他方の接合面側に面した外表面のうち、少なくとも前記接合材に対応する箇所に、絶縁部が形成されていることを特徴とする。

このように構成することで、第１ガラス基板、および第２ガラス基板の全周を陽極接合により接合することができるので、キャビティ内へのガスの流入を確実に防止できる。このため、電子部品の経年劣化を防止できる。
また、第１ガラス基板、および第２ガラス基板に、従来のように貫通孔を形成することなく、キャビティ内の電子部品とパッケージの外側の外部電極とを取り出し電極によって電気的に接続することができる。このため、パッケージの強度の低下を防止できる。
さらに、パッケージをウエハ状態から形成することが可能になるので、製造コストを低減することができる。

本発明に係るパッケージは、前記取り出し電極の前記外表面のうち、少なくとも前記接合材に対応する面と、前記一方の接合面のうち、少なくとも前記接合材に対応する面とが同一平面上に形成されていることを特徴とする。

このように構成することで、第１ガラス基板と第２ガラス基板との接合不良を確実に防止することができる。このため、キャビティ内の真空状態を確実に維持することが可能になり、信頼性の高いパッケージを提供できる。

本発明に係るパッケージは、前記取り出し電極の前記外表面、および前記一方の接合面の全体に、前記絶縁部が形成されていることを特徴とする。

このように構成することで、接合面に例えば絶縁部形成用のレジスト等を施す必要がなく、容易に接合面に絶縁部を形成することができる。

本発明に係るパッケージは、前記絶縁部に、前記電子部品と前記取り出し電極とを電気的に接続するための窓部を形成し、この窓部に金属バンプを設けたことを特徴とする。

このように構成することで、電子部品と取り出し電極とを容易に電気的に接続することができる。このため、構造の簡素化を図ることができ、より安価なパッケージを提供することが可能になる。

本発明に係るパッケージは、複数の前記電極用凹部の前記開口部は、同一平面上に形成されていることを特徴とする。

このように、引出電極がパッケージの同一平面上に引き出されることにより、引出電極に電気的に接続される外部電極の引き回しを簡素化できる。

本発明に係るパッケージは、前記第１ガラス基板、および前記第２ガラス基板の何れか一方には、前記開口部から前記一方の接合面とは反対側の面に至る間に側面電極が設けられ、前記反対側の面に、前記側面電極に接続される外部電極が設けられていることを特徴とする。

このように構成することで、前記第１ガラス基板、および前記第２ガラス基板の接合面とは反対側の面（底面）に引出電極を引き回すことができる。このため、パッケージのレイアウト性を高めることが可能になる。

本発明に係るパッケージは、前記電子部品は、圧電振動片であることを特徴とする。

このように構成することで、キャビティ内の真空状態を確実に維持しつつ、強度の低下を抑制できる信頼性の高い圧電振動子を提供することが可能になる。

本発明に係るパッケージ製造方法は、互いに接合材を介して接合された第１ガラス基板と第２ガラス基板との間に、電子部品を封入したパッケージを製造するためのパッケージ製造方法において、前記第１ガラス基板、および前記第２ガラス基板の何れか一方の接合面に、外側面側が開口された電極用凹部を複数形成する凹部形成工程と、前記電極用凹部に取り出し電極を形成する電極形成工程と、前記取り出し電極の他方の接合面側に面した外表面の少なくとも前記接合材に対応する箇所に、絶縁部を形成する絶縁部形成工程と、前記絶縁部、および前記他方の接合面の何れか一方に、前記接合材を形成する接合材形成工程と、この接合材形成工程の後、前記第１ガラス基板と前記第２ガラス基板とを陽極接合する接合工程とを有することを特徴とする。

このように構成することで、キャビティ内の真空状態を確実に維持しつつ、強度の低下を抑制できる信頼性の高いパッケージを製造することが可能になる。

本発明に係るパッケージ製造方法は、前記第１ガラス基板が複数含まれる第１基板用ウエハ、および前記第２ガラス基板が複数含まれる第２基板用ウエハの何れか一方に、前記凹部形成工程、前記電極形成工程、前記絶縁部形成工程を行い、前記第１基板用ウエハ、および前記第２基板用ウエハの何れか一方に、前記接合材形成工程を行い、これら前記凹部形成工程、前記電極形成工程、前記絶縁部形成工程、および前記接合材形成工程を経た後、前記第１基板用ウエハと前記第２基板用ウエハとを前記接合工程により接合し、この接合工程の後、前記パッケージの形成領域毎に個片化することにより複数の前記パッケージを形成することを特徴とする。

このように構成することで、複数のパッケージを纏めて製造することができるので、パッケージの製造コストをより低減することが可能になる。

本発明に係るパッケージ製造方法は、前記第１基板用ウエハ、および前記第２基板用ウエハの何れか一方における前記パッケージの外側面に対応する位置であって、かつ前記電極用凹部に対応する位置に、スルーホールを形成するスルーホール形成工程と、前記スルーホール内に、側面電極を形成する側面電極形成工程とを有することを特徴とする。

このように構成することで、容易、かつ確実に側面電極を形成することができる。このため、製造コストの低減化を図りつつ、信頼性の高いパッケージを提供することができると共に、パッケージのレイアウト性、バリエーションを増大させることができる。

本発明によれば、第１ガラス基板、および第２ガラス基板の全周を陽極接合により接合することができるので、キャビティ内へのガスの流入を確実に防止できる。このため、電子部品の経年劣化を防止できる。
また、第１ガラス基板、および第２ガラス基板に、従来のように貫通孔を形成することなく、キャビティ内の電子部品とパッケージの外側の外部電極とを取り出し電極によって電気的に接続することができる。このため、パッケージの強度の低下を防止できる。

さらに、パッケージをウエハ状態から形成することが可能になるので、製造コストを低減することができる。
そして、第１ガラス基板と第２ガラス基板との接合不良を確実に防止することができる。このため、キャビティ内の真空状態を確実に維持することが可能になり、信頼性の高いパッケージを提供できる。

本発明の第一実施形態における圧電振動子の外観斜視図である。 本発明の第一実施形態における圧電振動子のリッド基板を取り外した状態の平面図である。 図２のＡ−Ａ線に沿う縦断面図である。 本発明の第一実施形態におけるウエハ接合体の分解斜視図である。 本発明の第一実施形態におけるベース基板用ウエハの製造方法を示すフローチャートである。 本発明の第一実施形態におけるベース基板用ウエハの製造方法を示す概略説明図である。 本発明の第一実施形態におけるベース基板用ウエハの製造方法を示す概略説明図である。 本発明の第一実施形態におけるベース基板用ウエハの製造方法を示す概略説明図である。 本発明の第一実施形態におけるベース基板用ウエハの製造方法を示す概略説明図である。 本発明の第一実施形態におけるベース基板用ウエハの製造方法を示す概略説明図である。 本発明の第一実施形態におけるベース基板用ウエハの製造方法を示す概略説明図である。 本発明の第一実施形態における切断手順を示し、（ａ）および（ｂ）はウエハ接合体の縦断面図である。 本発明の第一実施形態の変形例におけるベース基板用ウエハの製造方法を示す概略説明図である。 本発明の第一実施形態の変形例におけるベース基板用ウエハの製造方法を示す概略説明図である。 本発明の第一実施形態の変形例におけるベース基板用ウエハの製造方法を示す概略説明図である。 本発明の第二実施形態における圧電振動子の縦断面図である。 本発明の第三実施形態における圧電振動子の縦断面図である。 本発明の第四実施形態における圧電振動子の外観斜視図である。 本発明の第四実施形態におけるウエハ接合体の縦断面図である。 本発明の第四実施形態におけるウエハ接合体の縦断面図である。 本発明の第四実施形態におけるウエハ接合体の縦断面図である。 他の実施形態におけるベース基板の平面図である。 他の実施形態における圧電振動子のリッド基板を取り外した状態の平面図である。

（第一実施形態）
（圧電振動子）
次に、この発明の第一実施形態を図１〜図６Ｆに基づいて説明する。
図１は、第一実施形態における圧電振動子１の外観斜視図、図２は、圧電振動子１のリッド基板３を取り外した状態の平面図、図３は、図２のＡ−Ａ線に沿う縦断面図である。
なお、図１では、図面を見易くするために圧電振動子１を構成する後述の圧電振動片４を簡略して記載している。また、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。

図１〜図３に示すように、圧電振動子１は、ベース基板２、およびリッド基板３が接合材３５を介して陽極接合されたパッケージ９と、パッケージ９のキャビティＣに収納された電子部品である圧電振動片４とを備えた表面実装型のものである。圧電振動片４は、水晶やタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムなどの圧電材料から形成された音叉型の振動片であって、所定の電圧が印加されたときに振動する。

この圧電振動片４は、略平行に配置された一対の振動腕部１０，１１と、この一対の振動腕部１０，１１の基端側を一体的に固定する基部１２と、一対の振動腕部１０，１１の両主面上に形成された溝部１８とを備えている。
溝部１８は、該振動腕部１０，１１の長手方向に沿って振動腕部１０，１１の基端側から略中間付近に至る間に形成されている。

また、圧電振動片４は、一対の振動腕部１０，１１の外表面上に形成された励振電極１５を有している。この励振電極１５は、振動腕部１０，１１をそれぞれ振動させる一対の第１励振電極１３、および第２励振電極１４から成る。これら第１励振電極１３、および第２励振電極１４は、基部１２の両主面上に形成されているマウント電極１６，１７に、それぞれ引き出し電極１９，２０を介して接続されている。
励振電極１５、マウント電極１６，１７、および引き出し電極１９，２０は、例えば、クロム（Ｃｒ）やニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）などの導電性材料の被膜により形成されている。

励振電極１５は、一対の振動腕部１０，１１を互いに接近、または離間する方向に所定の共振周波数で振動させる電極である。励振電極１５を構成する第１励振電極１３、および第２励振電極１４は、一対の振動腕部１０，１１の外表面に、それぞれ電気的に切り離された状態でパターニングされて形成されている。

具体的には、一方の振動腕部１０の溝部１８上と、他方の振動腕部１１の両側面上とに、第１励振電極１３が主に形成されている。また、一方の振動腕部１０の両側面上と、他方の振動腕部１１の溝部１８上とに、第２励振電極１４が主に形成されている。
さらに、一対の振動腕部１０，１１の先端には、自身の振動状態を所定の周波数の範囲内で振動するように調整（周波数調整）を行うための重り金属膜２１が被膜されている。この重り金属膜２１は、周波数を粗く調整する際に使用される粗調膜２１ａと、微小に調整する際に使用される微調膜２１ｂとに分かれている。

リッド基板３は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる陽極接合可能な基板である。リッド基板３は、平面視略長方形状であって、かつ板状に形成されている。リッド基板３には、ベース基板２との接合面３ａ側（図１、図３における下面側）に、圧電振動片４を収容するキャビティＣ用の凹部３ｂが形成されている。この凹部３ｂにより、リッド基板３の接合面３ａは、平面視略額縁状に形成された状態になる。この額縁状の接合面３ａが接合材３５を介してベース基板２に陽極接合されている。

接合材３５は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の成膜方法によって形成されたアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜である。しかしながら、これに限られるものではなく、アモルファスシリコンに代わって、ポリシリコン（多結晶珪素）、炭化珪素（ＳｉＣ）、モリブデン（Ｍｏ）、インバー（Ｉｎｖａｒ）、コバール（Ｋｏｖａｒ）、４２アロイ（４２Ａｌｌｏｙ）等により接合材３５を形成してもよい。また、ドーピング等により低抵抗化したＳｉバルク材を使用することも可能である。

ベース基板２は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる基板である。ベース基板２は、リッド基板３と同等の外形となるように平面視略長方形状であって、かつ略板状に形成されている。ベース基板２の接合面２ａには、一対の電極用凹部２２，２３が形成されている。これら電極用凹部２２，２３は、圧電振動片４のマウント電極１６，１７に対応する位置からベース基板２の一方の短側面（外側面）２ｂに至るまで形成されており、短側面２ｂ側にそれぞれ開口部２２ａ，２３ａが形成されている。

各電極用凹部２２，２３には、それぞれ取り出し電極２４，２５が形成されている。この取り出し電極２４，２５は、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、ステンレス、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）等の導電性を有する金属材料からなる電極であって、電極用凹部２２，２３の深さＨ１に応じ、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の成膜方法やメッキ法等の塗装処理によって形成されている。

すなわち、電極用凹部２２，２３の深さＨ１が浅く設定されている場合（例えば、１μｍ以内に設定されている場合）には、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の成膜方法によりＣｒ、Ａｕ等からなる取り出し電極２４，２５を形成する。
一方、電極用凹部２２，２３の深さが深く設定されている場合（例えば、１μｍよりも深く設定されている場合）には、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等により成膜した後、Ｎｉ、Ａｇなどによりメッキ法等の塗装処理を行い、取り出し電極２４，２５を形成する。電極用凹部２２，２３の深さＨ１が深く設定されている場合、メッキ法等の塗装処理により取り出し電極２４，２５を形成することで、成膜方法により厚い膜を形成するよりも取り出し電極２４，２５の形成時間を短縮することが可能になる。

また、各取り出し電極２４，２５は、このリッド基板３側の外表面２４ａ，２５ａがベース基板２の接合面２ａと面一（同一平面）となるように形成されている。面一となるように形成する方法としては、例えば、予め各取り出し電極２４，２５をベース基板２の接合面２ａよりも盛り上がるように形成しておき、エッチングや研磨等を施す方法がある。
なお、面一とは、ベース基板２の接合面２ａと各取り出し電極２４，２５の外表面２４ａ，２５ａとの段差が約１０ｎｍ未満であることが望ましい。

さらに、ベース基板２の接合面２ａ、および各取り出し電極２４，２５の外表面２４ａ，２５ａには、全体に亘って絶縁部２６が形成されている。絶縁部２６は、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜（ＳｉＯ₂）やスパッタ法によるＳｉＯ₂膜である。
各取り出し電極２４，２５の外表面２４ａ，２５ａ上に形成されている絶縁部２６には、一部に窓部２７，２８が形成されており、これら窓部２７，２８を介して各取り出し電極２４，２５が露出した状態になっている。

各窓部２７，２８から露出している各取り出し電極２４，２５上には、金等の金属バンプ３２，３３が形成され、これら金属バンプ３２，３３と圧電振動片４のマウント電極１６，１７とが接続固定されている。すなわち、圧電振動片４は、各金属バンプ３２，３３によって、ベース基板２上の絶縁部２６から振動腕部１０，１１を浮かせた状態で接合されている。
ここで、ベース基板２に形成されている各電極用凹部２２，２３は、ベース基板２の一方の短側面（外側面）２ｂ側にそれぞれ開口部２２ａ，２３ａを有しているので、各電極用凹部２２，２３の短側面２ｂ側も露出した状態になっている。これら電極用凹部２２，２３の短側面２ｂ側に露出した部位には、不図示の外部電極が電気的に接続されている。

このような構成のもと、圧電振動子１を作動させる場合、ベース基板２の一方の短側面２ｂに露出している各取り出し電極２４，２５に不図示の外部電極を介して所定の駆動電圧を印加する。すると、各取り出し電極２４，２５を介して圧電振動片４の第１励振電極１３、および第２励振電極１４に通電される。

これにより、圧電振動片４の第１励振電極１３、および第２励振電極１４からなる励振電極１５に電流を流すことができ、一対の振動腕部１０，１１を接近・離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部１０，１１の振動を利用して、時刻源、制御信号のタイミング源やリファレンス信号源などとして利用することができる。

（圧電振動子の製造方法）
次に、図４〜図７に基づいて、圧電振動子１の製造方法について説明する。
図４は、圧電振動片４をキャビティＣ内に収容した状態で、ベース基板用ウエハ４０とリッド基板用ウエハ５０とが陽極接合されたウエハ接合体６０の分解斜視図である。
ここで、同図に示すように、圧電振動子１を製造するにあたって、まず、後にベース基板２となるベース基板用ウエハ４０と、後にリッド基板３となるリッド基板用ウエハ５０とを、これらの間に複数の圧電振動片４を封止するように陽極接合する。そして、この後ベース基板用ウエハ４０、およびリッド基板用ウエハ５０をパッケージ９の形成領域毎に切断して個片化する。これにより、複数の圧電振動子１が同時に製造される。なお、図４に示す破線Ｍは、切断線を示す。

リッド基板用ウエハ５０の製造手順は、まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のリッド基板用ウエハ５０を形成する。次いで、リッド基板用ウエハ５０の接合面（内側端面）５０ａ（図４における下面）に、エッチング等により行列方向にキャビティＣ用の凹部５０ｂを複数形成する。
次に、ベース基板用ウエハ４０との間の気密性を確保するために、ベース基板用ウエハ４０の接合面５０ａ側を少なくとも研磨し、接合面５０ａを鏡面加工する。これにより、リッド基板用ウエハ５０の製造が完了する。

図５は、ベース基板用ウエハ４０の製造方法を示すフローチャート、図６Ａ〜図６Ｆは、ベース基板用ウエハ４０の製造方法を示す概略説明図である。
ここで、ベース基板用ウエハ４０の各ベース基板２に対応する部位は、それぞれ同様の加工を施すので、説明を分かり易くするために、図６Ａ〜図６Ｆにおいて、ベース基板用ウエハ４０を個片化したうちの１つのベース基板２を示して説明する。

図４、図５、図６Ａ〜図６Ｆに示すように、ベース基板用ウエハ４０を製造するにあたって、まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のベース基板用ウエハ４０を形成する（図５におけるＳＴ１）。
次いで、例えばエッチング、またはホットプレス等により、ベース基板用ウエハ４０に複数の電極用凹部２２，２３を形成する（凹部形成工程、図５におけるＳＴ２、図６Ａ参照）。

続いて、電極用凹部２２，２３に取り出し電極２４，２５を形成する（電極形成工程、図５におけるＳＴ３、図６Ｂ参照）。このとき、電極用凹部２２，２３の深さＨ１が浅く設定されている場合、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の成膜方法により取り出し電極２４，２５を形成するので、ベース基板用ウエハ４０の接合面４０ａのうち、電極用凹部２２，２３を避けた部位に例えばレジスト等を施す。

これにより、電極用凹部２２，２３だけに取り出し電極２４，２５を形成することが可能になる。ベース基板用ウエハ４０の接合面４０ａにレジストを施した場合、電極用凹部２２，２３を形成した後、レジストを除去する。ここで、取り出し電極２４，２５の形成にあたって、レジスト等を施さずに、成膜装置（不図示）によって取り出し電極２４，２５の形成位置を制御してもよい。
なお、電極用凹部２２，２３の深さＨ１が深く設定されている場合、メッキ法等の塗装処理によって取り出し電極２４，２５を形成するが、この形成方法の詳細は後述する。

次に、ベース基板用ウエハ４０の接合面４０ａに絶縁部２６を形成する（絶縁部形成工程、図５におけるＳＴ４、図６Ｃ参照）。
続いて、絶縁部２６の上に接合材３５を形成する（接合材形成工程、図５におけるＳＴ５、図６Ｃ参照）。このとき、接合材３５は、ベース基板用ウエハ４０におけるキャビティＣの形成領域以外の領域、すなわちリッド基板用ウエハ５０の接合面５０ａとの接合領域の全域に亘って形成する。なお、ベース基板用ウエハ４０に代わってリッド基板用ウエハ５０の接合面５０ａに接合材３５を形成してもよい。

次に、ベース基板用ウエハ４０に形成された絶縁部２６の取り出し電極２４，２５上に窓部２７，２８を形成する（図５におけるＳＴ６、図６Ｄ参照）。窓部２７，２８は、絶縁部２６にエッチングを施すことにより形成される。窓部２７，２８を形成すると、これら窓部２７，２８を介して取り出し電極２４，２５が露出する。これにより、ベース基板用ウエハ４０の製造が完了する。

続いて、ベース基板用ウエハ４０の窓部２７，２８に金等の金属バンプ３２，３３を形成し、この上から圧電振動片４をマウントする（図５におけるＳＴ７、図６Ｅ参照）。なお、図６Ｅにおいては、圧電振動片４を簡略図示している（以下の図６Ｆについても同様）。
そして、この状態でベース基板用ウエハ４０とリッド基板用ウエハ５０とを重ね合わせる。具体的には、図示しない基準マーク等を指標としながら、両ウエハ４０，５０を正しい位置にアライメントする。これにより、マウントされた圧電振動片５が、リッド基板用ウエハ５０に形成された凹部５０ｂとベース基板用ウエハ４０とで囲まれるキャビティＣ内に収納された状態となる。

両ウエハ４０，５０を重ね合わせた後、これらウエハ４０，５０を不図示の陽極接合装置に入れ、不図示の保持機構によりウエハ４０，５０の外周部分をクランプする。この状態で、所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して陽極接合する接合工程を行う（接合工程、図５におけるＳＴ８、図６Ｆ参照）。
具体的には、接合材３５とリッド基板用ウエハ５０との間に、所定の電圧を印加する。すると、接合材３５とリッド基板用ウエハ５０との界面に電気化学的な反応が生じ、両者がそれぞれ強固に密着して陽極接合される。

図７（ａ）、図７（ｂ）は、ウエハ接合体６０の縦断面図である。
図７（ａ）に示すように、両ウエハ４０，５０を陽極接合することにより、圧電振動片４をキャビティＣ内に封止することができる。そして、ベース基板用ウエハ４０とリッド基板用ウエハ５０とが接合したウエハ接合体６０を得ることができる。

図７（ｂ）に示すように、ウエハ接合体６０を形成した後、切断線Ｍに沿って切断し、個片化する。具体的には、まずウエハ接合体６０のベース基板用ウエハ４０の表面にＵＶテープ（不図示）を貼り付ける。次に、リッド基板用ウエハ５０側から切断線Ｍに沿ってレーザを照射する（スクライブ）。

続いて、ＵＶテープの表面から切断線Ｍに沿って切断刃を押し当て、ウエハ接合体６０を割断する（ブレーキング）。その後、ＵＶを照射してＵＶテープを剥離する。これにより、ウエハ接合体６０を複数の圧電振動子１に個片化することができる。なお、これ以外のダイシング等の方法によりウエハ接合体６０を切断してもよい。

したがって、上述の第一実施形態によれば、従来のように貫通電極を形成することなく、パッケージ９に封止された圧電振動片４とパッケージ９外の外部電極（不図示）とを電気的に接続し、ベース基板用ウエハ４０（ベース基板２）とリッド基板用ウエハ５０（リッド基板３）とを陽極接合できる。このため、キャビティＣ内へのガスの流入を確実に防止でき、圧電振動片４の経年劣化を防止できる。
また、両ウエハ４０，５０同士を陽極接合することで、接着剤等で両ウエハ４０，５０を接合した場合に比べて、経年劣化や衝撃等によるずれや、ウエハ接合体６０の反り等を防ぎ、両ウエハ４０，５０をより強固に接合することができる。

さらに、ベース基板２に貫通電極用の貫通孔を形成することなく、電極用凹部２２，２３を形成するので、貫通孔を形成する場合と比較してパッケージ９の強度を高めることができる。しかも、取り出し電極２４，２５をベース基板２の表面に形成しつつ、取り出し電極２４，２５と接合材３５との間に絶縁部２６を介在させている。このため、パッケージ９の強度を高めつつ、陽極接合を行うことができると共に、取り出し電極２４，２５と接合材３５との短絡を確実に阻止できる。

そして、圧電振動子１を両ウエハ４０，５０から形成するので、一度に複数の圧電振動子１を製造することができ、製造コストを低減できる。
また、各取り出し電極２４，２５の外表面２４ａ，２５ａがベース基板２の接合面２ａと面一（同一平面）となるように形成されているので、両ウエハ４０，５０（両基板２，３）の陽極接合不良を確実に防止することができる。このため、キャビティＣ内の真空状態を確実に維持することが可能になり、信頼性の高い圧電振動子１を提供できる。

さらに、ベース基板用ウエハ４０の接合面４０ａ上の全体に亘って、つまり、ベース基板２の接合面２ａの全体に亘って絶縁部２６が形成されている。このため、例えば接合面４０ａ上に絶縁部２６を形成するためのレジストを施す必要がなく、容易に絶縁部２６を形成することが可能になる。

そして、絶縁部２６の取り出し電極２４，２５に対応する部位に、それぞれ窓部２７，２８を形成し、この窓部２７，２８を利用して金属バンプ３２，３３を介して取り出し電極２４，２５と圧電振動片４のマウント電極１６，１７とを電気的に接続している。このため、圧電振動子１の構造の簡素化を図ることができる。

また、ベース基板２に形成されている一対の電極用凹部２２，２３は、それぞれ同一平面であるベース基板２の短側面２ｂ側に開口部２２ａ，２３ａを有しており、この開口部２２ａ，２３ａを介して各取り出し電極２４，２５が外部に露出するようになっている。このため、これら取り出し電極２４，２５に接続される外部電極（不図示）の引き回しを簡素化できる。

なお、上述の第一実施形態では、ベース基板用ウエハ４０の製造方法において、絶縁部２６の上に接合材３５を形成し（図５におけるＳＴ５）、その後、ベース基板用ウエハ４０に形成された絶縁部２６の取り出し電極２４，２５上に窓部２７，２８を形成する（図５におけるＳＴ６）場合について説明した。しかしながら、これに限られるものではなく、ベース基板用ウエハ４０に形成された絶縁部２６の取り出し電極２４，２５上に窓部２７，２８を形成した後、絶縁部２６の上に接合材３５を形成してもよい。

また、上述の第一実施形態では、ベース基板用ウエハ４０の接合面４０ａに絶縁部２６を形成し、この絶縁部２６の上に接合材３５を形成した場合について説明した。しかしながら、これに限られるものではなく、リッド基板用ウエハ５０の接合面５０ａに接合材３５を形成してもよい。さらに、リッド基板用ウエハ５０の接合面５０ａに接合材３５を形成した場合、この接合材３５の上に絶縁部２６を形成してもよい。

（第一実施形態の変形例）
なお、上述の第一実施形態における圧電振動子１の製造方法では、ベース基板２に形成されている電極用凹部２２，２３の深さＨ１が浅く設定されている場合について、つまり、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の成膜方法により取り出し電極２４，２５を形成した場合について説明した。
ここで、図８Ａ〜図８Ｃに基づいて、電極用凹部２２，２３の深さＨ１が深く設定され、メッキ法により取り出し電極２４，２５を形成する場合について説明する。図８Ａ〜図８Ｃは、第一実施形態の変形例におけるベース基板用ウエハ４０の製造方法を示す概略説明図である。

図８Ａに示すように、ベース基板用ウエハ４０に形成される電極用凹部２２，２３の深さＨ１が深く設定されている場合、各電極用凹部２２，２３を連結するように溝４１を形成する（凹部形成工程）。これら電極用凹部２２，２３、および溝４１は、例えばエッチング、またはホットプレス等により形成される。
続いて、図８Ｂに示すように、各電極用凹部２２，２３、および溝４１に、メッキを施して取り出し電極２４，２５を形成すると共に、溝４１に連結電極４２を形成する（電極形成工程）。

次に、上述の第一実施形態のように、絶縁部形成工程、接合材形成工程、および接合工程を経てベース基板用ウエハ４０とリッド基板用ウエハ５０とを陽極接合し、ウエハ接合体６０を得る。
その後、図８Ｃに示すように、所望の大きさの圧電振動子１（パッケージ９）を得るように、切断線Ｍに沿ってスクライブ、およびブレーキングを行い、ウエハ接合体６０を複数の圧電振動子１に個片化する。すると、連結電極４２が除去されると共に、パッケージ９の外部、つまり、ベース基板２の短側面２ｂから各取り出し電極２４，２５が露出した状態になる。

これによれば、電極用凹部２２，２３の深さＨ１が深く設定されている場合であっても圧電振動子１の製造時間を短縮化することができ、生産効率を向上させることができると共に、製造コストを低減できる。
また、電極用凹部２２，２３の深さＨ１を深く設定する分、各取り出し電極２４，２５の肉厚化を図ることができる。これによって、抵抗を小さくできる分、各取り出し電極２４，２５による電圧降下を抑制することが可能になり、高性能な圧電振動子１を提供することが可能になる。

（第二実施形態）
次に、この発明の第二実施形態を図９に基づいて説明する。
図９は、第二実施形態における圧電振動子１０１の縦断面図である。なお、第一実施形態と同一態様には、同一符号を付して説明を省略する（以下の実施形態についても同様）。
この第二実施形態において、圧電振動子１０１は、ベース基板２、およびリッド基板３が接合材３５を介して陽極接合されたパッケージ１０９と、パッケージ１０９のキャビティＣに収納された圧電振動片４とを備えた表面実装型のものである点、リッド基板３は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる陽極接合可能な基板であって、ベース基板２との接合面３ａ側に、圧電振動片４を収容するキャビティＣ用の凹部３ｂが形成されている点、ベース基板２は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる基板であって、接合面２ａに一対の電極用凹部２２，２３が形成されている点、これら電極用凹部２２，２３は、圧電振動片４のマウント電極１６，１７に対応する位置からベース基板２の一方の短側面（外側面）２ｂに至るまで形成されており、短側面２ｂ側にそれぞれ開口部２２ａ，２３ａが形成されている点等の基本的構成は、前述した第一実施形態と同様である（以下の実施形態についても同様）。

ここで、図９に示すように、第二実施形態の圧電振動子１０１（パッケージ１０９）と第一実施形態の圧電振動子１（パッケージ９）との相違点は、第一実施形態のパッケージ９には、ベース基板２の接合面２ａ全体に亘って絶縁部２６が形成されているのに対し、第二実施形態のパッケージ１０９には、ベース基板２の電極用凹部２２，２３に形成されている取り出し電極２４，２５の外表面２４ａ，２５ａ上にのみ絶縁部２６が形成されている点にある。

すなわち、ベース基板２の電極用凹部２２，２３に形成されている取り出し電極２４，２５は、この厚さＨ２が電極用凹部２２，２３の深さＨ１よりも小さくなるように設定されている。より具体的には、取り出し電極２４，２５の厚さＨ２は、電極用凹部２２，２３の深さＨ１の約半分程度となるように設定されている。そして、取り出し電極２４，２５の外表面２４ａ，２５ａ上に絶縁部２６を形成し、この絶縁部２６の表面とベース基板２の接合面２ａとが面一になっている。

絶縁部２６の形成方法としては、ベース基板２の電極用凹部２２，２３を避けた接合面２ａ全体にレジストを施し、取り出し電極２４，２５上にのみ絶縁部２６が形成されるようにする。また、レジストを施さずに、成膜装置（不図示）によって絶縁部２６の形成位置を制御してもよい。

したがって、上述の第二実施形態によれば、前述の第一実施形態と同様の効果に加え、無駄に絶縁部２６を形成することがなく、材料コストの低減化を図ることが可能になる。

（第三実施形態）
次に、この発明の第三実施形態を図１０に基づいて説明する。
図１０は、第三実施形態における圧電振動子２０１の縦断面図である。
同図に示すように、この第三実施形態の圧電振動子２０１（パッケージ２０９）と第二実施形態の圧電振動子１０１（パッケージ１０９）との相違点は、第二実施形態のパッケージ１０９の絶縁部２６がベース基板２の取り出し電極２４，２５上にのみ形成されているのに対し、第三実施形態のパッケージ２０９の絶縁部２６が取り出し電極２４，２５上であって、かつ接合材３５に対応する位置にのみ形成されている点にある。

すなわち、第三実施形態のベース基板２に形成されている取り出し電極２４，２５は、接合材３５に対応する部位のみ絶縁部２６に被覆され、この絶縁部２６に被覆された部位を除いた外表面２４ａ，２５ａは、露出した状態になっている。このため、絶縁部２６には、圧電振動片４のマウント電極１６，１７と取り出し電極２４，２５とを電気的に接続するための窓部２７，２８が形成されていない。そして、取り出し電極２４，２５の露出した部位と圧電振動片４のマウント電極１６，１７とが金属バンプ３２，３３を介して電気的に接続されている。

したがって、上述の第三実施形態によれば、前述の第二実施形態と同様の効果に加え、さらに材料コストを低減することができる。このため、安価で高性能な圧電振動子２０１を提供することが可能になる。

（第四実施形態）
次に、この発明の第四実施形態を図１１〜図１２Ｃに基づいて説明する。
図１１は、第四実施形態における圧電振動子３０１の外観斜視図である。
同図に示すように、この第四実施形態の圧電振動子３０１と第一実施形態の圧電振動子１との相違点は、第一実施形態の圧電振動子１のベース基板２には、短側面２ｂに取り出し電極２４，２５が露出しているだけなのに対し、第四実施形態の圧電振動子３０１のベース基板３０２には、短側面３０２ｂに取り出し電極２４，２５に接続された一対の側面電極７１，７２が設けられている点にある。

一対の側面電極７１，７２は、導電性樹脂や金属膜等により形成されたものであって、ベース基板３０２の短側面２ｂに露出している一対の取り出し電極２４，２５に対応する位置に、ベース基板３０２の厚さ方向全体に亘って形成されている。すなわち、各側面電極７１，７２は、ベース基板３０２の短側面２ｂに形成されている電極用凹部２２，２３の開口部２２ａ，２３ａからベース基板３０２の接合面３０２ａとは反対側の底面３０２ｃに至る間に形成されている。

また、ベース基板３０２の底面３０２ｃには、一対の側面電極７１，７２に接続される一対の外部電極７３，７４が設けられている。これにより、ベース基板３０２には、接合面３０２側から短側面３０２ｂを経て底面３０２ｃに配索された電極２４，２５，７１，７２，７３，７４が形成される。
このような構成のもと、例えば、携帯電話機器や腕時計等の電子機器の基板上に圧電振動子３０１を実装する場合、電子機器の基板上に圧電振動子３０１を実装することにより、基板上に形成されている配線パターンと圧電振動子３０１におけるベース基板３０２の底面３０２ｃとを接触させることができる。このため、圧電振動子３０１の実装が容易になる。

（圧電振動子の製造方法）
次に、図１２Ａ〜図１２Ｃに基づいて、第四実施形態における圧電振動子３０１の製造方法について説明する。
図１２Ａ〜図１２Ｃは、ウエハ接合体３６０の縦断面図である。
この第四実施形態において、圧電振動子３０１は、後にベース基板３０２となるベース基板用ウエハ３４０と、後にリッド基板３となるリッド基板用ウエハ５０とを、これらの間に複数の圧電振動片４を封止するように陽極接合し、この後ベース基板用ウエハ３４０、およびリッド基板用ウエハ５０をパッケージ３０９の形成領域毎に切断して個片化することにより同時に複数個製造される点、リッド基板用ウエハ５０の接合面５０ａ（図１２Ａ〜図１２Ｃにおける下面）に、エッチング等により行列方向にキャビティＣ用の凹部５０ｂを複数形成しておく点、ベース基板用ウエハ３４０を製造するにあたって、複数の電極用凹部２２，２３を形成する凹部形成工程、各電極用凹部２２，２３に取り出し電極２４，２５を形成する電極形成工程、ベース基板用ウエハ３４０の接合面３４０ａに絶縁部２６を形成する絶縁部形成工程を経る点、ベース基板用ウエハ４０の絶縁部２６上、またはリッド基板用ウエハ５０の接合面５０ａ上の何れか一方に、接合材３５を形成する接合材形成工程を行う点、これらの工程を行った後、ベース基板用ウエハ３４０とリッド基板用ウエハ５０とを重ね合わせ、両者を陽極接合する接合工程を行う点は、前述の前述した第一実施形態と同様である。

ここで、第四実施形態のベース基板用ウエハ３４０を製造工程は、前述の凹部形成工程、電極形成工程、絶縁部形成工程、および接合材形成工程に加え、側面電極７１，７２を形成するためのスルーホール形成工程と、側面電極形成工程とを有している。
すなわち、図１２Ａに示すように、ベース基板用ウエハ３４０には、凹部形成工程により形成された電極用凹部２２，２３に対応する位置であって、かつウエハ接合体３６０の切断線Ｍ（図４、図１２Ｃ参照）に中心Ｐが位置するように、ベース基板用ウエハ３４０の厚さ方向に貫通するスルーホール７５が形成される（スルーホール形成工程）。

続いて、図１２Ｂに示すように、各スルーホール７５に側面電極７１，７２を形成する（側面電極形成工程）。
ここで、側面電極７１，７２を導電性樹脂により形成する場合、各スルーホール７５に導電性樹脂を充填する方法や、各スルーホール７５の内周面に導電性樹脂を塗布する方法等が挙げられる。一方、側面電極７１，７２を金属膜により形成する場合、各スルーホール７５の内周面にスパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の成膜方法やメッキ法等の塗装処理を施す方法が挙げられる。

さらに、側面電極７１，７２を導電性樹脂と金属膜とを混合させて形成することも可能である。導電性樹脂と金属膜とを混合させることにより、側面電極７１，７２の信頼性を向上させることが可能になる。
側面電極形成工程を行うタイミングとしては、取り出し電極２４，２５を形成する電極形成工程の前後で行ったり、電極形成工程と同時に行ったりすることが可能である。

そして、側面電極形成工程を経た後、ベース基板用ウエハ３４０の底面３４０ｃに外部電極７３，７４を形成する。このように形成されたベース基板用ウエハ３４０とリッド基板用ウエハ５０とを陽極接合することにより、ウエハ接合体３６０を得ることができる。

図１２Ｃに示すように、ウエハ接合体３６０を形成した後、切断線Ｍに沿って切断し、個片化する。これによって、複数の圧電振動子３０１が形成される。
ここで、スルーホール７５は、ウエハ接合体３６０の切断線Ｍに中心Ｐが位置するように形成されている（図１２Ａ参照）。このため、ウエハ接合体３６０を個片化することにより、側面電極７１，７２がベース基板３０２の短側面３０２ｂに露出した状態になる。

したがって、上述の第四実施形態によれば、前述の第一実施形態と同様の効果に加え、ベース基板３０２の底面３０２ｃに電極を引き回すことができる分、パッケージ３０９のレイアウト性を高めることが可能になる。

なお、本発明は上述の実施形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述の実施形態に種々の変更を加えたものを含む。
例えば、上述の実施形態では、ベース基板２，３０２、およびリッド基板３により形成されるキャビティＣ内に圧電振動片４を封止し、圧電振動子１，１０１，２０１，３０１とした場合について説明した。しかしながら、これに限られるものではなく、一対のガラス基板（ベース基板２，３０２、およびリッド基板３）内に電子部品を封止するさまざまなパッケージに本実施形態の取り出し電極２４，２５、および側面電極７１，７２を適用することが可能である。

また、上述の実施形態では、金属バンプ３２，３３を介して取り出し電極２４，２５と圧電振動片４のマウント電極１６，１７とを接続する、所謂フリップチップボンディング法による圧電振動片４の実装方法について説明した。しかしながら、これに限られるものではなく、例えば、導電性接着剤を用いて取り出し電極２４，２５と圧電振動片４のマウント電極１６，１７とを接合してもよい。

さらに、上述の実施形態では、ベース基板２，３０２に形成されている電極用凹部２２，２３がベース基板２，３０２の一方の短側面２ｂ，３０２ｂ側に開口部２２ａ，２２ｂを有するように形成されている場合について説明した。しかしながら、これに限られるものではなく、ベース基板２，３０２の外側面に開口部２２ａ，２２ｂを有するように電極用凹部２２，２３が形成されていればよい。

より具体的には、図１３に示すように、ベース基板２（３０２）の接合面２ａ（３０２ａ）に形成されている一対の電極用凹部２２，２３’のうち、一方の電極用凹部２２は、上述の第一実施形態から第四実施形態と同様に、圧電振動片４のマウント電極１６に対応する位置から一方の短側面（外側面）２ｂ（３０２ｂ）に至るまで形成する。
これに対し、他方の電極用凹部２３’を、圧電振動片４のマウント電極１７に対応する位置から他方の短側面（外側面）２ｂ’（３０２ｂ’）に至るまで形成する。すなわち、ベース基板２（３０２）の長手方向両側面に電極が引き出された状態になる。

そして、これら電極用凹部２２，２３’には、それぞれ取り出し電極２４，２５’が形成されている。各取り出し電極２４，２５’には、圧電振動片４のマウント電極１６，１７に対応する位置に、それぞれ金属バンプ３２，３３が形成されている。これによって、各取り出し電極２４，２５’に、それぞれ金属バンプ３２，３３を介して圧電振動片４を接続することができる。

また、上述の実施形態では、圧電振動片４は、音叉型の振動片である場合について説明したが、短冊型の圧電振動片、例えば図１４に示すように、ＡＴカット型の圧電振動片４０４であってもよい。
ここで、短冊型の圧電振動片であるＡＴカット型の圧電振動片４０４について、具体的に説明する。
図１４は、圧電振動片４０４のリッド基板を取り外した状態の平面図である。
同図に示すように、圧電振動片４０４は、平面視略矩形の板状に加工された水晶板４０５と、水晶板４０５の両面に対向する位置で配置された一対の励振電極４０６，４０６と、励振電極４０６，４０６に電気的に接続された引き出し電極４０７，４０７と、引き出し電極４０７，４０７に電気的に接続されたマウント電極４０８，４０８と、を有している。そして、これらマウント電極４０８，４０８と金属バンプ３２，３３とが接続固定されている。
このような構造の圧電振動片１０４であっても、上述の実施形態を好適に用いることができる。

１，１０１，２０１，３０１ 圧電振動子
２，３０２ ベース基板（第１ガラス基板）
２ａ，３ａ，５０ａ 接合面
２ｂ３０２ｂ，２ｂ’，３０２ｂ’ 短側面（外側面）
３ リッド基板（第２ガラス基板）
４ 圧電振動片
９，１０９，２０９，３０９ パッケージ
２２，２３，２３’ 電極用凹部
２２ａ，２３ａ 開口部
２４，２５，２５’ 取り出し電極
２４ａ，２５ａ 外表面
２６ 絶縁部
２７，２８ 窓部
３２，３３ 金属バンプ
３５ 接合材
４０，３４０ ベース基板用ウエハ（第一基板用ウエハ）
５０ リッド基板用ウエハ（第二基板用ウエハ）
７１，７２ 側面電極
７３，７４ 外部電極
７５ スルーホール
Ｃ キャビティ

Claims (10)

1. 互いに接合材を介して陽極接合される第１ガラス基板、および第２ガラス基板と、
   これら第１ガラス基板と第２ガラス基板との間に形成されるキャビティとを有し、
   このキャビティ内に電子部品を封入可能なパッケージにおいて、
   前記第１ガラス基板、および前記第２ガラス基板の何れか一方の接合面に、外側面側に開口部を有する電極用凹部を複数形成すると共に、これら電極用凹部に取り出し電極を形成し、
   これら取り出し電極の他方の接合面側に面した外表面のうち、少なくとも前記接合材に対応する箇所に、絶縁部が形成されていることを特徴とするパッケージ。
2. 前記取り出し電極の前記外表面のうち、少なくとも前記接合材に対応する面と、前記一方の接合面のうち、少なくとも前記接合材に対応する面とが同一平面上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のパッケージ。
3. 前記取り出し電極の前記外表面、および前記一方の接合面の全体に、前記絶縁部が形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のパッケージ。
4. 前記絶縁部に、前記電子部品と前記取り出し電極とを電気的に接続するための窓部を形成し、この窓部に金属バンプを設けたことを特徴とする請求項１〜請求項３の何れかに記載のパッケージ。
5. 複数の前記電極用凹部の前記開口部は、同一平面上に形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項４の何れかに記載のパッケージ。
6. 前記第１ガラス基板、および前記第２ガラス基板の何れか一方には、前記開口部から前記一方の接合面とは反対側の面に至る間に側面電極が設けられ、
   前記反対側の面に、前記側面電極に接続される外部電極が設けられていることを特徴とする請求項１〜請求項５の何れかに記載のパッケージ。
7. 前記電子部品は、圧電振動片であることを特徴とする請求項１〜請求項６の何れかに記載のパッケージ。
8. 互いに接合材を介して接合された第１ガラス基板と第２ガラス基板との間に、電子部品を封入したパッケージを製造するためのパッケージ製造方法において、
   前記第１ガラス基板、および前記第２ガラス基板の何れか一方の接合面に、外側面側が開口された電極用凹部を複数形成する凹部形成工程と、
   前記電極用凹部に取り出し電極を形成する電極形成工程と、
   前記取り出し電極の他方の接合面側に面した外表面の少なくとも前記接合材に対応する箇所に、絶縁部を形成する絶縁部形成工程と、
   前記絶縁部、および前記他方の接合面の何れか一方に、前記接合材を形成する接合材形成工程と、
   この接合材形成工程の後、前記第１ガラス基板と前記第２ガラス基板とを陽極接合する接合工程とを有することを特徴とするパッケージ製造方法。
9. 前記第１ガラス基板が複数含まれる第１基板用ウエハ、および前記第２ガラス基板が複数含まれる第２基板用ウエハの何れか一方に、前記凹部形成工程、前記電極形成工程、前記絶縁部形成工程を行い、
   前記第１基板用ウエハ、および前記第２基板用ウエハの何れか一方に、前記接合材形成工程を行い、
   これら前記凹部形成工程、前記電極形成工程、前記絶縁部形成工程、および前記接合材形成工程を経た後、前記第１基板用ウエハと前記第２基板用ウエハとを前記接合工程により接合し、
   この接合工程の後、前記パッケージの形成領域毎に個片化することにより複数の前記パッケージを形成することを特徴とする請求項８に記載のパッケージ製造方法。
10. 前記第１基板用ウエハ、および前記第２基板用ウエハの何れか一方における前記パッケージの外側面に対応する位置であって、かつ前記電極用凹部に対応する位置に、スルーホールを形成するスルーホール形成工程と、
    前記スルーホール内に、側面電極を形成する側面電極形成工程とを有することを特徴とする請求項９に記載のパッケージ製造方法。

Images