JPH07154177A - 圧電デバイスの製造方法 - Google Patents
圧電デバイスの製造方法Info
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- JPH07154177A JPH07154177A JP5301410A JP30141093A JPH07154177A JP H07154177 A JPH07154177 A JP H07154177A JP 5301410 A JP5301410 A JP 5301410A JP 30141093 A JP30141093 A JP 30141093A JP H07154177 A JPH07154177 A JP H07154177A
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- Japan
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- plate
- piezoelectric
- piezoelectric plate
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 製造工程中に薄い圧電板を損傷させる危険
や、接着剤層から発生するガスによる特性劣化を軽減さ
せる。デバイスの小型化と生産性の向上を図る。 【構成】 圧電板８および基板１２の相互接合面となる
板面を鏡面研磨し、両者に短波長紫外線を酸素含有雰囲
気中で照射する。次に、圧電板８および基板１２を相互
に接合し、得られた接合体を１００℃以上の温度で熱処
理する。紫外線に曝す代わりに酸素プラズマに曝しても
よい。
や、接着剤層から発生するガスによる特性劣化を軽減さ
せる。デバイスの小型化と生産性の向上を図る。 【構成】 圧電板８および基板１２の相互接合面となる
板面を鏡面研磨し、両者に短波長紫外線を酸素含有雰囲
気中で照射する。次に、圧電板８および基板１２を相互
に接合し、得られた接合体を１００℃以上の温度で熱処
理する。紫外線に曝す代わりに酸素プラズマに曝しても
よい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、移動体通信機器や携帯
用電話機などのとくに高周波域で使用される振動子やフ
ィルタ等に適した圧電デバイスの製造方法に関するもの
である。
用電話機などのとくに高周波域で使用される振動子やフ
ィルタ等に適した圧電デバイスの製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近年、移動体通信機器や携帯用電話機な
どの小型化・高周波数化に伴い、これらに用いられる圧
電デバイスの一層の小型化・高周波数化が求められてい
る。
どの小型化・高周波数化に伴い、これらに用いられる圧
電デバイスの一層の小型化・高周波数化が求められてい
る。
【０００３】そこで、圧電板の支持構造やパッケージ等
に改善を重ねて小型化を図る一方、高精度の研磨技術等
を駆使して高周波数化に即した薄い圧電板を得ることが
行われている。
に改善を重ねて小型化を図る一方、高精度の研磨技術等
を駆使して高周波数化に即した薄い圧電板を得ることが
行われている。
【０００４】図３に示す従来の圧電デバイス（水晶振動
子）では、圧電板たる水晶板１が導電性接着剤層２ａ、
２ｂおよび電極端子引き出し用導電膜３ａ、３ｂを介し
て絶縁基板４上に固定されている。水晶板１の一方の励
振用電極５ａは導電性接着剤層２ａを通じて導電膜３ａ
に電通し、水晶板１の他方の励振用電極５ｂは導電性接
着剤層２ｂを通じて導電膜３ｂに電通している。そし
て、絶縁基板４とともにパッケージを形成する蓋体６
が、接着剤層７によって絶縁基板４に気密に封着されて
いる。なお、水晶板１は絶縁基板４に対して励振部が自
由となるように、周縁部だけで固定されている。
子）では、圧電板たる水晶板１が導電性接着剤層２ａ、
２ｂおよび電極端子引き出し用導電膜３ａ、３ｂを介し
て絶縁基板４上に固定されている。水晶板１の一方の励
振用電極５ａは導電性接着剤層２ａを通じて導電膜３ａ
に電通し、水晶板１の他方の励振用電極５ｂは導電性接
着剤層２ｂを通じて導電膜３ｂに電通している。そし
て、絶縁基板４とともにパッケージを形成する蓋体６
が、接着剤層７によって絶縁基板４に気密に封着されて
いる。なお、水晶板１は絶縁基板４に対して励振部が自
由となるように、周縁部だけで固定されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように構成される
圧電デバイスの小型化および高周波数化を図るために、
板厚が数１０μｍという薄い水晶板を使用すると、デバ
イス製造工程中に水晶板を損傷させる危険が増す。ま
た、デバイス製造工程中での水晶板は１枚単位でとり扱
うことになるので、作業効率・生産性が総じて低いもの
となる。そのうえ、導電性接着剤層やパッケージ封止用
接着剤層に含有・吸着されている様々な物質が脱離して
水晶板に吸着されやすく、この吸着によって共振周波数
が所定値からシフトする危険がある。さらに、接着剤層
から発生した反応性ガスによって水晶板や励振用電極を
腐食させる危険もある。
圧電デバイスの小型化および高周波数化を図るために、
板厚が数１０μｍという薄い水晶板を使用すると、デバ
イス製造工程中に水晶板を損傷させる危険が増す。ま
た、デバイス製造工程中での水晶板は１枚単位でとり扱
うことになるので、作業効率・生産性が総じて低いもの
となる。そのうえ、導電性接着剤層やパッケージ封止用
接着剤層に含有・吸着されている様々な物質が脱離して
水晶板に吸着されやすく、この吸着によって共振周波数
が所定値からシフトする危険がある。さらに、接着剤層
から発生した反応性ガスによって水晶板や励振用電極を
腐食させる危険もある。
【０００６】したがって本発明の目的は、接着剤を用い
ることなく圧電板を基板上に固定でき、しかも、デバイ
ス製造中の圧電板を基板とともに一括してとり扱うこと
のできる生産性に富んだ圧電デバイスの製造方法を提供
することにある。
ることなく圧電板を基板上に固定でき、しかも、デバイ
ス製造中の圧電板を基板とともに一括してとり扱うこと
のできる生産性に富んだ圧電デバイスの製造方法を提供
することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上述した目的を
達成するために、圧電板および基板の相互接合面となる
板面を鏡面研磨する工程と、圧電板および基板に波長２
４０ｎｍ以下の成分を含む紫外線を酸素含有雰囲気中で
照射する工程と、圧電板および基板を相互に接合して接
合体を得る工程と、この接合体を１００℃以上の温度で
熱処理する工程とを備えたことを特徴とする圧電デバイ
スの製造方法が提供される。
達成するために、圧電板および基板の相互接合面となる
板面を鏡面研磨する工程と、圧電板および基板に波長２
４０ｎｍ以下の成分を含む紫外線を酸素含有雰囲気中で
照射する工程と、圧電板および基板を相互に接合して接
合体を得る工程と、この接合体を１００℃以上の温度で
熱処理する工程とを備えたことを特徴とする圧電デバイ
スの製造方法が提供される。
【０００８】また、圧電板および基板の相互接合面とな
る板面を鏡面研磨する工程と、圧電板および基板を酸素
プラズマに曝す工程と、圧電板および基板を相互に接合
して接合体を得る工程と、この接合体を１００℃以上の
温度で熱処理する工程とを備えたことを特徴とする圧電
デバイスの製造方法が提供される。
る板面を鏡面研磨する工程と、圧電板および基板を酸素
プラズマに曝す工程と、圧電板および基板を相互に接合
して接合体を得る工程と、この接合体を１００℃以上の
温度で熱処理する工程とを備えたことを特徴とする圧電
デバイスの製造方法が提供される。
【０００９】
【作用】本発明によると、鏡面研磨された圧電板および
基板を、酸素含有雰囲気中で短波長の紫外線に曝し、ま
たは酸素プラズマに曝すために、両者の相互接合面とな
る板面の汚れ、ガス吸着層、さらにはパーティクル等を
原子レベルでとり除く清浄化作用が得られる。このた
め、両者の清浄化された板面同士を突き合わせるだけの
作業で両者間に接着作用が働き、一体化した接合体はそ
れ以後、単一の部品としてとり扱うことが可能となる。
基板を、酸素含有雰囲気中で短波長の紫外線に曝し、ま
たは酸素プラズマに曝すために、両者の相互接合面とな
る板面の汚れ、ガス吸着層、さらにはパーティクル等を
原子レベルでとり除く清浄化作用が得られる。このた
め、両者の清浄化された板面同士を突き合わせるだけの
作業で両者間に接着作用が働き、一体化した接合体はそ
れ以後、単一の部品としてとり扱うことが可能となる。
【００１０】この接合体は、分子間力により接合されて
いるが、特に上記紫外線照射または酸素プラズマ処理に
より親水化されているため、水分の吸着により基板およ
び圧電板表面に−ＯＨ基が形成され、水素結合による強
固な接合力が得られる。
いるが、特に上記紫外線照射または酸素プラズマ処理に
より親水化されているため、水分の吸着により基板およ
び圧電板表面に−ＯＨ基が形成され、水素結合による強
固な接合力が得られる。
【００１１】さらに水の沸点である１００℃以上の熱処
理を施すことによって、原子レベルでの接合が得られ
る。たとえばシリコンと水晶の接合では、Ｓｉ−ＯＨ‥
‥‥‥ＨＯ−Ｓｉという結合からＳｉＯ−Ｓｉという原
子間の結合となり、強い接合力が得られる。
理を施すことによって、原子レベルでの接合が得られ
る。たとえばシリコンと水晶の接合では、Ｓｉ−ＯＨ‥
‥‥‥ＨＯ−Ｓｉという結合からＳｉＯ−Ｓｉという原
子間の結合となり、強い接合力が得られる。
【００１２】酸素を含む雰囲気中で短波長の紫外線を照
射すると、酸素ラジカルやオゾンが発生して、これらの
励起種の強い酸化作用によって有機物は酸化し、炭酸ガ
スや水のような揮発性反応生成物と化して除去される。
ただし、酸素の二重結合の結合エネルギーは４９０ｋＪ
／ｍｏｌであるので、波長２４０ｎｍ以下の成分を含む
紫外線でないと清浄化効果が激減する。
射すると、酸素ラジカルやオゾンが発生して、これらの
励起種の強い酸化作用によって有機物は酸化し、炭酸ガ
スや水のような揮発性反応生成物と化して除去される。
ただし、酸素の二重結合の結合エネルギーは４９０ｋＪ
／ｍｏｌであるので、波長２４０ｎｍ以下の成分を含む
紫外線でないと清浄化効果が激減する。
【００１３】酸素プラズマは、酸素を含む減圧雰囲気中
でグロー放電を生じさせることによって比較的容易に得
ることができる。このプラズマ中に酸素イオン、酸素ラ
ジカルおよび電子などの励起種が含まれているので、酸
素プラズマに曝すことによって紫外線照射の場合と同様
に、有機物を除去することができる。酸素プラズマを用
いた処理では、励起種の物理的衝突による不純物除去効
果も加わるので、接合板面をより一層きれいに清浄化す
ることができる。
でグロー放電を生じさせることによって比較的容易に得
ることができる。このプラズマ中に酸素イオン、酸素ラ
ジカルおよび電子などの励起種が含まれているので、酸
素プラズマに曝すことによって紫外線照射の場合と同様
に、有機物を除去することができる。酸素プラズマを用
いた処理では、励起種の物理的衝突による不純物除去効
果も加わるので、接合板面をより一層きれいに清浄化す
ることができる。
【００１４】どちらの処理方法を選んでも、有機物の単
分子層まで除去する清浄化作用が得られ、強い接合力を
得るのに必要な表面の親水化を促進させることができ
る。
分子層まで除去する清浄化作用が得られ、強い接合力を
得るのに必要な表面の親水化を促進させることができ
る。
【００１５】本発明者らは、珪素化合物等からなる基板
に対し、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム
またはホウ酸リチウムなどからなる圧電板を特定条件下
で良好に直接接合し得ることを見出したのであり、本発
明によると、圧電材料同士間での直接接合も可能とな
る。また、酸化珪素膜や窒化珪素膜などの珪素を含むバ
ッファ層が接合面間に介在する場合においても、上述と
同様の良好な直接接合効果を得ることができる。
に対し、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム
またはホウ酸リチウムなどからなる圧電板を特定条件下
で良好に直接接合し得ることを見出したのであり、本発
明によると、圧電材料同士間での直接接合も可能とな
る。また、酸化珪素膜や窒化珪素膜などの珪素を含むバ
ッファ層が接合面間に介在する場合においても、上述と
同様の良好な直接接合効果を得ることができる。
【００１６】
【実施例】つぎに本発明の実施例を図面を参照しながら
説明する。
説明する。
【００１７】図１に示す第１の実施例での圧電板８は水
晶からなり、複数の励振部９、９を有している。圧電板
８の上下両板面は鏡面研磨されており、各励振部９、９
の板厚を残余の部分の板厚よりも小さくするための凹部
を上下両板面に有している。
晶からなり、複数の励振部９、９を有している。圧電板
８の上下両板面は鏡面研磨されており、各励振部９、９
の板厚を残余の部分の板厚よりも小さくするための凹部
を上下両板面に有している。
【００１８】この凹部は圧電板８の上下両板面の各一部
分にエッチング加工を施すことによって得たものであ
り、この凹部内に導電膜からなる励振用電極１０、１１
が設けられている。
分にエッチング加工を施すことによって得たものであ
り、この凹部内に導電膜からなる励振用電極１０、１１
が設けられている。
【００１９】本実施例では２枚の基板１２、１２を使用
する。両基板１２、１２はともに水晶からなり、それぞ
れは鏡面研磨された板面を有するとともに、複数の電極
端子形成用の通孔１２ａ、１２ａを有している。図１の
（ａ）に示すように各基板１２の通孔１２ａは、励振用
電極１０または１１に対応した位置を占めている。
する。両基板１２、１２はともに水晶からなり、それぞ
れは鏡面研磨された板面を有するとともに、複数の電極
端子形成用の通孔１２ａ、１２ａを有している。図１の
（ａ）に示すように各基板１２の通孔１２ａは、励振用
電極１０または１１に対応した位置を占めている。
【００２０】圧電板８および２枚の基板１２、１２はト
リクレンとイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）とを用い
た蒸気洗浄処理を受けたのち、図１の（ｂ）に示す工程
において、紫外線ランプ１３から放射された紫外線によ
る光照射を受ける。この光照射はクリーンエア中で約１
０分間にわたり行われる。使用した紫外線ランプ１３は
１０ｍＷ／ｃｍ2 （２５４ｎｍ）のもので、放射紫外線
中に波長２４０ｎｍ以下の成分が含まれる。
リクレンとイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）とを用い
た蒸気洗浄処理を受けたのち、図１の（ｂ）に示す工程
において、紫外線ランプ１３から放射された紫外線によ
る光照射を受ける。この光照射はクリーンエア中で約１
０分間にわたり行われる。使用した紫外線ランプ１３は
１０ｍＷ／ｃｍ2 （２５４ｎｍ）のもので、放射紫外線
中に波長２４０ｎｍ以下の成分が含まれる。
【００２１】光照射による洗浄処理を終えた圧電板８お
よび２枚の基板１２、１２は純水に浸漬して水洗し、水
洗後はスピン乾燥を行った。この処理によって表面が−
ＯＨ基で終端されるので、次いで図１の（ｃ）に示すよ
うに圧電板８の上下両板面に２枚の基板１２、１２を接
触させるだけで、自然に接合が進んで圧電板８と２枚の
基板１２、１２とが一体化する。
よび２枚の基板１２、１２は純水に浸漬して水洗し、水
洗後はスピン乾燥を行った。この処理によって表面が−
ＯＨ基で終端されるので、次いで図１の（ｃ）に示すよ
うに圧電板８の上下両板面に２枚の基板１２、１２を接
触させるだけで、自然に接合が進んで圧電板８と２枚の
基板１２、１２とが一体化する。
【００２２】このようにして得られた接合体を約３００
℃の温度で約１時間にわたり熱処理し、高温状態にある
通孔１２ａ内に図１の（ｄ）に示すハンダ１４を圧入し
て封止するとともに電極端子を形成する。
℃の温度で約１時間にわたり熱処理し、高温状態にある
通孔１２ａ内に図１の（ｄ）に示すハンダ１４を圧入し
て封止するとともに電極端子を形成する。
【００２３】得られた複合体にダイシング加工を施して
所定単位長に切断分離すると、図１の（ｅ）に示すよう
なコンパクトな圧電デバイスが得られる。
所定単位長に切断分離すると、図１の（ｅ）に示すよう
なコンパクトな圧電デバイスが得られる。
【００２４】得られた圧電デバイスをヘリウム・リーク
・チェッカでテストしたところ、リーク量は１０-9atm
cc/sec オーダであり、満足できる気密性が得られた。
・チェッカでテストしたところ、リーク量は１０-9atm
cc/sec オーダであり、満足できる気密性が得られた。
【００２５】本発明の第２の実施例を図２に示す。この
実施例で使用した圧電板１５はニオブ酸リチウムからな
り、鏡面研磨された板面を有している。図２の（ａ）に
示すように圧電板１５は鏡面研磨された一方の板面上に
電極１６を有している。電極１６は金を１００ｎｍの厚
さに成膜してパターニングしたもので、弾性表面波デバ
イス構造になっている。
実施例で使用した圧電板１５はニオブ酸リチウムからな
り、鏡面研磨された板面を有している。図２の（ａ）に
示すように圧電板１５は鏡面研磨された一方の板面上に
電極１６を有している。電極１６は金を１００ｎｍの厚
さに成膜してパターニングしたもので、弾性表面波デバ
イス構造になっている。
【００２６】一方、パッケージを兼ねる基板１７はシリ
コンからなり、鏡面研磨された板面上にバッファ層１８
を有している。バッファ層１８は膜厚約１μｍの酸化珪
素膜からなり、励振部に対応する部分がエッチング加工
によって除去されている。そして、その跡地内に電極コ
ンタクト用のバンプ１９が設けられている。バンプ１９
は金を１μｍの厚さに成膜して得たものである。
コンからなり、鏡面研磨された板面上にバッファ層１８
を有している。バッファ層１８は膜厚約１μｍの酸化珪
素膜からなり、励振部に対応する部分がエッチング加工
によって除去されている。そして、その跡地内に電極コ
ンタクト用のバンプ１９が設けられている。バンプ１９
は金を１μｍの厚さに成膜して得たものである。
【００２７】トリクレンとＩＰＡとを用いた蒸気洗浄処
理を受けたのちの圧電板１５および基板１７は図２の
（ｂ）に示す工程において、酸素プラズマ発生装置２０
内で酸素プラズマに曝される。酸素プラズマ処理は２０
０ｍＴorr の酸素ガス雰囲気中で、対向電極２１に１０
０Ｗの高周波電力を供給して約１０分間にわたり行われ
る。
理を受けたのちの圧電板１５および基板１７は図２の
（ｂ）に示す工程において、酸素プラズマ発生装置２０
内で酸素プラズマに曝される。酸素プラズマ処理は２０
０ｍＴorr の酸素ガス雰囲気中で、対向電極２１に１０
０Ｗの高周波電力を供給して約１０分間にわたり行われ
る。
【００２８】酸素プラズマ処理を終えた圧電板１５およ
び基板１７は水に浸漬して水洗し、スピン乾燥処理を行
ったのち、図２の（ｃ）に示すように相互に接触させ
る。この処理方法によっても第１の実施例におけると同
様に、接合面の表面が−ＯＨ基で終端されるので自然に
接合が進み、圧電板１５と基板１７とが一体化する。
び基板１７は水に浸漬して水洗し、スピン乾燥処理を行
ったのち、図２の（ｃ）に示すように相互に接触させ
る。この処理方法によっても第１の実施例におけると同
様に、接合面の表面が−ＯＨ基で終端されるので自然に
接合が進み、圧電板１５と基板１７とが一体化する。
【００２９】この接合体を約３００℃の温度で約１時間
にわたり熱処理し、第１の実施例と同様にダイシング加
工によって所定の単位長に切断分離する。
にわたり熱処理し、第１の実施例と同様にダイシング加
工によって所定の単位長に切断分離する。
【００３０】得られた圧電デバイスは第１の実施例と同
様に優れた気密性を示した。電極１６とバンプ１９との
合計厚さがバッファ層１８の膜厚よりも若干大きくて
も、その差が数１００ｎｍ程度であれば接合にさしたる
支障はなく、この接合によって電極１６とバンプ１９と
が電通する。
様に優れた気密性を示した。電極１６とバンプ１９との
合計厚さがバッファ層１８の膜厚よりも若干大きくて
も、その差が数１００ｎｍ程度であれば接合にさしたる
支障はなく、この接合によって電極１６とバンプ１９と
が電通する。
【００３１】第１および第２の実施例では、圧電板に水
晶またはニオブ酸リチウムを用い、基板に水晶またはシ
リコンを、そして、バッファ層に酸化珪素膜をそれぞれ
用いたが、圧電板として水晶、ニオブ酸リチウムのほか
に、タンタル酸リチウムまたはホウ酸リチウムを用いる
ことができる。また、基板としては水晶、シリコンのほ
かに、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ホウ酸
リチウムまたはガラスを用いることができ、バッファ層
には珪素や窒化珪素を用いることができる。
晶またはニオブ酸リチウムを用い、基板に水晶またはシ
リコンを、そして、バッファ層に酸化珪素膜をそれぞれ
用いたが、圧電板として水晶、ニオブ酸リチウムのほか
に、タンタル酸リチウムまたはホウ酸リチウムを用いる
ことができる。また、基板としては水晶、シリコンのほ
かに、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ホウ酸
リチウムまたはガラスを用いることができ、バッファ層
には珪素や窒化珪素を用いることができる。
【００３２】
【発明の効果】以上のように本発明によると、圧電板と
基板とが原子レベルで直接接合されるので、多数の圧電
デバイスを一括処理によって効率よく生産できるのみな
らず、圧電板と基板との間に接着剤層が介在しないの
で、励振部を劣化させるガスの発生がほとんどなく、し
かも、小型にしてかつ気密性に優れたパッケージングが
可能となる。
基板とが原子レベルで直接接合されるので、多数の圧電
デバイスを一括処理によって効率よく生産できるのみな
らず、圧電板と基板との間に接着剤層が介在しないの
で、励振部を劣化させるガスの発生がほとんどなく、し
かも、小型にしてかつ気密性に優れたパッケージングが
可能となる。
【図１】本発明の第１の実施例の圧電デバイスの製造方
法を示す工程図。
法を示す工程図。
【図２】本発明の第２の実施例の圧電デバイスの製造方
法を示す工程図。
法を示す工程図。
【図３】従来の圧電デバイスの側断面図。
８ 圧電板 ９ 励振部 １２ 基板 １３ 紫外線ランプ １５ 圧電部 １７ 基板 １８ バッファ層 ２０ 酸素プラズマ発生装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 江田 和生 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 圧電板および基板の相互接合面となる板
面を鏡面研磨する工程と、 圧電板および基板に波長２４０ｎｍ以下の成分を含む紫
外線を酸素含有雰囲気中で照射する工程と、 圧電板および基板を相互に接合して接合体を得る工程
と、 この接合体を１００℃以上の温度で熱処理する工程とを
備えたことを特徴とする圧電デバイスの製造方法。 - 【請求項２】 圧電板および基板の相互接合面となる板
面を鏡面研磨する工程と、 圧電板および基板を酸素プラズマに曝す工程と、 圧電板および基板を相互に接合して接合体を得る工程
と、 この接合体を１００℃以上の温度で熱処理する工程とを
備えたことを特徴とする圧電デバイスの製造方法。 - 【請求項３】 圧電板が水晶、ニオブ酸リチウム、タン
タル酸リチウムまたはホウ酸リチウムからなる請求項１
または２記載の圧電デバイスの製造方法。 - 【請求項４】 基板が水晶、ニオブ酸リチウム、タンタ
ル酸リチウム、ホウ酸リチウム、シリコンまたはガラス
からなる請求項１または２記載の圧電デバイスの製造方
法。 - 【請求項５】 基板または圧電板の鏡面研磨された板面
上にバッファ層を形成する請求項１または２記載の圧電
デバイスの製造方法。 - 【請求項６】 バッファ層が珪素または珪素化合物から
なる請求項５記載の圧電デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5301410A JPH07154177A (ja) | 1993-12-01 | 1993-12-01 | 圧電デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5301410A JPH07154177A (ja) | 1993-12-01 | 1993-12-01 | 圧電デバイスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07154177A true JPH07154177A (ja) | 1995-06-16 |
Family
ID=17896545
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|---|
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-
1993
- 1993-12-01 JP JP5301410A patent/JPH07154177A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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