CN1933325A - 导通孔形成方法、压电器件的制造方法及压电器件 - Google Patents

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Abstract

导通孔形成方法、压电器件的制造方法及压电器件。本发明的课题是提供一种压电器件的制造方法，使激励空间保持高气密性，容易实现外部安装用电极和激励空间内部的引出电极的导通。作为解决手段，提供了一种SAW元件(10)的制造方法，该SAW元件具有：在一个主面上由金属薄膜形成有激励电极和引出电极的压电基板(12)；以及覆盖压电基板(12)中的电极形成面的盖体(42)，其特征在于，将压电基板(12)和盖体(42)贴合，对压电基板(12)的另一个主面中与引出电极(26)相对应的位置进行喷砂加工形成预备孔，通过对预备孔形成位置实施蚀刻加工，在保留金属薄膜的状态下，在压电基板(12)上形成贯通孔(30)，对贯通孔(30)形成金属膜(32)并实施导通处理。

Description

导通孔形成方法、压电器件的制造方法及压电器件
技术领域
本发明涉及针对用于形成压电器件的压电基板的导通孔形成方法、利用了该导通孔形成方法的压电器件的制造方法、及压电器件，特别涉及适合于在一个主面上形成有激励电极的压电基板、和搭载了该压电基板的压电器件的导通孔形成方法、及压电器件。
背景技术
伴随安装设备的小型化，在振荡器、滤波器、传感器等中使用的压电器件正在不断地小型化、薄型化。目前正在开发的压电器件中最小型的，有把用于搭载压电元件片的封装体的大小作成与所述元件片相同大小的所谓CSP(Chip Size Package，芯片尺寸封装)结构的器件。作为具有这种结构的压电器件的示例，例如可以列举表面声波器件(SAW器件：surface acoustic wave device)，作为其结构示例可以列举在专利文献1中所公开的结构。专利文献1公开的SAW器件如图9所示，由在一个主面上形成有激励电极3和引出电极4的压电基板2、和覆盖所述压电基板2的一个主面的盖体5构成。具体地进行说明，在所述盖体5中与所述激励电极3相对的部分设有凹陷部6，在与所述引出电极4对应的部分设有贯通孔7，所述压电基板2和所述盖体5为通过阳极接合而接合的结构。对接合后的盖体5的贯通孔7进行填充导通材料的导通处理，在贯通孔7的周围形成安装用外部电极8。在这种结构的压电器件1中，元件片和器件的安装面积相等，促进了压电器件的小型化。
专利文献1日本特开平8-213874号公报
可以说在专利文献1中公开的这样结构的压电器件确实适合于小型化、薄型化。但是，专利文献1公开的结构的SAW器件存在以下问题。
第一，成为盖体的压电基板在主面形成有凹陷部和贯通孔，所以在清洗等工序中附着残留异物的可能性较大。第二，压电基板和盖体通过形成于压电基板的缘部的金属薄膜而接合，所以在引出电极和贯通孔之间有可能产生间隙。在这种情况下，将不能实现外部电极和引出电极之间的导通，不能实现内部空间的气密，存在不需要的气体和尘埃从所述间隙进入内部空间的可能。
发明内容
为了解决上述课题，本发明的目的在于，提供一种压电基板的导通孔形成方法、压电器件的制造方法及压电器件，以使激励空间保持较高的气密性，容易实现外部电极和激励空间内部的引出电极之间的导通。
为了达到上述目的，本发明提供了一种压电基板的导通孔形成方法，在一个主面上由金属薄膜形成有激励电极和引出电极的压电基板上形成导通用的贯通孔，其特征在于，对所述压电基板的另一个主面中与所述引出电极相对应的位置进行喷砂加工，在形成将所述压电基板掘进到中途的预备孔后，对所述预备孔的底部进行蚀刻加工，形成使所述引出电极的一部分露出的贯通孔，在所述贯通孔内配置从所述压电基板的另一个主面侧接触所述引出电极的导电材料。如果利用这种方法在压电基板上形成导通孔，则导通孔形成于形成有激励电极和引出电极的压电基板上，对作为金属薄膜的引出电极和贯通孔内部直接、连续地施加导电材料，所以不会在导通孔和引出电极之间产生间隙，不会产生导通不良。并且，通过利用喷砂加工形成预备孔，即使是蚀刻速率较低的压电基板，也能够高效地进行开孔加工。另外，通过蚀刻加工使预备孔贯通，所以金属薄膜不会被喷砂颗粒损坏，可以只残留金属薄膜。并且，通过利用这种方法形成导通孔，在将压电基板安装到封装体等上的情况下，也可以把形成了激励电极的一侧表面配置为上表面而进行安装。因此，在安装了压电基板后，容易进行频率调节等。另外，在把引出电极引到压电基板的相反侧的面时，不需要在压电基板的侧面形成电极。因此，可以防止由于蚀刻不良等而在电极之间产生短路等。
为了达到上述目的，本发明提供了一种压电器件的制造方法，该压电器件具有：在一个主面上由金属薄膜形成有激励电极和引出电极的压电基板；以及覆盖所述压电基板的电极形成面的盖体，其特征在于，将所述压电基板和所述盖体贴合，对所述压电基板的另一个主面中与所述引出电极相对应的位置进行喷砂加工，在形成将所述压电基板掘进到中途的预备孔后，对所述预备孔的底部进行蚀刻加工，形成使所述引出电极的一部分露出的贯通孔，在所述贯通孔内配置从所述压电基板的另一个主面侧接触所述引出电极的导电材料。如果利用这种方法制造压电器件，则由于在将压电基板和盖体接合后进行针对压电基板的开孔加工，所以降低了由于接合时的加压、加热使得压电基板和盖体破损的概率。并且，导通孔形成于形成有激励电极和引出电极的压电基板上，对作为金属薄膜的引出电极和贯通孔内部直接、连续地形成导电材料，所以不会在导通孔和引出电极之间产生间隙，不会产生导通不良。并且，通过利用喷砂加工形成预备孔，即使是蚀刻速率较低的压电基板，也能够高效地进行开孔加工。另外，通过蚀刻加工使预备孔贯通，所以金属薄膜不会被喷砂颗粒损坏，可以只残留金属薄膜。并且，由于保留金属薄膜而在压电基板上形成贯通孔，所以压电基板和盖体之间的空间、即激励空间不会对外部大气开放，可以保持高气密性。
并且，在上述的压电器件的制造方法中，优选对所述引出电极实施厚膜化处理。通过实施这种处理，在压电基板上形成贯通孔时，不会受到激励空间和外部空间之间的气压差的影响而使金属薄膜、即引出电极破损。
并且，在实施上述这样的压电器件的制造方法时，优选所述压电基板是石英，所述金属薄膜是铝，所述蚀刻加工为把CF4气体作为反应气体的干式蚀刻法。通过在这种条件下制造压电器件，压电基板通过干式蚀刻被蚀刻掉，而金属薄膜不会通过干式蚀刻被蚀刻。因此，只在压电基板上形成贯通孔，不会损伤金属薄膜，可以良好地保持激励空间的气密性。
为了达到上述目的，本发明提供了一种压电器件，具有：在一个主面上由金属薄膜形成有激励电极和引出电极的压电基板；以及气密地密封所述压电基板的电极形成面的盖体，其特征在于，在所述压电基板的另一个主面上设有：从与所述引出电极相对应的部位到所述引出电极形成的贯通孔、和安装用电极，在所述贯通孔中配置了使所述引出电极和所述安装用电极电连接的导电材料。这种结构的压电器件实现了小型化、薄型化，而且可以确保对于外部安装用电极的较高的导电性。并且，在将压电基板和盖体接合后形成贯通孔的情况下，激励空间不会对外部空间开放，可以确保激励空间的高气密性。
并且，在具有上述结构的压电器件中，优选构成所述引出电极的金属薄膜形成得比构成激励电极的金属薄膜厚。通过形成这种结构，可以降低在压电基板上形成贯通孔时金属薄膜破损的可能性。
并且，为了达到上述目的，本发明提供了一种压电器件，其特征在于，该压电器件是利用上述任意一种压电器件制造方法而制造的。只要是具有这种特征的压电器件，就可以发挥上述压电器件制造方法中记述的效果。
并且，为了达到上述目的，本发明提供了一种压电器件，其特征在于，该压电器件搭载了使用上述压电基板的导通孔形成方法而形成的压电元件片。在具有这种特征的压电器件中，可以发挥上述压电基板的导通孔形成方法中记述的效果。
附图说明
图1是表示本发明的压电器件的第1实施方式的图。
图2是表示第1实施方式的压电器件的制造过程的示意图。
图3是表示本发明的压电器件的第2实施方式的图。
图4是表示本发明的压电器件的第3实施方式的图。
图5是表示本发明的压电器件的第4实施方式的图。
图6是表示第2实施方式的压电器件的制造方法的示意图。
图7是表示第2实施方式的压电器件的制造方法的另一示例的示意图。
图8是表示搭载了使用本发明的压电基板的导通孔形成方法制造的压电元件片的压电器件的示例图。
图9是表示具有CSP结构的SAW元件的示例图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的压电基板的导通孔形成方法、压电器件的制造方法、及压电器件的实施方式。另外，以下所示的实施方式是本发明涉及的一部分的实施方式，本发明并不局限于以下所示的实施方式。
以下，参照图1，以SAW元件为例说明本发明的压电器件的第1实施方式。另外，在图1中，图1(A)表示SAW元件的俯视图，图1(B)表示该图(A)中的A-A剖面图。本实施方式的SAW元件10具有压电基板12、和覆盖该压电基板12的一个主面的盖体42。在压电基板12上形成有：帘状电极(IDT：interdigital transducer，叉指换能器)20，其由一对梳状电极14嵌合地配置而成，该梳状电极14由沿着表面声波的传播方向配置的母线16、和垂直于所述母线16而形成的多个电极指18构成；以及在表面声波的传播方向上夹着所述IDT 20配置的一对反射器22。所述反射器22形成为由平行于构成所述梳状电极14的电极指18而配置多个导体条24相互连接而成的栅格状形式。并且，在构成所述IDT 20的梳状电极14上设有用于进行IDT 20的信号输入或输出的引出电极26。形成于所述压电基板12上的IDT 20、反射器22等的激励电极及引出电极26由铝(Al)等的金属薄膜构成。并且，在本实施方式的压电基板12的缘部上，作为接合膜形成有与所述IDT 20、所述反射器22和所述引出电极26相同厚度的金属图案28。作为该金属图案28的构成材料，例如可以列举金(Au)和铝(Al)。
作为所述压电基板12的构成材料，例如可以列举石英(SiO2)、钽酸锂(LiTaO3)、铌酸锂(LiNbO3)等。在本实施方式中，特别举例说明压电基板12为石英时的情况。
所述压电基板12在形成所述引出电极26的位置处，具有从另一个主面到所述引出电极26形成的贯通孔30。贯通孔30不贯通形成引出电极26的金属薄膜，而是在使引出电极26的一部分露出于孔形成部的状态下使其保留。并且，在所述压电基板12的另一个主面及所述贯通孔30中，通过蒸镀、溅射或电镀处理等形成有金属膜32，在另一个主面上形成安装用外部电极34，并且实现该安装用外部电极34和所述引出电极26之间的导通。在这样形成有用于实现导通的金属膜32的贯通孔30中，通过填充金属钎料40等的导电材料，实现导通性的强化。
对于覆盖所述压电基板12的一个主面的盖体42，为了保持良好的接合状态，可以采用具有与压电基板12相同的热膨胀系数的材料。在本实施方式中，举例说明盖体42的构成材料为与压电基板12相同的石英的情况。在盖体42上，在与所述压电基板12上形成的缘部的金属图案28对应的位置处，由与所述金属图案28相同的材料形成有相同形状的金属图案44。具有上述结构的压电基板12和盖体42以所述金属图案28、44作为接合膜，通过热压接而接合(金属接合)。
参照图2说明具有上述结构的SAW元件10的制造方法。在本实施方式的SAW元件10中，首先将在一个主面上形成了IDT 20、反射器22和引出电极26的压电基板12与盖体42接合(参照图2(A))。然后，在压电基板12的另一个主面中对应于所述引出电极26的位置处，通过喷砂加工形成预备孔30a。预备孔30a只要是不贯通压电基板12，形成为约使基板保留微小厚度的深度的孔即可。即，将压电基板12掘进到中途。在形成预备孔30a时，认为可以保留例如约为压电基板12的厚度的十分之一左右的厚度(参照图2(B))。在形成预备孔30a后，通过干式蚀刻在压电基板12上形成贯通孔30。作为在干式蚀刻中使用的反应气体，可以列举氟利昂(四氟甲烷：CF4)气体(参照图2(C))。在压电基板12上形成贯通孔30后，通过蒸镀、溅射或电镀处理，在压电基板12的另一个主面及所述贯通孔30的内面形成金属膜32。通过对所形成的金属膜32实施光刻工序，在压电基板12的另一个主面上形成安装用外部电极34(参照图2(D))。然后，在保留凹陷部的贯通孔30的形成位置处填充金属钎料40，将孔填埋(参照图2(E))。
在上述的SAW元件10的形成方法中进行喷砂加工的情况下，首先，利用对于石英干式蚀刻用的CF4气体的保护膜(抗蚀膜：未图示)覆盖整个SAW元件10。抗蚀剂的涂布方法例如可以是浸渍涂布法。另外，在只覆盖压电基板12的另一个主面侧时，也可以采用旋转涂布法。抗蚀剂可以使用感光性的正性抗蚀剂(也可以是负性)，通过在预备孔30a的形成位置处设有开口部的光掩模，向所述抗蚀剂照射紫外线。在照射紫外线后，把SAW元件10浸渍在显影液中，去除涂布在预备孔30a的形成位置上的抗蚀剂。在去除感光部的抗蚀剂后，进行烘干处理，以便从加工面去除在显影时使用的溶剂等。
按照上面所述，经过光刻工序形成干式蚀刻用的抗蚀膜后，形成喷砂加工用的保护膜。喷砂加工用的保护膜一般使用感光性的尿烷树脂等。作为保护膜的形成方法与上述相同，在所述干式蚀刻用的抗蚀膜上通过旋转涂布等涂布喷砂加工用的保护树脂并固化后，使用光掩模，利用紫外线使预备孔30a的形成位置感光，利用显影液(例如弱碱性溶液)去除对应部分的保护膜。
这样形成保护膜后，对作为预备孔30a的形成位置而部分地露出加工面的压电基板12的另一个主面实施喷砂加工，从而可形成上述的预备孔30a。
在形成预备孔30a后进行干式蚀刻时，首先去除上述喷砂加工用的保护膜。然后，把SAW元件10放置在干式蚀刻用的室内，使用CF4气体进行蚀刻处理，使预备孔30a贯通。在利用这种方法形成贯通孔30时，形成引出电极26的Al不容易被CF4气体蚀刻，所以蚀刻在压电基板12贯通的时刻结束，构成引出电极26的金属薄膜不会被贯通。另外，抗蚀膜的形成方法本身不会对本发明的实施方式带来影响。
并且，在上述制造方法中，在压电基板12上形成的贯通孔30和压电基板12的另一个主面形成金属膜32时，作为形成方法列举了蒸镀、溅射和电镀处理，但通过蒸镀、溅射形成的金属膜极薄，有可能因为在将压电基板12安装到其他基板等上时所使用的焊锡而剥离(所谓的焊锡咬入(solder leach))。因此，金属膜32的形成优选容易进行厚膜化处理的电镀处理。另外，如果能够使金属膜32厚膜化，则利用蒸镀和溅射形成金属膜32也没有问题。并且，也可以把蒸镀或溅射与电镀处理组合起来，来形成金属膜32。
在按照上面所述制造的SAW元件10中，在形成了激励电极的压电基板12上形成贯通孔30，通过该贯通孔30实现与安装用外部电极34的导通，可以获得较高的导通性。并且，在将压电基板12和盖体42接合后，按照仅使压电基板12贯通的方式形成贯通孔30，所以在接合后激励空间46不会对外部空间开放，可以对SAW元件10的激励空间46确保高气密性。并且，在将压电基板12和盖体42接合后形成贯通孔30，所以在各个部件的清洗步骤等中，不会产生清洗液和异物残留于贯通孔中的情况。另外，在热压接压电基板12和盖体42时，压电基板12、盖体42两者的按压面均是平坦的，所以压力不会局部集中。因此，不会产生压电基板12和盖体42因按压而出现裂纹和破损的情况。
下面，参照图3说明本发明的压电器件的第2实施方式。本实施方式的压电器件的基本结构与上述第1实施方式的压电器件(SAW元件)相同。因此，对其功能相同的部分，在附图上赋予相同标号并省略详细说明。
本实施方式的SAW元件10a的特征是，压电基板12和盖体42的接合方法与第1实施方式的SAW元件10不同。更具体地讲，本实施方式的SAW元件10a的特征在于，作为接合压电基板12和盖体42的手段，采用不在接合面之间设置接合膜的直接接合。
直接接合是不象上述那样使用作为接合膜的金属图案28、44(参照图1)，而将相同材料(石英)的压电基板12和盖体42接合的手段。接合的步骤如下，首先对压电基板12和盖体42的接合面进行镜面研磨，并进行表面清洗，同时进行亲水化处理，使压电基板12和盖体42的接合面之间存在水(H2O)。所说亲水化处理例如指使接合面稍微氧化等的处理，是用于提高亲水性的处理。并且，使接合面之间有水具有使羟基(OH)附着在接合面上的作用。然后，按压压电基板12和盖体42，进行临时接合。在临时接合后，进一步对压电基板12和盖体42加压，同时加热压电基板12和盖体42，从而使介于接合面的水气化，在接合面产生硅氧烷键(Si-O-Si)，接合完成。另外，在上述步骤中，通过在加热加压时对加压面施加超声波，能够促进反应，可以在短时间内完成接合。
在上述的直接接合中，配置在接合面之间的原子的成键电子彼此直接接合，所以能够实现气密性高的牢靠接合。并且，由于不需要接合膜，所以能够省略形成接合膜的工序。
下面，参照图4说明本发明的压电器件的第3实施方式。本实施方式的压电器件的基本结构与上述第1、第2实施方式的压电器件(SAW元件)相同。因此，对其功能相同的部分，在附图上赋予相同标号并省略详细说明。
本实施方式的SAW元件10b与第2实施方式的SAW元件10a相同，其特征在于，压电基板12和盖体42的接合方法与第1实施方式的SAW元件10不同。更具体地讲，本实施方式的SAW元件10b的特征在于，作为接合压电基板12和盖体42的手段，采用阳极接合。
阳极接合是直接接合的一种，但与上述的直接接合不同，是不仅在石英之间，而且在石英和玻璃或金属等之间产生Si-O的共价键，从而不需要接合膜即可将两者直接接合的接合方式。即，在图4中，作为接合部，记载了接合形成于压电基板上的金属图案28和盖体42的情况，但也可以不通过该金属图案28即可将压电基板12和盖体42接合。作为具体方法，将压电基板12和盖体42置于几百℃的温度下，向两者之间施加几百V电压的直流电流，从而使得在压电基板12和盖体42之间产生共价键。像本实施方式这样，在盖体42为石英时，具体讲把盖体42作为阳极，把金属图案28作为阴极，施加电流即可。作为进行阳极接合的特征，可以列举压电基板12和盖体42上产生的物理变形非常小的特点。并且，在进行了阳极接合时，也可以通过施加逆电压来分离，而不会损伤接合材料。并且，阳极接合与上述的直接接合相同，可以实现牢靠的接合，可以使激励空间46保持高气密性。
另外，在利用上述的直接接合或阳极接合进行压电基板12和盖体42之间的接合时，如果使盖体42的对峙面为平坦面，则有可能难以确保激励空间46。因此，在盖体42的与激励电极相对的部位形成凹陷部50，在接合压电基板12和盖体42时，可以确保充足的激励空间46。
在上述实施方式中均说明了盖体42的构成材料为与压电基板12的构成材料相同的石英，但盖体42的构成材料也可以是热膨胀率与压电基板12近似的材料，还可以是在接合后能够保持激励空间46的气密性的金属和其他材料。但是，在利用导电性材料构成盖体42时，对于引出电极26等的电极需要考虑金属薄膜的厚度，以便不接触盖体42。
下面，参照图5说明本发明的压电器件的第4实施方式。本实施方式的压电器件的基本结构与上述第1、第2和第3实施方式的压电器件(SAW元件)相同。因此，因此，对其功能相同的部分，在附图上赋予相同标号并省略详细说明。
本实施方式的SAW元件10c的特征如图5所示，使构成引出电极26的金属薄膜的膜厚大于构成IDT 20和反射器22(参照图1)的金属薄膜的膜厚。具体讲，在本实施方式中，使构成引出电极26的金属薄膜的膜厚与激励空间46的高度相同，使引出电极26与盖体42接触。通过形成这种结构，即使在接合压电基板12和盖体42后的激励空间46保持真空等高气密性的情况下，在形成贯通孔30时，构成引出电极26的金属薄膜也不会受到气压的影响而破损。
这样使引出电极26的膜厚较厚时，可以采用图6所示的方法和图7所示的方法。首先，在图6所示的方法中，使形成于压电基板12的一个主面上的IDT 20、反射器22、引出电极26和金属图案28形成为相同厚度，并且在所述压电基板12中与所述引出电极26相对的位置处形成厚度与盖体42上形成的金属图案44相同的金属薄膜26a。接合这样形成的压电基板12和盖体42，从而可以实现构成引出电极26的金属薄膜的膜厚与激励空间46的高度相同的SAW元件10c。如果利用这种方法实现引出电极26的厚膜化，则盖体42侧的金属薄膜26a与形成于缘部的金属图案28可以在同一工序中形成，所以不需增加工序数，即可进行引出电极26的厚膜化。另外，引出电极26的厚膜化的目的在于，在对压电基板12形成贯通孔30时，使构成引出电极26的金属薄膜不会受到激励空间和外部空间之间的气压影响而破损，所以不需要追求膜之间的接合强度等。
然后，图7所示的方法使形成于压电基板12上的IDT 20的引出电极26的厚度本身形成得较厚。在该方法中，为了使引出电极26厚膜化而增加了工序数，但具有可以任意确定膜厚的优点。并且，引出电极26的形状和结构不会直接影响SAW元件10c的频率特性，所以可以在金属膜之外包覆引出电极26，提高引出电极26的强度。在这种方法中，与图6所示的方法相同，在对压电基板12形成贯通孔30时，可以防止构成引出电极26的金属薄膜因激励空间46和外部空间之间的气压影响而破损。
在上述实施方式中，以单体单位说明了压电器件(SAW元件10、10a～10c)的制造情况，但本发明的压电器件的制造方法和压电基板的导通孔形成方法也可以用于晶片单位的制造工艺。并且，在上述实施方式中，对IDT 20和引出电极26分开进行了说明，但是，例如也可以把构成IDT 20的母线16作为引出电极。
在上述实施方式中，作为压电器件举例说明了SAW元件，但作为搭载使用本发明的压电基板的导通孔形成方法制造的压电元件片的器件，除直接采用上述SAW元件的SAW振子和SAW滤波器外，还可以列举在上述SAW元件或SAW元件片上搭载了IC等电子部件的振荡器和各种传感器等。作为使用了SAW元件或SAW元件片的传感器，例如可以列举质量传感器、隔膜传感器等。
在使用利用上述压电基板的导通孔形成方法制造的SAW元件片制造振荡器时，例如可以形成图8所示的结构。图8所示的振荡器100具有：封装体105，其由内部腔体130形成为阶梯状，并使上部开口的升状基座110、和作为密封该基座110的开口部的盖体的盖120形成；搭载在前述封装体105内的SAW元件片60；和IC 140。所述基座110由多个基板110a～110c层叠而成，在各个基板110a～110c上分别利用金属薄膜形成了配线图案112，形成于各个基板110a～110c上的配线图案112根据需要通过通孔114等电连接，从而实现导通。并且，在所述基座110的下表面形成有外部安装用电极116，其与在内部形成的配线图案112电连接。对于这种结构的基座110，例如通过倒装法接合，在使有源面朝下的状态下把所述IC 140搭载在基板110a上形成的配线图案112上。并且，在使有源面朝上的状态下把所述SAW元件片60搭载在基板110b上形成的配线图案112上。这样形成的振荡100不用导线作为内部配线，所以能够实现封装体105的扁平化。并且，由于可以面向基座110的开口部侧配置SAW元件片60的有源面，所以在利用玻璃等透光性材料形成盖120的情况下，在将封装体105密封后，可以向激励电极照射激光而对金属薄膜进行修剪，进行使振荡器100的谐振频率与目标值一致的频率调节。另外，盖120与基座110的接合可以采用通过密封圈122进行的缝焊等。
在上述实施方式中，作为形成导通孔的压电基板，以SAW元件片用的基板为对象进行了说明，但本发明的压电基板的导通孔形成方法也可以用于制造AT切型或音叉型压电振动片、陀螺仪元件片。

Claims (8)

1.一种压电基板的导通孔形成方法，在一个主面上由金属薄膜形成有激励电极和引出电极的压电基板上形成导通用的贯通孔，其特征在于，该方法包括以下步骤：
对所述压电基板的另一个主面中与所述引出电极相对应的位置进行喷砂加工，形成将所述压电基板掘进到中途的预备孔，
对所述预备孔的底部进行蚀刻加工，形成使所述引出电极的一部分露出的贯通孔，
在所述贯通孔内配置从所述压电基板的另一个主面侧接触所述引出电极的导电材料。
2.一种压电器件的制造方法，该压电器件具有：在一个主面上由金属薄膜形成有激励电极和引出电极的压电基板；以及覆盖所述压电基板中的电极形成面的盖体，其特征在于，该方法包括以下步骤：
将所述压电基板和所述盖体贴合，
对所述压电基板的另一个主面中与所述引出电极相对应的位置进行喷砂加工，形成将所述压电基板掘进到中途的预备孔，
对所述预备孔的底部进行蚀刻加工，形成使所述引出电极的一部分露出的贯通孔，
在所述贯通孔内配置从所述压电基板的另一个主面侧接触所述引出电极的导电材料。
3.根据权利要求2所述的压电器件的制造方法，其特征在于，对所述引出电极实施厚膜化处理。
4.根据权利要求2或3所述的压电器件的制造方法，其特征在于，所述压电基板是石英，所述金属薄膜是铝，所述蚀刻加工是把CF4气体作为反应气体的干式蚀刻法。
5.一种压电器件，该压电器件具有：在一个主面上由金属薄膜形成有激励电极和引出电极的压电基板；以及气密地密封所述压电基板的电极形成面的盖体，其特征在于，
在所述压电基板的另一个主面上设有：从与所述引出电极相对应的部位到所述引出电极形成的贯通孔；和安装用电极，
在所述贯通孔中配置有使所述引出电极和所述安装用电极电连接的导电材料。
6.根据权利要求5所述的压电器件，其特征在于，构成所述引出电极的金属薄膜形成得比构成激励电极的金属薄膜厚。
7.一种压电器件，其特征在于，该压电器件是利用权利要求2～4中任一项所述的压电器件的制造方法制造的。
8.一种压电器件，其特征在于，该压电器件搭载了使用权利要求1所述的压电基板的导通孔形成方法形成的压电元件片。
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