JP6729188B2 - 接合構造体、圧電デバイス、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、及び、接合構造体の製造方法 - Google Patents

接合構造体、圧電デバイス、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、及び、接合構造体の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、樹脂部とこれを覆う電極とを備えた接合構造体、圧電デバイス、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、及び、接合構造体の製造方法に関するものである。
２枚の基板を接合して成る接合構造体は、各種の電子機器に内蔵されている。例えば、インクジェット式プリンターやインクジェット式プロッター等の液体噴射装置に搭載される液体噴射ヘッドにおいては、圧電素子等のアクチュエーターが設けられた一方の基板と、この一方の基板に対向する他方の基板とが接合された接合構造体を有している。また、液体噴射ヘッドに用いられる接合構造体としては、一方の基板の表面及び他方の基板の表面に配線が形成されたものがある。そして、一方の基板の配線と他方の基板の配線とは、バンプ電極を介して接続されている。
ここで、上記のバンプ電極としては、基板に形成された一連の樹脂層と、この樹脂層の表面に形成された電極（配線）とを有するものがある（例えば、特許文献１）。そして、樹脂層のうち隣り合う電極の間（すなわち、バンプ電極間）に対応する部分は、エッチングにより表面の一部が削られて、小さくなっている。すなわち、隣り合う電極の間における樹脂層の高さ（基板から樹脂層の上面までの寸法）は、電極の直下に位置する樹脂層（要するに、電極に覆われた部分の樹脂層）の高さよりも、低くなるように形成されている（特許文献１参照）。
特開２００９−２６０３８９号公報
しかしながら、上記のような構成において、電極の間における樹脂層をエッチングする際に、基板上に残渣が残る虞があった。この点について、図２８に示す従来のバンプ電極９１の構成を参照して、より詳しく説明する。図２８に示すように、従来のバンプ電極９１は、基板９０上に突設された樹脂部９２と、この表面に積層された電極９３とを備えている。このような電極９３は、基板９０上の配線９４と同じ素材で構成することができる。例えば、基板９０上の配線９４を樹脂と重なるところまで延在して、電極９３とすることができる。また、図２８に示すように、樹脂部９２上には、間隔を空けて複数の電極９３が配置されている。これらの電極９３間における樹脂部９２の基板９０の表面からの高さは、電極９３の直下に位置する樹脂部９２の基板９０の表面からの高さよりも低くなっている。そして、このような樹脂部９２の形成方法としては、電極９３をマスクとして当該樹脂部９２をエッチング（具体的には、ドライエッチング）することで、電極９３間における樹脂部９２の一部を除去する方法が採用される。しかしながら、このような方法で樹脂部９２を形成すると、基板９０の表面から樹脂部９２が除去された領域に残渣９５が残る虞があった。すなわち、電極９３間における基板９０上に残渣９５が残る虞があった。このような残渣９５が残ると、マイグレーションによる電極９３間の短絡が発生し易くなる。その結果、このような構造を有する接合構造体の信頼性が低下する虞があった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、信頼性の低下が抑制された接合構造体、圧電デバイス、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、及び、接合構造体の製造方法を提供することにある。
本発明の接合構造体は、上記目的を達成するために提案されたものであり、一の面から突出した樹脂からなる樹脂部、及び、前記樹脂部の前記一の面側とは反対側の表面の一部を覆う複数の第１の電極が形成された第１の基板と、
前記複数の第１の電極に対応する複数の第２の電極が前記一の面に対向する面に形成された第２の基板と、を有し、
前記第１の基板と前記第２の基板とが、対応する前記第１の電極と前記第２の電極とを導通させた状態で接合された接合構造体であって、
前記第１の基板の前記一の面において前記樹脂部が配置される領域は、前記樹脂部が前記一の面と接触している第１の領域と、前記樹脂部が前記一の面と離間している第２の領域と、を有し、
前記一の面内において、前記第２の領域は前記第１の領域の外側に形成されたことを特徴とする。
この構成によれば、樹脂部の外側の部分が第１の基板と離間しているため、たとえ第１の電極間の樹脂部をエッチングにより小さくしたとしても、第１の基板に残渣が残ることを抑制できる。これにより、残渣による第１の電極間のマイグレーションを抑制できる。その結果、第１の電極間における絶縁信頼性の低下を抑制でき、ひいては接合構造体の信頼性の低下を抑制できる。また、第１の基板の一の面上において、樹脂部の表面を経由した第１の電極とこれに隣り合う第１の電極との間の経路が長くなり、当該樹脂部を介したマイグレーションを抑制できる。
また、上記構成において、前記樹脂部は、前記第１の電極に覆われた第１の部分と、前記第１部分と隣り合う第２の部分と、を有し、
前記第１の部分の前記一の面からの高さは、前記第２の部分の前記一の面からの高さよりも高いことが望ましい。
この構成によれば、樹脂部の表面を経由した第１の電極とこれに隣り合う第１の電極との間の経路が長くなり、当該樹脂部を介したマイグレーションを抑制できる。また、第１の電極と第２の電極とを接合する際に、両基板に加える圧力を低減できる。さらに、第１の電極と第２の電極とを接合した状態において、樹脂部の弾性復元力を小さくすることができる。その結果、基板の破損等を抑制できる。
さらに、上記構成において、前記樹脂部は、前記第１の電極に覆われた第１の部分と、前記第１部分と隣り合う第２の部分と、を有し、
前記一の面と交差する方向において、前記第１の部分と前記第２の電極との距離は、前記第２の部分と前記第２の電極との距離よりも短いことが望ましい。
この構成によれば、第１の電極以外の部分が第２の電極に接触することを抑制できる。すなわち、第１の電極と第２の電極とをより確実に接続することができる。
また、上記各構成の何れかにおいて、前記第２の領域は、２つの第１の電極の間に対応する領域に形成されることが望ましい。
この構成によれば、第１の電極間におけるマイグレーションをより確実に抑制できる。
さらに、上記各構成の何れかにおいて、前記第２の領域は、前記第１の領域の周囲に形成されることが望ましい。
この構成によれば、樹脂部のエッチングにより第１の基板に残渣が残ることを一層抑制でき、第１の電極間におけるマイグレーションを一層抑制できる。
また、本発明の圧電デバイスは、上記各構成の何れかに記載の接合構造体と、前記第１の基板又は前記第２の基板の何れか一方に積層された圧電素子と、を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、圧電デバイスの信頼性の低下を抑制できる。
さらに、本発明の液体噴射ヘッドは、上記構成に記載の圧電デバイスと、前記圧電素子の駆動により液体が噴射されるノズルと、を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、液体噴射ヘッドの信頼性の低下を抑制できる。
また、本発明の液体噴射装置は、上記構成に記載の液体噴射ヘッドを備えたことを特徴とする。
この構成によれば、液体噴射装置の信頼性の低下を抑制できる。
そして、本発明における接合構造体の製造方法は、一の面から突出した樹脂からなる樹脂部、及び、前記樹脂部の前記一の面側とは反対側の表面の一部を覆う複数の第１の電極が形成された第１の基板と、
前記複数の第１の電極に対応する複数の第２の電極が前記一の面に対向する面に形成された第２の基板と、を有し、
前記第１の基板と前記第２の基板とが、対応する前記第１の電極と前記第２の電極とを導通させた状態で接合された接合構造体の製造方法であって、
前記一の面に樹脂部を形成する樹脂部形成工程と、
前記樹脂部を覆う前記第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、
前記第１の電極が形成された状態で、ウェットエッチングにより前記樹脂部の一部を除去し、前記樹脂部の少なくとも一部に前記一の面と接触している部分を残して前記樹脂部と前記一の面との間に隙間を形成するウェットエッチング工程と、
前記ウェットエッチング工程の後、ドライエッチングにより前記樹脂部の一部を除去するドライエッチング工程と、
を含むことを特徴とする。
この方法によれば、ウェットエッチング工程により、予め第１の基板上の樹脂部を除去するため、ドライエッチング工程で第１の基板上に残渣が残ることを抑制できる。また、ドライエッチング工程で樹脂部が変質したとしても、ドライエッチング工程より前に第１の基板上の樹脂部を除去するため、変質した樹脂部が残渣として残ることを抑制できる。
また、本発明における接合構造体の製造方法は、一の面から突出した樹脂からなる樹脂部、及び、前記樹脂部の前記一の面側とは反対側の表面の一部を覆う複数の第１の電極が形成された第１の基板と、
前記複数の第１の電極に対応する複数の第２の電極が前記一の面に対向する面に形成された第２の基板と、を有し、
前記第１の基板と前記第２の基板とが、対応する前記第１の電極と前記第２の電極とを導通させた状態で接合された接合構造体の製造方法であって、
前記一の面に樹脂部を形成する樹脂部形成工程と、
前記樹脂部を覆う前記第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、
前記第１の電極が形成された状態で、ドライエッチングにより前記樹脂部の一部を除去するドライエッチング工程と、
前記ドライエッチング工程の後、ウェットエッチングにより前記樹脂部の一部を除去し、前記樹脂部の少なくとも一部に前記一の面と接触している部分を残して前記樹脂部と前記一の面との間に隙間を形成するウェットエッチング工程と、
を含むことを特徴とする。
この方法によれば、ドライエッチング工程の後で残渣が残ったとしても、その後のウェットエッチング工程で残渣を除去することができる。これにより、残渣が残ることをより確実に抑制できる。
さらに、本発明における接合構造体の製造方法は、一の面から突出した樹脂からなる樹脂部、及び、前記樹脂部の前記一の面側とは反対側の表面の一部を覆う複数の第１の電極が形成された第１の基板と、
前記複数の第１の電極に対応する複数の第２の電極が前記一の面に対向する面に形成された第２の基板と、を有し、
前記第１の基板と前記第２の基板とが、対応する前記第１の電極と前記第２の電極とを導通させた状態で接合された接合構造体の製造方法であって、
前記一の面に樹脂部を形成する樹脂部形成工程と、
ウェットエッチングにより前記樹脂部の一部を除去し、前記樹脂部の少なくとも一部に前記一の面と接触している部分を残して前記樹脂部と前記一の面との間に隙間を形成するウェットエッチング工程と、
前記ウェットエッチング工程の後、前記樹脂部を覆う前記第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、
前記第１の電極が形成された状態で、ドライエッチングにより前記樹脂部の一部を除去するドライエッチング工程と、
を含むことを特徴とする。
この方法によれば、ウェットエッチング工程により、予め第１の基板上の樹脂部を除去するため、ドライエッチング工程で第１の基板上に残渣が残ることを抑制できる。また、第１の電極形成工程及びドライエッチング工程で樹脂部が変質したとしても、第１の電極形成工程及びドライエッチング工程より前に第１の基板上の樹脂部を除去するため、変質した樹脂部が残渣として残ることを抑制できる。
プリンターの構成を説明する斜視図である。 記録ヘッドの構成を説明する断面図である。 封止板の要部を拡大した平面図である。 図３におけるＡ−Ａ断面図である。 図３におけるＢ−Ｂ断面図である。 バンプ電極の形成方法を説明する樹脂部の延在方向に直交する方向における断面の状態遷移図である。 バンプ電極の形成方法を説明する樹脂部の延在方向における断面の状態遷移図である。 バンプ電極の形成方法を説明する樹脂部の延在方向に直交する方向における断面の状態遷移図である。 バンプ電極の形成方法を説明する樹脂部の延在方向における断面の状態遷移図である。 バンプ電極の形成方法を説明する樹脂部の延在方向に直交する方向における断面の状態遷移図である。 バンプ電極の形成方法を説明する樹脂部の延在方向における断面の状態遷移図である。 バンプ電極の形成方法を説明する樹脂部の延在方向に直交する方向における断面の状態遷移図である。 バンプ電極の形成方法を説明する樹脂部の延在方向における断面の状態遷移図である。 バンプ電極の他の形成方法を説明する樹脂部の延在方向に直交する方向における断面の状態遷移図である。 バンプ電極の他の形成方法を説明する樹脂部の延在方向における断面の状態遷移図である。 バンプ電極の他の形成方法を説明する樹脂部の延在方向に直交する方向における断面の状態遷移図である。 バンプ電極の他の形成方法を説明する樹脂部の延在方向における断面の状態遷移図である。 第２の実施形態における封止板の要部を拡大した平面図である。 図１８におけるＣ−Ｃ断面図である。 第２の実施形態のバンプ電極の形成方法を説明する樹脂部の延在方向における断面の状態遷移図である。 第２の実施形態のバンプ電極の形成方法を説明する樹脂部の延在方向に直交する方向における断面の状態遷移図である。 第２の実施形態のバンプ電極の形成方法を説明する樹脂部の延在方向における断面の状態遷移図である。 第２の実施形態のバンプ電極の形成方法を説明する樹脂部の延在方向に直交する方向における断面の状態遷移図である。 第２の実施形態のバンプ電極の形成方法を説明する樹脂部の延在方向における断面の状態遷移図である。 第２の実施形態のバンプ電極の形成方法を説明する樹脂部の延在方向に直交する方向における断面の状態遷移図である。 第２の実施形態のバンプ電極の形成方法を説明する樹脂部の延在方向における断面の状態遷移図である。 第２の実施形態のバンプ電極の形成方法を説明する樹脂部の延在方向に直交する方向における断面の状態遷移図である。 従来のバンプ電極の構成を説明する斜視図である。
以下、本発明を実施するための形態を、添付図面を参照して説明する。なお、以下に述べる実施の形態では、本発明の好適な具体例として種々の限定がされているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるものではない。また、以下においては、本発明の接合構造体の一例として、液体噴射ヘッドの一種であるインクジェット式記録ヘッド（以下、記録ヘッド）３に組み込まれた接合構造体を例に挙げて説明する。図１は、記録ヘッド３を搭載した液体噴射装置の一種であるインクジェット式プリンター（以下、プリンター）１の斜視図である。
プリンター１は、記録紙等の記録媒体２（着弾対象の一種）の表面に対してインク（液体の一種）を噴射して画像等の記録を行う装置である。このプリンター１は、記録ヘッド３、この記録ヘッド３が取り付けられるキャリッジ４、キャリッジ４を主走査方向に移動させるキャリッジ移動機構５、記録媒体２を副走査方向に移送する搬送機構６等を備えている。ここで、上記のインクは、液体供給源としてのインクカートリッジ７に貯留されている。このインクカートリッジ７は、記録ヘッド３に対して着脱可能に装着される。なお、インクカートリッジがプリンターの本体側に配置され、当該インクカートリッジからインク供給チューブを通じて記録ヘッドに供給される構成を採用することもできる。
上記のキャリッジ移動機構５はタイミングベルト８を備えている。そして、このタイミングベルト８はＤＣモーター等のパルスモーター９により駆動される。したがってパルスモーター９が作動すると、キャリッジ４は、プリンター１に架設されたガイドロッド１０に案内されて、主走査方向（記録媒体２の幅方向）に往復移動する。キャリッジ４の主走査方向の位置は、位置情報検出手段の一種であるリニアエンコーダー（図示せず）によって検出される。リニアエンコーダーは、その検出信号、即ち、エンコーダーパルス（位置情報の一種）をプリンター１の制御部に送信する。
次に記録ヘッド３について説明する。図２は、記録ヘッド３の構成を説明する断面図である。なお、以下の説明においては、適宜、各部材の積層方向を上下方向として説明する。本実施形態における記録ヘッド３は、図２に示すように、アクチュエーターユニット１４（本発明における圧電デバイスの一種）及び流路ユニット１５が積層された状態でヘッドケース１６に取り付けられている。
ヘッドケース１６は、合成樹脂製の箱体状部材であり、その内部には各圧力室３０にインクを供給する液体導入路１８が形成されている。この液体導入路１８は、後述する共通液室２５と共に、複数形成された圧力室３０に共通なインクが貯留される空間である。本実施形態においては、２列に並設された圧力室３０の列に対応して液体導入路１８が２つ形成されている。また、ヘッドケース１６の下側（ノズルプレート２１側）の部分には、当該ヘッドケース１６の下面（ノズルプレート２１側の面）からヘッドケース１６の高さ方向の途中まで直方体状に窪んだ収容空間１７が形成されている。後述する流路ユニット１５がヘッドケース１６の下面に位置決めされた状態で接合されると、連通基板２４に積層されたアクチュエーターユニット１４（圧力室形成基板２９、封止板３３、駆動ＩＣ３４等）が収容空間１７内に収容されるように構成されている。
本実施形態における流路ユニット１５は、連通基板２４及びノズルプレート２１を有している。ノズルプレート２１は、連通基板２４の下面（圧力室形成基板２９とは反対側の面）に接合されたシリコン製の基板である。本実施形態では、このノズルプレート２１により、後述する共通液室２５となる空間の下面側の開口が封止されている。また、ノズルプレート２１には、複数のノズル２２が直線状（列状）に開設されている。この複数のノズル２２からなるノズル２２の列（すなわち、ノズル列）は、ノズルプレート２１に２列形成されている。各ノズル列を構成するノズル２２は、一端側のノズル２２から他端側のノズル２２までドット形成密度に対応したピッチで、例えば副走査方向に沿って等間隔に設けられている。なお、ノズルプレートを連通基板における共通液室から内側に外れた領域に接合し、共通液室となる空間の下面側の開口を、例えば可撓性を有するコンプライアンスシート等の部材で封止することもできる。このようにすれば、ノズルプレートを可及的に小さくできる。
連通基板２４は、流路ユニット１５の上部（ヘッドケース１６側の部分）を構成するシリコン製の基板である。この連通基板２４には、図２に示すように、液体導入路１８と連通し、各圧力室３０に共通なインクが貯留される共通液室２５と、この共通液室２５を介して液体導入路１８からのインクを各圧力室３０に個別に供給する個別連通路２６と、圧力室３０とノズル２２とを連通するノズル連通路２７とが、エッチング等により形成されている。個別連通路２６及びノズル連通路２７は、ノズル列方向に沿って複数形成されている。また、共通液室２５は、ノズル列方向に沿った長尺な空部であり、図２に示すように、２列に並設された圧力室３０の列に対応して２列に形成されている。
本実施形態におけるアクチュエーターユニット１４は、連通基板２４の上面に接合されている。このアクチュエーターユニット１４は、図２に示すように、圧力室形成基板２９、振動板３１、アクチュエーターの一種である圧電素子３２、封止板３３及び駆動ＩＣ３４が積層されてユニット化されている。なお、アクチュエーターユニット１４は、収容空間１７内に収容可能なように、収容空間１７よりも小さく形成されている。
圧力室形成基板２９は、アクチュエーターユニット１４の下部（流路ユニット１５側の部分）を構成するシリコン製の基板である。この圧力室形成基板２９には、エッチング等により一部が板厚方向に除去されて、圧力室３０となるべき空間がノズル列方向に沿って複数並設されている。この空間は、下方が連通基板２４により区画され、上方が振動板３１により区画されて、圧力室３０を構成する。また、この空間、すなわち圧力室３０は、２列に形成されたノズル列に対応して２列に形成されている。各圧力室３０は、ノズル列方向に直交する方向に長尺な空部であり、長手方向の一側の端部に個別連通路２６が連通すると共に、他側の端部にノズル連通路２７が連通する。
振動板３１は、弾性を有する薄膜状の部材であり、圧力室形成基板２９の上面（流路ユニット１５側とは反対側の面）に積層されている。この振動板３１によって、圧力室３０となるべき空間の上部開口が封止されている。換言すると、振動板３１によって、圧力室３０が区画されている。この振動板３１における圧力室３０（詳しくは、圧力室３０の上部開口）に対応する部分は、圧電素子３２の撓み変形に伴ってノズル２２から遠ざかる方向あるいは近接する方向に変位する変位部として機能する。すなわち、振動板３１における圧力室３０の上部開口に対応する領域が、撓み変形が許容される駆動領域３５となる。一方、振動板３１における圧力室３０の上部開口から外れた領域が、撓み変形が阻害される非駆動領域３６となる。なお、振動板３１が積層された圧力室形成基板２９、すなわち、振動板３１及び圧力室形成基板２９が本発明における第２の基板に相当する。
また、振動板３１は、例えば、圧力室形成基板２９の上面に形成された二酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる弾性膜と、この弾性膜上に形成された酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）からなる絶縁体膜と、からなる。そして、この絶縁膜上（振動板３１の圧力室形成基板２９側とは反対側の面）における各圧力室３０に対応する領域、すなわち駆動領域３５に圧電素子３２がそれぞれ積層されている。本実施形態における圧電素子３２は、所謂撓みモードの圧電素子である。この圧電素子３２は、例えば、振動板３１上に、下電極層、圧電体層及び上電極層が順次積層されてなる。この上電極膜または下電極膜のうち何れか一方が各圧電素子３２に共通に形成された共通電極となり、他方が各圧電素子３２に個別に形成された個別電極となっている。そして、下電極層と上電極層との間に両電極の電位差に応じた電界が付与されると、圧電素子３２はノズル２２から遠ざかる方向あるいは近接する方向に撓み変形する。なお、本実施形態における圧電素子３２は、ノズル列方向に沿って２列に並設された圧力室３０に対応して、当該ノズル列方向に沿って２列に形成されている。
また、本実施形態における振動板３１の非駆動領域３６には、本発明における第２の電極の一種である個別端子４１及び共通端子４２が積層されている。すなわち、振動板３１の上面（封止板３３に対向する面）には、個別端子４１及び共通端子４２が形成されている。具体的には、ノズル列方向に直交する方向において、一方の圧電素子３２の列の外側及び他方の圧電素子３２の列の外側に個別端子４１が形成され、両圧電素子３２の列間に共通端子４２が形成されている。個別端子４１は、圧電素子３２の個別電極から延在された配線の端子部分であり、当該個別電極と電気的に接続されている。この個別端子４１は、圧電素子３２毎に形成されている。一方、共通端子４２は、圧電素子３２の共通電極から延在された配線の端子部分であり、当該共通電極と電気的に接続されている。本実施形態における共通端子４２は、一方の圧電素子３２の列の共通電極及び他方の圧電素子３２の列の共通電極の両方に接続されている。そして、これらの個別端子４１及び共通端子４２には、それぞれ対応するバンプ電極３７（後述）の導電層３９が当接されている。
封止板３３（本発明における第１の基板に相当）は、図２に示すように、振動板３１との間に絶縁性を有する感光性接着剤４３を介在させた状態で、圧電素子３２に対して間隔を開けて配置されたシリコン製の基板である。本実施形態における封止板３３の下面（圧力室形成基板２９側の面）には、駆動ＩＣ３４からの駆動信号を圧電素子３２側に出力するバンプ電極３７が複数形成されている。このバンプ電極３７は、図２に示すように、一方の圧電素子３２の外側に形成された一方の個別端子４１に対応する位置、他方の圧電素子３２の外側に形成された他方の個別端子４１に対応する位置、及び両方の圧電素子３２の列間に形成された共通端子４２に対応する位置等に形成されている。そして、各バンプ電極３７は、それぞれ対応する個別端子４１又は共通端子４２に接続されている。
ここで、封止板３３と圧力室形成基板２９とは、各バンプ電極３７とこれに対応する個別端子４１及び共通端子４２とが確実に導通されるように、両者が近づく方向に加圧された状態で接合されている。また、封止板３３と圧力室形成基板２９と接着する感光性接着剤４３のうち圧力室形成基板２９の外側に形成された感光性接着剤４３は、２つの圧電素子３２の列を囲うように形成されている。すなわち、各圧電素子３２は、圧力室形成基板２９、封止板３３及び感光性接着剤４３により囲われた空間内に封止されている。なお、感光性接着剤４３により接合された封止板３３と振動板３１及び圧電素子３２が積層された圧力室形成基板２９とが、本発明における接合構造体に相当する。
本実施形態におけるバンプ電極３７は、図４等に示すように、封止板３３の下面（本発明における一の面に相当）から突出した樹脂からなる樹脂部３８、及び、樹脂部３８の表面（詳しくは、封止板３３の下面とは反対側の表面）の一部を覆う導電層３９（本発明における第１の電極の一種）からなる、いわゆる樹脂コアバンプである。個別端子４１に導通するバンプ電極３７の導電層３９は、図３に示すように、ノズル列方向に沿って並設された圧電素子３２に対応して、当該ノズル列方向に沿って複数形成されている。また、共通端子４２に導通する導電層３９は、共通端子４２に対応して、少なくとも１つ以上形成されている。そして、バンプ電極３７の導電層３９は、図２に示すように、樹脂部３８から外れた位置まで延在され、封止板３３を板厚方向に貫通する貫通配線４５を介して、封止板３３の上面（圧力室形成基板２９とは反対側の面）に積層された上面側配線４６に接続されている。なお、バンプ電極３７の構成に関し、詳しくは後述する。
駆動ＩＣ３４は、圧電素子３２を駆動するためのＩＣチップであり、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）等の接着剤４８を介して封止板３３の上面に積層されている。図２に示すように、この駆動ＩＣ３４の下面（封止板３３側の面）には、上面側配線４６の端子部に接続されるＩＣ端子４７が、複数形成されている。ＩＣ端子４７のうち個別端子４１に対応するＩＣ端子４７は、ノズル列方向に沿って複数並設されている。本実施形態では、２列に並設された圧電素子３２の列に対応して、ＩＣ端子４７の列が２列形成されている。
そして、上記のような構成の記録ヘッド３は、インクカートリッジ７からのインクを、液体導入路１８、共通液室２５及び個別連通路２６等を介して圧力室３０に導入する。この状態で、駆動ＩＣ３４からの駆動信号を、バンプ電極３７等を介して圧電素子３２に供給すれば、圧電素子３２が駆動されて圧力室３０内のインクに圧力変動が生じる。この圧力変動を利用することで、記録ヘッド３はノズル２２からインク滴を噴射する。
次に、バンプ電極３７の構成について詳しく説明する。図３は、一方の個別端子４１に接続されるバンプ電極３７が形成された領域の一部を封止板３３の下面側（圧力室形成基板２９側）から見た平面図である。また、図４は、図３におけるＡ−Ａ断面図、図５は、図３におけるＢ−Ｂ断面図である。
図３等に示すように、個別端子４１に接続されるバンプ電極３７の樹脂部３８は、封止板３３の表面においてノズル列方向に沿って突条に形成されている。本実施形態における樹脂部３８は、圧電素子３２の列の外側において２列に形成された感光性接着剤４３の間に配置されている。また、図４及び図５に示すように、樹脂部３８は、断面においてその表面が円弧状に形成されている。さらに、図３及び図４に示すように、樹脂部３８のうち個別端子４１に対応する部分の表面には、導電層３９が積層されている。導電層３９は、個別端子４１に対応して、ノズル列方向に間隔を空けて複数形成されている。このため、樹脂部３８には、導電層３９に覆われた被覆部５１（本発明における第１の部分に相当）と、導電層３９から外れて覆われず、導電層３９から露出した露出部５２（本発明における第２の部分に相当）とが、ノズル列方向に沿って交互に形成される。各導電層３９は、樹脂部３８と重なる領域からその外側の貫通配線４５に対応する領域まで引き回されている。本実施形態においては、隣り合うバンプ電極３７の導電層３９が異なる方向に引き出されている。すなわち、樹脂部３８と重なる領域から一側に引き出される導電層３９と、樹脂部３８と重なる領域から他側に引き出される導電層３９とがノズル列方向に沿って交互に形成されている。なお、各導電層３９は、上記の構成に限られず、それぞれ同じ側に引き出された構成を採用することもできる。また、樹脂部３８としては、例えば、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等からなる弾性を有する樹脂が用いられる。さらに、導電層３９としては、例えば、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、又は、これらの合金等からなる金属が用いられる。
ここで、図３及び図５に示すように、樹脂部３８のうち導電層３９に覆われていない露出部５２は、ドライエッチングにより導電層３９に覆われた被覆部５１よりも小さく形成されている。すなわち、露出部５２の幅（樹脂部３８の延在方向（長さ方向）に直交する方向における寸法）ｗ２は、被覆部５１の幅ｗ１よりも狭く形成されている。換言すると、被覆部５１の幅ｗ１は、露出部５２の幅ｗ２よりも広く形成されている。また、露出部５２の高さ（封止板３３の表面から頂部までの寸法）ｈ２は、被覆部５１の高さｈ１よりも低く形成されている。換言すると、被覆部５１の高さｈ１は、露出部５２の高さｈ２よりも高く形成されている。このため、封止板３３の表面と交差する方向（高さ方向）において、被覆部５１と個別端子４１との距離ｄ１は、露出部５２と個別端子４１との距離ｄ２よりも短くなる。なお、被覆部５１において、導電層３９と個別端子４１とが接続されているため、被覆部５１と個別端子４１との距離ｄ１は、個別端子４１に当接した部分の導電層３９の厚さと同じになる。
また、図５に示すように、露出部５２のうち幅方向における両端部分には、封止板３３との間に隙間５５が形成されている。すなわち、封止板３３の樹脂部３８が形成（配置）された領域には、樹脂部３８が封止板３３と接触した第１の領域５３と、樹脂部３８が封止板３３と離間し、樹脂部３８と封止板３３との間に隙間５５が設けられた第２の領域５４と、が形成されている。本実施形態における第２の領域５４（すなわち、隙間５５）は、図３に示すように、露出部５２の幅方向における両端部分において、当該露出部５２の長さ方向（樹脂部３８の延在方向）の全体に亘って形成されている。そして、樹脂部３８と封止板３３とが接触している第１の領域５３は、幅方向における両側の第２の領域５４に挟まれた領域に形成されている。換言すると、封止板３３の圧力室形成基板２９側の面内において、第２の領域５４は第１の領域５３の外側に形成されている。なお、本実施形態における隙間５５は、被覆部５１が形成された領域には形成されていない。このため、被覆部５１が形成された領域の全体が第１の領域５３となる。要するに、本実施形態における第２の領域５４は、被覆部５１と被覆部５１との間に対応する領域、換言すると、導電層３９の間に対応する領域に形成されている。なお、このような樹脂部３８を有するバンプ電極３７の形成方法は、後で詳しく説明する。
このように、露出部５２の幅方向における外側の部分が封止板３３と離間しているため、露出部５２をエッチングにより小さくしたとしても、封止板３３に残渣が残ることを抑制できる。すなわち、エッチングにより、封止板３３上から樹脂が除去された部分に残渣が残ることを抑制できる。これにより、残渣による導電層３９間のマイグレーションを抑制できる。その結果、導電層３９間における絶縁信頼性の低下を抑制でき、アクチュエーターユニット１４の信頼性の低下を抑制できる。また、記録ヘッド３の信頼性の低下を抑制でき、ひいてはプリンター１の信頼性の低下を抑制できる。さらに、封止板３３上において、樹脂部３８の表面を経由した導電層３９とこれに隣り合う導電層３９との間の経路が長くなり、当該樹脂部３８の表面を経由したマイグレーションを抑制できる。
また、被覆部５１の高さｈ１が露出部５２の高さｈ２よりも高くなるように形成されたので、換言すると、被覆部５１と個別端子４１との距離ｄ１が露出部５２と個別端子４１との距離ｄ２よりも短くなるように形成されたので、樹脂部３８の表面を経由した導電層３９とこれに隣り合う導電層３９との間の経路が長くなり、当該樹脂部３８の表面を経由したマイグレーションを抑制できる。また、導電層３９とこれに対応する個別端子４１等とを接合する際に、封止板３３と圧力室形成基板２９との間に加える圧力を低減できる。さらに、導電層３９と個別端子４１とを接合した状態において、樹脂部３８の弾性復元力を小さくすることができる。その結果、封止板３３又は圧力室形成基板２９の破損等を抑制できる。さらに、導電層３９以外の部分（すなわち、露出部５２）が第２の電極に接触することを抑制できる。これにより、導電層３９と個別端子４１とをより確実に接続することができる。そして、本実施形態では、第２の領域５４が２つの導電層３９の間に対応する領域に形成されたので、導電層３９間におけるマイグレーションをより確実に抑制できる。
次に、記録ヘッドの製造法、特に、バンプ電極３７の形成方法について詳しく説明する。図６、図８、図１０及び図１２は、バンプ電極３７の形成方法を説明する樹脂部３８の延在方向に直交する方向における封止板３３となる基板（以下、単に封止板３３と称する。）の断面の状態遷移図である。図７、図９、図１１及び図１３は、バンプ電極３７の形成方法を説明する樹脂部３８の延在方向における封止板３３の断面の状態遷移図である。なお、図６〜図１３においては、封止板３３の圧力室形成基板２９と対向する側の面（図２、図４における下面）を上面として表わしている。また、後述する他の実施形態を示す図１４、図１５、図２０〜図２７においても同様である。
まず、図６及び図７に示すように、樹脂部形成工程において、貫通配線４５等が形成された封止板３３の表面に樹脂部３８を形成する。具体的には、例えば、封止板３３の表面に樹脂層を製膜し、フォトリソグラフィー工程等を経て、所定の位置に樹脂層を形成する。すなわち、ノズル列方向に沿って延在した、断面が矩形状の樹脂層を形成する。このような樹脂層を形成したならば、封止板３３を加熱する。この熱により樹脂層の粘度が低くなり、その角がだれる。その後、封止板３３を冷却することで、樹脂層を固化する。その結果、図６に示すように、表面が円弧状となった樹脂部３８が形成される。
次に、導電層形成工程（本発明における第１の電極形成工程に相当）において、樹脂部３８の上に導電層３９を形成する。具体的には、まず、封止板３３の樹脂部３８が形成された側の面の全面に金属層を製膜する。このとき、樹脂部３８の表面も金属層に覆われる。その後、金属層上にレジスト層を形成し、フォトリソグラフィー工程及びエッチング工程等を経て、所定の位置に導電層３９を形成する。すなわち、図８及び図９に示すように、封止板３３の表面及び樹脂部３８の表面に導電層３９を形成する。これにより、樹脂部３８には、導電層３９に覆われた被覆部５１と導電層３９に覆われていない露出部５２とが形成される。
樹脂部３８上に導電層３９を形成したならば、ウェットエッチングにより樹脂部３８の一部を除去するウェットエッチング工程に移行する。具体的には、ウェットエッチング工程において、樹脂部３８を除去可能なエッチング溶液に封止板３３の全面を曝す。この際、導電層３９は、エッチング溶液に対するマスクとして機能する。このため、樹脂部３８のうち、被覆部５１はほとんどエッチングされず、主に露出部５２がエッチングされることになる。すなわち、図１０及び図１１に示すように、露出部５２の表面部分（円弧部分）がエッチングされて、当該露出部５２の外形が被覆部５１の外形よりも僅かに小さくなる。また、露出部５２のうち封止板３３との界面において、エッチング溶液が外側から内側に向けて進行する。これにより、露出部５２のうち封止板３３との界面に位置する部分の一部がエッチングされ、この部分に隙間５５が形成される。なお、露出部５２と封止板３３との界面が完全に剥離しないように、エッチング時間（封止板３３をエッチング溶液に曝す時間）を調整する。これにより、樹脂部３８の幅方向における中央部分に封止板３３と接触している部分を残しつつ、露出部５２の幅方向における両端部分に隙間５５を形成することができる。すなわち、封止板３３の樹脂部３８が形成された領域に、樹脂部３８が封止板３３と接触している第１の領域５３と、樹脂部３８が封止板３３と離間している第２の領域５４と、が形成される。
ウェットエッチング工程の後、ドライエッチングにより樹脂部３８の一部を除去するドライエッチング工程に移行する。これにより、露出部５２の一部がエッチングされ、封止板３３に上記したバンプ電極３７が形成されることになる。具体的には、導電層３９をマスクとして、ドライエッチングを行い、露出部５２の表面の一部を除去する。これにより、露出部５２の表面部分が更にエッチングされて、当該露出部５２の外形が被覆部５１の外形よりも一回り小さくなる。すなわち、露出部５２の封止板３３の表面からの高さが、被覆部５１の封止板３３の表面からの高さよりも低くなると共に、露出部５２の幅が被覆部５１の幅よりも狭くなる。このように露出部５２を幅方向に小さくなるようにエッチングしたとしても、上記のウェットエッチング工程で予め封止板３３の第２の領域５４における樹脂部３８を除去しているため、封止板３３上に残渣が残ることを抑制できる。また、ドライエッチングにより樹脂部３８が変質する虞がある場合でも、ドライエッチング工程より前に封止板３３の第２の領域５４における樹脂部３８を除去しているため、変質した樹脂部３８が残渣として残ることを抑制できる。その結果、残渣による導電層３９間のマイグレーションを抑制できる。なお、本実施形態では、樹脂部３８の幅方向において、ドライエッチングにより除去される領域は、ドライエッチング工程前（ドライエッチングされていない状態）における第２の領域５４よりも小さくなっている。このため、ドライエッチング工程後においても、第２の領域５４（すなわち、封止板３３と露出部５２との間の隙間５５）は、露出部５２の幅方向における両端部に残った状態となる。
そして、上記のように、封止板３３にバンプ電極３７を形成したならば、当該封止板３３を振動板３１、圧電素子３２等が形成された圧力室形成基板２９となる基板（以下、単に圧力室形成基板２９と称する。）と接合する。例えば、封止板３３又は圧力室形成基板２９の何れか一方に感光性接着剤４３を形成する。この状態で、バンプ電極３７の弾性復元力に抗して、圧力室形成基板２９と封止板３３とを接合方向に加圧し、且つ加熱することで、感光性接着剤４３を硬化させる。これにより、圧力室形成基板２９と封止板３３とが接合され、両基板からなる接合構造体が作成される。その後、圧力室形成基板２９をＣＭＰ（化学機械研磨）法等を用いた研削により薄くした後、エッチングにより圧力室３０を形成する。また、封止板３３に駆動ＩＣ３４を接合する。これにより、アクチュエーターユニット１４が作成される。
アクチュエーターユニット１４を作製したならば、アクチュエーターユニット１４と流路ユニット１５とを接合する。そして、アクチュエーターユニット１４が接合された流路ユニット１５をヘッドケース１６の下面に接合することで、収容空間１７内にアクチュエーターユニット１４が収容され、記録ヘッド３が作成される。
なお、上記のバンプ電極３７の形成方法では、ウェットエッチング工程の後にドライエッチング工程へと移行したが、これには限られない。例えば、図１４〜図１７に示すバンプ電極３７の他の形成方法では、ドライエッチング工程の後にウェットエッチング工程へと移行する。ここで、図１４及び図１６は、バンプ電極３７の他の形成方法を説明する樹脂部３８の延在方向に直交する方向における封止板３３の断面の状態遷移図である。また、図１５及び図１７は、バンプ電極３７の他の形成方法を説明する樹脂部３８の延在方向における封止板３３の断面の状態遷移図である。なお、本形成方法においても、樹脂部３８上へ導電層３９を形成する方法（すなわち、導電層形成工程まで）は、上記したバンプ電極３７の形成方法と同じであるため説明を省略する。
本形成方法においては、導電層形成工程の後、ドライエッチングにより樹脂部３８の一部を除去するドライエッチング工程に移行する。すなわち、導電層３９をマスクとして、ドライエッチングを行い、露出部５２の表面の一部を除去する。これにより、図１４及び図１５に示すように、露出部５２の表面部分がエッチングされて、当該露出部５２の外形が被覆部５１の外形よりも一回り小さくなる。すなわち、露出部５２の封止板３３の表面からの高さが、被覆部５１の封止板３３の表面からの高さよりも低くなると共に、露出部５２の幅が被覆部５１の幅よりも狭くなる。
次に、ウェットエッチング工程に移行する。すなわち、封止板３３の全面をエッチング溶液に曝す。本形成方法でも、導電層３９がマスクとして機能するため、樹脂部３８のうち、被覆部５１はほとんどエッチングされず、主に露出部５２がエッチングされる。これにより、図１６及び図１７に示すように、露出部５２の表面部分が更にエッチングされて、当該露出部５２の外形が被覆部５１の外形よりも更に小さくなる。また、露出部５２と封止板３３との界面において、エッチング溶液が外側から内側に進行し、樹脂部３８の幅方向における中央部分に封止板３３と接触している部分（すなわち、第１の領域５３）を残しつつ、露出部５２の幅方向における両端部分に隙間５５（すなわち、第２の領域５４）を形成する。これにより、上記した形成方法と同様の形状のバンプ電極３７が作成される。なお、その後の記録ヘッド３の作製方法は、上記した方法と同じであるため、説明を省略する。
そして、本形成方法では、ドライエッチング工程の後にウェットエッチング工程を行ったので、ドライエッチング工程の後において封止板３３の表面における露出部５２の除去された部分に残渣が残ったとしても、その後のウェットエッチング工程で残渣を除去することができる。これにより、残渣が残ることをより確実に抑制できる。その結果、本形成方法でも残渣による導電層３９間のマイグレーションを抑制できる。
ところで、上記した第１の実施形態では、第２の領域５４が封止板３３の露出部５２が形成された領域にのみ形成され、封止板３３の被覆部５１が形成された領域には形成されていなかったが、これには限られない。例えば、図１８及び図１９に示す第２の実施形態では、封止板３３の被覆部５１が形成された領域にも第２の領域５４が形成されている。なお、図１８は、第２の実施形態における封止板３３を下面側（圧力室形成基板２９側）から見た平面図である。また、図１９は、図１８におけるＣ−Ｃ断面図である。
具体的に説明すると、図１８及び図１９に示すように、本実施形態における封止板３３の被覆部５１が形成された領域には、被覆部５１の幅方向における両端部分に樹脂部３８が封止板３３と離間し、樹脂部３８と封止板３３との間に隙間５５が設けられた第２の領域５４が形成されている。そして、この第２の領域５４の間に、樹脂部３８が封止板３３と接触している第１の領域５３が形成されている。すなわち、図１９に示すように、封止板３３の被覆部５１が形成された領域において、第２の領域５４は第１の領域５３の外側に形成されている。また、本実施形態における第２の領域５４（すなわち、隙間５５）は、上記した第１の実施形態と同様に、封止板３３の露出部５２が形成された領域にも形成されている。要するに、本実施形態における第２の領域５４は、樹脂部３８の幅方向の両端部において、樹脂部３８の延在方向の略全体に亘って形成されている。さらに、本実施形態においては、樹脂部３８の延在方向における両端部分にも第２の領域５４が形成されている。すなわち、本実施形態における第２の領域５４は、図１８に示すように、樹脂部３８が形成された領域の外周部に形成されている。換言すると、第２の領域５４は、第１の領域５３の周囲に形成されている。なお、その他の構成は上記した第１の実施形態と同じであるため、説明を省略する。
このように、露出部５２を含む樹脂部３８が形成された領域の外周部に第２の領域５４を設けたので、樹脂部３８のエッチングにより封止板３３に残渣が残ることを一層抑制できる。これにより、導電層３９間におけるマイグレーションを抑制できる。また、封止板３３の表面において、隙間５５により導電層３９と樹脂部３８とを離間できるため、樹脂部３８を介したマイグレーションを一層抑制できる。
次に、本実施形態におけるバンプ電極３７の形成方法について詳しく説明する。図２０、図２２、図２４及び図２６は、本実施形態におけるバンプ電極３７の形成方法を説明する樹脂部３８の延在方向に直交する方向における封止板３３の断面の状態遷移図である。図２１、図２３、図２５及び図２７は、本実施形態におけるバンプ電極３７の形成方法を説明する樹脂部３８の延在方向における封止板３３の断面の状態遷移図である。
まず、第１の実施形態と同様に、樹脂部形成工程において、貫通配線４５等が形成された封止板３３の表面に樹脂部３８を形成する（図２０及び図２１参照）。次に、ウェットエッチング工程において、樹脂部３８の外周部において、当該樹脂部３８と封止板３３との間に隙間５５を形成する。すなわち、ウェットエッチング工程において、樹脂部３８を除去可能なエッチング溶液に封止板３３の全面を曝す。これにより、図２２及び図２３に示すように、樹脂部３８の表面部分がエッチングされて、樹脂部３８の外形が僅かに小さくなる。また、樹脂部３８と封止板３３との界面において、エッチング溶液が樹脂部３８の外周部分から内側に向けて進行する。このため、樹脂部３８のうち封止板３３との界面に位置する部分の外周部がエッチングされ、この部分に隙間５５が形成される。その結果、樹脂部３８の中央部分に封止板３３と接触している部分が残り、樹脂部３８の外周部に隙間５５が形成される。すなわち、封止板３３の樹脂部３８が形成された領域の中央部に第１の領域５３が形成され、この第１の領域５３の周囲に第２の領域５４が形成される。
その後、導電層形成工程（本発明における第１の電極形成工程に相当）において、樹脂部３８の上に導電層３９を形成する。具体的には、まず、封止板３３の樹脂部３８が形成された側の面の全面に金属層を製膜する。このとき、樹脂部３８の表面及び隙間５５の開口部も金属層に覆われる。その後、金属層上にレジスト層を形成し、フォトリソグラフィー工程及びエッチング工程等を経て、所定の位置に導電層３９を形成する。すなわち、図２４及び図２５に示すように、封止板３３の表面及び樹脂部３８の表面に導電層３９を形成する。これにより、樹脂部３８には、導電層３９に覆われた被覆部５１と導電層３９に覆われていない露出部５２とが形成される。なお、被覆部５１における隙間５５は、導電層３９に覆われた状態となる。
樹脂部３８上に導電層３９を形成したならば、ドライエッチングにより樹脂部３８の一部を除去するドライエッチング工程に移行する。これにより、露出部５２の一部がエッチングされ、封止板３３に本実施形態におけるバンプ電極３７が形成されることになる。具体的には、第１の実施形態と同様に、導電層３９をマスクとして、ドライエッチングを行い、露出部５２の表面の一部を除去する。これにより、図２６及び図２７に示すように、露出部５２の表面部分が更にエッチングされて、当該露出部５２の外形が被覆部５１の外形よりも一回り小さくなる。すなわち、露出部５２の封止板３３の表面からの高さが、被覆部５１の封止板３３の表面からの高さよりも低くなると共に、露出部５２の幅が被覆部５１の幅よりも狭くなる。このように露出部５２を幅方向に小さくなるようにエッチングしたとしても、上記のウェットエッチング工程で予め封止板３３の第２の領域５４における樹脂部３８を除去しているため、封止板３３上に残渣が残ることを抑制できる。また、ドライエッチングにより樹脂部３８が変質する虞がある場合でも、ドライエッチング工程より前に封止板３３の第２の領域５４における樹脂部３８を除去しているため、変質した樹脂部３８が残渣として残ることを抑制できる。その結果、残渣による導電層３９間のマイグレーションを抑制できる。なお、その後の記録ヘッド３の作製方法は、上記した第１の実施形態と同じであるため、説明を省略する。
なお、以上においては、バンプ電極３７の形状及び形成方法として、個別端子４１に接続されるバンプ電極３７に注目して説明したが、共通端子４２等のその他の端子に接続されるバンプ電極３７も同様の形状及び形成方法であるため、説明を省略する。なお、個別端子に接続されるバンプ電極とその他のバンプ電極とを異なる形状にすることもできる。また、上記した各実施形態においては、封止板３３上に駆動ＩＣ３４を設けた記録ヘッド３を例示したが、これには限られない。例えば、封止板上に駆動ＩＣを設けず、封止板自体に駆動回路を形成した構成を採用することもできる。さらに、上記した各実施形態においては、封止板にバンプ電極を形成したが、これには限られない。例えば、圧力室形成基板にバンプ電極を形成し、封止板側の端子に当該バンプ電極を当接する構成を採用することもできる。この場合、圧力室形成基板の上面（すなわち、封止板側の面）が本発明における一の面に相当する。
そして、以上においては、液体噴射ヘッドとしてインクジェット式記録ヘッド３を例に挙げて説明したが、本発明は、その他の液体噴射ヘッドにも適用することができる。例えば、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイ、ＦＥＤ（面発光ディスプレイ）等の電極形成に用いられる電極材噴射ヘッド、バイオチップ（生物化学素子）の製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等にも本発明を適用することができる。ディスプレイ製造装置用の色材噴射ヘッドでは液体の一種としてＲ（Red）・Ｇ（Green）・Ｂ（Blue）の各色材の溶液を噴射する。また、電極形成装置用の電極材噴射ヘッドでは液体の一種として液状の電極材料を噴射し、チップ製造装置用の生体有機物噴射ヘッドでは液体の一種として生体有機物の溶液を噴射する。
また、以上においては、本発明にかかる接合構造体として、記録ヘッド３のアクチュエーターユニット１４を構成する接合構造体を例示したが、これには限られない。一の面から突出した樹脂部、及び、樹脂部の表面の覆う導電層が形成された第１の基板と、第１の電極に対応する第２の電極が形成された第２の基板と、が接合された接合構造体であれば本発明を適用できる。また、このような接合構造体を備えた圧電デバイスであれば本発明を適用できる。例えば、駆動領域に圧電素子を備え、駆動領域の圧力変化、振動、あるいは変位等を検出するセンサー等にも本発明を適用することができる。
１…プリンター，２…記録媒体，３…記録ヘッド，４…キャリッジ，５…キャリッジ移動機構，６…搬送機構，７…インクカートリッジ，８…タイミングベルト，９…パルスモーター，１０…ガイドロッド，１４…アクチュエーターユニット，１５…流路ユニット，１６…ヘッドケース，１７…収容空間，１８…液体導入路，２１…ノズルプレート，２２…ノズル，２４…連通基板，２５…共通液室，２６…個別連通路，２７…ノズル連通路，２９…圧力室形成基板，３０…圧力室，３１…振動板，３２…圧電素子，３３…封止板，３４…駆動ＩＣ，３５…駆動領域，３６…非駆動領域，３７…バンプ電極，３８…樹脂部，３９…導電層，４１…個別端子，４２…共通端子，４３…感光性接着剤，４５…貫通配線，４６…上面側配線，４７…ＩＣ端子，４８…接着剤，５１…被覆部，５２…露出部，５３…第１の領域，５４…第２の領域，５５…隙間，９０…基板，９１…バンプ電極，９２…樹脂部，９３…電極，９４…配線，９５…残渣

Claims (11)

  1. 一の面から突出した樹脂からなる樹脂部、及び、前記樹脂部の前記一の面側とは反対側の表面の一部を覆う複数の第１の電極が形成された第１の基板と、
    前記複数の第１の電極に対応する複数の第２の電極が前記一の面に対向する面に形成された第２の基板と、を有し、
    前記第１の基板と前記第２の基板とが、対応する前記第１の電極と前記第２の電極とを導通させた状態で接合された接合構造体であって、
    前記第１の基板の前記一の面において前記樹脂部が配置される領域は、前記樹脂部が前記一の面と接触している第１の領域と、前記樹脂部が前記一の面と離間している第２の領域と、を有し、
    前記一の面内において、前記第２の領域は前記第１の領域の外側に形成されたことを特徴とする接合構造体。
  2. 前記樹脂部は、前記第１の電極に覆われた第１の部分と、前記第１部分と隣り合う第２の部分と、を有し、
    前記第１の部分の前記一の面からの高さは、前記第２の部分の前記一の面からの高さよりも高いことを特徴とする請求項１に記載の接合構造体。
  3. 前記樹脂部は、前記第１の電極に覆われた第１の部分と、前記第１部分と隣り合う第２の部分と、を有し、
    前記一の面と交差する方向において、前記第１の部分と前記第２の電極との距離は、前記第２の部分と前記第２の電極との距離よりも短いことを特徴とする請求項１に記載の接合構造体。
  4. 前記第２の領域は、２つの第１の電極の間に対応する領域に形成されたことを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載の接合構造体。
  5. 前記第２の領域は、前記第１の領域の周囲に形成されたことを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載の接合構造体。
  6. 請求項１から請求項５の何れか一項に記載の接合構造体と、前記第１の基板又は前記第２の基板の何れか一方に積層された圧電素子と、を備えたことを特徴とする圧電デバイス。
  7. 請求項６に記載の圧電デバイスと、前記圧電素子の駆動により液体が噴射されるノズルと、を備えたことを特徴とする液体噴射ヘッド。
  8. 請求項７に記載の液体噴射ヘッドを備えたことを特徴とする液体噴射装置。
  9. 一の面から突出した樹脂からなる樹脂部、及び、前記樹脂部の前記一の面側とは反対側の表面の一部を覆う複数の第１の電極が形成された第１の基板と、
    前記複数の第１の電極に対応する複数の第２の電極が前記一の面に対向する面に形成された第２の基板と、を有し、
    前記第１の基板と前記第２の基板とが、対応する前記第１の電極と前記第２の電極とを導通させた状態で接合された接合構造体の製造方法であって、
    前記一の面に樹脂部を形成する樹脂部形成工程と、
    前記樹脂部を覆う前記第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、
    前記第１の電極が形成された状態で、ウェットエッチングにより前記樹脂部の一部を除去し、前記樹脂部の少なくとも一部に前記一の面と接触している部分を残して前記樹脂部と前記一の面との間に隙間を形成するウェットエッチング工程と、
    前記ウェットエッチング工程の後、ドライエッチングにより前記樹脂部の一部を除去するドライエッチング工程と、
    を含むことを特徴とする接合構造体の製造方法。
  10. 一の面から突出した樹脂からなる樹脂部、及び、前記樹脂部の前記一の面側とは反対側の表面の一部を覆う複数の第１の電極が形成された第１の基板と、
    前記複数の第１の電極に対応する複数の第２の電極が前記一の面に対向する面に形成された第２の基板と、を有し、
    前記第１の基板と前記第２の基板とが、対応する前記第１の電極と前記第２の電極とを導通させた状態で接合された接合構造体の製造方法であって、
    前記一の面に樹脂部を形成する樹脂部形成工程と、
    前記樹脂部を覆う前記第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、
    前記第１の電極が形成された状態で、ドライエッチングにより前記樹脂部の一部を除去するドライエッチング工程と、
    前記ドライエッチング工程の後、ウェットエッチングにより前記樹脂部の一部を除去し、前記樹脂部の少なくとも一部に前記一の面と接触している部分を残して前記樹脂部と前記一の面との間に隙間を形成するウェットエッチング工程と、
    を含むことを特徴とする接合構造体の製造方法。
  11. 一の面から突出した樹脂からなる樹脂部、及び、前記樹脂部の前記一の面側とは反対側の表面の一部を覆う複数の第１の電極が形成された第１の基板と、
    前記複数の第１の電極に対応する複数の第２の電極が前記一の面に対向する面に形成された第２の基板と、を有し、
    前記第１の基板と前記第２の基板とが、対応する前記第１の電極と前記第２の電極とを導通させた状態で接合された接合構造体の製造方法であって、
    前記一の面に樹脂部を形成する樹脂部形成工程と、
    ウェットエッチングにより前記樹脂部の一部を除去し、前記樹脂部の少なくとも一部に前記一の面と接触している部分を残して前記樹脂部と前記一の面との間に隙間を形成するウェットエッチング工程と、
    前記ウェットエッチング工程の後、前記樹脂部を覆う前記第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、
    前記第１の電極が形成された状態で、ドライエッチングにより前記樹脂部の一部を除去するドライエッチング工程と、
    を含むことを特徴とする接合構造体の製造方法。

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