JP6393130B2 - 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び液体噴射ヘッドの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、被記録媒体に液滴を噴射して記録する液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び液体噴射ヘッドの製造方法に関する。

近年、記録紙等にインク滴を吐出して文字や図形を記録する、或いは素子基板の表面に液体材料を吐出して機能性薄膜を形成するインクジェット方式の液体噴射ヘッドが利用されている。この方式は、インクや液体材料などの液体を液体タンクから供給管を介して液体噴射ヘッドのチャンネルに供給し、チャンネルの液体に圧力を印加してチャンネルに連通するノズルから液滴として吐出する。液滴の吐出の際には、液体噴射ヘッドや被記録媒体を移動させて文字や図形を記録する、或いは所定形状の機能性薄膜や三次元構造を形成する。

この種の液体噴射ヘッドとしてシアモードタイプが知られている。シアモードタイプは圧電体基板の表面に吐出チャンネルとダミーチャンネルを交互に形成し、吐出チャンネルとダミーチャンネルの間の隔壁を瞬間的に変形させて吐出チャンネルに連通するノズルから液滴を吐出する。近年、液体噴射ヘッドは高品質の印字が要求され、吐出する液滴の体積は数ピコリットルと小さくなっている。このような微細な液滴を安定して吐出するために、チャンネル間の液滴量のばらつきや吐出速度のばらつきを低減させる努力がなされている。

例えば、特許文献１にはシアモードタイプの液体噴射ヘッドが記載される。図１７は特許文献１に記載される液体噴射ヘッド１００の斜視図である。図１８は液体噴射ヘッド１００の特徴を説明するための図である。図１８（ａ）はチャンネル壁１０３の左右の上端からの電極１０５の深さを示す図であり、図１８（ｂ）は印加電圧を示す図である。液体噴射ヘッド１００は、チャンネル１０４ごとにチャンネル壁１０３を駆動するための電極１０５の深さが異なり、これに伴って液滴の吐出ばらつきが発生する。そこで、各チャンネル１０４の電極１０５の深さに応じて印加する印加電圧を変化させて、この液滴の吐出ばらつきを低減させることが記載される。

特開２００１−３３４６５７号公報

特許文献１では、チャンネル壁１０３の電極１０５に印加する印加電圧を、チャンネル壁１０３の位置に応じて連続的に変化させる。そのため、駆動電圧の電位レベルが多数必要となり駆動回路が複雑になる。また、チャンネル壁１０３に斜め蒸着法により電極１０５を形成する際に、ベース部材１０１のサイズに対して蒸着源からの距離を十分大きくとることのできる成膜装置を用いれば、電極１０５の深さも均一化される。しかし、ノズル数の増加に伴ってベース部材１０１のサイズが大きくなり、そのため成膜室を十分大きくする必要がある。また、蒸着電源に複雑な構成が要求される。その結果、成膜装置が高価となり製造コストが高くなる。

本発明の液体噴射ヘッドは、隔壁を挟んで交互に配列してチャンネル列を構成する吐出チャンネル及びダミーチャンネルと、前記隔壁の側面であり前記隔壁の上端から深さ方向に位置する駆動電極と、を備え、前記吐出チャンネルの対向する側面に位置する２つの前記駆動電極の平均深さＴｍｃは、前記吐出チャンネルに隣接する前記ダミーチャンネルの対向する側面に位置する２つの前記駆動電極の平均深さＴｍｄとは異なり、前記平均深さＴｍｃと前記平均深さＴｍｄは、式（２）の関係を満たし、前記吐出チャンネルの溝幅は前記ダミーチャンネルの溝幅よりも狭いこととした。
Ｔｍｃ＜Ｔｍｄ・・・（２）

また、 前記平均深さＴｍｃと前記平均深さＴｍｄは、式（１）の関係を満たすこととした。
Ｔｍｃ＞Ｔｍｄ・・・（１）

また、前記吐出チャンネルの溝幅は前記ダミーチャンネルの溝幅よりも広いこととした。

また、前記式（１）の関係は、前記吐出チャンネルと前記吐出チャンネルの両側に隣接する前記ダミーチャンネルとの間において満たされることとした。

また、前記式（１）の関係は、前記チャンネル列の両端側に位置する前記吐出チャンネルと前記ダミーチャンネルとの間において満たされることとした。

また、 前記式（１）の関係は、前記チャンネル列の隣接する全ての前記吐出チャンネルと前記ダミーチャンネルの間において満たされることとした。

また、前記式（２）の関係は、前記吐出チャンネルと前記吐出チャンネルの両側に隣接する前記ダミーチャンネルとの間において満たされることとした。

また、前記式（２）の関係は、前記チャンネル列の両端側に位置する前記吐出チャンネルと前記ダミーチャンネルとの間において満たされることとした。

また、前記式（２）の関係は、前記チャンネル列の隣接する全ての前記吐出チャンネルと前記ダミーチャンネルの間において満たされることとした。

また、前記ダミーチャンネルの一方の側面に備える前記駆動電極の深さは、前記ダミーチャンネルが前記チャンネル列の一方端から他方端に位置するに従い漸次深くなり、前記ダミーチャンネルの他方の側面に備える前記駆動電極の深さは、前記ダミーチャンネルが前記チャンネル列の一方端から他方端に位置するに従い漸次浅くなることとした。

また、前記吐出チャンネルの一方の側面に備える前記駆動電極の深さは、前記吐出チャンネルが前記チャンネル列の一方端から他方端に位置するに従い漸次深くなり、前記吐出チャンネルの他方の側面に備える前記駆動電極の深さは、前記吐出チャンネルが前記チャンネル列の一方端から他方端に位置するに従い漸次浅くなることとした。

本発明の液体噴射装置は、上記いずれかに記載の液体噴射ヘッドと、前記液体噴射ヘッドと被記録媒体とを相対的に移動させる移動機構と、前記液体噴射ヘッドに液体を供給する液体供給管と、前記液体供給管に前記液体を供給する液体タンクと、を備えることとした。

本発明の液体噴射ヘッドの製造方法は、アクチュエータ基板の表面に吐出溝と非吐出溝が交互に配列する溝列を形成する溝形成工程と、前記アクチュエータ基板の表面と、前記吐出溝及び前記非吐出溝の側面に斜め蒸着法により電極材料を堆積する第一の電極材料堆積工程と、前記非吐出溝又は前記吐出溝のいずれか一方を遮蔽するマスクを設置し、前記アクチュエータ基板の表面と、前記吐出溝又は前記非吐出溝の側面に斜め蒸着法により電極材料を堆積する第二の電極材料堆積工程と、を備え、前記第二の電極材料堆積工程における前記アクチュエータ基板の表面の法線に対する前記電極材料の入射角は、前記第一の電極材料堆積工程における前記アクチュエータ基板の表面の法線に対する前記電極材料の入射角よりも小さいこととした。

本発明の液体噴射ヘッドの製造方法は、アクチュエータ基板の表面に吐出溝と前記吐出溝とは溝幅が異なる非吐出溝が交互に配列する溝列を形成する溝形成工程と、前記アクチュエータ基板の表面と、前記吐出溝及び前記非吐出溝の側面に斜め蒸着法により電極材料を堆積する電極材料堆積工程と、を備えることとした。

本発明の液体噴射ヘッドの製造方法は、アクチュエータ基板の表面に樹脂膜のパターンを形成する樹脂膜パターン形成工程と、前記アクチュエータ基板の表面に吐出溝と非吐出溝が交互に配列する溝列を形成する溝形成工程と、前記アクチュエータ基板の表面と、前記吐出溝及び前記非吐出溝の側面に斜め蒸着法により電極材料を堆積する電極材料堆積工程と、を備え、前記樹脂膜パターン形成工程は、前記吐出溝と前記非吐出溝の間の隔壁領域のうち、前記非吐出溝又は前記吐出溝のいずれか一方の側に前記樹脂膜を残し、他方の側から前記樹脂膜を除去することとした。

また、前記溝形成工程は、前記吐出溝を前記アクチュエータ基板の一方端から他方端の手前まで形成する工程であり、前記アクチュエータ基板の表面にカバープレートを接合するカバープレート接合工程と、前記アクチュエータ基板の端面にノズルプレートを接着するノズルプレート接着工程と、を更に備えることとした。

また、前記アクチュエータ基板の裏面にカバープレートを接合するカバープレート接合工程と、前記アクチュエータ基板の表面にノズルプレートを接着するノズルプレート接着工程と、を更に備え前記溝形成工程は、前記アクチュエータ基板に前記吐出溝を形成する吐出溝形成工程と、前記アクチュエータ基板に前記非吐出溝を形成する非吐出溝形成工程を含み、前記吐出溝形成工程の後に前記カバープレート接合工程を行い、前記樹脂膜パターン形成工程の後に前記非吐出溝形成工程を行うこととした。

また、前記樹脂膜パターン形成工程は、前記隔壁領域のうち、前記非吐出溝の側に前記樹脂膜を残し、前記吐出溝の側から前記樹脂膜を除去することとした。

また、前記アクチュエータ基板の表面から前記樹脂膜を除去して、前記吐出溝及び前記非吐出溝の側面に駆動電極を形成し、前記アクチュエータ基板の表面に、前記吐出溝の両側面に位置する前記駆動電極と電気的に接続する共通端子と、前記吐出溝を挟む２つの前記非吐出溝の前記吐出溝の側の側面に位置する前記駆動電極と電気的に接続する個別端子とを形成する樹脂膜除去工程を、更に含むこととした。

本発明による液体噴射ヘッドは、隔壁を挟んで交互に配列してチャンネル列を構成する吐出チャンネル及びダミーチャンネルと、隔壁の側面であり隔壁の上端から深さ方向に位置する駆動電極と、を備え、吐出チャンネルの対向する側面に位置する２つの駆動電極の平均深さＴｍｃは、吐出チャンネルに隣接するダミーチャンネルの対向する側面に位置する２つの駆動電極の平均深さＴｍｄとは異なる。これにより、多数の電位レベルの駆動電圧を使用することなく吐出チャンネルの両隔壁の変位量のばらつきを低減させ、記録品質を向上させる。

本発明の第一実施形態に係る液体噴射ヘッドの説明図である。 図１（ｃ）に示す基板位置と電極深さの関係を表すグラフから、隔壁を挟む２つの駆動電極のうち、浅い駆動電極をプロットしたグラフである。 吐出チャンネルの基板位置と隔壁の最大変位の関係を表すグラフである。 吐出チャンネルの基板位置と隔壁の変位面積の関係を表すグラフである。 本発明の第二実施液体に係る液体噴射ヘッドの模式的な分解斜視図である。 本発明の第三実施形態に係る液体噴射ヘッドの説明図である。 本発明の第四実施形態に係る液体噴射ヘッドの製造方法の工程図である。 本発明の第四実施形態に係る液体噴射ヘッドの製造方法の説明図である。 本発明の第四実施形態に係る液体噴射ヘッドの製造方法の説明図である。 本発明の第五実施形態に係る液体噴射ヘッドの製造方法の工程図である。 本発明の第五実施形態に係る液体噴射ヘッドの製造方法の説明図である。 本発明の第六実施形態に係る液体噴射ヘッドの製造方法の工程図である。 本発明の第六実施形態に係る液体噴射ヘッドの製造方法の説明図である。 本発明の第六実施形態に係る液体噴射ヘッドの製造方法の説明図である。 本発明の第六実施形態に係る液体噴射ヘッドの製造方法の説明図である。 本発明の第七実施形態に係る液体噴射装置の模式的な斜視図である。 従来公知の液体噴射ヘッドの斜視図である。 従来公知の液体噴射ヘッドの説明図である。

＜液体噴射ヘッド＞
（第一実施形態）
図１は本発明の第一実施形態に係る液体噴射ヘッド１の説明図である。図１（ａ）は、吐出チャンネルＣを挟むダミーチャンネルＤの駆動電極６の説明図であり、図１（ｂ）は、液体噴射ヘッド１のチャンネル列ＣＲ方向の断面模式図であり、図１（ｃ）は、チャンネル（吐出チャンネルＣ又はダミーチャンネルＤ）の基板位置と駆動電極６の電極深さとの間の関係を表すグラフである。

図１（ｂ）に示すように、液体噴射ヘッド１は、隔壁３を挟んで交互に配列してチャンネル列ＣＲを構成する吐出チャンネルＣ及びダミーチャンネルＤと、隔壁３の側面であり隔壁３の上端から深さ方向に位置する駆動電極６とを備える。そして、図１（ａ）に示すように、吐出チャンネルＣの対向する側面に位置する２つの駆動電極６の深さＴｃ１、Ｔｃ２の平均深さＴｍｃ＝（Ｔｃ１＋Ｔｃ２）／２は、吐出チャンネルＣに隣接するダミーチャンネルＤの対向する側面に位置する２つの駆動電極６の深さＴｄ１、Ｔｄ２の平均深さＴｍｄ＝（Ｔｄ１＋Ｔｄ２）／２よりも深い。つまり、Ｔｍｃ＞Ｔｍｄ（式（１）と言う。以下において同じ）の関係を満たす。この吐出チャンネルＣの２つの駆動電極６の平均深さＴｍｃと、この吐出チャンネルＣに隣接するダミーチャンネルＤの２つの駆動電極６の平均深さＴｍｄとの間の関係は、吐出チャンネルＣとこの吐出チャンネルＣの両側に隣接するダミーチャンネルＤの間において満たされる。また、この吐出チャンネルＣの２つの駆動電極６の平均深さＴｍｃと、この吐出チャンネルＣに隣接するダミーチャンネルＤの２つの駆動電極６の平均深さＴｍｄとの間の関係は、チャンネル列ＣＲの隣接する全ての吐出チャンネルＣとダミーチャンネルＤの間において満たされる。これにより、多数の電位レベルの駆動電圧を使用することなく吐出チャンネルＣの両隔壁３の変位量のばらつきが低減し、記録品質を向上させることができる。

以下、具体的に説明する。吐出チャンネルＣは左右の隔壁３と上下の第一基板Ｐａ及び第二基板Ｐｂにより囲まれる。同様に、ダミーチャンネルＤは左右の隔壁３と上下の第一基板Ｐａ及び第二基板Ｐｂにより囲まれる。吐出チャンネルＣとダミーチャンネルＤは隣接して交互に配列し、チャンネル列ＣＲを構成する。隔壁３は圧電体材料、例えばチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）やチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ₃）からなるセラミックスを使用することができる。圧電体材料は、下方から上方に、又は上方から下方に一様に分極処理が施される。また、深さが略１／２で反対方向に分極処理が施される、所謂シェブロン型の圧電体材料を使用することができる。第一基板Ｐａ又は第二基板Ｐｂは隔壁３を構成する圧電体材料と同一の材料、或いは異なる材料を使用することができる。例えば、一枚の圧電体材料からなるアクチュエータ基板の表面をダイシングブレードにより研削加工して吐出チャンネルＣ用の吐出溝４とダミーチャンネルＤ用の非吐出溝５とを隔壁３を挟んで交互に形成し、底部にアクチュエータ基板を残し、これを第二基板Ｐｂとする。吐出チャンネルＣ及びダミーチャンネルＤは、紙面奥方向に所定の長さ、例えば３ｍｍ〜８ｍｍを有し、チャンネル列ＣＲ方向のチャンネル幅は２０μｍ〜１００μｍであり、チャンネル高さは１００μｍ〜４００μｍである。電極６は金属材料や半導体材料からなる導電材料を用い、斜め蒸着法により形成する。例えば、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｓｉ、Ｃ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｓｎ、Ｉｎ等を使用することができる。図１に示す吐出チャンネルＣとダミーチャンネルＤは、チャンネル列ＣＲ方向の幅が同じである。

駆動電極６は、後に詳しく説明するが、導電材料の斜め蒸着法により形成する。本実施形態では、隔壁３の上端面に第一基板Ｐａを接合する前に、隔壁３の上端面の法線に対して角度θ１の右斜め上方から導電材料の斜め蒸着（一回目の斜め蒸着）を行って、吐出チャンネルＣ及びダミーチャンネルＤの左側面に第一の駆動電極６ａを形成する。更に、隔壁３の上端面の法線に対して角度θ１の左斜め上方から導電材料の斜め蒸着（二回目の斜め蒸着）を行って、吐出チャンネルＣ及びダミーチャンネルＤの右側面に第二の駆動電極６ｂを形成する。次に、ダミーチャンネルＤの上部開口に遮蔽マスクを設置し、吐出チャンネルＣの上部開口には遮蔽マスクを設置しないで開口状態とする。そして、隔壁３の上端面の法線に対して角度θ１よりも小さい角度θ２の右斜め上方から導電材料の斜め蒸着（三回目の斜め蒸着）を行って、吐出チャンネルＣの左側面に第一の駆動電極６ａよりも深く第三の駆動電極６ｃを形成する。更に、隔壁３の上端面の法線に対して角度θ１よりも小さい角度θ２の左斜め上方から導電材料の斜め蒸着（四回目の斜め蒸着）を行って、吐出チャンネルＣの右側面に第二の駆動電極６ｂよりも深く第四の駆動電極６ｄを形成する。（角度θ１、θ２は図８を参照）

本実施形態では、吐出チャンネルＣ及びダミーチャンネルＤの深さが３００μｍであり、基板位置の中央（０ｍｍ）において、各チャンネルの一回目及び二回目の斜め蒸着法により形成する駆動電極６ａ、６ｂの電極深さが約１３０μｍであり、三回目及び４回目の斜め蒸着により形成する吐出チャンネルＣの駆動電極６ｃ、６ｄの電極深さが約１５０μｍである。なお、隔壁３の分極方向が上方又は下方に一様である場合は、隔壁３の両側面に形成する２つの駆動電極６のうち、電極深さの浅いほうの駆動電極６はチャンネルの深さの１／２を超えない深さとすることが好ましい。浅いほうの駆動電極６がチャンネルの深さの１／２を超えると、深さ１／２を超えた領域に印加される電界により隔壁３の変形が抑制され、液滴の吐出条件のばらつきの原因となる。

図１（ｃ）は、上記の４回の斜め蒸着により形成する駆動電極６の電極深さとチャンネルの基板位置との間の関係を表す。横軸が吐出チャンネルＣ又はダミーチャンネルＤの基板位置（単位ｍｍ）を表し、縦軸が駆動電極６の電極深さを表す。各グラフは、吐出チャンネルの第三の駆動電極６ｃの電極深さＴｃ１、吐出チャンネルの第四の駆動電極６ｄの電極深さＴｃ２、右ダミーチャンネルＤの第一の駆動電極６ａの電極深さＴｄ１、左ダミーチャンネルＤの第二の駆動電極６ｂの電極深さＴｄ２をそれぞれ表す。隔壁３の右側面に位置する第一及び第三の駆動電極６ａ、６ｃは、基板位置が左（−）から右（＋）に変化するにつれて電極深さが減少し、隔壁３の左側面に位置する第二及び第四の駆動電極６ｂ、６ｄは、基板位置が左（−）から右（＋）に変化するにつれて電極深さが増加する。

即ち、ダミーチャンネルＤの一方の側面に備える駆動電極６の深さは、ダミーチャンネルＤがチャンネル列ＣＲの一方端から他方端に位置するに従い漸次深くなり、ダミーチャンネルＤの他方の側面に備える駆動電極６の深さは、ダミーチャンネルＤがチャンネル列ＣＲの一方端から他方端に位置するに従い漸次浅くなる。同様に、吐出チャンネルＣの一方の側面に備える駆動電極６の深さは、吐出チャンネルＣがチャンネル列ＣＲの一方端から他方端に位置するに従い漸次深くなり、吐出チャンネルＣの他方の側面に備える駆動電極６の深さは、吐出チャンネルＣがチャンネル列ＣＲの一方端から他方端に位置するに従い漸次浅くなる。これは、駆動電極６を斜め蒸着法により形成するためである。なお、図１（ｃ）において、実線のグラフが左側の隔壁３の駆動電極６（６ｂ、６ｃ）であり、破線のグラフが右側の隔壁３の駆動電極６（６ａ、６ｄ）である。

隔壁３は、隔壁３を挟む駆動電極６に電圧を印加することにより厚み滑り変形する。厚み滑り変形量は隔壁３に印加する電圧の印加面積が広いほど大きい。隔壁３に印加する電圧の印加面積は隔壁３を挟む２つの駆動電極６の重なり面積より定まるので、結局、隔壁３を挟む２つの駆動電極６のうち、電極深さの浅い駆動電極６により厚み滑り変形量が定まる。従って、図１（ａ）に示す場合は、吐出チャンネルＣの左側の隔壁３の厚み滑り変形量は第三の駆動電極６ｃにより定まり、右側の隔壁３の厚み滑り変形量は第一の駆動電極６ａにより定まる。即ち、隔壁３の駆動電極６は浅いほうの駆動電極６が実効的な電極深さとなる。なお、吐出チャンネルＣの変形量は左側の隔壁３の変形量と右側の隔壁３の変形量の和により表される。従って、各吐出チャンネルＣの変形量のばらつきを低減させるためには、各吐出チャンネルＣの左右の隔壁３の変形量の和のばらつきを低減させることである。言い換えると、吐出チャンネルＣの変形量は左側の隔壁３の浅いほうの駆動電極６の電極深さと右側の隔壁３の浅いほうの駆動電極６の電極深さとの合計の値（平均深さ）に依存するので、各吐出チャンネルＣの変形量のばらつきは、この合計の値（平均深さ）のばらつきを低減させることである。

図２〜図４を用いて、吐出チャンネルＣの第三及び第四駆動電極６ｃ、６ｄの平均深さＴｍｃ＝（Ｔｃ１＋Ｔｃ２）／２を、吐出チャンネルＣに隣接するダミーチャンネルＤの第一及び第二駆動電極６ａ、６ｂの平均深さＴｍｄ＝（Ｔｄ１＋Ｔｄ２）／２よりも深く形成する、図１（ｃ）の場合の効果を説明する。

図２は、図１（ｃ）に示す基板位置と電極深さの関係を表すグラフから、隔壁３を挟む２つの駆動電極６のうち、電極深さの浅い駆動電極６をプロットしたグラフである。横軸がチャンネルの基板位置を表し、縦軸が電極深さを表す。実線のグラフが左側の隔壁３の浅いほうの電極深さを表し、破線のグラフが右側の隔壁３の浅いほうの電極深さを表す。一点鎖線のグラフは、左側の隔壁３の浅いほうの電極深さと右側の隔壁３の浅いほうの電極深さとの平均深さを表す。液滴の吐出ばらつきを減少させるためには、一点鎖線で示す平均電極深さが基板位置にかかわらず一定であることが望ましい。

図２に示すように、本実施形態においては、左側の隔壁３の浅いほうの駆動電極６の深さが最も深くなる（実線のグラフが最大となる）基板位置と、右側の隔壁３の浅いほうの駆動電極６の深さが最も深くなる（破線のグラフが最大となる）基板位置がずれて、２つのピークが現れる。これに対して第三の及び第四の駆動電極６ｃ、６ｄを設けない従来法では第一及び第二の駆動電極６ａ、６ｂのみとなり（図１（ａ）を参照）、チャンネルの基板位置が左側（−）の領域では、吐出チャンネルＣの両側の隔壁３において第二の駆動電極６ｂが浅く（図１（ｃ）を参照）、チャンネルの基板位置が右側（＋）の領域では、吐出チャンネルＣの両側の隔壁３において第一の駆動電極６ａが浅い。従って、従来法では左側及び右側の隔壁３の浅いほうの駆動電極６の深さが最も深くなる基板位置は中央（０）であり、隔壁３の基板位置が両端側（−側、＋側）に位置するに従い電極深さは漸次浅くなる。図２から容易に理解することができるように、本発明の駆動電極６のほうが従来の駆動電極６よりも、隔壁３の変位量に影響する実効的な駆動電極６の電極深さのばらつきが減少し、吐出チャンネルＣの基板位置に関し液滴の吐出条件を均等化することができる。なお、２つのピーク値は１５０μｍ以下であり、チャンネルの深さ３００μｍの１／２よりも浅い。そのため、上方又は下方に一様に分極処理が施される隔壁３を使用することができる。

図３は、吐出チャンネルＣの基板位置と隔壁３の最大変位の関係を表すグラフである。実線が本発明の液体噴射ヘッド１の駆動電極６を用いる場合、破線が従来の液体噴射ヘッド１の駆動電極６を用いる場合のシミュレーション結果である。縦軸が隔壁３の水平方向における最大変位量を表し、横軸がチャンネルの基板位置を表す。吐出チャンネルＣについて、左側の隔壁３の水平方向の最大変位量をΔｄ１とし、右側の隔壁３の水平方向の最大変位量をΔｄ２として、平均変位量Δｄｍ＝（Δｄ１＋Δｄ２）／２とする。

図３に示すように、本発明の平均変位量Δｄｍと従来法の平均変位量Δｄｍを比較すると、平均変位量Δｄｍは、いずれの場合も基板位置の中央（０）が最も大きく、基板位置の両端方向（−方向、＋方向）に向けて漸次低下する。しかし、平均変位量Δｄｍの最大値と最小値の差が本発明の駆動電極６は約０．０７×１０^-8と小さいのに対して従来の駆動電極６は０．１６５×１０^-8と２倍以上大きい。即ち、本発明の駆動電極６では、平均変位量Δｄｍのばらつきが従来法よりも大幅に低減し、吐出チャンネルＣの基板位置に関し液滴の吐出条件を均等化することができ、記録品質を向上させることができる。

図４は、吐出チャンネルＣの基板位置と隔壁３の変位面積の関係を表すグラフである。実線が本発明の液体噴射ヘッド１の駆動電極６を用いる場合、破線が従来の液体噴射ヘッド１の駆動電極６を用いる場合のシミュレーション結果である。縦軸が変位面積比を表し、横軸がチャンネルの基板位置を表す。変位面積とは隔壁３の変形量を吐出チャンネルＣの断面積に換算した量であり、変位面積比は基板位置が中央の隔壁３の変位面積により規格化している。吐出チャンネルＣについて、左側の隔壁３の変位面積をΔｓ１とし、右側の隔壁３の変位面積をΔｓ２として、平均変位量Δｓｍ＝（Δｓ１＋Δｓ２）／２とする。図４から容易に理解できるように、平均変位量Δｓｍの最大値と最小値の差が、本発明の駆動電極６は従来の駆動電極６と比較して小さく、平均変形量Δｓｍのばらつきが低減する。例えば、基板位置が両端（−５４ｍｍ、＋５４ｍｍ）に位置する吐出チャンネルＣの場合、本発明の駆動電極６は従来の駆動電極６と比較して平均変形量Δｓｍのばらつきが約３０％改善する。

なお、図２〜図４に示す場合は、チャンネル列ＣＲの隣接する全ての吐出チャンネルＣとダミーチャンネルＤの間において、吐出チャンネルＣの対向する側面に位置する２つの駆動電極６の平均深さＴｍｃは、吐出チャンネルＣに隣接するダミーチャンネルＤの対向する側面に位置する２つの駆動電極６の平均深さＴｍｄよりも深い（Ｔｍｃ＞Ｔｍｄ）。一方、図２〜図４に示す電極深さ、変位量、及び変位面積比のいずれも、基板位置の中央付近における値に対して基板位置の両端付近の値が最も小さい。従って、基板位置の両端側（−側、＋側）、つまりチャンネル列ＣＲの所定位置よりも両端側に位置する吐出チャンネルＣとこの吐出チャンネルＣの両側に隣接するダミーチャンネルＤとの間は上記関係（Ｔｍｃ＞Ｔｍｄ）を満たし、基板位置のその他の領域、つまりチャンネル列ＣＲの中央付近に位置する吐出チャンネルＣの駆動電極６とダミーチャンネルＤの駆動電極６が従来と同じであっても、電極の深さ、変位量、及び変位面積比のばらつきが減少することは明らかである。例えば、基板位置が−３０ｍｍよりも−側、及び、基板位置が＋３０ｍｍよりも＋側に位置する吐出チャンネルＣのみが、上記関係（Ｔｍｃ＞Ｔｍｄ）を満たす場合も液滴の吐出ばらつきは減少する。

また、本実施形態では、吐出チャンネルＣの対向する側面に位置する２つの駆動電極６の平均深さＴｍｃを、吐出チャンネルＣに隣接するダミーチャンネルＤの対向する側面に位置する２つの駆動電極６の平均深さＴｍｄよりも深い、つまりＴｍｃ＞Ｔｍｄの関係を満たす場合について説明した。これに代えて、吐出チャンネルＣの対向する側面に位置する２つの駆動電極６の平均深さＴｍｃを、吐出チャンネルＣに隣接するダミーチャンネルＤの対向する側面に位置する２つの駆動電極６の平均深さＴｍｄよりも浅く、つまりＴｍｃ＜Ｔｍｄ（式（２）と言う。以下において同じ）の関係を満たす場合も、同様の結果を得ることができる。Ｔｍｃ＜Ｔｍｄの関係は、吐出チャンネルＣと吐出チャンネルＣの両側に隣接するダミーチャンネルＤとの間において満たされる。また、チャンネル列ＣＲの隣接する全ての吐出チャンネルＣとダミーチャンネルＤの間において満たされる。また、チャンネル列ＣＲの両端側に位置する吐出チャンネルＣと吐出チャンネルＣの両側に隣接するダミーチャンネルＤとの間において満たされる。また、本実施形態では、４回の斜め蒸着法により駆動電極６を形成するが、これに代えて、２回の斜め蒸着法により駆動電極６を形成することができる。例えば、吐出チャンネルＣとダミーチャンネルＤの溝幅が異なるように形成することができる。

（第二実施形態）
図５は、本発明の第二実施形態に係る液体噴射ヘッド１の模式的な分解斜視図である。液体噴射ヘッド１はエッジシュート型である。同一の部分または同一の機能を有する部分には同一の符号を付している。

図５に示すように、液体噴射ヘッド１は、アクチュエータ基板２と、アクチュエータ基板２の上面ＵＰに接合するカバープレート１０と、アクチュエータ基板２の前方端面に接着するノズルプレート１３とを備える。アクチュエータ基板２は圧電体材料からなり、例えばＰＺＴやＢａＴｉＯ３のセラミックスを使用することができる。アクチュエータ基板２は、下方から上方、又は上方から下方に一様に分極処理が施される。アクチュエータ基板２は、上面ＵＰに隔壁３を挟んで交互に配列して溝列ＭＲを構成する吐出溝４と非吐出溝５と、隔壁３の側面であり隔壁３の上端から深さ方向に位置する駆動電極６とを備える。

吐出溝４は、アクチュエータ基板２の前方端から後方端の手前まで延在し、非吐出溝５は、アクチュエータ基板２の前方端から後方端までストレートに延在する。吐出溝４は、アクチュエータ基板２の前方端面に開口し、後方端の側は吐出溝４の底面から上面ＵＰに切り上がる傾斜面を成し、上面ＵＰにおいて終端する。非吐出溝５は、アクチュエータ基板２の前方端面と後方端面に開口する。アクチュエータ基板２は、後方端の近傍の上面ＵＰに、共通端子１５ａと個別端子１５ｂを備える。共通端子１５ａは、吐出溝４の両側面に位置する駆動電極６と電気的に接続し、吐出溝４の側に位置し、個別端子１５ｂは、吐出溝４を挟む２つの非吐出溝５の吐出溝４側の側面に位置する２つの駆動電極６を電気的に接続し、共通端子１５ａよりも後方端の側に位置する。

カバープレート１０は、液室１１と液室１１の底面からアクチュエータ基板２側に貫通する複数のスリット１２を備える。カバープレート１０は、共通端子１５ａ、個別端子１５ｂ及び非吐出溝５の後方側の一部を露出させてアクチュエータ基板２の上面ＵＰに接合する。各スリット１２はそれぞれ吐出溝４の後方側に連通する。従って、液室１１は各スリット１２を介してそれぞれの吐出溝４に連通し、非吐出溝５とは連通しない。ノズルプレート１３は、各吐出溝４に対応する位置にノズル１４を備え、アクチュエータ基板２及びカバープレート１０の前方端面に接着する。各ノズル１４はそれぞれ吐出溝４に連通する。吐出溝４はカバープレート１０とノズルプレート１３により囲まれて吐出チャンネルＣを、非吐出溝５はカバープレート１０により覆われてダミーチャンネルＤを構成する。カバープレート１０としてＰＺＴセラミックスやＢａＴｉＯ₃セラミックス材料又はプラスチック材料を使用することができる。ノズルプレート１３として、ポリイミドフィルム等のプラスチック材料や金属材料を使用することができる。

ここで、吐出溝４（吐出チャンネルＣ）の対向する側面に位置する２つの駆動電極６の平均深さＴｍｃは、吐出溝４（吐出チャンネルＣ）に隣接する非吐出溝５（ダミーチャンネルＤ）の対向する側面に位置する２つの駆動電極６の平均深さＴｍｄよりも深い。つまり、Ｔｍｃ＞Ｔｍｄの関係を満たす。また、Ｔｍｃ＞Ｔｍｄの関係は、吐出溝４と吐出溝４の両側に隣接する非吐出溝５との間において満たされる。更に、Ｔｍｃ＞Ｔｍｄの関係は、溝列ＭＲ（チャンネル列）の隣接する全ての吐出溝４と非吐出溝５の間において満たされる。また、Ｔｍｃ＞Ｔｍｄの関係は、溝列ＭＲの所定位置よりも両端側に位置する吐出溝４と非吐出溝５との間において満たされるものであってもよい。

液体噴射ヘッド１は次にように駆動する。液室１１に液体を供給すると、液体は各スリット１２を介して各吐出溝４に流入する。そして、共通端子１５ａと個別端子１５ｂに駆動電圧を供給すると、まず、吐出溝４の２つの隔壁３が厚み滑り変形して吐出溝４（吐出チャンネルＣ）の容積を増加させて液室１１から液体を取り込み、次に、吐出溝４の容積を減少させてノズル１４から液滴を吐出する。本発明の駆動電極６の構成によれば、隔壁３の変形量に影響する実効的な駆動電極６の電極深さのばらつきが低減し、これに伴って２つの隔壁３の平均変位量Δｄｍや平均変形量Δｓｍのばらつきが低減する。その結果、吐出チャンネルＣの基板位置に関し液滴の吐出条件を均等化することができる。

なお、吐出チャンネルＣの対向する側面に位置する２つの駆動電極６の平均深さＴｍｃを、吐出チャンネルＣに隣接するダミーチャンネルＤの対向する側面に位置する２つの駆動電極６の平均深さＴｍｄよりも深い、つまりＴｍｃ＜Ｔｍｄの関係を満たす場合でも同様の結果を得ることができることは、第一実施形態において説明したとおりである。

（第三実施形態）
図６は、本発明の第三実施形態に係る液体噴射ヘッド１の説明図である。図６（ａ）は液体噴射ヘッド１の模式的な分解斜視図であり、図６（ｂ）は吐出溝４の断面模式図である。液体噴射ヘッド１はサイドシュート型である。同一の部分又は同一の機能を有する部分には同一の符号を付している。

図６に示すように、液体噴射ヘッド１は、アクチュエータ基板２と、アクチュエータ基板２の上面ＵＰに接着するノズルプレート１３と、アクチュエータ基板２の下面ＬＰに接合するカバープレート１０とを備える。アクチュエータ基板２は、隔壁３を挟んで交互に配列して溝列ＭＲを構成する吐出溝４と非吐出溝５と、隔壁３の側面であり隔壁３の上端から深さ方向に位置する駆動電極６とを備える。吐出溝４と非吐出溝５は、ｘ方向（溝方向）に細長く、ｙ方向に交互に配列して溝列ＭＲ（チャンネル列ＣＲ）を構成する。吐出溝４及び非吐出溝５はアクチュエータ基板２の板厚方向に貫通する。吐出溝４は、アクチュエータ基板２のｘ方向の一方端の手前から他方端の手前まで延在する。吐出溝４は、中央部が上面ＵＰのｘ方向に細長い形状で開口し、両端部は上面ＵＰから下面ＬＰに末広がりの傾斜面を成す。非吐出溝５は、アクチュエータ基板２の溝方向の一方端から他方端まで延在する。非吐出溝５は、中央部が吐出溝４の上下を反転させた形状を有し、両端部が上面ＵＰから一定の深さを有する。つまり、非吐出溝５は、上面ＵＰの一方端から他方端にかけて細長い形状で開口する。吐出溝４の両側面の駆動電極６は吐出溝４が上面ＵＰに開口する開口部に対応して位置する。

アクチュエータ基板２は、ｘ方向の一方端の近傍の上面ＵＰに共通端子１５ａと個別端子１５ｂを備える。共通端子１５ａは、吐出溝４の開口部の近傍に位置し、吐出溝４の開口部に沿って溝方向に延在する図示しない配線１６を介して吐出溝４の両側面に位置する駆動電極６と電気的に接続する。個別端子１５ｂは、共通端子１５ａよりも他方端の側に位置し、吐出溝４を挟む２つの非吐出溝５の吐出溝４側の側面に位置する２つの駆動電極６を電気的に接続する。

カバープレート１０は２つの液室１１ａ、１１ｂを備える。一方の液室１１ａは吐出溝４の一方の端部に連通し、他方の液室１１ｂは吐出溝４の他方の端部に連通する。２つの液室１１ａ、１１ｂが開口するアクチュエータ基板２側の開口領域に非吐出溝５は開口しない。そのため、２つの液室１１ａ、１１ｂにスリットを設ける必要が無い。ノズルプレート１３はノズル１４を備える。ノズルプレート１３は、吐出溝４の開口部を塞ぎ共通端子１５ａと個別端子１５ｂが露出するようにアクチュエータ基板２の上面ＵＰに接着する。ノズル１４は上面ＵＰに開口する吐出溝４に連通する。吐出溝４はカバープレート１０とノズルプレート１３により囲まれて吐出チャンネルＣを、非吐出溝５はカバープレート１０とノズルプレート１３により覆われてダミーチャンネルＤを構成する。ｙ方向に配列する溝列ＭＲはチャンネル列ＣＲを構成する。

アクチュエータ基板２としてＰＺＴやＢａＴｉＯ₃などのセラミックスを使用することができる。カバープレート１０としてＰＺＴセラミックスや他のセラミックス材料又はプラスチック材料を使用することができる。ノズルプレート１３として、ポリイミドフィルム等のプラスチック材料や金属材料を使用することができる。電極６は金属材料や半導体材料からなる導電材を用い、斜め蒸着法により形成する。例えば、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｓｉ、Ｃ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｓｎ、Ｉｎ等を使用することができる。チャンネルの長さはｘ方向に３ｍｍ〜８ｍｍ、チャンネルの幅は２０μｍ〜１００μｍ、チャンネルの高さｈは１００μｍ〜４００μｍである。

ここで、吐出溝４（吐出チャンネルＣ）の対向する側面に位置する２つの駆動電極６の平均深さＴｍｃは、吐出溝４（吐出チャンネルＣ）に隣接する非吐出溝５（ダミーチャンネルＤ）の対向する側面に位置する２つの駆動電極６の平均深さＴｍｄよりも深い。つまり、Ｔｍｃ＞Ｔｍｄの関係を満たす。また、Ｔｍｃ＞Ｔｍｄの関係は、吐出溝４とこの吐出溝４の両側に隣接する非吐出溝５との間において満たされる。また、Ｔｍｃ＞Ｔｍｄの関係は、溝列（チャンネル列ＣＲ）の隣接する全ての吐出溝４と非吐出溝５の間において満たされる。また、Ｔｍｃ＞Ｔｍｄの関係は、溝列ＭＲの所定位置よりも両端側に位置する吐出溝４と非吐出溝５の間において満たされるものであってもよい。

液体噴射ヘッド１は次にように駆動する。外部から液室１１ａ（又は液室１１ｂ）に液体を供給し、各吐出溝４（吐出チャンネルＣ）に液体を充填する。更に、液体は、各吐出溝４から液室１１ｂ（又は液室１１ａ）に流出し、液室１１ｂ（又は液室１１ａ）から外部に排出する。つまり、液体を循環させる。そして、共通端子１５ａと個別端子１５ｂの間に駆動電圧を供給すると、まず、吐出溝４の２つの隔壁３を厚み滑り変形させて吐出チャンネルＣ（吐出溝４）の容積を増加させ、液室１１ａ、１１ｂから液体を取り込む。次に、吐出チャンネルＣの容積を縮小して、ノズル１４から液滴を吐出する。本発明の駆動電極６の構成によれば、隔壁３の変形量に影響する実効的な駆動電極６の電極深さのばらつきが低減し、これに伴って２つの隔壁３の平均変位量Δｄｍや平均変形量Δｓｍのばらつきが低減する。その結果、吐出チャンネルＣの基板位置に関し液滴の吐出条件が均等化し、記録品質を向上させることができる。

なお、吐出チャンネルＣの対向する側面に位置する２つの駆動電極６の平均深さＴｍｃを、吐出チャンネルＣに隣接するダミーチャンネルＤの対向する側面に位置する２つの駆動電極６の平均深さＴｍｄよりも深い、つまりＴｍｃ＜Ｔｍｄの関係を満たす場合でも同様の結果を得ることができることは、第一実施形態において説明したとおりである。

＜液体噴射ヘッドの製造方法＞
（第四実施形態）
図７〜図９は、本発明の第四実施形態に係る液体噴射ヘッド１の製造方法の説明図である。図７は液体噴射ヘッド１の製造方法の工程図である。図８及び図９は液体噴射ヘッド１の製造方法の説明図である。図８（ａ）は、アクチュエータ基板２の上面模式図であり、図８（ｂ）〜（ｄ）はアクチュエータ基板２の溝列ＭＲ方向の断面模式図である。図９（ａ）はアクチュエータ基板２の溝列ＭＲ方向の断面模式図であり、図９（ｂ）はアクチュエータ基板２の上面模式図であり、図９（ｃ）は液体噴射ヘッド１の吐出溝４の溝方向の断面模式図である。同一の部分または同一の機能を有する部分には同一の符号を付している。

本第四実施形態に係る液体噴射ヘッド１の基本的な製造方法は、アクチュエータ基板２の表面（上面ＵＰ）に吐出溝４と非吐出溝５が交互に配列する溝列を形成する溝形成工程Ｓ２と、第一の斜め蒸着法により電極材料を堆積する第一の電極材料堆積工程Ｓ３１と、第二の斜め蒸着法により電極材料を堆積する第二の電極材料堆積工程Ｓ３２とを備える。溝形成工程Ｓ２は、アクチュエータ基板２の表面に吐出溝４と非吐出溝５が交互に配列する溝列ＭＲを形成する。第一の電極材料堆積工程Ｓ３１は、アクチュエータ基板２の表面と、吐出溝４及び非吐出溝５の側面に第一の斜め蒸着法により電極材料を堆積する。第二の電極材料堆積工程Ｓ３２は、非吐出溝５又は吐出溝４のいずれか一方を遮蔽するマスク１７を設置し、アクチュエータ基板２の表面と吐出溝４又は非吐出溝５の側面に第二の斜め蒸着法により電極材料を堆積する。第二の斜め蒸着法におけるアクチュエータ基板２の表面の法線に対する電極材料の入射角θ２は、第一の斜め蒸着法におけるアクチュエータ基板２の表面の法線に対する電極材料の入射角θ１よりも小さい。

その結果、吐出溝４（又は非吐出溝５）の対向する側面に位置する２つの駆動電極６の平均深さは、吐出溝４（又は非吐出溝５）に隣接する非吐出溝５（又は吐出溝４）の対向する側面に位置する２つの駆動電極６の平均深さよりも深い。この関係は、吐出溝４とこの吐出溝４に隣接する非吐出溝５との間において満たされる。また、この関係は、溝列ＭＲの全ての吐出溝４と非吐出溝５の間において満たされる。その結果、第一実施形態において説明したように、隔壁３の実効的な駆動電極６の電極深さの基板位置依存性が減少し、２つの隔壁３の平均変位量Δｄｍや平均変形量Δｓｍのばらつきが低減して、吐出チャンネルＣの液滴の吐出条件が均等化する。

以下、図７〜図９を用いて具体的に説明する。図７及び図８（ａ）に示すように、樹脂膜パターン形成工程Ｓ１において、アクチュエータ基板２の表面に樹脂膜７のパターンを形成する。アクチュエータ基板２は、例えばＰＺＴセラミックスやＢａＴｉＯ３セラミックスなどの圧電体材料を使用する。樹脂膜７は、感光性樹脂膜、例えばレジストフィルムをアクチュエータ基板２の上面ＵＰに貼り付け、フォトリソグラフィ工程によりパターンを形成する。本実施形態においては、共通端子１５ａ及び個別端子１５ｂとするべき領域から樹脂膜７を除去する。

次に、図７及び図８（ｂ）に示すように、溝形成工程Ｓ２において、アクチュエータ基板２の表面に隔壁３を挟んで吐出溝４と非吐出溝５が交互に配列する溝列ＭＲを形成する。吐出溝４と非吐出溝５の研削は、例えば外周にダイヤモンド等の研削用の砥粒を埋め込んだダイシングブレードを用いて研削して形成することができる。吐出溝４と非吐出溝５は溝幅を２０μｍ〜１００μｍ、溝の深さを１００μｍ〜４００μｍとし、同じ溝幅に形成することができる。

次に、図７及び図８（ｃ）に示すように、第一の電極材料堆積工程Ｓ３１において、アクチュエータ基板２の表面と、吐出溝４及び非吐出溝５の側面に第一の斜め蒸着法により電極材料を堆積する。なお、図８（ｃ）の中央図が溝列ＭＲの中央の位置、左図が溝列ＭＲの左の位置、及び、右図が溝列ＭＲの右の位置の断面模式図である。第一の斜め蒸着法では、アクチュエータ基板２の表面の法線に対し、溝列ＭＲ方向に角度θ１傾いた右斜め上方から導電材料の一回目の斜め蒸着を行う。次に、アクチュエータ基板２の中央の法線を中心軸として１８０°回転して二回目の斜め蒸着を行う。図においては、法線に対し溝列ＭＲ方向に角度θ１傾いた左斜め蒸着を行うことになる。このとき、溝列ＭＲにおける吐出溝４と非吐出溝５の位置に応じて傾斜角は連続的に変化し、傾斜角はθ１’＞θ１＞θ１”の関係となる。そのため、吐出溝４と非吐出溝５の位置が溝列ＭＲの左から右に変化するに従い、各溝の左側の側面の電極８の深さが次第に深くなり、右側の側面の電極８の深さが次第に浅くなる。なお、溝列ＭＲの中央に位置する吐出溝４又は非吐出溝５は、両側面の電極８の深さが等しい。

次に、図７及び図８（ｄ）に示すように、第二の電極材料堆積工程Ｓ３２において、非吐出溝５を遮蔽するマスク１７を非吐出溝５の上部開口に設置し、アクチュエータ基板２の表面と吐出溝４及び非吐出溝５の側面に第二の斜め蒸着法により電極材料を堆積する。第二の斜め蒸着法において、アクチュエータ基板２の表面の法線に対する電極材料の入射角（傾斜角θ２）は、第一の斜め蒸着法における電極材料の入射角（傾斜角θ１）よりも小さい。そのため、吐出溝４の両側面には第一の斜め蒸着法における電極８の深さよりも深く電極８’を形成することができる。第二の斜め蒸着法においても、第一の斜め蒸着法と同様に、θ２’＞θ２＞θ２”の関係となる。なお、第二の電極材料堆積工程Ｓ３２において、溝列ＭＲの中央部にマスクを設置し、溝列ＭＲの所定位置よりも両端側にのみ電極材料を堆積してもよい。この場合は、第一実施形態において説明したとおり、Ｔｍｃ＞Ｔｍｄの関係は、溝列ＭＲの所定位置よりも両端側に位置する吐出溝４と非吐出溝５の間において満たされる。

次に、図７及び図９（ａ）、（ｂ）に示すように、樹脂膜除去工程Ｓ４において、樹脂膜７を除去し、同時に樹脂膜７の上面に堆積した導電材料も除去する（リフトオフ法）。その結果、吐出溝４及び非吐出溝５の両側面に電極８又は８’が駆動電極６として残り、アクチュエータ基板２の上面ＵＰの電極８及び８’が共通端子１５ａと個別端子１５ｂとして残る。従って、第一実施形態においての説明と同様に、吐出溝４（吐出チャンネルＣ）の対向する側面に位置する２つの駆動電極６の深さＴｃ１、Ｔｃ２の平均深さ（Ｔｍｃ）は、吐出溝４（吐出チャンネルＣ）に隣接する非吐出溝５（ダミーチャンネルＤ）の対向する側面に位置する２つの駆動電極６の深さの平均深さ（Ｔｍｄ）よりも深くなる。つまり、Ｔｍｃ＞Ｔｍｄの関係を満たす。この吐出溝４（吐出チャンネルＣ）の２つの駆動電極６の平均深さＴｍｃと、この吐出溝４に隣接する非吐出溝５（ダミーチャンネルＤ）の２つの駆動電極６の平均深さＴｍｄとの間の関係は、吐出溝４とこの吐出溝４に両側に隣接する非吐出溝５との間において満たされる。また、この関係は、溝列ＭＲ（チャンネル列ＣＲ）の隣接する全ての吐出溝４と非吐出溝５の間の関係において満たされる。

次に、図７及び図９（ｃ）に示すように、カバープレート接合工程Ｓ５において、アクチュエータ基板２の上面ＵＰ（表面）にカバープレート１０を接合する。カバープレート１０は液室１１と、液室１１の底面からアクチュエータ基板２側に貫通する複数のスリット１２を備える。各スリット１２は各吐出溝４の他方側の端部にそれぞれ連通する。次に、ノズルプレート接着工程Ｓ６において、ノズルプレート１３をアクチュエータ基板２及びカバープレート１０の前方端面に接着する。ノズルプレート１３は複数のノズル１４を備え、各ノズル１４はアクチュエータ基板２の前方端面に開口する各吐出溝４にそれぞれ連通する。吐出溝４と、カバープレート１０と、ノズルプレート１３により吐出チャンネルＣを構成する。非吐出溝５とカバープレート１０によりダミーチャンネルＤを構成する。このようにして図５に示す液体噴射ヘッド１を製造することができる。これにより、吐出チャンネルＣの両隔壁３の変形量のばらつきを低減させ、記録品質の向上を図ることができる。

なお、電極材料堆積工程は、第二の電極材料堆積工程Ｓ３２を先に行って、次に、第一の電極材料堆積工程Ｓ３１を行ってもよい。また、吐出溝４の２つの側面に形成する駆動電極６の平均深さＴｍｃを、吐出溝４に隣接する非吐出溝５の対向する側面に位置する２つの駆動電極６の平均深さＴｍｄよりも浅く形成し、Ｔｍｃ＜Ｔｍｄの関係を満たすように形成しても、同様の効果を得ることができる。Ｔｍｃ＜Ｔｍｄの関係は、吐出チャンネルＣとその吐出チャンネルＣの両側に隣接するダミーチャンネルＤとの間において満たされるようにする。また、Ｔｍｃ＜Ｔｍｄの関係は、チャンネル列ＣＲの隣接する全ての吐出チャンネルＣとダミーチャンネルＤの間において満たされるようにする。

（第五実施形態）
図１０及び図１１は、本発明の第五実施形態に係る液体噴射ヘッド1の製造方法の説明図である。図１０は液体噴射ヘッド1の製造方法の工程図であり、図１１は液体噴射ヘッド1の製造方法の説明図であり、アクチュエータ基板２の溝列ＭＲ方向の断面模式図である。同一の部分または同一の機能を有する部分には同一の符号を付している。

本第五実施形態に係る液体噴射ヘッド1の基本的な製造方法は、アクチュエータ基板２の表面（上面ＵＰ）に吐出溝４と、吐出溝４とは溝幅が異なる非吐出溝５が交互に配列する溝列ＭＲを形成する溝形成工程Ｓ２１と、アクチュエータ基板２の上面ＵＰと、吐出溝４及び非吐出溝５の側面に斜め蒸着法により電極材料を堆積する電極材料堆積工程Ｓ３とを備える。これにより、吐出溝４（非吐出溝５）の対向する側面に位置する２つの駆動電極６の平均深さは、吐出溝４（非吐出溝５）に隣接する非吐出溝５（吐出溝４）の対向する側面に位置する２つの駆動電極６の平均深さよりも深くなる。この関係は、吐出溝４とその吐出溝４の両側に隣接する非吐出溝５との間において満たされる。また、この関係は、溝列ＭＲの全ての吐出溝４と非吐出溝５の間において満たされる。その結果、第一実施形態において説明したように、隔壁３の実効的な駆動電極６の電極深さの基板位置依存性が減少し、２つの隔壁３の平均変位量Δｄｍや平均変形量Δｓｍのばらつきが低減して、吐出チャンネルＣの液滴の吐出条件が均等化する。

以下、図１０及び図１１を用いて具体的に説明する。まず、樹脂膜パターン形成工程Ｓ１において、アクチュエータ基板２の上面ＵＰ（表面）に樹脂膜７のパターンを形成する。アクチュエータ基板２、樹脂膜７及び樹脂膜７のパターン形状は第四実施形態の樹脂膜パターン形成工程Ｓ１と同様なので、説明を省略する。

次に、図１１（ａ）に示すように、溝形成工程Ｓ２１において、アクチュエータ基板２の上面ＵＰに溝幅Ｗｃの吐出溝４と、溝幅Ｗｄが溝幅Ｗｃよりも狭い非吐出溝５とを隔壁３を挟んで溝列ＭＲ方向に交互に形成する。具体的には、幅の広いダイシングブレードを用いて吐出溝４をまとめて研削して形成し、次に、幅の狭いダイシングブレードを用いて非吐出溝５をまとめて研削して形成することができる。あるいは、幅の狭い非吐出溝５用のダイシングブレードを用い、一度溝を形成した後にダイシングブレードを上面ＵＰから浮かせて溝列ＭＲ方向にわずかに移動し、重複して溝を研削することにより、ダイシングブレードの幅よりも広い幅の吐出溝４を形成することができる。アクチュエータ基板２は、例えばＰＺＴセラミックスやＢａＴｉＯ₃セラミックスを使用することができる。吐出溝４及び非吐出溝５は溝幅を２０μｍ〜１００μｍ、溝の深さを１００μｍ〜４００μｍとすることができる。

次に、図１１（ｂ）に示すように、電極材料堆積工程Ｓ３において、アクチュエータ基板２の上面ＵＰと、吐出溝４及び非吐出溝５の側面に斜め蒸着法により電極材料を堆積する。この場合、溝幅Ｗｃの広い吐出溝４の側壁の方が、溝幅Ｗｄの狭い非吐出溝５の側壁よりも深く電極８が堆積する。次に、図１１（ｃ）に示すように、樹脂膜除去工程Ｓ４において、樹脂膜７を除去し、同時に樹脂膜７の上面に堆積した導電材料も除去する（リフトオフ法）。その結果、吐出溝４及び非吐出溝５の両側面に堆積した電極８が駆動電極６として残り、アクチュエータ基板２の上面ＵＰの電極８が図示しない共通端子１５ａ及び個別端子１５ｂとして残る。従って、第一実施形態においての説明と同様に、吐出溝４の対向する側面に位置する２つの駆動電極６の深さＴｃ１、Ｔｃ２の平均深さ（Ｔｍｃ）は、吐出溝４に隣接する非吐出溝５の対向する側面に位置する２つの駆動電極６の深さＴｄ１、Ｔｄ２の平均深さ（Ｔｍｄ）よりも深くなる。つまり、Ｔｍｃ＞Ｔｍｄの関係を満たす。この吐出溝４の２つの駆動電極６の平均深さＴｍｃと、この吐出溝４に隣接する非吐出溝５の２つの駆動電極６の平均深さＴｍｄとの間の関係は、吐出溝４とその吐出溝４の両側に隣接する非吐出溝５との間において満たされる。また、上記関係は、溝列ＭＲの隣接する全ての吐出溝４と非吐出溝５の間において満たされる。以下、カバープレート接合工程Ｓ５及びノズルプレート接着工程Ｓ６は第四実施形態と同様なので説明を省略する。

（第六実施形態）
図１２〜図１５は、本発明の第六実施形態に係る液体噴射ヘッド１の製造方法の説明図である。図１２は本発明の第六実施形態に係る液体噴射ヘッド１の製造方法の工程図であり、図１３〜図１５は本発明の第六実施形態に係る液体噴射ヘッド１の製造方法の説明図である。同一の部分または同一の機能を有する部分には同一の符号を付している。

本第六実施形態に係る液体噴射ヘッド１の基本的な製造方法は、樹脂膜パターン形成工程Ｓ１と、溝形成工程Ｓ２と、電極材料堆積工程Ｓ３とを備える。樹脂膜パターン形成工程Ｓ１は、アクチュエータ基板２の表面（上面ＵＰ）に樹脂膜７のパターンを形成する。この場合に、吐出溝４と非吐出溝５の間の隔壁領域Ｒｗのうち、非吐出溝５又は吐出溝４のいずれか一方の側に樹脂膜７を残し、他方の側から樹脂膜７を除去する。溝形成工程Ｓ２は、アクチュエータ基板２の表面に吐出溝４と非吐出溝５が交互に配列する溝列ＭＲを形成する。電極材料堆積工程Ｓ３は、アクチュエータ基板２の表面と吐出溝４及び非吐出溝５の側面に斜め蒸着法により電極材料を堆積する。なお、溝形成工程Ｓ２は、吐出溝４と非吐出溝５の形成工程を分離してもよい。つまり、吐出溝４又は非吐出溝５を形成した後に他の工程を行い、次に非吐出溝５又は吐出溝４を形成してもよい。また、溝形成工程Ｓ２は、樹脂膜パターン形成工程Ｓ１よりも前に行ってもよい。

例えば、樹脂膜パターン形成工程Ｓ１の際に、隔壁領域Ｒｗの非吐出溝５側に樹脂膜７を残し、隔壁領域Ｒｗの吐出溝４側から樹脂膜７を除去する。その結果、電極材料堆積工程Ｓ３における電極材料の斜め蒸着の際には、吐出溝４の両側面に堆積する電極材料は、非吐出溝５の両側面に堆積する電極材料よりも樹脂膜７の厚さ分、深く堆積する。隔壁領域Ｒｗの、吐出溝４側に樹脂膜７を残し、非吐出溝５側から樹脂膜７を除去すれば、非吐出溝５の両側面に堆積する電極材料の方が、吐出溝４の両側面に堆積する電極材料よりも樹脂膜７の厚さ分、深く堆積する。即ち、吐出溝４（又は非吐出溝５）の対向する側面に位置する２つの駆動電極６の平均深さは、吐出溝４（又は非吐出溝５）に隣接する非吐出溝５（又は吐出溝４）の対向する側面に位置する２つの駆動電極６の平均深さよりも深い。この関係は、吐出溝４とその吐出溝４の両側に隣接する非吐出溝５との間において満たされる。また、上記関係は、溝列ＭＲの全ての吐出溝４と非吐出溝５の間において満たされる。その結果、第一実施形態において説明したように、隔壁３の実効的な駆動電極６の電極深さの基板位置依存性が減少し、２つの隔壁３の平均変位量Δｄｍや平均変形量Δｓｍのばらつきが低減して、吐出チャンネルＣの液滴の吐出条件が均等化する。

以下、図１２〜図１５を用いて具体的に説明する。図１３（ａ）及び（ｂ）はアクチュエータ基板２の吐出溝４の溝方向の断面模式図である。図１３（ｃ）及び（ｄ）はアクチュエータ基板２の上面ＵＰの模式図である。図１４（ａ）及び（ｂ）はアクチュエータ基板２の非吐出溝５及び吐出溝４の溝方向の断面模式図である。図１４（ｃ）及び（ｄ）はアクチュエータ基板２の溝列ＭＲ方向の断面模式図である。図１４（ｅ）は、アクチュエータ基板２の吐出溝４の溝方向の断面模式図である。図１５（ａ）はアクチュエータ基板２の上面ＵＰの模式図である。図１５（ｂ）はアクチュエータ基板２の溝列ＭＲ方向の断面模式図である。図１５（ｃ）及び（ｄ）はアクチュエータ基板２の吐出溝４の溝方向の断面模式図である。

図１２及び図１３（ａ）に示すように、吐出溝形成工程Ｓ２２において、アクチュエータ基板２の表面（下面ＬＰ）に吐出溝４を形成する。吐出溝４は紙面奥の溝列ＭＲ方向に複数配列する。アクチュエータ基板２は、例えばＰＺＴセラミックスやＢａＴｉＯ₃セラミックスなどの圧電体材料を使用し、予め表面の法線方向又はその反対方向に分極処理を施しておく。吐出溝４はダイシングブレード等を使用して形成することができる。吐出溝４は、下面ＬＰ（裏面）から上面ＵＰ（表面）に貫通せずに、後に、上面ＵＰを研削して貫通させてもよい。

次に、図１２及び図１３（ｂ）に示すように、カバープレート接合工程Ｓ５において、アクチュエータ基板２の下面ＬＰにカバープレート１０を接合する。カバープレート１０は、紙面奥の溝列ＭＲ方向に細長く、互いに離間する２つの平行な液室１１ａ、１１ｂを備える。一方の液室１１ａが複数の吐出溝４の一方の端部に連通し、他方の液室１１ｂが複数の吐出溝４の他方の端部に連通する。

次に、図１２及び図１３（ｃ）に示すように、樹脂膜パターン形成工程Ｓ１１において、アクチュエータ基板２の上面ＵＰにレジストなどからなる感光性樹脂膜を設置し、次に、フォトリソグラフィ工程により樹脂膜７のパターンを形成する。樹脂膜７のパターンは、吐出溝４と非吐出溝５の間の隔壁３を形成する隔壁領域Ｒｗのうち、非吐出溝５の側の樹脂膜７を残し、吐出溝４の側の樹脂膜７を除去する。同時に、共通端子１５ａ及び個別端子１５ｂを形成する領域から樹脂膜７を除去する。共通端子１５ａを形成する領域は吐出溝４の溝方向の端部とアクチュエータ基板２の他方端との間の吐出溝４側に位置し、個別端子１５ｂを形成する領域は、吐出溝４の溝方向の端部とアクチュエータ基板２の他方端の間の他方端側に位置する。樹脂膜７の膜厚は、吐出溝４の電極深さと隣接する非吐出溝の電極深さとの間の差とする。例えば、吐出溝４の対向する側面に位置する２つの駆動電極６の平均深さに対して、この吐出溝４に隣接する非吐出溝５の対向する側面に位置する２つの駆動電極６の平均深さの差を２０μｍとする場合は、樹脂膜７の膜厚を２０μｍとする。なお、本実施形態では、隔壁領域Ｒｗのうち、非吐出溝５の側の樹脂膜７を残し吐出溝４の側の樹脂膜７を除去するが、これに代えて、吐出溝４の側の樹脂膜７を残し、非吐出溝５の側の樹脂膜７を除去してもよい。

なお、樹脂膜パターン形成工程Ｓ１１において、非吐出溝５又は吐出溝４のいずれか一方の側の樹脂膜７を残し、他方の側から樹脂膜７を除去する領域は、溝列ＭＲの所定位置よりも両端側の領域のみとし、その他の領域では非吐出溝５及び吐出溝４の両方の側の樹脂膜７を残す、又は、両方の側の樹脂膜７を除去してもよい。

次に、図１２及び図１３（ｄ）に示すように、非吐出溝形成工程Ｓ２３において、２つの吐出溝４の間のアクチュエータ基板２の上面ＵＰに非吐出溝５をダイシングブレード等により研削して形成する。非吐出溝５は、図１４（ａ）に示すように、溝方向の中央部は吐出溝４の上下が反転する形状を有し、溝方向の両端部は上面ＵＰから一定の深さの浅底に形成する。非吐出溝５は、アクチュエータ基板２の上面ＵＰの一方端から他方端に延在する。非吐出溝５は、溝方向の中央部においてアクチュエータ基板２を貫通し、カバープレート１０に達する深さを有する。しかし、カバープレート１０の２つの液室１１ａ、１１ｂには連通しない。また、図１４（ｂ）及び（ｃ）に示すように、非吐出溝５を構成する両隔壁３の上端面の非吐出溝５側には樹脂膜７が残っている。これに対し、吐出溝４を構成する両隔壁３の上端面の吐出溝４側には樹脂膜７が残っていない。アクチュエータ基板２の上面ＵＰの共通端子１５ａや個別端子１５ｂを形成する領域には樹脂膜７が残っていない。

次に、図１２及び図１４（ｄ）、（ｅ）に示すように、電極材料堆積工程Ｓ３において、アクチュエータ基板２の上面ＵＰと、吐出溝４及び非吐出溝５の側面に斜め蒸着法により電極材料を堆積する。具体的には、隔壁３の上端面の法線に対して角度θ１の右斜め上方から導電材料の斜め蒸着を行い、次に、隔壁３の上端面の法線に対して同じ角度θ１の左斜め上方から導電材料の斜め蒸着を行う。すでに説明したように、アクチュエータ基板２の左位置と右位置では蒸着方向が異なり、θ１’＞θ１＞θ１”の関係となる。吐出溝４を挟む２つの隔壁３の、吐出溝４側の上面ＵＰには樹脂膜７が存在せず、非吐出溝５を挟む２つの隔壁３の、非吐出溝５側の上面ＵＰには樹脂膜７が存在する。そのため、吐出溝４の側面の電極８は、非吐出溝５の側面の電極８より樹脂膜７の厚さ分深く堆積する。つまり、吐出溝４の側面に備える２つの電極８の平均の深さは、この吐出溝４に隣接する非吐出溝５の側面に備える２つの電極８の平均の深さより樹脂膜７の厚さ分深く、この関係は溝列ＭＲの隣接する全ての吐出溝４と非吐出溝５の間の関係を満たす。

次に、図１２及び図１５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、樹脂膜除去工程Ｓ４において、アクチュエータ基板２の上面ＵＰから樹脂膜７を除去して、吐出溝４及び非吐出溝５の側面に駆動電極６を形成し、アクチュエータ基板２の上面ＵＰに、非吐出溝５の両側面に位置する駆動電極６と電気的に接続する共通端子１５ａと、吐出溝４を挟む２つの非吐出溝５の吐出溝４の側の側面に位置する駆動電極６と電気的に接続する個別端子１５ｂとを形成する。なお、吐出溝４の駆動電極６と上面ＵＰの共通端子１５ａとは、吐出溝４の開口端近傍の上面ＵＰに位置する配線１６を介して電気的に接続する。

次に、図１２及び図１５（ｄ）に示すように、ノズルプレート接着工程Ｓ６において、アクチュエータ基板２の上面ＵＰにノズルプレート１３を接着する。ノズルプレート１３は、吐出溝４に連通するノズル１４を備える。ノズルプレート１３は、アクチュエータ基板２の溝方向の幅よりも狭く、共通端子１５ａの一部、及び、個別端子１５ｂが露出するように上面ＵＰに接着する。これにより、図６に示す本発明の第三実施形態に係る液体噴射ヘッド１を製造することができる。なお、液体噴射ヘッド１の特徴は、第一及び第三実施形態において詳しく説明したので、ここでは説明を省略する。

本実施形態においては、２回の斜め蒸着法により駆動電極６、配線１６、共通端子１５ａ及び個別端子１５ｂを一括して形成することができるので、製造方法が容易である。また、樹脂膜７の厚さを制御することにより、吐出溝４の駆動電極６の電極深さとこの吐出溝４に隣接する非吐出溝５の駆動電極６の電極深さとの間の差を高精度に制御することができる。

なお、本実施形態と同様に、図５に示す第二実施形態の液体噴射ヘッド１を製造することができる。この場合は、樹脂膜パターン形成工程Ｓ１→溝形成工程Ｓ２→電極材料堆積工程Ｓ３→樹脂膜除去工程Ｓ４→カバープレート接合工程Ｓ５→ノズルプレート接着工程Ｓ６により液体噴射ヘッド１を製造することができる。つまり、樹脂膜パターン形成工程Ｓ１において、吐出溝４と非吐出溝５の間の隔壁領域Ｒｗのうち、非吐出溝５又は吐出溝４のいずれか一方の側に樹脂膜７を残し、他方の側から樹脂膜７を除去する。溝形成工程Ｓ２においては、アクチュエータ基板２の上面ＵＰに吐出溝４と非吐出溝５が交互に配列する溝列ＭＲを形成する。電極材料堆積工程Ｓ３及び樹脂膜除去工程Ｓ４は本実施形態と同様である。カバープレート接合工程Ｓ５及びノズルプレート接着工程Ｓ６は第四実施形態と同様である。

＜液体噴射装置＞
（第七実施形態）
図１６は本発明の第七実施形態に係る液体噴射装置３０の模式的な斜視図である。液体噴射装置３０は、液体噴射ヘッド１、１’を往復移動させる移動機構４０と、液体噴射ヘッド１、１’に液体を供給し、液体噴射ヘッド１、１’から液体を排出する流路部３５、３５’と、流路部３５、３５’に連通する液体ポンプ３３、３３’及び液体タンク３４、３４’とを備えている。各液体噴射ヘッド１、１’は既に説明した第一〜第六実施形態のいずれかを使用する。

液体噴射装置３０は、紙等の被記録媒体４４を主走査方向に搬送する一対の搬送手段４１、４２と、被記録媒体４４に液体を吐出する液体噴射ヘッド１、１’と、液体噴射ヘッド１、１’を載置するキャリッジユニット４３と、液体タンク３４、３４’に貯留した液体を流路部３５、３５’に押圧して供給する液体ポンプ３３、３３’と、液体噴射ヘッド１、１’を主走査方向と直交する副走査方向に走査する移動機構４０とを備えている。図示しない制御部は液体噴射ヘッド１、１’、移動機構４０、搬送手段４１、４２を制御して駆動する。

一対の搬送手段４１、４２は副走査方向に延び、ローラ面を接触しながら回転するグリッドローラとピンチローラを備えている。図示しないモータによりグリッドローラとピンチローラを軸周りに回転させてローラ間に挟み込んだ被記録媒体４４を主走査方向に搬送する。移動機構４０は、副走査方向に延びた一対のガイドレール３６、３７と、一対のガイドレール３６、３７に沿って摺動可能なキャリッジユニット４３と、キャリッジユニット４３を連結し副走査方向に移動させる無端ベルト３８と、この無端ベルト３８を図示しないプーリを介して周回させるモータ３９を備えている。

キャリッジユニット４３は、複数の液体噴射ヘッド１、１’を載置し、例えばイエロー、マゼンタ、シアン、ブラックの４種類の液滴を吐出する。液体タンク３４、３４’は対応する色の液体を貯留し、液体ポンプ３３、３３’、流路部３５、３５’を介して液体噴射ヘッド１、１’に供給する。各液体噴射ヘッド１、１’は駆動信号に応じて各色の液滴を吐出する。液体噴射ヘッド１、１’から液体を吐出させるタイミング、キャリッジユニット４３を駆動するモータ３９の回転及び被記録媒体４４の搬送速度を制御することにより、被記録媒体４４上に任意のパターンを記録することできる。

なお、本実施形態は、移動機構４０がキャリッジユニット４３と被記録媒体４４を移動させて記録する液体噴射装置３０であるが、これに代えて、キャリッジユニットを固定し、移動機構が被記録媒体を二次元的に移動させて記録する液体噴射装置であってもよい。つまり、移動機構は液体噴射ヘッドと被記録媒体とを相対的に移動させるものであればよい。

１ 液体噴射ヘッド
２ アクチュエータ基板
３ 隔壁
４ 吐出溝
５ 非吐出溝
６、６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ 駆動電極
７ 樹脂膜
８ 電極
１０ カバープレート、１１、１１ａ、１１ｂ 液室、１２ スリット
１３ ノズルプレート、１４ ノズル
１５ａ 共通端子、１５ｂ 個別端子
１６ 配線
１７ マスク
Ｃ 吐出チャンネル、Ｄ ダミーチャンネル、ＣＲ チャンネル列
Ｐａ 第一基板、Ｐｂ 第二基板
Ｒｗ 隔壁領域、ＭＲ 溝列
ＵＰ 上面、ＬＰ 下面

Claims (13)

1. 隔壁を挟んで交互に配列してチャンネル列を構成する吐出チャンネル及びダミーチャンネルと、
   前記隔壁の側面であり前記隔壁の上端から深さ方向に位置する駆動電極と、を備え、
   前記吐出チャンネルの対向する側面に位置する２つの前記駆動電極の平均深さＴｍｃは、前記吐出チャンネルに隣接する前記ダミーチャンネルの対向する側面に位置する２つの前記駆動電極の平均深さＴｍｄとは異なり、
   前記平均深さＴｍｃと前記平均深さＴｍｄは、式（２）の関係を満たし、
   前記吐出チャンネルの溝幅は前記ダミーチャンネルの溝幅よりも狭い液体噴射ヘッド。
   Ｔｍｃ＜Ｔｍｄ・・・（２）
2. 前記式（２）の関係は、前記吐出チャンネルと前記吐出チャンネルの両側に隣接する前記ダミーチャンネルとの間において満たされる請求項１に記載の液体噴射ヘッド。
3. 前記式（２）の関係は、前記チャンネル列の両端側に位置する前記吐出チャンネルと前記ダミーチャンネルとの間において満たされる請求項２に記載の液体噴射ヘッド。
4. 前記式（２）の関係は、前記チャンネル列の隣接する全ての前記吐出チャンネルと前記ダミーチャンネルの間において満たされる請求項３に記載の液体噴射ヘッド。
5. 前記ダミーチャンネルの一方の側面に備える前記駆動電極の深さは、前記ダミーチャンネルが前記チャンネル列の一方端から他方端に位置するに従い漸次深くなり、前記ダミーチャンネルの他方の側面に備える前記駆動電極の深さは、前記ダミーチャンネルが前記チャンネル列の一方端から他方端に位置するに従い漸次浅くなる請求項１〜４のいずれか一項に記載の液体噴射ヘッド。
6. 前記吐出チャンネルの一方の側面に備える前記駆動電極の深さは、前記吐出チャンネルが前記チャンネル列の一方端から他方端に位置するに従い漸次深くなり、前記吐出チャンネルの他方の側面に備える前記駆動電極の深さは、前記吐出チャンネルが前記チャンネル列の一方端から他方端に位置するに従い漸次浅くなる請求項１〜５のいずれか一項に記載の液体噴射ヘッド。
7. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の液体噴射ヘッドと、
   前記液体噴射ヘッドと被記録媒体とを相対的に移動させる移動機構と、
   前記液体噴射ヘッドに液体を供給する液体供給管と、
   前記液体供給管に前記液体を供給する液体タンクと、を備える液体噴射装置。
8. アクチュエータ基板の表面に吐出溝と非吐出溝が交互に配列する溝列を形成する溝形成工程と、
   前記アクチュエータ基板の表面と、前記吐出溝及び前記非吐出溝の側面に斜め蒸着法により電極材料を堆積する第一の電極材料堆積工程と、
   前記非吐出溝又は前記吐出溝のいずれか一方を遮蔽するマスクを設置し、前記アクチュエータ基板の表面と、前記吐出溝又は前記非吐出溝の側面に斜め蒸着法により電極材料を堆積する第二の電極材料堆積工程と、を備え、
   前記第二の電極材料堆積工程における前記アクチュエータ基板の表面の法線に対する前記電極材料の入射角は、前記第一の電極材料堆積工程における前記アクチュエータ基板の表面の法線に対する前記電極材料の入射角よりも小さい液体噴射ヘッドの製造方法。
9. アクチュエータ基板の表面に樹脂膜のパターンを形成する樹脂膜パターン形成工程と、
   前記アクチュエータ基板の表面に吐出溝と非吐出溝が交互に配列する溝列を形成する溝形成工程と、
   前記アクチュエータ基板の表面と、前記吐出溝及び前記非吐出溝の側面に斜め蒸着法により電極材料を堆積する電極材料堆積工程と、を備え、
   前記樹脂膜パターン形成工程は、前記吐出溝と前記非吐出溝の間の隔壁領域のうち、前記非吐出溝又は前記吐出溝のいずれか一方の側に前記樹脂膜を残し、他方の側から前記樹脂膜を除去する液体噴射ヘッドの製造方法。
10. 前記溝形成工程は、前記吐出溝を前記アクチュエータ基板の一方端から他方端の手前まで形成する工程であり、
    前記アクチュエータ基板の表面にカバープレートを接合するカバープレート接合工程と、
    前記アクチュエータ基板の端面にノズルプレートを接着するノズルプレート接着工程と、を更に備える請求項９に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
11. 前記アクチュエータ基板の裏面にカバープレートを接合するカバープレート接合工程と、
    前記アクチュエータ基板の表面にノズルプレートを接着するノズルプレート接着工程と、を更に備え、
    前記溝形成工程は、前記アクチュエータ基板に前記吐出溝を形成する吐出溝形成工程と、前記アクチュエータ基板に前記非吐出溝を形成する非吐出溝形成工程を含み、
    前記吐出溝形成工程の後に前記カバープレート接合工程を行い、前記樹脂膜パターン形成工程の後に前記非吐出溝形成工程を行う請求項９に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
12. 前記樹脂膜パターン形成工程は、前記隔壁領域のうち、前記非吐出溝の側に前記樹脂膜を残し、前記吐出溝の側から前記樹脂膜を除去する請求項９〜１１のいずれか一項に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
13. 前記アクチュエータ基板の表面から前記樹脂膜を除去して、前記吐出溝及び前記非吐出溝の側面に駆動電極を形成し、前記アクチュエータ基板の表面に、前記吐出溝の両側面に位置する前記駆動電極と電気的に接続する共通端子と、前記吐出溝を挟む２つの前記非吐出溝の前記吐出溝の側の側面に位置する前記駆動電極と電気的に接続する個別端子とを形成する樹脂膜除去工程を、更に含む請求項１２に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。

Images