JP2009049189A - 電子デバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、半導体チップが搭載される配線基板の基板電極の腐食を防止することを目的とする。
【解決手段】半導体装置は、パッシベーション膜16上に配置された樹脂突起18と、複数のパッド14上から樹脂突起18上に至るように延び樹脂突起18上では相互に間隔をあけて配置されている複数の配線20と、を有する。電子デバイスは、半導体装置と、複数の基板電極30を含む配線パターン26が形成されて複数の配線20と複数の基板電極30が対向して接触するように半導体装置が搭載された配線基板24と、半導体装置と配線基板24とを接着する接着剤32と、を有する。複数の配線20は、複数の基板電極30よりも腐食しにくい材料から形成されている。それぞれの配線20は、いずれかの基板電極30の中央部から、隣の基板電極30の方向の端部上を超えて外側に至る領域を連続的に覆う。
【選択図】図5
【解決手段】半導体装置は、パッシベーション膜16上に配置された樹脂突起18と、複数のパッド14上から樹脂突起18上に至るように延び樹脂突起18上では相互に間隔をあけて配置されている複数の配線20と、を有する。電子デバイスは、半導体装置と、複数の基板電極30を含む配線パターン26が形成されて複数の配線20と複数の基板電極30が対向して接触するように半導体装置が搭載された配線基板24と、半導体装置と配線基板24とを接着する接着剤32と、を有する。複数の配線20は、複数の基板電極30よりも腐食しにくい材料から形成されている。それぞれの配線20は、いずれかの基板電極30の中央部から、隣の基板電極30の方向の端部上を超えて外側に至る領域を連続的に覆う。
【選択図】図5
Description
本発明は、電子デバイスに関する。
特許文献1に示すような従来のCOG(Chip On Glass)技術では、半導体チップのバンプ表面と基板電極との間に導電粒子が介在し、耐湿性に劣る接着樹脂が設けられているため、基板電極の腐蝕を防止しなければならないという課題があった。特に、LCD(Liquid Crystal Display)パネル基板の電極として用いられるITO(Indium Tin Oxide)は、特許文献2に示すように透湿性が高いので下地金属の電蝕を防止することが要求されていた。
特開2006−146041号公報
特開平7−199217号公報
本発明は、半導体チップが搭載される配線基板の基板電極の腐食を防止することを目的とする。
(1)本発明に係る電子デバイスは、
半導体装置であって、集積回路が形成された半導体チップと、前記半導体チップに形成され前記集積回路に電気的に接続された複数のパッドと、それぞれの前記パッドの少なくとも一部を露出させる開口を有して前記半導体チップ上に形成されたパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜上に配置された樹脂突起と、前記複数のパッド上から前記樹脂突起上に至るように延び前記樹脂突起上では相互に間隔をあけて配置されている複数の配線と、を有する半導体装置と、
複数の基板電極を含む配線パターンが形成され、前記複数の配線と前記複数の基板電極が対向して接触するように、前記半導体装置が搭載された配線基板と、
前記半導体装置と前記配線基板とを接着する接着剤と、
を有し、
前記複数の配線は、前記複数の基板電極よりも腐食しにくい材料から形成され、
それぞれの前記配線は、いずれかの前記基板電極の中央部から、隣の前記基板電極の方向の端部上を超えて外側に至る領域を連続的に覆う。本発明によれば、腐食しにくい材料からなる配線が基板電極を覆うことで、基板電極の腐食を防止することができる。
(2)この電子デバイスにおいて、
前記配線基板は、前記複数の基板電極を露出させる複数の開口を有するように前記配線パターンを覆う保護膜をさらに有し、
前記複数の配線は、前記保護膜から露出する前記複数の基板電極の全体を覆い、かつ、前記保護膜の前記複数の基板電極に隣接する部分を覆ってもよい。
(3)この電子デバイスにおいて、
前記複数の配線は、前記複数の基板電極から、前記配線基板の、前記複数の基板電極に隣接する表面に至る領域を連続的に覆ってもよい。
半導体装置であって、集積回路が形成された半導体チップと、前記半導体チップに形成され前記集積回路に電気的に接続された複数のパッドと、それぞれの前記パッドの少なくとも一部を露出させる開口を有して前記半導体チップ上に形成されたパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜上に配置された樹脂突起と、前記複数のパッド上から前記樹脂突起上に至るように延び前記樹脂突起上では相互に間隔をあけて配置されている複数の配線と、を有する半導体装置と、
複数の基板電極を含む配線パターンが形成され、前記複数の配線と前記複数の基板電極が対向して接触するように、前記半導体装置が搭載された配線基板と、
前記半導体装置と前記配線基板とを接着する接着剤と、
を有し、
前記複数の配線は、前記複数の基板電極よりも腐食しにくい材料から形成され、
それぞれの前記配線は、いずれかの前記基板電極の中央部から、隣の前記基板電極の方向の端部上を超えて外側に至る領域を連続的に覆う。本発明によれば、腐食しにくい材料からなる配線が基板電極を覆うことで、基板電極の腐食を防止することができる。
(2)この電子デバイスにおいて、
前記配線基板は、前記複数の基板電極を露出させる複数の開口を有するように前記配線パターンを覆う保護膜をさらに有し、
前記複数の配線は、前記保護膜から露出する前記複数の基板電極の全体を覆い、かつ、前記保護膜の前記複数の基板電極に隣接する部分を覆ってもよい。
(3)この電子デバイスにおいて、
前記複数の配線は、前記複数の基板電極から、前記配線基板の、前記複数の基板電極に隣接する表面に至る領域を連続的に覆ってもよい。
図1は、本発明の実施の形態に係る電子デバイスに使用される半導体装置を示す平面図である。図2は、図1に示す半導体装置のII-II線断面図であり、図3は、図1に示す半導体装置のIII-III線断面図である。
半導体装置は、半導体チップ10を有する。半導体チップ10は、矩形の面を有している。半導体チップ10には、集積回路12(トランジスタ等)が形成されている。半導体チップ10には、集積回路12に電気的に接続されるように、パッド14が形成されている。パッド14は、1列又は複数列(平行な複数列)に並んでいる。パッド14は、半導体チップ10の矩形の面の辺に沿って(平行に)並んでいる。パッド14は、内部配線(図示せず)を介して集積回路12に電気的に接続されている。
半導体チップ10には、パッド14の少なくとも一部が露出する様に、パッシベーション膜16が形成されている。パッシベーション膜16は、例えば、SiO2やSiN等の無機材料のみで形成されていてもよい。パッシベーション膜16は、集積回路12の上方に形成されている。
半導体チップ10(パッシベーション膜16上)には、樹脂突起18が設けられている。半導体チップ10の矩形の面の辺に沿って(平行に)延びる樹脂突起18が示されており、複数の樹脂突起18が平行に配列されている。樹脂突起18の材料としては、例えばポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン(BCB;benzocyclobutene)、ポリベンゾオキサゾール(PBO;polybenzoxazole)、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂等の樹脂を用いてもよい。
樹脂突起18は長尺状に形成されている。樹脂突起18の表面(半導体チップ10とは反対側を向く面)は、凸曲面になっている。詳しくは、樹脂突起18の表面は、樹脂突起18の長手軸又はそれと平行な直線を回転軸として、長手軸の周囲に平行に位置する直線を回転させて描かれる回転面である。樹脂突起18の表面は、円柱を中心軸に平行な平面で切断して得られた形状の曲面(円柱の回転面の一部)の形状をなしている。樹脂突起18は、上面よりも下面が広くなるように、末広がりの形状になっている。
半導体チップ10には、複数の配線20が形成されている。配線20の材料として、Au、Ti、TiW、W、Cr、Ni、Al、Cu、Pd又は鉛フリーはんだ等を使用することができる。複数の配線20は、パッド14上から樹脂突起18上に至るように形成されている。複数の配線20は、隣同士の間隔をあけて樹脂突起18の上面に形成されている。1つの樹脂突起18上に複数の配線20が形成されている。配線20は、樹脂突起18の長手軸に交差するように延びる。配線20は、パッド14上から、パッシベーション膜16上を通って、樹脂突起18上に至る。配線20とパッド14は直接接触していてもよいし、両者間に導電膜(図示せず)が介在していてもよい。配線20は、樹脂突起18の、パッド14とは反対側の端部を越えて、パッシベーション膜16上に至るように形成されている。
図3に示すように、樹脂突起18の上面は、隣同士の配線20の間の領域が、配線20の直下の領域よりも、半導体チップ10に近くなるように形成されている。すなわち、樹脂突起18の上面は、配線20とオーバーラップする領域よりも、これらとオーバーラップしない領域が低くなるように形成されている。こうすることで、配線20の外部端子となる部分を高くして電気的な接続を図りやすくすることができる。この形状は、樹脂突起18上に配線20を形成した後に、樹脂突起18の隣り合う配線20間の部分をエッチングし、樹脂突起18の隣り合う配線20間の部分をエッチングして得られる。
図4(A)〜図4(B)は、本発明の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明する図である。本実施の形態では、上述した半導体装置を、熱硬化性の接着樹脂前駆体22を介して、配線基板24上に配置する。配線基板24には、配線パターン26が形成されている。配線パターン26は、例えばITO(Indium Tin Oxide)又はIZO(indium zinc oxide)からなる。配線パターン26の複数の部分を露出させるように、保護膜28が形成されている。保護膜28は、例えば、SiO2やSiN等の無機材料のみで形成されていてもよい。配線パターン26の保護膜28から露出する部分が基板電極30である。配線基板24は、液晶パネル又は有機EL(Electrical Luminescence)パネルの一部であってもよい。配線基板24はガラス又はセラミックスのいずれであってもよい。
半導体装置を、樹脂突起18上の配線20が基板電極30に対向するように配置し、半導体装置及び配線基板24の間に押圧力及び熱を加える。押圧力によって、樹脂突起18上の複数の配線20を基板電極30に電気的に接続(圧接)させる。樹脂突起18が圧縮されるので、配線20が樹脂突起18にめり込む。そして、熱によって、接着樹脂前駆体22を硬化収縮させる。接着樹脂前駆体22が硬化するまで押圧力を加えたまま維持する。接着樹脂前駆体22が硬化したら押圧力を解除する。こうして、電子デバイスを製造する。
図5(A)〜図5(B)は、本発明の実施の形態に係る電子デバイスを説明する図である。図6は、配線を半導体チップ側から見た斜視図である。電子デバイスは、上述した半導体装置と、配線基板24と、を有する。配線基板24には、配線パターン26が形成されている。配線パターン26は、例えばITO(Indium Tin Oxide)又はIZO(indium zinc oxide)からなる。配線パターン26の複数の部分を露出させるように、保護膜28が形成されている。保護膜28は、例えば、SiO2やSiN等の無機材料のみで形成されていてもよい。配線パターン26の保護膜28から露出する部分が基板電極30である。配線基板24は、液晶パネル又は有機EL(Electrical Luminescence)パネルの一部であってもよい。配線基板24はガラス又はセラミックスのいずれであってもよい。
半導体装置は、樹脂突起18(その上端部)上の配線20が基板電極30に対向するように、配線基板24に搭載されている。複数の配線20と基板電極30が電気的に接続している。複数の配線20と複数の基板電極30は、対向して接触している。複数の配線20は、保護膜28から露出する複数の基板電極30の全体を覆い、かつ、保護膜28の複数の基板電極30に隣接する部分を覆っている。複数の配線20(例えばAu)は、複数の基板電極30(例えばITO)よりも腐食しにくい材料から形成されている。配線20は、いずれかの基板電極30の中央部から、隣の基板電極30の方向の端部上を超えて外側(保護膜28の表面)に至る領域を連続的に覆っている。配線20は、基板電極30の中央部から、配線ラインの延びる方向に沿った両端部を超えて外側(保護膜28の表面)に至る領域を連続的に覆っている。つまり、配線20は基板電極30を完全に覆っている。本実施の形態によれば、腐食しにくい材料からなる配線20が基板電極30を覆うことで、基板電極30の腐食を防止することができる。その結果、マイグレーションも防止することができる。
樹脂突起18は、半導体装置及び配線基板24の対向方向に圧縮された状態で配置されている。保護膜28の基板電極30を露出させる開口の形状に従って、配線20が樹脂突起18から離れる方向に突出する凸部を有し、これに従って樹脂突起18も配線20の方向に突出する凸部を有する。半導体チップ10と配線基板24の間には、硬化した接着剤32が介在する。接着剤32は硬化収縮している。接着剤32は、硬化時の収縮による残存ストレスを内在している。
図7(A)〜図7(B)は、本発明の実施の形態に係る電子デバイスの変形例を説明する図である。図8は、変形例の配線を半導体チップ側から見た斜視図である。
この変形例では、配線基板124に、配線パターン126を覆う保護膜が形成されていない点で上記実施の形態とは異なる。なお、配線パターン126は、配線ライン及び配線ラインよりも広い平面形状のランドを含み、ランドが基板電極130である。変形例として、同じ幅の配線ラインのみからなる配線パターンの場合、配線ラインの一部(例えば端部)が基板電極であってもよい。
この変形例では、複数の配線120は、複数の基板電極130から、配線基板124の、複数の基板電極130に隣接する表面(配線基板124の配線パターン126が形成された面)に至る領域を連続的に覆っている。配線120は、基板電極130の中央部から、隣の基板電極130の方向の端部上を超えて外側(配線基板124の表面)に至る領域を連続的に覆っている。さらに、配線120は、基板電極130の中央部から、配線ラインの延びる方向における先端を超えて外側(配線基板124の表面)に至る領域を連続的に覆っている。配線120は、配線ラインの、基板電極130との接続部も覆っている。配線120は、基板電極130の、配線ラインとの接続部側の端部のうち、配線ラインとの接続部を除く部分も覆っている。
樹脂突起118は、半導体装置及び配線基板124の対向方向に圧縮された状態で配置されている。配線パターン126の形状に従って、配線120が樹脂突起118に入り込む凹部を有し、これに従って樹脂突起118も凹部を有する。これ以外の内容は、上述した実施の形態で説明した内容が該当する。
電子デバイスは、表示デバイス(パネルモジュール)であってもよい。表示デバイスは、例えば液晶表示デバイスやEL(Electrical Luminescence)表示デバイスであってもよい。図9には、表示デバイスとして構成された電子デバイス1000を示す。電子デバイス1000に使用される半導体装置1は、表示デバイスを制御するドライバICである。また、電子デバイス1000を有する電子機器として、図10にはノート型パーソナルコンピュータ2000を、図11には携帯電話3000を、それぞれ示す。
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
10…半導体チップ、 12…集積回路、 14…パッド、 16…パッシベーション膜、 18…樹脂突起、 20…配線、 22…接着樹脂前駆体、 24…配線基板、 26…配線パターン、 28…保護膜、 30…基板電極、 32…接着剤、 118…樹脂突起、 120…配線、 124…配線基板、 126…配線パターン、 130…基板電極
Claims (3)
- 半導体装置であって、集積回路が形成された半導体チップと、前記半導体チップに形成され前記集積回路に電気的に接続された複数のパッドと、それぞれの前記パッドの少なくとも一部を露出させる開口を有して前記半導体チップ上に形成されたパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜上に配置された樹脂突起と、前記複数のパッド上から前記樹脂突起上に至るように延び前記樹脂突起上では相互に間隔をあけて配置されている複数の配線と、を有する半導体装置と、
複数の基板電極を含む配線パターンが形成され、前記複数の配線と前記複数の基板電極が対向して接触するように、前記半導体装置が搭載された配線基板と、
前記半導体装置と前記配線基板とを接着する接着剤と、
を有し、
前記複数の配線は、前記複数の基板電極よりも腐食しにくい材料から形成され、
それぞれの前記配線は、いずれかの前記基板電極の中央部から、隣の前記基板電極の方向の端部上を超えて外側に至る領域を連続的に覆う電子デバイス。 - 請求項1に記載された電子デバイスにおいて、
前記配線基板は、前記複数の基板電極を露出させる複数の開口を有するように前記配線パターンを覆う保護膜をさらに有し、
前記複数の配線は、前記保護膜から露出する前記複数の基板電極の全体を覆い、かつ、前記保護膜の前記複数の基板電極に隣接する部分を覆う電子デバイス。 - 請求項1に記載された電子デバイスにおいて、
前記複数の配線は、前記複数の基板電極から、前記配線基板の、前記複数の基板電極に隣接する表面に至る領域を連続的に覆う電子デバイス。
Priority Applications (1)
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JP2007213810A JP2009049189A (ja) | 2007-08-20 | 2007-08-20 | 電子デバイス |
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JP2007213810A JP2009049189A (ja) | 2007-08-20 | 2007-08-20 | 電子デバイス |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018034396A (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | セイコーエプソン株式会社 | 接合構造体、圧電デバイス、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、及び、接合構造体の製造方法 |
-
2007
- 2007-08-20 JP JP2007213810A patent/JP2009049189A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2018034396A (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | セイコーエプソン株式会社 | 接合構造体、圧電デバイス、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、及び、接合構造体の製造方法 |
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