JP4936010B2 - 半導体モジュール及びその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 62
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 45
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 5
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 claims description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 29
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 10
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 8
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008599 TiW Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
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- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
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Description
集積回路が形成された半導体チップと、
前記半導体チップに形成され、前記集積回路に電気的に接続された複数の電極と、
前記複数の電極上に位置する複数の開口を有して前記半導体チップ上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に配置された、長尺状をなす弾性突起と、
前記複数の電極上から、前記弾性突起が延びる方向に沿った軸に交差して延び、前記弾性突起上に至る複数の配線と、
前記複数の配線の前記弾性突起上の部分にそれぞれ接触する複数のリードと、
前記複数のリードが形成されたベース基板と、
前記半導体チップの前記弾性突起が形成された面と、前記ベース基板の前記複数のリードが形成された面と、の間で間隔を保持する硬化した接着剤と、
を有し、
前記弾性突起は、弾性変形によって形成された複数の窪みを有し、
前記複数の配線及び前記複数のリードの接触部は、それぞれ、前記複数の窪み内に位置し、
前記弾性突起は、隣同士の前記窪みの間に、弾性力を以って前記ベース基板に密着する部分を有し、
前記窪みの内面と前記リードとの間に、前記接着剤の一部が充填されている。本発明によれば、隣同士の窪みの間で弾性突起がベース基板に密着するため、両者間の界面が1つだけになるので、水分の侵入経路が少ない。この点、両者間に接着剤が介在すると界面が2つになるので水分の侵入経路が多いので、イオンマイグレーションが発生しやすいが、本発明によれば、これを防止することができる。また、接着剤が介在しない部分では、接着剤に一般的に含まれるイオン化しやすい物質(塩素など)を配線間から排除することができ、これによってもイオンマイグレーションの発生を防止することができる。さらに、接着剤は硬化すると収縮するので、弾性突起とベース基板間に硬化した接着剤が介在すると界面の剥離が生じやすいが、本発明では、接着剤が介在しない部分では剥離が生じにくく、しかも、弾性力によって弾性突起とベース基板が密着するので両者の剥離が生じにくい。
(2)本発明に係る半導体モジュールの製造方法は、
半導体装置を、接着剤を介して、複数のリードが形成されたベース基板に搭載する工程を含み、
前記半導体装置は、
集積回路が形成された半導体チップと、
前記半導体チップに形成され、前記集積回路に電気的に接続された複数の電極と、
前記複数の電極上に位置する複数の開口を有して前記半導体チップ上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に配置された、長尺状をなす弾性突起と、
前記複数の電極上から、前記弾性突起が延びる方向に沿った軸に交差して延び、前記弾性突起上に至る複数の配線と、
を有し、
前記工程で、押圧力によって、
前記複数のリードを、前記複数の配線の前記樹脂突起上の部分に接触させ、
前記複数のリード及び前記複数の配線を介して、前記弾性突起を弾性変形させて複数の窪みを形成し、
前記複数の配線及び前記複数のリードの接触部を、それぞれ、前記複数の窪み内に配置し、
前記弾性突起の隣同士の前記窪みの間の部分を、弾性力を以って前記ベース基板に密着させ、
前記窪みの内面と前記リードとの間の隙間で、前記接着剤を流動させる。本発明によれば、隣同士の窪みの間で弾性突起をベース基板に密着させるため、両者間の界面を1つだけにすることができ、水分の侵入経路が少なくなる。この点、両者間に接着剤が介在すると界面が2つになるので水分の侵入経路が多いので、イオンマイグレーションが発生しやすいが、本発明によれば、これを防止することができる。また、接着剤が介在しない部分では、接着剤に一般的に含まれるイオン化しやすい物質(塩素など)を配線間から排除することができ、これによってもイオンマイグレーションの発生を防止することができる。さらに、接着剤は硬化すると収縮するので、弾性突起とベース基板間に硬化した接着剤が介在すると界面の剥離が生じやすいが、本発明では、接着剤が介在しない部分では剥離が生じにくく、しかも、弾性力によって弾性突起とベース基板が密着するので両者の剥離が生じにくい。さらに、本発明では、窪みの内面とリードの間に隙間を形成して接着剤を流動させるので、接着剤に含まれるボイドを排出することができる。
図1は、本発明の実施の形態に係る半導体モジュールに使用される半導体装置を示す平面図である。図2は、図1に示す半導体装置のII-II線断面図であり、図3は、図1に示す半導体装置のIII-III線断面図である。
図4(A)〜図5は、本発明の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法を説明する図である。本実施の形態では、上述した半導体装置1を、接着剤22を介して、ベース基板24に搭載する。ベース基板24は、弾性変形する性質を有し、樹脂などからなるフレキシブル基板であってもよい。ベース基板24には、リード26が形成されている。リード26の延長方向(図4(B)で紙面の表裏面方向)に直交する幅W1は、配線20の延長方向(図4(B)で紙面の表裏面方向)に直交する幅W2よりも狭い。
図6は、本発明の実施の形態に係る半導体モジュールを説明する図である。半導体モジュールは、上述した半導体装置1と、ベース基板24と、を有する。ベース基板24は、リード26の弾性突起18とは反対側を支持する。
Claims (2)
- 集積回路が形成された半導体チップと、
前記半導体チップに形成され、前記集積回路に電気的に接続された複数の電極と、
前記複数の電極上に位置する複数の開口を有して前記半導体チップ上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に配置された、長尺状をなす弾性突起と、
前記複数の電極上から、前記弾性突起が延びる方向に沿った軸に交差して延び、前記弾性突起上に至る複数の配線と、
前記複数の配線の前記弾性突起上の部分にそれぞれ接触する複数のリードと、
前記複数のリードが形成されたベース基板と、
前記半導体チップの前記弾性突起が形成された面と、前記ベース基板の前記複数のリードが形成された面と、の間で間隔を保持する硬化した接着剤と、
を有し、
前記弾性突起は、弾性変形によって形成された複数の窪みを有し、
前記複数の配線及び前記複数のリードの接触部は、それぞれ、前記複数の窪み内に位置し、
前記弾性突起は、隣同士の前記窪みの間に、弾性力を以って前記ベース基板に密着する部分を有し、
前記窪みの内面と前記リードとの間に、前記接着剤の一部が充填されている半導体モジュール。 - 半導体装置を、接着剤を介して、複数のリードが形成されたベース基板に搭載する工程を含み、
前記半導体装置は、
集積回路が形成された半導体チップと、
前記半導体チップに形成され、前記集積回路に電気的に接続された複数の電極と、
前記複数の電極上に位置する複数の開口を有して前記半導体チップ上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に配置された、長尺状をなす弾性突起と、
前記複数の電極上から、前記弾性突起が延びる方向に沿った軸に交差して延び、前記弾性突起上に至る複数の配線と、
を有し、
前記工程で、押圧力によって、
前記複数のリードを、前記複数の配線の前記樹脂突起上の部分に接触させ、
前記複数のリード及び前記複数の配線を介して、前記弾性突起を弾性変形させて複数の窪みを形成し、
前記複数の配線及び前記複数のリードの接触部を、それぞれ、前記複数の窪み内に配置し、
前記弾性突起の隣同士の前記窪みの間の部分を、弾性力を以って前記ベース基板に密着させ、
前記窪みの内面と前記リードとの間の隙間で、前記接着剤を流動させる半導体モジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008051973A JP4936010B2 (ja) | 2008-03-03 | 2008-03-03 | 半導体モジュール及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008051973A JP4936010B2 (ja) | 2008-03-03 | 2008-03-03 | 半導体モジュール及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009212210A JP2009212210A (ja) | 2009-09-17 |
JP4936010B2 true JP4936010B2 (ja) | 2012-05-23 |
Family
ID=41185094
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008051973A Active JP4936010B2 (ja) | 2008-03-03 | 2008-03-03 | 半導体モジュール及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4936010B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004327527A (ja) * | 2003-04-22 | 2004-11-18 | Seiko Epson Corp | 電子装置及びその製造方法並びに電子機器 |
JP4142041B2 (ja) * | 2005-03-23 | 2008-08-27 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2008
- 2008-03-03 JP JP2008051973A patent/JP4936010B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009212210A (ja) | 2009-09-17 |
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