JP4924831B2 - 半導体装置及び電子デバイス - Google Patents
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Description
集積回路が形成された半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、前記集積回路に電気的に接続された電極と、
前記電極の少なくとも一部を露出するように開口部を設け、前記保護膜の開口部を避け前記保護膜に配置された樹脂突起と、
前記電極上から前記保護膜上を経由し、少なくとも前記樹脂突起上に至るように配置された配線と、
を有し、
前記樹脂突起は、前記半導体基板と対向する下面と、前記半導体基板とは反対を向く上面と、前記下面及び前記上面を接続する側面と、を含み、
前記配線は、前記上面に位置する第1の部分と、前記第1の部分から前記電極の方向に延びて前記側面に位置する第2の部分と、を含み、
前記第1の部分の平面形状に近似する多角形は、内側に凹む形状の凹角部を含む凹多角形である。本発明によれば、樹脂突起の上面に位置する配線の第1の部分は、凹多角形に近似しており、凹角部が内側に凹むので、中央から外側に接着剤を排出する距離が短くなる。このため、接着剤の排出性に優れている。また、凹多角形はそれに内接する矩形より接続面積を広く確保できるため接着材の経時的劣化などにより発生する接続面積の減少を抑制できる。このため、電気的な接続性にも優れている。
(2)この半導体装置において、
前記凹角部は、前記第1の部分と前記第2の部分の境界に位置してもよい。
(3)この半導体装置において、
前記凹角部は、前記電極から前記配線の延びる方向に直交する幅方向の側縁に位置してもよい。
(4)この半導体装置において、
前記凹多角形は、対向する方向に相互に凹む一対の前記凹角部を含んでもよい。
(5)この半導体装置において、
複数の前記電極を含み、
複数の前記配線を含み、
それぞれの前記配線は、隣同士の間隔をあけて前記樹脂突起上に形成され、
前記樹脂突起の前記上面は、隣同士の前記配線の間の領域が、複数の前記配線の直下の領域よりも、前記半導体基板に近くなるように形成されていてもよい。
(6)本発明に係る電子デバイスは、
半導体装置であって、
集積回路が形成された半導体チップと、
前記半導体チップ上に形成され、前記集積回路に電気的に接続された電極と、
前記電極の少なくとも一部を露出するように開口部を設け、
前記半導体基板上に形成された保護膜と、
前記保護膜の開口部を避け前記保護膜に配置された樹脂突起と、
前記電極上から前記保護膜上を経由し、
少なくとも前記樹脂突起上に至るように配置された配線と、
を有し、
前記樹脂突起は、前記半導体チップと対向する下面と、前記半導体チップとは反対を向く上面と、前記下面及び前記上面を接続する側面と、を含み、
前記配線は、前記上面に位置する第1の部分と、前記第1の部分から前記電極の方向に延びて前記側面に位置する第2の部分と、を含み、
前記第1の部分の平面形状に近似する多角形は、内側に凹む形状の凹角部を含む凹多角形である半導体装置と、
前記半導体装置が搭載され、前記配線の前記第1の部分と対向して電気的に接続する配線パターンが形成された回路基板と、
前記半導体装置と前記回路基板の間に介在する接着剤と、
を有する。本発明によれば、樹脂突起の上面に位置する配線の第1の部分は、凹多角形に近似しており、凹角部が内側に凹むので、中央から外側に接着剤を排出する距離が短くなる。このため、接着剤の排出性に優れている。また、凹多角形は内接する矩形よりも接続面積が大きくなるため接着材の経時的劣化などにより発生する接続面積の減少を抑制できる。このため、電気的な接続性にも優れている。
(7)この電子デバイスにおいて、
複数の前記電極を含み、
複数の前記配線を含み、
それぞれの前記配線は、隣同士の間隔をあけて前記樹脂突起上に形成され、
前記樹脂突起の前記上面は、隣同士の前記配線の間の領域が、複数の前記配線の直下の領域よりも、前記半導体チップに近くなるように形成され、
隣同士の前記配線の間の前記領域は、前記回路基板に接触しなくてもよい。
Claims (7)
- 集積回路が形成された半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、前記集積回路に電気的に接続された電極と、
前記電極の少なくとも一部を露出するように開口部を設け、前記半導体基板上に形成された保護膜と、
前記保護膜の開口部を避け前記保護膜に配置された樹脂突起と、
前記電極上から前記保護膜上を経由し、少なくとも前記樹脂突起上に至るように配置された配線と、
を有し、
前記樹脂突起は、前記半導体基板と対向する下面と、前記半導体基板とは反対を向く上面と、前記下面及び前記上面を接続する側面と、を含み、
前記配線は、前記上面に位置する第1の部分と、前記第1の部分から前記電極の方向に延びて前記側面に位置する第2の部分と、を含み、
前記第1の部分の平面形状は、多角形に近似しており、
前記多角形は、内側に凹む形状の凹角部を含む凹多角形である半導体装置。 - 請求項1に記載された半導体装置において、
前記凹角部は、前記第1の部分と前記第2の部分の境界に対応している半導体装置。 - 請求項1に記載された半導体装置において、
前記凹角部は、前記電極から前記配線の延びる方向に直交する幅方向の側縁に対応している半導体装置。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載された半導体装置において、
前記凹多角形は、対向する方向に相互に凹む一対の前記凹角部を含む半導体装置。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載された半導体装置において、
複数の前記電極を含み、
複数の前記配線を含み、
それぞれの前記配線は、隣同士の間隔をあけて前記樹脂突起上に形成され、
前記樹脂突起の前記上面は、隣同士の前記配線の間の領域が、複数の前記配線の直下の領域よりも、前記半導体基板に近くなるように形成されている半導体装置。 - 半導体装置と、
前記半導体装置が搭載され、配線パターンが形成された回路基板と、
前記半導体装置と前記回路基板の間に介在する接着剤と、
を有し、
前記半導体装置は、
集積回路が形成された半導体チップと、
前記半導体チップ上に形成され、前記集積回路に電気的に接続された電極と、
前記電極の少なくとも一部を露出するように開口部を設け、前記半導体チップ上に形成された保護膜と、
前記保護膜の開口部を避け前記半導体チップ上に配置された樹脂突起と、
前記電極上から前記樹脂突起上に至るように配置された配線と、
を有し、
前記樹脂突起は、前記半導体チップと対向する下面と、前記半導体チップとは反対を向く上面と、前記下面及び前記上面を接続する側面と、を含み、
前記配線は、前記上面に位置する第1の部分と、前記第1の部分から前記電極の方向に延びて前記側面に位置する第2の部分と、を含み、
前記第1の部分の平面形状は、多角形に近似しており、
前記多角形は、内側に凹む形状の凹角部を含む凹多角形であり、
前記配線パターンは、前記配線の前記第1の部分と対向して電気的に接続している電子デバイス。 - 請求項6に記載された電子デバイスにおいて、
複数の前記電極を含み、
複数の前記配線を含み、
それぞれの前記配線は、隣同士の間隔をあけて前記樹脂突起上に形成され、
前記樹脂突起の前記上面は、隣同士の前記配線の間の領域が、複数の前記配線の直下の領域よりも、前記半導体チップに近くなるように形成され、
隣同士の前記配線の間の前記領域は、前記回路基板に接触しない電子デバイス。
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