JP3265889B2 - 表面弾性波装置及びその製造方法 - Google Patents
表面弾性波装置及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、テレビ、ＶＴＲや携帯
電話等の移動体通信機器に用いられる表面弾性波装置及
びその製造方法に関する。
電話等の移動体通信機器に用いられる表面弾性波装置及
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下に従来の表面弾性波装置について説
明する。
明する。
【０００３】図９に示すように、表面弾性波素子２０
は、一般に圧電体の単結晶基板２１上に表面波を励振・
受信する機能を有したインターディジタルトランスデュ
ーサ（以下、ＩＤＴという）電極２２とＩＤＴ電極２２
に通電するための取り出し電極２３を有し、ステム２４
のアース電極２５上にダイボンド樹脂２６により装着、
固定されている。取り出し電極２３と端子電極２７と
は、接続用のＡｌワイヤ２８でワイヤボンド方式により
電気的に接続されている。なお、Ａｌワイヤ２８に代え
て、Ａｕワイヤを用いることもある。端子電極２７は端
子２９に接続されており、外部回路と接続できる構成で
ある。
は、一般に圧電体の単結晶基板２１上に表面波を励振・
受信する機能を有したインターディジタルトランスデュ
ーサ（以下、ＩＤＴという）電極２２とＩＤＴ電極２２
に通電するための取り出し電極２３を有し、ステム２４
のアース電極２５上にダイボンド樹脂２６により装着、
固定されている。取り出し電極２３と端子電極２７と
は、接続用のＡｌワイヤ２８でワイヤボンド方式により
電気的に接続されている。なお、Ａｌワイヤ２８に代え
て、Ａｕワイヤを用いることもある。端子電極２７は端
子２９に接続されており、外部回路と接続できる構成で
ある。
【０００４】表面弾性波装置は、表面波の伝搬特性を利
用しているので、表面を保護膜で被覆することができ
ず、ＩＤＴ電極２２の表面に空間を有する構成としてい
る。すなわち、表面弾性波素子２０とＡｌワイヤ２８に
接触せず、かつ、外部と気密を保つ構成としたキャップ
３０をかぶせて、その周辺部をシーム溶接してシーム溶
接部３１を形成して、封止した構成である。
用しているので、表面を保護膜で被覆することができ
ず、ＩＤＴ電極２２の表面に空間を有する構成としてい
る。すなわち、表面弾性波素子２０とＡｌワイヤ２８に
接触せず、かつ、外部と気密を保つ構成としたキャップ
３０をかぶせて、その周辺部をシーム溶接してシーム溶
接部３１を形成して、封止した構成である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、シーム溶接による封止により信頼性は高
いが、一括して溶接することができないので、工数がか
かり製造コストが高くなるという問題点、また、表面弾
性波装置をプリント基板に実装するときの加熱により、
ダイボンド樹脂２６からガスが放出されて周波数特性を
変化させるという問題点、さらに、高周波帯域で使用す
るときには、Ａｌワイヤ２８がインダクタとして作用し
て、Ａｌワイヤ２８の張り方によってインダクタンスが
変化するので、周波数特性が不安定であるという問題点
を有していた。
来の構成では、シーム溶接による封止により信頼性は高
いが、一括して溶接することができないので、工数がか
かり製造コストが高くなるという問題点、また、表面弾
性波装置をプリント基板に実装するときの加熱により、
ダイボンド樹脂２６からガスが放出されて周波数特性を
変化させるという問題点、さらに、高周波帯域で使用す
るときには、Ａｌワイヤ２８がインダクタとして作用し
て、Ａｌワイヤ２８の張り方によってインダクタンスが
変化するので、周波数特性が不安定であるという問題点
を有していた。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、製造コストが安く、周波数特性が変化せず、安定し
た特性の表面弾性波装置及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
で、製造コストが安く、周波数特性が変化せず、安定し
た特性の表面弾性波装置及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の表面弾性波装置は、表面に表面弾性波を励振
・受信するＩＤＴ電極と取り出し電極と陽極接合部とを
有し、少なくとも前記取り出し電極と前記陽極接合部が
アルミニウムを主成分とする同一厚さの膜よりなる表面
弾性波素子と、表面弾性波素子の取り出し電極と一致す
る位置に形設した貫通孔に設けた外部電極を有するガラ
ス板製のカバー基板を備え、取り出し電極と外部電極を
電気的に接続し、かつガラス基板と陽極接合部とを接合
してＩＤＴ電極を封止した構成としたものである。
に本発明の表面弾性波装置は、表面に表面弾性波を励振
・受信するＩＤＴ電極と取り出し電極と陽極接合部とを
有し、少なくとも前記取り出し電極と前記陽極接合部が
アルミニウムを主成分とする同一厚さの膜よりなる表面
弾性波素子と、表面弾性波素子の取り出し電極と一致す
る位置に形設した貫通孔に設けた外部電極を有するガラ
ス板製のカバー基板を備え、取り出し電極と外部電極を
電気的に接続し、かつガラス基板と陽極接合部とを接合
してＩＤＴ電極を封止した構成としたものである。
【０００８】また、その製造方法は、表面に表面弾性波
を励振・受信するＩＤＴ電極と取り出し電極とその周囲
全体に配設したアルミニウムを主成分とする膜よりなる
陽極接合部を有する表面弾性波素子を多数配置し、か
つ、陽極接合部がすべて接続されて表面弾性波素子が形
成されていない領域に引き出されて設けた陽極接合端子
を有する素子形成基板を作成する工程と、表面弾性波素
子のそれぞれの取り出し電極と一致する位置に形設した
多数の貫通孔を有するカバー基板形成ガラス板を作成す
る工程と、素子形成基板の取り出し電極とカバー基板形
成ガラス板の貫通孔とを位置合わせして密着させた後、
カバー基板形成ガラス板と陽極接合部との間に電圧を印
加するとともに全体を加熱して表面弾性波素子の陽極接
合部を一括してカバー基板形成ガラス板に接合する工程
と、ついで接合された素子形成基板とカバー基板形成ガ
ラス板を真空装置中でのスパッタリングにより、カバー
基板形成ガラス板の貫通孔とその周辺部に外部電極を形
成する工程と、ついで外部電極に外部回路と接続する印
刷電極を形成する工程と、ついで陽極接合部のほぼ中心
部を切断する工程とを有するものである。
を励振・受信するＩＤＴ電極と取り出し電極とその周囲
全体に配設したアルミニウムを主成分とする膜よりなる
陽極接合部を有する表面弾性波素子を多数配置し、か
つ、陽極接合部がすべて接続されて表面弾性波素子が形
成されていない領域に引き出されて設けた陽極接合端子
を有する素子形成基板を作成する工程と、表面弾性波素
子のそれぞれの取り出し電極と一致する位置に形設した
多数の貫通孔を有するカバー基板形成ガラス板を作成す
る工程と、素子形成基板の取り出し電極とカバー基板形
成ガラス板の貫通孔とを位置合わせして密着させた後、
カバー基板形成ガラス板と陽極接合部との間に電圧を印
加するとともに全体を加熱して表面弾性波素子の陽極接
合部を一括してカバー基板形成ガラス板に接合する工程
と、ついで接合された素子形成基板とカバー基板形成ガ
ラス板を真空装置中でのスパッタリングにより、カバー
基板形成ガラス板の貫通孔とその周辺部に外部電極を形
成する工程と、ついで外部電極に外部回路と接続する印
刷電極を形成する工程と、ついで陽極接合部のほぼ中心
部を切断する工程とを有するものである。
【０００９】
【作用】この構成において、表面弾性波素子と外部への
リードとを接続するリード線や表面弾性波素子を固定す
るダイボンド樹脂を用いないので、大きさを小さくで
き、かつリード線によるインダクタンスの発生やダイボ
ンド樹脂からのガスの放出がなくて、周波数変動が生じ
ず、電気的特性が安定することとなる。
リードとを接続するリード線や表面弾性波素子を固定す
るダイボンド樹脂を用いないので、大きさを小さくで
き、かつリード線によるインダクタンスの発生やダイボ
ンド樹脂からのガスの放出がなくて、周波数変動が生じ
ず、電気的特性が安定することとなる。
【００１０】また、この方法において、表面弾性波素子
を多数形成した素子形成基板上にガラス製のカバー基板
を一括で陽極接合により形成でき、かつ表面弾性波素子
の取り出し電極と一致する位置に設けた貫通孔に外部電
極を形成することで外部への電極の取り出しと封止も一
括で行うこととなる。
を多数形成した素子形成基板上にガラス製のカバー基板
を一括で陽極接合により形成でき、かつ表面弾性波素子
の取り出し電極と一致する位置に設けた貫通孔に外部電
極を形成することで外部への電極の取り出しと封止も一
括で行うこととなる。
【００１１】
（実施例１）以下本発明の一実施例について説明する。
【００１２】図１に示すように、表面弾性波素子１は、
圧電体の単結晶基板２上にＩＤＴ電極３と取り出し電極
４及びこれらを取り囲むように配設した陽極接合部５と
で構成し、絶縁性のカバー基板６は、ガラス板７に空隙
部８と貫通孔９を形成し、貫通孔９とその周辺部に設け
た外部電極１０と、外部電極１０に添設した印刷電極１
１とで構成し、表面弾性波素子１の取り出し電極４をカ
バー基板６の外部電極１０と接合し、かつ、陽極接合部
５をカバー基板６に接合してＩＤＴ電極３を封止した構
成としている。
圧電体の単結晶基板２上にＩＤＴ電極３と取り出し電極
４及びこれらを取り囲むように配設した陽極接合部５と
で構成し、絶縁性のカバー基板６は、ガラス板７に空隙
部８と貫通孔９を形成し、貫通孔９とその周辺部に設け
た外部電極１０と、外部電極１０に添設した印刷電極１
１とで構成し、表面弾性波素子１の取り出し電極４をカ
バー基板６の外部電極１０と接合し、かつ、陽極接合部
５をカバー基板６に接合してＩＤＴ電極３を封止した構
成としている。
【００１３】本実施例では、単結晶基板２として水晶を
用い、各電極は、アルミニウムを材料として膜厚を５０
０ｎｍで形成し、ガラス板７としては、水晶の熱膨張係
数に近いソーダガラスを用いた。
用い、各電極は、アルミニウムを材料として膜厚を５０
０ｎｍで形成し、ガラス板７としては、水晶の熱膨張係
数に近いソーダガラスを用いた。
【００１４】上述の表面弾性波装置の製造方法につい
て、以下に説明する。まず、図２に示すように、素子形
成基板１２に、その多数の単結晶基板２上にＩＤＴ電極
３と取り出し電極４とその周辺部に配設した陽極接合部
５を有する表面弾性波素子１を多数形成する。陽極接合
部５は表面弾性波素子１の周辺部に形成されるととも
に、それぞれがすべて共通に接続された陽極接合端子１
３と接続されている。陽極接合端子１３は、本実施例で
は２個設けているが個数は特に制約されるものではな
い。
て、以下に説明する。まず、図２に示すように、素子形
成基板１２に、その多数の単結晶基板２上にＩＤＴ電極
３と取り出し電極４とその周辺部に配設した陽極接合部
５を有する表面弾性波素子１を多数形成する。陽極接合
部５は表面弾性波素子１の周辺部に形成されるととも
に、それぞれがすべて共通に接続された陽極接合端子１
３と接続されている。陽極接合端子１３は、本実施例で
は２個設けているが個数は特に制約されるものではな
い。
【００１５】また、図３に示すように、カバー基板形成
ガラス板１４に、個々の表面弾性波素子１に相当する位
置に多数の空隙部８と貫通孔９を形設する。
ガラス板１４に、個々の表面弾性波素子１に相当する位
置に多数の空隙部８と貫通孔９を形設する。
【００１６】ついで、図４及び図５に示すように、素子
形成基板１２の表面弾性波素子１の取り出し電極４とカ
バー基板形成ガラス板１４の貫通孔９とがそれぞれ一致
するように位置合わせして、素子形成基板１２とカバー
基板形成ガラス板１４を密着させた後、素子形成基板１
２の陽極接合端子１３とカバー基板形成ガラス板１４と
の間に５００Ｖの電圧を印加するとともに全体を３５０
℃に加熱して両者を陽極接合する。カバー基板形成ガラ
ス板１４の上に接触させる電極は、特に位置には制約は
なく、陽極接合部５は、素子形成基板１２の全面に渡っ
て陽極接合端子１３と接続されているので、すべての表
面弾性波素子１を数分でカバー基板形成ガラス板１４に
接合することができる。この後、真空装置中でのスパッ
タリングにより、図６に示すように、貫通孔９とその周
辺部に第１層がＴｉ膜（膜厚：５０ｎｍ）、第２層がＣ
ｕ膜（膜厚：２μｍ）の外部電極１０を形成し、ついで
Ｃｕを主体としたペーストを印刷してプリント基板に半
田付けする印刷電極１１を形成する。取り出し電極４と
陽極接合部５の電極の膜厚が同一であるので、取り出し
電極４と貫通孔９との間にほとんど隙間が生じないこと
から、スパッタリングで形成した外部電極１０で導通と
充分な封止ができる。上述の工程までを一括して処理し
た後、陽極接合部５のほぼ中心部をダイシングソーで切
断して、図１に示した表面弾性波装置とする。
形成基板１２の表面弾性波素子１の取り出し電極４とカ
バー基板形成ガラス板１４の貫通孔９とがそれぞれ一致
するように位置合わせして、素子形成基板１２とカバー
基板形成ガラス板１４を密着させた後、素子形成基板１
２の陽極接合端子１３とカバー基板形成ガラス板１４と
の間に５００Ｖの電圧を印加するとともに全体を３５０
℃に加熱して両者を陽極接合する。カバー基板形成ガラ
ス板１４の上に接触させる電極は、特に位置には制約は
なく、陽極接合部５は、素子形成基板１２の全面に渡っ
て陽極接合端子１３と接続されているので、すべての表
面弾性波素子１を数分でカバー基板形成ガラス板１４に
接合することができる。この後、真空装置中でのスパッ
タリングにより、図６に示すように、貫通孔９とその周
辺部に第１層がＴｉ膜（膜厚：５０ｎｍ）、第２層がＣ
ｕ膜（膜厚：２μｍ）の外部電極１０を形成し、ついで
Ｃｕを主体としたペーストを印刷してプリント基板に半
田付けする印刷電極１１を形成する。取り出し電極４と
陽極接合部５の電極の膜厚が同一であるので、取り出し
電極４と貫通孔９との間にほとんど隙間が生じないこと
から、スパッタリングで形成した外部電極１０で導通と
充分な封止ができる。上述の工程までを一括して処理し
た後、陽極接合部５のほぼ中心部をダイシングソーで切
断して、図１に示した表面弾性波装置とする。
【００１７】以上のように本実施例によれば、表面弾性
波素子１の封止及び外部への導体の取り出しをカバー基
板６のガラスと表面弾性波素子１の陽極接合部５のアル
ミニウム膜との陽極接合及び貫通孔９の外部電極１０を
介して印刷電極１１で実現し、その製造方法において、
封止と外部電極１０の取り出しが一括して処理できるの
で、従来例に比して、工数低減と小型化ができるととも
に、従来例のように接続用のＡｌワイヤーやダイボンド
樹脂等を使用しないので、電気的特性の安定性を向上で
きる。
波素子１の封止及び外部への導体の取り出しをカバー基
板６のガラスと表面弾性波素子１の陽極接合部５のアル
ミニウム膜との陽極接合及び貫通孔９の外部電極１０を
介して印刷電極１１で実現し、その製造方法において、
封止と外部電極１０の取り出しが一括して処理できるの
で、従来例に比して、工数低減と小型化ができるととも
に、従来例のように接続用のＡｌワイヤーやダイボンド
樹脂等を使用しないので、電気的特性の安定性を向上で
きる。
【００１８】（実施例２）以下本発明の第２の実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００１９】図７に示すように、本実施例は前述実施例
１の構成に、実施例１の印刷電極１１をリード端子１５
とし、電磁シールド膜１６及びモールド樹脂１７を備え
た構成としている。
１の構成に、実施例１の印刷電極１１をリード端子１５
とし、電磁シールド膜１６及びモールド樹脂１７を備え
た構成としている。
【００２０】また、その製造方法は、前述実施例１の素
子形成基板１２とカバー基板形成ガラス板１４との陽極
接合を行い、スパッタリングで外部電極１０を形成する
工程までは同一の方法である。その後、ダイシングソー
で切断し、表面弾性波素子１の外部に銀を主体としたペ
ーストを印刷により被覆した電磁シールド膜１６を形成
する。この電磁シールド膜１６は図示していないが外部
電極１０のアース端子部と接続されている。
子形成基板１２とカバー基板形成ガラス板１４との陽極
接合を行い、スパッタリングで外部電極１０を形成する
工程までは同一の方法である。その後、ダイシングソー
で切断し、表面弾性波素子１の外部に銀を主体としたペ
ーストを印刷により被覆した電磁シールド膜１６を形成
する。この電磁シールド膜１６は図示していないが外部
電極１０のアース端子部と接続されている。
【００２１】ついで、リード端子１５を外部電極１０に
溶接により接合した後、全体をモールド樹脂１７でパッ
ケージして表面弾性波装置とする。
溶接により接合した後、全体をモールド樹脂１７でパッ
ケージして表面弾性波装置とする。
【００２２】以上のように本実施例によれば、電磁シー
ルド膜１６を表面弾性波素子１の外面に設けたことによ
り、前述実施例１の効果に加えて、外部からの電磁ノイ
ズの影響を受けずに良好な特性を維持でき、また、モー
ルド樹脂１７によるパッケージを採用したことにより、
量産性がさらに向上できる。
ルド膜１６を表面弾性波素子１の外面に設けたことによ
り、前述実施例１の効果に加えて、外部からの電磁ノイ
ズの影響を受けずに良好な特性を維持でき、また、モー
ルド樹脂１７によるパッケージを採用したことにより、
量産性がさらに向上できる。
【００２３】（実施例３）以下本発明の第３の実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００２４】図８に示すように、本実施例は前述実施例
１の構成に、実施例１のカバー基板６の空隙部８のない
カバー基板１８と、表面弾性波素子１の取り出し電極４
と陽極接合部５の膜厚を約３μｍ増加させた表面弾性波
素子１９と、電磁シールド膜１６を備えた構成としてい
る。すなわち、膜厚を厚くした取り出し電極４と陽極接
合部５によって、ＩＤＴ電極３とカバー基板１８との間
に隙間ができるので、前述実施例１のカバー基板６の空
隙部８は不要となる。
１の構成に、実施例１のカバー基板６の空隙部８のない
カバー基板１８と、表面弾性波素子１の取り出し電極４
と陽極接合部５の膜厚を約３μｍ増加させた表面弾性波
素子１９と、電磁シールド膜１６を備えた構成としてい
る。すなわち、膜厚を厚くした取り出し電極４と陽極接
合部５によって、ＩＤＴ電極３とカバー基板１８との間
に隙間ができるので、前述実施例１のカバー基板６の空
隙部８は不要となる。
【００２５】また、その製造方法は、上述の表面弾性波
素子１９とカバー基板１８を用いて、前述実施例１と同
様な製造方法により陽極接合部５と貫通孔９への外部電
極１０の形成を行った。また、印刷電極１１を同様に形
成した後、ダイシングソーで切断し、前述実施例２と同
様に表面弾性波素子１９の外面を被覆した電磁シールド
膜１６を印刷で形成する。
素子１９とカバー基板１８を用いて、前述実施例１と同
様な製造方法により陽極接合部５と貫通孔９への外部電
極１０の形成を行った。また、印刷電極１１を同様に形
成した後、ダイシングソーで切断し、前述実施例２と同
様に表面弾性波素子１９の外面を被覆した電磁シールド
膜１６を印刷で形成する。
【００２６】以上のように本実施例によれば、前述実施
例１の効果に加えて、外部からの電磁ノイズの影響を受
けずに良好な特性を維持でき、また、カバー基板１８に
空隙部を設けなくてもよいので、加工工数を減らすこと
ができ、さらに、素子形成基板１２やカバー基板形成ガ
ラス板１４に反りやうねりがあっても取り出し電極４の
厚さにより吸収できるので、封止接合の信頼性を大きく
向上できる。
例１の効果に加えて、外部からの電磁ノイズの影響を受
けずに良好な特性を維持でき、また、カバー基板１８に
空隙部を設けなくてもよいので、加工工数を減らすこと
ができ、さらに、素子形成基板１２やカバー基板形成ガ
ラス板１４に反りやうねりがあっても取り出し電極４の
厚さにより吸収できるので、封止接合の信頼性を大きく
向上できる。
【００２７】なお、本実施例１ないし３については、表
面弾性波素子１について説明したが、共振器や発振器、
あるいはフィルター等の各素子についても適用できるこ
とはいうまでもない。また、表面に形成されたアルミニ
ウム膜とガラスとの陽極接合により接合して封止する構
成であるので、単結晶基板２として水晶基板のみでな
く、リチウムタンタレート（ＬｉＴａ2Ｏ3）、リチウム
ナイオベート（ＬｉＮｂ 2Ｏ3）あるいはリチウムディボ
レート（Ｌｉ2Ｂ4Ｏ6）等の単結晶基板２が使用可能で
あり、さらに、単結晶基板２に制約されずガラス板７上
に圧電体薄膜とＩＤＴ電極３が形成された構成について
も使用可能である。
面弾性波素子１について説明したが、共振器や発振器、
あるいはフィルター等の各素子についても適用できるこ
とはいうまでもない。また、表面に形成されたアルミニ
ウム膜とガラスとの陽極接合により接合して封止する構
成であるので、単結晶基板２として水晶基板のみでな
く、リチウムタンタレート（ＬｉＴａ2Ｏ3）、リチウム
ナイオベート（ＬｉＮｂ 2Ｏ3）あるいはリチウムディボ
レート（Ｌｉ2Ｂ4Ｏ6）等の単結晶基板２が使用可能で
あり、さらに、単結晶基板２に制約されずガラス板７上
に圧電体薄膜とＩＤＴ電極３が形成された構成について
も使用可能である。
【００２８】また、陽極接合部５の電極材料としては純
粋なアルミニウム膜のみでなく、不純物を含むアルミニ
ウム膜でも同様な接合が可能であり、表面弾性波素子１
の耐久性強化の目的で添加されているＣｕ，Ｔｉ，Ｐ
ｄ，Ｓｃ，Ｚｒ，Ｓｉ等を含むアルミニウム膜でも使用
可能である。
粋なアルミニウム膜のみでなく、不純物を含むアルミニ
ウム膜でも同様な接合が可能であり、表面弾性波素子１
の耐久性強化の目的で添加されているＣｕ，Ｔｉ，Ｐ
ｄ，Ｓｃ，Ｚｒ，Ｓｉ等を含むアルミニウム膜でも使用
可能である。
【００２９】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように本発明
は、ＩＤＴ電極と取り出し電極と陽極接合部を有する
と、表面弾性波素子の取り出し電極と一致する位置に形
設した貫通孔に設けた外部電極を有するガラス板製のカ
バー基板を備え、取り出し電極を電気的に接続し、か
つ、ガラス基板と陽極接合部とを接合してＩＤＴ電極を
封止した構成、また、ＩＤＴ電極と取り出し電極とその
周囲全体に設けたアルミニウムを主成分とする膜よりな
る陽極接合部を有する表面弾性波素子を多数配置し、か
つ、陽極接合部がすべて接続されて表面弾性波素子が形
成されていない領域に引き出されて設けた陽極接合端子
を有する素子形成基板を作成する工程と、表面弾性波素
子のそれぞれの取り出し電極と一致する位置に形設した
多数の貫通孔を有するカバー基板形成ガラス板を作成す
る工程と、素子形成基板の取り出し電極とカバー基板形
成ガラス板の貫通孔とを位置合わせして密着させた後、
カバー基板形成ガラス板と陽極接合部との間に電圧を印
加するとともに全体を加熱して表面弾性波素子の陽極接
合部を一括してカバー基板形成ガラス板に接合する工程
と、ついで接合された素子形成基板とカバー基板形成ガ
ラス板を真空中でのスパッタリングにより、カバー基板
形成ガラス板の貫通孔とその周辺部に外部電極を形成す
る工程と、ついで外部電極に印刷電極を形成する工程
と、ついで陽極接合部のほぼ中心部を切断する工程とを
有する製造方法により、製造コストが安く、周波数特性
が変化せず、安定した特性の優れた表面弾性波装置及び
その製造方法を実現できるものである。
は、ＩＤＴ電極と取り出し電極と陽極接合部を有する
と、表面弾性波素子の取り出し電極と一致する位置に形
設した貫通孔に設けた外部電極を有するガラス板製のカ
バー基板を備え、取り出し電極を電気的に接続し、か
つ、ガラス基板と陽極接合部とを接合してＩＤＴ電極を
封止した構成、また、ＩＤＴ電極と取り出し電極とその
周囲全体に設けたアルミニウムを主成分とする膜よりな
る陽極接合部を有する表面弾性波素子を多数配置し、か
つ、陽極接合部がすべて接続されて表面弾性波素子が形
成されていない領域に引き出されて設けた陽極接合端子
を有する素子形成基板を作成する工程と、表面弾性波素
子のそれぞれの取り出し電極と一致する位置に形設した
多数の貫通孔を有するカバー基板形成ガラス板を作成す
る工程と、素子形成基板の取り出し電極とカバー基板形
成ガラス板の貫通孔とを位置合わせして密着させた後、
カバー基板形成ガラス板と陽極接合部との間に電圧を印
加するとともに全体を加熱して表面弾性波素子の陽極接
合部を一括してカバー基板形成ガラス板に接合する工程
と、ついで接合された素子形成基板とカバー基板形成ガ
ラス板を真空中でのスパッタリングにより、カバー基板
形成ガラス板の貫通孔とその周辺部に外部電極を形成す
る工程と、ついで外部電極に印刷電極を形成する工程
と、ついで陽極接合部のほぼ中心部を切断する工程とを
有する製造方法により、製造コストが安く、周波数特性
が変化せず、安定した特性の優れた表面弾性波装置及び
その製造方法を実現できるものである。
【図１】本発明の第１の実施例の表面弾性波装置の断面
図
図
【図２】同表面弾性波装置の製造方法における素子形成
基板の要部斜視図
基板の要部斜視図
【図３】同製造方法におけるカバー基板形成ガラス板の
斜視図
斜視図
【図４】同製造方法における素子形成基板とカバー基板
形成ガラス板の接合状態を示す断面図
形成ガラス板の接合状態を示す断面図
【図５】図４の各表面弾性波素子と各カバー基板の分解
斜視図
斜視図
【図６】同製造方法における外部電極と印刷電極の形成
状態を示す断面図
状態を示す断面図
【図７】本発明の第２の実施例の表面弾性波装置の断面
図
図
【図８】本発明の第３の実施例の表面弾性波装置の断面
図
図
【図９】従来の表面弾性波装置の断面図
１ 表面弾性波素子 ３ インターディジタルトランスデューサ電極 ４ 取り出し電極 ５ 陽極接合部 ６ カバー基板 ８ 空隙部 ９ 貫通孔 １０ 外部電極 １１ 印刷電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 9/25 H03H 3/08 H03H 9/145
Claims (4)
- 【請求項１】 表面に表面弾性波を励振・受信するイン
ターディジタルトランスデューサ電極と取り出し電極と
その周囲全体に配設した陽極接合部とを有し、少なくと
も前記取り出し電極と前記陽極接合部がアルミニウムを
主成分とする同一厚さの膜よりなる表面弾性波素子と、
前記表面弾性波素子の取り出し電極と一致する位置に形
設した貫通孔に設けた外部電極と印刷電極を有し、かつ
前記表面弾性波素子と対向する面に空隙部を形設した絶
縁性のカバー基板を備え、前記取り出し電極と前記外部
電極を電気的に接合し、かつ、前記カバー基板と前記陽
極接合部を接合して封止したことを特徴とする表面弾性
波装置。 - 【請求項２】 表面に表面弾性波を励振・受信するイン
ターディジタルトランスデューサ電極と取り出し電極と
その周囲全体に配設した陽極接合部とを有し、少なくと
も前記取り出し電極と前記陽極接合部がアルミニウムを
主成分とする同一厚さの膜よりなる表面弾性波素子と、
前記表面弾性波素子の取り出し電極と一致する位置に形
設した貫通孔に設けた外部電極を有し、かつ前記表面弾
性波素子と対向する面に空隙部を形設した絶縁性のカバ
ー基板を備え、前記取り出し電極と前記外部電極を電気
的に接合し、かつ、前記カバー基板と前記陽極接合部を
接合して封止し、前記外部電極にリード端子を接合した
後、前記表面弾性波素子の外面に電磁シールド膜を被覆
し、全体をモールド樹脂でパッケージしたことを特徴と
する表面弾性波装置。 - 【請求項３】 表面に表面弾性波を励振・受信するイン
ターディジタルトランスデューサ電極と取り出し電極と
その周囲全体に配設した陽極接合部とを有し、少なくと
も前記取り出し電極と前記陽極接合部がアルミニウムを
主成分とする同一厚さの膜よりなる表面弾性波素子と、
前記表面弾性波素子の取り出し電極と一致する位置に形
設した貫通孔に設けた外部電極を有する絶縁性のカバー
基板を備え、前記取り出し電極と前記外部電極を電気的
に接合し、かつ、前記カバー基板と前記陽極接合部を接
合して封止し、前記表面弾性波素子の外面に電磁シール
ド膜を被覆したことを特徴とする表面弾性波装置。 - 【請求項４】 表面に表面弾性波を励振・受信するイン
ターディジタルトランスデューサ電極と取り出し電極と
その周囲全体に配設した陽極接合部とを有し、 少なくと
も前記取り出し電極と前記陽極接合部がアルミニウムを
主成分とする同一厚さの膜よりなる表面弾性波素子を多
数配置し、かつ、前記陽極接合部がすべて接続されて、
前記表面弾性波素子が形成されていない領域に引き出さ
れて設けた陽極接合端子を有する素子形成基板を作成す
る工程と、前記表面弾性波素子のそれぞれの取り出し電
極と一致する位置に形設した多数の貫通孔を有するカバ
ー基板形成ガラス板を作成する工程と、前記素子形成基
板の取り出し電極と前記カバー基板形成ガラス板の貫通
孔とを位置合わせして密着させた後、前記カバー基板形
成ガラス板と前記素子形成基板の陽極接合端子との間に
電圧を印加するとともに全体を加熱して、前記表面弾性
波素子の陽極接合部を一括して前記カバー基板形成ガラ
ス板に接合する工程と、ついで接合された前記素子形成
基板と前記カバー基板形成ガラス板を真空装置中でのス
パッタリングにより、前記カバー基板形成ガラス板の貫
通孔とその周辺部に外部電極を形成する工程と、ついで
前記外部電極に外部回路と接続する印刷電極を形成する
工程と、ついで前記陽極接合部のほぼ中心部を切断する
工程とを有する表面弾性波装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01685295A JP3265889B2 (ja) | 1995-02-03 | 1995-02-03 | 表面弾性波装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01685295A JP3265889B2 (ja) | 1995-02-03 | 1995-02-03 | 表面弾性波装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08213874A JPH08213874A (ja) | 1996-08-20 |
| JP3265889B2 true JP3265889B2 (ja) | 2002-03-18 |
Family
ID=11927752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01685295A Expired - Fee Related JP3265889B2 (ja) | 1995-02-03 | 1995-02-03 | 表面弾性波装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP2004129222A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-04-22 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電部品およびその製造方法 |
| JP2004129224A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-04-22 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電部品およびその製造方法 |
| JP2004129223A (ja) | 2002-07-31 | 2004-04-22 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電部品およびその製造方法 |
| KR100447851B1 (ko) * | 2002-11-14 | 2004-09-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치의 플립칩 방식 측면 접합 본딩 방법 및 이를이용한 ｍｅｍｓ 소자 패키지 및 패키지 방법 |
| DE10253163B4 (de) * | 2002-11-14 | 2015-07-23 | Epcos Ag | Bauelement mit hermetischer Verkapselung und Waferscale Verfahren zur Herstellung |
| JP2004248243A (ja) | 2002-12-19 | 2004-09-02 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品およびその製造方法 |
| US7129576B2 (en) * | 2003-09-26 | 2006-10-31 | Tessera, Inc. | Structure and method of making capped chips including vertical interconnects having stud bumps engaged to surfaces of said caps |
| JP4576849B2 (ja) * | 2004-03-01 | 2010-11-10 | パナソニック株式会社 | 集積回路装置 |
| GB2431512B (en) | 2004-06-25 | 2008-05-21 | Murata Manufacturing Co | Piezoelectric device |
| KR100680511B1 (ko) * | 2004-07-14 | 2007-02-08 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 압전 디바이스 |
| JP2006197554A (ja) | 2004-12-17 | 2006-07-27 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス及びその製造方法、ｉｃカード、携帯用電子機器 |
| JP4518255B2 (ja) * | 2004-12-22 | 2010-08-04 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波素子および電子機器 |
| JP4618492B2 (ja) * | 2004-12-24 | 2011-01-26 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波センサ |
| JP4254772B2 (ja) | 2005-01-17 | 2009-04-15 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波装置 |
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| JP2007081613A (ja) | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス及びその製造方法 |
| JP4517992B2 (ja) * | 2005-09-14 | 2010-08-04 | セイコーエプソン株式会社 | 導通孔形成方法、並びに圧電デバイスの製造方法、及び圧電デバイス |
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| WO2007083432A1 (ja) * | 2006-01-18 | 2007-07-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性表面波装置及び弾性境界波装置 |
| KR100731351B1 (ko) | 2006-02-01 | 2007-06-21 | 삼성전자주식회사 | 탄성 표면파 디바이스 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 패키징방법 |
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| CN102334285A (zh) * | 2009-02-25 | 2012-01-25 | 精工电子有限公司 | 阳极接合方法、封装件的制造方法、压电振动器的制造方法、振荡器、电子设备及电波钟 |
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| KR102609855B1 (ko) * | 2016-02-17 | 2023-12-05 | 삼성전기주식회사 | 탄성파 필터 소자, 탄성파 필터 소자 제조용 패키지 및 탄성파 필터 소자의 제조방법 |
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-
1995
- 1995-02-03 JP JP01685295A patent/JP3265889B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH08213874A (ja) | 1996-08-20 |
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