JPH08330894A

JPH08330894A - 弾性表面波装置

Info

Publication number: JPH08330894A
Application number: JP13047195A
Authority: JP
Inventors: Kouichi Egara; 光一江柄; Tadashi Eguchi; 正江口; Takahiro Hachisu; 高弘蜂巣; Akihiro Koyama; 晃広小山; Akira Torisawa; 章鳥沢; Akane Yokota; あかね横田; Takayuki Yagi; 隆行八木
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1995-05-29
Filing date: 1995-05-29
Publication date: 1996-12-13

Abstract

(57)【要約】【目的】従来用いられていたメタル製やセラミック製
のパッケージを用いることなく、またワイヤボンディン
グを不要とした弾性表面波素子のパッケージングを行う
ことで、弾性表面波装置の小型化、低コスト化を図る。【構成】圧電基板上に構成要素が形成された弾性表面
波素子を有する弾性表面波装置において、上記弾性表面
波素子１３，１５は、該弾性表面波素子に接触せずに空
間を介して覆うガラス部材３０と、上記圧電基板１１と
の間に挟まれて封止され、上記ガラス部材３０と上記圧
電基板１１とは、周辺部が陽極接合されていることを特
徴とする弾性表面波装置。また、上記ガラス部材３０
に、上記弾性表面波素子１５と電気的に接続される導電
性スルーホール４０が形成されていることを特徴とする
弾性表面波装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、弾性表面波装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、弾性表面波装置は、フィルタ、共
振子、コンボルバ、マッチドフィルタ、などとして広く
応用されてきており、それに伴い装置の小型化、低コス
ト化が要求されている。

【０００３】図６は従来の弾性表面波装置を示す概略図
である。

【０００４】図中、１００は弾性表面波素子、１０１は
ニオブ酸リチウムなどの圧電基板、１０２は圧電基板１
の表面上に形成した櫛型電極、２０１はＦｅ、コヴァー
ル（ウエスティングハウスエレクトリック社商標）
などからなるメタルパッケージベース、２０２はＦｅ、
コヴァールなどからなるメタルパッケージキャップ、２
０３はボンディングワイヤである。

【０００５】弾性表面波素子は、メタル製やセラミック
製のパッケージベースにマウントされ、ワイヤなどでボ
ンディングされた後、弾性表面波の伝搬路上の空間を確
保して、信頼性保持のためメタル製などのキャップで気
密封止される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
弾性表面波素子は、信頼性を確保するため、気密封止し
たパッケージに収容する必要がある。そしてその際、基
板表面の弾性表面波の伝搬路部分に空間を確保する必要
があるため、メタル製やセラミック製などの高価なパッ
ケージに収納する必要があり、更にパッケージサイズも
大きくなるという欠点があった。

【０００７】また、従来の弾性表面波素子は、電気信号
を弾性表面波素子に入力、および出力するために、弾性
表面波素子の一部に形成したボンディング用パッドと、
パッケージのリードピンなどとをワイヤボンディングな
どの手段によって接合する必要があった。

【０００８】さらに、封止する際にも、溶接機などの高
価な専用封止装置が必要であった。

【０００９】特に、弾性表面波コンボルバ素子やマッチ
ドフィルタ素子は、フィルタなど他の弾性表面波素子に
比べ、素子長が長くなるため、その分大きなパッケージ
が必要となり、コストが非常に高くなるという欠点があ
った。

【００１０】（発明の目的）本発明の目的は、弾性表面
波装置において、従来用いられていたメタル製やセラミ
ック製のパッケージを用いることなく、またワイヤボン
ディングを不要とした弾性表面波素子のパッケージング
を行うことで、弾性表面波装置の小型化、低コスト化を
図ることである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するための手段として、圧電基板上に構成要素が形成
された弾性表面波素子を有する弾性表面波装置におい
て、前記弾性表面波素子は、該弾性表面波素子に接触せ
ずに空間を介して覆う前記圧電基板と熱膨張係数がほぼ
等しいガラス部材と、前記圧電基板との間に挟まれて封
止され、該ガラス部材と該圧電基板とは、周辺部が陽極
接合されることを特徴とする弾性表面波装置を提供する
ものである。

【００１２】また、上記ガラス部材に、上記弾性表面波
素子と電気的に接続される導電性スルーホールが形成さ
れている弾性表面波装置でもある。

【００１３】すなわち、上記目的は、櫛形電極などの弾
性表面波素子構成要素が形成された弾性表面波素子基板
と、弾性表面波の伝搬を妨げることのないように空間を
形成したキャップ状ガラス基板とを陽極接合によって接
着することで達成される。

【００１４】さらに上記目的は、キャップ状ガラス基板
にスルーホールを形成することで弾性表面波素子と外部
とを電気的に接続することで達成される。

【００１５】

【作用】本発明の上記手段によれば、弾性表面波素子基
板自体をパッケージベースとして利用するため、高価な
メタルやセラミックを用いたパッケージベースが不要で
あり、また、キャップにも安価なガラス基板を利用して
いるため、メタルやセラミックを用いたパッケージに比
べ低コスト化が可能である。

【００１６】また、弾性表面波素子基体自体をパッケー
ジベースとして利用しているため、従来用いていたメタ
ルやセラミックパッケージベースと比べ、サイズを大幅
に小さくできる。

【００１７】また、陽極接合によって弾性表面波素子基
板とガラス基板とを接着しているため、気密性など、弾
性表面波素子の信頼性を損なうことなく、弾性表面波装
置の小型化、低コスト化が可能となる。

【００１８】さらに、キャップ状ガラス基板にスルーホ
ールを形成することによって、弾性表面波素子と外部と
を電気的に接続しているため、ワイヤボンディング工程
やバンブを用いるフエイスダウンボンディング工程や、
それに有していたスペースを省略できる。

【００１９】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。

【００２０】（第１実施例）図１は、本発明における弾
性表面波装置の第１の実施例の一部を示す上面図、図２
は、図１の短手方向Ａ−Ａ′断面を示す断面図、図３
は、図１の他の部分の短手方向Ｂ−Ｂ′断面を示す断面
図である。

【００２１】図中、１０は、弾性表面波フィルタ素子、
１１は、ニオブ酸リチウムなどの圧電体基板、１２は、
圧電基板１１の表面上に形成された櫛形入力電極、１３
は、圧電基板１１の表面上に形成された櫛形出力電極、
１４ａ，ｂは、圧電基板１１の表面上の櫛形入力電極１
２に隣接して形成された、外部からの電気信号を弾性表
面波素子１０に入力する入力用パッド、１５ａ，ｂは、
圧電基板１１の表面上の櫛形出力電極１３に隣接して形
成された弾性表面波素子１０から外部へ電気信号を出力
するための出力用パッドである。

【００２２】１１〜１５は、Ａｌなどの導電性材料から
なり、蒸着法やスパッタ法やＣＶＤ法などにより形成さ
れた薄膜を通常フォトリソグラフィー技術を用いて圧電
基板１１の表面上に直接形成される。

【００２３】２０は、圧電基板１１とキャップ状ガラス
基板３１とを陽極接合するために、圧電基板１１の表面
上の弾性表面波素子を構成する櫛形電極が形成された領
域の周辺部に概略ロの字型に連続して形成した、Ａｌ、
Ｔｉ、Ｓｉなどの、導電性薄膜、３０は、可動イオンを
含み、圧電基板１１と熱膨張係数のほぼ等しいガラスか
らなり、内部に空間を形成した逆凹型のキャップ状ガラ
ス基板、３１は、キャップ状ガラス基板３０が、導電性
薄膜２０を介して、または、一部薄膜２０を介さずに基
板１１と接している領域、４０は、ガラス基板に穴を形
成し、穴の部分に導電性物質を充填することで形成した
ビアホール、５１は、弾性表面波が伝搬する領域（ガラ
スキャップが基板と接しないようにする領域）。

【００２４】陽極接合法は、熱膨張係数の比較的近いガ
ラスと導電体材料、導電体薄膜を１００〜４００℃と比
較的低温で、数十〜数ｋＶ程度の電圧を印加することで
接合する方法で、導電性薄膜をガラス、半導体、金属等
様々な基板上に形成することで、導電体薄膜を介して、
ガラスと多種類の基板との接合体を形成することが可能
となる。

【００２５】陽極接合では、導電性薄膜としては、Ａ
ｌ、Ｔｉ、Ｓｉ等の金属材料が用いられる。

【００２６】これらは、「G.wallis etal.. Field assi
sted Glass-Metal Sealing. J.Appl.Phys..Vol.40.No.
10.pp3946-3949.1969」や、「須田ほか：マロリー接着法
による気密シール技術、東北大学科学計測研究報告、第
３３巻、第１号、pp.165-175.1984 」に述べられてい
る。

【００２７】本発明の実施例の構成において、図１にキ
ャップ状ガラス基板を除いた部分で示した様に、圧電基
板１１上の弾性表面波素子を構成する構成要素、すなわ
ち櫛形電極１２、１３、およびパッド１４、１５が形成
された領域および弾性表面波が伝搬する領域５１とを少
なくとも含まないように、領域１２、１３、１４、１
５、５１の外側周辺部に連続して概略ロの字型に、陽極
接合によって圧電基板１１とキャップ状ガラス基板３０
とを接着するための、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｉなどの導電性薄
膜２０が蒸着法やスパッタ法やＣＶＤ法などにより形成
されている。

【００２８】キャップ状ガラス基板３０は、図２、図３
に断面図で示したように、陽極接合によって圧電基板１
１とキャップ状ガラス基板３０とを接着した際に、弾性
表面波の励振、受信および伝搬を妨げないように、圧電
基板１１上の弾性表面波素子を構成する構成要素のうち
少なくとも、櫛形電極１２、１３、が形成された領域お
よび弾性表面波が伝搬する領域５１においては、圧電基
板１１と接しないように空間になっている。

【００２９】そして、キャップ状ガラス基板３０が圧電
基板１１と接する領域３１は、圧電基板１１上の概略ロ
の字型に形成された、陽極接合するための、Ａｌ、Ｔ
ｉ、Ｓｉなど導電性薄膜２０が形成された領域とほぼ等
しく、導電性薄膜２０によって圧電基板１１とキャップ
状ガラス基板３０とは陽極接合によって接着されてい
る。

【００３０】ここで、圧電基板１１上の櫛形電極１２、
１３、およびパッド１４、１５が形成された領域およ
び、弾性表面波が伝搬する領域５１の周辺部に概略ロの
字型に形成された、陽極接合するための導電性薄膜２０
が形成された領域と、キャップ状ガラス基板３０が圧電
基板１１と接する領域３１とは、図３に断面で示すよう
に、ほぼ等しくなっている。

【００３１】しかし、陽極接合するための導電性薄膜２
０が形成された領域は、図１に示すように、入出力用パ
ッド１４、１５が形成された領域周辺においては、パッ
ド１４、１５を避けるように基板の長手方向または幅方
向に於て、幅が、キャップ状ガラス基板３０が圧電基板
１１と接する領域３１より狭くなっている。

【００３２】即ち、薄膜２０が形成された領域の他の部
分においては、キャップ状ガラス基板２１が圧電基板１
１とほぼ全面で、陽極接合するための導電性薄膜２０を
介して、陽極接合されているが、ここでは、キャップ状
ガラス基板３０は圧電基板１１上の導電性薄膜２０が形
成された領域の一部分（即ち、空間部分と逆側）でのみ
圧電基板１１と陽極接合されている。

【００３３】このような構成にして、図２の断面図に示
すように、キャップ状ガラス表面からパッド１４、１５
に導電性スルーホール（ビアホール）を形成すること
で、陽極接合のための導電性薄膜２０と導電性スルーホ
ール４０とが電気的に導通してしまうことなく、また、
陽極接合の接着強度、気密性を損なうことなく、外部か
らの電気信号を弾性表面波フィルタ素子１０に接続する
ことができる。

【００３４】本実施例に用いたキャップ状ガラスは、リ
チウムイオン、ナトリウムイオンなどの可動イオンを含
む、圧電基板と熱膨張係数がほぼ等しいガラスが用いら
れる。

【００３５】キャップ状に形成する方法としては、例え
ば、ガラス基板の空間を形成したい領域以外、すなわち
基板の周辺部にエッチングマスクのためのＷ、Ｓｉ、Ｃ
ｒ−Ａｕなどの金属薄膜をスパッタ法などを用いて形成
し、フッ酸などでエッチングすることでマスクが形成さ
れた領域以外がエッチングされて、ガラスがキャップ状
に形成される。これらは、「Shuichishoji and Masatos
hiEsashi,Photoetching and Electrochemical Discharg
e Drilling of Pyrex Glass,TECHNICAL DIGEST OF THE
9TH SYMPOSIUM,1990,pp.27〜30」などに詳しく述べられ
ている。

【００３６】次に、本実施例における陽極接合法につい
て、以下に詳しく述べる。

【００３７】圧電基板１１上に、所望の接合位置にキャ
ップ状ガラス基板３０をのせて、１００℃〜４００℃に
加熱したホットプレートなどの加熱ヒーター上に置き、
電極印加用プローブでガラス基板３０側に負の、導電性
薄膜を形成した圧電基板１１側に正の電圧を印加する。

【００３８】このようにすると、ガラス基板中のアルカ
リイオンが電解によって移動し、界面付近に空間電荷層
ができる。このとき、ガラス基板と圧電基板の間には静
電気引力が生じ、界面で化学結合がおこり、両者は接合
される。

【００３９】このとき、ガラス基板と圧電基板とは熱膨
張係数が同じか、ほぼ等しいことが望ましいが、本実施
例の様に導電性薄膜を介している場合は、多少熱膨張係
数が違っていても両者は接合する。

【００４０】また、加熱温度は、ナトリウムイオンを可
動イオンとして含むガラスを用いて、導電性薄膜にアル
ミを用いた場合、２５０℃程度がよく、導電性薄膜にチ
タンを用いた場合は、３００℃程度がよい。

【００４１】また、リチウムイオンを可動イオンとする
ガラスの場合、例えば、通常のいわゆる感光性ガラスの
場合、加熱温度は１２０℃程度でよい。

【００４２】また、本実施例における導電性を有するス
ルーホール（ビアホール）形成法について、詳しく述べ
る。１）電気化学放電ドリル法接合した基板を水酸化アルカリ溶液など中に浸し、スル
ーホールを形成したい場所にニードルを置き、負の電界
を印加することで、０．５〜１ｍｍ半径程度のスルーホ
ールを形成できる。

【００４３】これは、「Shuichishoji and MasatoshiEs
ashi,Photoetching and Electrochemical Discharge Dr
illing of Pyrex Glass,TECHNICAL DIGEST OF THE 9TH
SYMPOSIUM,1990,pp.27〜30」などに詳しく述べられてい
る。２）超音波ドリル加工法超音波ドリルを用いてスルーホールを形成する方法で、
１〜２ｍｍ半径程度のスルーホールを形成することがで
きる。

【００４４】このような方法で形成したスルーホールの
内壁に導電性材料を形成する、またはスルーホールを導
電性材料で充填することで、圧電基板上に形成したパッ
ドと外部とを電気的に接続できる。

【００４５】なお、キャップ状ガラスの形成法はこれ以
外でもよく、機械的にくり抜く方法などでもよい。

【００４６】また、スルーホールの形成法に関しても、
上記実施例に示した方法以外でもよい。

【００４７】このような構成とすることで、従来の弾性
表面波デバイスの様にメタル製やセラミック製の専用パ
ッケージが不要となる。

【００４８】また、陽極接合を窒素ガスやアルゴンガス
などの不活性雰囲気内で行うなどすることで、気密封止
が可能で、従来の弾性表面波デバイスのように弾性表面
波素子チップをマウントした後、プロジェクション抵抗
溶接やシーム溶接などの高価な溶接機等を用いて気密封
止することが不要である。

【００４９】このように、本発明に示した構成では、装
置全体の小型化、低コスト化が可能である。

【００５０】なお、上記実施例では、弾性表面波素子の
構成要素として櫛形電極１２、１３と櫛形電極に電気信
号を入出力するためのパッド１４、１５のみで構成され
た例を示したが、これ以外の弾性表面波素子構成要素が
存在してもよく、上記構成要素が外部との接続が必要で
あれば、上記実施例の入出力櫛形電極用パッド１４、１
５と同様の方法を用いればよい。

【００５１】また、キャップ状ガラス基板３０の凹部の
形状もこれ以外でもよく、弾性表面波の構成要素および
弾性表面波の伝搬に影響を及ぼさない形状であればよ
い。

【００５２】また、陽極接合部（圧電基板１１上の導電
性（酸化性金属材料）薄膜２０）の幅や形状もこの限り
ではない。

【００５３】また、パッド部の形状も丸型など他の形状
でもよい。

【００５４】（第２実施例）以下、本発明の第２実施例
について説明する。本実施例は、弾性表面波素子として
コンボルバを用いた例である。

【００５５】図４は、本発明における弾性表面波装置の
第２実施例の一部を示す上面図、図５は、図４の短手方
向Ｃ−Ｃ’断面を示す断面図である。

【００５６】なお、本実施例において、上記第１実施例
における部材と同様の部材には同一の符号がつけられて
いる。

【００５７】図中、１０は弾性表面波コンボルバ素子、
１１はニオブ酸リチウムなどの圧電体基板、１２ａ，ｂ
は圧電基板１１の表面上に形成された櫛形入力電極、１
６は圧電基板１１の表面上に形成されて出力電極、１４
ａ，ｂは圧電基板１１の表面上の櫛形入力電極１２に隣
接して形成された外部からの電気信号を弾性表面波素子
１０に入力する入力用パッド、１７は圧電基板１１の表
面上の出力電極１４に隣接して形成された弾性表面波素
子１０から外部へ電気信号を出力する出力用パッド、１
８は出力電極１６と出力用パッド１７とを電気的に接続
するストリップパタンである。

【００５８】上記１１〜１８は、Ａｌなどの導電性材料
からなり、蒸着法やスパッタ法により形成された薄膜を
通常フォトリソグラフィー技術を用いて圧電基板１の表
面上に直接形成される。

【００５９】本実施例においては、図５に示すように、
出力電極１６の出力を外部に取り出すためのパッド１
７、スルーホール４０が形成されているが、これらの構
成は上記第１の実施例に示したものを、応用したもので
あり、基本的な原理は変わるものではない。

【００６０】また、陽極接合の方法、スルーホールの形
成方法に関しても、実施例１と同様である。

【００６１】このような構成とすることで、第１の実施
例と同様の効果が得られる。すなわち、従来の弾性表面
波デバイスの様なメタル製やセラミック製の専用パッケ
ージが不要となる。また、従来の弾性表面波デバイスの
ように弾性表面波素子チップをマウントした後、プロジ
ェクション抵抗溶接やシーム溶接などの高価な熔接機等
を用いて気密封止することが不要である。

【００６２】特に本実施例に示したコンボルバや、マッ
チドフィルタではフィルタなどほかの弾性表面波デバイ
スに比べ素子長が大きいため、パッケージが特に大きく
なり、装置全体に占めるパッケージのコスト比が高い問
題があったが、本発明によれば、専用パッケージが不要
であり、装置全体の小型化、低コスト化が可能である。

【００６３】上記第２実施例において、コンボルバの出
力取り出し箇所を１箇所の例を示したが、複数カ所でも
良い。

【００６４】また、上記第２実施例においては、弾性表
面波コンボルバの例として、エラスティック型の例を示
したが、ＡＥ型等ほかの弾性表面波コンボルバにも適応
できるのは自明である。

【００６５】上記第１〜第２実施例においては、弾性表
面波素子の例としてフィルタとコンボルバの例を示した
が、それ以外でも共振器、マッチドフィルタ、などほか
の弾性表面波素子に適応できるのは自明である。

【００６６】また、上記第１実施例においては、弾性表
面波フィルタの例として、通常のトランスバーサルフィ
ルタの例を示したが、共振器型や多電極型等ほかの弾性
表面波フィルタにも適応できるのは自明である。

【００６７】上記第１〜第２実施例においては、陽極接
合された弾性表面波装置を樹脂などでモールドすること
で、弾性表面波装置の信頼性を向上させることができ
る。

【００６８】なお、上記第１〜第２実施例において、基
板１１はニオブ酸リチウムに限定されるものではなく、
タンタル酸リチウム、水晶など他の圧電単結晶基板や、
半導体やガラス基板上に圧電膜を付加した構造等であっ
てもよい。

【００６９】なお、上記第１〜第２実施例において、ガ
ラス基板は、可動イオンを含むガラス基板であればよ
い。

【００７０】なお、上記第１〜第２実施例において、導
電性薄膜としてアルミニウム、チタン、シリコンなどを
用いた例を示したが、これ以外でもよく、たとえば、ア
ルミなど酸化物を容易に形成する材料（酸化物金属材
料）と金、銅、プラチナなどの酸化物を容易に形成しな
い材料（非酸化性金属材料）との合金を用いることで、
アルミのガラス基板中への引き込み、アルミ表面の酸化
を防止することができる。

【００７１】なお、上記第１〜第２実施例において、導
電性薄膜と圧電基板との間に、導電性薄膜と圧電基板と
の密着性を向上させるクロムなどを下引きしてもよい。

【００７２】上記第１〜第２実施例においては、スルー
ホール４０の太さは、所望の特性インピーダンスなどと
合わせて任意に決めることができ、本実施例の説明図に
示した限りではない。

【００７３】また、上記第１〜第２実施例においては、
スルーホール４０の材質は導電性を有すれば任意の材質
を用いることができる。

【００７４】上記第１〜第２実施例においては、キャッ
プ状ガラス基板３０の内側をメタライズすることで電磁
波を抑圧できる。このメタライズの方法としては、メッ
キすること等により、作製できる。

【００７５】上記実施例において、入力電極として、正
規型IDT を用いた例を示したが、円弧型、アポダイズ型
やチャープ型など他のIDT を用いてもよい。

【００７６】さらに、上記実施例において、櫛形入力電
極をダブル電極（スプリット電極）とすることにより、
該入力電極における弾性表面波の反射を抑圧でき、素子
の特性を一層良好なものにすることができる。

【００７７】また、上記実施例において、圧電基板上に
入出力電極、ボンディングパッドのみが形成された例を
示したが、そのほかにシールドパターン、グランド用パ
ターン等が形成されていてもよい。

【００７８】上記実施例において、弾性表面波の集束手
段として入力電極と出力電極の間にパラボリック・ホー
ン型導波路、マルチストリップカプラ等の集束手段を設
けてもよい。

【００７９】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、本
発明の目的は弾性表面波装置、およびそれを用いたシス
テムにおいて、櫛形電極などの弾性表面波素子構成要素
が形成された弾性表面波素子用基板と、弾性表面波の伝
搬を妨げることのないように空間を形成したキャップ状
ガラス基板とを陽極接合によって接着すること、さら
に、キャップ状ガラス基板にスルーホールを形成して弾
性表面波素子と外部とを電気的に接合することによっ
て、弾性表面波素子基板自体をパッケージベースとして
利用することができるため、高価なメタルやセラミック
を用いたパッケージが不要であり、また、キャップにも
安価なガラス基板を利用しているためメタルやセラミッ
クを用いたパッケージに比べ低コスト化が可能である。

【００８０】また、弾性表面波素子基板自体をパッケー
ジベースとして利用しているため、従来用いていたメタ
ルやセラミックパッケージベースと比べ、サイズを大幅
に小さくできる。

【００８１】また、陽極接合によって弾性表面波用基板
とガラス基板とを接着しているため、気密性など、弾性
表面波素子の信頼性を損なうことなく、弾性表面波装置
の小型化、低コスト化が可能となる。

【００８２】さらに、キャップ状ガラス基板に形成した
スルーホールに形成することで弾性表面波素子と外部と
を電気的に接合しているため、ワイヤボンディング工程
やバンブを用いるフェイスダウンボンディング工程や、
それに有していたスペースを省略できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における第１の実施例の弾性表面波装置
の一部を示す上面概略図。

【図２】本発明における弾性表面波装置の第１実施例の
短手方向断面を示す断面図。

【図３】本発明における弾性表面波装置の第１実施例の
他の短手方向断面を示す断面図。

【図４】本発明における弾性表面波装置の第２実施例を
示す上面概略図。

【図５】本発明における弾性表面波装置の第２実施例の
短手方向断面を示す概略図。

【図６】従来例の第姓表面波装置を示す概略図。

【符号の説明】

１０弾性表面波フィルタ素子１１ニオブ酸リチウムなどの圧電基板１２圧電基板１１の表面上に形成された櫛形入力電極１３圧電基板１１の表面上に形成された櫛形出力電極１４入力用パッド１５出力用パッド２０導電性（酸化性金属材料）薄膜３０キャップ状ガラス基板４０スルーホール５１弾性表面波が伝搬する領域１１０弾性表面波コンボルバ素子１１１Ｙカット（Ｚ伝搬）ニオブ酸リチウムなどの圧
電基板１１２、１１３圧電基板１の表面上に形成した櫛形入
力電極１１４圧電基板１の表面上に形成した出力電極１１５出力電極に形成した複数のボンディングパッド

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者小山晃広東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者鳥沢章東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者横田あかね東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者八木隆行東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】圧電基板上に構成要素が形成された弾性
表面波素子を有する弾性表面波装置において、上記弾性表面波素子は、該弾性表面波素子に接触せずに
空間を介して覆うガラス部材と、上記圧電基板との間に
挟まれて封止され、上記ガラス部材と上記圧電基板とは、周辺部が陽極接合
されていることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項２】上記ガラス部材は、可動イオンを含有
し、上記圧電基板と熱膨張係数が実質的に等しいことを
特徴とする請求項１記載の弾性表面波装置。
【請求項３】上記ガラス部材に、上記弾性表面波素子
と電気的に接続される導電性スルーホールが形成されて
いることを特徴とする請求項１又は２記載の弾性表面波
装置。
【請求項４】上記圧電基板と上記ガラス部材とが陽極
接合される部分に、該陽極接合するための金属材料薄膜
が形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいず
れか１項記載の弾性表面波装置。
【請求項５】上記金属材料薄膜は、アルミニウム、チ
タン、シリコンのうちの少なくとも１つであることを特
徴とする請求項４記載の弾性表面波装置。
【請求項６】上記弾性表面波装置は、樹脂モールドさ
れていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項
記載の弾性表面波装置。
【請求項７】上記ガラス部材は、逆凹型のキャップ形
状を有するガラス板である請求項１又は２記載の弾性表
面波装置。
【請求項８】上記ガラス部材の内側は、メタライズさ
れている請求項１又は２又は７記載の弾性表面波装置。