JP4798222B2 - 電子部品の接合構造およびその製造方法 - Google Patents
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Description
また、この発明の別の目的は、強い接合力で2つの基板を接合することができ、かつ基板にたわみや破壊が発生しにくい電子部品の製造方法を提供することである。
第1の接続部と第2の接続部との間の接合部が、第1の金属と第2の金属の接触部に形成されることにより、大きい接合力を得ることができる。
第1の接続部と第2の接続部の形状としては、種々の形状を採用することができるが、特に、第1の基板と第2の基板との間に平行な向きのずれが発生するような力がかかったときに、互いに引っ掛かるような形状とすることにより、そのような力に対して接合部が外れにくくなる。すなわち、せん断力に強い接合となる。
第1の接続部と第2の接続部との間の接合部が、第1の金属と第2の金属の接触部に形成されることにより、大きい接合力を得ることができる。
第1の接続部と第2の接続部の形状としては、種々の形状を採用することができるが、特に、第1の基板と第2の基板との間に平行な向きのずれが発生するような力がかかったときに、互いに引っ掛かるような形状とすることにより、そのような力に対して接合部が外れにくくなる。すなわち、せん断力に強い接合となる。
第1の接続部と第2の接続部との間の接合部が、第1の金属と第2の金属の接触部に形成されることにより、大きい接合力を得ることができる。
第1の接続部と第2の接続部の形状としては、種々の形状を採用することができるが、特に、第1の基板と第2の基板との間に平行な向きのずれが発生するような力がかかったときに、互いに引っ掛かるような形状とすることにより、そのような力に対して接合部が外れにくくなる。すなわち、せん断力に強い接合となる。
特に、第2の基板に凹状の第2の接続部を形成すれば、第2の接続部に第1の接続部を嵌合することにより、第1の基板と第2の基板との間の間隔を小さくすることができ、電子部品の低背化を図ることができる。
また、接合部は第1の金属と第2の金属とが密着した密着面としてもよい。
このように、より具体的には、第1の接続部と第2の接続部との間の接合部が、第1の金属と第2の金属との合金で形成されたり、第1の金属と第2の金属との密着面で形成されることにより、大きい接合力を得ることができる。
第1の接続部と第2の接続部との接合部が、上述のような構成となっていれば、第1の接続部および第2の接続部が、第1の金属および第2の金属から選択される複数の材料による積層構造となっていてもよい。したがって、第1の金属と第2の金属とが積層されていても、第1の接続部と第2の接続部との間の接合部が、上述のような関係になっていれば、大きい接合力を得ることができる。
接合部が素子を取り囲むように形成されることにより、2つの基板で挟まれた部分に形成された素子が接合部で封止され、素子を外界から遮断することができる。
基板に形成されたキャビティ部に素子を形成することにより、さらに2つの基板の間隔を小さくすることができ、低背化を図ることができる。
基板に形成されたメンブレン部に素子を形成することにより、メンブレン部の振動や低熱容量を利用した振動子や焦電体赤外線センサなどを形成することができる。
第1の基板の第1の接続部と第2の基板の第2の接続部とを仮接合し、後に本接合を行うことにより、強力な接合力を得ることができる。ここで、仮接合の後に一方の基板のみをチップ形状に切断することにより、複数の素子が1つの基板上に連続して形成されたままで本接合を行うことができるとともに、第1の基板と第2の基板の相互間の応力が、切断された基板の大きさの範囲内に抑えられる。そのため、基板にたわみや破壊が発生しにくい。本接合の後、他方の基板をチップ形状に切断することにより、複数のチップ状の電子部品を作製することができる。
第2の基板に凹状の第2の接続部を形成し、凸状に形成された第1の接続部を第2の接続部に嵌合させることにより、第1の基板と第2の基板との間隔を小さくすることができる。
第1の基板がチップ状である場合、板状の第2の基板に第1の基板を仮接合することにより、第2の基板上に複数の第1の基板を仮接合し、さらに本接合することができる。したがって、多数の第1の基板を一括して第2の基板に接合することができ、チップ状の基板どうしを接合する場合に比べて、効率的な接合が可能となる。
第2の基板に凹状の第2の接続部を形成し、凸状に形成された第1の接続部を第2の接続部に嵌合させることにより、第1の基板と第2の基板との間隔を小さくすることができる。
第1の金属と第2の金属とを接触させて仮接合および本接合を行うことにより、大きい接合力を得ることができる。
また、第2の金属は、Au,Cu,Niの中から選択される少なくとも1つの金属としてもよい。
第1の接続部と第2の接続部との接合部が、上述のような構成となっていれば、第1の接続部および第2の接続部が、第1の金属および第2の金属から選択される複数の材料が積層されていてもよい。したがって、第1の金属と第2の金属とが積層されていても、第1の接続部と第2の接続部との間の接合部が、上述のような関係になっていれば、大きい接合力を得ることができる。
加熱やレーザ照射により本接合を行うことにより、第1の接続部と第2の接続部との間の接合部として、第1の金属と第2の金属との合金が形成される。また、加圧や超音波印加により本接合を行うことにより、第1の接続部と第2の接続部との接触部分に清浄面が現れ、精密な密着面が形成される。
素子を取り囲むようにして第1の接続部および第2の接続部を形成することにより、素子を封止するようにして、第1の基板と第2の基板とを接合することができる。
また、第1の基板および第2の基板として、たとえば線膨張係数が3.3ppm/℃であるガラス基板と線膨張係数が15.3ppm/℃であるセラミック基板のように、線膨張係数の差が12ppm/℃以下であるものが用いられることが好ましい。このような2枚の基板を用いれば、温度変化による基板間の応力が小さい。
また、この発明の電子部品の製造方法によれば、第1の基板と第2の基板とが大きい接合力で接合された電子部品を作製することができる。また、電子部品の製造工程において、基板にたわみや破損が発生しにくく、良好な生産性を達成することができる。
22 第1の基板
24 第2の基板
26 IDT電極
28 接続電極
30 第1の接続部
32 第2の接続部
34 接合部
40 キャビティ部
42 素子部
Claims (17)
- 第1の基板および第2の基板、
前記第1の基板の一方主面に形成される第1の接続部、
前記第2の基板の一方主面に形成される第2の接続部、および
前記第1の基板および前記第2の基板の少なくとも一方に形成される素子を含む電子部品の接合構造であって、
前記第1の接続部は前記第1の基板の一方主面上に突出する凸状部であり、
前記第2の接続部は前記第2の基板の一方主面上に突出するように形成された突出部に形成される凹状部であり、
前記第1の接続部と前記第2の接続部とが嵌合されることにより、前記第1の接続部と前記第2の接続部とが接触してその境界に接合部が形成され、
前記接合部はGa,In,Snの中から選択される少なくとも1つからなる第1の金属およびNi,Au,Cuの中から選択される少なくとも1つからなる第2の金属の接触部に形成される、電子部品の接合構造。 - 第1の基板および第2の基板、
前記第1の基板の一方主面に形成される第1の接続部、
前記第2の基板の一方主面に形成される第2の接続部、および
前記第1の基板および前記第2の基板の少なくとも一方に形成される素子を含む電子部品の接合構造であって、
前記第1の接続部は前記第1の基板の一方主面上に突出する凸状部であり、
前記第2の接続部は前記第2の基板の一方主面上に突出する凸状部であり、
前記第1の接続部の側面と前記第2の接続部の側面とが接触することにより、前記第1の接続部と前記第2の接続部とが接触してその境界に接合部が形成され、
前記接合部はGa,In,Snの中から選択される少なくとも1つからなる第1の金属およびNi,Au,Cuの中から選択される少なくとも1つからなる第2の金属の接触部に形成される、電子部品の接合構造。 - 第1の基板および第2の基板、
前記第1の基板の一方主面に形成される第1の接続部、
前記第2の基板の一方主面に形成される第2の接続部、および
前記第1の基板および前記第2の基板の少なくとも一方に形成される素子を含む電子部品の接合構造であって、
前記第1の接続部は前記第1の基板の一方主面上に突出する凸状部であり、
前記第2の接続部は前記第2の基板の一方主面に形成される凹状部であり、
前記第1の接続部と前記第2の接続部とが嵌合されることにより、前記第1の接続部と前記第2の接続部とが接触してその境界に接合部が形成され、
前記接合部はGa,In,Snの中から選択される少なくとも1つからなる第1の金属およびNi,Au,Cuの中から選択される少なくとも1つからなる第2の金属の接触部に形成される、電子部品の接合構造。 - 前記接合部は前記第1の金属と前記第2の金属との合金である、請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の電子部品の接合構造。
- 前記接合部は前記第1の金属と前記第2の金属とが密着した密着面である、請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の電子部品の接合構造。
- 前記第1の接続部および前記第2の接続部は、前記第1の金属および前記第2の金属から選択される複数の材料が積層されることにより形成される、請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の電子部品の接合構造。
- 前記接合部は前記素子を取り囲むように形成される、請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の電子部品の接合構造。
- 前記素子は、前記第1の基板または前記第2の基板に形成された窪み状のキャビティ部に形成される、請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の電子部品の接合構造。
- 前記素子は、前記第1の基板または前記第2の基板を薄層化して形成されるメンブレン部に形成される、請求項1ないし請求項8のいずれかに記載の電子部品の接合構造。
- 少なくとも一方の基板の主面に素子が形成された第1の基板と第2の基板とを準備する工程、
前記第1の基板の一方主面から突出する凸状部として前記第1の基板の一方主面に第1の接続部を形成する工程、
前記第1の基板と前記第2の基板とを重ね合わせたときに前記第1の接続部に対応する位置において、前記第2の基板の一方主面に凹状部として形成される第2の接続部を形成する工程、
前記第1の接続部と前記第2の接続部とを接触させて仮接合する工程、
前記第1の基板および前記第2の基板の一方を所定のチップ形状に切断する工程、
前記第1の接続部と前記第2の接続部とを本接合する工程、および
前記第1の基板および前記第2の基板の他方をチップ形状に切断する工程を含む、電子部品の製造方法。 - 主面に素子が形成されたチップ状の第1の基板と板状の第2の基板とを準備する工程、
前記第1の基板の一方主面から突出する凸状部として前記第1の基板の一方の主面に第1の接続部を形成する工程、
前記第1の基板と前記第2の基板とを重ね合わせたときに前記第1の接続部に対応する位置において、前記第2の基板の一方主面に凹状部として形成される第2の接続部を形成する工程、
前記第1の接続部と前記第2の接続部とを接触させて仮接合する工程、
前記第1の接続部と前記第2の接続部とを本接合する工程、および
前記第2の基板をチップ形状に切断する工程を含む、電子部品の製造方法。 - 前記第1の接続部と前記第2の接続部との接触部は、Ga,In,Snの中から選択される少なくとも1つからなる第1の金属と、第2の金属とを接触させることによって形成される、請求項10または請求項11に記載の電子部品の製造方法。
- 前記第2の金属は、Au,Cu,Niの中から選択される少なくとも1つからなる、請求項12に記載の電子部品の製造方法。
- 前記第1の接続部および前記第2の接続部は、前記第1の金属および前記第2の金属から選択される複数の材料が積層されることにより形成される、請求項12または請求項13に記載の電子部品の製造方法。
- 前記第1の接続部と前記第2の接続部との本接合は、前記第1の基板および前記第2の基板を加熱、加圧、超音波印加あるいはレーザ照射、またはこれらの組み合わせにより行なわれる、請求項10ないし請求項14のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
- 前記第1の接続部および前記第2の接続部は、前記素子を取り囲むように形成される、請求項10ないし請求項15のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
- 前記第1の基板および前記第2の基板として、線膨張係数の差が12ppm/℃以下であるものが用いられる、請求項10ないし請求項16のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
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