JP4254772B2 - 弾性表面波装置 - Google Patents
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims description 125
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 152
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 52
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 52
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 52
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 51
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 28
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 26
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 25
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 87
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 description 28
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 19
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006213 oxygenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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- H03H9/02—Details
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- E—FIXED CONSTRUCTIONS
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- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
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Description
本発明は、電気信号と弾性表面波との間の変換を行うすだれ状電極を有する弾性表面波装置に関するものである。
携帯電話やテレビ受像機等の電子部品や通信部品において、共振子や帯域フィルタ等として弾性表面波装置（以下、「ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）デバイスという」）が使用されている。このようなＳＡＷデバイスでは、パッケージに収容される弾性表面波チップと回路基板などとの間をワイヤボンディングやバンプで接続するようにしている。
図２７は、従来のＳＡＷデバイスの一例（特許文献１参照）を示す図であり、図２７（ａ）はその厚み方向の断面図、図２７（ｂ）は図２７（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
図において、ＳＡＷデバイス１は、水晶などの圧電基板２の一面に対となるすだれ状電極もしくは櫛型電極（ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ））を形成し、キャビティ４を介してガラス基板でなるカバー９で封止した構造を有している。
図において、ＳＡＷデバイス１は、水晶などの圧電基板２の一面に対となるすだれ状電極もしくは櫛型電極（ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ））を形成し、キャビティ４を介してガラス基板でなるカバー９で封止した構造を有している。
図２７（ｂ）に示されているように、ＩＤＴ３は、圧電基板２上に端子５を有しており、図２７（ａ）に示すように導電スルーホール７を用いて外部電極８と接続されている。
さらに、カバー９を圧電基板２に接合するため、圧電基板２の外周に沿う縁部には接合用の電極パターン６が形成されている。
これにより、ガラス製のカバー９は、圧電基板２に対して、その外周縁部にて、陽極接合を行うことにより固定封止されている。
さらに、カバー９を圧電基板２に接合するため、圧電基板２の外周に沿う縁部には接合用の電極パターン６が形成されている。
これにより、ガラス製のカバー９は、圧電基板２に対して、その外周縁部にて、陽極接合を行うことにより固定封止されている。
他の従来のＳＡＷデバイス（例えば、特許文献２の図２の製造工程で作られるもの）は、これを簡略化して図示すると、図２８に示すように製造される。
すなわち、図２８において、符号１は水晶などの圧電材料で形成されたウエハであり、図示されているように、一枚のウエハ１から弾性表面波装置を形成するための複数の弾性表面波チップ２，２・・・が同時に形成される。
すなわち、図２８において、符号１は水晶などの圧電材料で形成されたウエハであり、図示されているように、一枚のウエハ１から弾性表面波装置を形成するための複数の弾性表面波チップ２，２・・・が同時に形成される。
弾性表面波チップ２は、ウエハ１から構成される基板の一面上に、アルミパターンなどでなるすだれ状電極もしくは櫛型電極（ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極）３ａ，３ｂを形成したもので、弾性表面波装置は、この弾性表面波チップ２、ガラス基板でなるカバー（図示せず）で封止した構造を有している。
弾性表面波チップ２は、図２８において、ウエハ１の一面全体に、アルミなどの金属膜５を形成し、例えば、フォトリソグラフィなどの手法により、各弾性表面波チップ２のＩＤＴ３ａ，３ｂが互いにその電極指が交互に入り込むように対向して形成される。
弾性表面波チップ２は、図２８において、ウエハ１の一面全体に、アルミなどの金属膜５を形成し、例えば、フォトリソグラフィなどの手法により、各弾性表面波チップ２のＩＤＴ３ａ，３ｂが互いにその電極指が交互に入り込むように対向して形成される。
図２９は更に他の従来のＳＡＷデバイスを示すもので（例えば特許文献３の図４に示されるもの）、（ａ）は長手方向の断面図、（ｂ）は（ａ）図の要部拡大図である。圧電基板（３２）上にアルミニウムからなる引き出し電極（８０）、圧電基板（３２）の表面にはすだれ電極（ＩＤＴ）及び反射器等（図示せず）が形成された構造を有している。開口部（８１）には導電埋め込み部材（８２）を配置し真空状態で過熱することによって引き出し電極（８０）と外部電極（８３）との接続を図るようにすることで引き出し電極（８０）表面に生じるアルミナによる接続抵抗の影響を押さえるようにしたものである。したがって、この発明のようにすだれ電極の構造等に特徴を有するものではない。
ところで、図２７に示した従来の構造では、ＩＤＴ３の端子５が圧電基板２上に設けられており、さらに、この端子５と電気的絶縁をはかるため、平面上に離間した箇所に接合用の電極パターン６を設けている。
第１の課題として、ＩＤＴ３の大きさに比して、広い面積の圧電基板２を必要とし、スペース効率が悪く、ＳＡＷデバイス１の小型化の障害となっていた。
第１の課題として、ＩＤＴ３の大きさに比して、広い面積の圧電基板２を必要とし、スペース効率が悪く、ＳＡＷデバイス１の小型化の障害となっていた。
図２８に示した従来の製造方法では、その電極形成の工程において、対構造のＩＤＴは、その部分であるＩＤＴ電極３ａ，３ｂが互いに分離されるように、これらの周囲に電極膜の無い部分４を形成する必要がある。
一方、これらＩＤＴ電極３ａ，３ｂは、主として電極間ショート防止の必要から、表面に保護膜としての酸化膜を形成することが好ましい。そして、ＩＤＴ電極３ａ，３ｂがアルミ電極の場合には、陽極酸化の手法により、ウエハ１の状態で、全てのＩＤＴ電極の表面に保護膜を成膜することが生産効率の点でも好ましい。
一方、これらＩＤＴ電極３ａ，３ｂは、主として電極間ショート防止の必要から、表面に保護膜としての酸化膜を形成することが好ましい。そして、ＩＤＴ電極３ａ，３ｂがアルミ電極の場合には、陽極酸化の手法により、ウエハ１の状態で、全てのＩＤＴ電極の表面に保護膜を成膜することが生産効率の点でも好ましい。
第２の課題として、図２８に示されているように、各ＩＤＴ電極３ａ，３ｂは、ウエハ１上で互いに分離されているため、全てのＩＤＴ電極の表面に一度に保護膜を形成することは困難である。
本発明の目的は、上記第１の課題を解消して、小型化に適した構造をもつ弾性表面波装置を提供することである。
本発明の他の目的は、上記第２の課題を解消して、製造工程において、効率良く保護膜を形成することができる構造の弾性表面波装置を提供することである。
また、上記目的は、第１の発明によれば、圧電基板の一面にすだれ状電極を形成した弾性表面波チップの前記一面をカバーで封止した弾性表面波装置であって、前記すだれ状電極が、前記圧電基板の前記一面のほぼ全体の面積を占める導体金属による電極パターンで形成されており、かつ、該すだれ状電極が前記圧電基板の外周まで延長され、前記すだれ状電極が対構造となるように、前記電極パターンを分離するために線状に前記導体金属を除去して形成した分離部を、前記圧電基板の外周に達するように設けるとともに、前記カバーの封止面の外周縁に沿って陽極接合用の封止領域が設けられており、前記カバーの外周縁であって前記圧電基板における前記分離部に対応した箇所には、封止用の凹部が形成されていて、かつ、前記圧電基板の外周まで延長した前記すだれ状電極を構成する導体金属の一部が、前記凹部から露出されて、該露出部が端子とされている弾性表面波装置により、達成される。
第１の発明の構成によれば、すだれ状電極、すなわちＩＤＴが、圧電基板の外周まで延長されているので、圧電基板の前記一面全体を、ＩＤＴを形成するために有効に使用することができる。すなわち、形成すべきＩＤＴに対して、従来よりも面積の小さい圧電基板を使用することができる点で、弾性表面波チップを小型に形成することができる。そのために、圧電基板の外周には、該外周まで延長されたＩＤＴを対の電極として分離するための分離部を形成している。この分離部は例えば、外部に引き出して、従来のＩＤＴの端子と同様に利用することができる。しかも、このような構造の弾性表面波チップに対応して、これを封止するためのカバーと圧電基板は、それぞれ外周縁部が陽極接合により貼り合わせされるようになっている。ここで、該カバーの封止領域にあっては、接合される圧電基板の前記分離部に対応する箇所に凹部を形成することで、内部の電極パターンと外部電極との導通をとった後で封止材を充填して封止できるようにされている。
かくして、この発明によれば、圧電基板の面積を有効に利用することによって、小型のＳＡＷデバイスを実現することができる。
かくして、この発明によれば、圧電基板の面積を有効に利用することによって、小型のＳＡＷデバイスを実現することができる。
第２の発明は、第１の発明の構成において、前記カバーの前記封止領域には、陽極接合用のガラスが形成されていることを特徴とする。
第２の発明の構成によれば、前記カバーの前記封止領域に陽極接合用のガラスをプリフォームすることで陽極接合による貼り合わせを可能とし、確実なシール構造を容易に実現できる。
第２の発明の構成によれば、前記カバーの前記封止領域に陽極接合用のガラスをプリフォームすることで陽極接合による貼り合わせを可能とし、確実なシール構造を容易に実現できる。
第３の発明は、第１または２のいずれかの発明の構成において、前記カバーを前記圧電基板に貼り合わせた状態において、前記凹部に前記圧電基板の前記電極パターンの一部が 露出されていることを特徴とする。
第３の発明の構成によれば、前記凹部から露出した前記電極パターンは外部電極などと接続するための端子として利用することができる。
第３の発明の構成によれば、前記凹部から露出した前記電極パターンは外部電極などと接続するための端子として利用することができる。
第４の発明は、第３の発明の構成において、前記カバーの封止面側には、前記圧電基板の前記すだれ状電極などの電極を設けた領域に対応する箇所を除き、その全面に陽極封止用のガラスが形成されていることを特徴とする。
第４の発明の構成によれば、貼り合わせ面積を増大して、確実な貼り合わせ構造を実現することができる。
第４の発明の構成によれば、貼り合わせ面積を増大して、確実な貼り合わせ構造を実現することができる。
第５の発明は、第１、２、４のいずれかの発明の構成において、前記カバーに前記凹部を形成することなく、該カバーの前記圧電基板における前記分離部に対応した箇所に貫通孔が形成されることにより、表面側に形成される外部電極との電気的接続を行う導電スルーホールとされていることを特徴とする。
第５の発明の構成によれば、例えば、カバー側の表面に外部電極を接続する場合には、前記スルーホールの開口周囲に外部電極が形成されることから、電気的接続を行うための構造が容易に実現される。
第５の発明の構成によれば、例えば、カバー側の表面に外部電極を接続する場合には、前記スルーホールの開口周囲に外部電極が形成されることから、電気的接続を行うための構造が容易に実現される。
上述の第二の課題解決の目的は、第６の発明にあっては、圧電基板の一面にすだれ状電極を形成した弾性表面波チップの前記一面をカバーで封止した弾性表面波装置であって、 前記すだれ状電極が、前記圧電基板の前記一面のほぼ全体の面積を占める導体金属による電極パターンで形成されており、かつ、該すだれ状電極が前記圧電基板の外周まで延長され、該延長された電極パターンの少なくとも一部でなる保護膜形成用パターンを備え、 前記すだれ状電極が対構造となるように、前記電極パターンを分離するために線状に前記導体金属を除去して形成した分離部を、前記圧電基板の外周に達するように設けるとともに、前記カバーの封止面の外周縁に沿って陽極接合用の封止領域が設けられており、前記カバーの外周縁であって前記圧電基板における前記分離部に対応した箇所には、封止用の凹部が形成されていて、かつ、前記圧電基板の外周まで延長した前記すだれ状電極を構成する導体金属の一部が、前記凹部から露出されて、該露出部が端子とされている弾性表面波装置により、達成される。
第７の発明は、第６の発明の構成において、前記すだれ状電極の電極パターンに形成された前記保護膜の上から、この保護膜をうち破るように金属バンプが形成されており、該金属バンプを介して装置外部に形成した外部電極と接続する構成としたことを特徴とする。
第７の発明の構成によれば、ＩＤＴの保護膜が電気的導通を遮断したり、大きな電気抵抗となる場合においては、該保護膜をうち破るように設けた金属バンプにより外部電極 との導通を図ることで、確実な接続を実現できる。
第７の発明の構成によれば、ＩＤＴの保護膜が電気的導通を遮断したり、大きな電気抵抗となる場合においては、該保護膜をうち破るように設けた金属バンプにより外部電極 との導通を図ることで、確実な接続を実現できる。
第８の発明は、第７の発明の構成において、前記封止用の凹部に換えて、前記カバーに予め形成されている貫通孔から露出される前記電極パターンの前記保護膜の上に、前記金属バンプが、該保護膜をうち破るようにして形成されていることを特徴とする。
第８の発明の構成によれば、例えば、カバー側の表面の外部電極を接続する場合には、前記貫通孔を導電スルーホールとすることができ、その開口周囲に外部電極が形成されることから、電気的接続を行うための構造が容易に実現される。この場合、該保護膜をうち破るように設けた金属バンプにより外部電極との導通を図ることで、一層確実な接続を実現できる。
第８の発明の構成によれば、例えば、カバー側の表面の外部電極を接続する場合には、前記貫通孔を導電スルーホールとすることができ、その開口周囲に外部電極が形成されることから、電気的接続を行うための構造が容易に実現される。この場合、該保護膜をうち破るように設けた金属バンプにより外部電極との導通を図ることで、一層確実な接続を実現できる。
第１３の発明は、第１０の発明の構成において、前記延長された電極パターンの一部に前記保護膜を形成しないことにより露出部を設け、該露出部と、装置外部に形成した外部電極とを接続する構成としたことを特徴とする。
第１３の発明の構成によれば、保護膜を形成しない露出部を設けているので、保護膜が電気的導通に悪影響がある場合において、このような悪影響を回避することができる。
第１３の発明の構成によれば、保護膜を形成しない露出部を設けているので、保護膜が電気的導通に悪影響がある場合において、このような悪影響を回避することができる。
また、上記目的は、第１４の発明にあっては、すだれ状電極を有する圧電基板とこれを封止するカバーとを別々に用意する基板側前工程及びカバー側前工程と、前記圧電基板に前記カバーを貼り合わせて封止する封止工程とを含んでおり、前記基板側前工程では、前記圧電基板の一面に該圧電基板の外周まですだれ状電極を延長して設け、該延長された電極パターンの少なくとも一部でなる保護膜形成用パターンを形成し、かつ前記すだれ状電極が対となるように、電極パターンを分離するための分離部を、圧電基板の外周に達するまで形成し、前記保護膜形成用パターンを用いて前記すだれ状電極を形成する電極パターンに対して、陽極酸化膜でなる保護膜を形成し、前記カバー側前工程では、前記カバーの封止面の外周縁に沿って陽極接合用の封止領域が設けられ、該カバーの前記圧電基板における前記分離部に対応した箇所に封止用の凹部を形成しておき、前記封止工程では、前記圧電基板の前記一面に前記カバーを陽極接合により接合し、続いて、表面側に外部電極を形成して、前記圧電基板側の電極パターンと接続する接続工程を実行し、さらに、前記凹部を絶縁性の封止材で孔封止する弾性表面波装置の製造方法により、達成される。
第１４の発明の構成によれば、前工程で行う処理は電極を設ける範囲を従来と異なる範囲にしたり、カバーに前記加工を行う程度により実現できる。そして、前記前工程を行っておけば、前記封止工程において、陽極接合により比較的簡単にカバーと圧電基板を貼り合わせることができる。この場合、前工程で前記カバーに前記凹部を形成しているから、電極どうしを短絡させる心配がなく、圧電基板のひとつの面全体にＩＤＴを形成したことで、小型のＳＡＷデバイスを容易に製造することができる。
また、基板側前工程で、ＩＤＴが、圧電基板の外周まで延長されてなる電極パターンの少なくとも一部を、保護膜形成用パターンとして利用できるようにしているので、この保護膜形成用パターンに通電することにより、ＩＤＴに陽極酸化膜でなる保護膜を形成することができる。しかも、この保護膜形成用パターンは、圧電基板の外周まで延長されている電極パターンを利用しているから、複数個の弾性表面波チップを共通の基板材料（例えば、「水晶ウエハ」）から形成する工程を選ぶと、当該基板材料に設けた金属膜と、個々の保護膜形成用パターンを接続することで、該基板材料で形成する複数の全ての弾性表面波チップのＩＤＴに対して、前記陽極酸化膜を同時に、かつ容易に形成することができる。
また、基板側前工程で、ＩＤＴが、圧電基板の外周まで延長されてなる電極パターンの少なくとも一部を、保護膜形成用パターンとして利用できるようにしているので、この保護膜形成用パターンに通電することにより、ＩＤＴに陽極酸化膜でなる保護膜を形成することができる。しかも、この保護膜形成用パターンは、圧電基板の外周まで延長されている電極パターンを利用しているから、複数個の弾性表面波チップを共通の基板材料（例えば、「水晶ウエハ」）から形成する工程を選ぶと、当該基板材料に設けた金属膜と、個々の保護膜形成用パターンを接続することで、該基板材料で形成する複数の全ての弾性表面波チップのＩＤＴに対して、前記陽極酸化膜を同時に、かつ容易に形成することができる。
第１５の発明は、第１４の発明の構成によれば、前記保護膜の上から、この保護膜をうち破るように金属バンプを形成し、該金属バンプを介して装置外部に形成した外部電極と接続することを特徴とする。
第１５の発明の構成によれば、ＩＤＴの保護膜が電気的導通を遮断したり、大きな電気抵抗となる場合においては、該保護膜をうち破って金属バンプを設けるようにすれば、外部電極との導通を確実に実現できる。
第１５の発明の構成によれば、ＩＤＴの保護膜が電気的導通を遮断したり、大きな電気抵抗となる場合においては、該保護膜をうち破って金属バンプを設けるようにすれば、外部電極との導通を確実に実現できる。
第１６の発明は、第１５の発明の構成において、前記カバーに前記凹部を形成せずに、該カバーの前記圧電基板における前記分離部に対応した箇所に予め貫通孔を形成し、該貫通孔から露出される前記電極パターンの前記保護膜の上に、前記金属バンプを形成し、前記貫通孔を導電スルーホールとして、前記金属バンプを介して、前記外部電極と前記圧電基板側の前記電極パターンとの電気的接続を行うことを特徴とする。
第１６の発明の構成によれば、例えば、カバー側の表面の外部電極を接続する場合に、前記貫通孔を導電スルーホールとすれば、その開口周囲に外部電極が形成されることから、電気的接続を行うための構造が容易に実現される。この場合、該保護膜をうち破るように設けた金属バンプにより外部電極との導通を図るようにしているので、一層確実な接続を実現できる。
第１６の発明の構成によれば、例えば、カバー側の表面の外部電極を接続する場合に、前記貫通孔を導電スルーホールとすれば、その開口周囲に外部電極が形成されることから、電気的接続を行うための構造が容易に実現される。この場合、該保護膜をうち破るように設けた金属バンプにより外部電極との導通を図るようにしているので、一層確実な接続を実現できる。
第１７の発明は、第１４の発明の構成において、保護膜形成時に、前記延長された電極パターンの一部にマスクを配して、前記保護膜を形成しないことにより露出部を設け、該露出部と、装置外部に形成した外部電極とを接続することを特徴とする。
第１７の発明の構成によれば、保護膜を形成しない露出部を設けるようにしているので、保護膜が電気的導通に悪影響がある場合において、このような悪影響を回避することができる。
第１７の発明の構成によれば、保護膜を形成しない露出部を設けるようにしているので、保護膜が電気的導通に悪影響がある場合において、このような悪影響を回避することができる。
図１は、本発明のＳＡＷデバイスの第１の実施形態を示す概略分解斜視図である。
図において、ＳＡＷデバイス３０は、ＳＡＷチップ（弾性表面波チップ）３１と、このＳＡＷチップ３１に接合されることにより、ＳＡＷチップ３１を封止するカバー４１を有している。ＳＡＷチップ３１は、図１に示されているように、圧電基板３２と、すだれ状電極であるＩＤＴ（櫛形電極）３３及び反射器３４，３４を備えている。
圧電基板３２は、圧電材料として、例えば、水晶，リチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ３），リチウムナイオベート（ＬｉＮｂＯ３）等の単結晶基板やＳｉ基板へＺｎＯ成膜した基板等の多層膜基板等を使用することができる。この実施形態では、例えば、水晶基板を用いている。
図において、ＳＡＷデバイス３０は、ＳＡＷチップ（弾性表面波チップ）３１と、このＳＡＷチップ３１に接合されることにより、ＳＡＷチップ３１を封止するカバー４１を有している。ＳＡＷチップ３１は、図１に示されているように、圧電基板３２と、すだれ状電極であるＩＤＴ（櫛形電極）３３及び反射器３４，３４を備えている。
圧電基板３２は、圧電材料として、例えば、水晶，リチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ３），リチウムナイオベート（ＬｉＮｂＯ３）等の単結晶基板やＳｉ基板へＺｎＯ成膜した基板等の多層膜基板等を使用することができる。この実施形態では、例えば、水晶基板を用いている。
ＩＤＴ３３及び反射器３４は、圧電基板３２の一面である能動面に、アルミニウムやチタン等の導体金属を蒸着あるいはスパッタリング等により薄膜状に形成した上で、後述するように、例えば、フォトリソグラフィの手法を用いて、すだれ状となるように形成されている。すなわち、図１の圧電基板３２の上面に平行斜線で示した領域が電極パターンの形成される領域である。
具体的には、ＩＤＴ３３（３３ａと３３ｂ）は、それぞれ複数の電極指が所定のピッチで並設されて長手方向の各基端部が短絡するように形成されている。即ち、２つの櫛形状のＩＤＴ３３ａ，３３ｂの各櫛歯部分が対向され、所定距離隔てて互い違いに入り込むように形成され、図示するように対となる構成とされている。
具体的には、ＩＤＴ３３（３３ａと３３ｂ）は、それぞれ複数の電極指が所定のピッチで並設されて長手方向の各基端部が短絡するように形成されている。即ち、２つの櫛形状のＩＤＴ３３ａ，３３ｂの各櫛歯部分が対向され、所定距離隔てて互い違いに入り込むように形成され、図示するように対となる構成とされている。
ここで、この実施形態では、特に、ＩＤＴ３３が、圧電基板３２の一面（図において上面）の全面に形成されていて、ＩＤＴ３３の電極パターンは、圧電基板３２の外周縁まで延長されており、従来のように端子を形成していない。また、ＩＤＴ３３を構成する電極パターンの圧電基板３２の外周縁にまで延長された縁部は、点線で図示される領域が、カバー４１を接合するための封止領域３６とされている。ＩＤＴ３３の電極パターンを分離することなく、その一部を封止領域３６として利用する点が、本実施形態のひとつの特徴である。
そして、ＩＤＴ３３ａとＩＤＴ３３ｂは、圧電基板３２の外周縁部に至るまで延長された分離部３５，３５において分離され、短絡しないようにされている。ここで、分離部３５，３５は対向する電極パターンを帯状に分離する領域で、この分離部の圧電基板３２の外周縁部においては、一方の電極パターンを切り欠いたノッチ部３７，３７を形成している。これにより、後述するように電極どうしの短絡を確実に防止している。
また、ＩＤＴ３３は、カバー４１側に形成される外部電極４３，４３と後述するように電気的に接続され、この外部電極４３，４３を介して電気信号と弾性表面波（ＳＡＷ）との間の変換を行う機能を有する。
また、ＩＤＴ３３は、カバー４１側に形成される外部電極４３，４３と後述するように電気的に接続され、この外部電極４３，４３を介して電気信号と弾性表面波（ＳＡＷ）との間の変換を行う機能を有する。
ＩＤＴ３３の両側には、反射器３４，３４が設けられている。反射器３４は、複数の導体ストリップが、ＩＤＴ３３と同じように、所定のピッチで並設されて長手方向の各両端部が短絡されるように形成されている。
そして、例えば、同一構成の２つの反射器３４，３４は、その導体ストリップがＩＤＴ３３の電極指と平行になるように、かつＩＤＴ３３を、弾性表面波の伝搬方向、すなわち矢印Ｔ方向で示す方向であるＩＤＴ３３の電極指の長手方向に対して、直交する方向に所定距離隔てて挟み込むように形成されている。この反射器３４，３４は、ＩＤＴ３３から伝搬してくる弾性表面波を反射して、弾性表面波のエネルギーを内部に閉じこめる機能を有する。
そして、例えば、同一構成の２つの反射器３４，３４は、その導体ストリップがＩＤＴ３３の電極指と平行になるように、かつＩＤＴ３３を、弾性表面波の伝搬方向、すなわち矢印Ｔ方向で示す方向であるＩＤＴ３３の電極指の長手方向に対して、直交する方向に所定距離隔てて挟み込むように形成されている。この反射器３４，３４は、ＩＤＴ３３から伝搬してくる弾性表面波を反射して、弾性表面波のエネルギーを内部に閉じこめる機能を有する。
このような構成において、電気信号が、上記外部端子を介してＩＤＴ３３に入力されると、圧電効果により弾性表面波に変換される。この弾性表面波は、矢印Ｔ方向、すなわち、ＩＤＴ３３の電極指３３ａの長手方向に対して直交方向に伝搬され、ＩＤＴ３３の両側から反射器３４，３４に放射される。このとき、圧電基板３２の材質、電極の厚みや電極の幅等で決定される伝搬速度とＩＤＴ３３の電極指３３ａの電極周期ｄ０に等しい波長を持つ弾性表面波が、最も強く励振される。この弾性表面波は、反射器３４，３４により多段反射されてＩＤＴ３３に戻され、共振周波数付近の周波数（動作周波数）の電気信号に変換されてＩＤＴ３３から外部電極４３，４３を介して出力される。
カバー４１は、絶縁性の材料により形成された板体であって、この場合、圧電基板３２の外形と同じ外形を備えるガラス製の板体で形成されている。
カバー４１は、圧電基板３２に図示の関係で重ねられ、陽極接合により貼り合わせることで、接合されるようになっている。このため、カバー４１の図示しない裏面は、後述するように、圧電基板３２の封止領域３６と対応する箇所に陽極接合可能な接合膜が形成されている。そして、カバー４１の図示しない裏面のＩＤＴ３３および反射器３４に対向する領域は、凹状のキャビティとされている。
カバー４１は、圧電基板３２に図示の関係で重ねられ、陽極接合により貼り合わせることで、接合されるようになっている。このため、カバー４１の図示しない裏面は、後述するように、圧電基板３２の封止領域３６と対応する箇所に陽極接合可能な接合膜が形成されている。そして、カバー４１の図示しない裏面のＩＤＴ３３および反射器３４に対向する領域は、凹状のキャビティとされている。
さらに、カバー４１の側縁部には、凹部４２，４２が形成されている。凹部４２，４２は圧電基板３２の分離部３５，３５の上に位置する箇所に形成される。具体的には、圧電基板３２にカバー４１を貼り合わせた状態で、凹部４２，４２内に圧電基板３２のＩＤＴ３３ａ，３３ｂの各電極パターンの一部が露出する箇所に形成される。これにより、後述する製造工程で説明するように、ＩＤＴ３３とカバー４１の外部電極４３との電気的接続を行うことができるようにされる。
本実施形態のＳＡＷデバイス３０は以上のように構成されており、図２７で説明した従来のＳＡＷデバイスのように、圧電基板上にＩＤＴの端子を、陽極接合用の電極パターンから離間させて形成していない。
言い換えれば、圧電基板３２の面積全体にＩＤＴを形成しているので、そのスペースを有効に利用でき、その分ＳＡＷデバイス３０全体を小型に形成することができる。
言い換えれば、圧電基板３２の面積全体にＩＤＴを形成しているので、そのスペースを有効に利用でき、その分ＳＡＷデバイス３０全体を小型に形成することができる。
（ＳＡＷデバイスの製造方法）
（前処理工程）
次に、ＳＡＷデバイス３０の製造方法の実施形態を図２ないし図１０を参照しながら説明する。前処理工程においては、ＳＡＷチップとカバーとを別々に形成する。
図２において、先ず、圧電基板３２を形成するための材料として、例えば水晶ウエハを用意する。この段階では、後述するように、未だ個々の製品の大きさに切断される前の状態として、複数個の製品に対応した圧電基板を切り離すことができる大きさの水晶ウエハを用意するが、以降の図では、理解の便宜のため製品単位の大きさの部分だけ図示して説明する。
（前処理工程）
次に、ＳＡＷデバイス３０の製造方法の実施形態を図２ないし図１０を参照しながら説明する。前処理工程においては、ＳＡＷチップとカバーとを別々に形成する。
図２において、先ず、圧電基板３２を形成するための材料として、例えば水晶ウエハを用意する。この段階では、後述するように、未だ個々の製品の大きさに切断される前の状態として、複数個の製品に対応した圧電基板を切り離すことができる大きさの水晶ウエハを用意するが、以降の図では、理解の便宜のため製品単位の大きさの部分だけ図示して説明する。
圧電基板３２となる水晶ウエハの一面に、ＩＤＴ３３，３３、反射器３４，３４を形成する。この実施形態では、先ず、スパッタリングまたは蒸着により、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金を圧電基板３２の全面に成膜する。
次いで、ＩＤＴ３３，３３、反射器３４，３４を形成する領域に対応したレジストパターンを形成し、露光・現像することによって、フォトリソグラフィの手法を用いて、マスキングされていない箇所をエッチングプロセスにより除去し、ＩＤＴ３３，３３、反射器３４，３４となるアルミパターン（電極パターン）を形成する。
ここで、ＩＤＴ３３，３３、反射器３４，３４を形成する領域や、分離部３５、ノッチ部３７については、図１で既に説明したので、重複する説明は省略する。
次いで、ＩＤＴ３３，３３、反射器３４，３４を形成する領域に対応したレジストパターンを形成し、露光・現像することによって、フォトリソグラフィの手法を用いて、マスキングされていない箇所をエッチングプロセスにより除去し、ＩＤＴ３３，３３、反射器３４，３４となるアルミパターン（電極パターン）を形成する。
ここで、ＩＤＴ３３，３３、反射器３４，３４を形成する領域や、分離部３５、ノッチ部３７については、図１で既に説明したので、重複する説明は省略する。
図３は、カバー４１を示している。この実施形態では、圧電基板と同じ外形の矩形のガラス製の板体の外周縁部に２つの凹部４２，４２を形成する。また、外周縁部に沿った封止領域４５の内側に、凹所もしくはキャビティ４４を形成する。これは、ガラスの成形によってもよいし、矩形の板ガラスを削って形成してもよい。さらに、封止領域４５には、その封止面、すなわち、圧電基板と接合される面に、圧電基板に形成した電極パターンを構成する金属と陽極接合することができる接合膜を形成する。ここでは、接合膜として、アルミニウムもしくはアルミニウム合金と接合できる種類のガラス被膜を焼き付けなどにより形成する。すなわち、封止領域４５には、可動イオンを含んだガラスとして、例えば、パイレックス（登録商標）ガラス（Ｐｙｒｅｘ ｇｌａｓｓ）の被膜を形成する。
（封止工程）
次に図４および図５に示すように、圧電基板３２にカバー４１を重ねる。ここで、図５は図４のＢ−Ｂ線概略断面図である。この状態で例えば窒素雰囲気下においてパイレックス（登録商標）ガラスの軟化点以下で、アルミニウムの融点以下の温度に加熱し、さらに、図４に示すようにして直流電圧を印加する。すなわち、カバー４１を圧電基板３２に対して、陽極接合することにより貼り付ける。この状態においては、カバー４１の凹部４２には、圧電基板３２の外周にまで延長されているＩＤＴ３３の外端部が露出部３８として露出している。また、この露出部３８に隣接した箇所はノッチ部３７として、電極が形成されていない。
次に図４および図５に示すように、圧電基板３２にカバー４１を重ねる。ここで、図５は図４のＢ−Ｂ線概略断面図である。この状態で例えば窒素雰囲気下においてパイレックス（登録商標）ガラスの軟化点以下で、アルミニウムの融点以下の温度に加熱し、さらに、図４に示すようにして直流電圧を印加する。すなわち、カバー４１を圧電基板３２に対して、陽極接合することにより貼り付ける。この状態においては、カバー４１の凹部４２には、圧電基板３２の外周にまで延長されているＩＤＴ３３の外端部が露出部３８として露出している。また、この露出部３８に隣接した箇所はノッチ部３７として、電極が形成されていない。
続いて、図６および図７に示すように、カバー４１の両端部に外部電極５１，５１を形成する。ここで、図７は図６のＣ−Ｃ線概略断面図である。外部電極５１，５１は、カバー４１に必要なマスキングをして、例えば、アルミニウムをスパタリングもしくは蒸着することにより形成することができる。
この外部電極５１，５１を形成する際には、カバー４１の凹部４２から露出部３８が露出されているので、図７に示されているように、外部電極５１ａを形成する金属膜が露出部３８上にまで回り込むようにして成膜される。
すなわち、ＩＤＴ３３の圧電基板３２外周に延長した部分である露出部３８が、そのまま外部電極５１ａとの接続端子として利用される。また、露出部３８と接続された外部電極５１の金属膜は、露出部３８から多少はみ出しても、隣接するノッチ部３７には、電極パターンが存在しないので、電極パターンどうしを短絡してしまうおそれがない。
ここで、ＩＤＴ３３の露出部３８は、アルミニウム電極であり、接続端子として利用されるので、電極形成後において、外部電極５１ａに接続されるまでの間に、自然酸化膜が形成され、かつ導通性能を阻害する可能性がある場合がある。そのようなおそれがある場合には、露出部３８に対して、その自然酸化膜を打ち破るようにして、例えば、金バンプなどの金属バンプを形成し、この金属バンプを介して外部電極５１ａと導通をとるようにしてもよい。
この外部電極５１，５１を形成する際には、カバー４１の凹部４２から露出部３８が露出されているので、図７に示されているように、外部電極５１ａを形成する金属膜が露出部３８上にまで回り込むようにして成膜される。
すなわち、ＩＤＴ３３の圧電基板３２外周に延長した部分である露出部３８が、そのまま外部電極５１ａとの接続端子として利用される。また、露出部３８と接続された外部電極５１の金属膜は、露出部３８から多少はみ出しても、隣接するノッチ部３７には、電極パターンが存在しないので、電極パターンどうしを短絡してしまうおそれがない。
ここで、ＩＤＴ３３の露出部３８は、アルミニウム電極であり、接続端子として利用されるので、電極形成後において、外部電極５１ａに接続されるまでの間に、自然酸化膜が形成され、かつ導通性能を阻害する可能性がある場合がある。そのようなおそれがある場合には、露出部３８に対して、その自然酸化膜を打ち破るようにして、例えば、金バンプなどの金属バンプを形成し、この金属バンプを介して外部電極５１ａと導通をとるようにしてもよい。
次いで、図８および図９に示すように、カバー４１の凹部４２が孔封止される。ここで、図９は図８のＤ−Ｄ線概略断面図である。
凹部４２，４２には、絶縁材料として、例えば溶融した低融点ガラスなどの充填剤５２，５２が充填されることにより、電極パターンの短絡を生じることなく、気密に孔封止される。
凹部４２，４２には、絶縁材料として、例えば溶融した低融点ガラスなどの充填剤５２，５２が充填されることにより、電極パターンの短絡を生じることなく、気密に孔封止される。
図１０は、複数のＳＡＷデバイス３０が縦横に一体に形成される様子を示しており、圧電基板を構成する水晶ウエハは、上述したように、複数もしくは多数個の製品に対応した大きさのものが、縦横に一体になった状態で、上記工程が進行される。
最後に、図１０のＣ１，Ｃ２に示す切断線に沿って、ダイシングされることにより切断され、ＳＡＷデバイス３０が切り離されて完成する。
なお、孔封止における図８および図９で説明した充填剤５２は、凹部４２の上方から充填される。
最後に、図１０のＣ１，Ｃ２に示す切断線に沿って、ダイシングされることにより切断され、ＳＡＷデバイス３０が切り離されて完成する。
なお、孔封止における図８および図９で説明した充填剤５２は、凹部４２の上方から充填される。
図１１および図１２は、ＳＡＷデバイスの第２の実施形態を示しており、図１１は、ＳＡＷデバイス３０−１の概略平面図、図１２は図１１のＥ−Ｅ線概略断面図である。
これらの図において、第１の実施形態と共通する構成には、同一の符号を付して、重複する説明は省略し、以下、相違点を説明する。
これらの図において、第１の実施形態と共通する構成には、同一の符号を付して、重複する説明は省略し、以下、相違点を説明する。
カバー４１には、第１の実施形態のように、凹部が形成されていない。しかしながら、カバー４１には、圧電基板３２のＩＤＴ３３の対の電極を構成する電極指パターン３３ａと３３ｂにそれぞれ対応する箇所で、各外部電極（外部電極は第１の実施形態の外部電極５１ａ，５１ｂと同じ位置に形成されるが、図示省略している。）に対応する箇所に貫通孔６１，６２を形成している。各貫通孔６１，６２の内周には、外部電極を成膜する際の金属膜が成膜されることにより、導電スルーホールとされている。
これにより、貫通孔６１，６２により外部電極とＩＤＴ３３とが電気的に接続されるようになっている。
この実施形態は、第１の実施形態と同様に小型に形成することができる他、分離部３５を避けて、各電極指パターン３３ａ，３３ｂと対応する位置であれば、任意の箇所に貫通孔６１，６２を形成することができる利点がある。また、孔封止を行わなくてよい利点がある。
これにより、貫通孔６１，６２により外部電極とＩＤＴ３３とが電気的に接続されるようになっている。
この実施形態は、第１の実施形態と同様に小型に形成することができる他、分離部３５を避けて、各電極指パターン３３ａ，３３ｂと対応する位置であれば、任意の箇所に貫通孔６１，６２を形成することができる利点がある。また、孔封止を行わなくてよい利点がある。
本発明は上述の実施形態に限定されない。各実施形態の各構成はこれらを適宜省略したり、図示しない他の構成と組み合わせることができる。
また、上述の実施形態では、反射器を伴う構成としたが、反射器はなくてもよい。圧電基板およびカバーは、矩形でなくても任意の形状とすることができる。カバーは必ずしもガラスでなくてもよく、絶縁性を備え、ＩＤＴ電極の金属と陽極接合できる材料であれば、種類を問わず採用することができる。
また、上述の実施形態では、反射器を伴う構成としたが、反射器はなくてもよい。圧電基板およびカバーは、矩形でなくても任意の形状とすることができる。カバーは必ずしもガラスでなくてもよく、絶縁性を備え、ＩＤＴ電極の金属と陽極接合できる材料であれば、種類を問わず採用することができる。
図１３は、本発明のＳＡＷデバイスの第２の実施形態を示す概略分解斜視図である。図１と同一部材は同一符号にて示してある。図において、ＳＡＷデバイス３０は、ＳＡＷチップ（弾性表面波チップ）３１と、このＳＡＷチップ３１に接合されることにより、ＳＡＷチップ３１を封止するカバー４１を有している。ＳＡＷチップ３１は、図１３に示されているように、圧電基板３２と、すだれ状電極であるＩＤＴ（櫛形電極）３３及び反射器３４，３４を備えている。
圧電基板３２は、圧電材料として、例えば、水晶，リチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ３），リチウムナイオベート（ＬｉＮｂＯ３）等の単結晶基板やＳｉ基板へＺｎＯ成膜した基板等の多層膜基板等を使用することができる。この実施形態では、例えば、水晶基板を用いている。
圧電基板３２は、圧電材料として、例えば、水晶，リチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ３），リチウムナイオベート（ＬｉＮｂＯ３）等の単結晶基板やＳｉ基板へＺｎＯ成膜した基板等の多層膜基板等を使用することができる。この実施形態では、例えば、水晶基板を用いている。
ＩＤＴ３３及び反射器３４は、圧電基板３２の一面である能動面に、アルミニウムやチタン等の導体金属を蒸着あるいはスパッタリング等により薄膜状に形成した上で、後述するように、例えば、フォトリソグラフィの手法を用いて、すだれ状となるように形成されている。すなわち、図１３の圧電基板３２の上面に平行斜線で示した領域が電極パターンの形成される領域である。
具体的には、ＩＤＴ３３（３３ａと３３ｂ）は、それぞれ複数の電極指が所定のピッチで並設されて長手方向の各基端部が短絡するように形成されている。即ち、２つの櫛形状のＩＤＴ３３ａ，３３ｂの各櫛歯部分が対向され、所定距離隔てて互い違いに入り込むように形成され、図示するように対となる構成とされている。
具体的には、ＩＤＴ３３（３３ａと３３ｂ）は、それぞれ複数の電極指が所定のピッチで並設されて長手方向の各基端部が短絡するように形成されている。即ち、２つの櫛形状のＩＤＴ３３ａ，３３ｂの各櫛歯部分が対向され、所定距離隔てて互い違いに入り込むように形成され、図示するように対となる構成とされている。
ここで、この実施形態では、特に、ＩＤＴ３３が、圧電基板３２の一面（図において上面）の全面に形成されていて、ＩＤＴ３３の電極パターンは、圧電基板３２の外周縁まで延長されており、従来のように端子を形成していない。また、ＩＤＴ３３を構成する電極パターンの圧電基板３２の外周縁にまで延長された縁部は、点線で図示される領域が、カバー４１を接合するための封止領域３６とされている。ＩＤＴ３３の電極パターンを分離することなく、その一部を封止領域３６として利用する。
さらに、圧電基板３２の外周縁に臨む電極パターンの一部、すなわち、この実施形態では、封止領域３６の全体もしくはいずれかの箇所が、後述する製造工程で、保護膜形成用パターン７１として利用される。
さらに、圧電基板３２の外周縁に臨む電極パターンの一部、すなわち、この実施形態では、封止領域３６の全体もしくはいずれかの箇所が、後述する製造工程で、保護膜形成用パターン７１として利用される。
そして、ＩＤＴ３３ａとＩＤＴ３３ｂは、圧電基板３２の外周縁部に至るまで延長された分離部３５，３５において分離され、短絡しないようにされている。ここで、分離部３５，３５は対向する電極パターンを帯状に分離する領域で、この分離部の圧電基板３２の外周縁部においては、一方の電極パターンを切り欠いたノッチ部３７，３７を形成している。これにより、後述するように電極どうしの短絡を確実に防止している。
また、ＩＤＴ３３は、カバー４１側に形成される外部電極５１，５１と後述するように電気的に接続され、この外部電極５１，５１を介して電気信号と弾性表面波（ＳＡＷ）との間の変換を行う機能を有する。
また、ＩＤＴ３３は、カバー４１側に形成される外部電極５１，５１と後述するように電気的に接続され、この外部電極５１，５１を介して電気信号と弾性表面波（ＳＡＷ）との間の変換を行う機能を有する。
ＩＤＴ３３の両側には、反射器３４，３４が設けられている。反射器３４は、複数の導体ストリップが、ＩＤＴ３３と同じように、所定のピッチで並設されて長手方向の各両端部が短絡されるように形成されている。
そして、例えば、同一構成の２つの反射器３４，３４は、その導体ストリップがＩＤＴ３３の電極指と平行になるように、かつＩＤＴ３３を、弾性表面波の伝搬方向、すなわち矢印Ｔ方向で示す方向であるＩＤＴ３３の電極指の長手方向に対して、直交する方向に所定距離隔てて挟み込むように形成されている。この反射器３４，３４は、ＩＤＴ３３から伝搬してくる弾性表面波を反射して、弾性表面波のエネルギーを内部に閉じこめる機能を有する。
このようなＩＤＴ３３と反射器３４，３４は電極パターンにより一体に形成されており、その表面には、後述するようにして、保護膜形成用パターン７１を利用して設けられた保護用の酸化膜、この実施形態では、例えば、陽極酸化膜（図示せず）が形成されている。
そして、例えば、同一構成の２つの反射器３４，３４は、その導体ストリップがＩＤＴ３３の電極指と平行になるように、かつＩＤＴ３３を、弾性表面波の伝搬方向、すなわち矢印Ｔ方向で示す方向であるＩＤＴ３３の電極指の長手方向に対して、直交する方向に所定距離隔てて挟み込むように形成されている。この反射器３４，３４は、ＩＤＴ３３から伝搬してくる弾性表面波を反射して、弾性表面波のエネルギーを内部に閉じこめる機能を有する。
このようなＩＤＴ３３と反射器３４，３４は電極パターンにより一体に形成されており、その表面には、後述するようにして、保護膜形成用パターン７１を利用して設けられた保護用の酸化膜、この実施形態では、例えば、陽極酸化膜（図示せず）が形成されている。
このような構成において、電気信号が、上記外部端子を介してＩＤＴ３３に入力されると、圧電効果により弾性表面波に変換される。この弾性表面波は、矢印Ｔ方向、すなわち、ＩＤＴ３３の電極指３３ａの長手方向に対して直交方向に伝搬され、ＩＤＴ３３の両側から反射器３４，３４に放射される。このとき、圧電基板３２の材質、電極の厚みや電極の幅等で決定される伝搬速度とＩＤＴ３３の電極指３３ａの電極周期ｄ０に等しい波長を持つ弾性表面波が、最も強く励振される。この弾性表面波は、反射器３４，３４により多段反射されてＩＤＴ３３に戻され、共振周波数付近の周波数（動作周波数）の電気信号に変換されてＩＤＴ３３から外部電極５１，５１を介して出力される。
カバー４１は、絶縁性の材料により形成された板体であって、この場合、圧電基板３２の外形と同じ外形を備えるガラス製の板体で形成されている。
カバー４１は、圧電基板３２に図示の関係で重ねられ、陽極接合により貼り合わせることで、接合されるようになっている。このため、カバー４１の図示しない裏面は、後述するように、圧電基板３２の封止領域３６と対応する箇所に陽極接合可能な接合膜が形成されている。そして、カバー４１の図示しない裏面のＩＤＴ３３および反射器３４に対向する領域は、凹状のキャビティとされている。
カバー４１は、圧電基板３２に図示の関係で重ねられ、陽極接合により貼り合わせることで、接合されるようになっている。このため、カバー４１の図示しない裏面は、後述するように、圧電基板３２の封止領域３６と対応する箇所に陽極接合可能な接合膜が形成されている。そして、カバー４１の図示しない裏面のＩＤＴ３３および反射器３４に対向する領域は、凹状のキャビティとされている。
さらに、カバー４１の側縁部には、凹部４２，４２が形成されている。凹部４２，４２は圧電基板３２の分離部３５，３５の上に位置する箇所に形成される。具体的には、圧電基板３２にカバー４１を貼り合わせた状態で、凹部４２，４２内に圧電基板３２のＩＤＴ３３ａ，３３ｂの各電極パターンの一部が露出する箇所に形成される。これにより、後述する製造工程で説明するように、ＩＤＴ３３とカバー４１の外部電極５１との電気的接続を行うことができるようにされる。
本実施形態のＳＡＷデバイス３０は以上のように構成されており、図２８で説明した従来のＳＡＷデバイスのように、圧電基板上にＩＤＴの端子を、陽極接合用の電極パターンから離間させて形成していない。
言い換えれば、圧電基板３２の面積全体にＩＤＴを形成しているので、そのスペースを有効に利用でき、その分ＳＡＷデバイス３０全体を小型に形成することができる。
また、ＩＤＴ３３を形成する電極パターンが圧電基板３２の外周縁まで延長されていて、その外周縁に臨む電極パターンが保護膜形成用パターン７１として利用されることにより、後述する製造工程において、陽極酸化膜でなる保護膜が容易に形成されることができる。
言い換えれば、圧電基板３２の面積全体にＩＤＴを形成しているので、そのスペースを有効に利用でき、その分ＳＡＷデバイス３０全体を小型に形成することができる。
また、ＩＤＴ３３を形成する電極パターンが圧電基板３２の外周縁まで延長されていて、その外周縁に臨む電極パターンが保護膜形成用パターン７１として利用されることにより、後述する製造工程において、陽極酸化膜でなる保護膜が容易に形成されることができる。
（ＳＡＷデバイスの製造方法）
（前処理工程）
次に、ＳＡＷデバイス３０の製造方法の実施形態を図１４ないし図２２を参照しながら説明する。前処理工程においては、ＳＡＷチップとカバーとを別々に形成する。
（基板側前工程）
図１４において、先ず、圧電基板３２を形成するための材料として、例えば水晶ウエハ７０を用意する。この段階では、後述するように、未だ個々の製品の大きさに切断される前の状態として、複数個の製品に対応した圧電基板３２を切り離すことができる大きさの水晶ウエハを用意するが、図１５以降の図では、理解の便宜のため製品単位の大きさの部分だけ図示して説明する。
（前処理工程）
次に、ＳＡＷデバイス３０の製造方法の実施形態を図１４ないし図２２を参照しながら説明する。前処理工程においては、ＳＡＷチップとカバーとを別々に形成する。
（基板側前工程）
図１４において、先ず、圧電基板３２を形成するための材料として、例えば水晶ウエハ７０を用意する。この段階では、後述するように、未だ個々の製品の大きさに切断される前の状態として、複数個の製品に対応した圧電基板３２を切り離すことができる大きさの水晶ウエハを用意するが、図１５以降の図では、理解の便宜のため製品単位の大きさの部分だけ図示して説明する。
圧電基板３２となる水晶ウエハ７０の一面に、ＩＤＴ３３，３３、反射器３４，３４を形成する。この実施形態では、先ず、スパッタリングまたは蒸着により、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金を圧電基板３２の全面に成膜する。
次いで、ＩＤＴ３３，３３、反射器３４，３４を形成する領域に対応したレジストパターンを形成し、露光・現像することによって、フォトリソグラフィの手法を用いて、マスキングされていない箇所をエッチングプロセスにより除去し、ＩＤＴ３３，３３、反射器３４，３４となるアルミパターン（電極パターン）を形成する。
次いで、ＩＤＴ３３，３３、反射器３４，３４を形成する領域に対応したレジストパターンを形成し、露光・現像することによって、フォトリソグラフィの手法を用いて、マスキングされていない箇所をエッチングプロセスにより除去し、ＩＤＴ３３，３３、反射器３４，３４となるアルミパターン（電極パターン）を形成する。
ここで、ＩＤＴ３３，３３、反射器３４，３４は、一体の電極パターンで形成されており、図示のように、水晶ウエハ７０の製品形成面全体に一体の電極パターンとなっていることで、個々の圧電基板３２単位で見ると、それぞれ該基板３２の外周縁まで延びて形成されていることになる。分離部３５、ノッチ部３７については、図１３で既に説明したので、重複する説明は省略する。
特に重要なことは、ＩＤＴ３３を構成する電極パターンの封止領域３６の箇所で、同一水晶ウエハ上の各電極パターンは一体に形成されており、この領域が保護膜形成用パターン７１としても使用される点である。
すなわち、保護膜形成用パターン７１を陽極とし、別の導体で他方の極である陰極７２を形成して、電気分解の要領で、図１４に示す構造全体を水中に浸漬する。
水中では、水の電気分解が進行し、陽極であるアルミニウム電極としてのＩＤＴ３３の電極パターンからは酸素が発生し、陰極７２からは水素が発生する。
すなわち、保護膜形成用パターン７１を陽極とし、別の導体で他方の極である陰極７２を形成して、電気分解の要領で、図１４に示す構造全体を水中に浸漬する。
水中では、水の電気分解が進行し、陽極であるアルミニウム電極としてのＩＤＴ３３の電極パターンからは酸素が発生し、陰極７２からは水素が発生する。
ＩＤＴ３３においては、アルミニウムが酸素と反応して、酸化が進行し、電極パターンの表面に保護層としての酸化被膜が、パターン全面に形成される。すなわち、水晶ウエハ７０の状態において、ウエハ上の全ての圧電基板３２のＩＤＴ３３表面に、一度にかつ容易に保護膜を形成することができる。
尚、陽極酸化による酸化被膜は、基底部に誘電性の活性層が形成され、それより上層には外活性層につながる縦方向の多数の小孔を備える多孔層を有している。
酸化膜による保護性を向上させるためには、陽極酸化膜に高温の水蒸気を当てる。これにより、多孔層を構成する分子が水分を含んで膨張し、孔を埋めるので、耐食性が向上する。
尚、陽極酸化による酸化被膜は、基底部に誘電性の活性層が形成され、それより上層には外活性層につながる縦方向の多数の小孔を備える多孔層を有している。
酸化膜による保護性を向上させるためには、陽極酸化膜に高温の水蒸気を当てる。これにより、多孔層を構成する分子が水分を含んで膨張し、孔を埋めるので、耐食性が向上する。
その後、必要により、各ＩＤＴ３３ａ，３３ｂを構成する電極パターンであって、圧電基板３２の外周縁に臨む部分で、かつ後述する露出部となる箇所に、それぞれ金属バンプ７３，７４を形成する。金属バンプ７３，７４は好ましくは金（Ａｕ）バンプである。この金属バンプ７３，７４は、図１６の部分断面図で示すように、上述した保護膜３３ｄである陽極酸化膜をうち破るようにして形成される。このようにして設けられる金属バンプ７３，７４は、陽極酸化膜が耐食性だけでなく、電気絶縁性を必要以上に発揮してしまう場合に、ＩＤＴ３３ａ，３３ｂと後述する外部電極との電気的接続を良好に行うために使用される。
（カバー側前工程）
図１７は、カバー４１を示している。この実施形態では、圧電基板と同じ外形の矩形のガラス製の板体の外周縁部に２つの凹部４２，４２を形成する。また、外周縁部に沿った封止領域４５の内側に、凹所もしくはキャビティ４４を形成する。これは、ガラスの成形によってもよいし、矩形の板ガラスを削って形成してもよい。さらに、封止領域４５には、その封止面、すなわち、圧電基板と接合される面に、圧電基板に形成した電極パターンを構成する金属と陽極接合することができる接合膜を形成する。ここでは、接合膜として、アルミニウムもしくはアルミニウム合金と接合できる種類のガラス被膜を焼き付けなどにより形成する。すなわち、封止領域４５には、可動イオンを含んだガラスとして、例えば、パイレックス（登録商標）ガラス（Ｐｙｒｅｘ ｇｌａｓｓ）の被膜を形成する。
図１７は、カバー４１を示している。この実施形態では、圧電基板と同じ外形の矩形のガラス製の板体の外周縁部に２つの凹部４２，４２を形成する。また、外周縁部に沿った封止領域４５の内側に、凹所もしくはキャビティ４４を形成する。これは、ガラスの成形によってもよいし、矩形の板ガラスを削って形成してもよい。さらに、封止領域４５には、その封止面、すなわち、圧電基板と接合される面に、圧電基板に形成した電極パターンを構成する金属と陽極接合することができる接合膜を形成する。ここでは、接合膜として、アルミニウムもしくはアルミニウム合金と接合できる種類のガラス被膜を焼き付けなどにより形成する。すなわち、封止領域４５には、可動イオンを含んだガラスとして、例えば、パイレックス（登録商標）ガラス（Ｐｙｒｅｘ ｇｌａｓｓ）の被膜を形成する。
（封止工程）
次に図１８および図１９に示すように、圧電基板３２にカバー４１を重ねる。ここで、図１９は図１８のＦ−Ｆ線概略断面図である。この状態で例えば窒素雰囲気下においてパイレックス（登録商標）ガラスの軟化点以下で、アルミニウムの融点以下の温度に加熱し、さらに、図１８に示すようにして直流電圧を印加する。すなわち、カバー４１を圧電基板３２に対して、陽極接合することにより貼り付ける。この状態においては、カバー４１の凹部４２には、圧電基板３２の外周にまで延長されているＩＤＴ３３の外端部が、上面に金属バンプ７３，７４を予め形成した露出部３８として露出している。また、この露出部３８に隣接した箇所はノッチ部３７として、電極が形成されていない。
次に図１８および図１９に示すように、圧電基板３２にカバー４１を重ねる。ここで、図１９は図１８のＦ−Ｆ線概略断面図である。この状態で例えば窒素雰囲気下においてパイレックス（登録商標）ガラスの軟化点以下で、アルミニウムの融点以下の温度に加熱し、さらに、図１８に示すようにして直流電圧を印加する。すなわち、カバー４１を圧電基板３２に対して、陽極接合することにより貼り付ける。この状態においては、カバー４１の凹部４２には、圧電基板３２の外周にまで延長されているＩＤＴ３３の外端部が、上面に金属バンプ７３，７４を予め形成した露出部３８として露出している。また、この露出部３８に隣接した箇所はノッチ部３７として、電極が形成されていない。
続いて、図２０および図２１に示すように、カバー４１の両端部に外部電極５１，５１を形成する。ここで、図２１は図２０のＧ−Ｇ線概略断面図である。外部電極５１，５１は、カバー４１に必要なマスキングをして、例えば、アルミニウムをスパッタリングもしくは蒸着することにより形成することができる。
この外部電極５１，５１を形成する際には、カバー４１の凹部４２から露出部３８が露出されているので、図２０に示されているように、外部電極５１ａを形成する金属膜が露出部３８上にまで回り込むようにして成膜される。なお、図２１に示すように、露出部３８には、金属バンプ７４が予め形成されており、金属膜は、この金属バンプ７４を覆うように付着する。
この外部電極５１，５１を形成する際には、カバー４１の凹部４２から露出部３８が露出されているので、図２０に示されているように、外部電極５１ａを形成する金属膜が露出部３８上にまで回り込むようにして成膜される。なお、図２１に示すように、露出部３８には、金属バンプ７４が予め形成されており、金属膜は、この金属バンプ７４を覆うように付着する。
すなわち、ＩＤＴ３３の圧電基板３２外周に延長した部分である露出部３８が、そのまま外部電極５１ａとの接続端子として利用される。
この場合、露出部３８表面には上述した保護膜が形成されているが、もし、この保護膜が露出部３８における導通性を損なう場合においても、保護膜を打ち破って形成されている金属バンプ７４を介することにより、外部電極５１とＩＤＴ３３側との電気的接続は確実に行われる。
また、露出部３８と接続された外部電極５１の金属膜は、露出部３８から多少はみ出しても、隣接するノッチ部３７には、電極パターンが存在しないので、電極パターンどうしを短絡してしまうおそれがない。
この場合、露出部３８表面には上述した保護膜が形成されているが、もし、この保護膜が露出部３８における導通性を損なう場合においても、保護膜を打ち破って形成されている金属バンプ７４を介することにより、外部電極５１とＩＤＴ３３側との電気的接続は確実に行われる。
また、露出部３８と接続された外部電極５１の金属膜は、露出部３８から多少はみ出しても、隣接するノッチ部３７には、電極パターンが存在しないので、電極パターンどうしを短絡してしまうおそれがない。
次いで、図２２および図２３に示すように、カバー４１の凹部４２が孔封止される。ここで、図２３は図２２のＨ−Ｈ線概略断面図である。
凹部４２，４２には、絶縁材料として、例えば溶融した低融点ガラスなどの充填剤５２，５２が充填されることにより、電極パターンの短絡を生じることなく、気密に孔封止される。
凹部４２，４２には、絶縁材料として、例えば溶融した低融点ガラスなどの充填剤５２，５２が充填されることにより、電極パターンの短絡を生じることなく、気密に孔封止される。
図２４は、複数のＳＡＷデバイス３０が縦横に一体に形成される様子を示しており、圧電基板を構成する水晶ウエハは、上述したように、複数もしくは多数個の製品に対応した大きさのものが、縦横に一体になった状態で、上記工程が進行される。
最後に、図２４のＣ１，Ｃ２に示す切断線に沿って、ダイシングされることにより切断され、ＳＡＷデバイス３０が切り離されて完成する。
なお、孔封止における図２２および図２３で説明した充填剤５２は、凹部４２の上方から充填される。
最後に、図２４のＣ１，Ｃ２に示す切断線に沿って、ダイシングされることにより切断され、ＳＡＷデバイス３０が切り離されて完成する。
なお、孔封止における図２２および図２３で説明した充填剤５２は、凹部４２の上方から充填される。
図２５および図２６は、ＳＡＷデバイスの第３の実施形態を示しており、図２５は、ＳＡＷデバイス３０−１の概略平面図、図２６は図２５のＩ−Ｉ線概略断面図である。
これらの図において、第２の実施形態と共通する構成には、同一の符号を付して、重複する説明は省略し、以下、相違点を説明する。
これらの図において、第２の実施形態と共通する構成には、同一の符号を付して、重複する説明は省略し、以下、相違点を説明する。
カバー４１には、第２の実施形態のように、凹部が形成されていない。しかしながら、カバー４１には、圧電基板３２のＩＤＴ３３の対の電極を構成する電極指パターン３３ａと３３ｂにそれぞれ対応する箇所で、各外部電極（外部電極は第２の実施形態の外部電極５１ａ，５１ｂと同じ位置に形成されるが、図示省略している。）に対応する箇所に貫通孔６１，６２を形成している。各貫通孔６１，６２の内周には、外部電極を成膜する際の金属膜が成膜されることにより、導電スルーホールとされている。各貫通孔６１，６２の孔底には、ＩＤＴ３３の電極パターンが露出されており、電極の露出部となっている。
これにより、貫通孔６１，６２により外部電極とＩＤＴ３３とが電気的に接続されるようになっている。
この実施形態は、第２の実施形態と同様に小型に形成することができる他、分離部３５を避けて、各電極指パターン３３ａ，３３ｂと対応する位置であれば、任意の箇所に貫通孔６１，６２を形成することができる利点がある。また、孔封止を行わなくてよい利点がある。
これにより、貫通孔６１，６２により外部電極とＩＤＴ３３とが電気的に接続されるようになっている。
この実施形態は、第２の実施形態と同様に小型に形成することができる他、分離部３５を避けて、各電極指パターン３３ａ，３３ｂと対応する位置であれば、任意の箇所に貫通孔６１，６２を形成することができる利点がある。また、孔封止を行わなくてよい利点がある。
本発明は上述の実施形態に限定されない。各実施形態の各構成はこれらを適宜省略したり、図示しない他の構成と組み合わせることができる。
また、上述の実施形態では、反射器を伴う構成としたが、反射器はなくてもよい。圧電基板およびカバーは、矩形でなくても任意の形状とすることができる。カバーは必ずしもガラスでなくてもよく、絶縁性を備え、ＩＤＴ電極の金属と陽極接合できる材料であれば、種類を問わず採用することができる。
また、上述の実施形態では、反射器を伴う構成としたが、反射器はなくてもよい。圧電基板およびカバーは、矩形でなくても任意の形状とすることができる。カバーは必ずしもガラスでなくてもよく、絶縁性を備え、ＩＤＴ電極の金属と陽極接合できる材料であれば、種類を問わず採用することができる。
３０・・・ＳＡＷデバイス、３１・・・弾性表面波チップ、３２・・・圧電基板、３３・・・ＩＤＴ、３４・・・反射器、３５・・・分離部、３６・・・封止領域、４１・・・カバー、４２・・・凹部、５１・・・外部電極、７１・・・保護膜形成用パターン、７４・・・金属バンプ
Claims (8)
- 圧電基板の一面にすだれ状電極を形成した弾性表面波チップの前記一面をカバーで封止した弾性表面波装置であって、
前記すだれ状電極が、前記圧電基板の前記一面のほぼ全体の面積を占める導体金属による電極パターンで形成されており、かつ、該すだれ状電極が前記圧電基板の外周まで延長され、
前記すだれ状電極が対構造となるように、前記電極パターンを分離するために線状に前記導体金属を除去して形成した分離部を、前記圧電基板の外周に達するように設けるとともに、
前記カバーの封止面の外周縁に沿って陽極接合用の封止領域が設けられており、
前記カバーの外周縁であって前記圧電基板における前記分離部に対応した箇所には、封止用の凹部が形成されていて、
かつ、前記圧電基板の外周まで延長した前記すだれ状電極を構成する導体金属の一部が、前記凹部から露出されて、該露出部が端子とされている
ことを特徴とする弾性表面波装置 - 前記カバーの前記封止領域には、陽極接合用のガラスが形成されていることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波装置。
- 前記カバーを前記圧電基板に貼り合わせた状態において、前記凹部に前記圧電基板の前記電極パターンの一部が露出されていることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の弾性表面波装置。
- 前記カバーの封止面側には、前記圧電基板の前記すだれ状電極などの電極を設けた領域に対応する箇所を除き、その全面に陽極封止用のガラスが形成されていることを特徴とする請求項３に記載の弾性表面波装置。
- 前記カバーに前記凹部を形成することなく、該カバーの前記圧電基板における前記分離部に対応した箇所に貫通孔が形成されることにより、表面側に形成される外部電極との電気的接続を行う導電スルーホールとされていることを特徴とする請求項１、２、４のいずれかに記載の弾性表面波装置。
- 圧電基板の一面にすだれ状電極を形成した弾性表面波チップの前記一面をカバーで封止した弾性表面波装置であって、
前記すだれ状電極が、前記圧電基板の前記一面のほぼ全体の面積を占める導体金属による電極パターンで形成されており、かつ、該すだれ状電極が前記圧電基板の外周まで延長され、該延長された電極パターンの少なくとも一部でなる保護膜形成用パターンを備え、
前記すだれ状電極が対構造となるように、前記電極パターンを分離するために線状に前記導体金属を除去して形成した分離部を、前記圧電基板の外周に達するように設けるとともに、
前記カバーの封止面の外周縁に沿って陽極接合用の封止領域が設けられており、
前記カバーの外周縁であって前記圧電基板における前記分離部に対応した箇所には、封止用の凹部が形成されていて、
かつ、前記圧電基板の外周まで延長した前記すだれ状電極を構成する導体金属の一部が、前記凹部から露出されて、該露出部が端子とされている
ことを特徴とする弾性表面波装置。 - 前記すだれ状電極の電極パターンに形成された前記保護膜の上から、この保護膜をうち破るように金属バンプが形成されており、該金属バンプを介して装置外部に形成した外部電極と接続する構成としたことを特徴とする請求項６に記載の弾性表面波装置。
- 前記封止用の凹部に換えて、前記カバーに予め形成されている貫通孔から露出される前記電極パターンの前記保護膜の上に、前記金属バンプが、該保護膜をうち破るようにして形成されていることを特徴とする請求項７に記載の弾性表面波装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005266718A JP4254772B2 (ja) | 2005-01-17 | 2005-09-14 | 弾性表面波装置 |
| US11/332,864 US7554242B2 (en) | 2005-01-17 | 2006-01-16 | Surface acoustic wave chip, surface acoustic wave device, and manufacturing method for implementing the same |
| EP06000804A EP1684423A1 (en) | 2005-01-17 | 2006-01-16 | Surface acoustic wave chip, surface acoustic wave device, and manufacturing method for implementing the same |
| CN2006100021291A CN1808897B (zh) | 2005-01-17 | 2006-01-17 | 表面声波芯片、表面声波器件及表面声波器件的制造方法 |
| KR1020060005057A KR100744382B1 (ko) | 2005-01-17 | 2006-01-17 | 탄성 표면파 칩 및 탄성 표면파 장치 및 탄성 표면파장치의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005009130 | 2005-01-17 | ||
| JP2005037291 | 2005-02-15 | ||
| JP2005266718A JP4254772B2 (ja) | 2005-01-17 | 2005-09-14 | 弾性表面波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006262435A JP2006262435A (ja) | 2006-09-28 |
| JP4254772B2 true JP4254772B2 (ja) | 2009-04-15 |
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ID=36071975
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005266718A Expired - Fee Related JP4254772B2 (ja) | 2005-01-17 | 2005-09-14 | 弾性表面波装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7554242B2 (ja) |
| EP (1) | EP1684423A1 (ja) |
| JP (1) | JP4254772B2 (ja) |
| KR (1) | KR100744382B1 (ja) |
| CN (1) | CN1808897B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5596970B2 (ja) * | 2009-12-17 | 2014-10-01 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置及びその製造方法 |
| JP5652606B2 (ja) * | 2010-12-03 | 2015-01-14 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、及び電子機器 |
| US9153764B2 (en) * | 2011-03-08 | 2015-10-06 | Nokia Technologies Oy | Apparatus for transducing a surface acoustic wave |
| JP6405680B2 (ja) * | 2014-04-18 | 2018-10-17 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、電子機器および移動体 |
| JP5850209B1 (ja) * | 2014-06-10 | 2016-02-03 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| WO2016103925A1 (ja) * | 2014-12-25 | 2016-06-30 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
| US10447411B2 (en) * | 2015-08-25 | 2019-10-15 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Acoustic wave device and method of manufacturing the same |
| CN109318195A (zh) * | 2018-10-29 | 2019-02-12 | 江苏坤发信息科技有限公司 | 一种工业互联网的更换零件 |
| CN111310881B (zh) * | 2020-02-14 | 2020-12-29 | 电子科技大学 | 一种基于双码组合的防伪信息码及防伪系统 |
| CN111769812B (zh) * | 2020-05-26 | 2024-05-28 | 甬矽电子(宁波)股份有限公司 | 声表面波滤波芯片封装结构及封装方法 |
| CN113630101B (zh) * | 2021-08-17 | 2024-05-24 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 固态装配型横向振荡声波谐振器 |
| CN115831772B (zh) * | 2023-02-23 | 2023-05-26 | 江苏元核芯技术有限责任公司 | 一种半导体封装结构及封装方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03104409A (ja) * | 1989-09-19 | 1991-05-01 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波デバイス |
| DE69426789T2 (de) * | 1993-04-28 | 2001-08-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Akustische Oberflächenwellenanordnung und Herstellungsverfahren dafür |
| JPH07115343A (ja) | 1993-04-28 | 1995-05-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| JPH0818387A (ja) | 1994-06-30 | 1996-01-19 | Mitsubishi Materials Corp | 表面弾性波デバイス及びその製造方法並びにその実装方法 |
| JPH0818390A (ja) | 1994-07-01 | 1996-01-19 | Kokusai Electric Co Ltd | 弾性表面波装置 |
| JP3265889B2 (ja) | 1995-02-03 | 2002-03-18 | 松下電器産業株式会社 | 表面弾性波装置及びその製造方法 |
| JPH0969751A (ja) * | 1995-08-30 | 1997-03-11 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波フィルタ |
| JP3458573B2 (ja) * | 1996-01-16 | 2003-10-20 | 株式会社村田製作所 | 端面反射型表面波装置の製造方法 |
| JP3233087B2 (ja) * | 1997-01-20 | 2001-11-26 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ |
| JP3332823B2 (ja) | 1997-09-26 | 2002-10-07 | 三洋電機株式会社 | 弾性表面波素子の製造方法 |
| EP1030443A3 (en) * | 1999-02-16 | 2002-04-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Surface-acoustic-wave device |
| JP2000278081A (ja) | 1999-03-29 | 2000-10-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイスとその製造方法 |
| JP2001094388A (ja) | 1999-09-17 | 2001-04-06 | Seiko Epson Corp | Ｓａｗデバイス及びその製造方法 |
| JP3925124B2 (ja) * | 2000-09-20 | 2007-06-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置の製造方法 |
| JP3975430B2 (ja) | 2001-09-28 | 2007-09-12 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波装置の製造方法 |
| JP3793715B2 (ja) | 2001-12-06 | 2006-07-05 | 松下電器産業株式会社 | 密閉型電子部品組立方法及び密閉済ｓａｗフィルタ |
| JP2003258600A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子片、弾性表面波デバイスのパッケージ、弾性表面波デバイスおよび弾性表面波素子片の製造方法 |
| JP4222020B2 (ja) * | 2002-12-17 | 2009-02-12 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電発振器 |
-
2005
- 2005-09-14 JP JP2005266718A patent/JP4254772B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-01-16 US US11/332,864 patent/US7554242B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-01-16 EP EP06000804A patent/EP1684423A1/en not_active Withdrawn
- 2006-01-17 KR KR1020060005057A patent/KR100744382B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-01-17 CN CN2006100021291A patent/CN1808897B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1684423A1 (en) | 2006-07-26 |
| JP2006262435A (ja) | 2006-09-28 |
| CN1808897B (zh) | 2011-09-21 |
| CN1808897A (zh) | 2006-07-26 |
| US7554242B2 (en) | 2009-06-30 |
| US20060158062A1 (en) | 2006-07-20 |
| KR100744382B1 (ko) | 2007-07-30 |
| KR20060083911A (ko) | 2006-07-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080826 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080903 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090106 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090119 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130206 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130206 Year of fee payment: 4 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
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