JP2000278081A - 弾性表面波デバイスとその製造方法 - Google Patents
弾性表面波デバイスとその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 接続電極と外部引出端子との電気的接続を確
実に得ることのできる弾性表面波デバイスを提供するこ
とを目的とする。 【解決手段】 圧電基板１の上面にアルミニウムあるい
はアルミニウムを主成分とする合金を用いてＩＤＴ電極
２とこのＩＤＴ電極２に電気的に接続した接続電極３と
を形成して弾性表面波素子を形成し、ＩＤＴ電極２及び
接続電極３を覆うように圧電基板１の上面全体にレジス
ト膜４を形成し、接続電極３の表面のレジスト膜４を残
すようなパターンで露光し、現像液にてＩＤＴ電極２の
表面のレジスト膜４を除去し、陽極酸化によりＩＤＴ電
極２の表面を酸化させてアルミナの酸化膜５を形成し、
接続電極３の上面のレジスト膜４を除去し、外部引出端
子６を有するパッケージ７内に弾性表面波素子を収納
し、接続電極３と外部引出端子６とをワイヤ９により電
気的に接続し、パッケージ７の開口部をリッド１１で封
止して弾性表面波デバイスを得る。
実に得ることのできる弾性表面波デバイスを提供するこ
とを目的とする。 【解決手段】 圧電基板１の上面にアルミニウムあるい
はアルミニウムを主成分とする合金を用いてＩＤＴ電極
２とこのＩＤＴ電極２に電気的に接続した接続電極３と
を形成して弾性表面波素子を形成し、ＩＤＴ電極２及び
接続電極３を覆うように圧電基板１の上面全体にレジス
ト膜４を形成し、接続電極３の表面のレジスト膜４を残
すようなパターンで露光し、現像液にてＩＤＴ電極２の
表面のレジスト膜４を除去し、陽極酸化によりＩＤＴ電
極２の表面を酸化させてアルミナの酸化膜５を形成し、
接続電極３の上面のレジスト膜４を除去し、外部引出端
子６を有するパッケージ７内に弾性表面波素子を収納
し、接続電極３と外部引出端子６とをワイヤ９により電
気的に接続し、パッケージ７の開口部をリッド１１で封
止して弾性表面波デバイスを得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は例えば通信機器など
に用いる弾性表面波デバイスとその製造方法に関するも
のである。
に用いる弾性表面波デバイスとその製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来の弾性表面波デバイスについて図８
を参照しながら以下に説明する。
を参照しながら以下に説明する。
【０００３】まず、圧電基板１００の表面にアルミニウ
ムを主成分とするＩＤＴ電極１０１及びこのＩＤＴ電極
１０１に電気的に接続した接続電極１０２を形成して弾
性表面波素子を得る。次に陽極酸化によりＩＤＴ電極１
０１及び接続電極１０２の表面にショート不良防止など
のために酸化アルミニウム膜１０３を形成する。次いで
この弾性表面波素子をパッケージ１０４内に収納し、接
続電極１０２とパッケージ１０４の外部引出端子１０５
とをワイヤ１０６により電気的に接続する。その後パッ
ケージ１０４の開口部を封止剤１０８を用いてリッド１
０７により密封したものであった。
ムを主成分とするＩＤＴ電極１０１及びこのＩＤＴ電極
１０１に電気的に接続した接続電極１０２を形成して弾
性表面波素子を得る。次に陽極酸化によりＩＤＴ電極１
０１及び接続電極１０２の表面にショート不良防止など
のために酸化アルミニウム膜１０３を形成する。次いで
この弾性表面波素子をパッケージ１０４内に収納し、接
続電極１０２とパッケージ１０４の外部引出端子１０５
とをワイヤ１０６により電気的に接続する。その後パッ
ケージ１０４の開口部を封止剤１０８を用いてリッド１
０７により密封したものであった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この構成によると、接
続電極１０２上にも酸化アルミニウム膜１０３が形成さ
れるため、接続電極１０２とワイヤ１０６との安定した
電気的接続強度を確保することが難しいという問題点を
有していた。
続電極１０２上にも酸化アルミニウム膜１０３が形成さ
れるため、接続電極１０２とワイヤ１０６との安定した
電気的接続強度を確保することが難しいという問題点を
有していた。
【０００５】そこで本発明は、接続電極と外部引出端子
との電気的接続を確実に得ることのできる弾性表面波デ
バイスを提供することを目的とするものである。
との電気的接続を確実に得ることのできる弾性表面波デ
バイスを提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の弾性表面波デバイスは、外部引出端子を有す
るパッケージと、このパッケージ内に収納した圧電基板
上にアルミニウムを主成分とするＩＤＴ電極とこのＩＤ
Ｔ電極に電気的に接続した接続電極を有する弾性表面波
素子と、この接続電極と前記外部引出端子とを電気的に
接続するワイヤとを備え、前記ＩＤＴ電極の表面は金属
酸化膜で覆われていると共に前記接続電極の少なくとも
前記ワイヤとの接続部分は金属酸化膜の非形成面とした
ものであり、接続電極とワイヤとの電気的接続を確実に
得ることができる。
に本発明の弾性表面波デバイスは、外部引出端子を有す
るパッケージと、このパッケージ内に収納した圧電基板
上にアルミニウムを主成分とするＩＤＴ電極とこのＩＤ
Ｔ電極に電気的に接続した接続電極を有する弾性表面波
素子と、この接続電極と前記外部引出端子とを電気的に
接続するワイヤとを備え、前記ＩＤＴ電極の表面は金属
酸化膜で覆われていると共に前記接続電極の少なくとも
前記ワイヤとの接続部分は金属酸化膜の非形成面とした
ものであり、接続電極とワイヤとの電気的接続を確実に
得ることができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、外部引出端子を有するパッケージと、このパッケー
ジ内に収納した、圧電基板上にアルミニウムを主成分と
するＩＤＴ電極とこのＩＤＴ電極に電気的に接続した接
続電極を有する弾性表面波素子と、この接続電極と前記
外部引出端子とを電気的に接続するワイヤとを備え、前
記ＩＤＴ電極の表面は金属酸化膜で覆われていると共に
前記接続電極の少なくとも前記ワイヤとの接続部分は金
属酸化膜の非形成面とした弾性表面波デバイスであり、
接続電極と外部引出端子との電気的接続を確実に得るこ
とのできるものである。
は、外部引出端子を有するパッケージと、このパッケー
ジ内に収納した、圧電基板上にアルミニウムを主成分と
するＩＤＴ電極とこのＩＤＴ電極に電気的に接続した接
続電極を有する弾性表面波素子と、この接続電極と前記
外部引出端子とを電気的に接続するワイヤとを備え、前
記ＩＤＴ電極の表面は金属酸化膜で覆われていると共に
前記接続電極の少なくとも前記ワイヤとの接続部分は金
属酸化膜の非形成面とした弾性表面波デバイスであり、
接続電極と外部引出端子との電気的接続を確実に得るこ
とのできるものである。
【０００８】請求項２に記載の発明は、圧電基板の表面
にアルミニウムを主成分とする少なくともＩＤＴ電極と
このＩＤＴ電極に電気的に接続した接続電極を形成し弾
性表面波素子を得る第１の工程と、次に前記接続電極の
表面を保護膜で被覆する第２の工程と、次いで陽極酸化
により前記ＩＤＴ電極の表面に金属酸化膜を形成する第
３の工程と、その後前記保護膜を除去する第４の工程
と、次に前記弾性表面波素子を外部引出端子を有するパ
ッケージ内に収納し前記接続電極とこの外部引出端子と
をワイヤで接続する第５の工程とを備えた弾性表面波デ
バイスの製造方法であり、接続電極と外部引出端子との
電気的接続を確実に得ることのできる弾性表面波デバイ
スを得ることができる。
にアルミニウムを主成分とする少なくともＩＤＴ電極と
このＩＤＴ電極に電気的に接続した接続電極を形成し弾
性表面波素子を得る第１の工程と、次に前記接続電極の
表面を保護膜で被覆する第２の工程と、次いで陽極酸化
により前記ＩＤＴ電極の表面に金属酸化膜を形成する第
３の工程と、その後前記保護膜を除去する第４の工程
と、次に前記弾性表面波素子を外部引出端子を有するパ
ッケージ内に収納し前記接続電極とこの外部引出端子と
をワイヤで接続する第５の工程とを備えた弾性表面波デ
バイスの製造方法であり、接続電極と外部引出端子との
電気的接続を確実に得ることのできる弾性表面波デバイ
スを得ることができる。
【０００９】請求項３に記載の発明は、第２の工程にお
ける保護膜を第３の工程において陽極酸化に用いる化成
液と非反応とした請求項２に記載の弾性表面波デバイス
の製造方法であり、接続電極の表面に金属酸化膜が形成
されないようにするものである。
ける保護膜を第３の工程において陽極酸化に用いる化成
液と非反応とした請求項２に記載の弾性表面波デバイス
の製造方法であり、接続電極の表面に金属酸化膜が形成
されないようにするものである。
【００１０】請求項４に記載の発明は、第４の工程にお
いて保護膜は液体と反応させることにより除去するもの
であり、前記液体を第３の工程において形成した酸化膜
と非反応とした請求項２または請求項３に記載の弾性表
面波デバイスの製造方法であり、保護膜を除去する際に
酸化膜に影響を及ぼさないものである。
いて保護膜は液体と反応させることにより除去するもの
であり、前記液体を第３の工程において形成した酸化膜
と非反応とした請求項２または請求項３に記載の弾性表
面波デバイスの製造方法であり、保護膜を除去する際に
酸化膜に影響を及ぼさないものである。
【００１１】請求項５に記載の発明は、第４の工程にお
いて保護膜の除去はプラズマアッシングにより行う請求
項２または請求項３に記載の弾性表面波デバイスの製造
方法であり、酸化膜を傷つけることなく、保護膜のみを
除去することができる。
いて保護膜の除去はプラズマアッシングにより行う請求
項２または請求項３に記載の弾性表面波デバイスの製造
方法であり、酸化膜を傷つけることなく、保護膜のみを
除去することができる。
【００１２】以下、本発明の一実施の形態について図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
【００１３】図１は本実施の形態における弾性表面波デ
バイスの断面図であり、図２は図１に示す弾性表面波デ
バイスのパッケージをリッドで封止する前の上面図、図
３から図７は本実施の形態における弾性表面波素子の製
造方法を説明するための断面図である。
バイスの断面図であり、図２は図１に示す弾性表面波デ
バイスのパッケージをリッドで封止する前の上面図、図
３から図７は本実施の形態における弾性表面波素子の製
造方法を説明するための断面図である。
【００１４】図１から図７において、１は圧電基板、２
はＩＤＴ電極、３は接続電極、４はレジスト膜、５は酸
化膜、６は外部引出端子、７はパッケージ、８は樹脂、
９はアルミニウム等のワイヤ、１０は封止剤、１１はリ
ッド、１２は反射器である。
はＩＤＴ電極、３は接続電極、４はレジスト膜、５は酸
化膜、６は外部引出端子、７はパッケージ、８は樹脂、
９はアルミニウム等のワイヤ、１０は封止剤、１１はリ
ッド、１２は反射器である。
【００１５】まず、圧電基板１の上面にアルミニウムあ
るいはアルミニウムを主成分とし、銅を１〜２ｗｔ％を
含む合金を用いてＩＤＴ電極２と、このＩＤＴ電極２の
両側に反射器１２、ＩＤＴ電極２に電気的に接続した接
続電極３とを形成して弾性表面波素子を形成する。次に
図３に示すようにＩＤＴ電極２及び接続電極３を覆うよ
うに圧電基板１の上面全体に環化イソプレンゴム混合キ
シレン溶液等を用いてレジスト膜４を形成する。
るいはアルミニウムを主成分とし、銅を１〜２ｗｔ％を
含む合金を用いてＩＤＴ電極２と、このＩＤＴ電極２の
両側に反射器１２、ＩＤＴ電極２に電気的に接続した接
続電極３とを形成して弾性表面波素子を形成する。次に
図３に示すようにＩＤＴ電極２及び接続電極３を覆うよ
うに圧電基板１の上面全体に環化イソプレンゴム混合キ
シレン溶液等を用いてレジスト膜４を形成する。
【００１６】次いで図４、図５に示すように接続電極３
の表面のレジスト膜４を残すようなパターンで露光し、
現像液にてＩＤＴ電極２の表面のレジスト膜４を除去す
る。その後図６に示すように、陽極酸化によりＩＤＴ電
極２の表面を酸化させてアルミナの酸化膜５を形成す
る。次に図７に示すように接続電極３の上面のレジスト
膜４を除去する。その後、図１、図２に示すように外部
引出端子６を有するパッケージ７の内底面に弾性表面波
素子を樹脂８で固定し、接続電極３と外部引出端子６と
をワイヤ９により電気的に接続する。次いでパッケージ
７の開口部を封止剤１０を用いてリッド１１で密封して
弾性表面波デバイスを得る。
の表面のレジスト膜４を残すようなパターンで露光し、
現像液にてＩＤＴ電極２の表面のレジスト膜４を除去す
る。その後図６に示すように、陽極酸化によりＩＤＴ電
極２の表面を酸化させてアルミナの酸化膜５を形成す
る。次に図７に示すように接続電極３の上面のレジスト
膜４を除去する。その後、図１、図２に示すように外部
引出端子６を有するパッケージ７の内底面に弾性表面波
素子を樹脂８で固定し、接続電極３と外部引出端子６と
をワイヤ９により電気的に接続する。次いでパッケージ
７の開口部を封止剤１０を用いてリッド１１で密封して
弾性表面波デバイスを得る。
【００１７】以下本発明のポイントについて記載する。
【００１８】（１）レジスト膜４は、陽極酸化に用いる
化成液と反応しない材質とする。
化成液と反応しない材質とする。
【００１９】（２）一般的にレジスト膜４を除去する際
に用いる現像液はアルカリ性である。しかしながらＩＤ
Ｔ電極２を形成するアルミニウムは、アルカリ性溶液と
反応するためＩＤＴ電極２がエッチングされるという問
題が生じる。従ってＩＤＴ電極２の表面のレジスト膜４
を除去する際に用いる現像液は、ＩＤＴ電極２に影響を
及ぼさないようにアルミニウムと反応しない有機溶媒系
の現像液を用いる。またレジスト膜４も有機溶媒系の現
像液により除去できるような材料で形成する。
に用いる現像液はアルカリ性である。しかしながらＩＤ
Ｔ電極２を形成するアルミニウムは、アルカリ性溶液と
反応するためＩＤＴ電極２がエッチングされるという問
題が生じる。従ってＩＤＴ電極２の表面のレジスト膜４
を除去する際に用いる現像液は、ＩＤＴ電極２に影響を
及ぼさないようにアルミニウムと反応しない有機溶媒系
の現像液を用いる。またレジスト膜４も有機溶媒系の現
像液により除去できるような材料で形成する。
【００２０】（３）陽極酸化後、接続電極３の表面のレ
ジスト膜４を除去するときには、ＩＤＴ電極２の表面に
形成した酸化膜５に悪影響を与えないようにするため
に、溶液を用いて除去する場合は酸化膜５と反応しない
ものを用いる。あるいはプラズマアッシングによりレジ
スト膜４を除去する。
ジスト膜４を除去するときには、ＩＤＴ電極２の表面に
形成した酸化膜５に悪影響を与えないようにするため
に、溶液を用いて除去する場合は酸化膜５と反応しない
ものを用いる。あるいはプラズマアッシングによりレジ
スト膜４を除去する。
【００２１】（４）本発明においては、接続電極３の表
面のワイヤ９との接続部分に酸化膜５が形成されていな
いことが重要であり、ワイヤ９との非接続部分は酸化膜
５の有無はどちらでも構わない。また、実際の弾性表面
波素子においてＩＤＴ電極２と接続電極３との距離は非
常に短いものであり、制度良くＩＤＴ電極２の表面のみ
のレジスト膜４を除去することは非常に難しい。従って
多少の露光の位置ずれが生じたとしても、確実にＩＤＴ
電極２の表面のレジスト膜４を除去し、酸化膜５を形成
するために上記実施の形態においては、ワイヤ９との接
続に関係のない接続電極３のＩＤＴ電極２側の表面の一
部分のレジスト膜４も除去したので酸化膜５が形成され
たのである。
面のワイヤ９との接続部分に酸化膜５が形成されていな
いことが重要であり、ワイヤ９との非接続部分は酸化膜
５の有無はどちらでも構わない。また、実際の弾性表面
波素子においてＩＤＴ電極２と接続電極３との距離は非
常に短いものであり、制度良くＩＤＴ電極２の表面のみ
のレジスト膜４を除去することは非常に難しい。従って
多少の露光の位置ずれが生じたとしても、確実にＩＤＴ
電極２の表面のレジスト膜４を除去し、酸化膜５を形成
するために上記実施の形態においては、ワイヤ９との接
続に関係のない接続電極３のＩＤＴ電極２側の表面の一
部分のレジスト膜４も除去したので酸化膜５が形成され
たのである。
【００２２】（５）上記実施の形態においては、圧電基
板１上にＩＤＴ電極２、接続電極３のみを設けた場合に
ついてのみ説明したが、反射器を設けた場合もＩＤＴ電
極２と同様に陽極酸化を行えばよい。
板１上にＩＤＴ電極２、接続電極３のみを設けた場合に
ついてのみ説明したが、反射器を設けた場合もＩＤＴ電
極２と同様に陽極酸化を行えばよい。
【００２３】
【発明の効果】以上本発明によると、接続電極と外部引
出端子との電気的接続を確実に得ることのできる弾性表
面波デバイスを提供することができる。
出端子との電気的接続を確実に得ることのできる弾性表
面波デバイスを提供することができる。
【図１】本発明の一実施の形態における弾性表面波デバ
イスの断面図
イスの断面図
【図２】図１に示す弾性表面波デバイスのパッケージ開
口部封止前の上面図
口部封止前の上面図
【図３】図１に用いた弾性表面波素子の製造方法を説明
するための断面図
するための断面図
【図４】図１に用いた弾性表面波素子の製造方法を説明
するための断面図
するための断面図
【図５】図１に用いた弾性表面波素子の製造方法を説明
するための断面図
するための断面図
【図６】図１に用いた弾性表面波素子の製造方法を説明
するための断面図
するための断面図
【図７】図１に用いた弾性表面波素子の製造方法を説明
するための断面図
するための断面図
【図８】従来の弾性表面波デバイスの断面図
【符号の説明】 １ 圧電基板 ２ ＩＤＴ電極 ３ 接続電極 ４ レジスト膜 ５ 酸化膜 ６ 外部引出端子 ７ パッケージ ８ 樹脂 ９ ワイヤ １０ 封止剤 １１ リッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 古賀 孝文 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5J097 AA24 AA28 DD25 DD29 HA02 HA04 HA07 KK09 KK10
Claims (5)
- 【請求項１】 外部引出端子を有するパッケージと、こ
のパッケージ内に収納した圧電基板上にアルミニウムを
主成分とするＩＤＴ電極とこのＩＤＴ電極に電気的に接
続した接続電極を有する弾性表面波素子と、この接続電
極と前記外部引出端子とを電気的に接続するワイヤとを
備え、前記ＩＤＴ電極の表面は金属酸化膜で覆われてい
ると共に前記接続電極の少なくとも前記ワイヤとの接続
部分は金属酸化膜の非形成面とした弾性表面波デバイ
ス。 - 【請求項２】 圧電基板の表面にアルミニウムを主成分
とする少なくともＩＤＴ電極とこのＩＤＴ電極に電気的
に接続した接続電極を形成し弾性表面波素子を得る第１
の工程と、次に前記接続電極の表面を保護膜で被覆する
第２の工程と、次いで陽極酸化により前記ＩＤＴ電極の
表面に金属酸化膜を形成する第３の工程と、その後前記
保護膜を除去する第４の工程と、次に前記弾性表面波素
子を外部引出端子を有するパッケージ内に収納し前記接
続電極とこの外部引出端子とをワイヤで接続する第５の
工程とを備えた弾性表面波デバイスの製造方法。 - 【請求項３】 第２の工程における保護膜を第３の工程
において陽極酸化に用いる化成液と非反応とした請求項
２に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。 - 【請求項４】 第４の工程において保護膜は液体と反応
させることにより除去するものであり、前記液体を第３
の工程において形成した酸化膜と非反応とした請求項２
または請求項３に記載の弾性表面波デバイスの製造方
法。 - 【請求項５】 第４の工程において保護膜の除去はプラ
ズマアッシングにより行う請求項２または請求項３に記
載の弾性表面波デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11085824A JP2000278081A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 弾性表面波デバイスとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11085824A JP2000278081A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 弾性表面波デバイスとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000278081A true JP2000278081A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=13869614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11085824A Pending JP2000278081A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 弾性表面波デバイスとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000278081A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007208516A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Epson Toyocom Corp | 弾性表面波デバイスの製造方法及び弾性表面波デバイス |
| US7554242B2 (en) | 2005-01-17 | 2009-06-30 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave chip, surface acoustic wave device, and manufacturing method for implementing the same |
-
1999
- 1999-03-29 JP JP11085824A patent/JP2000278081A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7554242B2 (en) | 2005-01-17 | 2009-06-30 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave chip, surface acoustic wave device, and manufacturing method for implementing the same |
| JP2007208516A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Epson Toyocom Corp | 弾性表面波デバイスの製造方法及び弾性表面波デバイス |
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