JP3925124B2 - 弾性表面波装置の製造方法 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、共振子や帯域フィルタとして用いられている弾性表面波装置の製造方法に関し、より詳細には、大きな質量を有する電極を用いて構成されているSHタイプの表面波を利用した弾性表面波装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
弾性表面波装置は、共振子や帯域フィルタとして幅広く用いられている。従来の弾性表面波装置では、圧電基板上に、Alを主体とする電極材料によりインターデジタルトランスデューサー(IDT)や反射器などの電極が形成されていた。
【0003】
なお、電極材料として、大きな質量を有するタングステン(W)やタンタル(Ta)などを用いることにより、SHタイプの弾性表面波を利用し得ることが知られている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、IDTや反射器を形成する際に、その膜厚や線幅にばらつきが生じることは避けられない。そして大きな質量の電極材料を用いた場合には、従来のAlを主体とする電極材料に比べて、質量が大きいがゆえに、表面波の音速分布すなわち周波数分布に大きなばらつきが見られた。その結果、通過帯域内における群遅延時間特性上に、図10において矢印Aで示すような致命的な程大きなリップルが生じていた。
【0005】
なお、図10は、中心周波数225MHzの2IDT型の縦結合型共振子フィルタの減衰量周波数特性及び群遅延時間特性を示す図である。この縦結合共振子型弾性表面波フィルタでは、圧電基板として水晶(37°回転Y板)が用いられており、TaによりIDT及び反射器が構成されている。
【0006】
本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、Taのような質量の大きな電極材料を用いてSHタイプの弾性表面波の利用を可能とした弾性表面波装置において、電極指の延びる方向における音速分布すなわち周波数分布を抑制することができ、それによって通過帯域内におけるリップルを抑圧することが可能とされている、弾性表面波装置の製造方法を提供することにある。
【0011】
第1の発明に係る弾性表面波装置の製造方法のある広い局面によれば、圧電性基板と、前記圧電性基板に形成されており、かつAlよりも重い金属又はAlよりも重い合金からなり、互いに平行に延びる複数本の電極指を有する少なくとも1つのインターデジタルトランスデューサとを備えている弾性表面波装置の製造方法であって、圧電性基板上に前記インターデジタルトランスデューサーを構成するため金属膜を成膜する工程と、前記金属膜をフォトリソグラフィーによりパターニングする工程とを備え、前記金属膜成膜後に起因する電極指の延びる方向における膜厚分布と、前記パターニングに起因する電極指の延びる方向における膜厚分布とが相殺される条件でもって、前記金属膜の成膜及びパターニングを行なうことにより、前記インターデジタルトランスデューサの前記電極指が延びる方向における表面波の音速分布が276ppm以内とされていることを特徴とする、弾性表面波装置の製造方法が提供される。
【0012】
第2の発明に係る弾性表面波装置の他の広い局面によれば、圧電性基板と、前記圧電性基板に形成されており、かつAlよりも重い金属又はAlよりも重い合金からなり、互いに平行に延びる複数本の電極指を有する少なくとも1つのインターデジタルトランスデューサとを備えている弾性表面波装置の製造方法であって、複数の弾性表面波装置が構成されているウエハーを用意する工程と、前記ウエハーの各弾性表面波装置における電極指の延びる方向における音速分布を測定する工程と、前記音速分布が276ppm以内の弾性表面波装置を前記ウエハーから切り出す工程とを備えることを特徴とする、弾性表面波装置の製造方法が提供される。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
【0014】
図1は、本発明の一実施例に係る弾性表面波装置の模式的平面図である。この弾性表面波装置は、2個のIDTを有する縦結合共振子型弾性表面波フィルタである。
【0015】
図1を参照して、弾性表面波装置1は、矩形板状の圧電性基板2を有する。圧電性基板2は、本実施例では、水晶基板により構成されている。もっとも、圧電性基板2は、LiTaO3(LT)などの他の圧電単結晶、あるいは圧電セラミックスにより構成されてもよい。
【0016】
圧電性基板2の上面には、IDT3,4が配置れさている。IDT3,4は、それぞれ、1対のくし歯電極3a,3b及び4a,4bを有する。各くし歯電極3a〜4bは、それぞれ、複数本の電極指3a1,3b1,4a1,4b1を有する。複数本の電極指3a1,3b1,4a1,4b1は互いに平行に延ばされている。
【0017】
本実施例では、IDT3が入力側IDTであり、IDT4から出力が取り出される。IDT3に入力電圧が引加されると表面波が励振されるが、この表面波は、上記電極指3a1,3b1,4a1,4b1と直交する方向に伝搬する。
【0018】
IDT3,4が設けられている領域の表面波伝搬方向両側には、反射器5,6が配置されている。反射器5,6は、グレーティング型反射器であり、複数本の電極指5a,6aを有する。複数本の電極指5a,6aは、それぞれ、両端が短絡されている。
【0019】
上記IDT3,4及び反射器5,6は、本実施例では、Taにより形成されている。すなわち、Alに比べて大きな質量の金属により構成されている。もっとも、IDT3,4及び反射器5,6などの電極は、Alよりも質量の大きな金属材料であれば特に限定されず、上記Ta以外のAu,W,Mo,Ni,Cu,Co,Cr,Zn,Fe,Mnなどの金属またはこれらの金属を含む合金であって、Alよりも大きな質量を有するものを適宜用いることができる。
【0020】
上述した表面波伝般方向をX方向とし、図1の左に示すように圧電性基板2の上面にX−Y座標系を想定すると、Y軸方向は電極指3a1,3b1,4a1,4b1,5a,6aの延びる方向となる。
【0021】
本実施例では、IDT3に入力電圧が引加されると、SH波が励振され、このSH波に基づく出力が出力側のIDT4から取り出される。
本実施例の特徴は、上記SH波のY軸方向における音速分布が、276ppm以内とされていることにあり、それによって通過帯域内における、特に群遅延時間特性において顕著に表れる大きなリップルを抑制することができる。これを以下においてより詳細に説明する。
【0022】
前述したように、Alに比べて大きな質量の金属材料により電極を構成した場合、ラブ波などのSHタイプの表面波を利用することができる。しかしながら、その大きな質量がゆえに、電極膜厚や電極の線幅がばらつき、大きなリップルが生じがちであった。
【0023】
本願発明者は、このようなリップルについて詳細に検討した結果、IDT3,4及び反射器5,6の電極指の延びる方向に一定以上の音速分布が生じると、大きなリップルが生じることを見出した。
【0024】
なお、音速=波長×周波数の関係により、波長が一定の場合には、音速の変動量と周波数の変動量とは全く等価の関係となる。すなわち、音速分布=周波数分布となる。また、以下においては、受信周波数が225MHzの上記縦結合共振子型弾性表面波フィルタについて具体的に検討した。
【0025】
表面波の音速が電極指の延びる方向に一様な場合の特性を、等価回路法によりシミュレーションした。図2は、その結果を示し、減衰量周波数特性及び群遅延時間特性を示す。
【0026】
図2から明らかなように、通過帯域内における群遅延時間特性は、非常に滑らかであり、大きなリップルは存在しない。
上記シミュレーション結果をもとに、電極指の延びる方向、すなわち交差幅方向に表面波の音速分布が生じた場合、上記特性がどのように変化するかを検討した。なお、群遅延時間特性上のリップルの許容範囲は、良好な特性を有する弾性表面波装置を得るために必要とされる、通過帯域内の群遅延時間の偏差=(群遅延時間最大値−群遅延時間最小値)の10パーセントを上限値とした。
【0027】
図3に示すように、弾性表面波装置1を電極指の延びる方向(Y軸方向)において、n個の領域に分割し、各領域に対し、図3の右側に示すように、階段状に音速分布が生じると仮定した。図3の右側において示されている音速分布では、音速Vで示す方向が交差幅方向、即ち電極指の延びる方向への表面波の音速の大きさを示しており、隣り合う領域の音速差の総和は、ΔVとなる。
【0028】
図3における音速差ΔV、すなわちもっとも音速の大きな領域と最も小さな領域との音速差でもあるΔVを0から徐々に大きく変化させ、群遅延時間特性をシミュレーションにより評価した。
【0029】
n=2の場合の結果を図4〜図7に示す。図4ではΔV=44ppm(225MHzにおいて10kHz)、図5ではΔV=66ppm(225MHzにおいて15kHz)、図6ではΔV=88ppm(225MHzにおいて20kHz)、及び図7ではΔV=111ppm(225MHzにおいて25kHz)である。
【0030】
図4〜図7から明らかなように、音速分布すなわち音速差ΔVが大きくなるにつれて、通過帯域内における群遅延時間特性に大きなリップルが生じることがわかる。
【0031】
また、上記のようにn=2の場合、すなわち電極指の延びる方向に表面波伝搬領域を2分割した場合、群遅延時間特性上に表れるリップルの大きさが上述した偏差の10パーセントとなる音速差ΔVの最大値は約88ppm(20kHz)であることがわかる。
【0032】
同様にして、n=3、5、10及び15とし、上記群遅延時間特性上に表れるリップルの大きさが、偏差の10パーセントとなる最大の音速差ΔVを計算した。結果を図8に示す。
【0033】
図8において、横軸は分割数nの逆数を示し、縦軸は、リップルが許容範囲である場合の音速差ΔVの最大値ΔVmaxを示す。
図8から明らかなように、上記偏差の10パーセントの範囲にある場合の最大音速差ΔVmaxと、nの逆数とが逆比例の関係にあることがわかる。
【0034】
また、図8から明らかなように、n=無限大まで外挿した場合、最大音速差ΔVmaxは276となることがわかる。
従って、図8の結果から、IDT3,4及び反射器5,6の電極指の延びる方向における表面波の音速分布を約276ppm以下とすれば、通過帯域内における群遅延時間特性上にあらわれる大きなリップルを効果的に抑圧し得ることがわかる。
【0035】
上述した検討結果をもとに、上記実施例において、マザーの圧電性基板上に、IDT3,4 反射器5,6をマトリックス状に形成したのち、マザーの圧電性基板面内における周波数分布を測定し、電極指の延びる方向における表面波の音速分布が約276ppm以内である弾性表面波装置部分を取り出し、その特性を測定した。結果を図9に示す。
【0036】
図9から明らかなように、このようにして得られた弾性表面波装置1では、通過帯域内において、群遅延時間特性上に大きなリップルが表れていないことがわかる。
【0037】
なお、上記実験例では、マザーの圧電性基板上において、電極指の延びる方向における表面波の音速分布はプロービングによる周波数の測定により得た。
マザーの圧電基板上において、多数の弾性表面波装置を構成後に、電極指の延びる方向における各弾性表面波装置の音速分布を測定し、該音速分布が276ppm以内の弾性表面波装置をウエハーから切り出す方法を用いたが、この方法に代えて、マザーの圧電性基板全体にわたり表面波の音速分布を低減してもよい。あるいは、弾性表面波装置の製造に際し、圧電性基板上にIDTを構成するための金属膜を成膜し、しかる後フォトリソグラフィーによりパターニングするにあたり、上記成膜後のIDTの電極指の延びる方向における膜厚分布と、フォトリソグラフィーによるパターニングによる電極指の延びる方向における膜厚分布とが相殺されるように上記成膜工程及びパターニング工程を実施してもよい。
【0038】
上記実施例では、2個のIDTを有する縦結合型の共振子フィルタにつき説明したが、本発明は、縦結合型の共振子フィルタだけでなく、横結合型共振子フィルタ、1個のIDTのみを有する弾性表面波共振子、複数のIDTを有する様々な弾性表面波フィルタ、例えばラダー型フィルタ、ラチス型フィルタなどにも適用することができる。
【0039】
また、利用する表面波についても、他のSHタイプの表面波を用いることができ、さらにSHタイプの表面波以外の表面波を用いた弾性表面波装置にも適用することができる。
【0040】
【発明の効果】
第1の発明に係る弾性表面波装置の製造方法では、圧電性基板上にAlよりも大きな質量の金属または合金により少なくとも1つのIDTが形成されている。従って、電極の大きな質量により、通過帯域内において大きなリップルが生じがちであるが、金属膜成膜後における電極指の延びる方向に設定されている方向における膜厚分布と、パターニング後の電極指の延びる方向における膜厚分布とが相殺される条件となるように、金属膜の成膜及びパターニングが行われて、IDTの電極指の延びる方向の音速分布が276ppm以内とされるので上記リップルが効果的に抑圧される。従って、通過帯域内におけるリップルが低減された、良好な周波数特性を有する弾性表面波装置を提供することができる。
【0041】
第2の発明においてウエハー段階において、ウエハーの音速分布、すなわち各弾性表面波装置における電極指の延びる方向におけるウエハーの音速分布が測定された後に、音速分布が276ppm以内とされているウエハー部分から、弾性表面波装置が切り出されることになるため、反射器付きの弾性表面波装置において、同様に通過帯域内におけるリップルを効果的に抑圧することができる。
【0042】
本発明に係る弾性表面波装置は、縦結合型共振子フィルタだけでなく、他の様々な弾性表面波装置に適用することができ、本発明に従って、通過帯域内リップルの少ない縦結合型共振子フィルタなどを提供することができる。
【0043】
また、SHタイプの表面波を利用した表面波装置では、Alよりも質量の大きな金属または合金により電極を形成されることが多く、このような表面波装置では、電極の大きな質量により上記リップルが発生し易いが、本発明により、上記リップルを効果的に抑圧することができる。従って、周波数特性が良好である、ラブ波などのSHタイプの表面波を利用した弾性表面波装置を提供することが可能となる。
【0044】
本発明において、IDTの形式により生じる圧電性基板面内の音速分布の傾斜方向に対し、IDTの電極指の延びる方向が略直交するように構成すると、容易にIDTの電極指の延びる方向の音速分布を276ppm以内にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る弾性表面波装置の模式的平面図。
【図2】図1に示した構造を有する弾性表面波装置において、IDT及び反射器の電極指の延びる方向において表面波の音速分布が存在しないと仮定した場合の周波数特性を示す。
【図3】図4〜図7に示す結果を得るのに用いた計算モデルを説明するための模式的平面図。
【図4】n=2であり、ΔV=44ppmの場合の弾性表面波装置の周波数特性を示す図。
【図5】n=2であり、ΔV=66ppmの場合の弾性表面波装置の周波数特性を示す図。
【図6】n=2であり、ΔV=88ppmの場合の弾性表面波装置の周波数特性を示す図。
【図7】n=2であり、ΔV=111ppmの場合の弾性表面波装置の周波数特性を示す図。
【図8】1/nと、リップルが許容され得る大きさの場合の最大音速差ΔVmaxとの関係を示す図。
【図9】本発明の一実施例の弾性表面波装置の周波数特性を示す図。
【図10】従来の弾性表面波装置の周波数特性を示す図。
【符号の説明】
1…弾性表面波装置
2…圧電基板
3,4…IDT
3a1,3b1,4a1,4b1…電極指
5,6…反射器
5a,6a…電極指

Claims (2)

  1. 圧電性基板と、
    前記圧電性基板に形成されており、かつAlよりも重い金属又はAlよりも重い合金からなり、互いに平行に延びる複数本の電極指を有する少なくとも1つのインターデジタルトランスデューサとを備えている弾性表面波装置の製造方法であって、
    圧電性基板上に前記インターデジタルトランスデューサーを構成するため金属膜を成膜する工程と、
    前記金属膜をフォトリソグラフィーによりパターニングする工程とを備え、前記金属膜成膜後に起因する電極指の延びる方向における膜厚分布と、前記パターニングに起因する電極指の延びる方向における膜厚分布とが相殺される条件でもって、前記金属膜の成膜及びパターニングを行なうことにより、前記インターデジタルトランスデューサの前記電極指が延びる方向における表面波の音速分布が276ppm以内とされていることを特徴とする、弾性表面波装置の製造方法。
  2. 圧電性基板と、
    前記圧電性基板に形成されており、かつAlよりも重い金属又はAlよりも重い合金からなり、互いに平行に延びる複数本の電極指を有する少なくとも1つのインターデジタルトランスデューサとを備えている弾性表面波装置の製造方法であって、
    複数の弾性表面波装置が構成されているウエハーを用意する工程と、
    前記ウエハーの各弾性表面波装置における電極指の延びる方向における音速分布を測定する工程と、
    前記音速分布が276ppm以内の弾性表面波装置を前記ウエハーから切り出す工程とを備えることを特徴とする、弾性表面波装置の製造方法。
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