JPH11112274A - 弾性表面波フィルタ - Google Patents
弾性表面波フィルタInfo
- Publication number
- JPH11112274A JPH11112274A JP26638597A JP26638597A JPH11112274A JP H11112274 A JPH11112274 A JP H11112274A JP 26638597 A JP26638597 A JP 26638597A JP 26638597 A JP26638597 A JP 26638597A JP H11112274 A JPH11112274 A JP H11112274A
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- Japan
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- electrode
- surface acoustic
- line width
- acoustic wave
- wave filter
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Δｆが従来よりも大きなＩＤＴ電極を、製造
および設計が容易な方法によって実現すること、及び、
モード結合法などのシミュレーション理論によって厳密
なシミュレーションが可能な電極構造によってΔｆ拡大
を実現すること。 【解決手段】 圧電基板上に、櫛歯状の励振電極１を設
けて成る弾性表面波フィルタであって、励振電極１を構
成する複数の電極線の線幅がその長さ方向で段状に異な
るように形成せしめ、該励振電極１により発生した弾性
表面波の伝搬速度が互いに異なる複数の伝搬路を設けた
ことを特徴とする。
および設計が容易な方法によって実現すること、及び、
モード結合法などのシミュレーション理論によって厳密
なシミュレーションが可能な電極構造によってΔｆ拡大
を実現すること。 【解決手段】 圧電基板上に、櫛歯状の励振電極１を設
けて成る弾性表面波フィルタであって、励振電極１を構
成する複数の電極線の線幅がその長さ方向で段状に異な
るように形成せしめ、該励振電極１により発生した弾性
表面波の伝搬速度が互いに異なる複数の伝搬路を設けた
ことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば自動車電話
及び携帯電話等の移動体無線機器等に内蔵される周波数
帯域フィルタとしての弾性表面波フィルタに関し、特
に、弾性表面波フィルタに用いられる、櫛歯状弾性表面
波トランスデューサに関するものである。
及び携帯電話等の移動体無線機器等に内蔵される周波数
帯域フィルタとしての弾性表面波フィルタに関し、特
に、弾性表面波フィルタに用いられる、櫛歯状弾性表面
波トランスデューサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の弾性表面波（Surface Acoustic W
ave で、以下、ＳＡＷと略す）フィルタの例を図５に示
す。同図は、移動体通信用のＧＨｚ帯域のラダー型（梯
子型）のＳＡＷフィルタを示したものであり、いわゆる
２．５段π型と呼ばれるＳＡＷフィルタの回路図であ
る。図中のａ〜ｅはそれぞれＳＡＷ共振子を示し、これ
らａ〜ｅの５個の共振子は、並列・直列交互に多段接続
されている。なお、図５では、ＩＮは入力端子、ＯＵＴ
は出力端子を表す。
ave で、以下、ＳＡＷと略す）フィルタの例を図５に示
す。同図は、移動体通信用のＧＨｚ帯域のラダー型（梯
子型）のＳＡＷフィルタを示したものであり、いわゆる
２．５段π型と呼ばれるＳＡＷフィルタの回路図であ
る。図中のａ〜ｅはそれぞれＳＡＷ共振子を示し、これ
らａ〜ｅの５個の共振子は、並列・直列交互に多段接続
されている。なお、図５では、ＩＮは入力端子、ＯＵＴ
は出力端子を表す。
【０００３】図３は、これらＳＡＷ共振子の電極構造を
示す模式図である。図中、１はＳＡＷ共振子Ｓの一対の
櫛歯電極であるＩＤＴ（Inter Digital Transdducer ）
電極、２はＩＤＴ電極１のＳＡＷ伝搬路の両側に設けら
れた反射器である。なお、ＩＤＴ１及び反射器２の電極
指の本数は数１０〜数１００本に及ぶため、その形状を
簡略化して図示してある。
示す模式図である。図中、１はＳＡＷ共振子Ｓの一対の
櫛歯電極であるＩＤＴ（Inter Digital Transdducer ）
電極、２はＩＤＴ電極１のＳＡＷ伝搬路の両側に設けら
れた反射器である。なお、ＩＤＴ１及び反射器２の電極
指の本数は数１０〜数１００本に及ぶため、その形状を
簡略化して図示してある。
【０００４】このようなラダー型ＳＡＷフィルタにおい
て、その通過帯域幅は、基になるＳＡＷ共振子のストッ
プバンド幅（以下、Δｆと記す）によってほぼ決まって
しまうことが知られている。
て、その通過帯域幅は、基になるＳＡＷ共振子のストッ
プバンド幅（以下、Δｆと記す）によってほぼ決まって
しまうことが知られている。
【０００５】図４は、ＳＡＷ共振子のＩＤＴ電極をイン
ピーダンスアナライザなどに接続して測定した際の、入
力インピーダンス（以下、Ｚｉｎと記す）特性のグラフ
の模式図である。図において、横軸は周波数、縦軸はＺ
ｉｎの絶対値（対数スケール）である。また、ｆ１はＺ
ｉｎが最小となる周波数（共振点）であり、ｆ２はＺｉ
ｎが最大となる周波数（反共振点）である。
ピーダンスアナライザなどに接続して測定した際の、入
力インピーダンス（以下、Ｚｉｎと記す）特性のグラフ
の模式図である。図において、横軸は周波数、縦軸はＺ
ｉｎの絶対値（対数スケール）である。また、ｆ１はＺ
ｉｎが最小となる周波数（共振点）であり、ｆ２はＺｉ
ｎが最大となる周波数（反共振点）である。
【０００６】ここで、ストップバンド幅Δｆとは、この
ｆ１とｆ２の周波数間隔のことを指す。Δｆが小さい
と、フィルタの帯域幅は狭くなる。このΔｆは、ＩＤＴ
電極が形成された圧電基板の材料定数（電気機械結合係
数）によって支配的に決定されてしまうために、設計上
の工夫でコントロールできる自由度がほとんど無いこと
が知られている。
ｆ１とｆ２の周波数間隔のことを指す。Δｆが小さい
と、フィルタの帯域幅は狭くなる。このΔｆは、ＩＤＴ
電極が形成された圧電基板の材料定数（電気機械結合係
数）によって支配的に決定されてしまうために、設計上
の工夫でコントロールできる自由度がほとんど無いこと
が知られている。
【０００７】広帯域なフィルタを設計するためには、Ｉ
ＤＴ電極のΔｆを大きくする必要がある。そのための手
段として、従来技術では以下のような方法が取られてい
た。即ち、図６のようにＩＤＴ電極１の電極ピッチＰ１
〜Ｐ３を少しづつ変えて設計する手法であり、チャープ
電極と呼ばれる。なお、２は反射器である。このように
電極ピッチが変わることによって複数の共振周波数が発
生し、それらが重ね合わされることによりΔｆが拡大さ
れる。
ＤＴ電極のΔｆを大きくする必要がある。そのための手
段として、従来技術では以下のような方法が取られてい
た。即ち、図６のようにＩＤＴ電極１の電極ピッチＰ１
〜Ｐ３を少しづつ変えて設計する手法であり、チャープ
電極と呼ばれる。なお、２は反射器である。このように
電極ピッチが変わることによって複数の共振周波数が発
生し、それらが重ね合わされることによりΔｆが拡大さ
れる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では、下記のような問題点があった。第１に、チャ
ープ電極は、製造が困難である。また、チャープ電極で
は、ＩＤＴ電極の電極ピッチを非常に精密に加工するこ
とが要求されるが、例えば、安価な等倍露光方式を採用
してGHz 帯の高周波フィルタをする場合、フォトマスク
上の電極線幅が１μｍ以下の寸法になるため、フォトマ
スクを精度良く狙い通りの線幅に製造することが困難で
ある。そのため、安価な等倍露光法式ではなく、高価な
縮小露光方式を採用せざるをえず、高額な設備投資が必
要になるという問題がある。また、フォトマスク自体が
精度良く製造できたとしても、それを実際の微細ＩＤＴ
電極に転写する際に、製造が困難である。チャープ電極
は電極ピッチがまちまちであるために場所によって露光
条件異なり、全体を均一に狙い通りの線幅に露光するこ
とが困難である。
来例では、下記のような問題点があった。第１に、チャ
ープ電極は、製造が困難である。また、チャープ電極で
は、ＩＤＴ電極の電極ピッチを非常に精密に加工するこ
とが要求されるが、例えば、安価な等倍露光方式を採用
してGHz 帯の高周波フィルタをする場合、フォトマスク
上の電極線幅が１μｍ以下の寸法になるため、フォトマ
スクを精度良く狙い通りの線幅に製造することが困難で
ある。そのため、安価な等倍露光法式ではなく、高価な
縮小露光方式を採用せざるをえず、高額な設備投資が必
要になるという問題がある。また、フォトマスク自体が
精度良く製造できたとしても、それを実際の微細ＩＤＴ
電極に転写する際に、製造が困難である。チャープ電極
は電極ピッチがまちまちであるために場所によって露光
条件異なり、全体を均一に狙い通りの線幅に露光するこ
とが困難である。
【０００９】第２に、チャープ電極は、シミュレーショ
ン等によって精度良く設計することが困難である。これ
は、現在ＳＡＷフィルタの代表的なシミュレーション理
論であるモード結合法などが、従来通りの等間隔の電極
ピッチを前提としており、チャープ電極に完全には対応
していないためである。そのため、事前に正確な設計が
困難であるため、実際に作成したチャープ電極には、設
計時点では予想外であったリップルが発生してフィルタ
特性を阻害するような問題が生じ易い。
ン等によって精度良く設計することが困難である。これ
は、現在ＳＡＷフィルタの代表的なシミュレーション理
論であるモード結合法などが、従来通りの等間隔の電極
ピッチを前提としており、チャープ電極に完全には対応
していないためである。そのため、事前に正確な設計が
困難であるため、実際に作成したチャープ電極には、設
計時点では予想外であったリップルが発生してフィルタ
特性を阻害するような問題が生じ易い。
【００１０】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その第１の目的は、Δｆが従来よりも
大きなＩＤＴ電極を、製造および設計が容易な方法によ
って実現することにある。また第２の目的は、モード結
合法などのシミュレーション理論によって厳密なシミュ
レーションが可能な電極構造によってΔｆ拡大を実現す
ることにある。
れたものであり、その第１の目的は、Δｆが従来よりも
大きなＩＤＴ電極を、製造および設計が容易な方法によ
って実現することにある。また第２の目的は、モード結
合法などのシミュレーション理論によって厳密なシミュ
レーションが可能な電極構造によってΔｆ拡大を実現す
ることにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明による弾性表面波
フィルタは、圧電基板上に、弾性表面波の伝搬速度が異
なる複数の伝搬路を有する励振電極を設け、これら複数
の伝搬路の干渉によりストップバンド幅Δｆを調整する
ようにしたことを特徴とする。
フィルタは、圧電基板上に、弾性表面波の伝搬速度が異
なる複数の伝搬路を有する励振電極を設け、これら複数
の伝搬路の干渉によりストップバンド幅Δｆを調整する
ようにしたことを特徴とする。
【００１２】具体的には、圧電基板上に櫛歯状の励振電
極を設けて成る弾性表面波フィルタであって、前記励振
電極を構成する複数の電極線の線幅がその長さ方向で段
状に異なるように形成せしめ、該励振電極により発生し
た弾性表面波の伝搬速度が互いに異なる複数の伝搬路を
設けたことを特徴とする。
極を設けて成る弾性表面波フィルタであって、前記励振
電極を構成する複数の電極線の線幅がその長さ方向で段
状に異なるように形成せしめ、該励振電極により発生し
た弾性表面波の伝搬速度が互いに異なる複数の伝搬路を
設けたことを特徴とする。
【００１３】また、圧電基板が３６°回転ＹカットＸ方
向伝搬のタンタル酸リチウム単結晶であり、前記励振電
極の平均規格化線幅の最大値と最小値の差が下記式を満
足することを特徴とする。
向伝搬のタンタル酸リチウム単結晶であり、前記励振電
極の平均規格化線幅の最大値と最小値の差が下記式を満
足することを特徴とする。
【００１４】０．０５ ＜ Ａ ＜ ０．２０ （ただし、Ａ：平均規格化線幅の最大値と最小値の差 平均規格化線幅＝平均電極線幅／平均電極線ピッチ）
【００１５】
【発明の実施の形態】図１は、本発明によるＳＡＷ共振
子の構造を示す模式図である。図において、１は互いに
噛み合うように形成された一対の櫛歯状電極（励振電
極）であるＩＤＴ電極、２はＩＤＴ電極２のＳＡＷ伝搬
路の両側に設けられた反射器である。尚、同図では、Ｉ
ＤＴ電極１及び反射器２は、その電極指の本数が数１０
〜数１００本に及ぶため、その形状を簡略化して描いて
ある。
子の構造を示す模式図である。図において、１は互いに
噛み合うように形成された一対の櫛歯状電極（励振電
極）であるＩＤＴ電極、２はＩＤＴ電極２のＳＡＷ伝搬
路の両側に設けられた反射器である。尚、同図では、Ｉ
ＤＴ電極１及び反射器２は、その電極指の本数が数１０
〜数１００本に及ぶため、その形状を簡略化して描いて
ある。
【００１６】図１のＩＤＴ電極１において、ＩＤＴ電極
１はその電極の長さ方向において、図中Ａ・Ｂ・Ｃの３
つのトラック（弾性表面波の伝搬路）に分けて設計され
ている。図中Ａ・Ｂ・Ｃの３つのトラックでは、電極ピ
ッチＰ１〜Ｐ３は同じであるが、電極線幅Ｌ１〜Ｌ３を
段状に変えて設計してある。一例として、図１において
は、トラックＡからトラックＣの方向に向かうに従っ
て、電極線幅が太く設計されているが、弾性表面波の複
数の伝搬路（各段部に対応）が形成できるようにすれ
ば、このような設計に限定されるものではない。
１はその電極の長さ方向において、図中Ａ・Ｂ・Ｃの３
つのトラック（弾性表面波の伝搬路）に分けて設計され
ている。図中Ａ・Ｂ・Ｃの３つのトラックでは、電極ピ
ッチＰ１〜Ｐ３は同じであるが、電極線幅Ｌ１〜Ｌ３を
段状に変えて設計してある。一例として、図１において
は、トラックＡからトラックＣの方向に向かうに従っ
て、電極線幅が太く設計されているが、弾性表面波の複
数の伝搬路（各段部に対応）が形成できるようにすれ
ば、このような設計に限定されるものではない。
【００１７】図７は、電極線幅とＳＡＷ（弾性表面波）
音速の関係を示すグラフである。基板材料は、３６°Ｙ
カット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 結晶であり、電極膜厚は
簡単のためにゼロとした。電極線幅は電極ピッチによっ
て規格化して表示してある。このグラフから明らかなよ
うに、電極線幅を数十％程度変えることで、音速が１％
前後度変化する。ＩＤＴ電極において、共振周波数は電
極ピッチと音速の２つによって決まる。そのため、一つ
のＩＤＴ内で音速の異なる領域（Ａ，Ｂ，Ｃ）が存在す
ることによって、複数の共振周波数が生じ、これらが重
ね合わされることによって、Δｆが広帯域化されたり、
狭帯域化されたりするので、Δｆを調整することができ
る。
音速の関係を示すグラフである。基板材料は、３６°Ｙ
カット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 結晶であり、電極膜厚は
簡単のためにゼロとした。電極線幅は電極ピッチによっ
て規格化して表示してある。このグラフから明らかなよ
うに、電極線幅を数十％程度変えることで、音速が１％
前後度変化する。ＩＤＴ電極において、共振周波数は電
極ピッチと音速の２つによって決まる。そのため、一つ
のＩＤＴ内で音速の異なる領域（Ａ，Ｂ，Ｃ）が存在す
ることによって、複数の共振周波数が生じ、これらが重
ね合わされることによって、Δｆが広帯域化されたり、
狭帯域化されたりするので、Δｆを調整することができ
る。
【００１８】例えば、単純にΔｆを広帯域化するために
は、電極線幅による音速の変化が大きい方が良い。しか
し、電極線幅による音速変化をあまりに大きくし過ぎる
と、図４の共振子入力インピーダンス特性において、共
振点ｆ１の付近、或いは反共振点ｆ２の付近に大きなリ
ップルが生じてしまう。
は、電極線幅による音速の変化が大きい方が良い。しか
し、電極線幅による音速変化をあまりに大きくし過ぎる
と、図４の共振子入力インピーダンス特性において、共
振点ｆ１の付近、或いは反共振点ｆ２の付近に大きなリ
ップルが生じてしまう。
【００１９】このような共振子入力インピーダンス特性
のリップルは、そのままフィルタ特性のリップルとなっ
て反映されるために、あまりに大きなリップルは許容す
ることができない。Δｆが十分に拡大しつつ、しかもリ
ップルが許容範囲の大きさに抑えられるような電極線幅
の振り幅は、圧電基板材料やカット角・伝搬方向などに
よって異なる。
のリップルは、そのままフィルタ特性のリップルとなっ
て反映されるために、あまりに大きなリップルは許容す
ることができない。Δｆが十分に拡大しつつ、しかもリ
ップルが許容範囲の大きさに抑えられるような電極線幅
の振り幅は、圧電基板材料やカット角・伝搬方向などに
よって異なる。
【００２０】特に実用上特に重要な基板条件である３６
°〜４２°回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 単結晶につ
いて実験を行なった結果、ＩＤＴ電極の平均規格化線幅
の最大値と最小値の差が下記式を満足すると、リップル
の発生が極力抑えられることが判明した。
°〜４２°回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ3 単結晶につ
いて実験を行なった結果、ＩＤＴ電極の平均規格化線幅
の最大値と最小値の差が下記式を満足すると、リップル
の発生が極力抑えられることが判明した。
【００２１】０．０５ ＜ Ａ ＜ ０．２０ （ただし、Ａ：平均規格化線幅の最大値と最小値の差 平均規格化線幅＝平均電極線幅／平均電極線ピッチ） そこで、図１に示すようなＳＡＷ共振子を、３６°Ｙカ
ット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 結晶から成る圧電基板上に
Ａｌから成るＳＡＷフィルタ用の回路パターンを形成す
る場合、具体的には、紫外線（Deep UV ）を用いた密着
露光機によるフォトリソグラフィー法で前記圧電基板の
ウェハ上にレジストのネガパターンを形成し、次いで電
子ビーム蒸着機で厚み約４０００ÅのＡｌを成膜して、
回路パターンを多数組み形成した。その後、レジスト剥
離液中で不要なＡｌをリフトオフし、ＩＤＴ電極などの
微細な回路パターンを完成させた。
ット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 結晶から成る圧電基板上に
Ａｌから成るＳＡＷフィルタ用の回路パターンを形成す
る場合、具体的には、紫外線（Deep UV ）を用いた密着
露光機によるフォトリソグラフィー法で前記圧電基板の
ウェハ上にレジストのネガパターンを形成し、次いで電
子ビーム蒸着機で厚み約４０００ÅのＡｌを成膜して、
回路パターンを多数組み形成した。その後、レジスト剥
離液中で不要なＡｌをリフトオフし、ＩＤＴ電極などの
微細な回路パターンを完成させた。
【００２２】ここで、ＩＤＴ電極対数を８０、反射器電
極本数を３０、ＩＤＴ電極の開口幅を９０μm 、ＩＤＴ
電極ピッチを２．０μm 、ＩＤＴ電極を開口幅に対して
等間隔で９トラックに分割し、規格化線幅を０．５８，
０．５６，０．５４，０．５２，０．５０，０．４９，
０．４８，０．４７，０．４６の９通りとした。
極本数を３０、ＩＤＴ電極の開口幅を９０μm 、ＩＤＴ
電極ピッチを２．０μm 、ＩＤＴ電極を開口幅に対して
等間隔で９トラックに分割し、規格化線幅を０．５８，
０．５６，０．５４，０．５２，０．５０，０．４９，
０．４８，０．４７，０．４６の９通りとした。
【００２３】なお、このように規格化線幅は変化してい
るものの、電極ピッチは一定に保たれているために、設
計時には、モード結合法などの通常のシミュレーション
法をそのまま適用でき、シミュレーションとほぼ同様な
結果が得られた。
るものの、電極ピッチは一定に保たれているために、設
計時には、モード結合法などの通常のシミュレーション
法をそのまま適用でき、シミュレーションとほぼ同様な
結果が得られた。
【００２４】図２は、本発明によって得られたＳＡＷ共
振子の入力インピーダンス特性である。また、比較のた
めに、従来のＳＡＷ共振子の入力インピーダンス特性も
示した。図２から明らかなように、本発明のＳＡＷ共振
子においては、Δｆが広帯域化されている。共振点付近
にリップルが生じているが、その大きさは実用上問題が
無い程度に小さく抑えられている。従って、例えばこの
ような共振子構造をラダー型ＳＡＷフィルタの直列共振
子として用いた場合、従来よりも広帯域なフィルタが得
られる。
振子の入力インピーダンス特性である。また、比較のた
めに、従来のＳＡＷ共振子の入力インピーダンス特性も
示した。図２から明らかなように、本発明のＳＡＷ共振
子においては、Δｆが広帯域化されている。共振点付近
にリップルが生じているが、その大きさは実用上問題が
無い程度に小さく抑えられている。従って、例えばこの
ような共振子構造をラダー型ＳＡＷフィルタの直列共振
子として用いた場合、従来よりも広帯域なフィルタが得
られる。
【００２５】
【発明の効果】以上、本発明の弾性表面波フィルタによ
れば、異なる速度の弾性表面波の干渉により、ストップ
バンド幅Δｆを適当に調整することができ、例えばＳＡ
Ｗフィルタの帯域幅を拡大させることができる。また、
電極ピッチを一定に保つようにすれば、フォトマスクの
製作が容易であるだけでなく、モード結合法等の通常の
シミュレーション手法によって設計が可能となる、非常
に画期的でユニークな弾性表面波フィルタを提供するこ
とができる。
れば、異なる速度の弾性表面波の干渉により、ストップ
バンド幅Δｆを適当に調整することができ、例えばＳＡ
Ｗフィルタの帯域幅を拡大させることができる。また、
電極ピッチを一定に保つようにすれば、フォトマスクの
製作が容易であるだけでなく、モード結合法等の通常の
シミュレーション手法によって設計が可能となる、非常
に画期的でユニークな弾性表面波フィルタを提供するこ
とができる。
【図１】本発明によるＳＡＷ共振子の構造を説明する模
式図である。
式図である。
【図２】本発明によるＳＡＷ共振子の入力インピーダン
スの周波数特性を、従来技術のＳＡＷ共振子の入力イン
ピーダンスの周波数特性と比較したグラフである。
スの周波数特性を、従来技術のＳＡＷ共振子の入力イン
ピーダンスの周波数特性と比較したグラフである。
【図３】一般的なＳＡＷ共振子の構造を説明する模式図
である。
である。
【図４】一般的なＳＡＷ共振子の入力インピーダンスの
周波数特性を説明する模式図である。
周波数特性を説明する模式図である。
【図５】ＳＡＷ共振子を用いた、２．５段π型のラダー
型フィルタの構造を説明する模式図である。
型フィルタの構造を説明する模式図である。
【図６】チャープ電極によるＩＤＴ電極を態様を説明す
る模式図である。
る模式図である。
【図７】電極線幅と音速の関係を表すグラフである。
１：ＩＤＴ電極 ２：反射器 Ｓ：弾性表面波共振子
Claims (2)
- 【請求項１】 圧電基板上に櫛歯状の励振電極を設けて
成る弾性表面波フィルタであって、前記励振電極を構成
する複数の電極線の線幅がその長さ方向で段状に異なる
ように形成せしめ、該励振電極により発生した弾性表面
波の伝搬速度が互いに異なる複数の伝搬路を設けたこと
を特徴とする弾性表面波フィルタ。 - 【請求項２】 請求項１に記載の弾性表面波フィルタで
あって、前記圧電基板が３６°〜４２°回転ＹカットＸ
方向伝搬のタンタル酸リチウム単結晶であり、前記励振
電極の平均規格化線幅の最大値と最小値の差が下記式を
満足することを特徴とする弾性表面波フィルタ。 ０．０５ ＜ Ａ ＜ ０．２０ （ただし、Ａ：平均規格化線幅の最大値と最小値の差 平均規格化線幅＝平均電極線幅／平均電極線ピッチ）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26638597A JPH11112274A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 弾性表面波フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26638597A JPH11112274A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 弾性表面波フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11112274A true JPH11112274A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17430212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26638597A Pending JPH11112274A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 弾性表面波フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11112274A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005267621A (ja) * | 2004-02-16 | 2005-09-29 | Fuji Xerox Co Ltd | 無線応答装置及び無線応答通信方式 |
| WO2010047113A1 (ja) * | 2008-10-24 | 2010-04-29 | エプソントヨコム株式会社 | 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および弾性表面波モジュール装置 |
| US20170201229A1 (en) * | 2016-01-13 | 2017-07-13 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave resonator, filter, and duplexer |
-
1997
- 1997-09-30 JP JP26638597A patent/JPH11112274A/ja active Pending
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