JP2002135077A - 弾性表面波装置及びその製造方法 - Google Patents
弾性表面波装置及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型化を図ることができ、かつ横モードによ
るリップルを低減し得る構造を備えたＳＨタイプの表面
波を利用した弾性表面波装置を提供する。 【解決手段】 水晶基板１２上に、Ａｌに比べて質量負
荷効果の大きな電極からなる少なくとも１つのＩＤＴ１
３，１４が形成されており、ＩＤＴのメタライゼイショ
ンレシオをｄ、電極膜厚をｈとしたときに、横モードに
よるリップルが０．５ｄＢ以下となるようにメタライゼ
イションレシオｄ及びＩＤＴの規格化膜厚ｈ／λが制御
されている、ＳＨタイプの表面波を利用した弾性表面波
装置。
るリップルを低減し得る構造を備えたＳＨタイプの表面
波を利用した弾性表面波装置を提供する。 【解決手段】 水晶基板１２上に、Ａｌに比べて質量負
荷効果の大きな電極からなる少なくとも１つのＩＤＴ１
３，１４が形成されており、ＩＤＴのメタライゼイショ
ンレシオをｄ、電極膜厚をｈとしたときに、横モードに
よるリップルが０．５ｄＢ以下となるようにメタライゼ
イションレシオｄ及びＩＤＴの規格化膜厚ｈ／λが制御
されている、ＳＨタイプの表面波を利用した弾性表面波
装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば弾性表面波
共振子や弾性表面波フィルタなどの弾性表面波装置及び
その製造方法に関し、より詳細には、ＳＨタイプの表面
波を用いており、かつ横モードスプリアスを低減する構
造が備えられた弾性表面波装置及びその製造方法に関す
る。
共振子や弾性表面波フィルタなどの弾性表面波装置及び
その製造方法に関し、より詳細には、ＳＨタイプの表面
波を用いており、かつ横モードスプリアスを低減する構
造が備えられた弾性表面波装置及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、弾性表面波装置では、インターデ
ジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）等の電極材料として
ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金が広く用いられてい
る。また、少なくとも１つのＩＤＴが圧電基板上に設け
られており、ＩＤＴが設けられている領域の両側に反射
器あるいは反射端面が配置されており、それによって共
振子または縦結合型共振子フィルタ等が構成されてい
る。
ジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）等の電極材料として
ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金が広く用いられてい
る。また、少なくとも１つのＩＤＴが圧電基板上に設け
られており、ＩＤＴが設けられている領域の両側に反射
器あるいは反射端面が配置されており、それによって共
振子または縦結合型共振子フィルタ等が構成されてい
る。
【０００３】この種の弾性表面波装置では、ＩＤＴが導
波路となって、横モードが生じ、該横モードに起因する
リップルが通過帯域内に生じることがある。横モードに
よるリップルを低減するために、従来種々の方法が試み
られている。例えば、ＩＤＴの交差幅を小さくする方
法、あるいは、重み付けを施す方法等が試みられてい
る。
波路となって、横モードが生じ、該横モードに起因する
リップルが通過帯域内に生じることがある。横モードに
よるリップルを低減するために、従来種々の方法が試み
られている。例えば、ＩＤＴの交差幅を小さくする方
法、あるいは、重み付けを施す方法等が試みられてい
る。
【０００４】他方、水晶基板を用い、水晶基板上に、Ａ
ｌに比べて大きな質量を有するＴａを主体とする金属ま
たは合金により、ＩＤＴを構成してなる、ＳＨタイプの
表面波を利用した表面波装置が提案されている（特開平
１１−２９８２９０号公報）。ここでは、質量の大きな
Ｔａを主体とする金属または合金によりＩＤＴを構成す
ることにより、ＩＤＴの電極指の対数が１０〜２０対程
度と非常に少なくされており、それによって表面波装置
の小型化が図られている。
ｌに比べて大きな質量を有するＴａを主体とする金属ま
たは合金により、ＩＤＴを構成してなる、ＳＨタイプの
表面波を利用した表面波装置が提案されている（特開平
１１−２９８２９０号公報）。ここでは、質量の大きな
Ｔａを主体とする金属または合金によりＩＤＴを構成す
ることにより、ＩＤＴの電極指の対数が１０〜２０対程
度と非常に少なくされており、それによって表面波装置
の小型化が図られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】Ｔａを主成分とする電
極のように、質量負荷効果が大きな電極材料を用いる
と、ＩＤＴが設けられている領域の音速が周囲の音速よ
り極端に遅くなる。そのため、ＩＤＴ部分における導波
路効果が非常に大きくなる。
極のように、質量負荷効果が大きな電極材料を用いる
と、ＩＤＴが設けられている領域の音速が周囲の音速よ
り極端に遅くなる。そのため、ＩＤＴ部分における導波
路効果が非常に大きくなる。
【０００６】従って、図１３に示すように、縦結合共振
子フィルタを構成した場合、矢印Ｘで示す、横モードに
よるリップルが複雑化し、かつ非常に大きくなる。前述
したように、横モードによるリップルをフィルタの通過
帯域内や共振子の共振点近傍から除去する方法として、
従来、交差幅を小さくし、基本モードと横モードとの
周波数間隔を大きくする方法、あるいはＩＤＴの交差
幅にｃｏｓ 2 関数等による重み付けを行なうことによ
り、横モードを打ち消す方法等が試みられている。
子フィルタを構成した場合、矢印Ｘで示す、横モードに
よるリップルが複雑化し、かつ非常に大きくなる。前述
したように、横モードによるリップルをフィルタの通過
帯域内や共振子の共振点近傍から除去する方法として、
従来、交差幅を小さくし、基本モードと横モードとの
周波数間隔を大きくする方法、あるいはＩＤＴの交差
幅にｃｏｓ 2 関数等による重み付けを行なうことによ
り、横モードを打ち消す方法等が試みられている。
【０００７】の方法では、交差幅を１０λ（λは表面
波の波長）以下にする必要がある。他方、水晶基板を用
い、電極指の対数が１０〜２０程度のＩＤＴを用いて表
面波装置を構成した場合、入出力インピーダンスは２ｋ
Ωを超え、非常に高くなり、実際の製品に用いることが
できなくなる。従って、電極指の対数を増加させてイン
ピーダンスを低下させる必要がある。
波の波長）以下にする必要がある。他方、水晶基板を用
い、電極指の対数が１０〜２０程度のＩＤＴを用いて表
面波装置を構成した場合、入出力インピーダンスは２ｋ
Ωを超え、非常に高くなり、実際の製品に用いることが
できなくなる。従って、電極指の対数を増加させてイン
ピーダンスを低下させる必要がある。
【０００８】すなわち、上記先行技術に記載の表面波装
置では質量の大きなＴａを主成分とする電極を形成し
て、ＩＤＴの対数を低減することが可能とされているに
も関わらず、交差幅を小さくする方法を採用すると逆
に、入出力インピーダンスを低下させるために電極指の
対数を増加させねばならず、表面波装置の小型化を進め
ることができなくなる。
置では質量の大きなＴａを主成分とする電極を形成し
て、ＩＤＴの対数を低減することが可能とされているに
も関わらず、交差幅を小さくする方法を採用すると逆
に、入出力インピーダンスを低下させるために電極指の
対数を増加させねばならず、表面波装置の小型化を進め
ることができなくなる。
【０００９】の方法では、重み付け自体による損失が
増大するという問題があった。加えて、重み付けにより
交差幅領域の面積が減少することになるため、の方法
の場合と同様に、表面波装置のインピーダンスが非常に
高くなる。従って、インピーダンスを低減しようとした
場合、交差幅を必要な長さの２倍以上にしなければなら
ない。その結果、やはり表面波装置の小型化を進めるこ
とができなくなる。
増大するという問題があった。加えて、重み付けにより
交差幅領域の面積が減少することになるため、の方法
の場合と同様に、表面波装置のインピーダンスが非常に
高くなる。従って、インピーダンスを低減しようとした
場合、交差幅を必要な長さの２倍以上にしなければなら
ない。その結果、やはり表面波装置の小型化を進めるこ
とができなくなる。
【００１０】すなわち、及びのいずれの方法を用い
た場合にも、横モードによりリップルを低減しようとし
た場合、上記先行技術に記載の方法の利点である小型化
が損なわれてしまうことになる。
た場合にも、横モードによりリップルを低減しようとし
た場合、上記先行技術に記載の方法の利点である小型化
が損なわれてしまうことになる。
【００１１】本発明の目的は、Ａｌよりも質量負荷効果
が大きな材料を用いて構成されている電極構造を有し、
小型化を図ることができるとともに、横モードによるリ
ップルを効果的に抑圧し得る構造を備えた、ＳＨタイプ
の表面波を利用した弾性表面波装置及びその製造方法を
提供することにある。
が大きな材料を用いて構成されている電極構造を有し、
小型化を図ることができるとともに、横モードによるリ
ップルを効果的に抑圧し得る構造を備えた、ＳＨタイプ
の表面波を利用した弾性表面波装置及びその製造方法を
提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本願の第１の発明によれ
ば、水晶基板と、水晶基板上に形成されており、Ａｌに
比べて質量負荷効果の大きな電極からなる少なくとも１
つのＩＤＴとを備え、前記ＩＤＴのメタライゼイション
レシオをｄ、表面波の波長をλ、ＩＤＴの電極膜厚をｈ
としたときに、横モードによるリップルが０．５ｄＢ以
下となるように、メタライゼイションレシオｄ及びＩＤ
Ｔの規格化膜厚ｈ／λが所定の範囲に制御されている、
ＳＨタイプの弾性表面波装置が提供される。
ば、水晶基板と、水晶基板上に形成されており、Ａｌに
比べて質量負荷効果の大きな電極からなる少なくとも１
つのＩＤＴとを備え、前記ＩＤＴのメタライゼイション
レシオをｄ、表面波の波長をλ、ＩＤＴの電極膜厚をｈ
としたときに、横モードによるリップルが０．５ｄＢ以
下となるように、メタライゼイションレシオｄ及びＩＤ
Ｔの規格化膜厚ｈ／λが所定の範囲に制御されている、
ＳＨタイプの弾性表面波装置が提供される。
【００１３】第１の発明に係る弾性表面波装置の特定の
局面では、ＩＤＴがＡｌよりも質量の大きな金属からな
る少なくとも１層の電極層を含む。また、第１の発明の
別の特定の局面では、ＩＤＴがＡｌよりも質量の大きな
単一の金属で構成されている。
局面では、ＩＤＴがＡｌよりも質量の大きな金属からな
る少なくとも１層の電極層を含む。また、第１の発明の
別の特定の局面では、ＩＤＴがＡｌよりも質量の大きな
単一の金属で構成されている。
【００１４】本願の第２の発明によれば、水晶基板と、
前記水晶基板上に形成されており、Ｔａからなる少なく
とも１つのＩＤＴとを備え、前記ＩＤＴのメタライゼイ
ションレシオをｄ、表面波の波長をλ、ＩＤＴの膜厚を
ｈとしたときに、ＩＤＴの規格化膜厚ｈ／λが、０．６
ｄ＋１．６５〜０．６ｄ＋１．８１の範囲にある、弾性
表面波装置が提供される。
前記水晶基板上に形成されており、Ｔａからなる少なく
とも１つのＩＤＴとを備え、前記ＩＤＴのメタライゼイ
ションレシオをｄ、表面波の波長をλ、ＩＤＴの膜厚を
ｈとしたときに、ＩＤＴの規格化膜厚ｈ／λが、０．６
ｄ＋１．６５〜０．６ｄ＋１．８１の範囲にある、弾性
表面波装置が提供される。
【００１５】本願の第３の発明によれば、水晶基板と、
前記水晶基板上に形成されており、Ｗからなる少なくと
も１つのインターデジタルトランスデューサとを備える
ＳＨタイプの表面波を利用した弾性表面波装置であっ
て、前記インターデジタルトランスデューサのメタライ
ゼイションレシオをｄ、表面波の波長をλ、インターデ
ジタルトランスデューサの膜厚をｈとしたときに、イン
ターデジタルトランスデューサの規格化膜厚ｈ／λが、
０．６ｄ＋０．８５〜０．６ｄ＋１．３０の範囲にある
ことを特徴とする、弾性表面波装置が提供される。
前記水晶基板上に形成されており、Ｗからなる少なくと
も１つのインターデジタルトランスデューサとを備える
ＳＨタイプの表面波を利用した弾性表面波装置であっ
て、前記インターデジタルトランスデューサのメタライ
ゼイションレシオをｄ、表面波の波長をλ、インターデ
ジタルトランスデューサの膜厚をｈとしたときに、イン
ターデジタルトランスデューサの規格化膜厚ｈ／λが、
０．６ｄ＋０．８５〜０．６ｄ＋１．３０の範囲にある
ことを特徴とする、弾性表面波装置が提供される。
【００１６】第３の発明によれば、上記構成により、横
モードによるリップルが１．５ｄＢ以下とされる。ま
た、第３の発明の特定の局面では、上記規格化膜厚ｈ／
λは、０．６ｄ＋１．００〜０．６ｄ＋１．２３の範囲
とされ、それによって横モードリップルが０．５ｄＢ以
下とされる。
モードによるリップルが１．５ｄＢ以下とされる。ま
た、第３の発明の特定の局面では、上記規格化膜厚ｈ／
λは、０．６ｄ＋１．００〜０．６ｄ＋１．２３の範囲
とされ、それによって横モードリップルが０．５ｄＢ以
下とされる。
【００１７】第１〜第３の発明の特定の局面では、縦結
合共振子フィルタを構成するように上記ＩＤＴが複数個
構成されている。また、第１，第２の発明のさらに限定
された局面では、少なくとも２段の上記縦結合共振子フ
ィルタが縦続接続されている。
合共振子フィルタを構成するように上記ＩＤＴが複数個
構成されている。また、第１，第２の発明のさらに限定
された局面では、少なくとも２段の上記縦結合共振子フ
ィルタが縦続接続されている。
【００１８】第１〜第３の発明の別の特定の局面では、
１ポート型弾性表面波共振子を構成するように上記ＩＤ
Ｔが水晶基板上に配置されている。第１〜第３の発明の
さらに他の局面では、上記水晶基板上に、ＩＤＴが複数
個形成されており、各ＩＤＴが１ポート型弾性表面波共
振子を構成しており、かつ水晶基板上においてラダー型
フィルタを構成するように接続されている。
１ポート型弾性表面波共振子を構成するように上記ＩＤ
Ｔが水晶基板上に配置されている。第１〜第３の発明の
さらに他の局面では、上記水晶基板上に、ＩＤＴが複数
個形成されており、各ＩＤＴが１ポート型弾性表面波共
振子を構成しており、かつ水晶基板上においてラダー型
フィルタを構成するように接続されている。
【００１９】第１〜第３の発明のさらに別の特定の局面
では、水晶基板上に上記ＩＤＴが複数個形成されてお
り、各ＩＤＴが１ポート型弾性表面波共振子を構成して
おり、かつ水晶基板上において、ラチス型フィルタを構
成するように接続されている。
では、水晶基板上に上記ＩＤＴが複数個形成されてお
り、各ＩＤＴが１ポート型弾性表面波共振子を構成して
おり、かつ水晶基板上において、ラチス型フィルタを構
成するように接続されている。
【００２０】第１〜第３の発明に係る弾性表面波装置
は、弾性表面波共振子や弾性表面波フィルタ等に広く用
いられるが、本発明の特定の局面では、第１〜第３の発
明に係る弾性表面波装置を用いた通信装置が提供され
る。
は、弾性表面波共振子や弾性表面波フィルタ等に広く用
いられるが、本発明の特定の局面では、第１〜第３の発
明に係る弾性表面波装置を用いた通信装置が提供され
る。
【００２１】本願の第４の発明はＳＨタイプの表面波を
利用した弾性表面波装置の製造方法であって、水晶基板
を用意する工程と、前記水晶基板上にＡｌよりも質量負
荷効果が大きい金属膜を形成する工程と、弾性表面波装
置のＩＤＴのメタライゼイションレシオをｄ、膜厚を
ｈ、表面波の波長をλとしたときに、横モードスプリア
スが１．５ｄＢ以下となるメタライゼイションレシオｄ
及びＩＤＴの規格化膜厚ｈ／λを満たすように前記金属
膜を反応性イオンエッチングまたはリフトオフプロセス
によりパターニングして少なくとも１個のＩＤＴを形成
する工程とを備えることを特徴とする。
利用した弾性表面波装置の製造方法であって、水晶基板
を用意する工程と、前記水晶基板上にＡｌよりも質量負
荷効果が大きい金属膜を形成する工程と、弾性表面波装
置のＩＤＴのメタライゼイションレシオをｄ、膜厚を
ｈ、表面波の波長をλとしたときに、横モードスプリア
スが１．５ｄＢ以下となるメタライゼイションレシオｄ
及びＩＤＴの規格化膜厚ｈ／λを満たすように前記金属
膜を反応性イオンエッチングまたはリフトオフプロセス
によりパターニングして少なくとも１個のＩＤＴを形成
する工程とを備えることを特徴とする。
【００２２】第４の発明のある特定の局面では、金属膜
がＴａからなり、上記規格化膜厚ｈ／λが０．６ｄ＋
１．５０〜０．６ｄ＋１．８７、好ましくは、０．６ｄ
＋１．６５〜０．６ｄ＋１．８１となるように、Ｔａ膜
が反応性イオンエッチングまたはリフトオフプロセスに
よりパターニングされて、少なくとも１個のインターデ
ジタルトランスデューサが形成される。
がＴａからなり、上記規格化膜厚ｈ／λが０．６ｄ＋
１．５０〜０．６ｄ＋１．８７、好ましくは、０．６ｄ
＋１．６５〜０．６ｄ＋１．８１となるように、Ｔａ膜
が反応性イオンエッチングまたはリフトオフプロセスに
よりパターニングされて、少なくとも１個のインターデ
ジタルトランスデューサが形成される。
【００２３】また、第４の発明の特定の局面では、上記
金属膜がＷからなり、ｈ／λが０．６ｄ＋０．８５〜
０．６ｄ＋１．３０の範囲、好ましくは０．６ｄ＋１．
００〜０．６ｄ＋１．２３の範囲となるように、Ｗが反
応性イオンエッチングまたはリフトオフプロセスにより
パターニングされて、少なくとも１個のインターデジタ
ルトランスデューサが形成される。
金属膜がＷからなり、ｈ／λが０．６ｄ＋０．８５〜
０．６ｄ＋１．３０の範囲、好ましくは０．６ｄ＋１．
００〜０．６ｄ＋１．２３の範囲となるように、Ｗが反
応性イオンエッチングまたはリフトオフプロセスにより
パターニングされて、少なくとも１個のインターデジタ
ルトランスデューサが形成される。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明
の具体的な実施例を説明することにより、本発明を明ら
かにする。
の具体的な実施例を説明することにより、本発明を明ら
かにする。
【００２５】図１は、本発明の第１の実施例に係る弾性
表面波装置としての縦結合共振子型フィルタを示す模式
的平面図である。縦結合共振子型フィルタ１１では、矩
形板上の水晶基板１２が用いられている。水晶基板１２
上に、ＩＤＴ１３，１４が形成されている。ＩＤＴ１
３，１４はそれぞれ、互いに間挿し合う電極指を有する
１対のくし歯電極１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂを有
する。各くし歯電極１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂの
電極指の延びる方向は、表面波伝搬方向と直交する方向
である。
表面波装置としての縦結合共振子型フィルタを示す模式
的平面図である。縦結合共振子型フィルタ１１では、矩
形板上の水晶基板１２が用いられている。水晶基板１２
上に、ＩＤＴ１３，１４が形成されている。ＩＤＴ１
３，１４はそれぞれ、互いに間挿し合う電極指を有する
１対のくし歯電極１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂを有
する。各くし歯電極１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂの
電極指の延びる方向は、表面波伝搬方向と直交する方向
である。
【００２６】従って、ＩＤＴ１３，１４は、表面波伝搬
方向に沿って配置されている。ＩＤＴ１３，１４の設け
られている領域の表面波伝搬方向両側に、グレーティン
グ反射器１５，１６が配置されている。反射器１５，１
６は、複数本の電極指を両端で短絡した構造を有し、反
射器１５，１６の電極指は、表面波伝搬方向と直交する
方向に延ばされている。
方向に沿って配置されている。ＩＤＴ１３，１４の設け
られている領域の表面波伝搬方向両側に、グレーティン
グ反射器１５，１６が配置されている。反射器１５，１
６は、複数本の電極指を両端で短絡した構造を有し、反
射器１５，１６の電極指は、表面波伝搬方向と直交する
方向に延ばされている。
【００２７】縦結合共振子型弾性表面波フィルタ１１で
は、ＩＤＴ１３，１４及び反射器１５，１６は、Ａｌよ
りも質量が大きい電極材料であるＴａにより構成されて
いる。また、ＩＤＴ１３，１４においては、メタライゼ
イションレシオをｄ，電極の膜厚をｈ、表面波の波長を
λとしたときに、ＩＤＴ１３，１４の表面波の波長で規
格化された規格化膜厚ｈ／λが０．６ｄ＋１．６５〜
０．６ｄ＋１．８１の範囲とされている。
は、ＩＤＴ１３，１４及び反射器１５，１６は、Ａｌよ
りも質量が大きい電極材料であるＴａにより構成されて
いる。また、ＩＤＴ１３，１４においては、メタライゼ
イションレシオをｄ，電極の膜厚をｈ、表面波の波長を
λとしたときに、ＩＤＴ１３，１４の表面波の波長で規
格化された規格化膜厚ｈ／λが０．６ｄ＋１．６５〜
０．６ｄ＋１．８１の範囲とされている。
【００２８】なお、メタライゼイションレシオｄとは、
ＩＤＴ１３，１４において、電極指間ギャップの表面波
伝搬方向に沿う幅寸法と電極指の幅寸法すなわち表面波
伝搬方向に沿う寸法との和に対する電極指の幅寸法の割
合をいうものとする。
ＩＤＴ１３，１４において、電極指間ギャップの表面波
伝搬方向に沿う幅寸法と電極指の幅寸法すなわち表面波
伝搬方向に沿う寸法との和に対する電極指の幅寸法の割
合をいうものとする。
【００２９】本実施例では、ＩＤＴ１３，１４が質量の
大きなＴａにより構成されているので、ＩＤＴ１３，１
４の電極指の対数を十数対以下と少なくすることがで
き、小型化を進めることができる。
大きなＴａにより構成されているので、ＩＤＴ１３，１
４の電極指の対数を十数対以下と少なくすることがで
き、小型化を進めることができる。
【００３０】本願発明者らは、ＩＤＴ１３，１４を、Ｔ
ａからなる質量の大きな電極材料を構成して、ＩＤＴの
電極指の対数を少なくした場合であっても、規格化膜厚
ｈ／λとメタライゼイションレシオを上記特定の範囲と
すれば、横モードのリップルを効果的に抑圧することを
見いだし、本発明をなすに至った。
ａからなる質量の大きな電極材料を構成して、ＩＤＴの
電極指の対数を少なくした場合であっても、規格化膜厚
ｈ／λとメタライゼイションレシオを上記特定の範囲と
すれば、横モードのリップルを効果的に抑圧することを
見いだし、本発明をなすに至った。
【００３１】これを、具体的な実験例に基づき説明す
る。上記水晶基板１２として、オイラー角（０°，１２
７°，９０°）で表わされる結晶方位の水晶基板状に、
Ｔａを電極材料として用い、ＩＤＴ１３，１４及び反射
器１５，１６を形成した。この場合、ＩＤＴ１３，１４
の電極指の対数は、１３対とし、反射器１５，１６の電
極指の本数は１０本とした。また、ＩＤＴ１３，１４の
メタライゼイションレシオｄが、０．５〜０．９０の範
囲において、規格化膜厚ｈ／λが０．０１７〜０．０２
５の範囲で異なるように、ＳＨ波を利用した種々の縦結
合共振子型弾性表面波フィルタ１１を作製した。図２及
び図３にこのようにして作製された弾性表面波装置内の
一部の構造の減衰量周波数特性を示す。図２（ａ）に示
す特性は、メタライゼイションレシオｄ＝０．７５、ｈ
／λ＝０．０１８の場合の結果を示す。図２（ｂ）に示
す特性は、メタライゼイションレシオｄ＝０．７５、ｈ
／λ＝０．０２の場合の特性を示す。図３（ａ）は、メ
タライゼイションレシオｄ＝０．７５、ｈ／λ＝０．０
２２の場合の特性を示す。図３（ｂ）は、メタライゼイ
ションレシオｄ＝０．７５、ｈ／λ＝０．０２４の場合
の特性を示す。
る。上記水晶基板１２として、オイラー角（０°，１２
７°，９０°）で表わされる結晶方位の水晶基板状に、
Ｔａを電極材料として用い、ＩＤＴ１３，１４及び反射
器１５，１６を形成した。この場合、ＩＤＴ１３，１４
の電極指の対数は、１３対とし、反射器１５，１６の電
極指の本数は１０本とした。また、ＩＤＴ１３，１４の
メタライゼイションレシオｄが、０．５〜０．９０の範
囲において、規格化膜厚ｈ／λが０．０１７〜０．０２
５の範囲で異なるように、ＳＨ波を利用した種々の縦結
合共振子型弾性表面波フィルタ１１を作製した。図２及
び図３にこのようにして作製された弾性表面波装置内の
一部の構造の減衰量周波数特性を示す。図２（ａ）に示
す特性は、メタライゼイションレシオｄ＝０．７５、ｈ
／λ＝０．０１８の場合の結果を示す。図２（ｂ）に示
す特性は、メタライゼイションレシオｄ＝０．７５、ｈ
／λ＝０．０２の場合の特性を示す。図３（ａ）は、メ
タライゼイションレシオｄ＝０．７５、ｈ／λ＝０．０
２２の場合の特性を示す。図３（ｂ）は、メタライゼイ
ションレシオｄ＝０．７５、ｈ／λ＝０．０２４の場合
の特性を示す。
【００３２】また、図２（ａ）〜図３（ｂ）において、
破線は、縦軸の減衰量を右側のスケールで拡大した特性
を示す。図２（ａ）に示す特性では、通過帯域の中央に
矢印Ａ１で示すリップルが現れており、かつ通過帯域よ
りも低域側においても多数のリップルＹ１〜Ｙ３が現れ
ていることがわかる。また、図２（ｂ）に示す特性にお
いても、矢印Ａ２で示すように、通過帯域内に大きなリ
ップルが現れ、通過帯域の低域側においても矢印Ｙ４〜
Ｙ６で示すリップルの現れていることがわかる。
破線は、縦軸の減衰量を右側のスケールで拡大した特性
を示す。図２（ａ）に示す特性では、通過帯域の中央に
矢印Ａ１で示すリップルが現れており、かつ通過帯域よ
りも低域側においても多数のリップルＹ１〜Ｙ３が現れ
ていることがわかる。また、図２（ｂ）に示す特性にお
いても、矢印Ａ２で示すように、通過帯域内に大きなリ
ップルが現れ、通過帯域の低域側においても矢印Ｙ４〜
Ｙ６で示すリップルの現れていることがわかる。
【００３３】他方、図３（ｂ）に示す特性では、通過帯
域内において、矢印Ａ３，Ａ４で示す大きなリップルが
現れており、かつ通過帯域よりも高域側において、リッ
プルＹ７，Ｙ８の現れていることがわかる。
域内において、矢印Ａ３，Ａ４で示す大きなリップルが
現れており、かつ通過帯域よりも高域側において、リッ
プルＹ７，Ｙ８の現れていることがわかる。
【００３４】これに対して、図３（ａ）に示す特性で
は、通過帯域内にさほど大きなリップルは現れておら
ず、かつ通過帯域よりも低域側及び高域側においても、
通過帯域近傍にリップルがほとんど現れていないことが
わかる。
は、通過帯域内にさほど大きなリップルは現れておら
ず、かつ通過帯域よりも低域側及び高域側においても、
通過帯域近傍にリップルがほとんど現れていないことが
わかる。
【００３５】従って、メタライゼイションレシオｄと、
規格化膜厚ｈ／λを調整することにより、電極指の対数
を少なくして小型化を図った場合でも、横モードに起因
するリップルを効果的に抑圧し得ることがわかる。
規格化膜厚ｈ／λを調整することにより、電極指の対数
を少なくして小型化を図った場合でも、横モードに起因
するリップルを効果的に抑圧し得ることがわかる。
【００３６】すなわち、本発明は、例えば、Ｔａのよう
に、Ａｌよりも質量の大きな金属材料を用いてＩＤＴを
形成し、電極指の対数を低減して小型化を図った場合に
おいても、横モードに起因するリップルが抑圧されるよ
うに、ＩＤＴのメタライゼイションレシオｄ及び規格膜
厚ｈ／λの値を選択したことに特徴を有するものであ
る。
に、Ａｌよりも質量の大きな金属材料を用いてＩＤＴを
形成し、電極指の対数を低減して小型化を図った場合に
おいても、横モードに起因するリップルが抑圧されるよ
うに、ＩＤＴのメタライゼイションレシオｄ及び規格膜
厚ｈ／λの値を選択したことに特徴を有するものであ
る。
【００３７】上記のように、質量の大きな金属を用いて
ＩＤＴを構成した場合、ＩＤＴ１３，１４内の音速が周
囲よりも非常に遅くなり、導波路効果が強くなる。従っ
て、先行技術において見られたように、横モードによる
リップルが大きくなる。しかしながら、図２及び図３か
ら明らかなように、ある特定の範囲の膜厚ｈにおいて、
横モードによるリップルがほとんど生じないことがわか
った。この膜厚よりも薄い場合には、図２（ａ）及び
（ｂ）に示したように、通過帯域の低周波数側に横モー
ドによるリップルが現れ、上記特定の膜厚よりも厚い場
合には、図３（ｂ）に示したように、通過帯域よりも高
周波側に横モードによるリップルが発生している。
ＩＤＴを構成した場合、ＩＤＴ１３，１４内の音速が周
囲よりも非常に遅くなり、導波路効果が強くなる。従っ
て、先行技術において見られたように、横モードによる
リップルが大きくなる。しかしながら、図２及び図３か
ら明らかなように、ある特定の範囲の膜厚ｈにおいて、
横モードによるリップルがほとんど生じないことがわか
った。この膜厚よりも薄い場合には、図２（ａ）及び
（ｂ）に示したように、通過帯域の低周波数側に横モー
ドによるリップルが現れ、上記特定の膜厚よりも厚い場
合には、図３（ｂ）に示したように、通過帯域よりも高
周波側に横モードによるリップルが発生している。
【００３８】上記のように、膜厚によりリップルの生じ
る周波数が、低周波数側から高周波数側へシフトする現
象は、Ａｌを主成分とする材料によりＩＤＴを構成した
弾性表面波装置ではみられない。ところが、Ｔａのよう
にＡｌよりも大きな質量の金属材料を用いてＩＤＴ１
３，１４を構成した場合、リップル発生周波数が上記の
ようにシフトする現象がみられる。これは、以下の理由
によると考えられる。
る周波数が、低周波数側から高周波数側へシフトする現
象は、Ａｌを主成分とする材料によりＩＤＴを構成した
弾性表面波装置ではみられない。ところが、Ｔａのよう
にＡｌよりも大きな質量の金属材料を用いてＩＤＴ１
３，１４を構成した場合、リップル発生周波数が上記の
ようにシフトする現象がみられる。これは、以下の理由
によると考えられる。
【００３９】横モードの発生する周波数の計算方法の１
つとして、導波路モデルを用いた解析方法が存在するの
で、この解析方法に基づいて説明を行なう。ＩＤＴ１
３，１４の電極指に直交する方向を基準０（ｒａｄ）と
し、そこから角度θ（ｒａｄ）だけずれた方向に伝搬す
る表面波の音速をＶsaw（θ）とする。さらに、Ｖ
saw（θ）をθに関し、二次関数Ｖsaw（θ）＝Ｖ0｛１
＋（γ／２）θ2 ｝で近似する。γは、一般に、基板音
速の異方性指数と呼ばれているものであり、各種文献に
記載されているものである。例えば、ＳＴカット水晶基
板の場合、γ＝０．３７８であることが知られている。
つとして、導波路モデルを用いた解析方法が存在するの
で、この解析方法に基づいて説明を行なう。ＩＤＴ１
３，１４の電極指に直交する方向を基準０（ｒａｄ）と
し、そこから角度θ（ｒａｄ）だけずれた方向に伝搬す
る表面波の音速をＶsaw（θ）とする。さらに、Ｖ
saw（θ）をθに関し、二次関数Ｖsaw（θ）＝Ｖ0｛１
＋（γ／２）θ2 ｝で近似する。γは、一般に、基板音
速の異方性指数と呼ばれているものであり、各種文献に
記載されているものである。例えば、ＳＴカット水晶基
板の場合、γ＝０．３７８であることが知られている。
【００４０】上記γを導入し、導波路モデルを使って、
横モードの周波数を計算すると、γの値が−１よりも大
きい場合には、基本モードよりも高周波数側に横モード
が現れ、γが−１よりも小さい場合には、低周波数側に
横モードが現れることがわかる。
横モードの周波数を計算すると、γの値が−１よりも大
きい場合には、基本モードよりも高周波数側に横モード
が現れ、γが−１よりも小さい場合には、低周波数側に
横モードが現れることがわかる。
【００４１】従って、ＳＴカット水晶基板の場合には、
基本モードよりも高周波数側に横モードが発生すること
になる。実際に、Ａｌからなる電極を有し、レイリー波
を用いた表面波装置では、横モードでは基本モードより
も高周波側に発生することが知られている。
基本モードよりも高周波数側に横モードが発生すること
になる。実際に、Ａｌからなる電極を有し、レイリー波
を用いた表面波装置では、横モードでは基本モードより
も高周波側に発生することが知られている。
【００４２】なお、上記γは基板の音速異方性指数であ
るが、実際には基板上に電極が形成されている場合に
は、電極の質量等も考慮して音速異方性を検討しなけれ
ばならない。従って、以下においては、電極の質量をも
含めた音速異方性指数をγｘとする。
るが、実際には基板上に電極が形成されている場合に
は、電極の質量等も考慮して音速異方性を検討しなけれ
ばならない。従って、以下においては、電極の質量をも
含めた音速異方性指数をγｘとする。
【００４３】以上の事実から、本願発明者らは、以下の
ように考えられることを見いだした。すなわち、現在表
面波装置の電極材料として広く用いられている、Ａｌを
主成分とする電極材料を用いた場合、電極の膜厚やメタ
ライゼイションレシオの影響によるγｘの変化は軽微
で、基板自体のγから大きく変動することはなかった。
しかしながら、電極材料として、Ｔａのような質量の大
きな材料を用いた場合には、電極の質量負荷作用によ
り、すなわち電極膜厚によっても、γｘが大きく変動す
る。電極膜厚が薄い場合には、γｘ＜−１であり、通過
帯域よりも低周波側に横モードが発生し、膜厚を厚くす
ると、γｘは次第に大きくなり、γｘ＞−１となり、通
過帯域よりも高周波側に横モードが発生すると考えられ
る。そして、γｘが、γｘ＜−１からγｘ＞−１へ移行
するγｘ＝−１近傍で横モードが発生し難くなるため、
３（ａ）に示したように、横モードによるリップルを低
減または完全に除去し得ると考えられる。
ように考えられることを見いだした。すなわち、現在表
面波装置の電極材料として広く用いられている、Ａｌを
主成分とする電極材料を用いた場合、電極の膜厚やメタ
ライゼイションレシオの影響によるγｘの変化は軽微
で、基板自体のγから大きく変動することはなかった。
しかしながら、電極材料として、Ｔａのような質量の大
きな材料を用いた場合には、電極の質量負荷作用によ
り、すなわち電極膜厚によっても、γｘが大きく変動す
る。電極膜厚が薄い場合には、γｘ＜−１であり、通過
帯域よりも低周波側に横モードが発生し、膜厚を厚くす
ると、γｘは次第に大きくなり、γｘ＞−１となり、通
過帯域よりも高周波側に横モードが発生すると考えられ
る。そして、γｘが、γｘ＜−１からγｘ＞−１へ移行
するγｘ＝−１近傍で横モードが発生し難くなるため、
３（ａ）に示したように、横モードによるリップルを低
減または完全に除去し得ると考えられる。
【００４４】上記の仮説を検証するために、有限要素法
より、γｘを評価した。すなわち、メタライゼイション
レシオｄ＝０．７５の場合に、規格化膜厚ｈ／λを変化
させ、異方性指数γｘを求めた。結果を図４に示す。
より、γｘを評価した。すなわち、メタライゼイション
レシオｄ＝０．７５の場合に、規格化膜厚ｈ／λを変化
させ、異方性指数γｘを求めた。結果を図４に示す。
【００４５】図４から明らかなように、ｈ／λ＝２．２
％近傍を境界にして、γｘは、γｘ＜−１の領域からγ
ｘ＞−１の領域に移ることが明らかとなった。そこで、
上記実験結果を考慮し、横モードにおきるリップルが事
実上除去されていると考えられる範囲すなわちリップル
が０．５ｄＢ以下となる範囲を求めた。その結果、メタ
ライゼイションレシオ＝０．７５の場合、規格化膜厚ｈ
／λを、２．１０％〜２．２５％（γｘで−１．１０以
上、−０．９６以下）とすればよいことがわかった。
％近傍を境界にして、γｘは、γｘ＜−１の領域からγ
ｘ＞−１の領域に移ることが明らかとなった。そこで、
上記実験結果を考慮し、横モードにおきるリップルが事
実上除去されていると考えられる範囲すなわちリップル
が０．５ｄＢ以下となる範囲を求めた。その結果、メタ
ライゼイションレシオ＝０．７５の場合、規格化膜厚ｈ
／λを、２．１０％〜２．２５％（γｘで−１．１０以
上、−０．９６以下）とすればよいことがわかった。
【００４６】また、上記弾性表面波装置１１において、
メタライゼイションレシオｄを種々異ならせ、メタライ
ゼイションレシオｄが他の値の場合においても、同様に
有限要素法を用いて計算し、かつリップルが１．５ｄＢ
以下または０．５ｄＢ以下に低減し得る範囲を求めた。
結果を図５に示す。
メタライゼイションレシオｄを種々異ならせ、メタライ
ゼイションレシオｄが他の値の場合においても、同様に
有限要素法を用いて計算し、かつリップルが１．５ｄＢ
以下または０．５ｄＢ以下に低減し得る範囲を求めた。
結果を図５に示す。
【００４７】図５から明らかなように、横モードによる
帯域内リップルを１．５ｄＢ以下とするには０．６ｄ＋
１．５０〜０．６ｄ＋１．８７、また０．５ｄＢ以下に
するには、０．６ｄ＋１．６５≦ｈ／λ≦０．６ｄ＋
１．８１の範囲とすればよいことがわかる。上記のよう
に、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ１１において
は、交差幅重み付け等を行なわずとも、メタライゼイシ
ョンレシオｄ及び規格化膜厚ｈ／λを制御することによ
り、横モードに起因するリップルを効果的に抑圧し得る
ことがわかる。すなわち、縦結合共振子型弾性表面波フ
ィルタ１１の小型化を妨げることなく、横モードに起因
するリップルを効果的に抑圧し得ることがわかる。
帯域内リップルを１．５ｄＢ以下とするには０．６ｄ＋
１．５０〜０．６ｄ＋１．８７、また０．５ｄＢ以下に
するには、０．６ｄ＋１．６５≦ｈ／λ≦０．６ｄ＋
１．８１の範囲とすればよいことがわかる。上記のよう
に、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ１１において
は、交差幅重み付け等を行なわずとも、メタライゼイシ
ョンレシオｄ及び規格化膜厚ｈ／λを制御することによ
り、横モードに起因するリップルを効果的に抑圧し得る
ことがわかる。すなわち、縦結合共振子型弾性表面波フ
ィルタ１１の小型化を妨げることなく、横モードに起因
するリップルを効果的に抑圧し得ることがわかる。
【００４８】また、本願発明者らは、ＩＤＴの電極指交
差幅の変化が、横モードリップルにどのように影響する
かを調べた。図６（ａ），（ｂ）は、上記縦結合共振子
型弾性表面波フィルタ１１において、上記実験例と同様
に、ＩＤＴ１３，１４をＴａで形成し、メタライゼイシ
ョンレシオｄ＝０．７５、ｈ／λ＝２．１５％とし、電
極指交差幅を１０λ、２５λ、４０λ、６０λ、８０λ
及び１００λと変化させた場合の各減衰量周波数特性を
示す。なお、図６（ａ）及び（ｂ）において、破線は、
右側の拡大されたスケールで示す減衰量周波数特性の要
部を示す。
差幅の変化が、横モードリップルにどのように影響する
かを調べた。図６（ａ），（ｂ）は、上記縦結合共振子
型弾性表面波フィルタ１１において、上記実験例と同様
に、ＩＤＴ１３，１４をＴａで形成し、メタライゼイシ
ョンレシオｄ＝０．７５、ｈ／λ＝２．１５％とし、電
極指交差幅を１０λ、２５λ、４０λ、６０λ、８０λ
及び１００λと変化させた場合の各減衰量周波数特性を
示す。なお、図６（ａ）及び（ｂ）において、破線は、
右側の拡大されたスケールで示す減衰量周波数特性の要
部を示す。
【００４９】図６（ａ），(ｂ）から明らかなように、
交差幅を大きく変更しても横モードによるリップルが生
じていないことがわかる。図４及び図５では、ＩＤＴを
Ｔａで形成したが、本発明においては、ＩＤＴを構成す
る電極材料はＴａに限定されない。
交差幅を大きく変更しても横モードによるリップルが生
じていないことがわかる。図４及び図５では、ＩＤＴを
Ｔａで形成したが、本発明においては、ＩＤＴを構成す
る電極材料はＴａに限定されない。
【００５０】本願発明者らは、Ｔａに代えてＷによりＩ
ＤＴ１３，１４を形成し、図４及び図５と同様に、規格
化膜厚ｈ／λを変化させ、異方性指数γｘの変化を調べ
るとともに、メタライゼイションレシオｄを種々異なら
せ、帯域内リップルを１．５ｄＢ以下または０．５ｄＢ
以下に低減し得る範囲を求めた。結果を図７及び図８に
示す。
ＤＴ１３，１４を形成し、図４及び図５と同様に、規格
化膜厚ｈ／λを変化させ、異方性指数γｘの変化を調べ
るとともに、メタライゼイションレシオｄを種々異なら
せ、帯域内リップルを１．５ｄＢ以下または０．５ｄＢ
以下に低減し得る範囲を求めた。結果を図７及び図８に
示す。
【００５１】図７から明らかなように、メタライゼイシ
ョンレシオｄ＝０．７５の場合、規格化膜厚ｈ／λを、
１．３％〜１．７５％とすれば、リップルを１．５ｄＢ
以下とすることができ、１．４５％〜１．６８％の範囲
とすれば、０．５ｄＢ以下とし得ることがわかった。ま
た、図８から明らかなように、メタライゼイションレシ
オｄを変化させた場合の結果から、横モードリップルを
１．５ｄＢ以下とするには０．６ｄ＋０．８５〜０．６
ｄ＋１．３０の範囲とすればよく、０．５ｄＢ以下とす
るには０．６ｄ＋１．００〜０．６ｄ＋１．２３の範囲
とすればよいことがわかった。
ョンレシオｄ＝０．７５の場合、規格化膜厚ｈ／λを、
１．３％〜１．７５％とすれば、リップルを１．５ｄＢ
以下とすることができ、１．４５％〜１．６８％の範囲
とすれば、０．５ｄＢ以下とし得ることがわかった。ま
た、図８から明らかなように、メタライゼイションレシ
オｄを変化させた場合の結果から、横モードリップルを
１．５ｄＢ以下とするには０．６ｄ＋０．８５〜０．６
ｄ＋１．３０の範囲とすればよく、０．５ｄＢ以下とす
るには０．６ｄ＋１．００〜０．６ｄ＋１．２３の範囲
とすればよいことがわかった。
【００５２】なお、上記実施例では、１段の縦結合共振
子型弾性表面波フィルタにつき説明したが、図９に示す
弾性表面波装置２１のように縦結合共振子型弾性表面波
フィルタを２段縦続接続した構成であってもよい。ここ
では、１段目の縦結合共振子型弾性表面波フィルタが、
ＩＤＴ２３，２４及び反射器２５，２６を有し、２段目
の縦結合共振子型弾性表面波フィルタが、ＩＤＴ２７，
２８及び反射器２９，３０を有する。１段目及び２段目
の各縦結合共振子型弾性表面波フィルタは、図１に示し
た縦結合共振子型弾性表面波フィルタと同様に構成され
ており、ＩＤＴ２３のくし歯電極２３ａ，２３ｂのう
ち、一方のくし歯電極２３ｂが、２段目の縦結合共振子
型弾性表面波フィルタのＩＤＴ２８のくし歯電極２８
ａ，２８ｂのうちの一方のくし歯電極２８ａに電気的に
接続されている。
子型弾性表面波フィルタにつき説明したが、図９に示す
弾性表面波装置２１のように縦結合共振子型弾性表面波
フィルタを２段縦続接続した構成であってもよい。ここ
では、１段目の縦結合共振子型弾性表面波フィルタが、
ＩＤＴ２３，２４及び反射器２５，２６を有し、２段目
の縦結合共振子型弾性表面波フィルタが、ＩＤＴ２７，
２８及び反射器２９，３０を有する。１段目及び２段目
の各縦結合共振子型弾性表面波フィルタは、図１に示し
た縦結合共振子型弾性表面波フィルタと同様に構成され
ており、ＩＤＴ２３のくし歯電極２３ａ，２３ｂのう
ち、一方のくし歯電極２３ｂが、２段目の縦結合共振子
型弾性表面波フィルタのＩＤＴ２８のくし歯電極２８
ａ，２８ｂのうちの一方のくし歯電極２８ａに電気的に
接続されている。
【００５３】弾性表面波装置２１においても、ＩＤＴ２
３，２４，２７，２８を、上記実施例と同様に構成する
ことにより、横モードによるリップルを効果的に抑圧す
ることができる。
３，２４，２７，２８を、上記実施例と同様に構成する
ことにより、横モードによるリップルを効果的に抑圧す
ることができる。
【００５４】また、本発明に係る弾性表面波装置は、上
記のような縦結合共振子型弾性表面波フィルタに限定さ
れるものではない。すなわち、図１０に示す１ポート型
弾性表面波共振子３１においても、水晶基板３２上に形
成されているＩＤＴ３３を、上記実施例のＩＤＴ１３，
１４と同様に構成することにより、横モードによるリッ
プルを抑圧し得ることがわかる。なお、図１０におい
て、３３ａ，３３ｂはくし歯電極を、３４，３５は反射
器を示す。
記のような縦結合共振子型弾性表面波フィルタに限定さ
れるものではない。すなわち、図１０に示す１ポート型
弾性表面波共振子３１においても、水晶基板３２上に形
成されているＩＤＴ３３を、上記実施例のＩＤＴ１３，
１４と同様に構成することにより、横モードによるリッ
プルを抑圧し得ることがわかる。なお、図１０におい
て、３３ａ，３３ｂはくし歯電極を、３４，３５は反射
器を示す。
【００５５】さらに、上記のように、本発明は、上記１
ポート型弾性表面波共振子が複数配置されており、複数
の弾性表面波共振子が電気的に接続されてフィルタ回路
を構成している様々な弾性表面波フィルタにも適用する
ことができる。例えば、図１１に示すように、複数の直
列腕共振子Ｓ１〜Ｓ３と、並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４とを
有するラダー型フィルタを構成するように、複数の１ポ
ート型ＳＡＷ共振子が水晶基板上において接続されてい
る構造であってもよい。同様に、複数の１ポート型弾性
表面波共振子がラチス型回路を構成するように接続され
ていてもよい。
ポート型弾性表面波共振子が複数配置されており、複数
の弾性表面波共振子が電気的に接続されてフィルタ回路
を構成している様々な弾性表面波フィルタにも適用する
ことができる。例えば、図１１に示すように、複数の直
列腕共振子Ｓ１〜Ｓ３と、並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４とを
有するラダー型フィルタを構成するように、複数の１ポ
ート型ＳＡＷ共振子が水晶基板上において接続されてい
る構造であってもよい。同様に、複数の１ポート型弾性
表面波共振子がラチス型回路を構成するように接続され
ていてもよい。
【００５６】また、上記実施例では、ＩＤＴ１３，１４
は、Ｔａにより形成されていたが、本発明においては、
ＩＤＴは、Ａｌよりも質量の大きな適宜の金属を用いて
構成され得る。また、ＩＤＴは、単一の金属材料により
構成される必要は必ずしもなく、ＩＤＴ全体がＡｌから
なるＩＤＴに比べて質量が大きい限り、複数の電極層を
積層した構造であってもよい。その場合には、少なくと
も１個の電極層が、Ａｌよりも質量の大きな金属または
合金からなる。
は、Ｔａにより形成されていたが、本発明においては、
ＩＤＴは、Ａｌよりも質量の大きな適宜の金属を用いて
構成され得る。また、ＩＤＴは、単一の金属材料により
構成される必要は必ずしもなく、ＩＤＴ全体がＡｌから
なるＩＤＴに比べて質量が大きい限り、複数の電極層を
積層した構造であってもよい。その場合には、少なくと
も１個の電極層が、Ａｌよりも質量の大きな金属または
合金からなる。
【００５７】また、本発明に係る弾性表面波装置は、弾
性表面波共振子や弾性表面波フィルタ等の様々な弾性表
面波装置に適用し得るものであるが、例えば弾性表面波
フィルタを構成した場合、移動体通信機の帯域フィルタ
として好適に用いることができる。
性表面波共振子や弾性表面波フィルタ等の様々な弾性表
面波装置に適用し得るものであるが、例えば弾性表面波
フィルタを構成した場合、移動体通信機の帯域フィルタ
として好適に用いることができる。
【００５８】図１２において、アンテナ１６１に、ディ
プレクサ１６２が接続されている。ディプレクサ１６２
と受信側ミキサ１６３との間に、ＲＦ段を構成する弾性
表面波フィルタ１６４及び増幅器１６５が接続されてい
る。さらにミキサ１６３にＩＦ段の表面波フィルタ１６
９が接続されている。また、ディプレクサ１６２と送信
側のミキサ１６６との間には、ＲＦ段を構成する増幅器
１６７及び弾性表面波フィルタ１６８が接続されてい
る。
プレクサ１６２が接続されている。ディプレクサ１６２
と受信側ミキサ１６３との間に、ＲＦ段を構成する弾性
表面波フィルタ１６４及び増幅器１６５が接続されてい
る。さらにミキサ１６３にＩＦ段の表面波フィルタ１６
９が接続されている。また、ディプレクサ１６２と送信
側のミキサ１６６との間には、ＲＦ段を構成する増幅器
１６７及び弾性表面波フィルタ１６８が接続されてい
る。
【００５９】上記通信機１６０におけるＩＦ段の表面波
フィルタ１６９として本発明に従って構成された弾性表
面波装置を好適に用いることができる。本発明に係る弾
性表面波装置では、上記のように、水晶基板上に、Ａｌ
よりも質量効果の大きな電極構造からなる少なくとも１
つのＩＤＴを備えている構成において、横モードにおけ
るリップルが０．５ｄＢ以下となるように、ＩＤＴメタ
ライゼイションレシオｄ及び規格化膜厚ｈ／λが所定の
範囲に制御されている。この場合、このような規格化膜
厚ｈ／λを満たすＩＤＴを形成しようとする場合、水晶
基板上に金属膜を形成した後、反応性イオンエッチング
またはリフトオフプロセスによりパターニングして少な
くとも１個のＩＤＴを形成する方法が好適に用いられ
る。すなわち、Ａｌを主体とする材料からなるＩＤＴを
構成する場合、従来、ウエットエッチングによるパター
ニングが広く用いられていたが、ウエットエッチングは
超微細加工に不向きであり、上記特定の規格化膜厚ｈ／
λを満たす線幅のＩＤＴを形成することは不可能であ
り、反応性イオンエッチングまたはリフトオフプロセス
によるパターニング法を用いることにより、上記規格化
膜厚ｈ／λを満たす線幅の電極指を高精度に形成するこ
とができる。
フィルタ１６９として本発明に従って構成された弾性表
面波装置を好適に用いることができる。本発明に係る弾
性表面波装置では、上記のように、水晶基板上に、Ａｌ
よりも質量効果の大きな電極構造からなる少なくとも１
つのＩＤＴを備えている構成において、横モードにおけ
るリップルが０．５ｄＢ以下となるように、ＩＤＴメタ
ライゼイションレシオｄ及び規格化膜厚ｈ／λが所定の
範囲に制御されている。この場合、このような規格化膜
厚ｈ／λを満たすＩＤＴを形成しようとする場合、水晶
基板上に金属膜を形成した後、反応性イオンエッチング
またはリフトオフプロセスによりパターニングして少な
くとも１個のＩＤＴを形成する方法が好適に用いられ
る。すなわち、Ａｌを主体とする材料からなるＩＤＴを
構成する場合、従来、ウエットエッチングによるパター
ニングが広く用いられていたが、ウエットエッチングは
超微細加工に不向きであり、上記特定の規格化膜厚ｈ／
λを満たす線幅のＩＤＴを形成することは不可能であ
り、反応性イオンエッチングまたはリフトオフプロセス
によるパターニング法を用いることにより、上記規格化
膜厚ｈ／λを満たす線幅の電極指を高精度に形成するこ
とができる。
【００６０】また、本発明に係る弾性表面波装置におい
て、水晶基板を研磨することにより周波数調整を行なう
必要がある場合には、あるいはＴａ等の質量の大きな金
属からなる電極層の下地に他の電極層を形成する場合等
においては、Ａｌよりも質量の大きな電極層による質量
負荷に対する水晶基板の研磨による影響あるいは下地の
電極層の質量負荷作用を総合的に考慮し、上記規格化膜
厚ｈ／λと等価な膜厚にＩＤＴの膜厚を設定すればよ
く、それによって上記実施例と同様に横モードによるリ
ップルを効果的に抑圧することができる。
て、水晶基板を研磨することにより周波数調整を行なう
必要がある場合には、あるいはＴａ等の質量の大きな金
属からなる電極層の下地に他の電極層を形成する場合等
においては、Ａｌよりも質量の大きな電極層による質量
負荷に対する水晶基板の研磨による影響あるいは下地の
電極層の質量負荷作用を総合的に考慮し、上記規格化膜
厚ｈ／λと等価な膜厚にＩＤＴの膜厚を設定すればよ
く、それによって上記実施例と同様に横モードによるリ
ップルを効果的に抑圧することができる。
【００６１】
【発明の効果】第１の発明に係る弾性表面波装置では、
横モードによるリップルが０．５ｄＢ以下となるよう
に、ＩＤＴのメタライゼイションレシオｄ及び規格化膜
厚ｈ／λが所定の範囲に制御されている。従って、Ａｌ
に比べて質量負荷効果の大きな電極からなるＩＤＴを用
い、電極指の対数を少なくして小型化を図った場合にお
いても、横モードに起因するリップルを効果的に抑圧す
ることができる。よって、小型であり、周波数特性に優
れた、ＳＨタイプを利用した弾性表面波装置を提供する
ことができる。
横モードによるリップルが０．５ｄＢ以下となるよう
に、ＩＤＴのメタライゼイションレシオｄ及び規格化膜
厚ｈ／λが所定の範囲に制御されている。従って、Ａｌ
に比べて質量負荷効果の大きな電極からなるＩＤＴを用
い、電極指の対数を少なくして小型化を図った場合にお
いても、横モードに起因するリップルを効果的に抑圧す
ることができる。よって、小型であり、周波数特性に優
れた、ＳＨタイプを利用した弾性表面波装置を提供する
ことができる。
【００６２】第２の発明に係る弾性表面波装置では、水
晶基板上にＴａからなる少なくとも１つのＩＤＴが形成
されており、ＩＤＴの規格化膜厚ｈ／λが、メタライゼ
イションレシオをｄとしたときに、０．６ｄ＋１．６５
〜０．６ｄ＋１．８１の範囲とされているので、横モー
ドによるリップルを効果的に抑圧することができる。従
って、Ｔａからなる少なくとも１つのＩＤＴを形成し
て、該ＩＤＴの電極指の対数を少なくして小型化を図っ
た場合においても、横モードによるリップルを抑圧する
ことができるので、小型であり、かつ周波数特性に優れ
た、ＳＨタイプの表面波を利用した弾性表面波装置を提
供することが可能となる。
晶基板上にＴａからなる少なくとも１つのＩＤＴが形成
されており、ＩＤＴの規格化膜厚ｈ／λが、メタライゼ
イションレシオをｄとしたときに、０．６ｄ＋１．６５
〜０．６ｄ＋１．８１の範囲とされているので、横モー
ドによるリップルを効果的に抑圧することができる。従
って、Ｔａからなる少なくとも１つのＩＤＴを形成し
て、該ＩＤＴの電極指の対数を少なくして小型化を図っ
た場合においても、横モードによるリップルを抑圧する
ことができるので、小型であり、かつ周波数特性に優れ
た、ＳＨタイプの表面波を利用した弾性表面波装置を提
供することが可能となる。
【００６３】第３の発明に係る弾性表面波装置では、水
晶基板上にＷからなく少なくとも１つのＩＤＴが形成さ
れており、ＩＤＴの規格化膜厚ｈ／λが０．６ｄ＋０．
８５〜０．６ｄ＋１．３０の範囲とされているので、Ｉ
ＤＴの電極指の対数を少なくして小型化を図った場合に
も、横モードによるリップルを低減することができ、小
型であり、周波数特性に優れた、ＳＨタイプの周波数を
利用した弾性表面波装置を提供することができる。特
に、ｈ／λを０．６ｄ＋１．００〜０．６ｄ＋１．２３
の範囲としたときには、横モードによるリップルをより
効果的に抑圧することができる。
晶基板上にＷからなく少なくとも１つのＩＤＴが形成さ
れており、ＩＤＴの規格化膜厚ｈ／λが０．６ｄ＋０．
８５〜０．６ｄ＋１．３０の範囲とされているので、Ｉ
ＤＴの電極指の対数を少なくして小型化を図った場合に
も、横モードによるリップルを低減することができ、小
型であり、周波数特性に優れた、ＳＨタイプの周波数を
利用した弾性表面波装置を提供することができる。特
に、ｈ／λを０．６ｄ＋１．００〜０．６ｄ＋１．２３
の範囲としたときには、横モードによるリップルをより
効果的に抑圧することができる。
【００６４】また、本発明に従って、複数のＩＤＴを縦
結合共振子フィルタを構成するように複数個形成した場
合には、小型であり、周波数特性に優れた縦結合共振子
フィルタを提供することができ、この場合、少なくとも
２段の縦結合共振子型フィルタが縦続接続されていても
よい。
結合共振子フィルタを構成するように複数個形成した場
合には、小型であり、周波数特性に優れた縦結合共振子
フィルタを提供することができ、この場合、少なくとも
２段の縦結合共振子型フィルタが縦続接続されていても
よい。
【００６５】また、本発明に従って、ＩＤＴを１ポート
型弾性表面波共振子を構成するように水晶基板上に配置
した場合には、本発明に従って小型であり、かつ周波数
特性に優れた１ポート型弾性表面波共振子を提供するこ
とができる。
型弾性表面波共振子を構成するように水晶基板上に配置
した場合には、本発明に従って小型であり、かつ周波数
特性に優れた１ポート型弾性表面波共振子を提供するこ
とができる。
【００６６】同様に、水晶基板上に、複数のＩＤＴを形
成した構造において、各ＩＤＴが１ポート型弾性表面波
共振子を構成し、かつ水晶基板上においてラダー型フィ
ルタまたはラチス型フィルタ等を構成するように複数の
１ポート型弾性表面波共振子を電気的に接続した場合に
は、本発明に従って、小型であり、かつ周波数特性に優
れたラダー型フィルタやラチス型フィルタ等を提供する
ことができる。
成した構造において、各ＩＤＴが１ポート型弾性表面波
共振子を構成し、かつ水晶基板上においてラダー型フィ
ルタまたはラチス型フィルタ等を構成するように複数の
１ポート型弾性表面波共振子を電気的に接続した場合に
は、本発明に従って、小型であり、かつ周波数特性に優
れたラダー型フィルタやラチス型フィルタ等を提供する
ことができる。
【００６７】本発明に係る弾性表面波共振子の製造方法
によれば、水晶基板上にＡｌよりも質量負荷効果が大き
い金属膜を形成し、横モードにはリップルが１．０ｄＢ
以下となるメタライゼイションレシオｄ及び規格化膜厚
ｈ／λを満たすように上記金属膜を反応性イオンエッチ
ングまたはリフトオフプロセスにより、パターニングす
ることにより少なくとも１個のＩＤＴが形成される。従
って、本発明に従って、電極指の対数を少なくして、小
型化を図った場合でも、横モードリップルが抑圧された
弾性表面波装置を提供することができ、しかも、上記反
応性イオンエッチングまたはリフトオフプロセスにより
パターニングが行なわれるので、上記規格化膜厚ｈ／λ
を満たすＩＤＴを確実に形成することができる。
によれば、水晶基板上にＡｌよりも質量負荷効果が大き
い金属膜を形成し、横モードにはリップルが１．０ｄＢ
以下となるメタライゼイションレシオｄ及び規格化膜厚
ｈ／λを満たすように上記金属膜を反応性イオンエッチ
ングまたはリフトオフプロセスにより、パターニングす
ることにより少なくとも１個のＩＤＴが形成される。従
って、本発明に従って、電極指の対数を少なくして、小
型化を図った場合でも、横モードリップルが抑圧された
弾性表面波装置を提供することができ、しかも、上記反
応性イオンエッチングまたはリフトオフプロセスにより
パターニングが行なわれるので、上記規格化膜厚ｈ／λ
を満たすＩＤＴを確実に形成することができる。
【図１】本発明の一実施例に係る弾性表面波装置を示す
模式的平面図。
模式的平面図。
【図２】（ａ）,（ｂ）は、メタライゼイションレシオ
ｄ＝０．７５とし、ｈ／λが１．８％及び２．０％の場
合の弾性表面波装置の減衰量周波数特性を示す。
ｄ＝０．７５とし、ｈ／λが１．８％及び２．０％の場
合の弾性表面波装置の減衰量周波数特性を示す。
【図３】（ａ）,（ｂ）は、メタライゼイションレシオ
ｄ＝０．７５とし、ｈ／λが２．２％及び２．４％の場
合の弾性表面波装置の減衰量周波数特性を示す。
ｄ＝０．７５とし、ｈ／λが２．２％及び２．４％の場
合の弾性表面波装置の減衰量周波数特性を示す。
【図４】水晶基板上にＴａからなるＩＤＴを構成した構
造における規格化膜厚ｈ／λと異方性指数との関係を示
す。
造における規格化膜厚ｈ／λと異方性指数との関係を示
す。
【図５】本発明に従って横モードによるリップルが抑圧
し得る範囲を示す図であり、メタライゼイションレシオ
と規格化膜厚ｈ／λとの関係を示す図。
し得る範囲を示す図であり、メタライゼイションレシオ
と規格化膜厚ｈ／λとの関係を示す図。
【図６】（ａ）は、メタライゼイションレシオ＝０．７
５、ｈ／λ＝２．１５％の場合に、電極指交差幅を１０
λ、２５λ及び４０λとした場合の各減衰量周波数特性
を示す図であり、（ｂ）は、メタライゼイションレシオ
＝０．７５、ｈ／λ＝２．１５％の場合に、電極指交差
幅を６０λ、８０λ及び１００λとした場合の各減衰量
周波数特性を示す図。
５、ｈ／λ＝２．１５％の場合に、電極指交差幅を１０
λ、２５λ及び４０λとした場合の各減衰量周波数特性
を示す図であり、（ｂ）は、メタライゼイションレシオ
＝０．７５、ｈ／λ＝２．１５％の場合に、電極指交差
幅を６０λ、８０λ及び１００λとした場合の各減衰量
周波数特性を示す図。
【図７】水晶基板上にＷからなるＩＤＴを構成した構造
における規格化膜厚ｈ／λと異方性指数との関係を示
す。
における規格化膜厚ｈ／λと異方性指数との関係を示
す。
【図８】本発明に従って横モードによるリップルが抑圧
し得る範囲を示す図であり、メタライゼイションレシオ
と規格化膜厚ｈ／λとの関係を示す図。
し得る範囲を示す図であり、メタライゼイションレシオ
と規格化膜厚ｈ／λとの関係を示す図。
【図９】本発明の弾性表面波装置の変形例を示す模式的
平面図。
平面図。
【図１０】本発明の弾性表面波装置において構成される
フィルタ回路としての一例としてのラダー型回路を示す
回路図。
フィルタ回路としての一例としてのラダー型回路を示す
回路図。
【図１１】本発明に係る弾性表面波装置が用いられてい
る通信機を説明するための概略ブロック図。
る通信機を説明するための概略ブロック図。
【図１２】本発明に係る弾性表面波装置が用いられてい
る通信機の他の例を説明するための概略ブロック図。
る通信機の他の例を説明するための概略ブロック図。
【図１３】従来の弾性表面波装置の問題点を説明するた
めの減衰量周波数特性を示す図。
めの減衰量周波数特性を示す図。
１１…弾性表面波装置 １２…水晶基板 １３，１４…ＩＤＴ １５，１６…反射器 ２１…弾性表面波装置 ２３，２４…ＩＤＴ ２５，２６反射器 ２７，２８…ＩＤＴ ２９，３０…反射器 ３１…弾性表面波装置 ３２…水晶基板 ３３…ＩＤＴ ３４，３５…反射器 ４１…ラダー型フィルタ
フロントページの続き (72)発明者 門田 道雄 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 米田 年麿 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5J097 AA15 AA29 BB02 CC02 CC03 DD04 DD28 FF03 GG07 HA02 KK04 KK05
Claims (17)
- 【請求項１】 水晶基板と、水晶基板上に形成されてお
り、Ａｌに比べて質量負荷効果の大きな電極からなる少
なくとも１つのインターデジタルトランスデューサとを
備えるＳＨタイプの表面波を利用した弾性表面波装置で
あって、 前記インターデジタルトランスデューサのメタライゼイ
ションレシオをｄ、表面波の波長をλ、インターデジタ
ルトランスデューサの電極膜厚をｈとしたときに、横モ
ードによるリップルが０．５ｄＢ以下となるように、メ
タライゼイションレシオｄ及びインターデジタルトラン
スデューサの規格化膜厚ｈ／λが所定の範囲に制御され
ている、弾性表面波装置。 - 【請求項２】 前記インターデジタルトランスデューサ
が、Ａｌよりも質量の大きな金属からなる少なくとも１
層の電極層を含む、請求項１に記載の弾性表面波装置。 - 【請求項３】 前記インターデジタルトランスデューサ
が、Ａｌよりも質量の大きな単一の金属により構成され
ている、請求項１に記載の弾性表面波装置。 - 【請求項４】 水晶基板と、 前記水晶基板上に形成されており、Ｔａからなる少なく
とも１つのインターデジタルトランスデューサとを備え
るＳＨタイプの表面波を利用した弾性表面波装置であっ
て、 前記インターデジタルトランスデューサのメタライゼイ
ションレシオをｄ、表面波の波長をλ、インターデジタ
ルトランスデューサの膜厚をｈとしたときに、インター
デジタルトランスデューサの規格化膜厚ｈ／λが、０．
６ｄ＋１．６５〜０．６ｄ＋１．８１の範囲にあること
を特徴とする、弾性表面波装置。 - 【請求項５】 水晶基板と、 前記水晶基板上に形成されており、Ｗからなる少なくと
も１つのインターデジタルトランスデューサとを備える
ＳＨタイプの表面波を利用した弾性表面波装置であっ
て、 前記インターデジタルトランスデューサのメタライゼイ
ションレシオをｄ、表面波の波長をλ、インターデジタ
ルトランスデューサの膜厚をｈとしたときに、インター
デジタルトランスデューサの規格化膜厚ｈ／λが、 ０．６ｄ＋０．８５〜０．６ｄ＋１．３０の範囲にある
ことを特徴とする、弾性表面波装置。 - 【請求項６】 前記ｈ／λが、０．６ｄ＋１．００〜
０．６ｄ＋１．２３の範囲にある、請求項５に記載の弾
性表面波装置。 - 【請求項７】 縦結合共振子フィルタを構成するよう
に、前記インターデジタルトランスデューサが複数個形
成されている、請求項１〜６のいずれかに記載の弾性表
面波装置。 - 【請求項８】 少なくとも２段の前記縦結合共振子フィ
ルタが縦続接続されている、請求項７に記載の弾性表面
波装置。 - 【請求項９】 １ポート型弾性表面波共振子を構成する
ように前記インターデジタルトランスデューサが前記水
晶基板上に配置されている、請求項１〜６のいずれかに
記載の弾性表面波装置。 - 【請求項１０】 前記水晶基板上に、前記インターデジ
タルトランスデューサが複数個形成されており、各イン
ターデジタルトランスデューサが１ポート型弾性表面波
共振子を構成しており、かつ前記水晶基板上においてラ
ダー型フィルタを構成するように接続されている、請求
項１〜６のいずれかに記載の弾性表面波装置。 - 【請求項１１】 前記水晶基板上に、前記インターデジ
タルトランスデューサが複数個形成されており、各イン
ターデジタルトランスデューサが１ポート型弾性表面波
共振子を構成しており、かつ前記水晶基板上においてラ
チス型フィルタを構成するように接続されている、請求
項１〜６のいずれかに記載の弾性表面波装置。 - 【請求項１２】 請求項１〜１１のいずれかに記載の弾
性表面波装置を用いた通信装置。 - 【請求項１３】 水晶基板を用意する工程と、 前記水晶基板上にＡｌよりも質量負荷効果が大きい金属
膜を形成する工程と、 弾性表面波装置のインターデジタルトランスデューサの
メタライゼイションレシオをｄ、膜厚をｈ、表面波の波
長をλとしたときに、横モードスプリアスが１．５ｄＢ
以下となるメタライゼイションレシオｄ及びインターデ
ジタルトランスデューサの規格化膜厚ｈ／λを満たすよ
うに前記金属膜を反応性イオンエッチングまたはリフト
オフプロセスによりパターニングして少なくとも１個の
インターデジタルトランスデューサを形成する工程とを
備えることを特徴とする、ＳＨタイプの表面波を利用し
た弾性表面波装置の製造方法。 - 【請求項１４】 前記金属膜がＴａからなり、かつ前記
規格化膜厚ｈ／λが０．６ｄ＋１．５０〜０．６５ｄ＋
１．８７の範囲となるように前記反応性イオンエッチン
グまたはリフトオフプロセスによりパターニングが行な
われて、少なくとも１個のインターデジタルトランスデ
ューサが形成される、請求項１３に記載の弾性表面波装
置の製造方法。 - 【請求項１５】 前記規格化膜厚ｈ／λが０．６ｄ＋
１．６５〜０．６ｄ＋１．８１の範囲となるように前記
反応性イオンエッチングまたはリフトオフプロセスによ
る、パターニングが行なわれる、請求項１４に記載の弾
性表面波装置の製造方法。 - 【請求項１６】 前記金属膜がＷからなり、前記規格化
膜厚ｈ／λが０．６ｄ＋０．８５〜０．６ｄ＋１．３０
を満たすように、反応性イオンエッチングまたはリフト
オフプロセスによりパターニングが行なわれて、少なく
とも１個のインターデジタルトランスデューサが形成さ
れる、請求項１３に記載の弾性表面波装置の製造方法。 - 【請求項１７】 前記規格化膜厚ｈ／λが０．６ｄ＋
１．００〜０．６ｄ＋１．２３の範囲となるように前記
反応性イオンエッチングまたはリフトオフプロセスによ
るパターニングが行なわれる、請求項１６に記載の弾性
表面波装置の製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000329341A JP3435638B2 (ja) | 2000-10-27 | 2000-10-27 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| US09/964,831 US6617752B2 (en) | 2000-10-27 | 2001-09-27 | Surface acoustic wave device and manufacturing method therefor |
| GB0124034A GB2372654B (en) | 2000-10-27 | 2001-10-05 | Surface acoustic wave device and manufacturing method therefor |
| KR1020010065963A KR100592363B1 (ko) | 2000-10-27 | 2001-10-25 | 탄성 표면파 장치 및 그 제조방법 |
| DE10152946A DE10152946B4 (de) | 2000-10-27 | 2001-10-26 | Oberflächenwellenbauelement und Herstellungsverfahren für dasselbe |
| CNB011359854A CN1191677C (zh) | 2000-10-27 | 2001-10-26 | 表面声波器件及其制造方法 |
| US10/614,412 US6865786B2 (en) | 2000-10-27 | 2003-07-07 | Method for manufacturing a surface acoustic wave device using a shear horizontal type surface acoustic wave |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000329341A JP3435638B2 (ja) | 2000-10-27 | 2000-10-27 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Publications (2)
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