WO2006092982A1 - 弾性表面波素子およびその製造方法 - Google Patents

弾性表面波素子およびその製造方法 Download PDF

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WO2006092982A1
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acoustic wave
piezoelectric substrate
main surface
surface acoustic
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Inventor
Ryouichi Takayama
Atsushi Matsui
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
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    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02834—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
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    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • H03H3/10—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves for obtaining desired frequency or temperature coefficient
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    • H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate

Definitions

  • the present invention relates to a surface acoustic wave device particularly used for a mobile phone and the like, and a method of manufacturing the same.
  • LT lithium tantalate
  • the LT substrate has a cutting angle of 39 °, which is the rotation angle in the Z-axis direction around the X-axis. 39 ° YLT ”)) Substrate is often used.
  • the filter power at the center frequency of 1.88GHz at room temperature is approximately ⁇ 3.3MHz, that is, the width at room temperature ⁇ 50 ° C. It varies by about 6.6MHz.
  • the transmission / reception interval for the filter is only about 10 MHz considering the manufacturing frequency variation where the interval between the transmission band and the reception band is only 20 MHz. For this reason, for example, if it was attempted to secure the transmission band at all temperatures (room temperature ⁇ 50 ° C), the reception side could not obtain sufficient attenuation.
  • the surface acoustic wave device of the present invention includes a piezoelectric substrate, a comb-shaped electrode formed on the first main surface of the piezoelectric substrate, and a support substrate bonded to the second main surface of the piezoelectric substrate. .
  • the second main surface of the piezoelectric substrate and the support substrate are bonded via a metal layer.
  • the method for manufacturing a surface acoustic wave device of the present invention includes the step of forming a first metal layer on a second main surface of a piezoelectric substrate having a first main surface and a second main surface; Forming a second metal layer on a main surface of the support substrate; activating the surfaces of the first metal layer and the second metal layer in a plasma; the first metal layer and the second metal layer; A step of bonding the metal layer to the metal layer at room temperature, and a step of forming a comb-shaped electrode on the first main surface of the piezoelectric substrate.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a surface acoustic wave element according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of another surface acoustic wave element according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3A is an explanatory diagram of a method for manufacturing a surface acoustic wave element according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3B is an explanatory diagram of the manufacturing method.
  • FIG. 3C is an explanatory diagram of the manufacturing method.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention.
  • the surface acoustic wave element of the present embodiment includes a piezoelectric substrate 11, a comb-shaped electrode 12 formed on the first main surface 31 of the piezoelectric substrate 11, and a second main surface of the piezoelectric substrate 11. 32 and a support substrate 13 bonded to each other. The second main surface 32 of the piezoelectric substrate 11 and the support substrate 13 are joined via the metal layer 14.
  • the surface acoustic wave element according to this embodiment shown in FIG. 1 will be described in more detail.
  • the piezoelectric substrate 11 is composed of rotating Y-cut lithium tantalate. More specifically, the piezoelectric substrate 11 is composed of 39 ° YLT.
  • a comb electrode 12 is provided on the first main surface 31 of the piezoelectric substrate 11.
  • the support substrate 13 is composed of force such as sapphire.
  • the second main surface 32 of the piezoelectric substrate 11 and the support substrate 13 are joined via a metal layer 14 having a force such as gold.
  • joining at normal temperature means joining the piezoelectric substrate 11 and the support substrate 13 without heating.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of another surface acoustic wave element according to the embodiment of the present invention.
  • the surface acoustic wave device of the embodiment shown in FIG. 2 includes a piezoelectric substrate 11 and a first main surface 31 of the piezoelectric substrate 11. It includes a comb-shaped electrode 12 formed thereon, and a support substrate 13 bonded to the second main surface 32 of the piezoelectric substrate 11. The second main surface 32 of the piezoelectric substrate 11 and the support substrate 13 are bonded via the metal layer 14. Furthermore, a through hole 15 is provided in the support substrate 13, and a conductor layer 16 made of nickel as a conductor is provided at least on the inner wall of the through hole 15. In this way, the metal layer 14 and the conductor layer 16 are electrically connected to each other!
  • a heat dissipation layer 17 made of metal is further provided on the support substrate 13 to be electrically connected to the conductor layer 16.
  • the heat generated in the comb electrode 12 can be radiated from the heat radiation layer 17 through the metal layer 14 and the conductor layer 16.
  • the surface acoustic wave device shown in FIG. 2 can improve the stability of electric characteristics and the power durability. Also, electromagnetic shielding can be improved.
  • a part of the metal of the metal layer 14 is removed from the second main surface 32 of the piezoelectric substrate 11 so that the metal layer 14 has a stripe shape or a mesh shape.
  • the metal layer 14 attached to the second main surface 32 of the piezoelectric substrate 11 has a configuration in which a part of the metal of the metal layer 14 is removed.
  • the extending direction of the stripe or mesh in the metal layer 14 is preferably configured as follows.
  • the propagation direction of the surface acoustic wave is perpendicular to the extending direction of the comb-shaped electrode 12 on the surface of the piezoelectric substrate 11.
  • the extending direction of the stripes or meshes in the metal layer 14 should be set so as to cross three-dimensionally in an oblique direction and not parallel or orthogonal across the piezoelectric substrate 11. ,. With this configuration, it is possible to further reduce the influence of unnecessary nore waves.
  • the pitch is mixed with a plurality of pitches that are desired to be set to the wavelength order of the surface acoustic wave.
  • a method of manufacturing a surface acoustic wave device will be described in more detail with reference to FIGS. 3A to 3C.
  • a first metal layer 24a is formed on the second main surface 42 of the piezoelectric substrate 21 made of 39 ° YLT having a wafer-like thickness of about 0.35 mm as a first metal layer 24a with a thickness of about lOOnm. Is sputter-deposited.
  • the second metal layer 24b is sputter-deposited as the second metal layer 24b on the main surface 50 of the support substrate 23 which also has a silicon substrate force of about 0.3 mm in the wafer shape, with a thickness of about lOOnm.
  • the surfaces on which the first metal layer 24a and the second metal layer 24b are formed are preferably mirror-polished.
  • the surfaces of the first metal layer 24a and the second metal layer 24b are cleaned and activated by argon plasma or the like in the chamber, and the first metal layer and the second metal layer are activated.
  • the result is as shown in Fig. 3B.
  • an electrode as a surface acoustic wave element such as a comb-shaped electrode 22 is formed on the first main surface 41 of the piezoelectric substrate 21.
  • the thickness when the piezoelectric substrate 21 and the support substrate 23 are combined is about 0.65 mm, either or both of the piezoelectric substrate 21 and the support substrate 23 are ground or polished after bonding. It is desirable to make it thinner.
  • the first metal layer 24a is used for the first metal layer 24a in order to prevent metal from adhering to a part of the first metal layer 24a on the second main surface 42 of the piezoelectric substrate 21.
  • gold is vapor-deposited, a part of the gold is removed by lift-off, and the first metal layer 24a is made into a mesh.
  • means such as “roughening” the back surface of the piezoelectric substrate have been used to scatter the Balta wave. In this case, however, the shape cannot be made freely.
  • a pattern can be formed by, for example, photolithography, a necessary shape can be obtained according to characteristics.
  • the force that causes cracks in the piezoelectric substrate due to the thermal load is also strong against the thermal load because the back surface can be mirror-like in this embodiment.
  • the method of forming the second metal layer 24b on the entire main surface 50 of the support substrate 23 may be a uniform film.
  • etching shielding metal such as aluminum
  • a predetermined pattern may be formed by etching.
  • the piezoelectric substrate 21 and the support substrate 23 are joined, and electrodes of the surface acoustic wave element such as the comb-shaped electrode 22 are formed on the piezoelectric substrate 21.
  • the main surface 50 of the support substrate 23 is thinned by grinding or polishing, a resist pattern is formed on the support substrate 23 side, and the support substrate 23 is etched by a method such as dry etching. To do. In this way, the through hole 25 reaching the second metal layer 24b is formed, and the resist pattern is removed. Then, the main surface 50 of the support substrate 23 is made of about 1 ⁇ m of a metal such as titanium or nickel as a conductor. Sputter deposition with thickness. In this way, the second metal layer 24b, the inner wall of the through hole 25, the conductor layer 26 and the heat dissipation layer 27 covering the support substrate 23 are formed. Further, it is desirable that the entire inside of the through hole 25 be filled with the conductor layer 26 by mating on it.
  • the step of forming the through hole 25 and the conductor layer 26 is performed either before or after the step of forming the comb-shaped electrode 22 and the like on the first main surface 41 of the piezoelectric substrate 21. It doesn't matter.
  • individual surface acoustic wave elements are obtained by cutting into predetermined dimensions. By doing so, it is possible to obtain a surface acoustic wave device in which a change in frequency characteristics with temperature is small and electrical characteristics and reliability are excellent.
  • the present invention realizes an elastic surface wave device in which a change in frequency characteristics with temperature is small and electrical characteristics are improved, and is industrially useful.

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Abstract

　弾性表面波素子において、圧電基板と、この圧電基板の第１の主面上に形成された櫛形電極と、圧電基板の第２の主面と接合された支持基板とを含み、圧電基板の第２の主面と支持基板とは金属層を介して接合される。その製造方法は、圧電基板における第２の主面に第１の金属層を形成し、支持基板の主面に第２の金属層を形成する。そして、第１の金属層と第２の金属層の表面をプラズマ中で活性化し、第１の金属層と第２の金属層とを常温で接合し、圧電基板の第１の主面に櫛形電極を形成する。

Description

明 細 書
弾性表面波素子およびその製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、特に携帯電話等に用いられる弾性表面波素子およびその製造方法に 関するものである。
背景技術
[0002] 近年、小型軽量な弾性表面波素子は、各種移動体通信端末機器等の電子機器に 多く使用されている。特に、周波数帯域が 800MHzから 2GHzの範囲における携帯 電話システムの無線回路部には、タンタル酸リチウム（以下、「LT」と記す。）基板を用 いて作製された弾性表面波フィルタが広く用いられている。その LT基板は、その切 出角度が、 X軸周りの Z軸方向への回転角度が 39° である Y板力 切出された、い わゆる 39° Yカット X伝播の LT (以下、「39° YLT」と記す。）基板が用いられる場合 が多い。
[0003] し力しながら、 39° YLT基板では、弾性表面波の伝播方向における基板の熱膨 張係数が大きぐまた弾性定数そのものも温度により変化する。このため、フィルタの 周波数特性は、温度変化に対して約— 36ppmZKと大きい。このように、この種の従 来の弾性表面波素子には温度特性に課題があった。
[0004] 例えば、アメリカの PCS (Personal Communication Services)用の送信フィルタを例 にとつて考えた場合、常温で中心周波数 1. 88GHzのフィルタ力 常温 ± 50°Cで、 約 ± 3. 3MHzつまり幅で約 6. 6MHzも変動する。 PCSの場合、送信帯域と受信帯 域の間隔は 20MHzしかなぐ製造上の周波数ばらつきも考慮すると、フィルタにとつ ての送受信間隔は実質 10MHz程度しかない。このため、例えば送信帯域を全温度 (常温 ± 50°C)で確保しょうとすると、受信側の減衰量が十分に取れなくなるという虡 かあつた。
[0005] そこで温度特性を改善するために、例えば 39° YLT基板に対して、線膨張係数の 異なる基板を貼り合わせることが行われている。しかし、このような従来の方法では、 特殊な洗浄方法が必要であったり、また、貼り合わせ強度を得るためには熱処理が 必要であったりする。この結果、従来の弾性表面波素子には熱歪みが残るなどと言つ た問題を有していた。
[0006] なお、本出願の発明に関連する先行技術文献としては、例えば日本特許出願特開 2004— 297693号公報力知られて!/ヽる。
発明の開示
[0007] 本発明の弾性表面波素子は、圧電基板と、圧電基板の第 1の主面上に形成された 櫛形電極と、圧電基板の第 2の主面と接合された支持基板とを含む。圧電基板の第 2の主面と支持基板とは金属層を介して接合される。
[0008] この構成により、周波数特性の温度による変化を小さくしながら、電気的特性の優 れた弾性表面波素子を得ることができる。
[0009] また、本発明の弾性表面波素子の製造方法は、第 1の主面と第 2の主面を有する 圧電基板における第 2の主面に第 1の金属層を形成するステップと、支持基板の主 面に第 2の金属層を形成するステップと、第 1の金属層と第 2の金属層の表面をブラ ズマ中で活性ィ匕するステップと、第 1の金属層と第 2の金属層とを常温で接合するス テツプと、圧電基板の第 1の主面に櫛形電極を形成するステップとを含む。
[0010] この方法により、周波数特性の温度による変化を小さくしながら、電気的特性の優 れた弾性表面波素子を製造することができる。
図面の簡単な説明
[0011] [図 1]図 1は本発明の実施の形態における弾性表面波素子の断面図である。
[図 2]図 2は本発明の実施の形態における別の弾性表面波素子の断面図である。
[図 3A]図 3Aは本発明の実施の形態における弾性表面波素子の製造方法の説明図 である。
[図 3B]図 3Bは同製造方法の説明図である。
[図 3C]図 3Cは同製造方法の説明図である。
符号の説明
[0012] 11, 21 圧電基板
12, 22 櫛形電極
13, 23 支持基板 15, 25 スノレーホ一ノレ
16, 26 導電体 (導電体層）
17, 27 放熱層
24a 第 1の金属層
24b 第 2の金属層
31, 41 圧電基板の第 1の主面
32, 42 圧電基板の第 2の主面
50 支持基板の主面
発明を実施するための最良の形態
[0013] 以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。図 1は本発明の実施 の形態における弾性表面波素子の断面図である。図 1において、本実施の形態の弹 性表面波素子は、圧電基板 11と、圧電基板 11の第 1の主面 31上に形成された櫛形 電極 12と、圧電基板 11の第 2の主面 32と接合された支持基板 13とを含む。圧電基 板 11の第 2の主面 32と支持基板 13とは金属層 14を介して接合される。
[0014] 図 1に示す本実施形態の弾性表面波素子について、さらに詳細に説明する。圧電 基板 11は回転 Yカットタンタル酸リチウムで構成されている。より具体的には、圧電基 板 11は 39° YLTから構成されている。この圧電基板 11の第 1の主面 31に櫛形電 極 12を設ける。支持基板 13はサファイアなど力 構成されている。圧電基板 11の第 2の主面 32と支持基板 13とは、金など力もなる金属層 14を介して接合されている。
[0015] この構成により、圧電基板 11と支持基板 13の線膨張率の違いにより、周波数特性 の温度による変化を小さくすることができる。また、圧電基板 11と支持基板 13とを金 属層 14を介して接合することによって常温で接合することができる。このため、接合 による熱歪みが残ることがなぐ電気的特性を安定させることができる。ここで、常温で 接合するとは、特に圧電基板 11や支持基板 13を加熱することなく接合することを意 味する。
[0016] 図 2は本発明の実施の形態における別の弾性表面波素子の断面図である。図 2に 示す実施形態の弾性表面波素子は、圧電基板 11と、圧電基板 11の第 1の主面 31 上に形成された櫛形電極 12と、圧電基板 11の第 2の主面 32と接合された支持基板 13とを含む。圧電基板 11の第 2の主面 32と支持基板 13とは金属層 14を介して接合 される。さらに、支持基板 13にスルーホール 15を設け、少なくともスルーホール 15の 内壁に、導電体であるニッケル力 なる導電体層 16を設けている。こうして、金属層 1 4と導電体層 16とを電気的に接続して!/ヽる。
[0017] なお、図 2に示すように、さらに支持基板 13に金属からなる放熱層 17を設け、導電 体層 16と電気的に接続することが望ましい。
[0018] この構成により、櫛形電極 12で発生した熱を金属層 14および導電体層 16を介して 放熱層 17から放熱させることができる。その結果、図 2に示す弾性表面波素子は、電 気的特性の安定ィ匕および耐電力性の向上を図ることができる。また、電磁的なシー ルド性も向上することができる。
[0019] また、圧電基板を別の基板と貼り合わせると、その境界面で音響インピーダンスのミ スマッチが起こり、不要なバルタ波を反射させることになり、周波数特性にスプリアス（ spurious)すなわち、目的とする周波数以外の不要な成分が発生しやすい。
[0020] これに点については、金属層 14が、ストライプ状あるいはメッシュ状等になるように、 圧電基板 11の第 2の主面 32にお 、て、金属層 14の一部の金属を取り除 、て金属が 付着してない部分を構成することによって、不要なバルタ波を散乱させ、スプリアスの 影響を低減させることができる。このように、圧電基板 11の第 2の主面 32に付着する 金属層 14は、その金属層 14の一部の金属が取り除かれた構成をして 、る。
[0021] この場合、金属層 14におけるストライプあるいはメッシュの延伸方向は、次のように 構成することが好ましい。本実施の形態の弾性表面波素子において、弾性表面波の 伝播方向は、圧電基板 11の表面において、櫛形電極 12の延伸方向に対して直角 方向である。この櫛形電極 12の延伸方向の直角方向に対して、金属層 14における ストライプあるいはメッシュの延伸方向を、圧電基板 11を挟んで平行でもなく直交で もなく斜め方向に立体交差するように設定するとよ 、。このように構成することにより、 不要なノ レク波の影響をより低減することができる。また、そのピッチは、弾性表面波 の波長オーダーに設定することが望ましぐ複数のピッチが混じるようにすればさらに 好ましい。 [0022] 次に、図 3Aから図 3Cを用いて、本発明の実施の形態における弾性表面波素子の 製造方法を説明する。本発明の実施の形態における弾性表面波素子の製造方法は 、第 1の主面 41と第 2の主面 42を有する圧電基板 21における第 2の主面 42に第 1の 金属層 24aを形成するステップと、支持基板 23の主面 50に第 2の金属層 24bを形成 するステップと、第 1の金属層 24aと第 2の金属層 24bの表面をプラズマ中で活性ィ匕 するステップと、第 1の金属層 24aと第 2の金属層 24bとを常温で接合するステップと 、圧電基板 21の第 1の主面 41に櫛形電極 22を形成するステップとを含む。
[0023] 図 3Aから図 3Cを用いて、本発明の実施の形態における弾性表面波素子の製造 方法をさらに詳細に説明する。まず、図 3Aのように、ウェハ状の厚さ約 0. 35mmの 3 9° YLTからなる圧電基板 21の第 2の主面 42に第 1の金属層 24aとして、約 lOOnm の厚さで金をスパッタ蒸着する。
[0024] また、同様にウェハ状の厚さ約 0. 3mmのシリコン基板力もなる支持基板 23の主面 50にも、第 2の金属層 24bとして約 lOOnmの厚さで金をスパッタ蒸着する。このとき 第 1の金属層 24aおよび第 2の金属層 24bを形成する面は、鏡面研磨されていること が望ましい。
[0025] 次に、チャンバ一内でアルゴンプラズマ等により、第 1の金属層 24aおよび第 2の金 属層 24bの表面を清浄ィ匕および活性化させ、第 1の金属層と第 2の金属層とを対面 させて、常温で圧力を加えて接合することにより、図 3Bのようになる。
[0026] その後に、圧電基板 21の第 1の主面 41に、櫛形電極 22等の弾性表面波素子とし ての電極を形成する。ただし、この場合、圧電基板 21と支持基板 23を合わせると厚 さが約 0. 65mmとなるため、接合した後、圧電基板 21または支持基板 23のいずれ か一方、ある 、は両方を研削あるいは研磨によって薄くすることが望ま 、。
[0027] また、第 1の金属層 24aと第 2の金属層 24bとは、異なる金属でも可能である力 接 合のしゃすさを考えると、同じ金属を用いるのが望ましい。
[0028] さらに、圧電基板 21の第 2の主面 42において、第 1の金属層 24aの一部に金属が 付着していないようにするために、第 1の金属層 24aに金を用いる場合、まず圧電基 板 21の第 2の主面 42にレジストパターンを形成した後に、金を蒸着し、リフトオフによ り一部の金を取り除き、第 1の金属層 24aをメッシュ状にする。 [0029] 従来、バルタ波の散乱のためには、圧電基板の裏面を「粗し加工」を行う等の手段 を用いてきたが、この場合その形状を自由に作ることはできな力つた。しかしながら、 本実施の形態の場合、例えばフォトリソグラフィ（photolithography)によってパターン を形成できるため、特性に応じて必要な形状を得ることができる。また、従来の「粗し 加工」によるものでは、熱負荷による圧電基板の割れの虡もあった力 本実施の形態 では裏面を鏡面状態にできるため、熱負荷にも強い。
[0030] 一方、支持基板 23の主面 50全体に第 2の金属層 24bを形成する方は一様な膜で もかまわない。この第 1の金属層 24aと第 2の金属層 24bとを常温で接合することによ り、不要なバルタ波を散乱させ、スプリアスの影響を低減させることができる。
[0031] また、第 1の金属層 24aにアルミニウムのようなエッチングしゃすい金属を用いる場 合には、エッチングによって所定のパターンを形成しても力まわな 、。
[0032] さらに図 3Cのように、圧電基板 21と支持基板 23とを接合し、圧電基板 21に櫛形電 極 22等の弾性表面波素子の電極を形成する。
[0033] その後、必要に応じて支持基板 23の主面 50を研削または研磨により薄板ィ匕したあ と、支持基板 23側にレジストパターンを形成し、ドライエッチング等の方法により支持 基板 23をエッチングする。こうして、第 2の金属層 24bに達するスルーホール 25を形 成し、レジストパターンを除去した後に、支持基板 23の主面 50に導電体であるチタ ン、ニッケル等の金属を約 1 μ mの厚さでスパッタ蒸着する。こうして、第 2の金属層 2 4b、スルーホール 25の内壁、支持基板 23を覆う導電体層 26および放熱層 27を形 成する。さらにその上にメツキすることにより、スルーホール 25内部全体を導電体層 2 6で埋めることが望ましい。
[0034] ここで、スルーホール 25および導電体層 26を形成するステップは、圧電基板 21の 第 1の主面 41に櫛形電極 22等を形成するステップの前であっても、後であってもか まわない。
[0035] 最後に所定の寸法に切断することにより、個々の弾性表面波素子を得る。このよう にすることにより、周波数特性の温度による変化が小さぐかつ電気的特性および信 頼性に優れた弾性表面波素子を得ることができる。
産業上の利用可能性 本発明は、周波数特性の温度による変化が小さくし、かつ電気的特性も向上した弾 性表面波素子を実現するものであり、産業上有用である。

Claims

請求の範囲
[1] 圧電基板と、
前記圧電基板の第 1の主面上に形成された櫛形電極と、
前記圧電基板の第 2の主面と接合された支持基板とを含み、
前記圧電基板の第 2の主面と前記支持基板とは金属層を介して接合された弾性表 面波素子。
[2] 前記支持基板は、スルーホールと、前記スルーホール内に設けられた導電体とを備 え、前記導電体と前記金属層とを電気的に接続した請求項 1記載の弾性表面波素 子。
[3] 前記金属層は、前記金属層の一部の金属が取り除かれた請求項 1記載の弾性表面 波素子。
[4] 前記圧電基板は、回転 Yカットタンタル酸リチウムが用いられた請求項 1記載の弾性 表面波素子。
[5] 前記支持基板は、サファイア基板が用いられた請求項 1記載の弾性表面波素子。
[6] 前記金属層は、金が用いられた請求項 1記載の弾性表面波素子。
[7] 第 1の主面と第 2の主面を有する圧電基板における前記第 2の主面に第 1の金属層 を形成するステップと、
支持基板の主面に第 2の金属層を形成するステップと、
前記第 1の金属層と前記第 2の金属層の表面をプラズマ中で活性化するステップと、 前記第 1の金属層と前記第 2の金属層とを常温で接合するステップと、
前記圧電基板の前記第 1の主面に櫛形電極を形成するステップとを含む弾性表面 波素子の製造方法。
[8] 前記第 1の金属層と前記第 2の金属層とを同じ金属で形成した請求項 7記載の弾性 表面波素子の製造方法。
[9] さらに、前記圧電基板の第 2の主面にリフトオフによって、一部の金属を取り除いた前 記第 1の金属層を形成するステップと、
前記支持基板の主面全体に前記第 2の金属層を形成するステップと、
前記第 1の金属層と前記第 2の金属層とを常温で接合するステップとを含む請求項 7 記載の弾性表面波素子の製造方法。
[10] さらに、前記圧電基板の第 2の主面全体に前記第 1の金属層を形成した後に、前記 第 1の金属層の一部の金属をエッチングにより取り除くステップと、
前記支持基板の主面全体に前記第 2の金属層を形成するステップと、
前記第 1の金属層と前記第 2の金属層とを常温で接合するステップとを備えた請求項 7記載の弾性表面波素子の製造方法。
[11] さらに、前記第 1の金属層と前記第 2の金属層とを常温で接合するステップと、
前記支持基板にスルーホールを形成するステップと、
少なくとも前記スルーホール内壁を覆う導電体を、少なくともスパッタまたはメツキの ヽ ずれか一方によって形成し、かつ前記第 2の金属層と電気的に接続するステップとを 含む請求項 7記載の弾性表面波素子の製造方法。
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