KR100592363B1 - 탄성 표면파 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 SH-방식 탄성 표면파를 이용한 탄성 표면파 장치에서, 적어도 하나의 인터디지털 트랜스듀서(IDT)가 알루미늄보다 큰 질량을 갖는 금속으로 형성된다. IDT의 금속피복비 및 IDT의 규격화 막 두께(h/λ)는 횡단 모드파에 의해 야기되는 리플이 0.5 ㏈ 이하가 되도록 제어되고, 이때 "h"는 전극들의 막 두께를 가리키고, "λ"는 탄성 표면파의 파장을 가리킨다.
탄성 표면파, 인터디지털 트랜스듀서, 횡단 모드파, 리플, 전극, 금속피복비

Description

탄성 표면파 장치 및 그 제조방법 { Surface acoustic wave device and manufacturing method therefor }
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치를 보여주는 모식적 평면도,
도 2a 및 도 2b는 금속피복비(d)가 0.75로 설정되고 규격화 막 두께(h/λ)가 각각 1.8% 및 2.0%로 설정된 때 얻어지는 탄성 표면파 장치의 감쇠-주파수 특성을 보여주는 도,
도 3a 및 도 3b는 금속피복비(d)가 0.75로 설정되고 규격화 막 두께(h/λ)가 각각 2.2% 및 2.4%로 설정된 때 얻어지는 탄성 표면파 장치의 감쇠-주파수 특성을 보여주는 도,
도 4는 탄탈륨(Ta)으로 제작된 인터디지털 트랜스듀서(IDT)가 석영 기판 위에 형성된 구조에서 얻어지는 규격화 막 두께(h/λ) 및 이방성 지수 사이의 관계를 보여주는 도,
도 5는 본 발명에 따라 횡단 모드파에 의해 야기되는 리플이 억제될 수 있는 범위, 그리고 금속피복비 및 규격화 막 두께(h/λ) 사이의 관계를 보여주는 도,
도 6a는 금속피복비(d)가 0.75로 설정되고, 규격화 막 두께(h/λ)가 2.15%로 설정되고, 그리고 전극지들의 교차 폭이 10λ, 25λ 및 40λ로 설정된 때 얻어지는 감쇠-주파수 특성을 보여주는 도,
도 6b는 금속피복비(d)가 0.75로 설정되고, 규격화 막 두께(h/λ)가 2.15%로 설정되고, 그리고 전극지들의 교차 폭이 60λ, 85λ 및 100λ로 설정된 때 얻어지는 감쇠-주파수 특성을 보여주는 도,
도 7은 텅스텐(W)으로 제작된 인터디지털 트랜스듀서(IDT)가 석영 기판 위에 형성된 구조에서 얻어지는 규격화 막 두께(h/λ) 및 이방성 지수 사이의 관계를 보여주는 도,
도 8은 본 발명에 따라 횡단 모드파에 의해 야기되는 리플이 억제될 수 있는 범위, 그리고 금속피복비 및 규격화 막 두께(h/λ) 사이의 관계를 보여주는 도,
도 9는 본 발명에 따른 탄성 표면파 장치의 수정예를 보여주는 모식적 평면도,
도 10은 본 발명의 탄성 표면파 장치를 구성하는 필터 회로로서 제공되는 사다리형 회로를 보여주는 회로도,
도 11은 본 발명에 따른 탄성 표면파 장치가 이용되는 한 송수신기를 보여주는 모식적 블록도,
도 12는 본 발명에 따른 탄성 표면파 장치가 이용되는 다른 송수신기를 보여주는 모식적 블록도, 및
도 13은 종래의 탄성 표면파 장치의 문제를 기술하는 데 이용되는 감쇠-주파수 특성을 보여주는 도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
11, 21, 31 : 탄성 표면파 장치
12, 32 : 석영 기판
13, 14, 23, 24, 27, 28, 33 : 인터디지털 트랜스듀서(IDT)
15, 16, 25, 26, 29, 30, 34, 35 : 반사기
41 : 사다리형 필터
본 발명은 탄성 표면파 공진기들과 탄성 표면파 필터들과 같은 탄성 표면파 장치들 및 그 제조방법에 관한 것이며, 더욱 구체적으로는 횡단 모드 의사 리플을 감소시키는 구조를 갖고 SH-방식 탄성 표면파를 이용한 탄성 표면파 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
탄성 표면파 장치들에서, 종래에는 알루미늄 또는 알루미늄을 주성분으로 하는 합금들이 인터디지털 트랜스듀서(IDT)의 전극지들로서 널리 이용되어 왔다. 적어도 하나의 인터디지털 트랜스듀서가 압전 기판 위에 배치되고 반사기들 또는 반사 단면들이 인터디지털 트랜스듀서가 제공된 영역의 양측면에 배치되어 공진기 또는 종결합 공진기 필터를 형성한다.
그와 같은 탄성 표면파 장치에서, 도파관으로서 인터디지털 트랜스듀서를 제공하여 횡단 모드파를 생성하고, 횡단 모드파에 의해 야기되는 리플이 통과 대역 내에서 생성되는 것이 가능해질 수 있다. 횡단 모드파에 의해 야기되는 리플을 줄 이기 위하여, 다양한 방법들이 시도되어 왔다. 그러한 방법들은 인터디지털 트랜스듀서들의 교차 폭을 줄이는 방법 및 중량부여 방법을 포함한다.
석영 기판이 이용되고, 주 성분으로서 알루미늄(Al)보다 큰 질량을 갖는 탄탈륨(Ta)의 금속 및 합금으로 제작된 인터디지털 트랜스듀서가 석영 기판 위에 배치되고, 그리고 SH-방식 탄성 표면파가 이용된 탄성 표면파 장치(일본 특개평 H11-298290)가 또한 제안되었다. 인터디지털 트랜스듀서가 주 성분으로서 큰 질량을 갖는 탄탈륨의 금속 또는 합금으로 제작되었기 때문에, 인터디지털 트랜스듀서의 전극지들의 쌍의 개수가 약 10 내지 20 과 같이 적게 제작되고, 그에 따라 탄성 표면파 장치가 소형화되었다.
주 성분으로서 탄탈륨을 갖는 물질과 같이, 큰 질량을 갖는 전극 물질들이 이용될 때, 인터디지털 트랜스듀서가 제공된 영역에서 얻어지는 음속은 그 주변에서 얻어지는 음속보다 매우 낮아지게 된다. 그러므로, 인터디지털 트랜스듀서 부분에서의 도파관 효과가 매우 크다.
그 결과로서, 종결합 공진기 필터가 제작될 때, 도 13에서 화살표 X에 의해 가리켜진 바와 같이, 횡단 모드파에 의해 야기되는 리플이 뒤얽혀지고 매우 커진다.
전술한 바와 같이, 필터의 통과 대역 또는 공진기의 공진점 부근으로부터 횡단 모드파에 의해 야기되는 리플을 줄이는 방법으로써, 교차 폭이 작게 제작되고 기본 모드파 및 횡단 모드파 사이의 주파수 거리가 크게 제작되는 방법 A, 그리고 인터디지털 트랜스듀서의 교차 폭이
Figure 112001027452623-pat00001
함수로 중량을 부여하여 횡단 모드파를 소거하는 방법 B가 종래에 시도되어 왔다.
방법 A에서는, 교차 폭을 10λ(λ: 탄성 표면파의 파장) 이하로 설정하는 것이 필요하다. 석영 기판 및 약 10 내지 20 쌍의 전극지들을 갖는 인터디지털 트랜스듀서가 이용되어 탄성 표면파 장치를 형성할 때, 입출력 임피던스는 2 ㏀을 초과하여 매우 높고, 그에 따라 탄성 표면파 장치가 실제 제품으로써 이용될 수 없다. 그러므로, 임피던스를 줄이기 위하여 전극지들의 쌍의 개수를 증가시키는 것이 필요하다.
더욱 구체적으로는, 전술한 공보 내에 기재된 탄성 표면파 장치가 주 성분으로서 큰 질량을 갖는 탄탈륨을 이용하여 전극들을 형성하고 그리고 인터디지털 트랜스듀서 내 쌍의 개수를 줄이도록 허용함에도, 교차 폭을 줄이는 방법이 적용될 때, 입출력 임피턴스를 줄이기 위하여 전극지들의 쌍의 개수는 증가되는 것이 필요하다. 그러므로, 탄성 표면파 장치는 소형화 될 수 없다.
방법 B에서는, 중량부여 그 자체가 손실을 증가시킨다. 덧붙여, 중량부여가 교차 폭 부분의 영역을 줄이기 때문에, 탄성 표면파의 임피던스는 방법 A와 마찬가지로 매우 높아지게 된다. 그러므로, 임피던스를 줄이기 위하여, 교차 폭은 요구되는 길이의 두 배 정도가 필요하다. 그 결과로서, 탄성 표면파 장치는 소형화될 수 없다.
다르게 말하면, 방법 A 또는 방법 B 중 어느 것이 이용될 때에도, 횡단 모드파에 의해 야기되는 리플이 제거되고자 한다면, 전술한 공보 내에 기재된 탄성 표면파 장치의 이점 - 장치를 소형화하는 것 - 이 손상된다.
따라서, 본 발명의 목적은 알루미늄보다 큰 질량 갖는 물질로 제작된 전극들을 가지며, 소형으로 제작될 수 있고, 횡단 모드파에 의해 야기되는 리플을 억제할 수 있고, 그리고 SH-방식 탄성 표면파를 이용하는 제조되는 탄성 표면파 장치 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
전술한 목적은 석영 기판; 및 석영 기판 위에 형성되고 알루미늄보다 큰 질량을 가지는 전극들로 제작된 적어도 하나의 인터디지털 트랜스듀서;를 포함하는 SH-방식 탄성 표면파를 이용하는 탄성 표면파 장치의 제공을 통한 본 발명의 일 양태에서 달성될 수 있다. 여기서, 인터디지털 트랜스듀서의 금속피복비(d) 및 규격화 막 두께(h/λ)는 횡단 모드파에 의해 야기되는 리플이 0.5 ㏈ 이하인 특정 범위 내에 정렬되도록 제어되고, 이때 "λ"는 탄성 표면파의 파장을 가리키고, "h"는 인터디지털 트랜스듀서의 전극들의 막 두께를 가리킨다.
탄성 표면파 장치에서, 인터디지털 트랜스듀서의 금속피복비(d) 및 규격화 막 두께(h/λ)는 횡단 모드파에 의해 야기되는 리플이 0.5 ㏈ 이하인 특정 범위 내에 정렬되도록 제어된다. 그러므로, 알루미늄보다 큰 질량을 갖는 전극들로 형성된 인터디지털 트랜스듀서가 이용되고, 전극지들의 쌍의 개수가 감소하여 장치를 소형화하는 경우에도, 횡단 모드파에 의해 야기되는 리플이 효과적으로 억제된다. 그 결과로써, SH-방식 탄성 표면파를 이용하고 양호한 주파수 특성을 갖는 소형의 탄성 표면파 장치가 제공된다.
탄성 표면파 장치에서, 인터디지털 트랜스듀서는 알루미늄보다 큰 질량을 갖는 금속으로 제작된 적어도 하나의 전극을 포함할 수 있다.
탄성 표면파 장치에서, 인터디지털 트랜스듀서는 알루미늄보다 큰 질량을 갖는 단일 금속으로 제작될 수 있다.
전술한 목적은 석영 기판; 및 석영 기판 위에 형성되고 탄탈륨으로 제작된 적어도 하나의 인터디지털 트랜스듀서;를 포함하는 SH-방식 탄성 표면파를 이용하는 탄성 표면파 장치의 제공을 통한 본 발명의 다른 양태에서 달성될 수 있다. 여기서, 인터디지털 트랜스듀서의 규격화 막 두께(h/λ)는 0.6d+1.65 내지 0.6d+1.81의 범위 내에 정렬되고, 이때 "d"는 인터디지털 트랜스듀서의 금속피복비를 가리키고, "λ"는 탄성 표면파의 파장을 가리키며, 그리고 "h"는 인터디지털 트랜스듀서의 전극들의 막 두께를 가리킨다.
탄성 표면파 장치에서, 탄탈륨으로 제작된 적어도 하나의 인터디지털 트랜스듀서가 석영 기판 위에 형성되고, 인터디지털 트랜스듀서의 규격화 막 두께(h/λ)는 0.6d+1.65 내지 0.6d+1.81의 범위 내에 정렬되고, 이때 "d"는 금속피복비를 가리키기 때문에, 횡단 모드파에 의해 야기되는 리플이 효과적으로 억제된다. 그러므로, 탄탈륨으로 제작된 적어도 하나의 인터디지털 트랜스듀서가 형성되고, 인터디지털 트랜스듀서의 전극지들의 쌍의 개수가 감소하여 장치를 소형화하는 경우에도, 횡단 모드파에 의해 야기되는 리플이 효과적으로 억제된다. 그 결과로서, SH-방식 탄성 표면파를 이용하고 양호한 주파수 특성을 갖는 소형의 탄성 표면파 장치가 제공된다.
전술한 목적은 석영 기판; 및 석영 기판 위에 형성되고 텅스텐으로 제작된 적어도 하나의 인터디지털 트랜스듀서;를 포함하는 SH-방식 탄성 표면파를 이용하는 탄성 표면파 장치의 제공을 통한 본 발명의 또 다른 양태에서 달성된다. 여기서, 인터디지털 트랜스듀서의 규격화 막 두께(h/λ)는 0.6d+0.85 내지 0.6d+1.30의 범위 내에 정렬되고, 이때 "d"는 인터디지털 트랜스듀서의 금속피복비를 가리키고, "λ"는 탄성 표면파의 파장을 가리키며, 그리고 "h"는 인터디지털 트랜스듀서의 전극들의 막 두께를 가리킨다.
탄성 표면파 장치에서, 텅스텐으로 제작된 적어도 하나의 인터디지털 트랜스듀서가 석영 기판 위에 형성되고, 인터디지털 트랜스듀서의 규격화 막 두께(h/λ)는 0.6d+0.85 내지 0.6d+1.30의 범위 내에 정렬되기 때문에, 인터디지털 트랜스듀서 내의 전극지들의 쌍의 개수가 감소하여 장치를 소형화하는 경우에도, 횡단 모드파에 의해 야기되는 리플이 감소한다. 그 결과로서, SH-방식 탄성 표면파를 이용하고 양호한 주파수 특성을 갖는 소형의 탄성 표면파 장치가 제공된다.
상술한 구조를 갖는 탄성 표면파 장치에 따르면, 횡단 모드 리플이 1.5 ㏈ 이하로 억제된다.
탄성 표면파 장치에서, 규격화 막 두께(h/λ)가 0.6d+1.00 내지 0.6d+1.23의 범위로 정렬될 수 있다. 이 경우에는, 횡단 모드 리플이 0.5 ㏈ 이하로 억제된다.
전술한 탄성 표면파 장치에서, 종결합 공진기 필터를 구성하기 위하여 다수의 인터디지털 트랜스듀서들이 형성될 수 있다. 이 경우에, 양호한 주파수 특성을 갖는 소형의 종결합 공진기 필터가 제공된다. 전술한 탄성 표면파 장치에서, 종결 합 공진기 필터들은 적어도 2 단에서 종속으로 연결될 수 있다.
전술한 탄성 표면파 장치에서, 1-포트 탄성 표면파 공진기를 구성하기 위하여 인터디지털 트랜스듀서가 석영 기판 위에 배치될 수 있다. 이 경우에, 양호한 주파수 특성을 갖는 소형의 1-포트 탄성 표면파 공진기가 제공된다.
석영 기판 위에 다수의 인터디지털 트랜스듀서들이 형성되고, 각 인터디지털 트랜스듀서들이 1-포트 탄성 표면파 공진기를 구성하고, 그리고 다수의 인터디지털 트랜스듀서들이 연결되어 석영 기판 위에 사다리형 필터를 구성하도록 전술한 탄성 표면파 장치들이 구성될 수 있다.
석영 기판 위에 다수의 인터디지털 트랜스듀서들이 형성되고, 각 인터디지털 트랜스듀서들이 1-포트 탄성 표면파 공진기를 구성하고, 그리고 다수의 인터디지털 트랜스듀서들이 연결되어 석영 기판 위에 격자형 필터를 구성하도록 전술한 탄성 표면파 장치들이 구성될 수 있다.
상술한 두 경우에서, 양호한 주파수 특성을 갖는 소형의 사다리형 및 격자형 필터들이 제공된다.
전술한 탄성 표면파 장치들이 탄성 표면파 공진기들 및 탄성 표면파 필터들로서 널리 이용된다. 전술한 목적은 전술한 탄성 표면파 장치들 중 하나를 이용한 통신 장치의 제공을 통하여 달성될 수 있다.
전술한 목적은 석영 기판을 준비하는 단계; 석영 기판 위에 알루미늄보다 큰 질량을 갖는 금속막을 형성하는 단계; 및 인터디지털 트랜스듀서의 금속피복비(d) 및 규격화 막 두께(h/λ)가 의사 횡단 모드 리플을 1.5 ㏈ 이하로 만드는 것을 충족하도록, 반응성 이온 에칭 또는 리프트-오프 처리에 의해 금속막을 패턴화하여 적어도 하나의 인터디지털 트랜스듀서를 형성하는 단계;를 포함하는 SH-방식 탄성 표면파를 이용하는 탄성 표면파 장치 제조방법의 제공을 통한 본 발명의 또 다른 양태에서 달성된다. 이때, "d"는 인터디지털 트랜스듀서의 금속피복비를 가리키고, "λ"는 탄성 표면파의 파장을 가리키며, "h"는 인터디지털 트랜스듀서의 막 두께를 가리킨다.
SH-방식 탄성 표면파를 이용하는 탄성 표면파 장치의 제조방법에 있어서, 알루미늄보다 큰 질량을 갖는 금속막이 석영 기판 위에 형성되고, 인터디지털 트랜스듀서의 금속피복비(d) 및 규격화 막 두께(h/λ)가 횡단 모드 리플이 1.0 ㏈ 이하가 되는 것을 충족하도록 반응성 이온 에칭 또는 리프트-오프 처리에 의해 금속막에 대한 패턴화가 적용되어, 적어도 하나의 인터디지털 트랜스듀서를 형성한다. 그러므로, 전극지들의 쌍이 감소하여 장치를 소형화하는 경우에도, 횡단 모드 리플이 장치 내에서 억제된다. 덧붙여서, 패턴화 공정은 반응성 이온 에칭 또는 리프트-오프 처리에 의해 수행되기 때문에, 전술한 규격화 막 두께(h/λ)를 만족하는 인터디지털 트랜스듀서가 항상 형성된다.
SH-방식 탄성 표면파를 이용하는 전술한 탄성 표면파 장치의 제조방법은 금속막이 탄탈륨으로 제작되고, 규격화 막 두께(h/λ)가 0.6d+1.50 내지 0.6d+1.87, 바람직하게는 0.6d+1.65 내지 0.6d+1.81의 범위 내에 정렬되도록 반응성 이온 에칭 또는 리프트-오프 처리에 의해 패턴화가 수행되어 적어도 하나의 인터디지털 트랜스듀서를 형성하도록 구성될 수 있다.
SH-방식 탄성 표면파를 이용하는 전술한 탄성 표면파 장치의 제조방법은 금속막이 텅스텐으로 제작되고, 규격화 막 두께(h/λ)가 0.6d+0.85 내지 0.6d+1.30, 바람직하게는 0.6d+1.00 내지 0.6d+1.23의 범위 내에 정렬되도록 반응성 이온 에칭 또는 리프트-오프 처리에 의해 패턴화가 수행되어 적어도 하나의 인터디지털 트랜스듀서를 형성하도록 구성될 수 있다.
( 본 발명의 바람직한 실시형태들 )
본 발명의 실시형태들이 도면을 참조하여 아래에서 기술될 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치로서 제공되는 종결합 공진기형 필터의 모식적 평면도이다.
종결합 공진기형 필터(11)는 직사각형 판형의 석영 기판(12)을 이용한다. 인터디지털 트랜스듀서들(IDTs; interdigital transducers; 13, 14)은 석영 기판 (12) 위에 형성된다. 인터디지털 트랜스듀서(13)는 한 쌍의 빗살 전극들(13a,13b)을 가지고, 인터디지털 트랜스듀서(14)는 한 쌍의 빗살 전극들(14a, 14b)을 가지며, 쌍의 전극지들이 엇갈려 배치된다. 빗살 전극들(13a, 13b, 14a 및 14b)의 전극지들은 탄성 표면파 전파 방향에 수직 방향으로 뻗어 있다.
그러므로, 인터디지털 트랜스듀서들(13, 14)은 탄성 표면파의 전파 방향으로 배치된다. 탄성 표면파 전파 방향에서 인터디지털 트랜스듀서들(13, 14)이 제공된 부분의 양 측면에, 창살 반사기들(15, 16)이 제공된다. 반사기들(15, 16)은 다수의 전극지들이 그 양단에서 단락되고, 반사기들(15, 16)의 전극지들이 탄성 표면파 전파 방향에 수직 방향으로 뻗는 구조를 갖는다.
종결합 공진기형 탄성 표면파 필터(11)에서, 인터디지털 트랜스듀서들(13, 14) 및 반사기들(15, 16)은 알루미늄(Al)보다 큰 질량을 갖는 전극 물질인 탄탈륨 (Ta)으로 제작된다. 인터디지털 트랜스듀서들(13, 14)에서, 탄성 표면파의 파장에 의해 규격화되는 인터디지털 트랜스듀서들(13, 14)의 규격화 막 두께(h/λ)가 0.6d+1.65 내지 0.6d+1.81의 범위로 설정되고, 이때 "d"는 금속피복비를 가리키고, "h"는 전극의 막 두께를 가리키며, "λ"는 탄성 표면파의 파장을 가리킨다.
금속피복비(d)는 탄성 표면파 전파 방향에서의 전극지들 사이의 간격들의 폭 및 탄성 표면파 전파 방향에서의 전극지들의 폭의 합계에 대한 전극지들의 폭의 비율을 나타낸다.
본 실시형태에서, 인터디지털 트랜스듀서들(13, 14)이 큰 질량을 갖는 탄탈륨(Ta)으로 제작되기 때문에, 인터디지털 트랜스듀서들(13, 14)의 전극지들의 쌍의 개수가 19 이하로 적게 제작될 수 있고, 그에 따라 장치가 소형화될 수 있다.
본 발명의 발명자들은 인터디지털 트랜스듀서들(13, 14)이 탄탈륨(Ta)을 갖는 큰 질량의 전극 물질로 제작되고 인터디지털 트랜스듀서들의 전극지들의 쌍의 개수가 작게 제작되는 경우에도, 만약 규격화 막 두께(h/λ) 및 금속피복비가 전술한 범위 내로 정렬된다면, 횡단 모드파에 의해 야기되는 리플이 효과적으로 억제될 수 있다는 점을 발견하였고, 본 발명을 발명하였다.
구체적인 실험예들이 본 발명을 기술하기 위하여 이용될 것이다.
석영 기판(12)으로서 오일러 각(0°,127°,90°)에 의해 표시되는 석영 방위를 갖는 석영 기판이 이용되고, 석영 기판 위의 전극 물질들로서 탄탈륨(Ta)을 이 용함으로써 인터디지털 트랜스듀서들(13, 14) 및 반사기들(15, 16)이 형성된다. 인터디지털 트랜스듀서들(13, 14)의 전극지들의 쌍의 개수가 13으로 설정되고, 반사기들(15, 16)의 전극지들의 개수가 10으로 설정된다. 인터디지털 트랜스듀서들 (13, 14)의 금속피복비(d)가 0.5 내지 0.90의 범위 내에 정렬되는 동안, 0.017 내지 0.025 범위의 다른 규격화 막 두께(h/λ)를 갖도록 SH-방식 탄성 표면파를 이용하는 다양한 종결합 공진기형 탄성 표면파 필터들(11)이 제작된다. 도 2 및 도 3은 전술한 바와 같이 제작된 탄성 표면파 필터들의 부품의 감쇠-주파수 특성을 보여준다. 도 2a는 금속피복비(d)가 0.75로 설정되고 규격화 막 두께(h/λ)가 0.018로 설정된 때 얻어지는 특성을 보여준다. 도 2b는 금속피복비(d)가 0.75로 설정되고 규격화 막 두께(h/λ)가 0.02로 설정된 때 얻어지는 특성을 보여준다. 도 3a는 금속피복비(d)이 0.75로 설정되고 규격화 막 두께(h/λ)가 0.022로 설정된 때 얻어지는 특성을 보여준다. 도 3b는 금속피복비(d)이 0.75로 설정되고 규격화 막 두께 (h/λ)가 0.024로 설정된 때 얻어지는 특성을 보여준다.
도 2a 내지 도 3b에서, 점선은 수직축 오른쪽에 나타난 확장된 감쇠 척도로써 특성을 가리킨다.
도 2a에 나타난 특성에서, 화살표(A1)에 의해 표시되는 리플이 통과 대역의 중심에서 생성되고, 번호들(Y1 내지 Y3)의 리플이 통과 대역의 저주파수 측에서 나타남을 알 수 있다. 또한 도 2b에 나타난 특성에서, 화살표(A2)에 의해 표시되는 큰 리플이 통과 대역 내에서 나타나고, 화살표들(Y4 내지 Y6)에 의해 표시되는 리플이 통과 대역의 저주파수 측에서 생성됨을 알 수 있다.
도 3b에 나타난 특성에서, 화살표들(A3, A4)에 의해 표시되는 리플이 통과 대역 내에 생성되고, 리플(Y7, Y8)이 통과 대역의 고주파수 측에서 나타남을 알 수 있다.
반대로, 도 3a에 나타난 특성에서, 통과 대역 내에서 매우 큰 리플이 나타나지 않고, 통과 대역의 저주파수 및 고주파수 측의 경우에 통과 대역의 부근에 작은 리플도 나타나지 않음을 알 수 있다.
그러므로, 금속피복비(d) 및 규격화 막 두께(h/λ)가 전극지들의 쌍의 개수를 줄이도록 조정되어 장치를 소형화하는 경우에도, 횡단 모드파에 의해 야기되는 리플이 효과적으로 억제된다.
다르게 말하면, 본 발명은 알루미늄보다 큰 질량을 갖는 탄탈륨과 같은 금속 물질을 이용함으로써 인터디지털 트랜스듀서들이 형성되어 전극지들의 개수를 감소시키고 장치를 소형화하는 경우에도, 금속피복비(d) 및 규격화 막 두께(h/λ)가 선택되어 횡단 모드파에 의해 야기되는 리플을 억제한다는 특징을 갖는다.
상술한 바와 같이, 큰 질량을 갖는 금속을 이용하여 인터디지털 트랜스듀서가 형성될 때, 인터디지털 트랜스듀서들(13, 14) 내에서 얻어지는 음속은 그들 주위에서 얻어지는 경우보다 매우 느리게 되고, 도파관 효과가 점점 강하게 나타난다. 그러므로, 전술한 공보에 기재된 탄성 표면파 장치와 함께 기술된 바와 같이, 횡단 모드파에 의해 야기되는 리플이 점점 커지게 된다. 그러나, 도 2a 내지 도 3b로부터, 막 두께(h)가 특정 범위 내로 정렬될 때 횡단 모드파에 의해 야기되는 리플이 거의 발생하지 않는 것이 명백하다. 이용된 막 두께가 특정 범위 내로 정렬된 막 두께보다 얇은 경우, 횡단 모드파에 의해 야기되는 리플은 도 2a 및 도 2b에 나타난 것처럼 통과 대역의 저주파수 측에서 나타난다. 이용된 막 두께가 특정 범위 내로 정렬된 막 두께보다 두꺼운 경우, 횡단 모드파에 의해 야기되는 리플은 도 3b에 나타난 것처럼 통과 대역의 고주파수 측에서 나타난다.
주 성분으로서 알루미늄을 갖는 물질로 제작된 인터디지털 트랜스듀서들을 갖는 탄성 표면파 장치에서는, 막 두께에 따라 저주파수 측에서 고주파수 측까지 리플이 발생되는 주파수가 이동하는 전술한 현상은 나타나지 않는다. 알루미늄보다 큰 질량을 갖는 탄탈륨과 같은 금속 물질을 이용하여 인터디지털 트랜스듀서들 (13, 14)이 형성될 때, 전술한 리플-주파수-이동 현상이 발생한다. 뒤따르는 그에 대한 이유가 예상될 수 있다.
횡단 모드파가 생성되는 주파수를 계산하기 위하여 도파관 모델을 이용한 해석 방법이 있다. 이 해석 방법에 따라, 그 이유가 아래에서 기술될 것이다.
인터디지털 트랜스듀서들(13, 14)의 전극지들에 수직한 방향을 참조부호 0 (rad)으로 설정하고, 참조부호 0에서 각도 θ(rad) 만큼 이동된 방향으로 전파되는 탄성 표면파의 음속을 Vsaw(θ)로 설정한다. 그 후, Vsaw(θ)가 이차함수
Figure 112001027452623-pat00002
에 의해 θ의 항목으로 접근하며, 이때, γ는 기판 내 음속의 이방성 지수라 불리우고 다양한 문서들에서 기술되어 있다. 예를 들어, ST-절단 석영 기판에서 γ는 0.378이다.
횡단 모드파가 생성되는 주파수가 소개된 γ을 이용한 도파관 모델에 의해 계산될 때, 만약 γ가 -1보다 크다면, 횡단 모드파는 기본 모드파보다 고주파수 측에서 발생한다. 만약 γ가 -1보다 작다면, 횡단 모드파는 기본 모드파보다 저주파수 측에서 발생한다.
그러므로, ST-절단 석영 기판에서, 횡단 모드파는 기본 모드파보다 고주파수 측에서 발생한다. 실제로, 레일리파를 이용하고 알루미늄으로 제작된 전극들을 갖는 탄성 표면파 장치에서, 기본 모드보다 고주파수 측에서 횡단 모드가 발생한다는 점은 널리 알려져 있다.
기판 내 음속의 이방성 지수(γ)는 기판 위에 전극들이 형성될 때 참작되는 전극들의 질량과 함께 얻어지는 것이 필요하다. 그러므로, 뒤따르는 기술에서,
Figure 712004000819596-pat00003
는 전극들의 질량이 참작된 음속의 이방성 지수를 가리킨다.
본 발명의 발명자들은 전술한 사실들로부터 다음이 고려될 수 있음을 발견하였다. 구체적으로, 현재 탄성 표면파 장치에 널리 이용되는, 주 성분으로서 알루미늄을 갖는 전극 물질이 이용될 때, 전극들의 막 두께 및 금속피복비의 효과에 의해 야기되는
Figure 712004000819596-pat00004
에 미세한 변화가 발생하고
Figure 712004000819596-pat00005
가 기판 그 자체의 γ로부터 크게 이동하지 않는다. 그러나, 탄탈륨과 같이 큰 질량을 갖는 전극 물질이 이용될 때, 전극들의 질량부하 효과 즉 전극들의 막 두께는
Figure 712004000819596-pat00006
를 크게 변화시킨다. 전극들의 막 두께가 적을 때,
Figure 712004000819596-pat00007
< -1이고 통과 대역의 저주파수 측에서 횡단 모드파가 생성되며, 전극들의 막 두께가 클 때,
Figure 712004000819596-pat00008
는 점차 증가하여
Figure 712004000819596-pat00009
> -1이 되고 통과 대역의 고주파수 측에서 횡단 모드파가 생성된다는 점이 예측될 수 있다. 또한,
Figure 712004000819596-pat00010
< -1 및
Figure 712004000819596-pat00011
> -1인
Figure 712004000819596-pat00012
= -1 부근에서 횡단 모드파가 생성되는 것이 어렵기 때문에, 횡단 모드파에 의해 야기되는 리플이 감소하고 또는 도 3a에 나타난 것처럼 완전히 제거될 수 있다는 점이 예측될 수 있다.
전술한 예상을 입증하기 위하여, 유한요소법에 의해
Figure 112001027452623-pat00013
가 평가된다. 더욱 구체적으로는, 금속피복비(d)가 0.75로 설정되고, 규격화 막 두께(h/λ)가 변화하여 이방성 지수(
Figure 112001027452623-pat00014
)가 관찰된다. 도 4는 그 결과를 보여준다.
도 4로부터,
Figure 112001027452623-pat00015
가 h/λ = 2.2% 의 부근에 배치되는 경계에서
Figure 112001027452623-pat00016
< -1인 영역에서
Figure 112001027452623-pat00017
> -1인 영역까지 이동한다는 점이 명백하다.
전술한 실험 결과를 참작함으로써, 횡단 모드파에 의해 야기되는 리플이 실질적으로 제거되는 것을 고려한 범위, 즉 리플이 0.5 ㏈ 이하인 범위가 얻어진다. 그 결과로서, 금속피복비가 0.75로 설정될 때, 규격화 막 두께(h/λ)가 2.10% 내지 2.25%로 되어야 하는 점(
Figure 112001027452623-pat00018
가 1.10 내지 -0.96)을 알 수 있다.
탄성 표면파 장치(11) 내에서 금속피복비(d)가 변화되어 상술한 값들을 포함하는 값들을 가지고, 같은 방식으로 유한요소법이 이용되어, 리플이 1.5 ㏈ 이하 또는 0.5㏈ 이하로 줄어들 수 있는 영역들이 얻어진다. 도 5는 그 결과를 보여준다.
규격화 막 두께가 횡단 모드파에 의해 야기되는 대역 내의 리플을 1.5㏈ 이하로 만들기 위하여 0.6d+1.50 내지 0.6d+1.87의 범위 내로 정렬되고, 횡단 모드파에 의해 야기되는 대역 내의 리플을 0.5 ㏈ 이하로 만들기 위하여 양쪽을 포함하여 0.6d+1.65 내지 0.6d+1.81의 범위 내로 정렬되어야 하는 점이 도 5로부터 명백하다. 상술한 바와 같이, 종결합 공진기형 탄성 표면파 필터(11) 내에서 금속피복비 (d) 및 규격화 막 두께(h/λ)가 조정되어 교차 폭의 중량부여 없이 횡단 모드파에 의해 야기되는 리플을 효과적으로 억제할 수 있다. 다르게 말하면, 종결합 공진기형 탄성 표면파 필터(11)를 소형화하는 것을 막지 않고서도 횡단 모드파에 의해 야기되는 리플이 효과적으로 억제될 수 있다.
본 발명의 발명자들은 또한 횡단 모드파에 의해 야기되는 리플에 대하여 인터디지털 트랜스듀서들의 전극지들의 교차 폭의 변화에 의한 효과의 정도를 체크하였다. 도 6a 및 도 6b는 인터디지털 트랜스듀서들(13, 14)이 탄탈륨(Ta)으로 형성되고, 금속피복비(d)가 0.75로 설정되고, 상술한 실험에서와 같이 규격화 막 두께 (h/λ)가 2.15%로 설정되고, 그리고 전극지들의 교차 폭이 10λ, 25λ, 40λ, 60λ, 80λ및 100λ로 변할 때, 종결합 공진기형 탄성 표면파 필터(11) 내에서 얻어지는 감쇠-주파수 특성을 보여준다. 도 6a 및 도 6b에서, 점선은 오른쪽에 보이는 확장 척도와 관계된 감쇠-주파수 특성의 주요부분을 가리킨다.
교차 폭이 크게 변화하는 경우에도, 횡단 모드파에 의해 야기되는 리플이 발생하지 않는다는 점이 도 6a 및 도 6b로부터 명백하다.
도 4 및 도 5에 나타난 실험에서 인터디지털 트랜스듀서들은 탄탈륨(Ta)으로 제작된다. 그러나, 본 발명에서 인터디지털 트랜스듀서들로 이용되는 전극 물질은 탄탈륨으로 한정되지는 않는다.
본 발명의 발명자들은 또한 탄탈륨(Ta) 대신에 텅스텐(W)으로 인터디지털 트 랜스듀서들을 제작하였고, 규격화 막 두께가 변하는 동안 이방성 지수(
Figure 112001027452623-pat00019
)의 변화를 체크하였고, 도 4 및 도 5의 실험들에서와 마찬가지 방법으로 금속피복비(d)가 변하는 동안 대역 내의 리플이 1.5 ㏈ 이하 또는 0.5 ㏈ 이하로 줄어들 수 있는 규격화 막 두께의 범위를 얻었다. 도 7 및 도 8은 그 결과를 보여준다.
금속피복비(d)가 0.75로 설정될 때, 규격화 막 두께(h/λ)가 리플을 1.5㏈ 이하로 만들기 위하여 1.3% 내지 1.75%로 되고, 리플을 0.5 ㏈ 이하로 만들기 위하여 1.45% 내지 1.68%로 된다는 점이 도 7로부터 명백하다. 금속피복비(d)가 변화할 때, 규격화 막 두께(h/λ)가 횡단 모드파에 의해 야기되는 대역 내 리플을 1.5 ㏈ 이하로 만들기 위하여 0.6d+0.85 내지 0.6d+1.30의 범위 내로 정렬되고, 횡단 모드파에 의해 야기되는 대역 내 리플을 0.5 ㏈ 이하로 만들기 위하여 0.6d+1.00 내지 0.6d+1.23의 범위 내로 정렬되어야 한다는 점이 도 8로부터 명백하다.
전술한 실시형태에서, 1-포트 종결합 공진기형 탄성 표면파 필터가 기술되어 있다. 도 9에 나타난 탄성 표면파 장치(21)로서, 두 개의 종결합 공진기형 탄성 표면파 필터들이 종속으로 연결될 수 있다. 이 경우에, 제 1 단 종결합 공진기형 탄성 표면파 필터는 인터디지털 트랜스듀서들(23, 24) 및 반사기들(25, 26)을 포함하고, 제 2 단 종결합 공진기형 탄성 표면파 필터는 인터디지털 트랜스듀서들(27, 28) 및 반사기들(29, 30)을 포함한다. 제 1 단 및 제 2 단 종결합 공진기형 탄성 표면파 필터들은 도 1에 도시된 종결합 공진기형 탄성 표면파 필터와 동일한 구조를 갖는다. 제 1 단 종결합 공진기형 탄성 표면파 필터의 인터디지털 트랜스듀서 (23)의 빗살 전극들(23a, 23b) 중에서 하나의 빗살 전극(23b)이 제 2 단 종결합 공 진기형 탄성 표면파 필터의 인터디지털 트랜스듀서(28)의 빗살 전극들(28a, 28b) 중 하나의 빗살 전극(28a)에 전기적으로 연결된다.
또한, 탄성 표면파 장치(21)에서, 인터디지털 트랜스듀서들(23, 24, 27 및 28)은 전술한 실시형태에서와 마찬가지 방법으로 구성되고, 횡단 모드파에 의해 야기되는 리플이 효과적으로 억제된다.
본 발명에 따른 탄성 표면파 장치는 상술한 종결합 공진기형 탄성 표면파 필터로 한정되지는 않는다. 구체적으로는, 또한 도 10에 나타난 1-포트 탄성 표면파 공진기(31)에서, 석영 기판(32) 위에 형성된 인터디지털 트랜스듀서(33)가 전술한 실시형태에 기술된 인터디지털 트랜스듀서들(13, 14)과 같은 방법으로 구성되고, 횡단 모드파에 의해 야기되는 리플이 억제된다. 도 10에서, 빗살 전극들(33a, 33b) 및 반사기들(34, 35)이 또한 나타난다.
덧붙여서, 본 발명은 또한 다수의 1-포트 탄성 표면파 공진기들이 배치되고 다수의 탄성 표면파 공진기들이 전기적으로 연결되어 필터 회로들을 형성하는 경우의 다양한 탄성 표면파 필터들에 적용될 수 있다. 예를 들어, 도 11에 도시된 것처럼, 다수의 직렬 공진기들(S1 내지 S3) 및 다수의 병렬 공진기들(P1 내지 P4)을 갖는 사다리형 필터를 구성하도록 석영 기판 위에 다수의 1-포트 탄성 표면파 공진기들이 연결될 수 있다. 마찬가지 방법으로, 다수의 1-포트 탄성 표면파 공진기들이 연결되어 격자형 회로를 형성할 수 있다.
전술한 실시형태에서, 인터디지털 트랜스듀서들(13, 14)은 탄탈륨(Ta)으로 제작된다. 본 발명에서, 인터디지털 트랜스듀서는 알루미늄보다 큰 질량을 갖는 금속으로 제작될 수 있다. 인터디지털 트랜스듀서가 반드시 단일 금속 물질로 제작되어야 하는 것은 아니다. 전체의 인터디지털 트랜스듀서가 알루미늄보다 작은 질량을 갖는 것을 제외한다면, 다수의 전극층들이 적층된 구조를 가질 수도 있다. 이러한 경우에, 적어도 하나의 전극층은 알루미늄보다 큰 질량을 갖는 금속 또는 합금으로 제작되어야 한다.
본 발명은 또한 탄성 표면파 공진기들 및 탄성 표면파 필터들과 같은 다양한 탄성 표면파 장치들에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명이 탄성 표면파 필터에 적용될 때, 그것은 이동용 송수신기의 대역 필터에 적합하다.
도 12에서, 안테나(161)가 듀플렉서(162)에 연결된다. 듀플렉서(162) 및 수신측 혼합기(163) 사이에, RF-단을 구성하는 탄성 표면파 필터(164) 및 증폭기 (165)가 연결된다. IF-단 탄성 표면파 필터(169)는 혼합기(163)에 연결된다. 듀플렉서(162) 및 송신측 혼합기(166) 사이에, RF-단을 구성하는 증폭기(167) 및 탄성 표면파 필터(168)가 연결된다.
본 발명에 따른 탄성 표면파 장치는 상술한 송수신기(160) 내의 탄성 표면파 필터(169)로서 성공적으로 이용될 수 있다.
본 발명의 탄성 표면파 장치에서, 알루미늄(Al)보다 큰 질량을 갖는 전극 구조로 형성된 적어도 하나의 인터디지털 트랜스듀서가 석영 기판 위에 제작되고, 횡단 모드파에 의해 야기되는 리플이 0.5 ㏈ 이하가 되도록 금속피복비(d) 및 규격화 막 두께(h/λ)가 특정 범위들 내에 있도록 제어된다. 이 경우에, 규격화 막 두께(h/λ)를 만족하는 인터디지털 트랜스듀서(IDT)를 형성하기 위하여, 석영 기판 위에 금속막이 형성되고, 패턴화를 수행하기 위한 반응성 이온 에칭 또는 리프트-오프 처리를 이용하여 적어도 하나의 인터디지털 트랜스듀서(IDT)를 형성하는 방법이 적절하게 이용된다. 주 성분으로서 알루미늄을 갖는 물질로 제작된 인터디지털 트랜스듀서를 형성하기 위하여, 종래에는 습식 에칭에 의한 패턴화가 널리 수행되었다. 습식 에칭은 미세 가공에는 적합하지 않으며, 전술한 특정 규격화 막 두께(h/λ)를 만족하는 선폭을 갖는 인터디지털 트랜스듀서를 형성하기 위하여 습식 에칭을 이용하는 것은 불가능하다. 규격화 막 두께(h/λ)를 만족하는 선폭을 갖는 전극지들은 반응성 이온 에칭 또는 리프트-오프 처리를 이용함으로써 높은 정밀도에서 수행될 수 있다.
본 발명에 따른 탄성 표면파 장치에서, 주파수를 조정하기 위하여 석영 기판을 연마하는 것이 필요하거나 또는 전극층이 탄탈륨(Ta)과 같이 큰 질량을 갖는 물질로 제작된 전극층 하에서 형성될 때, 알루미늄보다 큰 질량을 갖는 전극에 의한 질량부하에 대한 석영 기판의 연마에 의해 야기되는 효과 또는 포괄적으로 참작되어 배치되는 전극층의 질량부하 작동에 의해 야기되는 효과를 갖는 전술한 규격화 막 두께(h/λ)에 등가인 값으로 인터디지털 트랜스듀서의 막 두께가 설정되는 것이 필요하다. 그러한 설정에 따라, 횡단 모드파에 의해 야기되는 리플이 전술한 실시형태에서와 마찬가지 방법에서 효과적으로 억제될 수 있다.

Claims (17)

  1. 석영 기판;
    상기 석영 기판 위에 형성되고 알루미늄보다 단위량의 질량이 큰 금속으로 만들어진 전극들로 제작된 적어도 하나의 인터디지털 트랜스듀서; 및
    탄성 표면파 전파 방향에 따라 상기 인터디지털 트랜스듀서가 형성되어 있는 영역의 양 측면에 배치되는 그레이팅 반사기;를 포함하여 구성되고,
    횡단 모드 파에 의해 야기되는 리플이 0.5 ㏈ 이하가 되도록, 상기 인터디지털 트랜스듀서의 금속피복비(d) 및 규격화 막 두께(h/λ)로 제어되는 상기 석영 기판의 음속 이방성 지수(γx)가 -1 부근에서 설정되는데,
    "λ"는 상기 탄성 표면파의 파장을, "h"는 상기 인터디지털 트랜스듀서의 상기 전극들의 막 두께를, 그리고 "γx"는 상기 전극들의 질량을 참작한 음속의 이방성 지수를 가리키는 것을 특징으로 하는 SH-방식 탄성 표면파를 이용한 탄성 표면파 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 인터디지털 트랜스듀서는 알루미늄보다 단위량의 질량이 큰 금속으로 제작된 적어도 하나의 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 SH-방식 탄성 표면파를 이용한 탄성 표면파 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 인터디지털 트랜스듀서는 알루미늄보다 단위량의 질량이 큰 단일 금속으로 제작된 것을 특징으로 하는 SH-방식 탄성 표면파를 이용한 탄성 표면파 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 인터디지털 트랜스듀서는 탄탈륨으로 제작되고,
    상기 인터디지털 트랜스듀서의 상기 규격화 막 두께(h/λ)가 0.6d+1.65 내지 0.6d+1.81의 범위 내에서 정렬되는 것을 특징으로 하는 SH-방식 탄성 표면파를 이용한 탄성 표면파 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 인터디지털 트랜스듀서의 규격화 막 두께(h/λ)가 0.6d+0.85 내지 0.6d+1.30의 범위 내에서 정렬되는 것을 특징으로 하는 SH-방식 탄성 표면파를 이용한 탄성 표면파 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 규격화 막 두께(h/λ)가 0.6d+1.00 내지 0.6d+1.23의 범위 내에서 정렬되는 것을 특징으로 하는 SH-방식 탄성 표면파를 이용한 탄성 표면파 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 다수의 인터디지털 트랜스듀서들이 형성되어 종결합 공진기 필터를 구성하는 것을 특징으로 하는 SH-방식 탄성 표면파를 이용한 탄성 표면파 장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 종결합 공진기 필터들은 적어도 두 단에서 종속으로 연결된 것을 특징으로 하는 SH-방식 탄성 표면파를 이용한 탄성 표면파 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 인터디지털 트랜스듀서가 상기 석영 기판 위에 배치되어 하나의 1-포트 탄성 표면파 공진기를 구성하는 것을 특징으로 하는 SH-방식 탄성 표면파를 이용한 탄성 표면파 장치.
  10. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 다수의 인터디지털 트랜스듀서들이 상기 석영 기판 위에 형성되고, 각 인터디지털 트랜스듀서가 하나의 1-포트 탄성 표면파 공진기를 구성하며, 그리고 다수의 인터디지털 트랜스듀서들이 연결되어 상기 석영 기판 위에 사다리형 필터를 구성하는 것을 특징으로 하는 SH-방식 탄성 표면파를 이용한 탄성 표면파 장치.
  11. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 다수의 인터디지털 트랜스듀서들이 상기 석영 기판 위에 형성되고, 각 인터디지털 트랜스듀서가 하나의 1-포드 탄성 표면파 공진기를 구성하며, 그리고 다수의 인터디지털 트랜스듀서들이 연결되어 상기 석영 기판 위에 격자형 필터를 구성하는 것을 특징으로 하는 SH-방식 탄성 표면파를 이용한 탄성 표면파 장치.
  12. 안테나;
    상기 안테나에 일단이 접속되는 듀플렉서; 및
    상기 듀플렉서의 다른 일단에 각각 접속되는 송수신부;를 포함하는 통신장치로,
    상기 송수신부는 제1 항에 기재된 SH-방식 탄성 표면파를 이용한 탄성 표면파 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 통신 장치.
  13. 석영 기판을 준비하는 단계;
    상기 석영 기판 위에 알루미늄보다 단위량의 질량이 큰 금속으로 만들어진 금속막을 형성하는 단계; 및
    횡단 모드 리플을 0.5 ㏈ 이하로 만들기 위하여, 인터디지털 트랜스듀서의 금속피복비(d) 및 규격화 막 두께(h/λ)로 제어되는 상기 석영 기판의 음속 이방성 지수(γx)가 -1 부근에서 설정되도록, 반응성 이온 에칭 또는 리프트-오프 처리에 의해 금속막을 패턴화하여 적어도 하나의 인터디지털 트랜스듀서 및 탄성 표면파 진행 방향에 따라 상기 인터디지털 트랜스듀서가 형성되어 있는 영역의 양 측면에 배치되는 그레이팅 반사기를 형성하는 단계;를 포함하는데,
    이때 "d"는 상기 인터디지털 트랜스듀서의 금속피복비를 가리키고, "λ"는 상기 탄성 표면파의 파장을 가리키고, "h"는 상기 인터디지털 트랜스듀서의 상기 전극들의 막 두께를 가리키고, "γx"는 상기 전극들의 질량을 참작한 음속의 이방성 지수를 가리키는 것을 특징으로 하는 SH-방식 탄성 표면파를 이용한 탄성 표면파 장치 제조방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 금속막은 탄탈륨으로 제작되고, 규격화 막 두께(h/λ)가 0.6d+1.50 내지 0.6d+1.87의 범위 내에서 정렬되도록 반응성 이온 에칭 또는 리프트-오프 처리에 의해 패턴화되어 적어도 하나의 인터디지털 트랜스듀서를 형성하는 것을 특징으로 하는 SH-방식 탄성 표면파를 이용한 탄성 표면파 장치 제조방 법.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 인터디지털 트랜스듀서의 규격화 막 두께(h/λ)가 0.6d+1.65 내지 0.6d+1.81의 범위 내에서 정렬되도록 반응성 이온 에칭 또는 리프트-오프 처리에 의해 패턴화되는 것을 특징으로 하는 SH-방식 탄성 표면파를 이용한 탄성 표면파 장치 제조방법.
  16. 제 13 항에 있어서, 상기 금속막은 텅스텐으로 제작되고, 규격화 막 두께(h/λ)가 0.6d+0.85 내지 0.6d+1.30의 범위 내에서 정렬되도록 반응성 이온 에칭 또는 리프트-오프 처리에 의해 패턴화되어 적어도 하나의 인터디지털 트랜스듀서를 형성하는 것을 특징으로 하는 SH-방식 탄성 표면파를 이용한 탄성 표면파 장치 제조방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 인터디지털 트랜스듀서의 규격화 막 두께(h/λ)가 0.6d+1.00 내지 0.6d+1.23의 범위 내에서 정렬되도록 반응성 이온 에칭 또는 리프트-오프 처리에 의해 패턴화되는 것을 특징으로 하는 SH-방식 탄성 표면파를 이용한 탄성 표면파 장치 제조방법.
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