KR20020033061A - 탄성 표면파 장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 석영 기판; 및상기 석영 기판 위에 형성되고 알루미늄보다 큰 질랑부하 효과를 갖는 전극들로 제작된 적어도 하나의 인터디지털 트랜스듀서;를 포함하고,상기 인터디지털 트랜스듀서의 금속피복비(d) 및 규격화 막 두께(h/λ)가 특정 범위 내에서 정렬되도록 제어되어 횡단 모드 파에 의해 야기되는 리플이 0.5 ㏈ 이하가 되고, 이때 "λ"는 탄성 표면파의 파장을 가리키고 "h"는 인터디지털 트랜스듀서의 막 두께를 가리키는 것을 특징으로 하는 SH-방식 탄성 표면파를 이용한 탄성 표면파 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 인터디지털 트랜스듀서는 알루미늄보다 큰 질랑을 갖는 금속으로 제작된 적어도 하나의 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 인터디지털 트랜스듀서는 알루미늄보다 큰 질랑을 갖는 단일 금속으로 제작된 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 석영 기판; 및상기 석영 기판 위에 형성되고 탄탈륨으로 제작된 적어도 하나의 인터디지털트랜스듀서;를 포함하고,상기 인터디지털 트랜스듀서의 규격화 막 두께(h/λ)가 0.6d+1.65 내지 0.6d+1.81의 범위 내에서 정렬되고, 이때 "d"는 인터디지털 트랜스듀서의 금속피복비를 가리키고, "λ"는 탄성 표면파의 파장을 가리키고, 그리고 "h"는 인터디지털 트랜스듀서의 전극의 막 두께를 가리키는 것을 특징으로 하는 SH-방식 탄성 표면파를 이용한 탄성 표면파 장치.
- 석영 기판; 및상기 석영 기판 위에 형성되고 텅스텐으로 제작된 적어도 하나의 인터디지털 트랜스듀서;를 포함하고,상기 인터디지털 트랜스듀서의 규격화 막 두께(h/λ)가 0.6d+0.85 내지 0.6d+1.30의 범위 내에서 정렬되고, 이때 "d"는 인터디지털 트랜스듀서의 금속피복비를 가리키고, "λ"는 탄성 표면파의 파장을 가리키고, 그리고 "h"는 인터디지털 트랜스듀서의 전극의 막 두께를 가리키는 것을 특징으로 하는 SH-방식 탄성 표면파를 이용한 탄성 표면파 장치.
- 제 5 항에 있어서, 상기 규격화 막 두께(h/λ)가 0.6d+1.00 내지 0.6d+1.23의 범위 내에서 정렬되는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 다수의 인터디지털 트랜스듀서들이 형성되어 종결합 공진기 필터를 구성하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 제 7 항에 있어서, 상기 종결합 공진기 필터들은 적어도 두 단에서 종속으로 연결된 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 인터디지털 트랜스듀서가 상기 석영 기판 위에 배치되어 하나의 1-포트 탄성 표면파 공진기를 구성하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 다수의 인터디지털 트랜스듀서들이 상기 석영 기판 위에 형성되고, 각 인터디지털 트랜스듀서가 하나의 1-포트 탄성 표면파 공진기를 구성하며, 그리고 다수의 인터디지털 트랜스듀서들이 연결되어 상기 석영 기판 위에 사다리형 필터를 구성하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 다수의 인터디지털 트랜스듀서들이 상기 석영 기판 위에 형성되고, 각 인터디지털 트랜스듀더가 하나의 1-포드 탄성 표면파 공진기를 구성하며, 그리고 다수의 인터디지털 트랜스듀서들이 연결되어 상기 석영 기판 위에 격자형 필터를구성하는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
- 제 1 항에 따른 탄성 표면파 장치를 이용한 통신 장치.
- 석영 기판을 준비하는 단계;상기 석영 기판 위에 알루미늄보다 큰 질랑부하 효과를 갖는 금속막을 형성하는 단계; 및인터디지털 트랜스듀서의 금속피복비(d) 및 규격화 막 두께(h/λ)가 의사 횡단 모드 리플을 1.5 ㏈ 이하로 만드는 것을 충족하도록, 반응성 이온 에칭 또는 리프트-오프 처리에 의해 금속막을 패턴화하여 적어도 하나의 인터디지털 트랜스듀서를 형성하는 단계;를 포함하고,이때 "d"는 인터디지털 트랜스듀서의 금속피복비를 가리키고, "λ"는 탄성 표면파의 파장을 가리키고, 그리고 "h"는 인터디지털 트랜스듀서의 전극의 막 두께를 가리키는 것을 특징으로 하는 SH-방식 탄성 표면파를 이용한 탄성 표면파 장치 제조방법.
- 제 13 항에 있어서, 상기 금속막은 탄탈륨으로 제작되고, 규격화 막 두께(h/λ)가 0.6d+1.50 내지 0.6d+1.87의 범위 내에서 정렬되도록 반응성 이온 에칭 또는 리프트-오프 처리에 의해 패턴화되어 적어도 하나의 인터디지털 트랜스듀서를 형성하는 것을 특징으로 하는 SH-방식 탄성 표면파를 이용한 탄성 표면파 장치 제조방법.
- 제 14 항에 있어서, 상기 인터디지털 트랜스듀서의 규격화 막 두께(h/λ)가 0.6d+1.65 내지 0.6d+1.81의 범위 내에서 정렬되도록 반응성 이온 에칭 또는 리프트-오프 처리에 의해 패턴화되는 것을 특징으로 하는 SH-방식 탄성 표면파를 이용한 탄성 표면파 장치 제조방법.
- 제 13 항에 있어서, 상기 금속막은 텅스텐으로 제작되고, 규격화 막 두께(h/λ)가 0.6d+0.85 내지 0.6d+1.30의 범위 내에서 정렬되도록 반응성 이온 에칭 또는 리프트-오프 처리에 의해 패턴화되어 적어도 하나의 인터디지털 트랜스듀서를 형성하는 것을 특징으로 하는 SH-방식 탄성 표면파를 이용한 탄성 표면파 장치 제조방법.
- 제 16 항에 있어서, 상기 인터디지털 트랜스듀서의 규격화 막 두께(h/λ)가 0.6d+1.00 내지 0.6d+1.23의 범위 내에서 정렬되도록 반응성 이온 에칭 또는 리프트-오프 처리에 의해 패턴화되는 것을 특징으로 하는 SH-방식 탄성 표면파를 이용한 탄성 표면파 장치 제조방법.
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