JP2006041692A - 弾性表面波デバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】 SH型弾性表面波デバイスの挿入損失に関し、最適化電極膜厚を得る。
【解決手段】 オイラー角(0°,110°〜150°,90°±2°)の水晶基板上にアルミニウムを主成分とする合金のIDT電極及びグレーティング反射器を複数個備えたSH型弾性表面波デバイスであって、前記IDT電極及びグレーティング反射器の実効膜厚H=H0・2L/(L+S)(H0は規格化膜厚、Lはライン幅、Sはスペース幅)が3%λから4.5%λ(λは波長)の範囲にあるように設定する。
【選択図】 図1
【解決手段】 オイラー角(0°,110°〜150°,90°±2°)の水晶基板上にアルミニウムを主成分とする合金のIDT電極及びグレーティング反射器を複数個備えたSH型弾性表面波デバイスであって、前記IDT電極及びグレーティング反射器の実効膜厚H=H0・2L/(L+S)(H0は規格化膜厚、Lはライン幅、Sはスペース幅)が3%λから4.5%λ(λは波長)の範囲にあるように設定する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、弾性表面波デバイスに関し、特にSTカット水晶基板上をZ’軸方向に伝搬するSH型弾性表面波デバイスの電極膜厚の最適化に関するものである。
近年、弾性表面波デバイスは通信分野で広く利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を有することから特に携帯電話機等に多く用いられている。
STカット水晶基板上をX軸方向に伝搬する弾性表面波(レイリー波)を用いた狭帯域の共振器型フィルタが使用されている。図4は1次モードと2次モードとを用いた横結合型二重モードSAWフィルタの構成を示す平面図であって、STカット水晶基板11の主表面上に2つのIDT電極12、13をこれらが励起する弾性表面波の伝搬方向と直交する方向に近接配置すると共に、併置したIDT電極12、13の両側にグレーティング反射器(以下、反射器と称す)14a、14bを配設して、横結合型二重モードSAWフィルタを構成する。
STカット水晶基板上をX軸方向に伝搬する弾性表面波(レイリー波)を用いた狭帯域の共振器型フィルタが使用されている。図4は1次モードと2次モードとを用いた横結合型二重モードSAWフィルタの構成を示す平面図であって、STカット水晶基板11の主表面上に2つのIDT電極12、13をこれらが励起する弾性表面波の伝搬方向と直交する方向に近接配置すると共に、併置したIDT電極12、13の両側にグレーティング反射器(以下、反射器と称す)14a、14bを配設して、横結合型二重モードSAWフィルタを構成する。
IDT電極12、13はそれぞれ互いに間挿し合う複数本の電極指を有する一対の櫛形電極により形成され、IDT電極12の一方の櫛形電極は入力端子IN1に接続すると共に、他方の櫛形電極は入力端子IN2に接続する。さらに、IDT電極13の一方の櫛形電極は出力端子OUT1に接続すると共に、他方の櫛形電極はOUT2に接続して横結合型二重モードSAWフィルタを構成する。
IDT電極12、13で励起された弾性表面波は反射器14a、14bの間で音響結合が生じ、その内IDT電極パターンにより表面波の伝搬方向と直交する方向に、振動変位分布が対称な1次モード(共振周波数f1)と、反対称な2次モード(共振周波数f2)とが強勢に励振され、適当な終端を施すことにより横結合型二重モードSAWフィルタとして動作し、その帯域幅は(f2−f1)に比例することがよく知られている。
しかし、STカット水晶基板に励起されるレイリー波を用いたSAWデバイスの電気機械結合係数は小さく、例えばSAWフィルタを構成すると帯域幅が制限されるという問題と、反射係数が小さいため反射器の本数を多く必要とするという問題があった。これを解決するためにSTカット水晶基板上をZ’軸方向に伝搬するSH波を用いた弾性表面波デバイスが発明された。SH型弾性表面波の伝搬速度は、レイリー波のそれよりも約1.6倍と速く高周波化に適している。特開2002−330051号公報にはオイラー角(0°,110°〜150°,90°±2°)、STカット90°X軸伝搬の水晶基板(回転角では20〜60°回転Y板)に電極材料としてアルミニウムを用いた場合、電極の膜厚の変化に対する伝搬速度の変化の割合が小さいこと、電気機械結合係数がレイリー波のそれに比べて1.5倍以上大きいこと、反射器1本当たりの反射係数が30%を超えるようになり、数本の反射器で十分な反射率を確保できると記されている。
図5は上記公報に開示されている縦結合共振子フィルタの構成を示す図で、オイラー角(0°,110°〜150°,90°±2°)、STカット90°X軸伝搬の水晶基板(回転角では20〜60°回転Y板)21上にSH波を励振する2つのIDT電極22、23を近接して配置し、これらの両側にSH波を反射する2つの反射器24a、24bを配設して縦結合共振子フィルタ(縦結合二重モードSAWフィルタ)を構成している。電極パターンにはアルミニウムを主とした電極材料を用い、その規格化膜厚H/λ(Hは電極膜厚、λはSH型弾性表面波の波長)は0.025から0.135となるように構成すると記されている。
特開2002−330051号公報
特開2002−330051号公報の請求項には規格化膜厚H/λとして、0.025〜0.135の範囲にあること、または0.045〜0.095の範囲にあること、または0.06以上であることを特徴とする表面波装置であると記されている。しかしながら、オイラー角(0°,126°,90°)のSTカット水晶基板上に励起されるSH型弾性表面波を用いて、図5に示した縦結合二重モードSAWフィルタを試作し、フィルタ特性を測定したところ、特開2002−330051号公報に記されている規格化膜厚H/λの0.025〜0.135の範囲では必ずしも最適のフィルタ特性が得られないという問題があった。
本発明は、SH型弾性表面波デバイスの電極膜厚を最適化するため、オイラー角(0°,110°〜150°,90°±2°)の水晶基板上にアルミニウムを主成分とする合金のIDT電極及びグレーティング反射器を複数個備えたSH型弾性表面波デバイスであって、前記IDT電極及びグレーティング反射器の実効膜厚H=H0・2L/(L+S)(H0は規格化膜厚、Lはライン幅、Sはスペース幅)が3%λから4.5%λ(λは波長)の範囲に設定したSH型弾性表面波デバイスであることを特徴とする。
本発明のSH波を用いた弾性表面波デバイスは、電極膜厚を最適化したため、 弾性表面波フィルタに適用すると挿入損失が小さくなるという利点がある。
図1は本発明に係るSH型弾性表面波を用いた縦結合二重モードSAWフィルタの実施の形態を示す平面図であって、オイラー角(0°,126°,90°)のSTカット水晶基板1の主表面上にSH型弾性表面波の伝搬方向(Z’軸)に沿って2つのIDT電極2、3を近接配置すると共に該IDT電極2、3の両側に反射器4a、4bを配設して縦結合二重モードSAWフィルタを構成する。IDT電極2、3はそれぞれ互いに間挿し合う複数本の電極指を有する一対の櫛形電極により形成され、IDT電極2の一方の櫛形電極は入力端子INに接続すると共に、他方の櫛形電極は接地する。さらに、IDT電極3の一方の櫛形電極は出力端子OUTに接続すると共に、他方の櫛形電極は接地して、縦結合型二重モードSAWフィルタを構成する。
本発明の特徴はSH型弾性表面波を用いた縦結合二重モードSAWフィルタの挿入損失を最小にするように電極膜厚の最適化を図ったところである。図1に示すように電極指のライン幅をL、スペース幅をS、電極の規格化膜厚をH0(%λ)とし、実効膜厚H(%λ)を次式のように定義する。
H=H0・2L/(L+S) (1)
実効膜厚H(%λ)を用いることにより、ライン占有率(L/(L+S))が50%のときにはH=H0となり、50%よりずれた場合にもライン占有率を含んで規格化膜厚が一般化される利点がある。
H=H0・2L/(L+S) (1)
実効膜厚H(%λ)を用いることにより、ライン占有率(L/(L+S))が50%のときにはH=H0となり、50%よりずれた場合にもライン占有率を含んで規格化膜厚が一般化される利点がある。
図2は、オイラー角(0°,126°,90°)の水晶基板上に図1に示す電極パターンをアルミニウム(Al)を主成分とした合金で形成し、中心周波数を500MHzと2.5GHzとし、IDT電極2、3の対数をそれぞれ70対、反射器4a、4bの本数を360本、ライン占有率を50%、実効膜厚Hを約2%λから5.5%λの範囲で変化させた場合の縦結合二重モードSAWフィルタの最少損失(dB)の変化を示す図である。500MHzは×印で、2.5GHzは○印で示している。
特開2002−330051号公報にはSH型弾性表面波を励振する場合、オイラー角(0°,110°〜150°,90°±2°)のSTカット水晶基板上に形成するAl電極の規格化膜厚は2.5%λ〜13.5%λの範囲が最適であるとし、同公報の図2からは6%λ付近で電気機械結合係数が最大になることが読み取れる。
しかし、実際に試作したSH型の縦結合二重モードSAWフィルタでは、図2に示すように500MHz、2.5GHzの両フィルタとも、Al電極の実効膜厚Hが約3.5%λでフィルタの損失が最小になることを示している。
特開2002−330051号公報に示された図は計算によるものと推定され、その数値が図2の実測値と大きくかけ離れている。その原因としては、図6(a)に示すようようなIDT電極をシミュレーションでは図6(b)に示すように水晶基板上にAl電極が一様に成膜されたものとして計算したものと推測される。
特開2002−330051号公報に示された図は計算によるものと推定され、その数値が図2の実測値と大きくかけ離れている。その原因としては、図6(a)に示すようようなIDT電極をシミュレーションでは図6(b)に示すように水晶基板上にAl電極が一様に成膜されたものとして計算したものと推測される。
図3はオイラー角(0°,126°,90°)の水晶基板上に構成したSH型の縦結合二重モードSAWフィルタの実効膜厚H(%λ)と頂点温度Tpとの関係を示す図である。この図の範囲では頂点温度Tpは実効膜厚H(%λ)に対して1次の変化をし、次式のように近似出来る。
Tp=−10.60H+52.68(℃) (2)
そして、オイラー角(0°,126°,90°)のSTカット水晶基板では、カット角θ=126°に対して+1°変化させると頂点温度Tpは約+40℃変化するので、所望の頂点温度Tpとカット角θとの関係は式2より次式が得られる。
θ=(Tp+10.60H-52.68)/40+126(°) (3)
つまり、実効膜厚が3%λ〜4.5%λ、ライン占有率が45%〜55%の範囲で、頂点温度Tpが約15℃〜60℃となるようにするには、カット角θを125.8°〜127.4°に設定すればよい。
なお、本発明に係るSH型の縦結合二重モードSAWフィルタは道路交通情報システム(VICS)用のフィルタとしても用いられる。
Tp=−10.60H+52.68(℃) (2)
そして、オイラー角(0°,126°,90°)のSTカット水晶基板では、カット角θ=126°に対して+1°変化させると頂点温度Tpは約+40℃変化するので、所望の頂点温度Tpとカット角θとの関係は式2より次式が得られる。
θ=(Tp+10.60H-52.68)/40+126(°) (3)
つまり、実効膜厚が3%λ〜4.5%λ、ライン占有率が45%〜55%の範囲で、頂点温度Tpが約15℃〜60℃となるようにするには、カット角θを125.8°〜127.4°に設定すればよい。
なお、本発明に係るSH型の縦結合二重モードSAWフィルタは道路交通情報システム(VICS)用のフィルタとしても用いられる。
以上ではSH型の縦結合二重モードSAWフィルタについて説明したが、本発明はこれのみに限定されるものではなく、SH型の横結合二重モードSAWフィルタ、SH型の一端子対SAW共振子、SH型のSAW共振子複数個を梯子状に接続したラダー型SAWフィルタにも適用できることは、説明するまでもない。
1 オイラー角(0°,126°,90°)のSTカット水晶基板
2、3 IDT電極
4a、4b 反射器
L ライン幅
S スペース幅
2、3 IDT電極
4a、4b 反射器
L ライン幅
S スペース幅
Claims (7)
- オイラー角(0°,110°〜150°,90°±2°)の水晶基板上にアルミニウムを主成分とする合金のIDT電極及びグレーティング反射器を複数個備えたSH型弾性表面波デバイスであって、前記IDT電極及びグレーティング反射器の実効膜厚H=H0・2L/(L+S)(H0は規格化膜厚、Lはライン幅、Sはスペース幅)が3%λから4.5%λ(λは波長)の範囲にあることを特徴とするSH型弾性表面波デバイス。
- 前記IDT電極のライン占有率(L/(L+S))が45%から55%の範囲にあることを特徴とする請求項1に記載のSH型弾性表面波デバイス。
- オイラー角(0°,125.8°〜127.4°,90°±2°)の水晶基板上にアルミニウムを主成分とする合金のIDT電極及びグレーティング反射器を複数個備えたSH型弾性表面波デバイスであって、前記IDT電極及びグレーティング反射器の実効膜厚Hが3%λから4.5%λの範囲にあることを特徴とするSH型弾性表面波デバイス。
- 前記IDT電極のライン占有率が45%から55%の範囲にあることを特徴とする請求項3に記載のSH型弾性表面波デバイス。
- 前記SH型弾性表面波デバイスが縦結合二重モードSAWフィルタであることを特徴とする請求項1乃至4に記載のSH型弾性表面波デバイス。
- 前記SH型弾性表面波デバイスが横結合二重モードSAWフィルタであることを特徴とする請求項1乃至4に記載のSH型弾性表面波デバイス。
- 前記SH型弾性表面波デバイスが複数の一端子対SAW共振子を梯子状に接続したラダー型SAWフィルタであることを特徴とする請求項1乃至4に記載のSH型弾性表面波デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004215592A JP2006041692A (ja) | 2004-07-23 | 2004-07-23 | 弾性表面波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2006041692A true JP2006041692A (ja) | 2006-02-09 |
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ID=35906243
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006041692A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8181521B2 (en) | 2007-11-28 | 2012-05-22 | Denso Corporation | Yaw rate sensor using surface acoustic wave |
JP2012129735A (ja) * | 2010-12-14 | 2012-07-05 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置及び磁気センサ |
-
2004
- 2004-07-23 JP JP2004215592A patent/JP2006041692A/ja active Pending
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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