JP5338914B2 - 弾性波素子と、これを用いたデュプレクサおよび電子機器 - Google Patents
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Description
以下、本発明の第1の実施の形態における弾性波素子について、図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の第1の実施の形態における、弾性波素子5の断面模式図である。
(φ,θ,ψ)=(60+φ,−θ,ψ)
=(60−φ,−θ,180−ψ)
=(φ,180+θ,180−ψ)
=(φ,θ,180+ψ)
電極7は、櫛形の電極である。電極7は、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、チタン、タングステン、モリブデン、白金、もしくはクロムからなる単体金属、これらを主成分とする合金、または、これらの金属の積層物からなる。
次に、本発明の第2の実施の形態における弾性波素子15について、図面を用いて説明する。なお、特に説明しない場合には、弾性波素子15の構成は第1の実施の形態における弾性波素子5と同様であるものとする。
次に、本発明の第3の実施の形態における弾性波素子45について、図面を用いて説明する。なお、特に説明しない場合には、弾性波素子45の構成は、第1の実施の形態および第2の実施の形態における弾性波素子5,15と同様であるものとする。
次に、本発明の第4の実施の形態における弾性波素子35について、図面を用いて説明する。なお、特に説明しない場合には、弾性波素子35の構成は第1の実施の形態および第2の実施の形態における、弾性波素子5,15と同様であるものとする。
6,16,21 圧電体
6A,6B 入出力端子
7,17 電極
7A,7B,7C 直列共振器
8,18,24 保護膜
8A,8B 並列共振器
9 凸部
10 頂部
10A,10B,12A,12B,112,113,122,132,212,213,222,232 櫛形電極
11 最下部
14A,14B,14C,14D,16A,16B,16C,16D 電極非対向領域
20 第1フィルタ
22 電極膜
23,25 レジスト膜
26 パッド
30 半導体集積回路素子
31 第2フィルタ
32 デュプレクサ
33 フィルタ
40 再生装置
50 電子機器
100 第1の弾性波共振器
110,210,410,412 インターディジタルトランスデューサ電極
111,114,121,131,211,214,221,231 バスバー
120,130,220,230 グレーティング反射器
133 接続線路
200 第2の弾性波共振器
302 入力端子
304 出力端子
413,415 励振領域
Claims (9)
- オイラー角(φ,θ,ψ)を有するニオブ酸リチウム系の圧電体と、
前記圧電体の上に設けられ、波長λの主要弾性波を励振させる電極と、
前記電極を覆うように前記圧電体の上に設けられ、膜厚0.27λより厚い酸化ケイ素からなる保護膜とを備え、
前記オイラー角は、
−100°≦θ≦−60°と、
−20°≦φ≦20°と、
1.193φ−2°≦ψ≦1.193φ+2°と、
ψ≦−2φ−3°および−2φ+3°≦ψのいずれか一方と
を満たす弾性波素子。 - オイラー角(φ,θ,ψ)を有するニオブ酸リチウム系の圧電体と、
前記圧電体の上に設けられ、波長λの主要弾性波を励振させる電極と、
前記電極を覆うように前記圧電体の上に設けられ、膜厚0.2λより厚い酸化ケイ素からなる保護膜とを備え、
前記保護膜は、前記電極の電極指の上方に凸部を有し、前記凸部の頂部の幅は、前記電極の電極指の幅よりも小さく、前記オイラー角は、
−100°≦θ≦−60°と、
1.193φ−2°≦ψ≦1.193φ+2°と、
ψ≦−2φ−3°および−2φ+3°≦ψのいずれか一方と
を満たす弾性波素子。 - 前記オイラー角は、
−20°≦φ≦20°を満たす請求項2に記載の弾性波素子。 - 前記保護膜は、前記凸部の頂部から最下部にかけて、下に凸の曲線形状を有する請求項2に記載の弾性波素子。
- 前記凸部の頂部の幅は、前記電極の電極指幅の1/2以下である請求項2に記載の弾性波素子。
- 前記凸部の頂部の中心位置は、前記電極指の中心位置の上方に実質的に一致している請求項2に記載の弾性波素子。
- 前記凸部の高さをT、前記電極の膜厚をhとしたときに、0.03λ<T≦hを満たす請求項2に記載の弾性波素子。
- 第1フィルタと、前記第1フィルタより高い通過帯域を有する第2フィルタとを備えたデュプレクサであって、
前記第1フィルタは、請求項1または請求項2に記載の弾性波素子を有するデュプレクサ。 - 請求項1または請求項2に記載の弾性波素子と、
前記弾性波素子に接続された半導体集積回路素子とを備えた電子機器。
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