WO2005034347A1

WO2005034347A1 - 弾性表面波装置

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Publication number: WO2005034347A1
Application number: PCT/JP2004/011364
Authority: WO
Inventors: Michio Kadota; Takeshi Nakao; Takuo Hada
Original assignee: Murata Manufacturing Co., Ltd.
Priority date: 2003-10-03
Filing date: 2004-08-06
Publication date: 2005-04-14
Also published as: DE112004001841B4; DE112004001841T5; US20070096592A1; US7339304B2; JP3885824B2; JPWO2005034347A1

Abstract

　ＩＤＴ電極を覆うように絶縁物層が形成されている構造を備えた弾性表面波装置であって、ＩＤＴの反射係数が十分に大きく、所望でないリップルによる特性の劣化を抑制し得る弾性表面波装置を提供する。　電気機械結合係数ｋの２乗が０．０２５以上のＬｉＮｂＯ3からなる圧電性基板と、前記圧電性基板上に形成されており、Ａｌよりも密度の大きい金属もしくは該金属を主成分とする合金、またはＡｌよりも密度の大きい金属もしくは該金属を主成分とする合金と他の金属とからなる積層膜からなる少なくとも１つの電極と、前記少なくとも１つの電極が形成されている領域を除いた残りの領域において、前記電極と略等しい膜厚に形成された第１絶縁物層と、前記電極及び第１絶縁物層を被覆するように形成された第２絶縁物層とを備え、前記電極の密度が、前記第１絶縁物層の１．５倍以上である、弾性表面波装置。

Description

明細書

弾性表面波装置

技術分野

[0001] 本発明は、例えば共振子や帯域フィルタなどに用いられる弾性表面波装置及びその製造方法に関し、より詳細には、 IDT電極を被覆するように絶縁物層が形成されている構造を備えた弾性表面波装置に関する。

^景技術

[0002] 移動体通信システムに用いられる DPXや RFフィルタでは、広帯域かつ良好な温度特性の双方が満たされることが求められている。従来、 DPXや RFフィルタに使用されてきた弾性表面波装置では、 36° — 50° 回転 Y板 X伝搬 LiTaO力なる圧電性

3

基板が用いられている。この圧電性基板は、周波数温度係数が- 40—- 30ppm/ °C程度であった。温度特性を改善するために、圧電性基板上において IDT電極を被覆するように正の周波数温度係数を有する Si〇膜を成膜する方法が知られている。

2

図 30にこの種の弾性表面波装置の製造方法の一例を示す。

[0003] 図 30 (a)に示すように、圧電性基板 51上に、 IDT電極が形成される部分を除いてレジストパターン 52が形成される。次に、図 30 (b)に示すように、全面に IDT電極を形成するための電極膜 53が形成される。し力、る後、レジスト剥離液を用いて、レジスト 52及びレジスト 52上に付着している金属膜が除去される。このようにして、図 30 (c) に示すように、 IDT電極 53Aが形成される。次に、図 30 (d)に示すように、 IDT電極 5 3Aを被覆するように、 SiO膜 54が成膜される。

2

[0004] 他方、上記周波数温度特性の改善とは別の目的で、弾性表面波装置の IDT電極を被覆するように絶縁性または半導電性の保護膜が形成されている弾性表面波装置の製造方法が下記特許文献 1に開示されている。図 31は、この先行技術に記載の表面波装置を示す模式的断面図である。弾性表面波装置 61では、圧電基板 62 上に、 Aほたは A1を主成分とする合金からなる IDT電極 63が形成されている。 IDT 電極 63の設けられてレ、る領域以外の領域には、絶縁性または半導電性の電極指間膜 64が形成されている。また、 IDT電極 63及び電極指間膜 64を被覆するように、絶縁性または半導電性の保護膜 65が形成されている。この先行技術に記載の弾性表面波装置 61では、上記電極指間膜 64及び保護膜 65が、 SiOなどの絶縁物ゃシリコンなどの半導電性材料により構

成される旨が記載されている。ここでは、上記電極指間膜 63の形成により、圧電基板 61の有する焦電性に起因する電極指間の放電による特性の劣化が抑制されるとされている。

[0005] 他方、下記の特許文献 2には、水晶またはニオブ酸リチウムからなる圧電基板上に、アルミニウムや金などの金属からなる電極が形成されており、さらに Si〇膜を形成した後、該 Si〇膜を平坦ィ匕してなる 1ポート型弾性表面波伝共振子が開示されている

。ここでは、平坦ィ匕により良好な共振特性が得られるとされている。

特許文献 1 :特開平 11 - 186866号公報

特許文献 2 :特開昭 61 - 136312号公報

発明の開示

[0006] 図 30に示したように、従来の周波数温度特性を改善するために SiO膜を成膜してなる弾性表面波装置の製造方法では、 IDT電極 53Aが存在する部分と、存在しない部分とで、 SiO膜 54の表面の高さが異なることになる。従って、上記 Si〇膜 54表面の凹凸の存在により、揷入損失が劣化するという問題があった。また、 IDT電極の膜厚が大きくなるにつれて、この凹凸は大きくなる。従って、 IDT電極の膜厚を厚くすることができなかった。

[0007] 他方、文献 1に記載の弾性表面波装置では、 IDT電極 63の電極指間に電極指間膜 64が形成された後に、保護膜 65が形成されている。従って、保護膜 65の表面を平坦ィ匕することができる。

[0008] し力ながら、文献 1に記載の構成では、 IDT電極 63は Aほたは A1を主成分とする合金により構成されていた。この IDT電極 63に接するように電極指間膜 64が形成されていたが、 IDT電極 63において十分な反射係数を得ることができなかった。そのため、例えば共振特性などにリップノレが生じがちであるとレ、う問題があつた。

[0009] さらに、文献 1に記載の製造方法では、保護膜 65を形成するに先だち、電極指間膜 64上に形成されたレジストをレジスト剥離液を用いて除去しなければならないが、この際に、 IDT電極 63がレジスト剥離液で腐食される恐れがあった。従って、 IDT電極を構成する金属として、腐食され易い金属を用いることができなかった。すなわち、 IDT電極構成金属の種類に制約があつた。

[0010] 他方、前述した特許文献 2に記載の 1ポート型弾性表面波共振子では、圧電基板として水晶またはニオブ酸リチウムを用いること、電極がアルミニウムまたは金などからなることが示されているものの、具体的な実施例では、水晶基板上に A1からなる電極を形成した例のみが示されている。すなわち、他の基板材料や他の金属材料を用いた弾性表面波装置にっレ、ては特に言及されてレ、なレ、。

[0011] 本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、 IDT電極の電極指間及び ID T電極上に絶縁物層が形成されている弾性表面波装置及びその製造方法であって、 IDT電極の反射係数が十分に大きぐ共振特性などに表れるリップルによる特性の劣化が生じ難ぐ従って、良好な共振特性やフィルタ特性を有する弾性表面波装置及びその製造方法を提供することにある。

[0012] 本発明の他の目的は、 IDT電極の反射係数が十分に大きく良好な特性を有するだけでなく、 IDT電極を構成する金属材料の選択の制約が少なぐ IDT電極の腐食による悪影響が生じ難い弾性表面波装置及びその製造方法を提供することにある。

[0013] 本発明のさらに他の目的は、 IDT電極の反射係数が十分に大きぐ良好な特性を有し、かつ IDT電極の腐食による特性の劣化が生じ難いだけでなぐさらに周波数温度特性が良好な弾性表面波装置及びその製造方法を提供することにある。

[0014] 第 1の発明によれば、電気機械結合係数の 2乗（k²)が 0. 025以上の LiNbOからなる圧電性基板と、前記圧電性基板上に形成されており、 Aはりも密度の大きい金属もしくは該金属を主成分とする合金、または A1よりも密度の大きい金属もしくは該金属を主成分とする合金と他の金属とからなる積層膜からなる少なくとも 1つの電極と、前記少なくとも 1つの電極が形成されている領域を除いた残りの領域において、前記電極と略等しい膜厚に形成された第 1絶縁物層と、前記電極及び第 1絶縁物層を被覆するように形成された第 2絶縁物層とを備え、前記電極の密度が、前記第 1絶縁物層の 1. 5倍以上である、弾性表面波装置が提供される。

[0015] 第 2の発明によれば、 LiNbOからなる圧電性基板と、前記圧電性基板上に形成された少なくとも 1つの電極と、前記電極上に形成されており、かつ電極を構成する金属もしくは合金よりも耐腐食性に優れた金属もしくは合金力なる保護金属膜と、前記少なくとも 1つの電極が形成されている領域を除いた残りの領域において、前記電極と保護金属膜との合計の膜厚と略等しい膜厚を有するように形成された第 1絶縁物層と、前記保護金属膜及び第 1絶縁物層を被覆するように形成された第 2絶縁物層とを備える、弾性表面波装置が提供される。

[0016] 第 2の発明のある特定の局面では、前記電極及び保護金属膜の積層構造の全体の平均密度が、前記第 1絶縁物層の密度の 1. 5倍以上である。

[0017] 第 1 ,第 2の発明のある特定の局面では、前記第 1 ,第 2の絶縁物層が SiOにより形成されている。

[0018] 第 1 ,第 2の発明の他の特定の局面では、弾性表面波の反射を利用した弾性表面波装置である。

[0019] 第 1 ,第 2の発明のさらに他の特定の局面では、前記第 2の絶縁物層の表面の凸部の突出高さが、表面波の波長を λとしたときに、 0. 03 λ以下とされてレ、る。

[0020] 第 1 ,第 2の発明の弾性表面波装置のさらに別の特定の局面では、前記第 2の絶縁物層上の凸部の突出高さが、前記電極の厚みの 1/2以下である。

[0021] より好ましくは、上記凸部の突出高さは、電極の厚みの 1/3以下とされる。

[0022] 第 1 ,第 2の発明の弾性表面波装置のさらに他の特定の局面では、上記電極は、 A

1よりも重レ、金属を主体とする。

[0023] 第 1 ,第 2の発明に係る弾性表面波装置のさらに他の特定の局面では、前記電極力 Au、 Pt、 Cu、 Ta、 W、 Ag、 Ni、 Mo、 NiCr、 Cr及び Tiからなる群から選択した 1 種を主体とする。

[0024] 本発明の弾性表面波装置のさらに他の特定の局面では、前記電極が、 Auまたは P t力、らなり、その膜厚力表面波の波長を λとしたときに、 0. 0017 λ— 0. 06 λの範囲にある。

[0025] 本発明に係る弾性表面波装置の別の特定の局面では、前記電極が、 Au、 Ag、 Ni 、 Mo、 Zn、 Cu、 Pt、 Ta、 W、 Cr及び Tiからなる群力、ら選択した 1種を主体とし、該電極の膜厚が、表面波の波長を λとしたときに、下記の表 1に示す範囲とされている。 [0026] [表 1]

[0027] 本発明に係る弾性表面波装置のさらに別の特定の局面では、前記第 2の絶縁物層の厚みが、波長を Iときしたときに、 0. 15λ 0.4 λの範囲にある。

[0028] 好ましくは、上記第 1の絶縁物層の厚みは、波長を λとしたときに、 0. 2λ→. 3λ の範囲とされる。

[0029] 本発明に係る弾性表面波装置のさらに他の特定の局面では、前記 LiNbO力な

3 る圧電性基板のオイラー角力下記の表 2に示す範囲にある。

[0030] [表 2] オイラー角

(0±5, 62〜167， 0±10)

(0±5， 87-158, 20±10)

(0±5， 112〜165, 80±10)

(0±5， 107~167， 100±10)

(10±5， 110〜162， 80±10)

(10±5, 69〜108， 100±10)

(10±5， 72〜140, 160±10)

(20±5, 99〜121, 160±10)

(30±5， 67〜113, 0±10)

(30±5， 27〜125, 140±10)

(30±5, 67〜103， 160±10) [0031] 本発明に係る弾性表面波装置のさらに別の特定の局面では、前記 LiNb〇₃からなる圧電性基板のオイラー角力下記の表 3に示す範囲にある。

[0032] [表 3]

[0033] 本発明に係る弾性表面波装置のさらに別の特定の局面では、前記 LiNbO。からなる圧電性基板のオイラー角力下記の表 4に示す範囲にある。

[0034] [表 4]

[0035] 本発明に係る弾性表面波装置のさらに他の特定の局面では、前記 LiNbO基板からなる圧電基板のオイラー角力下記の表 5の範囲内とされている。 [0036] [表 5] ォイラ一角

(0±5，38±10，0)

(0±5,89±10，77~102±5)

(0±5， 130±10,79±5)

(10±5， 110±10，50~80±5)

(10±5， 110±10， 106±5)

(20±5， 100±10,35〜72±5)

(20±5, 100±10, 100〜110±5)

(30±5,89±10，40〜80±5)

(30±5, 100±10,40〜117±5)

[0037] また、本発明に係る弾性表面波装置のさらに別の特定の局面では、前記 LiNbO

3 力なる圧電性基板のオイラー角力下記の表 6に示す範囲とされる。

[0038] [表 6] ォイラ一角

(0±5，38±10，0)

(0±5,89±10，80~100±5)

(10±5， 110±10，50~80±5)

(20±5， 100±10，42〜70±5)

(30±5，89±10，42〜76±5)

(30±5， 100±10，42〜72±5)

[0039] 第 1の発明に係る弾性表面波装置では、少なくとも 1つの電極が形成されている領域を除レ、た残りの領域にぉレ、て、該電極と略等しレ、膜厚に形成された第 1の絶縁物層が設けられており、電極及び第 1絶縁物層を被覆するように第 2絶縁物層が設けられている構成において、電極が第 1絶縁物層の密度よりも高密度の金属または該金属を主成分とする合金からなるため、電極の反射係数を十分な大きさとすることができる。従って、所望でなレ、リップルによる特性の劣化が生じ難レ、、周波数温度特性の良好な弾性表面波装置を提供することができる。

[0040] 加えて、 IDT電極と第 1絶縁物層が略等しい膜厚とされており、 IDT及び第 1絶縁物層を被覆するように第 2絶縁物層が積層されているため、第 2絶縁物層の外表面を平坦ィ匕することができ、それによつて第 2絶縁物層表面の凹凸による特性の劣化も生じ難い。

[0041] また、第 1の発明では、圧電性基板が、電気機械結合係数が 0. 025以上の LiNb Oからなるため、帯域幅の拡大を図ることができる。

3

[0042] 第 2の発明に係る弾性表面波装置では、 LiNbO力もなる圧電性基板上において、

3

電極が形成されている領域を除いた残りの領域に電極とほぼ等しい膜厚の第 1絶縁物層が設けられており、電極上に、電極を構成する金属もしくは合金よりも耐腐食性に優れた金属もしくは合金力なる保護金属膜が設けられており、保護金属膜及び第 1絶縁物層上を被覆するように第 2絶縁物層が形成されている。従って、電極が保護金属層及び第 1絶縁物層により覆われているため、フォトリソグラフィー技術によりレジストを剥離する際のレジスト剥離液による電極の腐食が生じ難レ、。よって、 Cuなどのレジスト剥離液により腐食され易いが、密度が A1に比べて十分大きな金属もしくは合金を用いて、電極を構成することができ、弾性表面波装置の特性の劣化を効果的に抑制することができる。

[0043] 第 2の発明において、電極及び保護金属膜の積層構造の全体の平均密度が、第 1 の絶縁物層の密度の 1. 5倍以上である場合には、電極による反射係数を効果的に高めること力 Sできる。

[0044] 第 1 ,第 2の発明において、第 1，第 2の絶縁物層が Si〇により構成されている場合

2

には、本発明に従って、周波数温度特性 TCFが改善された弾性表面波装置を提供すること力 Sできる。

[0045] 本発明において、第 2の絶縁物層の表面の凸部の突出高さが、 0. 03 λ以下の場合には、揷入損失の劣化を抑制することができる。

[0046] 第 2の絶縁物層上の凸部の突出高さが、電極の厚みの 1Z2以下である場合には、弾性表面波装置の揷入損失の劣化を効果的に抑制することができ、電極の厚みの 1

/3以下の場合には、より一層揷入損失の劣化を抑制することができる。

図面の簡単な説明

[0047] [図 1]図 1 (a)—（g)は、本発明の一実施例における弾性表面波装置の製造方法を説明するための各模式的部分切欠断面図である。 [図 2]図 2は、本発明の一実施例で得られた 1ポート型弾性表面波共振子の模式的平面図である。

[図 3]図 3は、 13° , 30° , 70° 回転 Y板 X伝搬 LiNbO基板上に SiO膜を形成した場合の Si〇膜の膜厚 Η/ λと、温度特性 TCFとの関係を示す図である。

[図 4]図 4は、 13° 回転 Υ板 X伝搬 LiNbO基板上にインターデジタル電極及び Si〇膜を形成した構造における Si〇膜の規格化膜厚 Η/ λと、電気機械結合係数 k²との関係を示す図である。

[図 5]図 5は、 LiNbO基板のオイラー角（φ， θ , の Θと、レイリー波及び漏洩弾性表面波の電気機械結合係数との関係を示す図である。

[図 6]図 6は、 LiNbO基板のオイラー角（φ， θ , の Θと、レイリー波及び漏洩弾性表面波の電気機械結合係数との関係を示す図である。

[図 7]図 7は、 LiNbO基板のオイラー角（φ， θ , の Θと、レイリー波及び漏洩弾性表面波の電気機械結合係数との関係を示す図である。

[図 8]図 8は、 LiNbO基板のオイラー角（φ , θ , の Θと、レイリー波及び漏洩弾性表面波の電気機械結合係数との関係を示す図である。

[図 9]図 9は、 LiNbO基板のオイラー角（φ , θ , の Θと、レイリー波及び漏洩弾性表面波の電気機械結合係数との関係を示す図である。

[図 10]図 10は、 LiNbO基板のオイラー角（φ , θ , の Θと、レイリー波及び漏洩弾性表面波の電気機械結合係数との関係を示す図である。

[図 11]図 11は、 LiNbO基板のオイラー角（φ , θ , の Θと、レイリー波及び漏洩弾性表面波の電気機械結合係数との関係を示す図である。

[図 12]図 12は、 LiNbO基板のオイラー角（φ， θ , の Θと、レイリー波及び漏洩弾性表面波の電気機械結合係数との関係を示す図である。

[図 13]図 13は、 LiNbO基板のオイラー角（φ， θ , の Θと、レイリー波及び漏洩弾性表面波の電気機械結合係数との関係を示す図である。

[図 14]図 14は、 LiNbO基板のオイラー角（φ， θ , の Θと、レイリー波及び漏洩弾性表面波の電気機械結合係数との関係を示す図である。

[図 15]図 15は、 LiNbO基板のオイラー角（φ， θ , の Θと、レイリー波及び漏洩弾性表面波の電気機械結合係数との関係を示す図である。

[図 16]図 16は、 LiNbO基板のオイラー角（φ , θ , の Θと、レイリー波及び漏洩弾性表面波の電気機械結合係数との関係を示す図である。

[図 17]図 17は、 LiNbO基板のオイラー角（φ， θ , の Θと、レイリー波及び漏洩弾性表面波の電気機械結合係数との関係を示す図である。

[図 18]図 18は、 LiNbO基板のオイラー角（φ， θ , の Θと、レイリー波及び漏洩弾性表面波の電気機械結合係数との関係を示す図である。

[図 19]図 19は、 LiNbO基板のオイラー角（φ， θ , の Θと、レイリー波及び漏洩弾性表面波の電気機械結合係数との関係を示す図である。

[図 20]図 20は、 LiNbO基板のオイラー角（φ， θ , の Θと、レイリー波及び漏洩弾性表面波の電気機械結合係数との関係を示す図である。

[図 21]図 21は、 LiNbO基板のオイラー角（φ， θ , の Θと、レイリー波及び漏洩弾性表面波の電気機械結合係数との関係を示す図である。

[図 22]図 22は、 LiNbO基板のオイラー角（φ , θ , の Θと、レイリー波及び漏洩弾性表面波の電気機械結合係数との関係を示す図である。

[図 23]図 23は、 13° 回転 Y板 X伝搬 LiNbO基板上に様々な金属からなる電極を形成した場合の電極の膜厚と、電気機械結合係数 k²との関係を示す図である。

[図 24]図 24は、 13° 回転 Y板 X伝搬 LiNbO基板上に各種金属からなる電極を形成した場合の電極膜厚と、減衰定数 _αとの関係を示す図である。

[図 25]図 25は、 SiO膜表面の凸部の突出高さと、挿入損失劣化量との関係を示す図である。

[図 26]図 26は、 Si〇膜表面の凸部の突出高さとインターデジタル電極の厚みとの比と、揷入損失劣化量との関係を示す図である。

[図 27]図 27 (a)及び (b)は、本発明が適用される弾性表面波装置の一例としての 1ポート型共振子及び 2ポート型共振子を説明するための各模式的平面図である。

[図 28]図 28は、本発明が適用される弾性表面波装置としてのラダー型フィルタを説明するための模式的平面図である。

[図 29]図 29は、本発明が適用される弾性表面波装置としてのラチス型フィルタを説明するための模式的平面図である。

[図 30]図 30 (a)一 (d)は、従来の弾性表面波装置の製造方法の一例を示すための模式的断面図である。

[図 31]図 31は、従来の弾性表面波装置の一例を説明するための模式的正面断面図である。

[図 32]図 32は、表面に凹凸のない Sio Z電極 Zl3° 回転 Y板 X伝搬 LiNbO構造において、 SiO膜厚 0. 3 λのときの電極膜厚と反射係数の関係を示す図である。

[図 33]図 33 (a)一 (e)は、 IDT電極及び保護金属膜の平均密度の第 1絶縁物層の密度に対する比を変化させた場合のインピーダンス特性の変化を示す図である。

[図 34]図 34は、本発明の実施例において、 LiNbO基板上に、様々な金属からなる電極膜を形成し、膜厚が 0. 2 λであり、かつ上面が平坦な Si〇膜厚を形成した弾性表面波装置における、電極膜厚と反射係数との関係を示す図である。

[図 35]図 35は、本発明の実施例において、 LiNbO基板上に、様々な金属からなる電極膜を形成し、膜厚が 0. 25えであり、かつ上面が平坦な Si〇膜厚を形成した弾性表面波装置における、電極膜厚と反射係数との関係を示す図である。

[図 36]図 36は、本発明の実施例において、 LiNbO基板上に、様々な金属からなる電極膜を形成し、膜厚が 0. 3えであり、かつ上面が平坦な Si〇膜厚を形成した弾性表面波装置における、電極膜厚と反射係数との関係を示す図である。

[図 37]図 37は、本発明の実施例において、 LiNbO基板上に、様々な金属からなる電極膜を形成し、膜厚が 0. 35えであり、かつ上面が平坦な Si〇膜厚を形成した弾性表面波装置における、電極膜厚と反射係数との関係を示す図である。

[図 38]図 38は、本発明の実施例において、 LiNbO基板上に、様々な金属からなる電極膜を形成し、膜厚が 0. 4 λであり、かつ上面が平坦な Si〇膜厚を形成した弾性表面波装置における、電極膜厚と反射係数との関係を示す図である。

[図 39]図 39は、本発明の実施例において、 LiNbO基板上に、様々な金属からなる電極膜を形成し、膜厚が 0. 5 λであり、かつ上面が平坦な Si〇膜厚を形成した弾性表面波装置における、電極膜厚と反射係数との関係を示す図である。

[図 40]図 40は、 IDT電極を覆うように Si〇膜が形成されており、 SiO膜表面に凹凸

2 2 を有する従来の弾性表面波装置において、オイラー角（0° , 37. 86° , 0° )の Li NbO基板を用い、様々な金属からなる電極を様々な膜厚で形成した場合の電極膜

3

厚と反射係数との関係を示す図である。

[図 41]図 41は、オイラー角（0° , 89° , の LiNb〇基板における φと、レイリー波

3

及び LS AWの電気機械結合係数との関係を示す図である。

[図 42]図 42は、オイラー角（30° , 89° ， φ )の LiNb〇基板における φと、レイリー

3

波及び LS AWの電気機械結合係数との関係を示す図である。

[図 43]図 43は、オイラー角（20° , 100° ， φ )の LiNbO基板における φと、レイリ

3

一波及び LS AWの電気機械結合係数との関係を示す図である。

[図 44]図 44は、才イラ一角（30° , 100° ， φ )の: LiNbO基板における φと、レイリ

3

[図 45]図 45は、オイラー角（10° , 110° ，の LiNbO基板における φと、レイリ

3

一波及び LSAWの電気機械結合係数との関係を示す図である。

[図 46]図 46は、才イラ一角（0。， 130° , の LiNbO基板における φと、レイリー

3

波及び LSAWの電気機械結合係数との関係を示す図である。

符号の説明

：!… LiNbO基板

3

2…第 1絶縁物層

3…レジストパターン

4· · ·金属膜

4Α· · ·ΓϋΤ電極

5…保護金属膜としての Ti膜

6…第 2絶縁物層

11…弾性表面波共振子

12, 13…反射器

21…弾性表面波装置

22•••LiNbO基板

3

23a, 23b- - -IDT 25- - -SiO膜

発明を実施するための最良の形態

[0049] 以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。

[0050] 図 1及び図 2を参照して、本発明の第 1の実施例に係る弾性表面波装置の製造方法を説明する。

[0051] 図 1 (a)に示すように、まず、圧電性基板として、 LiNbO基板 1を用意する。

[0052] LiNbO基板 1上に、全面に第 1絶縁物層 2を形成する。本実施例では、第 1絶縁物層 2は、 Si〇膜により形成されている。

[0053] 第 1絶縁物層 2の形成方法は、印刷、蒸着、またはスパッタリングなどの適宜の方法により行われ得る。また、第 1絶縁物層 2の厚みは、後で形成される IDT電極の厚みと等しくされている。

[0054] 次に、図 1 (b)に示すように、フォトリソグラフィー技術を用いて、レジストパターン 3を形成する。レジストパターン 3では、 IDTが形成される領域を除いてレジストが位置するようにレジストパターン 3が構成されてレ、る。

[0055] 次に、図 1 (c)に矢印で示すようにイオンビームを照射する反応性イオンエッチング法 (RIE)などにより、第 1絶縁物層 2の内、レジスト 3の下方に位置している部分を除レ、た残りの部分を除去する。

[0056] フッ素系のガスによるリアタティブイオンエッチング装置（RIE)によって Si〇をエツチングした場合、重合反応により残渣が生じる場合がある。この場合、 RIEを行った後、 BHF (バッファードフッ酸)等により処理することで対応できる。

[0057] しかる後、 Cu膜と Ti膜を、第 1絶縁物層 2と等しい厚みに成膜する。図 1 (d)に示すように、第 1絶縁物層 2が除去されている領域、すなわち IDTが形成される領域に Cu 膜 4が付与され、同時にレジストパターン 3上にも Cu膜 4が付与される。次に、全面保護金属膜として Ti膜 5を形成する。図 1 (e)に示すように、 Ti膜 5は、 IDT電極 4Aの上面と、レジストパターン 3上の Cu膜 4上に付与されることになる。従って、 IDT電極 4 Aは、側面が第 1絶縁物層 2で被覆され、上面が Ti膜 5により被覆されている。このようにして、 IDT電極 4Aと保護金属膜とが形成され、 IDT電極 4Aの厚みと保護金属膜としての Ti膜 5の厚みの合計の厚みと第 1絶縁物層 2の厚みとが同じ厚みを有するように構成される。

[0058] しかる後、レジスト剥離液を用レ、、レジストパターン 3を除去する。このようにして、図

1 (f)に示すように、第 1絶縁物層 2が設けられている領域を除いた残りの領域に IDT 電極 4Aが形成されており、 IDT電極 4Aの上面が Ti膜 5により被覆されている構造が得られる。

[0059] しかる後、図 1 (g)に示すように、全面に第 2絶縁物層 6として Si〇膜を形成する。

2

[0060] このようにして、図 2に示す 1ポート型の弾性表面波共振子 1 1を得た。

[0061] なお、図 1 (a)—（g)では、 IDT電極 4Aが形成されている部分のみが抜き出されて説明された。し力、しながら、図 2に示されているように、弾性表面波共振子 1 1は、 IDT 電極 4Aの弾性表面波伝搬方向両側に反射器 1 2 , 13を備えている。反射器 12， 1 3 もまた、 IDT電極 4Aと同じ工程により形成される。

[0062] 上記実施例では、 1ポート型弾性表面波共振子 1 1が構成されているため、 LiNbO

基板 1上に、 1個の IDT電極 4Aが形成されていた力弾性表面波装置の用途に応

3

じて、複数の IDT電極が形成されてもよぐまた上記のように反射器力 DTと同一ェ程により形成されてもよぐ反射器が設けられずともよい。

[0063] 上記 IDT4Aの密度は、第 1絶縁物層 2の密度の 1 . 5倍以上とされており、それによつて IDT電極 4Aによる反射係数が十分な大きさとされている。

[0064] すなわち、上記実施例と同様の製造方法に従って、但し、 IDT電極 4を構成する金属の密度を種々異ならせ、上記実施例と同様にして弾性表面波共振子を作製した。このようにして得られた弾性表面波共振子のインピーダンス特性を図 33 (a)一 (e)に示す。図 33 (a)一 (e)は、それぞれ、 IDT電極及び保護金属膜の積層構造の平均密度 P の第 1絶縁物層の密度 p に対する比 p / p が、 2. 5、 2. 0、 1 . 5、 1 . 2及び

1 2 1 2

1 . 0の場合の結果を示す。

[0065] 図 33 (a) （e)から明らかなように、図 33 (a) （c)では、上記リップル Aが帯域外にシフトされ、さらに図 33 (a)では、上記リップル Aが著しく抑圧されていることがわかる。

[0066] 従って、図 33の結果から、 IDT電極及び保護金属膜の積層構造の第 1絶縁物層に対する密度比を 1. 5倍以上とすれば、上記リップル Aを共振周波数 -反共振周波数の帯域の外側にシフトさせ、良好な特性の得られることがわかる。また、より好ましくは、上記密度比を 2. 5倍以上とすれば、リップル自体を小さくし得ることがわかる。

[0067] 図 33 (a)一 (e)では、上記実施例に従って、 IDT電極 4A上に、 Ti膜が積層されていたため、上記平均密度が用いられたが、本発明においては、 IDT電極 4A上に、保護金属膜が設けられずともよい。その場合には、 IDT電極 4Aの厚みを第 1の絶縁物層の厚みと同じにして、 IDT電極の密度の第 1絶縁物層の密度に対する比を 1. 5倍以上とすることが好ましぐより好ましくは 2. 5倍以上とすればよぐ上記と同様の効果の得られることが確かめられた。

[0068] 従って、 SiO膜により IDT電極を被覆してなる弾性表面波共振子において、 IDT 電極の密度あるいは IDT電極と保護金属膜との積層体の平均密度を、 IDT電極の側方に位置する第 1絶縁物層の密度よりも大きくすれば、 IDT電極の反射係数を高めることができ、それによつて共振点一反共振点間に表れる特性の劣化を抑制し得ることがわかる。

[0069] なお、 Aはり高密度の金属もしくは合金としては、 Cuの他、 Ag, Auなどやこれらを主体とする合金が挙げられる。

[0070] また、好ましくは、上記実施例のように、 IDT電極上に、保護金属膜を積層した構造とすれば、図 1 (a)—（g)に示した製造方法から明らかなように、レジストパターン 3を剥離する際に、 IDT電極 4Aの側面が第 1絶縁物層 2により覆われており、かつ上面が保護金属膜 6により覆われているため、 IDT電極 4Aの腐食を防止することができる。よって、より一層良好な特性を有する弾性表面波共振子を提供し得ることがわかる

[0071] さらに、 Si〇以外の SiO Nなどの他の温度特性改善効果のある絶縁性材料により第 1 ,第 2の絶縁物層を形成してもよい。また、第 1 ,第 2の絶縁物層は異なる絶縁性材料で構成されてもよぐ上記のように等しレ、材料で構成されてもょレ、。

[0072] 上記実施形態において、好ましくは、圧電性基板としての LiNbO基板 1は、弾性表面波の電気機械結合係数 kの 2乗が 0. 025以上である LiNbO基板で構成され、それによつて、帯域幅の広レ、弾性表面波装置を提供することができる。 [0073] 次に、本願発明者が、 LiNbO基板のオイラー角を種々変更し、オイラー角と電気機械結合係数との関係を調べた。

[0074] LiNbOの周波数温度特性 (TCF)は負であり、 -80一- 110ppm/°Cとあまり良好ではない。そのため、正の TCFを有する SiOを LiNbO基板上に形成することにより

、弾性表面波装置において TCFの改善を図る方法が従来より知られている。

[0075] 図 3に示すように、 13° 回転 Y板 X伝搬 (オイラー角では（0° ， 103° ，0° )の Li NbO基板上に SiO膜を成膜した場合の Si〇膜の最適な膜厚は、波長を Iとしたときに、 0. 27 λである。すなわち、 Si〇膜の膜厚が波長の 0. 27 λである場合、 TCF 力 ¾となる。また、 LiNbO基板の方位角が変わると、 SiO膜の最適な膜厚は変動することとなる。し力、しながら、図 1から明らかなように、 SiO膜の膜厚が、波長に対し 0.

18 λ— 0. 34 λの範囲であれば、温度特性 TCFをほぼ 0とし得ることがわかる。

[0076] 他方、図 4は、 13° 回転 Υ板 X伝搬の LiNbO基板上に、 IDT電極及び SiO膜を形成した構造における SiO膜の規格化膜厚 H /えと、電気機械結合係数 k²との関ィ系を示す図である。なお、図 4においては、電極月莫厚 0. 00δ λ -0. 01 λ力らなる I DT電極を種々の金属材料で形成した結果が示されてレ、る。

[0077] 図 4から明らかなように、 SiO膜の膜厚 Η/ λを厚くすると、電気機械結合係数 k² は小さくなることがわかる。従って、 SiO膜の膜厚はできる限り薄い方がよいことがわかる。

[0078] 上記のように、図 3及び図 4から明らかなように、周波数温度特性 TCFと、電気機械結合係数 k²の双方を考慮した場合、 SiO膜の膜厚は、波長の 0. 2— 0. 35の範囲とすることが望ましいことがわかる。

[0079] そこで、 SiO膜の膜厚を波長の 0. 3とした場合に、様々なオイラー角の LiNbO基板のオイラー角の Θと、レイリー波の電気機械結合係数との関係を調べた。結果を図

5—図 22に示す。

[0080] オイラー角（0， 0，0)の0カ¾0° 40° の範囲では、 LSAW波は殆ど発生しない範囲であることが一般的に知られている。そして、 SiO薄膜を IDT電極等の上面

2

に形成した場合には、図 5の部分に示す点線部分のように、 LSAW波の電気機械結合係数が小さい部分力 S、オイラー角（0， 0，0)の0カ¾0° — 40° の周辺に大きく広がっている。

[0081] 一般に、 RFフィルタゃデュプレクサに必要な電気機械結合係数 k²の値は、 0· 025 以上である。また、そのときに、漏洩弾性表面波を利用する場合には、レイリー波によるスプリアスは小さいことが要求される。すなわち、レイリー波の電気機械結合係数 k²

、漏洩弾性表面波の電気機械結合係数 k したときに、（k /4)≥k である

SAW SAW R

ことが望ましい。

[0082] このような範囲を満たすオイラー角の範囲を下記の表 7に示す。なお、 LiNbOは 3 方晶系の結晶であるため、オイラー角には次の関係がある。

[0083] ( , θ , ) = (60+ φ，—θ ， φ )

= (60— φ， ~ θ , 180- )

= ( φ， 180 + θ , 180- φ )

= ( φ， θ , 180 + )

よって、例えばオイラー角 (10, 30, 10)と、オイラー角 (70,—30, 10)、 (50, -30 , 170)、（10, 210, 170)、（10, 30, 190)とは等価である。

[0084] [表 7]

[0085] また、好ましくは、角の範囲は下記の表 8に示す範囲であり、その場合には、レイリ一波の電気機械結合係数 k ²は 0. 01以下となる。

R

[0086] [表 8]

[0087] より好ましくは下記の表 9に示す範囲であり、その場合には、 k ²≤0. 0049となる。

[0088] [表 9]

[0089] 他方、図 23は、 13° 回転 Y板 X伝搬の LiNbO基板上に、各種金属からなる電極を形成した場合の電気機械結合係数 k²を示す。図 23から明らかなように、電極の厚みが異なった場合、電気機械結合係数 k²が変化することがわかる。電極が形成されていない場合の k²に対し、 1. 25倍の k²を示す電極膜厚は、波長に対し、 Auの場合には 0. 0017-0. 03の範囲、 Ptでは図示されていないが同じ範囲であることが確力、められてレ、る。また、 Agの場合に fま 0. 0035 0. 05、 Ta力 SO. 0025— 0. 032、 W力 SO. 0035— 0. 03、Cu力 SO. 0058— 0. 055、 Ni力 0. 125— 0. 08、A1力 0. 03

3— 0. 12、Cr、Ti、 Moまたは Znでは 0. 012— 0. 12である。

[0090] なお、上記電極膜厚範囲の上限は、インターデジタル電極の形成精度により制限されるものである。すなわち、上記厚みよりも厚いインターデジタル電極を高精度に形成することが困難である。

[0091] また、 LiNbO基板のオイラー角が異なると、電極膜厚の最適な大きさも多少変化する力多くとも 2倍程度である。

[0092] 上記電極膜厚の上限は、 A1の場合には 0. 12 1であるため、電極最適膜厚は、 Au で ίま 0. 0017 λ— 0. 06 λ、 Ptで fま 0. 0017 λ— 0. 06 λ、 Agで fま 0. 0035 λ一 0 . 10え、 Taで fま 0. 0025 λ一 0. 064 λ、 Wで fま 0. 0035 λ一 0. 06 λ、 Cuで ίま 0. 0058 λ— 0. 11 λ、 Niで fま 0. 012 λ— 0. 12え、 Alで fま 0. 033 λ— 0. 12 λである。

[0093] 図 24は、上記最適な電極膜厚となるように各電極材料を用いて弾性表面波装置を構成した場合の電極膜厚による伝搬定数の変化を示す。図 24から明らかなように、これらの電極膜厚において、伝搬減衰はほぼ 0であることがわかる。

[0094] なお、前述した図 1及び図 2に示すように、第 1絶縁物層及び第 2絶縁物層を Si〇で構成し、言い換えればインターデジタル電極を覆うように Si〇膜を形成した場合、

SiO膜の上面にはインターデジタル電極の形状に起因する凸部が生じる。この凸部の大きさ、すなわち第 2絶縁物層 6の表面の突出高さが大きいと、表面波装置の特性が劣化する。図 25は、 SiO表面の突出部の高さが変化した場合の挿入損失の変化を示す図である。図 25から明らかなように、凸部の突出高さが 0. 03え以下であれば、挿入損失の劣化を抑制でき、望ましいことがわかる。

[0095] なお、上記 Si〇膜表面の凸部の突出高さとは、突出していない部分から凸部の上端までの高さ方向寸法をいうものとする。

[0096] 図 26は、 SiO膜表面の突出高さとインターデジタルの厚みとの比を変化させた場合の揷入損失の変化を示す図である。図 26において、〇は、 IDTの規格化膜厚 H / λ力 0. 06 λの場合を、 Δ (黒塗りの Δの記号） ίま 0. 03 λの場合を、 X ίま 0. 08 λ の場合の結果を示す。 [0097] 図 26から明らかなように、 SiO膜の表面の凸部の突出高さが、インターデジタル電極の厚みの半分以下であり、かつ突出高さが 0. 04 λ以下であること、より好ましくは、インターデジタル電極の厚みの 1/3以下であり、突出高さが 0. 03 λ以下であることがより一層望ましいことがわかる。さらに望ましくは、 SiO膜表面はほとんど凹凸を有しないことが望ましい。

[0098] また、一般に弾性表面波装置では、反射係数が小さいと、十分なストップバンドが形成されない。そのため、反射係数が小さい弾性表面波装置は共振器として動作しない。よって、弾性表面波装置を共振器型表面波デバイスとして用レ、るには、該弾性表面波装置における反射係数は少なくとも 0. 03以上であることが要求されている。従って、反射係数と電極膜厚との関係を調べ、反射係数が 0. 03以上となるように、電極膜厚を設定する必要がある。図 34 図 39は、上記のように、 SiO膜表面が平

2

坦化された構造における反射係数と、 Au、 Ag、 Ta、 Cu、 W、 Alからなる各電極の電極膜厚との関係を示す。ここで、基板としては、 127. 86° 回転 Y板 X伝搬 LiNbO

3 基板を用いた。なお、この基板のオイラー角は、（0° ， 37. 86° , 0° )である。

[0099] 図 34—図 39から明らかなように、 SiO膜の膜厚が 0· 2 λ -0. 5 λの範囲で変化

2

したとしても、 A1を除き、 Au、 Ag、 Ta、 Cuまたは Wを電極材料として用いた場合、反射係数が 0. 03以上とされ得ることがわかる。

[0100] なお、上記オイラー角（0° ， 37. 86° , 0° )付近の範囲は、レイリー波の電気機械結合係数が大きぐかつ LSAWの電気機械結合係数が小さいオイラー角の範囲である。このオイラー角付近の範囲は反射係数が殆ど 0になるオイラー角範囲である。そのため従来このオイラー角の基板は、反射係数が小さいことが望まれるトランスバーサル型のフィルタにしか利用されなかった。すなわち、図 27—図 29に示すようなフインガの反射を必要とするデバイスには利用できなかった。そして、 SiO膜の表面が

2

凹凸である従来構造の場合においては、 IDT電極に Cuや Agなどの重い金属を用いたとしても、 A1を用いた場合と同じ程度の大きさの反射係数しか得られなかった。 S i〇膜表面が凹凸である従来の構造における反射係数と電極薄膜の関係を図 40に

2

示す。

[0101] 図 40では、オイラー角（0° , 37. 86° ， 0° )の上記 LiNbO基板上に、様々な金

3 属からなる電極が成形されており、電極を覆うように規格化膜厚 0. 4 λの SiO膜が

2 形成されている従来構造において、電極膜厚を変化させた場合の反射係数の変化を示す図である。図 40から明らかなように、上記オイラー角の LiNbO基板を用いた

3

場合、 Cu等の重い金属により電極を構成したとしても、電極膜厚の如何に関わらず、 A1からなる電極の場合と同等の小さな反射係数しか得られないことわかる。

[0102] レイリー波の電気機械結合係数が大きぐかつ LSAWの電気機械結合係数が小さいオイラー角の範囲は、前述したオイラー角範囲以外にも複数存在する。下記表 10 、表 11は、このような複数のオイラー角の範囲を示す。また、図 41一図 46は、このようなオイラー角範囲を示す図である。

[0103] より具体的には、図 41一図 46は、それぞれ、オイラー角が（0° ，89° ， φ )、（30 。 , 89。， φ )、（20° ， 100。， φ )、（30° ， 100。， φ )、（10° ， 110° ， φ )及び（0° , 130° ，の各 LiNbO基板を用いた場合の φと、レイリー波及び LSAW

3

の電気機械結合係数との関係を示す図である。図 41一図 46から明らかなように、様々なオイラー角の LiNbO基板を用いた場合、レイリー波の電気機械結合係数が大

3

きぐ LSAWの電気機械結合係数が小さい複数のオイラー角範囲が存在することがわ力る。

[0104] 表 10は、 K ≥0. 05、 K ≤0. 02となる LiNbO基板の複数のオイラー角

RAY LSAW 3

範囲（φ， θ , のを示す。同様に、表 11は、 Κ ²≥0. 05, Κ ²≤0· 01となる

RAY LSAW

LiNbO基板の複数のオイラー角（ φ

3 ， θ , Φ )の範囲を示す。

[0105] 表 10、表 11に示すオイラー角範囲においては、図 34—図 39に示した特性と同様の特性を得ることができる。なお、本明細書中の表に記載されているオイラー角の範囲における、 ± 5や ± 10は、量産化された場合のオイラー角の加工精度、並びに Cu 等のやや小さい比重の電極材料を用いた場合と非常に比重が大きい Au等の電極材料を用いた場合との電極材料の比重差を考慮して求められた角度許容範囲である。

[0106] [表 10] φ β ■Λ) k k^!

RAY LSAW RAY LSAW

0±5 38± 10 0 0. 29 0. 10 0. 0841 0. 009

0±5 89± 10 77~102± 5 0. 22~0. 31 0. 06~0. 14 0. 050~0. 096 0. 004~0. 020

0±5 130± 10 79±5 0. 27 0. 13 0. 073 0. 017

10±5 110± 10 50~80±5 0. 22 0, 23 0. 06 0. 08 0. 050 0. 053 0. 004~0. 006

10±5 " 0± 10 106±5 0. 22 0. 11 0. 048 0. 012

20±5 100± 10 35~72±5 0. 22~0. 24 0. 04 0. 14 0. 050~0. 058 0. 002-0. 020

20±5 100±10 100~1 10±5 0. 22 ). 26 0. 1 1 ~0. 14 0. 050 0. 068 0. 012~0. 020

30±5 89± 10 40~80士 5 0. 24 0. 28 0. 04~0. 14 0. 002~0. 020

30±5 100± 10 40 117±5 0. 22~0. 32 0. 04 0. 14 0. 050~0. 102 0. 002 0. 020

[0107] [表 11]

[0108] 図 32に Al電極、 W電極、 Cu電極の電極指の 1本当りの反射係数と電極厚みとの関係を示す。電極指間の間には SiO膜が存在し、その上にも Si〇膜が存在する。

[0109] 基板からの SiO膜の厚みは 0. 3えで Si〇表面には凹凸がない。基板は 13。回転

Y板 X伝搬 LiNbOである。図から明らかなように、 A1電極指の場合には、反射係数力、さい上、 A1膜厚を増やしても反射係数は大きくならない。一方、重い電極指の W や Cuは A1に比べ反射係数が大きぐまた厚みを厚くすることにより、反射係数も大きくなる。このように A1に比べ密度の大きい電極指からなる IDTは、反射係数が大きぐ共振子、共振子フィルタ、ラダー型フィルタに適している。

[0110] 本発明は、様々な弾性表面波装置に適用することができる。このような弾性表面波装置の例を、図 27 (a) , (b) 図 29に示す。図 27 (a)及び (b)は、それぞれ、 1ポート型弾性表面波共振子 47及び 2ポート型弾性表面波共振子 48の電極構造を示す模式的平面図である。また、図 27 (b)に示す 2ポート型弾性表面波共振子 48と同じ電極構造を用いて 2ポート型弾性表面波共振子フィルタを構成してもよレ、。

[0111] さらに、図 28及び図 29は、それぞれ、ラダー型フィルタ及びラチス型フィルタの電極構造を示す模式的平面図である。図 28及び図 29に示すラダー型フィルタ 49a及びラチス型フィルタ 49bのような電極構造を圧電性基板上に形成することにより、本発明に従ってラダー型フィルタ及びラチス型フィルタを構成することができる。

もっとも、本発明は、図 27—図 29に示した電極構造を有する弾性表面波装置に限らず、様々な弾性表面波装置に適用することができる。

Claims

請求の範囲

[1] 電気機械結合係数の 2乗 (k²)が 0. 025以上の LiNbO力なる圧電性基板と、

3

前記圧電性基板上に形成されており、 Aはりも密度の大きい金属もしくは該金属を主成分とする合金、または A1よりも密度の大きい金属もしくは該金属を主成分とする合金と他の金属とからなる積層膜からなる少なくとも 1つの電極と、

前記少なくとも 1つの電極が形成されてレ、る領域を除レ、た残りの領域にぉレ、て、前記電極と略等しい膜厚に形成された第 1絶縁物層と、

前記電極及び第 1絶縁物層を被覆するように形成された第 2絶縁物層とを備え、前記電極の密度が、前記第 1絶縁物層の 1. 5倍以上である、弾性表面波装置。

[2] LiNbO力なる圧電性基板と、

3

前記圧電性基板上に形成された少なくとも 1つの電極と、

前記電極上に形成されており、かつ電極を構成する金属もしくは合金よりも耐腐食性に優れた金属もしくは合金力なる保護金属膜と、

前記少なくとも 1つの電極が形成されてレ、る領域を除レ、た残りの領域にぉレ、て、前記電極と保護金属膜との合計の膜厚と略等しい膜厚を有するように形成された第 1 絶縁物層と、

前記保護金属膜及び第 1絶縁物層を被覆するように形成された第 2絶縁物層とを備える、弾性表面波装置。

[3] 前記電極及び保護金属膜の積層構造の全体の平均密度が、前記第 1絶縁物層の密度の 1. 5倍以上である、請求項 2に記載の弾性表面波装置。

[4] 前記第 1 ,第 2の絶縁物層が SiOにより形成されている、請求項 1一 3のいずれか

2

に記載の弾性表面波装置。

[5] 弾性表面波の反射を利用した弾性表面波装置である、請求項 1一 4のいずれか 1 項に記載の弾性表面波装置。

[6] 前記第 2の絶縁物層の表面の凸部の突出高さが、表面波の波長をえとしたときに、

0. 03 λ以下である、請求項 1一 5のいずれ力 1項に記載の弾性表面波装置。

[7] 前記第 2の絶縁物層上の凸部の突出高さが、前記電極の厚みの 1/2以下である、請求項 1一 5のいずれか 1項に記載の弾性表面波装置。

[8] 前記第 2の絶縁物層上の凸部の突出高さが、前記電極の厚みの 1/3以下である、請求項 7に記載の弾性表面波装置。

[9] 前記電極が、 Aはりも重い金属を主体とする、請求項 1一 8のいずれか 1項に記載の弾性表面波装置。

[10] 前記電極が、 Au、 Pt、 Cu、 Ta、 W、 Ag、 Ni、 Mo、 NiCr、 Cr及び Tiからなる群力、ら選択した 1種を主体とする、請求項 9に記載の弾性表面波装置。

[11] 前記電極が、 Auまたは Ptからなり、その膜厚が、表面波の波長を λとしたときに、 0 . 0017 λ 0. 06 λの範囲にある、請求項 10に記載の弾性表面波装置。

[12] 前記電極が、 Au、 Ag、 Ni、 Mo、 Zn、 Cu、 Pt、 Ta、 W、 Cr及び Tiからなる群から選択した l種を主体とし、該電極の膜厚が、表面波の波長を; Iとしたときに、下記の表 1に示す範囲とされている、請求項 10に記載の弾性表面波装置。

[表 1]

[13] 前記第 2の絶縁物層の厚みが、波長を λとしたときに、 0. 15 λ 0. 4 λの範囲にある、請求項 1一 12のいずれか 1項に記載の弾性表面波装置。

[14] 第 2の絶縁物層の厚み力波長を; Iとしたときに、 0. 2ぇー0. 3 λの範囲にある、請求項 13に記載の弾性表面波装置。

[15] 前記 LiNbO力なる圧電性基板のオイラー角力下記の表 2に示す何れかの範

3

囲にある、請求項 1一 14のいずれ力 4項に記載の弾性表面波装置。 [表 2] オイラー角

(0±5， 62~167, 0±10)

(0±5， 87-158, 20±10)

(0±5， 112~165, 80±10)

(0±5， 107~167, 100±10)

(10±5, 110〜162， 80±10)

(10±5, 69〜108, 100土 10)

(10±5, 72〜140, 160±10)

(20±5, 99〜121, 160±10)

(30±5， 67〜113, 0±10)

(30±5， 27〜125， 140±10)

(30±5， 67〜103, 160±10)

[16] 前記 LiNbO力なる圧電性基板のオイラー角力下記の表 3に示す何れかの範

3

囲にある、請求項 15に記載の弾性表面波装置。

[表 3]

[17] 前記 LiNbO力なる圧電性基板のオイラー角力下記の表 4に不す何れかの範

3

囲にある、請求項 16に記載の弾性表面波装置。

[¾4] k_R ²≤0. 049

(0±5, 88〜' 17, 0±10)

(0±5, 115へ '124， 0±10)

(0±5， 115へ '135, 80±10)

(0±5, 109へ '157， 100±10)

(10±5, 130' -146, 80±10)

(10±5, 80〜87, 100±10)

(10±5， 98へ '118' 160±10)

(20±5, 110' -118, 160±10)

(30±5, 86〜94， 0±10)

(30±5, 33〜47， 140±10)

(30±5, 77へ '103, 160±10)

[18] 前記 LiNbO力なる圧電性基板のオイラー角力下記の表 5に示す何れかの範

3

囲にある、請求項 1一 14のいずれ力 4項に記載の弾性表面波装置。

[表 5] ォイラ一角

(0±5，38±10，0)

(0±5,89±10，77〜102±5)

(0±5， 130±10,79±5)

(10±5, 110±10，50〜80±5)

(10±5, 110±10， 106±5)

(20±5， 100±10，35〜72±5)

(20±5, 100±10, 100〜110±5)

(30±5，89±10，40〜80±5)

(30±5, 100士 10,40〜117±5)

[19] 前記 LiNbO力なる圧電性基板のオイラー角力下記の表 6に示す何れかの範

3

囲にある、請求項 18に記載の弾性表面波装置。

[表 6] オイラー角

(0±5，38±10，0)

(0±5，89±10，80~ 100±5)

(10±5， 110±10，50 〜80±5)

(20±5， 100±10，42 〜70±5)

(30±5，89±10，42 76±5)

(30±5， 100±10，42 〜72±5)