JP7464062B2 - 弾性波装置 - Google Patents
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Description
高音速材料層3:窒化ケイ素膜、厚み300nm
低音速膜4:酸化ケイ素膜、厚み300nm
第1のLiTaO3膜5:厚み200nm
第2のLiTaO3膜6:厚み200nm
高音速材料層:窒化ケイ素膜、厚み300nm
低音速膜:酸化ケイ素膜、厚み300nm
第1のLiNbO3膜:厚み200nm
第2のLiNbO3膜:厚み200nm
2…支持基板
3…高音速材料層
4…低音速膜
5…第1のLiTaO3膜
6…第2のLiTaO3膜
5a,5b,6a,6b…主面
7…IDT電極
8,9…反射器
10…誘電体膜
21…弾性波装置
22…絶縁膜
Claims (19)
- 支持基板と、
前記支持基板に直接または間接的に積層された圧電膜と、
前記圧電膜上に形成されたIDT電極と、
を備え、
前記圧電膜が、前記支持基板側の面がプラス面であり、前記IDT電極側の面がマイナス面である第1の圧電膜と、前記第1の圧電膜と積層されており、前記支持基板側の面がマイナス面であり、前記IDT電極側の面がプラス面である、第2の圧電膜とを有し、
前記第1及び第2の圧電膜がLiTaO 3 膜または、前記第1,第2の圧電膜がLiNbO 3 膜であり、
前記第1の圧電膜の厚みと、前記第2の圧電膜の厚みとの合計膜厚が、IDT電極の電極指ピッチで定まる波長をλとしたときに、1λ以下である、弾性波装置。 - 前記第1の圧電膜の厚みと、前記第2の圧電膜の厚みとの合計膜厚が、0.5λ以下である、請求項1に記載の弾性波装置。
- 前記第1の圧電膜の厚みと、前記第2の圧電膜の厚みとの合計膜厚が、0.25λ以下である、請求項1に記載の弾性波装置。
- 前記第1の圧電膜及び前記第2の圧電膜のうち、前記支持基板に相対的に近い圧電膜の厚みが、前記支持基板から相対的に遠い圧電膜の厚みよりも大きい、請求項1~3のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記第1の圧電膜のプラス面と、前記第2の圧電膜のプラス面とが接触するように前記第1の圧電膜及び前記第2の圧電膜が積層されている、請求項1~4のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記第1の圧電膜及び前記第2の圧電膜が、LiTaO3膜である、請求項1~5のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記第1,第2の圧電膜が、YカットのLiTaO3膜であり、カット角が-20°以上、+75°以下である、請求項6に記載の弾性波装置。
- 前記第1の圧電膜及び前記第2の圧電膜のカット角が、(y°±10°)+180°n(但し、nは、0,1,2,3,………の整数)または(y°±10°)-180°n(但し、nは、0,1,2,3,………の整数)のいずれかの範囲内の値であり、前記yは、前記第1の圧電膜及び前記第2の圧電膜の合計膜厚に対する、前記第1の圧電膜及び前記第2の圧電膜のうち、前記支持基板に相対的に近い圧電膜の膜厚の割合をx(%)とした場合、下記式(1)を満たす値である、請求項6に記載の弾性波装置。
y=-0.0009955556x3+0.1552380952x2-4.6325396825x+78.5714285714 … 式(1) - 前記第1,第2の圧電膜が、LiNbO3膜である、請求項1~5のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記第1,第2の圧電膜が、YカットのLiNbO3膜であり、カット角が-20°以上、+90°以下である、請求項9に記載の弾性波装置。
- 前記第1の圧電膜及び前記第2の圧電膜のカット角が、(y°±10°)+180°n(但し、nは、0,1,2,3,………の整数)または(y°±10°)-180°n(但し、nは、0,1,2,3,………の整数)のいずれかの範囲内の値であり、前記yは、前記第1の圧電膜及び前記第2の圧電膜の合計膜厚に対する、前記第1の圧電膜及び前記第2の圧電膜のうち、前記支持基板に相対的に近い圧電膜の膜厚の割合をx(%)とした場合、下記式(2)を満たす値である、請求項9に記載の弾性波装置。
y=0.0091x2+0.3543x+24.5 … 式(2) - 前記第1の圧電膜と前記第2の圧電膜との間に積層されている絶縁膜をさらに備える、請求項1~11のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記支持基板と前記圧電膜との間に積層されており、伝搬するバルク波の音速が、前記第1の圧電膜及び前記第2の圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも高い、高音速材料からなる、高音速材料層をさらに備える、請求項1~12のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記支持基板が、伝搬するバルク波の音速が、前記第1の圧電膜及び前記第2の圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも高い、高音速材料からなる、請求項1~12のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記高音速材料層と前記圧電膜との間に積層されており、伝搬するバルク波の音速が、前記第1の圧電膜及び前記第2の圧電膜を伝搬するバルク波の音速よりも低い、低音速材料からなる、低音速膜をさらに備える、請求項13に記載の弾性波装置。
- 前記IDT電極を覆う誘電体膜をさらに備える、請求項1~15のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記IDT電極が、AlまたはAlCu合金からなる主電極層を有する、請求項1~16のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記支持基板が(111)面のSi、(110)面のSi、又は、水晶からなる、請求項1~17のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記第1の圧電膜および前記第2の圧電膜のそれぞれは、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムからなる、請求項1~18のいずれか1項に記載の弾性波装置。
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