JP2003209457A - 弾性表面波装置及びその製造方法 - Google Patents
弾性表面波装置及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＬｉＴａＯ３基板の＋Ｃ表面に分極反転領域
を形成することができないという課題があった。 【解決手段】 ＬｉＴａＯ３基板の＋Ｃ面に金属膜若し
くは該金属の酸化物膜を形成した後、空気又は酸素を含
むガス雰囲気下で金属膜若しくは酸化物膜側が正電圧と
なるように、該膜とＬｉＴａＯ３基板の−Ｃ面との間に
電圧を印加しながらＬｉＴａＯ３基板を加熱する。所望
の加熱時間が経過したら、印加した電圧を落とし、Ｌｉ
ＴａＯ３基板を冷却する。これによって、ＬｉＴａＯ３
基板の＋Ｃ表面に分極反転層を形成することができる。
を形成することができないという課題があった。 【解決手段】 ＬｉＴａＯ３基板の＋Ｃ面に金属膜若し
くは該金属の酸化物膜を形成した後、空気又は酸素を含
むガス雰囲気下で金属膜若しくは酸化物膜側が正電圧と
なるように、該膜とＬｉＴａＯ３基板の−Ｃ面との間に
電圧を印加しながらＬｉＴａＯ３基板を加熱する。所望
の加熱時間が経過したら、印加した電圧を落とし、Ｌｉ
ＴａＯ３基板を冷却する。これによって、ＬｉＴａＯ３
基板の＋Ｃ表面に分極反転層を形成することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は圧電結晶であるＬ
ｉＴａＯ３基板の表層部に金属拡散層を形成してなる弾
性表面波装置及びその製造方法に関するものである。
ｉＴａＯ３基板の表層部に金属拡散層を形成してなる弾
性表面波装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は、例えば特許第２５６５３４６号
公報に開示されるＬｉＴａＯ３基板の−Ｃ表面に分極反
転領域を有する従来の弾性表面波装置を示す断面図であ
る。図において、１００はＬｉＴａＯ３基板であって、
その自発分極に関するマイナス面である−Ｃ表面に分極
反転領域１０１を有する。この分極反転領域１０１は、
該弾性表面波装置の反射器として機能するようにインタ
ーディジタル電極１０２の両側に配置されている。１０
２はインターディジタル電極であって、アルミニウム
（Ａｌ）合金などで形成される。
公報に開示されるＬｉＴａＯ３基板の−Ｃ表面に分極反
転領域を有する従来の弾性表面波装置を示す断面図であ
る。図において、１００はＬｉＴａＯ３基板であって、
その自発分極に関するマイナス面である−Ｃ表面に分極
反転領域１０１を有する。この分極反転領域１０１は、
該弾性表面波装置の反射器として機能するようにインタ
ーディジタル電極１０２の両側に配置されている。１０
２はインターディジタル電極であって、アルミニウム
（Ａｌ）合金などで形成される。
【０００３】上記公報に開示される分極反転領域１０１
の形成方法について説明する。先ず、ＬｉＴａＯ３基板
１００の−Ｃ表面に分極反転領域１０１を形成すべき部
分のみ開口した保護膜を付着する。このあと、保護膜を
付着したＬｉＴａＯ３基板１００を酸（例えば、安息香
酸）中に浸漬する。
の形成方法について説明する。先ず、ＬｉＴａＯ３基板
１００の−Ｃ表面に分極反転領域１０１を形成すべき部
分のみ開口した保護膜を付着する。このあと、保護膜を
付着したＬｉＴａＯ３基板１００を酸（例えば、安息香
酸）中に浸漬する。
【０００４】上記処理によって、ＬｉＴａＯ３基板１０
０内の上記保護膜が付着されていない領域のＬｉ＋がＨ
＋に交換される。Ｌｉ＋がＨ＋に交換された領域は、Ｌ
ｉＴａＯ３基板１００の自発分極に関して逆極の分極反
転領域１０１となる。該方法は、いわゆるプロトン置換
法と呼ばれるものである。
０内の上記保護膜が付着されていない領域のＬｉ＋がＨ
＋に交換される。Ｌｉ＋がＨ＋に交換された領域は、Ｌ
ｉＴａＯ３基板１００の自発分極に関して逆極の分極反
転領域１０１となる。該方法は、いわゆるプロトン置換
法と呼ばれるものである。
【０００５】しかしながら、このプロトン交換法をＬｉ
ＴａＯ３基板１００の＋Ｃ表面に対して施しても、Ｌｉ
＋がＨ＋に交換されることがなく、分極反転領域１０１
を形成することができない。
ＴａＯ３基板１００の＋Ｃ表面に対して施しても、Ｌｉ
＋がＨ＋に交換されることがなく、分極反転領域１０１
を形成することができない。
【０００６】一方、特許第２６１５０２０号公報に開示
される弾性表面波装置は、ＬｉＮｂＯ３基板の＋Ｃ表面
に分極反転領域を設けたものである。この製造方法を説
明すると、先ず、ＬｉＮｂＯ３基板の＋Ｃ表面に部分的
にＴｉ薄膜を付着する。次に、該Ｔｉ薄膜を＋Ｃ表面に
形成したＬｉＮｂＯ３基板を、不活性ガス雰囲気でその
キュリー点温度より低く１０３０℃以上の温度で熱処理
をする。
される弾性表面波装置は、ＬｉＮｂＯ３基板の＋Ｃ表面
に分極反転領域を設けたものである。この製造方法を説
明すると、先ず、ＬｉＮｂＯ３基板の＋Ｃ表面に部分的
にＴｉ薄膜を付着する。次に、該Ｔｉ薄膜を＋Ｃ表面に
形成したＬｉＮｂＯ３基板を、不活性ガス雰囲気でその
キュリー点温度より低く１０３０℃以上の温度で熱処理
をする。
【０００７】上記処理によって、上記Ｔｉ薄膜のＴｉが
ＬｉＮｂＯ３基板に拡散してＴｉ拡散領域が形成され
る。該Ｔｉ拡散領域は、ＬｉＮｂＯ３基板の自発分極に
関して逆極の分極反転領域となる。
ＬｉＮｂＯ３基板に拡散してＴｉ拡散領域が形成され
る。該Ｔｉ拡散領域は、ＬｉＮｂＯ３基板の自発分極に
関して逆極の分極反転領域となる。
【０００８】しかしながら、上述した方法をＬｉＴａＯ
３基板に適用したところ、同様の現象は生じなかったこ
とも同時に示されている。この原因としてＴｉはＬｉＴ
ａＯ ３基板には熱拡散しにくいことが挙げられている。
３基板に適用したところ、同様の現象は生じなかったこ
とも同時に示されている。この原因としてＴｉはＬｉＴ
ａＯ ３基板には熱拡散しにくいことが挙げられている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来の弾性表面波装置
の製造方法では、ＬｉＴａＯ３基板の＋Ｃ表面に分極反
転領域を形成することができないという課題があった。
の製造方法では、ＬｉＴａＯ３基板の＋Ｃ表面に分極反
転領域を形成することができないという課題があった。
【００１０】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、ＬｉＴａＯ３基板の＋Ｃ表面に分
極反転層を形成することで、その損失特性を向上させる
ことができる弾性表面波装置及びその製造方法を得るこ
とを目的とする。
めになされたもので、ＬｉＴａＯ３基板の＋Ｃ表面に分
極反転層を形成することで、その損失特性を向上させる
ことができる弾性表面波装置及びその製造方法を得るこ
とを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明に係る弾性表面
波装置は、ＬｉＴａＯ３基板の＋Ｃ面側にその自発分極
と逆極となる分極反転層を備えるものである。
波装置は、ＬｉＴａＯ３基板の＋Ｃ面側にその自発分極
と逆極となる分極反転層を備えるものである。
【００１２】この発明に係る弾性表面波装置は、ＬｉＴ
ａＯ３基板の＋Ｃ面に形成した電極膜の下部において、
分極反転層の層厚を他の部分より厚くするものである。
ａＯ３基板の＋Ｃ面に形成した電極膜の下部において、
分極反転層の層厚を他の部分より厚くするものである。
【００１３】この発明に係る弾性表面波装置は、ＬｉＴ
ａＯ３基板の＋Ｃ面に形成した電極膜の下部のみに分極
反転層を設けたものである。
ａＯ３基板の＋Ｃ面に形成した電極膜の下部のみに分極
反転層を設けたものである。
【００１４】この発明に係る弾性表面波装置は、分極反
転層が、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）若しくはこれらの
酸化物を＋Ｃ面側からＬｉＴａＯ３基板内に拡散させた
拡散層からなるものである。
転層が、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）若しくはこれらの
酸化物を＋Ｃ面側からＬｉＴａＯ３基板内に拡散させた
拡散層からなるものである。
【００１５】この発明に係る弾性表面波装置の製造方法
は、ＬｉＴａＯ３基板の＋Ｃ面に金属膜若しくは該金属
の酸化物膜を形成する表面膜形成ステップと、空気又は
酸素を含むガス雰囲気下で、金属膜若しくは酸化物膜側
が正電圧となるように、該膜とＬｉＴａＯ３基板の−Ｃ
面との間に電圧を印加しながら、ＬｉＴａＯ３基板を加
熱する拡散層形成ステップとを備えるものである。
は、ＬｉＴａＯ３基板の＋Ｃ面に金属膜若しくは該金属
の酸化物膜を形成する表面膜形成ステップと、空気又は
酸素を含むガス雰囲気下で、金属膜若しくは酸化物膜側
が正電圧となるように、該膜とＬｉＴａＯ３基板の−Ｃ
面との間に電圧を印加しながら、ＬｉＴａＯ３基板を加
熱する拡散層形成ステップとを備えるものである。
【００１６】この発明に係る弾性表面波装置の製造方法
は、表面膜形成ステップにて、電極パターンに合わせて
金属膜若しくは該金属の酸化物膜を形成するものであ
る。
は、表面膜形成ステップにて、電極パターンに合わせて
金属膜若しくは該金属の酸化物膜を形成するものであ
る。
【００１７】この発明に係る弾性表面波装置の製造方法
は、電極パターンの形成にリフトオフ法を用いるもので
ある。
は、電極パターンの形成にリフトオフ法を用いるもので
ある。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１による弾
性表面波装置の断面図である。図において、１はＬｉＴ
ａＯ３基板であって、＋Ｃ面側に金属拡散層２を有す
る。２は金属拡散層（分極反転層）で、ＬｉＴａＯ３基
板１の自発分極（図中、Ｐｓで示す）とは反対方向の分
極（図中、−Ｐｓで示す）を有する。この金属拡散層２
の構成材としては、ＬｉＴａＯ３基板１への拡散が容易
なクロム（Ｃｒ）や銅（Ｃｕ）、これらの酸化物が挙げ
られる。３はＡｌやＡｌ合金からなるインターディジタ
ル電極（電極膜）である。
説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１による弾
性表面波装置の断面図である。図において、１はＬｉＴ
ａＯ３基板であって、＋Ｃ面側に金属拡散層２を有す
る。２は金属拡散層（分極反転層）で、ＬｉＴａＯ３基
板１の自発分極（図中、Ｐｓで示す）とは反対方向の分
極（図中、−Ｐｓで示す）を有する。この金属拡散層２
の構成材としては、ＬｉＴａＯ３基板１への拡散が容易
なクロム（Ｃｒ）や銅（Ｃｕ）、これらの酸化物が挙げ
られる。３はＡｌやＡｌ合金からなるインターディジタ
ル電極（電極膜）である。
【００１９】先ず、該弾性表面波装置の概要について説
明する。インターディジタル電極３に高周波信号を印加
すると、ＬｉＴａＯ３基板１表面に弾性表面波が励振さ
れる。このとき、金属拡散層２が無いと、その音波の一
部は基板１の内側に洩れて、弾性表面波の伝搬の損失と
なる。
明する。インターディジタル電極３に高周波信号を印加
すると、ＬｉＴａＯ３基板１表面に弾性表面波が励振さ
れる。このとき、金属拡散層２が無いと、その音波の一
部は基板１の内側に洩れて、弾性表面波の伝搬の損失と
なる。
【００２０】一方、金属拡散層２、即ち分極反転層が存
在すると、弾性表面波のエネルギーは、その分極反転層
２の領域に押し留まるように作用する。この結果、弾性
表面波の伝搬損失は減少する。
在すると、弾性表面波のエネルギーは、その分極反転層
２の領域に押し留まるように作用する。この結果、弾性
表面波の伝搬損失は減少する。
【００２１】上記作用は、弾性表面波装置を高周波バン
ドパスフィルタとして構成すると、帯域内損失が小さい
フィルタを実現できることを意味している。
ドパスフィルタとして構成すると、帯域内損失が小さい
フィルタを実現できることを意味している。
【００２２】次に、この弾性表面波装置の製造方法につ
いて説明する。図２は実施の形態１による弾性表面波装
置を製造する際の構成を示す断面図である。図におい
て、４は金属薄膜（若しくは、該金属の酸化物薄膜）で
あって、具体的にはＣｒやＣｕ若しくはこれらの酸化物
が用いられる。５はＬｉＴａＯ３基板１の裏面電極で、
ＬｉＴａＯ３基板１の−Ｃ面に設けられる。また、この
裏面電極５としては、Ａｌ（若しくはＡｌ合金）を裏面
にスパッタ成膜して形成するか、導体板の上にただ単に
ＬｉＴａＯ３基板を置くだけでも良い。６は直流電源で
あって、金属薄膜（若しくは、該金属の酸化物薄膜）４
側が正電圧となるように、該膜４と裏面電極５との間に
電圧を印加する。
いて説明する。図２は実施の形態１による弾性表面波装
置を製造する際の構成を示す断面図である。図におい
て、４は金属薄膜（若しくは、該金属の酸化物薄膜）で
あって、具体的にはＣｒやＣｕ若しくはこれらの酸化物
が用いられる。５はＬｉＴａＯ３基板１の裏面電極で、
ＬｉＴａＯ３基板１の−Ｃ面に設けられる。また、この
裏面電極５としては、Ａｌ（若しくはＡｌ合金）を裏面
にスパッタ成膜して形成するか、導体板の上にただ単に
ＬｉＴａＯ３基板を置くだけでも良い。６は直流電源で
あって、金属薄膜（若しくは、該金属の酸化物薄膜）４
側が正電圧となるように、該膜４と裏面電極５との間に
電圧を印加する。
【００２３】先ず、ＬｉＴａＯ３基板１の＋Ｃ表面全面
に金属薄膜４を成膜する（表面膜形成ステップ）。具体
的には、例えばスパッタ装置などで成膜する。次に、Ｌ
ｉＴａＯ３基板１の裏面に例えばスパッタ装置などでＡ
ｌ合金を成膜し、裏面電極５を形成する。
に金属薄膜４を成膜する（表面膜形成ステップ）。具体
的には、例えばスパッタ装置などで成膜する。次に、Ｌ
ｉＴａＯ３基板１の裏面に例えばスパッタ装置などでＡ
ｌ合金を成膜し、裏面電極５を形成する。
【００２４】続いて、金属薄膜４が正極となるように、
直流電源６を金属薄膜４と裏面電極５とに接続する。こ
のあと、該ＬｉＴａＯ３基板１を高温条件に温度調節が
可能なオーブンに入れる。このとき、該オーブンは、空
気又は酸素を含むガス雰囲気とする。また、オーブンの
代わりにホットプレートを用いても良い。
直流電源６を金属薄膜４と裏面電極５とに接続する。こ
のあと、該ＬｉＴａＯ３基板１を高温条件に温度調節が
可能なオーブンに入れる。このとき、該オーブンは、空
気又は酸素を含むガス雰囲気とする。また、オーブンの
代わりにホットプレートを用いても良い。
【００２５】ＬｉＴａＯ３基板１が割れないように、オ
ーブンによって徐々に所定の温度まで昇温させる。この
温度としては、直流電源６で印加する電圧と加熱時間と
の兼ね合いで決めるが、通常２００〜４００℃程度の範
囲の中から選定される。
ーブンによって徐々に所定の温度まで昇温させる。この
温度としては、直流電源６で印加する電圧と加熱時間と
の兼ね合いで決めるが、通常２００〜４００℃程度の範
囲の中から選定される。
【００２６】所定温度に達すると、直流電源６を制御し
て金属薄膜４と裏面電極５との間に電圧をゆっくりと印
加してその状態を保持する。所望の加熱時間が経過した
ら、再び直流電源６を制御して金属薄膜４と裏面電極５
との間に印加した電圧を落とし、直流電源６の接続を切
り離し、ＬｉＴａＯ３基板１が割れないようにゆっくり
と冷却する。これによって、ＬｉＴａＯ３基板１の＋Ｃ
表面に金属薄膜４を構成する金属の金属拡散層２が形成
される。ここまでの処理が拡散層形成ステップに相当す
る。
て金属薄膜４と裏面電極５との間に電圧をゆっくりと印
加してその状態を保持する。所望の加熱時間が経過した
ら、再び直流電源６を制御して金属薄膜４と裏面電極５
との間に印加した電圧を落とし、直流電源６の接続を切
り離し、ＬｉＴａＯ３基板１が割れないようにゆっくり
と冷却する。これによって、ＬｉＴａＯ３基板１の＋Ｃ
表面に金属薄膜４を構成する金属の金属拡散層２が形成
される。ここまでの処理が拡散層形成ステップに相当す
る。
【００２７】このあと、金属薄膜４をウェットエッチン
グ液で除去した上で、リフトオフ用のレジストマスクを
形成する。続いて、該ＬｉＴａＯ３基板１上にＡｌ（若
しくはＡｌ合金）膜を成膜してリフトオフすることで、
インターディジタル電極３を作成する。
グ液で除去した上で、リフトオフ用のレジストマスクを
形成する。続いて、該ＬｉＴａＯ３基板１上にＡｌ（若
しくはＡｌ合金）膜を成膜してリフトオフすることで、
インターディジタル電極３を作成する。
【００２８】以上のように、この実施の形態１によれ
ば、ＬｉＴａＯ３基板１の＋Ｃ面に金属薄膜４を形成
し、空気又は酸素を含むガス雰囲気下で金属薄膜４側が
正電圧となるように、該膜４とＬｉＴａＯ３基板１の−
Ｃ面との間に電圧を印加しながら加熱することで、Ｌｉ
ＴａＯ３基板１の＋Ｃ表面に金属拡散層２、即ち自発分
極に関して逆極となる分極反転層を形成することができ
る。
ば、ＬｉＴａＯ３基板１の＋Ｃ面に金属薄膜４を形成
し、空気又は酸素を含むガス雰囲気下で金属薄膜４側が
正電圧となるように、該膜４とＬｉＴａＯ３基板１の−
Ｃ面との間に電圧を印加しながら加熱することで、Ｌｉ
ＴａＯ３基板１の＋Ｃ表面に金属拡散層２、即ち自発分
極に関して逆極となる分極反転層を形成することができ
る。
【００２９】なお、上記実施の形態１では、インターデ
ィジタル電極３の形成にリフトオフ法を用いる例を示し
たが、リフトオフの代わりにドライエッチングによりイ
ンターディジタル電極３のパターン形成を行なっても良
い。しかしながら、プラズマによる基板ダメージがない
リフトオフと併用する方が、弾性表面波装置の損失特性
を向上させる上でも望ましい。
ィジタル電極３の形成にリフトオフ法を用いる例を示し
たが、リフトオフの代わりにドライエッチングによりイ
ンターディジタル電極３のパターン形成を行なっても良
い。しかしながら、プラズマによる基板ダメージがない
リフトオフと併用する方が、弾性表面波装置の損失特性
を向上させる上でも望ましい。
【００３０】また、上記実施の形態１では、金属薄膜４
についてのみ説明したが、該金属の酸化物薄膜を用いて
もよく同様の効果を奏する。
についてのみ説明したが、該金属の酸化物薄膜を用いて
もよく同様の効果を奏する。
【００３１】実施の形態２．図３はこの発明の実施の形
態２による弾性表面波装置を製造する際の構成を示す断
面図である。図において、４ａはインターディジタル電
極３の下地膜となってパターニングされた金属薄膜であ
る。この金属薄膜４ａの構成材としては、ＬｉＴａＯ３
基板１への拡散が容易なクロム（Ｃｒ）や銅（Ｃｕ）、
これらの酸化物が挙げられる。なお、図１及び図２と同
一構成要素には同一符号を付して重複する説明を省略す
る。
態２による弾性表面波装置を製造する際の構成を示す断
面図である。図において、４ａはインターディジタル電
極３の下地膜となってパターニングされた金属薄膜であ
る。この金属薄膜４ａの構成材としては、ＬｉＴａＯ３
基板１への拡散が容易なクロム（Ｃｒ）や銅（Ｃｕ）、
これらの酸化物が挙げられる。なお、図１及び図２と同
一構成要素には同一符号を付して重複する説明を省略す
る。
【００３２】図に示すように、この実施の形態２による
弾性表面波装置において、ＬｉＴａＯ３基板１の＋Ｃ表
面に形成された所望のインターディジタル電極３の下側
に位置する金属拡散層２の層厚が厚く形成されている。
具体的には、例えば共振器型の弾性表面波装置の反射器
となる電極の下側のみに金属拡散層２を形成すること
で、反射器の反射率が向上する。これにより、弾性表面
波装置の損失特性を向上させることができる。
弾性表面波装置において、ＬｉＴａＯ３基板１の＋Ｃ表
面に形成された所望のインターディジタル電極３の下側
に位置する金属拡散層２の層厚が厚く形成されている。
具体的には、例えば共振器型の弾性表面波装置の反射器
となる電極の下側のみに金属拡散層２を形成すること
で、反射器の反射率が向上する。これにより、弾性表面
波装置の損失特性を向上させることができる。
【００３３】次に図３を参照して実施の形態２による弾
性表面波装置の製造方法について説明する。先ず、上記
実施の形態１と同様にして、金属拡散層２をＬｉＴａＯ
３基板１の＋Ｃ面全体に形成する。このとき、例えばＬ
ｉＴａＯ３基板１の＋Ｃ面の全面にＣｒを拡散させ、イ
ンターディジタル電極３の下側にはＣｕを拡散させるよ
うにしても良い（このＣｒとＣｕの関係を逆にしても良
い）。
性表面波装置の製造方法について説明する。先ず、上記
実施の形態１と同様にして、金属拡散層２をＬｉＴａＯ
３基板１の＋Ｃ面全体に形成する。このとき、例えばＬ
ｉＴａＯ３基板１の＋Ｃ面の全面にＣｒを拡散させ、イ
ンターディジタル電極３の下側にはＣｕを拡散させるよ
うにしても良い（このＣｒとＣｕの関係を逆にしても良
い）。
【００３４】次に、基板１の金属拡散層２が形成された
面にリフトオフ用のレジストパターンを形成する。続い
て、上記レジストパターンを形成した基板１表面上に、
金属薄膜４ａ及びＡｌ（若しくはＡｌ合金）膜を重ねて
成膜する。このあと、リフトオフすることによってイン
ターディジタル電極３が作成される。
面にリフトオフ用のレジストパターンを形成する。続い
て、上記レジストパターンを形成した基板１表面上に、
金属薄膜４ａ及びＡｌ（若しくはＡｌ合金）膜を重ねて
成膜する。このあと、リフトオフすることによってイン
ターディジタル電極３が作成される。
【００３５】次に、所望のインターディジタル電極３、
例えば反射器となる電極３の下側に位置する金属薄膜４
ａ側が正電圧となるように、該電極３及び裏面電極５
（不図示）に直流電源６を接続して電圧を印加する。こ
の電圧印加を継続しながら、試料を２００〜４００℃程
度の温度範囲で加熱する。
例えば反射器となる電極３の下側に位置する金属薄膜４
ａ側が正電圧となるように、該電極３及び裏面電極５
（不図示）に直流電源６を接続して電圧を印加する。こ
の電圧印加を継続しながら、試料を２００〜４００℃程
度の温度範囲で加熱する。
【００３６】これによって、電圧を印加したインターデ
ィジタル電極３の下側において、金属薄膜４ａを構成す
る金属が著しくＬｉＴａＯ３基板１側に電界拡散する。
この結果として、図３に示すように、電圧を印加した特
定のインターディジタル電極３の下側に位置する金属拡
散層２の層厚が厚くなる。
ィジタル電極３の下側において、金属薄膜４ａを構成す
る金属が著しくＬｉＴａＯ３基板１側に電界拡散する。
この結果として、図３に示すように、電圧を印加した特
定のインターディジタル電極３の下側に位置する金属拡
散層２の層厚が厚くなる。
【００３７】以上のように、この実施の形態２によれ
ば、金属拡散層２を所望のインターディタル電極３の下
側のみ厚く形成するので、上記実施の形態１と比較して
より低損失の弾性表面波装置を提供することができる。
ば、金属拡散層２を所望のインターディタル電極３の下
側のみ厚く形成するので、上記実施の形態１と比較して
より低損失の弾性表面波装置を提供することができる。
【００３８】なお、上記実施の形態２では、金属拡散層
２がＬｉＴａＯ３基板１の＋Ｃ全面とインターディジタ
ル電極３の下側とに設ける例を示したが、ＬｉＴａＯ３
基板１の＋Ｃ全面に形成せずに所望のインターディジタ
ル電極３の下側のみに形成するようにしてもよい。
２がＬｉＴａＯ３基板１の＋Ｃ全面とインターディジタ
ル電極３の下側とに設ける例を示したが、ＬｉＴａＯ３
基板１の＋Ｃ全面に形成せずに所望のインターディジタ
ル電極３の下側のみに形成するようにしてもよい。
【００３９】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、Ｌｉ
ＴａＯ３基板の＋Ｃ表面に金属薄膜若しくは該金属の酸
化物膜（例えば、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）若しくは
これらの酸化物）を形成した後、空気又は酸素を含むガ
ス雰囲気下で金属膜若しくは酸化物膜側が正電圧となる
ように該膜とＬｉＴａＯ３基板の−Ｃ面との間に電圧を
印加しながら、ＬｉＴａＯ３基板を加熱することによ
り、ＬｉＴａＯ３基板の＋Ｃ表面に分極反転層を形成す
ることができ、ひいては低損失の弾性表面波装置を提供
することができるという効果がある。
ＴａＯ３基板の＋Ｃ表面に金属薄膜若しくは該金属の酸
化物膜（例えば、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）若しくは
これらの酸化物）を形成した後、空気又は酸素を含むガ
ス雰囲気下で金属膜若しくは酸化物膜側が正電圧となる
ように該膜とＬｉＴａＯ３基板の−Ｃ面との間に電圧を
印加しながら、ＬｉＴａＯ３基板を加熱することによ
り、ＬｉＴａＯ３基板の＋Ｃ表面に分極反転層を形成す
ることができ、ひいては低損失の弾性表面波装置を提供
することができるという効果がある。
【００４０】この発明によれば、分極反転層を所望の電
極膜の下側のみ厚く形成するか、若しくは、分極反転層
を所望の電極膜の下側のみに形成するので、さらに低損
失の弾性表面波装置を提供することができるという効果
がある。
極膜の下側のみ厚く形成するか、若しくは、分極反転層
を所望の電極膜の下側のみに形成するので、さらに低損
失の弾性表面波装置を提供することができるという効果
がある。
【００４１】この発明によれば、電極パターンの形成に
リフトオフ法を用いるので、ＬｉＴａＯ３基板にダメー
ジを与えることがないという効果がある。
リフトオフ法を用いるので、ＬｉＴａＯ３基板にダメー
ジを与えることがないという効果がある。
【図１】 この発明の実施の形態１による弾性表面波装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図２】 実施の形態１による弾性表面波装置を製造す
る際の構成を示す断面図である。
る際の構成を示す断面図である。
【図３】 この発明の実施の形態２による弾性表面波装
置を製造する際の構成を示す断面図である。
置を製造する際の構成を示す断面図である。
【図４】 従来の弾性表面波装置を示す断面図である。
１ ＬｉＴａＯ３基板、２ 金属拡散層（分極反転
層）、３ インターディジタル電極（電極膜）、４，４
ａ 金属薄膜（若しくは、該金属の酸化物薄膜）、５
裏面電極、６ 直流電源。
層）、３ インターディジタル電極（電極膜）、４，４
ａ 金属薄膜（若しくは、該金属の酸化物薄膜）、５
裏面電極、６ 直流電源。
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フロントページの続き
(72)発明者 村瀬 功
東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三
菱電機株式会社内
(72)発明者 松元 光輝
兵庫県小野市匠台12番地 株式会社セルコ
内
Ｆターム(参考） 5J097 AA01 BB17 EE08 FF01 FF08
GG03 HA03 HB05 KK09
Claims (7)
- 【請求項１】 ＬｉＴａＯ３基板の＋Ｃ面側にその自発
分極と逆極となる分極反転層を備えた弾性表面波装置。 - 【請求項２】 ＬｉＴａＯ３基板の＋Ｃ面に形成した電
極膜の下部において、分極反転層の層厚を他の部分より
厚くすることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波装
置。 - 【請求項３】 ＬｉＴａＯ３基板の＋Ｃ面に形成した電
極膜の下部のみに分極反転層を設けたことを特徴とする
請求項１記載の弾性表面波装置。 - 【請求項４】 分極反転層は、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃ
ｕ）若しくはこれらの酸化物を＋Ｃ面側からＬｉＴａＯ
３基板内に拡散させた拡散層からなることを特徴とする
請求項１から請求項３のうちのいずれか１項記載の弾性
表面波装置。 - 【請求項５】 ＬｉＴａＯ３基板の＋Ｃ面に金属膜若し
くは該金属の酸化物膜を形成する表面膜形成ステップ
と、 空気又は酸素を含むガス雰囲気下で、上記金属膜若しく
は上記酸化物膜側が正電圧となるように、該膜と上記Ｌ
ｉＴａＯ３基板の−Ｃ面との間に電圧を印加しながら、
上記ＬｉＴａＯ３基板を加熱する拡散層形成ステップと
を備えた弾性表面波装置の製造方法。 - 【請求項６】 表面膜形成ステップにて、電極パターン
に合わせて金属膜若しくは該金属の酸化物膜を形成する
ことを特徴とする請求項５記載の弾性表面波装置の製造
方法。 - 【請求項７】 電極パターンの形成にリフトオフ法を用
いることを特徴とする請求項６記載の弾性表面波装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002006409A JP2003209457A (ja) | 2002-01-15 | 2002-01-15 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002006409A JP2003209457A (ja) | 2002-01-15 | 2002-01-15 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003209457A true JP2003209457A (ja) | 2003-07-25 |
Family
ID=27645190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002006409A Pending JP2003209457A (ja) | 2002-01-15 | 2002-01-15 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003209457A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013545353A (ja) * | 2010-10-15 | 2013-12-19 | コミシリア ア レネルジ アトミック エ オ エナジーズ オルタネティヴズ | 均質な材料から形成された不均質な音響構造 |
| WO2021125013A1 (ja) * | 2019-12-19 | 2021-06-24 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
-
2002
- 2002-01-15 JP JP2002006409A patent/JP2003209457A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013545353A (ja) * | 2010-10-15 | 2013-12-19 | コミシリア ア レネルジ アトミック エ オ エナジーズ オルタネティヴズ | 均質な材料から形成された不均質な音響構造 |
| US9209779B2 (en) | 2010-10-15 | 2015-12-08 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Heterogenous acoustic structure formed from a homogeneous material |
| WO2021125013A1 (ja) * | 2019-12-19 | 2021-06-24 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| JP7464062B2 (ja) | 2019-12-19 | 2024-04-09 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
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