JP2001094382A - 弾性表面波装置およびその製造方法 - Google Patents
弾性表面波装置およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 安定した特性で長寿命の弾性表面波装置およ
びその製造方法を提供する。 【解決手段】 弾性表面波装置１の励振電極３の櫛歯状
電極４は、電極指５を圧電基板２上に、タンタルを主成
分とし、膜厚１ｎｍないし３０ｎｍの第１の金属層６を
形成し、第１の金属層６上にアルミニウムを主成分とし
銅を添加させた第２の金属層７を形成する。第１の金属
層６および第２の金属層７を、高周波電源を用いた高周
波スパッタ法により真空破壊せず連続して積層形成す
る。
びその製造方法を提供する。 【解決手段】 弾性表面波装置１の励振電極３の櫛歯状
電極４は、電極指５を圧電基板２上に、タンタルを主成
分とし、膜厚１ｎｍないし３０ｎｍの第１の金属層６を
形成し、第１の金属層６上にアルミニウムを主成分とし
銅を添加させた第２の金属層７を形成する。第１の金属
層６および第２の金属層７を、高周波電源を用いた高周
波スパッタ法により真空破壊せず連続して積層形成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高い耐電力性を必
要とする弾性表面波装置およびその製造方法に関する。
要とする弾性表面波装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、弾性表面波装置の利用分野が広ま
り、その中でも特に移動体通信分野において弾性表面波
装置を用いたフィルタや分波器が利用されており、特に
弾性表面波装置を用いた分波器は小型であるため、大い
に利用されている。
り、その中でも特に移動体通信分野において弾性表面波
装置を用いたフィルタや分波器が利用されており、特に
弾性表面波装置を用いた分波器は小型であるため、大い
に利用されている。
【０００３】また、弾性表面波装置は、対向する櫛歯電
極部により励振電極を形成しており、櫛歯電極部は他の
部分と比較して線幅が微細な電極指を有している。
極部により励振電極を形成しており、櫛歯電極部は他の
部分と比較して線幅が微細な電極指を有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、一般に、携
帯電話の構成は送信側増幅器の後段に分波器が配置され
るため、増幅された電力がそのまま分波器を通過するこ
とになり、分波器に大きな電力を注入される。
帯電話の構成は送信側増幅器の後段に分波器が配置され
るため、増幅された電力がそのまま分波器を通過するこ
とになり、分波器に大きな電力を注入される。
【０００５】このため、弾性表面波装置を用いた分波器
では、大きな電力が入力されることにより、弾性表面波
の振動エネルギと、電極抵抗による発熱とから、温度が
上昇して電極劣化いわゆるマイグレーションが発生す
る。
では、大きな電力が入力されることにより、弾性表面波
の振動エネルギと、電極抵抗による発熱とから、温度が
上昇して電極劣化いわゆるマイグレーションが発生す
る。
【０００６】特に、励振電極の櫛歯電極部の電極指は、
弾性表面波の励振の影響を受けるため、温度上昇が激し
く、また、電極指は他の部分と比較して線幅が微細であ
るため、わずかなマイグレーションの発生でも、特性不
良が生じ、短寿命化するおそれがある問題を有してい
る。
弾性表面波の励振の影響を受けるため、温度上昇が激し
く、また、電極指は他の部分と比較して線幅が微細であ
るため、わずかなマイグレーションの発生でも、特性不
良が生じ、短寿命化するおそれがある問題を有してい
る。
【０００７】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、安定した特性で長寿命の弾性表面波装置およびその
製造方法を提供することを目的とする。
で、安定した特性で長寿命の弾性表面波装置およびその
製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、圧電基板と、
この圧電基板上に配設され、この圧電基板側に位置しタ
ンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、タ
ングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）およびスカンジウム（Ｓｃ）
の少なくともいずれか一つが主成分として含まれた第１
の金属層、および、この第１の金属層上に形成されアル
ミニウム（Ａｌ）およびアルミニウム（Ａｌ）のいずれ
かを主成分とした金属を有する第２の金属層を有する励
振電極とを具備したもので、第１の金属層にタンタル
（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、タングス
テン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、
ハフニウム（Ｈｆ）およびスカンジウム（Ｓｃ）の少な
くともいずれか一つが主成分として含むことにより非晶
質とし、第２の金属層にアルミニウム（Ａｌ）およびア
ルミニウム（Ａｌ）のいずれかを主成分とした金属のい
ずれかを有することにより、アルミニウムが（１１１）
方向に強い結晶方位を持ち、耐電力性を高くしてマイグ
レーションを発生させない。
この圧電基板上に配設され、この圧電基板側に位置しタ
ンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、タ
ングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）およびスカンジウム（Ｓｃ）
の少なくともいずれか一つが主成分として含まれた第１
の金属層、および、この第１の金属層上に形成されアル
ミニウム（Ａｌ）およびアルミニウム（Ａｌ）のいずれ
かを主成分とした金属を有する第２の金属層を有する励
振電極とを具備したもので、第１の金属層にタンタル
（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、タングス
テン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、
ハフニウム（Ｈｆ）およびスカンジウム（Ｓｃ）の少な
くともいずれか一つが主成分として含むことにより非晶
質とし、第２の金属層にアルミニウム（Ａｌ）およびア
ルミニウム（Ａｌ）のいずれかを主成分とした金属のい
ずれかを有することにより、アルミニウムが（１１１）
方向に強い結晶方位を持ち、耐電力性を高くしてマイグ
レーションを発生させない。
【０００９】また、本発明は、圧電基板と、この圧電基
板上に配設され、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、
チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍ
ｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）、スカン
ジウム（Ｓｃ）、および、タンタル（Ｔａ）、ニオブ
（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリ
ブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、ハフニウム（Ｈ
ｆ）およびスカンジウム（Ｓｃ）の少なくともいずれか
一つを主成分として他の元素を含む第１の金属層、およ
び、アルミニウム（Ａｌ）およびアルミニウム（Ａｌ）
のいずれかを主成分とする第２の金属層が交互に積層さ
れた励振電極とを具備したもので、第１の金属層にタン
タル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、タン
グステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）およびスカンジウム（Ｓｃ）
の少なくともいずれか一つが主成分として含むことによ
り非晶質とし、第２の金属層にアルミニウム（Ａｌ）お
よびアルミニウム（Ａｌ）のいずれかを主成分とした金
属のいずれかを有することにより、アルミニウムが（１
１１）方向に強い結晶方位を持ち、耐電力性を高くして
マイグレーションを発生させない。
板上に配設され、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、
チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍ
ｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）、スカン
ジウム（Ｓｃ）、および、タンタル（Ｔａ）、ニオブ
（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリ
ブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、ハフニウム（Ｈ
ｆ）およびスカンジウム（Ｓｃ）の少なくともいずれか
一つを主成分として他の元素を含む第１の金属層、およ
び、アルミニウム（Ａｌ）およびアルミニウム（Ａｌ）
のいずれかを主成分とする第２の金属層が交互に積層さ
れた励振電極とを具備したもので、第１の金属層にタン
タル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、タン
グステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）およびスカンジウム（Ｓｃ）
の少なくともいずれか一つが主成分として含むことによ
り非晶質とし、第２の金属層にアルミニウム（Ａｌ）お
よびアルミニウム（Ａｌ）のいずれかを主成分とした金
属のいずれかを有することにより、アルミニウムが（１
１１）方向に強い結晶方位を持ち、耐電力性を高くして
マイグレーションを発生させない。
【００１０】さらに、本発明は、圧電基板と、この圧電
基板上に配設され、タンタル（Ｔａ）およびアルミニウ
ム（Ａｌ）の両方の組成を含む第１の金属層、および、
アルミニウム（Ａｌ）およびアルミニウム（Ａｌ）を主
成分とするいずれかの第２の金属層が交互に積層された
励振電極とを具備したもので、第１の金属層にタンタル
（Ｔａ）およびアルミニウム（Ａｌ）の両方の組成を含
むことにより非晶質とし、第２の金属層にアルミニウム
（Ａｌ）およびアルミニウム（Ａｌ）のいずれかを主成
分とした金属のいずれかを有することにより、アルミニ
ウムが（１１１）方向に強い結晶方位を持ち、耐電力性
を高くしてマイグレーションを発生させない。
基板上に配設され、タンタル（Ｔａ）およびアルミニウ
ム（Ａｌ）の両方の組成を含む第１の金属層、および、
アルミニウム（Ａｌ）およびアルミニウム（Ａｌ）を主
成分とするいずれかの第２の金属層が交互に積層された
励振電極とを具備したもので、第１の金属層にタンタル
（Ｔａ）およびアルミニウム（Ａｌ）の両方の組成を含
むことにより非晶質とし、第２の金属層にアルミニウム
（Ａｌ）およびアルミニウム（Ａｌ）のいずれかを主成
分とした金属のいずれかを有することにより、アルミニ
ウムが（１１１）方向に強い結晶方位を持ち、耐電力性
を高くしてマイグレーションを発生させない。
【００１１】また、第１の金属層は、タンタル（Ｔａ）
が３５原子％ないし７９原子％含まれているもので、タ
ンタルが３５原子％ないし７９原子％含まれている場合
に、アルミニウムが（１１１）方向に強い結晶方位を持
つ。
が３５原子％ないし７９原子％含まれているもので、タ
ンタルが３５原子％ないし７９原子％含まれている場合
に、アルミニウムが（１１１）方向に強い結晶方位を持
つ。
【００１２】さらに、第１の金属層は、膜厚が５０ｎｍ
以下であるもので、非晶質状態の金属層となる。
以下であるもので、非晶質状態の金属層となる。
【００１３】またさらに、第１の金属層は、高周波スパ
ッタ法により形成されるもので、非晶質状態の金属層と
なる。
ッタ法により形成されるもので、非晶質状態の金属層と
なる。
【００１４】また、本発明は、圧電基板上にタンタル
（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、タングス
テン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、
ハフニウム（Ｈｆ）、スカンジウム（Ｓｃ）の少なくと
もいずれか一つを主成分とし高周波スパッタ法で第１の
金属層を成膜し、この第１の金属層上にアルミニウム
（Ａｌ）およびアルミニウム（Ａｌ）を主成分とする第
２の金属層を形成して励振電極を形成するもので、第１
の金属層にタンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン
（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、
ニッケル（Ｎｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）およびスカンジ
ウム（Ｓｃ）の少なくともいずれか一つが主成分として
高周波スパッタ法で形成することにより非晶質とし、第
２の金属層にアルミニウム（Ａｌ）およびアルミニウム
（Ａｌ）のいずれかを主成分とした金属のいずれかを有
することにより、アルミニウムが（１１１）方向に強い
結晶方位を持ち、耐電力性を高くしてマイグレーション
を発生させない。
（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、タングス
テン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、
ハフニウム（Ｈｆ）、スカンジウム（Ｓｃ）の少なくと
もいずれか一つを主成分とし高周波スパッタ法で第１の
金属層を成膜し、この第１の金属層上にアルミニウム
（Ａｌ）およびアルミニウム（Ａｌ）を主成分とする第
２の金属層を形成して励振電極を形成するもので、第１
の金属層にタンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン
（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、
ニッケル（Ｎｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）およびスカンジ
ウム（Ｓｃ）の少なくともいずれか一つが主成分として
高周波スパッタ法で形成することにより非晶質とし、第
２の金属層にアルミニウム（Ａｌ）およびアルミニウム
（Ａｌ）のいずれかを主成分とした金属のいずれかを有
することにより、アルミニウムが（１１１）方向に強い
結晶方位を持ち、耐電力性を高くしてマイグレーション
を発生させない。
【００１５】さらに、第２の金属層は、高周波スパッタ
法により形成されるもので、第２の金属層が高配向性を
有する。
法により形成されるもので、第２の金属層が高配向性を
有する。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の弾性表面波装置の
一実施の形態を図面を参照して説明する。
一実施の形態を図面を参照して説明する。
【００１７】図２に示すように、１は弾性表面波装置
で、この弾性表面波装置１は分波器としての機能を有
し、ＬｉＴａＯ3 の圧電基板２上に励振電極３が一対形
成されている。そして、これら励振電極３は、それぞれ
櫛歯状電極部４が対向して形成され、これら櫛歯状電極
部４は線幅が微細な電極指５を有しており、図１に示す
ように、この電極指５は圧電基板２上に、タンタル（Ｔ
ａ）を主成分とし、膜厚５０ｎｍ以下、好適には１ｎｍ
ないし３０ｎｍの第１の金属層６が形成され、この第１
の金属層６上にはアルミニウム（Ａｌ）を主成分とし銅
（Ｃｕ）などを添加させた膜厚１００ｎｍないし１００
０ｎｍ、好適には３００ｎｍの第２の金属層７が形成さ
れている。なお、これら第１の金属層６および第２の金
属層７は、高周波電源を用いた高周波スパッタ法により
真空破壊せず連続して積層形成される。
で、この弾性表面波装置１は分波器としての機能を有
し、ＬｉＴａＯ3 の圧電基板２上に励振電極３が一対形
成されている。そして、これら励振電極３は、それぞれ
櫛歯状電極部４が対向して形成され、これら櫛歯状電極
部４は線幅が微細な電極指５を有しており、図１に示す
ように、この電極指５は圧電基板２上に、タンタル（Ｔ
ａ）を主成分とし、膜厚５０ｎｍ以下、好適には１ｎｍ
ないし３０ｎｍの第１の金属層６が形成され、この第１
の金属層６上にはアルミニウム（Ａｌ）を主成分とし銅
（Ｃｕ）などを添加させた膜厚１００ｎｍないし１００
０ｎｍ、好適には３００ｎｍの第２の金属層７が形成さ
れている。なお、これら第１の金属層６および第２の金
属層７は、高周波電源を用いた高周波スパッタ法により
真空破壊せず連続して積層形成される。
【００１８】また、櫛歯状電極部４の電極指５と反対側
になる基端側には、電極パッド８がそれぞれ形成され、
励振電極３に隣り合って反射電極９が形成されている。
になる基端側には、電極パッド８がそれぞれ形成され、
励振電極３に隣り合って反射電極９が形成されている。
【００１９】そして、この弾性表面波装置１に電力を入
力し、寿命試験、いわゆる耐電力性試験を行なった。な
お、試験条件は、入力電力２．５Ｗ、環境温度１５０℃
として、試験前の初期特性での中心周波数での挿入損失
に対して、１ｄＢ劣化した時点を寿命として表１に示す
ように測定した。
力し、寿命試験、いわゆる耐電力性試験を行なった。な
お、試験条件は、入力電力２．５Ｗ、環境温度１５０℃
として、試験前の初期特性での中心周波数での挿入損失
に対して、１ｄＢ劣化した時点を寿命として表１に示す
ように測定した。
【００２０】
【表１】 この表１に示すように、第１の金属層６のみを高周波ス
パッタ法により形成し、第２の金属層７を直流スパッタ
で形成した弾性表面波装置１の寿命は、第１の金属層６
および第２の金属層７のいずれも直流スパッタで形成し
たものに比べ、約１０倍の寿命を得ることができ、第１
の金属層６および第２の金属層７のいずれについても高
周波スパッタ法により形成した場合には、同様に従来の
直流スパッタ法で形成したものに比べ、約８０倍の寿命
を得ることができた。
パッタ法により形成し、第２の金属層７を直流スパッタ
で形成した弾性表面波装置１の寿命は、第１の金属層６
および第２の金属層７のいずれも直流スパッタで形成し
たものに比べ、約１０倍の寿命を得ることができ、第１
の金属層６および第２の金属層７のいずれについても高
周波スパッタ法により形成した場合には、同様に従来の
直流スパッタ法で形成したものに比べ、約８０倍の寿命
を得ることができた。
【００２１】これは、第１の金属層６の膜厚を５０ｎｍ
以下で薄い方が非晶質、すなわちアモルファス状態にな
りやすく、高周波スパッタ法によることで、金属の結晶
を非結晶、すなわちアモルファス状態とするとともに、
第２の金属層７にアルミニウムを主成分として銅を含ま
せたことによりアルミニウムが（１１１）方向に強い結
晶方位を持つので、大きな電力が入力されても、弾性表
面波の振動エネルギーと電極抵抗による発熱とから、温
度が上昇して電極劣化いわゆるマイグレーションが発生
することが防止でき、電極指５は他の部分と比較して線
幅が微細でも、特性不良が生じにくく、長寿命化するた
めと考えられる。
以下で薄い方が非晶質、すなわちアモルファス状態にな
りやすく、高周波スパッタ法によることで、金属の結晶
を非結晶、すなわちアモルファス状態とするとともに、
第２の金属層７にアルミニウムを主成分として銅を含ま
せたことによりアルミニウムが（１１１）方向に強い結
晶方位を持つので、大きな電力が入力されても、弾性表
面波の振動エネルギーと電極抵抗による発熱とから、温
度が上昇して電極劣化いわゆるマイグレーションが発生
することが防止でき、電極指５は他の部分と比較して線
幅が微細でも、特性不良が生じにくく、長寿命化するた
めと考えられる。
【００２２】また、第１の金属層６および第２の金属層
７を真空破壊せずに連続して高周波スパッタ形成する
と、第１の金属層６および第２の金属層７を形成する間
に真空破壊するよりも、真空中にて連続してスパッタ成
膜した方が強い（１１１）方向に強い配向を得ることが
できる。
７を真空破壊せずに連続して高周波スパッタ形成する
と、第１の金属層６および第２の金属層７を形成する間
に真空破壊するよりも、真空中にて連続してスパッタ成
膜した方が強い（１１１）方向に強い配向を得ることが
できる。
【００２３】さらに、第２の金属層７の膜厚を３００ｎ
ｍ程度にすることにより、結晶を揃えることができる。
ｍ程度にすることにより、結晶を揃えることができる。
【００２４】またさらに、図２に示すように、櫛歯状電
極部４の電極指５の部分のみを第１の金属層６および第
２の金属層７を積層して形成するものに限らず、図３に
示すように、櫛歯状電極部４の全体を第１の金属層６お
よび第２の金属層７で形成しても同様の効果を得ること
ができる。
極部４の電極指５の部分のみを第１の金属層６および第
２の金属層７を積層して形成するものに限らず、図３に
示すように、櫛歯状電極部４の全体を第１の金属層６お
よび第２の金属層７で形成しても同様の効果を得ること
ができる。
【００２５】次に、図４を参照して他の実施の形態の弾
性表面波装置について説明する。
性表面波装置について説明する。
【００２６】図１ないし図３に示す弾性表面波装置１に
おいて、図４に示すように、圧電基板２上に、タンタル
とアルミニウムを主成分としタンタルとアルミニウムの
組成比でタンタルが３５原子％ないし７９原子％の第１
の金属層６と、アルミニウムを主成分として銅を添加し
た第２の金属層７とを高周波スパッタ法で交互に２回ず
つ順次４層に積層したものである。
おいて、図４に示すように、圧電基板２上に、タンタル
とアルミニウムを主成分としタンタルとアルミニウムの
組成比でタンタルが３５原子％ないし７９原子％の第１
の金属層６と、アルミニウムを主成分として銅を添加し
た第２の金属層７とを高周波スパッタ法で交互に２回ず
つ順次４層に積層したものである。
【００２７】そして、このようにタンタルを３５原子％
ないし７９原子％の割合で組成すると、アルミニウムと
銅との第２の金属層７は（１１１）結晶方位に強く配向
し、マイグレーションの発生を防止できる。
ないし７９原子％の割合で組成すると、アルミニウムと
銅との第２の金属層７は（１１１）結晶方位に強く配向
し、マイグレーションの発生を防止できる。
【００２８】そして、この弾性表面波装置１に電力を入
力し、寿命試験、いわゆる耐電力試験を行なった。な
お、試験条件は、入力電力２Ｗ、環境温度８５℃とし
て、試験前の初期特性での中心周波数での挿入損失に対
して、１ｄＢ劣化した時点を寿命として測定した。ま
た、対照の弾性表面波装置１として、従来のアルミニウ
ムに銅を０．５重量％添加した一つの金属層で形成され
た単層膜のものを用いた。
力し、寿命試験、いわゆる耐電力試験を行なった。な
お、試験条件は、入力電力２Ｗ、環境温度８５℃とし
て、試験前の初期特性での中心周波数での挿入損失に対
して、１ｄＢ劣化した時点を寿命として測定した。ま
た、対照の弾性表面波装置１として、従来のアルミニウ
ムに銅を０．５重量％添加した一つの金属層で形成され
た単層膜のものを用いた。
【００２９】実験によれば、図５に示すように、対象と
なる従来の弾性表面波装置１に比べ、寿命が１０倍ない
し１００倍長くなり高い耐電力性が得られた。
なる従来の弾性表面波装置１に比べ、寿命が１０倍ない
し１００倍長くなり高い耐電力性が得られた。
【００３０】さらに、他の実施の形態の弾性表面波装置
１を図６を参照して説明する。
１を図６を参照して説明する。
【００３１】この図６に示す弾性表面波装置１は、図４
に示す弾性表面波装置１において、第１の金属層６と、
第２の金属層７とを３回ずつ順次６層に積層したもので
ある。
に示す弾性表面波装置１において、第１の金属層６と、
第２の金属層７とを３回ずつ順次６層に積層したもので
ある。
【００３２】このように、層の数を増加させても同様の
効果を得ることができ、積層数には関わらず同様の効果
を得ることができる。
効果を得ることができ、積層数には関わらず同様の効果
を得ることができる。
【００３３】また、圧電基板２については、ＬｉＴａＯ
3 に限らず、他の圧電性のものを用いても同様の効果を
得ることができる。
3 に限らず、他の圧電性のものを用いても同様の効果を
得ることができる。
【００３４】さらに、第１の金属層６は、タンタル（Ｔ
ａ）に限らず、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、タン
グステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）およびスカンジウム（Ｓｃ）
の少なくともいずれか一つが主成分としたものを用いて
も同様の効果を得ることができ、第２の金属層７は、ア
ルミニウムを主成分とし銅を加えたものに限らず、アル
ミニウムおよびアルミニウムを主成分とした金属のいず
れかを有するものを用いても同様の効果を得ることがで
きる。
ａ）に限らず、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、タン
グステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）およびスカンジウム（Ｓｃ）
の少なくともいずれか一つが主成分としたものを用いて
も同様の効果を得ることができ、第２の金属層７は、ア
ルミニウムを主成分とし銅を加えたものに限らず、アル
ミニウムおよびアルミニウムを主成分とした金属のいず
れかを有するものを用いても同様の効果を得ることがで
きる。
【００３５】またさらに、成膜方法として高周波スパッ
タ法を用いたが、真空蒸着法や化学気層成長法（Chemic
al Vapor Deposition）など他の成膜方法を用いても同
様の効果を得ることができる。
タ法を用いたが、真空蒸着法や化学気層成長法（Chemic
al Vapor Deposition）など他の成膜方法を用いても同
様の効果を得ることができる。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、第１の金属層を非晶質
とし、第２の金属層のアルミニウムを（１１１）方向に
強い結晶方位を持たせることにより、耐電力性を高くし
てマイグレーションが発生することを防止して、長寿命
化を図ることができる。
とし、第２の金属層のアルミニウムを（１１１）方向に
強い結晶方位を持たせることにより、耐電力性を高くし
てマイグレーションが発生することを防止して、長寿命
化を図ることができる。
【図１】本発明の弾性表面波装置の一実施の形態を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】同上平面図である。
【図３】同上他の実施の形態の弾性表面波装置を示す平
面図である。
面図である。
【図４】同上また他の実施の形態の弾性表面波装置を示
す断面図である。
す断面図である。
【図５】同上故障時間を示すグラフである。
【図６】同上さらに他の実施の形態の弾性表面波装置を
示す断面図である。
示す断面図である。
１ 弾性表面波装置 ２ 圧電基板 ３ 励振電極 ６ 第１の金属層 ７ 第２の金属層
Claims (8)
- 【請求項１】 圧電基板と、この圧電基板上に配設さ
れ、この圧電基板側に位置しタンタル（Ｔａ）、ニオブ
（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリ
ブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、ハフニウム（Ｈ
ｆ）およびスカンジウム（Ｓｃ）の少なくともいずれか
一つが主成分として含まれた第１の金属層、および、こ
の第１の金属層上に形成されアルミニウム（Ａｌ）およ
びアルミニウム（Ａｌ）のいずれかを主成分とした金属
を有する第２の金属層を有する励振電極とを具備したこ
とを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項２】 圧電基板と、この圧電基板上に配設さ
れ、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔ
ｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッ
ケル（Ｎｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）、スカンジウム（Ｓ
ｃ）、および、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、チ
タン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍ
ｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）およびス
カンジウム（Ｓｃ）の少なくともいずれか一つを主成分
として他の元素を含む第１の金属層、および、アルミニ
ウム（Ａｌ）およびアルミニウム（Ａｌ）のいずれかを
主成分とする第２の金属層が交互に積層された励振電極
とを具備したことを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項３】 圧電基板と、 この圧電基板上に配設され、タンタル（Ｔａ）およびア
ルミニウム（Ａｌ）の両方の組成を含む第１の金属層、
および、アルミニウム（Ａｌ）およびアルミニウム（Ａ
ｌ）を主成分とするいずれかの第２の金属層が交互に積
層された励振電極とを具備したことを特徴とする弾性表
面波装置。 - 【請求項４】 第１の金属層は、タンタル（Ｔａ）が３
５原子％ないし７９原子％含まれていることを特徴とす
る請求項３記載の弾性表面波装置。 - 【請求項５】 第１の金属層は、膜厚が５０ｎｍ以下で
あることを特徴とする請求項１ないし４いずれか記載の
弾性表面波装置。 - 【請求項６】 第１の金属層は、高周波スパッタ法によ
り形成されることを特徴とする請求項１ないし５いずれ
か記載の弾性表面波装置。 - 【請求項７】 圧電基板上にタンタル（Ｔａ）、ニオブ
（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリ
ブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、ハフニウム（Ｈ
ｆ）、スカンジウム（Ｓｃ）の少なくともいずれか一つ
を主成分とし高周波スパッタ法で第１の金属層を成膜
し、この第１の金属層上にアルミニウム（Ａｌ）および
アルミニウム（Ａｌ）を主成分とする第２の金属層を形
成して励振電極を形成することを特徴とする弾性表面波
装置の製造方法。 - 【請求項８】 第２の金属層は、高周波スパッタ法によ
り形成されることを特徴とする請求項７記載の弾性表面
波装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26636899A JP2001094382A (ja) | 1999-09-20 | 1999-09-20 | 弾性表面波装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26636899A JP2001094382A (ja) | 1999-09-20 | 1999-09-20 | 弾性表面波装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001094382A true JP2001094382A (ja) | 2001-04-06 |
Family
ID=17429983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26636899A Pending JP2001094382A (ja) | 1999-09-20 | 1999-09-20 | 弾性表面波装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001094382A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6900709B2 (en) | 2001-06-25 | 2005-05-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| US7026743B2 (en) | 2002-10-31 | 2006-04-11 | Alps Electric Co., Ltd. | Surface acoustic wave device having high dielectric strength and process for manufacturing the same |
| US7605524B2 (en) | 2005-11-10 | 2009-10-20 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same |
| JPWO2008035525A1 (ja) * | 2006-09-22 | 2010-01-28 | 株式会社村田製作所 | 縦結合共振子型弾性波フィルタ装置 |
| JP2013157839A (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-15 | Panasonic Corp | アンテナ共用器とその製造方法 |
| WO2020204036A1 (ja) * | 2019-04-04 | 2020-10-08 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
-
1999
- 1999-09-20 JP JP26636899A patent/JP2001094382A/ja active Pending
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| JP7231015B2 (ja) | 2019-04-04 | 2023-03-01 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
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