JP4060090B2 - 弾性表面波素子 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、弾性表面波(以下、「SAW」という。)素子(以下、「デバイス」という。)、特に、弾性表面波フィルタの電極膜の構造に関するものである。
【0002】
【従来技術】
従来のSAWデバイスの電極は、例えば、特開平9−69748号公報に示されている。図7は、従来例の構成図である。以下、この公報の内容を図7に基づいて説明する。
【0003】
従来、中心周波数1.5GHz帯フィルタにおいて、電極線幅を約0.7μmに形成したSAWデバイスに大きな電力を印加すると、弾性表面波によって生じる歪が電極膜に応力を発生させ、その応力が電極膜の限界応力を越えると電極材料であるアルミニウム(Al)原子が結晶粒界を移動し、その結果突起(ヒロック)と空隙(ボイド)を発生させて電極の破壊が生じ、SAWデバイスの特性の劣化に至ることから、電極材料として銅(Cu)を添加したAl合金膜を用いることが行われ、Al単独膜に比べて大きな電力印加に耐えるものが作成されている。また、さらにチタン(Ti)、ニッケル(Ni)、パラジウム(Pd)等を添加して電極膜の強化を図ることも行われていた。
【0004】
しかしながら、上記従来技術では、携帯用電話機の送信段に使用するために必要とされる電力に対して、充分な耐電力性と低挿入損失は得られていなかった。例えば、アナログセルラー電話機では1W以上の電力印加に耐え、かつ挿入損失も現在多く使われている誘電体フィルタと同程度の値に小さくすることが必要であるが得られていなかった。
【0005】
また、大電力印加に耐えるようにするためには添加する金属の割合を増加させれば良いが、同時に合金膜の比抵抗も増加してしまい挿入損失の増加になる。
【0006】
このような認識に基づいて、大電力印加に耐え、かつ挿入損失の増加も防止できるインターデジタルトランスデューサ(IDT)電極を用いたSAWデバイスを目的とした、先行技術思想が提示されている。
【0007】
この先行技術の基本は圧電体基板の表面上に設けたIDT電極が、Al膜と、このAl膜よりも大きな弾性定数を有する導電体材料よりなる膜とを交互に積層してなり、かつ前記導電体材料よりなる膜とAl膜の各々の積層数が少なくとも2層以上の構成とした点にある。
【0008】
さらに、Al膜の各層の厚さが150nm以下で、かつ、このAl膜よりも大きな弾性定数を有する導電体材料よりなる膜の各層の厚さをAl膜の厚さよりも薄く形成したことで、配線抵抗の増加を防止し、かつ電極の機械的強度の増加を図り、ヒロックやボイドの発生を防止し、大きな電力印加に耐えるようにしたものである。
【0009】
またさらに、上記先行技術は、積層した電極の最表面層がAl膜であり、かつその膜厚を50nm以下とするか、または積層した電極の最表面層がAl膜よりも大きな弾性定数を有する導電体材料よりなる膜とすることで、最表面層に生じるヒロックやボイドの発生を防止して、大電力印加に強い構造としたものである。
【0010】
上記「ヒロック」や「ボイド」の発生原因は以下のように考えられている。
【0011】
表面弾性波素子を励振したときに圧電体基板に歪が生じ、この歪によりIDT電極に応力が加わり、応力が膜の限界応力を越えると電極中のAl原子が粒界を伝わって表面に移動してヒロックを生じる。Al原子が表面に移動すると膜中にはAl原子のボイドが発生する。このヒロックやボイドが多く発生していくと電極膜が破壊されるとともに、周波数の変動や挿入損失の増大が生じてSAWデバイスとしては使用に耐えられなくなる。
【0012】
このAl原子の移動によるヒロックやボイドの発生は、膜の機械的強度が大きくなるほど生じ難く、またAl膜を構成する粒径が小さいほど生じ難くなり、さらに粒界表面にCu、Ti等の原子が析出すると抑制されることは従来から知られており、各種の材料の添加が試みられてきた。しかしながら、添加材料の濃度を増加すると膜の比抵抗が増大して挿入損失の大幅な増加につながるために添加量には限界があった。
【0013】
また、実験によれば以下のことが認められた、とある。即ち、添加材料の濃度を増加させても単一合金膜の場合、圧電基板と電極との界面から電極の表面まで結晶粒界は連続的に存在している。電極に加わる応力がこの合金電極の限界応力以上になれば、Alは結晶粒界を通じて電極表面にまで原子移動が生じ、ヒロックを発生してしまうことが認められた。
【0014】
この先行技術は、このような知見に基づき、Al膜をこれらの材料よりも大きな弾性定数を有する材料で層状に分割することで、Al膜の粒径の拡大を防止するとともに、Al原子が粒界を通じて電極表面に移動することを防止するものとなっている。
【0015】
さらに、Al膜の間にこれらよりも大きな弾性定数を有する材料を積層することで電極膜全体の弾性的強度を大きくさせて大きな応力印加でも破壊されにくくなるようにしたものである。また、積層するAl膜の各層の厚さが厚い場合には励振による応力でAl原子は横方向への移動が生じサイドヒロックを発生する。このサイドヒロックは電極の劣化につながるとともに、隣のIDT電極と接触するとショート不良となる。
【0016】
この防止に対しては、積層するAl膜の厚さを薄くすることが効果的であり、実験より送信段に使うための1W以上の電力印加に耐えるためには150nm以下、望ましくは100nm以下とすることがよいことを見いだしている。また、Al膜よりも大きな弾性定数を有する導電体材料は一般にAl膜よりも密度が大きいことからできるだけ薄く形成することが望ましく、少なくともAl膜よりも薄く形成することで配線抵抗増大を防止することができる、とするものである。
【0017】
まとめると、以下のようになる。
【0018】
圧電基板と、前記圧電基板の表面上に供給された櫛型のIDT電極とから構成されたSAWデバイスにおいて、前記IDT電極は、第1の材料膜及び第2の材料膜から構成されており、前記第1の材料膜はAlだけで構成され、前記第2の材料膜は、前記第1の材料膜よりも大きな弾性定数を有する、即ち、硬い1つの導電材料のみから構成されている。
【0019】
前記IDT電極は、前記第1の材料膜と前記第2の材料膜とのそれぞれの複数膜から構成されている。前記第1の材料膜は約150nm以下の厚さを有しており、前記第2の材料膜は前記第1の材料膜の前記厚さより薄い厚さを有する。換言すると、バリアメタルは抵抗値が大きいので、薄く形成する。この結果、前記第2の材料膜は薄いことから高周波での影響は少ない。
【0020】
図7(a)〜(c)は上記従来例の積層構成電極の積層数を変えた場合の断面概略図である。図に示した断面はIDT電極の1本のみを示したものである。31〜33、35〜38、40〜45はAl膜で、51〜52、53〜55、56〜60はAl膜よりも弾性定数の大きな導電性材料膜であり、図7(a)では31〜33と51〜52を含めてIDT電極2を構成している。図7(b)では、35〜38と53〜55を含めてIDT電極2を構成している。図7(c)では、40〜45と56〜60でIDT電極2を構成している。
【0021】
また、1は圧電体基板であり、本実施例ではLi酸Taを用いた。2はIDT電極である。
【0022】
特徴的なのは、電極構成をAl−1Wt%Ti合金膜、Al−1Wt%Cu合金膜を用いたときにはヒロックが発生している点にある。
【0023】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の膜構成では、材料構成をAlのみの膜とそれより弾性定数の高いものとを導体材料を変え交互に積層すると耐電力特性が向上すると述べているが、従来技術では述べられていない自然酸化膜や絶縁膜などについては全く検討されておらず、容易に作成できる効果的な手段を除外するものであった。
【0024】
本発明は、上記問題点に鑑み、従来技術では述べられていない自然酸化膜や絶縁膜などについて広く検討し、耐電力特性の向上を図ると共にヒロックやボイドの発生の阻止を図った弾性表面波素子を提供することにある。
【0025】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するために、以下の解決手段を採用する。
(1)弾性表面波素子において、圧電基板と、CrまたはTiからなる下地層と、AlとCuからなる合金層と、自然酸化膜層と、Al以外の金属からなる金属層とを有し、前記圧電基板上に、前記下地層、前記合金層、前記自然酸化膜層、前記金属層が順次積層されている構造を有することを特徴とする。
(2)弾性表面波素子において、圧電基板と、CrまたはTiからなる下地層と、AlとCuからなる第1の合金層と、自然酸化膜層と、AlとCuからなる第2の合金層と、Al以外の金属からなる金属層とを有し、前記圧電基板上に、前記下地層、前記第1の合金層、前記自然酸化膜層、前記第2の合金層、前記金属層が順次積層されている構造を有することを特徴とする。
(3)弾性表面波素子において、圧電基板と、CrまたはTiからなる下地層と、AlとCuからなる第1の合金層と、Al以外の金属からなる金属層と、自然酸化膜層と、AlとCuからなる第2の合金層とを有し、前記圧電基板上に、前記下地層、前記第1の合金層、前記金属層、前記自然酸化膜層、前記第2の合金層が順次積層されている構造を有することを特徴とする。
(4)弾性表面波素子において、圧電基板と、CrまたはTiからなる下地層と、AlとCuからなる合金層と、自然酸化膜層と、Al以外の金属からなる金属層とを有し、前記圧電基板上に、前記下地層が形成され、前記下地層上に、前記合金層と前記自然酸化膜層とが交互に積層され、前記合金層上に、前記金属層が形成されていることを特徴とする。
(5)弾性表面波素子において、圧電基板と、AlとCuからなる合金層と、AlとCu以外の金属からなる第1の金属層と、AlとCu以外の金属からなり、前記第1の金属層とは成分が異なる第2の金属層と、自然酸化膜層とを有し、前記圧電基板上に、前記第1の金属層、前記自然酸化膜層、前記第2の金属層、前記合金層を順次積層された構造を有することを特徴とする。
(6)上記(1)乃至(5)記載の弾性表面波素子において、前記合金層は、スパッタリングによって形成されたものであることを特徴とする。
(7)上記(1)乃至(4)記載の弾性表面波素子において、前記金属層は、Tiからなることを特徴とする。
(8)上記(5)記載の弾性表面波素子において、前記第1の金属層はCrからなり、前記第2の金属層はTiからなることを特徴とする。
【0026】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態、即ち、材料層の異なる電極層構成を以下図に基づいて詳細に説明する。
【0027】
(第1実施例)
〈電極層構成が、基板側から上層に向けて、CrまたはTiからなる下地層/AlとCuからなる合金層/酸化膜層/Al以外の金属からなる金属層を積層する場合〉:
図1は、本発明の第1実施例の構成図である。
【0028】
第1実施例の場合、電極層構成は、基本的には、LiTaO3 基板6上に、基板側から上層に向けて、CrまたはTiからなる下地層41/AlとCuからなる合金層、例えばAl−0.5Wt%Cu合金層11(以下、Al−0.5Wt%Cu合金層11で説明する)/自然酸化膜層31/Al以外の金属からなる金属層、例えばTi層21(以下、Ti層21で説明する)からなる積層構造をとり、実用上、前記積層構造の上にさらに、AlとCuからなる合金層としてのAl−0.5Wt%Cu合金層11/自然酸化膜層31/Al以外の金属からなる金属層としてのTi層21/AlとCuからなる合金層としてのAl−0.5Wt%Cu合金層11からなる積層構造をとる。
【0029】
(第1実施例の製造方法)
LiTaO3 基板6上に、CrまたはTiからなる下地層41を150Åスパッタリングで形成する。このCrまたはTiからなる下地層41上に連続してAlとCuからなる合金層としてのAl−0.5Wt%Cu合金層11をスパッタリングで形成する。この状態でウエハを一度大気に暴露し前記Al−0.5Wt%Cu合金層11の表面を酸化し、自然酸化膜層31を形成する。
【0030】
さらに前記自然酸化膜層31上に連続してAl以外の金属からなる金属層としてのTi層21をスパッタリングで形成する。前記Ti膜21上に連続してAlとCuからなる合金層としてのAl−0.5Wt%Cu合金層11をスパッタリングで形成する。この状態でウエハを一度大気に暴露し前記Al−0.5Wt%Cu合金層11の表面を酸化し、自然酸化膜31を形成する。
【0031】
さらに前記自然酸化膜31上に連続してAl以外の金属からなる金属層としてのTi層21をスパッタリングで形成する。次に前記Ti層21上に連続してAlとCuからなる合金層としてのAl−0.5Wt%Cu合金層11をスパッタリングで形成する。
【0032】
なお、大気に暴露する工程は、チャンバー内を大気に連通することにより、同じチャンバーで大気に暴露することが可能となる。
【0033】
このようにしてAl−0.5Wt%Cu合金層膜11とTi層21との中間層に自然酸化膜層31を形成する。
【0034】
次に、この電極膜構成をエッチングしてSAWデバイスの櫛歯状電極及び反射器とそれぞれを結ぶ導体パターンを形成する。
(ヒロック・ボイドの抑制)
SAWフィルタにおける耐電力特性のメカニズムは、第1に高周波振動による電極のヒロック、ボイドの発生に起因する。
【0035】
単純にスパッタリング等で電極膜を形成した場合は、メタル形成が単一方向でなくさまざまな方向に向いている。
【0036】
即ち、スパッタリングは成膜のスピードが早いので、結晶面が揃わない状態で成膜する。これに対し、スパッタリング以外の方法で成膜スピードを遅くしてゆっくり成膜すると、配向性が良くなり結晶面が揃うようになる。
【0037】
このため、前記のようにスパッタリング等で電極膜を形成した場合電極膜が安定状態ではない。粒子の移動に要する活性化エネルギーが小さくなっており、すぐにヒロック、ボイドが発生する。
【0038】
Alの自然酸化物、即ちアルミナAl2 O3 は絶縁物である。このためAlまたはAl合金の粒子の移動が前記自然酸化膜でストップしヒロックやボイドを抑制することができる。自然酸化膜は薄く作るので高周波ではコンデンサになり導通する。
【0039】
(第1実施例の効果)
本発明の第1実施例では、LiTaO3 基板6上にCrまたはTiからなる下地層41をスパッタリング又は蒸着等で形成し、連続して前記Al−0.5Wt%Cu合金層11を積層する。この時点で大気に暴露しAlの自然酸化膜層31を形成する。
【0040】
Alの自然酸化膜層であるアルミナAl2 O3 は絶縁物であり、セラミックなどに使用されている材料で安定性にすぐれている。即ち、一旦アルミナAl2 O3 にしたらAlまたはAl合金に戻ることは難しい。このため、Al又はAl合金の粒子の移動が前記自然酸化膜層31でストップし、即ち、Al又はAl合金の粒子が前記自然酸化膜層31を突き破りにくくなり(Al以外の金属でもそれなりに効果があるが、アルミナAl2 O3 は顕著に効果がある。)、ヒロックやボイドを抑制することができる。
【0041】
自然酸化膜層31はほとんど表層で形成され薄いので、高周波ではAl又はAl合金の導体とTiの導体とに挿まれた部分に絶縁物があることになり、コンデンサを形成して電気を通過することができる。さらに導体内でコンデンサの容量成分を形成できるため、回路形成を小型にすることができる。即ち、SAWデバイスの出力インピーダンスが特定の値に決まっていることから、通常は、電極間隔や電極高さ等が制約されるが、前記のように導体内でコンデンサの容量成分を形成できると、前記電極間隔や電極高さ等に対する制約が少なくなり、電極構造の設計に自由度が増し、結果として回路構成が小型となる。
【0042】
その後さらに、「Al以外の金属からなる金属層としてのTi層21、AlとCuからなる合金層としてのAl−0.5Wt%Cu合金層11をスパッタリング等で積層し大気に暴露し前記Al−0.5Wt%Cu合金層11表面を自然酸化膜層31で覆う」第2回目の暴露工程を実施する。この暴露工程は何回繰り返しても良い。最後にAl以外の金属からなる金属層としてのTi層21およびAlとCuからなる合金層としてのAl−0.5Wt%Cu合金層11を積層して終了する。その後、ホトリソグラフ・エッチング工程を経て櫛歯状電極を形成する工程をとる。この一連の工程中の大気に暴露する工程は複数の膜付け装置を併用できるため量産化に効果がある。即ち、1つのチャンバー内には6〜7個のターゲットしか配置できないが、一連の工程中に大気に暴露する工程があると、そのとき他のチャンバーに移動することができるため、大気に暴露する工程分だけチャンバーを余分に使用することが可能になる。
【0043】
大気に暴露する工程は、チャンバー内を大気に連通することによっても行うことができ、その時は同じチャンバーで大気に暴露することが可能となるので、容易に自然酸化膜層を作成できるため工程が簡素化できる。
【0044】
ターゲット材料をある程度変更すると新たなチャンバーが必要となるが、本発明では材料膜の種類が少ないので、ターゲット数が少なくなり、従って少ないチャンバーで実施可能となる。
【0045】
(第2実施例)
〈電極層構成が、基板側から上層に向けて、CrまたはTiからなる下地層/AlとCuからなる第1の合金層/酸化膜層/AlとCuからなる第2の合金層/Al以外の金属からなる金属層を積層する場合〉:
図2は、本発明の第2実施例の構成図である。
【0046】
第2実施例の場合、電極層構成は、基本的には、LiTaO3 基板6上に、基板側から上層に向けて、CrまたはTiからなる下地層41/AlとCuからなる第1の合金層、例えばAl−0.5Wt%Cu合金層11(以下、Al−0.5Wt%Cu合金層11で説明する)/自然酸化膜層31/AlとCuからなる第2の合金層、例えばAl−0.5Wt%Cu合金層11(以下、Al−0.5Wt%Cu合金層11で説明する)/Al以外の金属からなる金属層、例えばTi層21(以下、Ti層21で説明する)からなる積層構造をとり、実用上、前記積層構造の上にさらに、AlとCuからなる第1の合金層としてのAl−0.5Wt%Cu合金層11/自然酸化膜層31/AlとCuからなる第2の合金層としてのAl−0.5Wt%Cu合金層11/Al以外の金属からなる金属層としてのTi層21/AlとCuからなる第1の合金層としてのAl−0.5Wt%Cu膜11層/自然酸化膜層31/AlとCuからなる第2の合金層としてのAl−0.5Wt%Cu膜11層からなる積層構造をとる。
【0047】
(第2実施例の製造方法)
LiTaO3 基板6上に、CrまたはTiからなる下地層41を150Åスパッタリングで形成する。前記CrまたはTiからなる下地層41上に連続してAlとCuからなる第1の合金層としてのAl−0.5Wt%Cu合金層11をスパッタリングで形成する。
【0048】
この状態でウエハを一度大気に暴露し前記Al−0.5Wt%Cu合金層11の表面を酸化し、自然酸化膜層31を形成する。
【0049】
さらに自然酸化膜層31上に連続してAlとCuからなる第2の合金層となるAl−0.5Wt%Cu合金層11をスパッタリングで形成する。
【0050】
続いて、前記第2の合金層となるAl−0.5Wt%Cu合金層11上にAl以外の金属からなる金属層としてのTi層21をスパッタリングで形成する。
【0051】
前記Ti層21上に連続して前記第1の合金層となるAl−0.5Wt%Cu合金層11をスパッタリングで形成する。この状態でウエハを一度大気に暴露し前記Al−0.5Wt%Cu膜11の表面を酸化し、自然酸化膜層31を形成する。自然酸化膜層31上に連続して第2の合金層となる前記Al−0.5Wt%Cu合金層11をスパッタリングで形成する。続いて前記Al−0.5Wt%Cu合金層11上にAl以外の金属からなる金属層としてのTi層21をスパッタリングで形成する。このTi層21上に連続して第1の合金層となるAl−0.5Wt%Cu合金層11をスパッタリングで形成する。この状態でウエハを一度大気に暴露し前記第1の合金層となるAl−0.5Wt%Cu合金層11の表面を酸化し、自然酸化膜層31を形成する。自然酸化膜層31上に連続して第2のAl−0.5Wt%Cu合金層11をスパッタリングで形成する。
【0052】
このようにして2層のAl−0.5Wt%Cu膜11層間に自然酸化膜層31を形成する。
【0053】
なお、大気に暴露する工程は、チャンバー内を大気に連通することにより、同じチャンバーで大気に暴露することが可能となる。
【0054】
図2に示す本発明の第2実施例では、CrまたはTiからなる下地層41をLiTaO3 基板6の上に形成し、続けて第1の合金層となるAl−0.5Wt%Cu合金層11を形成する。その時点で大気に暴露し表面を酸化する。「さらに、第2の合金層となるAl−0.5Wt%Cu合金層11を形成し、Al以外の金属からなる金属層としてのTi層21を設ける。さらに続けて第1の合金層となるAl−0.5Wt%Cu合金層11を形成し、その時点で大気に暴露し表面を酸化し自然酸化膜層31を形成する。」
前記「さらに、・・・自然酸化膜層31を形成する。」の暴露工程を複数回繰り返し最後にAl−0.5Wt%Cu合金膜層11を表面に膜付けする。
【0055】
(ヒロック・ボイドの抑制)
第2実施例は前記第1実施例と同じ動作をする。即ち、Alの自然酸化物、即ちアルミナAl2 O3 は絶縁物である。このためAlまたはAl合金の粒子の移動が前記自然酸化膜層31でストップしヒロックやボイドを抑制することができる。自然酸化膜層31は薄く作るので高周波ではコンデンサになり導通する。
【0056】
(第2実施例の効果)
上記第1実施例の効果と同じ効果を奏する。その他に、自然酸化膜層31は同じAl−0.5Wt%Cu合金層11の層間に設けられるので、特性が安定する。
【0057】
(第3実施例)
〈電極層構成が、基板側から上層に向けて、CrまたはTiからなる下地層/AlとCuからなる合金層/Al以外の金属からなる金属層/酸化膜層を積層する場合〉:
図3は、本発明の第3実施例の構成図である。
【0058】
第3実施例の場合、電極層構成は、基本的には、LiTaO3 基板6上に、基板側から上層に向けて、CrまたはTiからなる下地層41/AlとCuからなる合金層、例えばAl−0.5Wt%Cu合金層11(以下、Al−0.5Wt%Cu合金層11で説明する)/Al以外の金属からなる金属層、例えばTi層21(以下、Ti層21で説明する)/自然酸化膜層31からなる積層構造をとり、実用上、さらにAl−0.5Wt%Cu合金層11/Al以外の金属からなる金属層としてのTi層21/自然酸化膜層31/Al−0.5Wt%Cu合金層11/Al以外の金属からなる金属層としてのTi層21からなる積層構造をとる。
【0059】
(第3実施例の製造方法)
LiTaO3 基板6上に、CrまたはTiからなる下地層41を150Åスパッタリングで形成する。このCrまたはTiからなる下地層41上に連続して
Al−0.5Wt%Cu合金層11をスパッタリングで形成する。さらに、このAl−0.5Wt%Cu合金層11上に連続してAl以外の金属からなる金属層としてのTi層21をスパッタリングで形成する。この状態でウエハを一度大気に暴露し前記Ti層21の表面を酸化し、自然酸化膜層31を形成する。
【0060】
前記自然酸化膜層31上にAl−0.5Wt%Cu合金層11をスパッタリングで形成する。次に、Al−0.5Wt%Cu合金層11上にAl以外の金属からなる金属層としてのTi層21をスパッタリングで形成する。この状態でウエハを一度大気に暴露し前記Ti層21の表面を酸化し、自然酸化膜層31を形成する。
【0061】
この自然酸化膜層31上に連続してAl−0.5Wt%Cu合金層11をスパッタリングで形成する。さらに前記Al−0.5Wt%Cu合金層11上にAl以外の金属からなる金属層としてのTi層21をスパッタリングで形成する。
【0062】
なお、大気に暴露する工程は、チャンバー内を大気に連通することにより、同じチャンバーで大気に暴露することが可能となる。
【0063】
図3に示す本発明の第3実施例では、CrまたはTiからなる下地層41をLiTaO3 基板6の上に形成し続けてAl−0.5Wt%Cu合金層11を形成する。次にTi層21を設けその時点で大気に暴露し前記Ti層21の表面を酸化する。
【0064】
「その上にAl−0.5Wt%Cu合金層11を設け、続けてTi層21を形成し、この状態でウエハを一度大気に暴露し前記Ti層21の表面を酸化し、自然酸化膜層31を形成する。」
上記「その上に・・・自然酸化膜層31を形成する。」までの暴露工程を複数回繰り返し最後にAl−0.5Wt%Cu合金層11を形成し、つづけてTi層21を形成し最表層とする。
【0065】
(ヒロック・ボイドの抑制)
第3実施例は前記第1実施例と同じ動作をする。Alの自然酸化物、即ちアルミナAl2 O3 は絶縁物である。このためAlまたはAl合金の粒子の移動が前記自然酸化膜層31でストップしヒロックやボイドを抑制することができる。自然酸化膜層31は薄く作るので高周波ではコンデンサになり導通する。
【0066】
(第3実施例の効果)
上記第1実施例の効果と同じ効果を奏する。
【0067】
(第4実施例)
〈電極層構成が、基板側から上層に向けて、CrまたはTiからなる下地層/AlとCuからなる合金層/酸化膜層/AlとCuからなる合金層/酸化膜層/AlとCuからなる合金層/Al以外の他の金属からなる金属層を積層する場合〉:
図4は、本発明の第4実施例の構成図である。
【0068】
第4実施例の場合、電極層構成は、基本的には、LiTaO3 基板6上に、基板側から上層に向けて、CrまたはTiからなる下地層41/AlとCuからなる合金層、例えばAl−0.5Wt%Cu合金層11(以下、Al−0.5Wt%Cu合金層11で説明する)/自然酸化膜層31/AlとCuからなる合金層としてのAl−0.5Wt%Cu合金層11/自然酸化膜層31/AlとCuからなる合金層としてのAl−0.5Wt%Cu合金層11/Al以外の金属からなる金属層、例えばTi層21(以下、Ti層21で説明する)からなる積層構造をとる。
【0069】
(第4実施例の製造方法)
LiTaO3 基板6上に、CrまたはTiからなる下地層41を150Åスパッタリングで形成する。このCrまたはTiからなる下地層41上に連続してAl−0.5Wt%Cu合金層11をスパッタリングで形成する。この状態でウエハを一度大気に暴露しAl−0.5Wt%Cu合金層11の表面を酸化し、自然酸化膜層31を形成する。
【0070】
さらにこの自然酸化膜層31上に連続してAl−0.5Wt%Cu合金層11をスパッタリングで形成する。この状態でウエハを一度大気に暴露し前記Al−0.5Wt%Cu合金層11の表面を酸化し、自然酸化膜層31を形成する。
【0071】
次に前記自然酸化膜層31上に連続してAl−0.5Wt%Cu合金層11をスパッタリングで形成する。さらにこのAl−0.5Wt%Cu合金層11上に連続してAl以外の金属からなる金属層としてのTi層21をスパッタリングで形成する。
【0072】
なお、大気に暴露する工程は、チャンバー内を大気に連通することにより、同じチャンバーで大気に暴露することが可能となる。
【0073】
このようにして2層のAl−0.5Wt%Cu合金層11層の間に自然酸化膜層31を形成する。
【0074】
次に、この電極層構成をエッチングしてSAWデバイスの櫛歯状電極及び反射器とそれぞれを結ぶ導体パターンを形成する。
【0075】
図4に示す本発明の第4実施例では、LiTaO3 基板6の上にCrまたはTiからなる下地層41を形成し、続けてAl−0.5Wt%Cu合金層11を設ける。その時点で大気に暴露し表面を酸化する。「さらにAl−0.5Wt%Cu合金層11を膜付けし、その時点で大気に暴露し表面を酸化し、自然酸化膜層31を形成する。」
上記「さらにAl・・・ 自然酸化膜層31を形成する。」までの暴露工程を複数回繰り返し、最後にTi層21を表面に形成する。
【0076】
(ヒロック・ボイドの抑制)
第4実施例は前記第1実施例と同じ動作をする。即ち、Alの自然酸化物、即ちアルミナAl2 O3 は絶縁物である。このためAlまたはAl合金の粒子の移動が前記自然酸化膜層31でストップしヒロックやボイドを抑制することができる。自然酸化膜層31は薄く作るので高周波ではコンデンサになり導通する。
【0077】
(第4実施例の効果)
上記第1実施例の効果と同じ効果を奏する。その他に、自然酸化膜層31は同じAl−0.5Wt%Cu合金層11の層間に設けられるので、特性が安定する。
【0078】
(第1参考例)
〈電極層構成が、基板側から上層に向けて、AlとCu以外の金属からなる第1の金属層/AlとCu以外の金属からなり、前記第1の金属層とは成分が異なる第2の金属層/AlとCuからなる合金層を積層する場合〉:
図5は、本発明の第1参考例の構成図である。
【0079】
第1参考例の場合、電極層構成は、基本的には、LiTaO3 基板6上に、基板側から上層に向けて、AlとCu以外の金属からなる第1の金属層、例えば、Cr層51(以下、Cr層51で説明する)/AlとCu以外の金属からなり、前記第1の金属層とは成分が異なる第2の金属層、例えばTi層21(以下、Ti層21で説明する)/Al−0.5Wt%Cu合金層11の積層構造をとり、実用上、さらにAlとCu以外の金属からなる第1の金属層としてのCr層51/AlとCu以外の金属からなり、前記第1の金属層とは成分が異なる第2の金属層としてのTi層21/Al−0.5Wt%Cu合金層11/AlとCu以外の金属からなる第1の金属層としてのCr層51/AlとCu以外の金属からなり、前記第1の金属層とは成分が異なる第2の金属層としてのTi層21/Al−0.5Wt%Cu合金層11からなる積層構造をとる。
【0080】
(第1参考例の製造方法)
第5図は、本発明の第1参考例で、LiTaO3 基板6上にAlとCu以外の金属からなる第1の金属層としてのCr層51を形成し、続けて前記Cr層51上にAlとCu以外の金属からなり、前記第1の金属層とは成分が異なる第2の金属層としてのTi層21を設ける。続けて前記Ti層21上にAl−0.5Wt%Cu合金層11をスパッタリングで形成する。次に、このAl−0.5Wt%Cu合金層11上に連続してAlとCu以外の金属からなる第1の金属層としてのCr層51を形成し、続けてこのCr層51上にAlとCu以外の金属からなり、前記第1の金属層とは成分が異なる第2の金属層としてのTi層21を設けてバリアメタルを2層化する。
【0081】
「さらに続けてこのTi層21上にAl−0.5Wt%Cu合金層11をスパッタリングで形成する。このAl−0.5Wt%Cu合金層11上にAlとCu以外の金属からなる第1の金属層としてのCr層51を膜付けする。続けて前記Cr層51上にAlとCu以外の金属からなり、前記第1の金属層とは成分が異なる第2の金属層としてのTi層21を膜付けし、バリアメタルを2層化する」。この「さらに続けて・・・2層化する」工程を複数回繰り返し最後にAl−0.5Wt%Cu合金層11を表面に形成する。
【0082】
バリアメタルは多数さまざまなメタルを組み合わせ積層しても良い。バリアメタルの材料はAlのヒロックが純粋なAl部分の移動により生じるため他のメタルはどのメタルでも良い。
【0083】
前記バリアメタルの組み合わせによりエレクトロマイグレーションとストレスマイグレーションのどちらも抑制が可能で必要に応じてコントロール可能となる。
【0084】
(ヒロック・ボイドの抑制)
第1参考例によれば、Cr層とTi層からなるバリアメタル層によりAlまたはAl合金の粒子の移動がストップしヒロックやボイドを抑制することができる。
【0085】
(第1参考例の効果)
バリアメタルによるヒロックの抑制はメタル種類により効果が異なるがバリアメタルの積層は薄いバリアメタルで効果が得られる。
【0086】
メタルの組み合わせによりエレクトロマイグレーションとストレスマイグレーションのどちらも抑制が可能で必要に応じてコントロールできる。
【0087】
(第5実施例)
〈電極層構成が、基板側から上層に向けて、AlとCu以外の金属からなる第1の金属層/酸化膜層/AlとCu以外の金属からなり、前記第1の金属層とは成分が異なる第2の金属層/AlとCuからなる合金層を積層する場合〉:
図6は、本発明の第5実施例の構成図である。
【0088】
第5実施例の場合、電極層構成は、基本的には、LiTaO3 基板6上に、基板側から上層に向けて、AlとCu以外の金属からなる第1の金属層、例えばCr層51(以下、Cr層51として説明する)/自然酸化膜層31/AlとCu以外の金属からなり、前記第1の金属層とは成分が異なる第2の金属層、例えばTi層21(以下、Ti層21で説明する)/AlとCuからなる合金層、例えばAl−0.5Wt%Cu合金層11(以下、Al−0.5Wt%Cu合金層11)からなる積層構造をとり、実用上さらにAlとCu以外の金属からなる第1の金属層としてのCr層51/自然酸化膜層31/AlとCu以外の金属からなり、前記第1の金属層とは成分が異なる第2の金属層としてのTi層21/Al−0.5Wt%Cu合金層11/AlとCu以外の金属からなる第1の金属層としてのCr層51/自然酸化膜層31/AlとCu以外の金属からなり、前記第1の金属層とは成分が異なる第2の金属層としてのTi層21/Al−0.5Wt%Cu合金層11からなる積層構造をとる。
【0089】
(第5実施例の製造方法)
LiTaO3 基板6上に、AlとCu以外の金属からなる第1の金属層としてのCr層51を150Åスパッタリングで形成する。この状態でウエハを一度大気に暴露し前記Cr層51上に連続して自然酸化膜層31を形成する。この自然酸化膜層31上に連続してAlとCu以外の金属からなり、前記第1の金属層とは成分が異なる第2の金属層としてのTi層21をスパッタリングで形成する。次に、前記Ti層21上にAl−0.5Wt%Cu合金層11をスパッタリングで形成する。このAl−0.5Wt%Cu合金層11にAlとCu以外の金属からなる第1の金属層としてのCr層51をスパッタリングで形成する。
【0090】
この状態でウエハを一度大気に暴露し前記Cr層51の表面を酸化し、自然酸化膜層31を形成する。
【0091】
さらに自然酸化膜層31上に連続してAlとCu以外の金属からなり、前記第1の金属層とは成分が異なる第2の金属層としてのTi層21をスパッタリングで形成する。このTi層21上に連続してAl−0.5Wt%Cu合金層11をスパッタリングで形成する。次に、このAl−0.5Wt%Cu合金層11にAlとCu以外の金属からなる第1の金属層としてのCr層51をスパッタリングで形成する。この状態でウエハを一度大気に暴露し前記Cr層51の表面を酸化し、自然酸化膜層31を形成する。
【0092】
さらにこの自然酸化膜層31上に連続してAlとCu以外の金属からなり、前記第1の金属層とは成分が異なる第2の金属層としてのTi層21をスパッタリングで形成する。次にこのTi層21上に連続してAl−0.5Wt%Cu合金層11をスパッタリングで形成する。
【0093】
なお、大気に暴露する工程は、チャンバー内を大気に連通することにより、同じチャンバーで大気に暴露することが可能となる。
【0094】
このようにしてCr層51とTi層21との間に自然酸化膜層31を形成する。
【0095】
次に、この電極層構成をエッチングしてSAWデバイスの櫛歯状電極及び反射器とそれぞれを結ぶ導体パターンを形成する。
【0096】
図6に示す本発明の第5実施例では、LiTaO3 基板6の上にCr層51を形成し、その時点で大気に暴露し表面を酸化し、自然酸化膜層31を形成し、続けてTi層21を設ける。「続けて、Al−0.5Wt%Cu合金層11を形成する。さらに続けてCr層51を形成する。その時点で大気に暴露し表面を酸化する。続けてTi層21を設ける」。この「続けて、Al・・・Ti層21を設ける」工程を複数回繰り返し、最後にAl−0.5Wt%Cu合金層11を表面に形成する。
【0097】
(ヒロック・ボイドの抑制)
第5実施例によれば、Cr層51とTi層21からなるバリアメタル層により、また、自然酸化膜層31により、AlまたはAl合金の粒子の移動がストップしヒロックやボイドを抑制することができる。
【0098】
(第5実施例の効果)
自然酸化膜層31および例えばCr層51とTi層21からなるバリアメタルによるヒロックの抑制は自然酸化膜層31およびメタルの種類により効果が異なるが自然酸化膜層31およびバリアメタルの積層膜層は薄い自然酸化膜層31およびバリアメタル層で効果が得られる。
【0099】
メタルの組み合わせによりエレクトロマイグレーションとストレスマイグレーションのどちらも抑制が可能で必要に応じてコントロールできる。
【0100】
(他の実施の態様)
Al層より弾性定数の大きい材料としてTi、Cu、Crの他にパラジウム、モリブデン、タングステン、タンタル、ニオブ、ジルコニウム、ハフニウム、パナジウム、ニッケル、銀等の単一金属や炭化チタン、ニッケルクロム、窒化チタン等があり、これらも同様に使用できる。
【0101】
基板としては、ニオブ酸リチウム基板や4硼酸リチウム基板あるいは水晶基板等の単結晶基板やサファイア基板上に設けた酸化亜鉛膜を用いた圧電体基板が使用できる。
【0102】
【発明の効果】
本発明は、積層電極中に、自然酸化膜層、バリアメタルを挿入したので、ヒロックおよびボイドの発生を抑制することができる。
【0103】
また、Al膜とAl膜よりも弾性定数の大きな導電性材料の膜を積層形成することにより耐電力特性を向上することができる。また、挿入抵抗を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1実施例の構成図である。
【図2】 本発明の第2実施例の構成図である。
【図3】 本発明の第3実施例の構成図である。
【図4】 本発明の第4実施例の構成図である。
【図5】 本発明の第1参考例の構成図である。
【図6】 本発明の第5実施例の構成図である。
【図7】 従来例の構成図である。
【符号の説明】
6 LiTaO3 基板
11 Al−0.5Wt%Cu膜
21 Ti層
31 自然酸化膜層
41 CrまたはTiからなる下地層
51 Cr層
Claims (8)
- 圧電基板と、CrまたはTiからなる下地層と、AlとCuからなる合金層と、自然酸化膜層と、Al以外の金属からなる金属層とを有し、前記圧電基板上に、前記下地層、前記合金層、前記自然酸化膜層、前記金属層が順次積層されている構造を有することを特徴とする弾性表面波素子。
- 圧電基板と、CrまたはTiからなる下地層と、AlとCuからなる第1の合金層と、自然酸化膜層と、AlとCuからなる第2の合金層と、Al以外の金属からなる金属層とを有し、前記圧電基板上に、前記下地層、前記第1の合金層、前記自然酸化膜層、前記第2の合金層、前記金属層が順次積層されている構造を有することを特徴とする弾性表面波素子。
- 圧電基板と、CrまたはTiからなる下地層と、AlとCuからなる第1の合金層と、Al以外の金属からなる金属層と、自然酸化膜層と、AlとCuからなる第2の合金層とを有し、前記圧電基板上に、前記下地層、前記第1の合金層、前記金属層、前記自然酸化膜層、前記第2の合金層が順次積層されている構造を有することを特徴とする弾性表面波素子。
- 圧電基板と、CrまたはTiからなる下地層と、AlとCuからなる合金層と、自然酸化膜層と、Al以外の金属からなる金属層とを有し、前記圧電基板上に、前記下地層が形成され、前記下地層上に、前記合金層と前記自然酸化膜層とが交互に積層され、前記合金層上に、前記金属層が形成されていることを特徴とする弾性表面波素子。
- 圧電基板と、AlとCuからなる合金層と、AlとCu以外の金属からなる第1の金属層と、AlとCu以外の金属からなり、前記第1の金属層とは成分が異なる第2の金属層と、自然酸化膜層とを有し、前記圧電基板上に、前記第1の金属層、前記自然酸化膜層、前記第2の金属層、前記合金層を順次積層された構造を有することを特徴とする弾性表面波素子。
- 前記合金層は、スパッタリングによって形成されたものであることを特徴とする請求項1乃至5記載の弾性表面波素子。
- 前記金属層は、Tiからなることを特徴とする請求項1乃至4記載の弾性表面波素子。
- 前記第1の金属層はCrからなり、前記第2の金属層はTiからなることを特徴とする請求項5記載の弾性表面波素子。
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