JP2007149995A - 積層型圧電素子及びその製造方法 - Google Patents

積層型圧電素子及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2007149995A
JP2007149995A JP2005342915A JP2005342915A JP2007149995A JP 2007149995 A JP2007149995 A JP 2007149995A JP 2005342915 A JP2005342915 A JP 2005342915A JP 2005342915 A JP2005342915 A JP 2005342915A JP 2007149995 A JP2007149995 A JP 2007149995A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode layer
piezoelectric
layer
electrode
piezoelectric element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2005342915A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007149995A5 (ja
Inventor
Satoru Miyoshi
哲 三好
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Priority to JP2005342915A priority Critical patent/JP2007149995A/ja
Priority to US11/604,699 priority patent/US20070120448A1/en
Publication of JP2007149995A publication Critical patent/JP2007149995A/ja
Priority to US12/126,459 priority patent/US7765660B2/en
Publication of JP2007149995A5 publication Critical patent/JP2007149995A5/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01Manufacture or treatment
    • H10N30/05Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01Manufacture or treatment
    • H10N30/07Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
    • H10N30/074Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/50Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/87Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/871Single-layered electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices, e.g. internal electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/87Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/872Connection electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices, e.g. external electrodes
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/42Piezoelectric device making
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/43Electric condenser making
    • Y10T29/435Solid dielectric type
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49128Assembling formed circuit to base
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155Manufacturing circuit on or in base

Abstract

【課題】 内部電極と側面電極とが強固に接続された積層型圧電素子を提供する。
【解決手段】第1の電極層と第2の電極層とが圧電体層を挟んで交互に積層されている積層型圧電素子であって、複数の圧電体層10と、積層体の第1の側面において、端部の少なくとも一部が、隣接する圧電体層よりも外側に突出し、積層体の第2の側面との間に絶縁領域12aが設けられている第1の電極層11aと、積層体の第2の側面において、端部の少なくとも一部が、隣接する圧電体層よりも外側に突出し、積層体の第1の側面との間に絶縁領域12bが設けられている第2の電極層11bと、積層体の第1の側面に形成され、第1の電極層の端部の少なくとも一部に接続され、第2の電極層から絶縁されている第1の側面電極13aと、積層体の第2の側面に形成され、第2の電極層の端部の少なくとも一部に接続され、第1の電極層から絶縁されている第2の側面電極13bとを含む。
【選択図】 図1

Description

本発明は、圧電アクチュエータ、超音波トランスデューサ等として利用される積層構造を有する圧電素子(積層型圧電素子)、及び、その製造方法に関する。
PZT(チタン酸ジルコン酸鉛)等の鉛系ペロブスカイト構造を有する材料に代表される圧電体は、電圧を印加することにより伸縮する圧電効果を生じる。このような性質を利用する圧電素子は、圧電ポンプや、圧電アクチュエータや、超音波トランスデューサ等の様々な用途に利用されている。圧電素子の構造は、1つの圧電体の両側に電極が形成された単層構造が基本であるが、近年のMEMS(マイクロエレクトロメカニカルシステム)関連の機器の開発に伴う圧電素子の微細化及び集積化により、複数の圧電体と複数の電極とが交互に積層された積層型の圧電素子も用いられるようになっている。
図6は、積層型圧電素子の構造を示す断面図である。この圧電素子は、交互に積層された圧電体層100並びに内部電極層101a及び101bを含む積層体と、側面電極103a及び103bと、上部電極104と、下部電極105とを含んでいる。内部電極層101a及び101bには、絶縁領域102a及び102bがそれぞれ設けられている。
側面電極103aは、内部電極層101aに接続されていると共に、絶縁領域102bによって内部電極層101bから絶縁されている。また、側面電極103bは、内部電極層101bに接続されている共に、絶縁領域102aによって内部電極層101aから絶縁されている。また、上部電極層104は側面電極103aに接続されており、下部電極層105は側面電極103bに接続されている。
圧電素子の電極をこのように形成することにより、複数の圧電体層100の各々に電圧を印加するための電極が並列に接続される。それにより、積層構造体全体として電極間容量が大きくなるので、圧電素子のサイズを小さくしても、電気インピーダンスの上昇を抑えることができる。
また、図1に示す内部電極層101a及び101bに絶縁領域102a及び102bを設ける替わりに、内部電極層を圧電体層上の全面に形成すると共に、積層体の側面において内部電極層の端面に絶縁膜を形成することにより側面電極から絶縁させる積層型圧電素子も知られている。
ところが、図6に示す積層型圧電素子においては、内部電極層と側面電極との接続領域において剥離が生じ易いという問題が生じている。その理由は、圧電体層が伸縮した場合に、側面電極が圧電体層の変位に追随できないため、側面電極と積層体との界面において歪みが生じるからである。また、積層体の側面に絶縁膜が形成されるタイプの積層型圧電素子においては、同様の理由から、絶縁膜が内部電極の端面から剥離してしまう。そのため、圧電素子の動作時における信頼性が低く、また、素子の寿命が短いことが問題となっている。
そこで、上記の点に鑑み、本発明は、側面電極が内部電極層から剥離し難い積層型圧電素子を提供することを第1の目的とする。また、本発明は、内部電極の端面に形成された絶縁膜が剥離し難い積層型圧電素子を提供することを第2の目的とする。
上記課題を解決するため、本発明の1つの観点に係る積層型圧電素子は、複数の圧電体層と、少なくとも1つの第1の電極層と、少なくとも1つの第2の電極層とを有し、上記少なくとも1つの第1の電極層と上記少なくとも1つの第2の電極層とが、圧電体層を挟んで交互に積層されている積層体を含む積層型圧電素子であって、複数の圧電体層と、上記積層体の第1の側面において、端部の少なくとも一部が、隣接する圧電体層よりも外側に突出していると共に、上記積層体の第2の側面との間に絶縁領域が設けられている少なくとも1つの第1の電極層と、上記積層体の第2の側面において、端部の少なくとも一部が、隣接する圧電体層よりも外側に突出していると共に、上記積層体の第1の側面との間に絶縁領域が設けられている少なくとも1つの第2の電極層と、上記積層体の第1の側面に形成され、第1の電極層の端部の少なくとも一部に接続されていると共に、第2の電極層から絶縁されている第1の側面電極と、上記積層体の第2の側面に形成され、第2の電極層の端部の少なくとも一部に接続されていると共に、第1の電極層から絶縁されている第2の側面電極とを具備する。
また、本発明の1つの観点に係る積層型圧電素子の製造方法は、複数の圧電体層と、少なくとも1つの第1の電極層と、少なくとも1つの第2の電極層とを有し、上記少なくとも1つの第1の電極層と上記少なくとも1つの第2の電極層とが、圧電体層を挟んで交互に積層されている積層体を含む積層型圧電素子の製造方法であって、圧電体層を形成する工程(a)と、該圧電体層上に、上記積層体の第1の側面との間に第1の絶縁領域が設けられるように、第1の電極層を形成する工程(b)と、該第1の電極層上に圧電体層を形成する工程(c)と、該圧電体層上に、上記積層体の第2の側面との間に第2の絶縁領域が設けられるように、第2の電極層を形成する工程(d)と、該第2の電極層上に圧電体層を形成する工程(e)と、形成された積層体をダイシングして第1の側面を形成することにより、第2の電極層の端部の少なくとも一部を、隣接する圧電体層よりも外側に突出させる工程(f)と、上記積層体をダイシングして第2の側面を形成することにより、第1の電極層の端部の端部の少なくとも一部を、隣接する圧電体層よりも外側に突出させる工程(g)と、上記積層体の第1の側面に、第2の電極層の端部の少なくとも一部に接続されると共に、第1の絶縁領域によって第1の電極層から絶縁されるように、第1の側面電極を形成する工程(h)と、上記積層体の第2の側面に、第1の電極層の端部の少なくとも一部に接続されると共に、第2の絶縁領域によって第2の電極層から絶縁されるように、第2の側面電極を形成する工程(i)とを具備する。
本発明によれば、内部電極の端部を積層体の積層部分から外側に突出させることにより、内部電極と側面電極とを広い接触面積で接続する。それにより、内部電極と側面電極との接続強度が向上するので、圧電体層が伸縮した場合においても、側面電極が内部電極から剥離し難くなる。その結果、圧電素子の動作の信頼性を向上させると共に、圧電素子及びそれを含む機器の寿命を伸ばすことが可能となる。
以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照番号を付して、説明を省略する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る積層型圧電素子の構造を示す一部断面斜視図である。
図1に示すように、本実施形態に係る積層型圧電素子は、例えば、底面の一辺が200μm〜1.0mm程度で高さが300μm〜1.0mm程度の柱状の構造体である。また、この積層型圧電素子は、複数の圧電体層10並びに複数の内部電極層11a及び11bを含む積層体と、側面電極13a及び13bとを含んでいる。複数の内部電極層11aと複数の内部電極層11bとは、圧電体層10を挟んで交互に積層されている。また、本実施形態に係る積層型圧電素子は、上部電極層14及び下部電極層15をさらに含んでも良い。
圧電体層10は、例えば、100μm程度の厚さを有しており、PZT(チタン酸ジルコン酸鉛)等の鉛系ペロブスカイト構造を有する複合酸化物によって形成されている。なお、図1には、5層の圧電体層10が表されているが、圧電体層は少なくとも2層あれば良く、6層以上あっても構わない。この圧電体層10は、後述するエアロゾルデポジション法によって形成されることにより、緻密で硬い組織を有している。
内部電極層11a及び11bは、例えば、3μm程度の厚さを有している。また、内部電極層11a及び11bには、絶縁領域12a及び12bがそれぞれ設けられている。また、側面電極13a側における内部電極層11aの端部の少なくとも一部、及び、側面電極13b側における内部電極層11bの端部の少なくとも一部は、積層体の積層部分から外側に突出している。そして、図1に示すように、それらの突出部分は、側面電極13a及び13bに埋没するように、側面電極によって覆われている。なお、図1には、内部電極層11bの側面電極13b側における端部全体が積層部分から突出している様子が示されている。
このような内部電極層11a及び11bは、1種類の材料によって形成されていても良いし、異なる複数の材料によって形成された複数層構造を有していても良い。前者の例としては、白金(Pt)等の金属材料や、合金(例えば、銀パラジウム)が挙げられる。一方、後者の例としては、50nm程度の酸化チタン(TiO)によって形成された密着層と、3μm程度の白金(Pt)によって形成された導電層とを含む2層構造の電極が挙げられる。このような密着層を設けることにより、導電層と圧電体層10との密着性を高めることができる。
側面電極13aは、内部電極層11aに接続されていると共に、絶縁領域12bによって内部電極層11bから絶縁されている。また、側面電極13bは、内部電極層11bに接続されていると共に、絶縁領域12aによって内部電極層11aから絶縁されている。
上部電極14は、側面電極13aに接続されており、下部電極15は、側面電極13bに接続されている。これらの上部電極14及び下部電極15は、内部電極層11a及び11bと同様に、1種類の材料によって形成されていても良いし、密着層及び導電層を含む複数層構造を有していても良い。
このような積層型圧電素子に、上部電極14及び下部電極15を介して電圧を供給することにより、各圧電体層10に電圧が印加される。その結果、各圧電体層10における圧電効果により、積層型圧電素子が全体として伸縮する。ここで、側面電極13a及び13bは、積層部分から外側に突出している内部電極層11a及び11bの端部において、広い接触面積で内部電極層11a及び11bに接続されている。それにより、それらの接続部分における接続強度が増加するので、各圧電体層10が伸縮した場合においても、側面電極13a及び13bが内部電極層11a及び11bから剥離するのを抑制することができる。
次に、本発明の第1の実施形態に係る積層型圧電素子の製造方法について、図2及び図3を参照しながら説明する。
まず、図2の(a)に示すように、基板9上に、圧電体層20と、内部電極層21aと、圧電体層20と、内部電極層21bとをこの順に繰り返して形成することにより、積層体23を形成する。
本実施形態において、圧電体層20は、エアロゾルデポジション(aerosol deposition:AD)法を用いることによって形成される。図3は、AD法を用いた成膜装置の構成を示す模式図である。この成膜装置は、エアロゾル生成室1と、エアロゾル生成室1に配置されている巻き上げガスノズル2、圧調整ガスノズル3、及び、エアロゾル搬送管4と、成膜チャンバ5と、排気ポンプ6と、噴射ノズル7と、基板ホルダ8とを含んでいる。
エアロゾル生成室1は、原料粉が配置される容器である。エアロゾル生成室1には、エアロゾル生成室1に振動等を与えることにより、その内部に配置された原料粉を攪拌するための容器駆動部1aが設けられている。
エアロゾル生成室1に配置されている巻き上げガスノズル2には、キャリアガスを供給するためのガスボンベが接続されている。巻き上げガスノズル2は、ガスボンベから供給されたガスをエアロゾル生成室1内に噴射することにより、サイクロン流を生成する。それにより、エアロゾル生成室1内に配置された原料粉がガスにより分散させられて、エアロゾルが生成される。
また、圧調整ガスノズル3には、エアロゾル生成室1内のガス圧を調整するための圧調整ガスを供給するガスボンベが接続されている。圧調整ガスの流量を調節してエアロゾル生成室1内の圧力を制御することにより、エアロゾル生成室1内に発生する気流(巻き上げガス)の速度が制御される。
キャリアガス及び圧調整ガスとしては、窒素(N)、酸素(O)、ヘリウム(He)、アルゴン(Ar)、又は、乾燥空気等が用いられる。
エアロゾル生成室1に配置されているエアロゾル搬送管4は、エアロゾル生成室1内において巻き上げられた原料粉を含むエアロゾルを、成膜チャンバ5に配置されているノズル7に搬送する。
成膜チャンバ5の内部は、排気ポンプ6によって排気されており、それによって所定の真空度に保たれている。成膜チャンバ5内に配置されている噴射ノズル7は、所定の形状及び大きさの開口を有しており、エアロゾル生成室1からエアロゾル搬送管4を介して供給されたエアロゾルを、開口から基板9に向けて高速で噴射する。
基板ホルダ8は、基板9を保持している。また、基板ホルダ8には、基板ホルダ8を3次元的に移動させるための基板ホルダ駆動部8aが設けられている。これにより、噴射ノズル7と基板9との3次元的な相対位置及び相対速度が制御される。この相対速度を制御することにより、1往復あたりに形成される膜の厚さを制御することができる。
このような成膜装置において、原料粉として圧電材料の粉体をエアロゾル生成室1に配置すると共に、基板9を基板ホルダ8にセットして所定の成膜温度に保つ。そして、成膜装置を駆動して噴射ノズル7からエアロゾルを噴射しながら、基板を所定の速度で移動させる。それにより、エアロゾル(原料粉)が、基板9や基板9上に先に堆積した構造物に衝突して食い込み(「アンカーリング」と呼ばれる)、さらに、衝突の際に原料粉が変形又は破砕することによって生じた活性な新生面において粒子同士が結合することにより、原料粉が基板上に堆積する。そのようにして形成された膜は、下地である基板や内部電極層との境界領域に形成されたアンカー部(アンカーリングによって形成された領域)において、下地層と強固に密着していると共に、新生面における粒子の結合(メカノケミカル反応)により極めて緻密な構造を有している。
ここで、AD法による成膜を行う場合に、下地となる基板や内部電極層の材料としては、原料粉が衝突することにより変形又は破砕できる程度の硬度を有しているものが用いられる。下地の硬度が不足している場合には、下地に衝突した原料粉は変形又は破砕することなく、単に下地に食い込んで堆積してしまうので、メカノケミカル反応による緻密な膜を形成できなくなるからである。そのため、基板9としては、例えば、YSZ(イットリウム安定化ジルコニア)基板やSUS基板等が用いられる。
再び、図2を参照すると、内部電極層21aは、側面23a側において、破線で示すダイシングラインを超えるように形成され、側面23b側において、ダイシングラインの内側に収まるように形成される。それにより、絶縁領域22aが設けられる。また、内部電極層21bは、側面23b側において、破線で示すダイシングラインを超えるように形成され、側面23a側において、ダイシングラインの内側に収まるように形成される。それにより、絶縁領域22bが設けられる。
内部電極層21a及び21bの材料としては、ある程度の延性及び硬性を有する材料が用いられる。延性を必要とするのは、後述するように、本実施形態においては、積層体23をダイシングすることにより、内部電極層21a及び21bの端部を側面に突出させるからである。また、硬性を必要とするのは、先にも述べたように、内部電極層21a及び21bは、圧電体層20を形成する際に下地層となるので、原料粉の衝突に耐え得る程度の十分な硬さを備えている必要があるからである。材料の特性はダイシング条件等によって多少異なるが、スパッタ法やメッキ法等の成膜技術を用いることにより形成された白金(Pt)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)等の金属薄膜であれば、内部電極21a及び21bとして使用することができる。本実施形態においては、スパッタ法により形成された白金薄膜を用いている。
次に、図2の(a)に示すダイシングラインにおいて、積層体23をダイシングする。それにより、図2の(b)に示すように、ダイシングされた側面において内部電極層21a及び21bの端部25が積層部分から外側に突出している積層体24が得られる。このように端部25が突出する理由は、内部電極層21a及び21bが、圧電体層20よりも大きい硬度を有しているため、積層体24を切断する際に、圧電体層20よりも残留し易いからである。
なお、この工程において、積層体23から基板9を剥離しても良い。
次に、図2の(c)に示すように、積層体24のダイシングされた側面の絶縁領域27以外の領域に、側面電極26a及び26bを形成する。なお、この絶縁領域27を設けるのは、側面電極26a及び26bを下部電極層15及び上部電極層14(図1)からそれぞれ絶縁するためである。側面電極26a及び26bは、絶縁領域27にレジストマスクを形成して、スパッタ法又はメッキ法を行うことにより形成される。このような成膜方法を用いることにより、突出した端部25を覆うように側面電極26aおよび26bを形成することができる。
また、図1に示す上部電極層14及び下部電極層15については、側面電極26a及び26bと同時に形成しても良いし、その後で形成しても良い。それにより、本実施形態に係る積層型圧電素子が完成する。
本実施形態に係る積層型圧電素子を作製し、側面電極を積層体から剥離する実験を行った。内部電極層としては、50nm程度の酸化チタン(TiO)の密着層と、3μm程度の白金(Pt)の導電層とを含む2層構造を形成した。また、積層体のダイシング条件としては、株式会社ディスコ社製のダイシングブレードNBC−ZSタイプを用い、回転数を12000rpmとした。
その結果、側面電極の引っ張り強度は、スクリーン印刷法によって内部電極層を形成した場合に比較して、約2倍向上していた。なお、スクリーン印刷法は、従来の積層型圧電素子における電極形成方法としては一般的な方法であり、形成される電極が軟らかいので、積層体をダイシングしても、内部電極層の端部が積層部分から外側に突出することはない。
次に、本発明の第2の実施形態に係る積層型圧電素子について説明する。図4は、本実施形態に係る積層型圧電素子の構造を示す一部断面斜視図である。
ここで、本発明の第1の実施形態においては、絶縁領域を設けることにより内部電極層を側面電極から絶縁しているのに対して、本発明の第2の実施形態においては、内部電極層の端部を絶縁膜によって覆うことにより側面電極から絶縁している点において異なっている。
図4に示すように、本実施形態に係る積層型圧電素子は、複数の圧電体層30並びに複数の内部電極層31a及び31bを含む積層体と、積層体の側面に形成された絶縁膜32a及び32bと、側面電極33a及び33bとを含んでいる。複数の内部電極層31aと複数の内部電極層31bとは、圧電体層30を挟んで交互に積層されている。また、本実施形態に係る積層型圧電素子は、上部電極層34及び下部電極層35をさらに含んでも良い。
内部電極層31a及び31bは、圧電体層30上の全面に形成されている。また、側面電極33a及び33b側における内部電極層31a及び31bの端部の少なくとも一部は、積層部分から外側に突出している。なお、図4には、内部電極層31a及び31bの側面電極33b側における端部全体が積層部分から突出している様子が示されている。
側面電極33a側において、内部電極層31aの端部は、側面電極33aに埋没するように覆われている。また、同じ側面において、内部電極層31bの端部を覆うように、絶縁膜32bが形成されている。同様に、側面電極33b側において、内部電極層31bの端部は側面電極33bに覆われていると共に、内部電極層31aの端部の覆うように絶縁膜32aが形成されている。
このように絶縁膜31a及び31bを形成することにより、側面電極33aは、内部電極層31aに接続されると共に、内部電極層31bから絶縁される。一方、側面電極33bは、内部電極層31bに接続されると共に、内部電極層31aから絶縁される。
本実施形態においては、積層部分から外側に突出している内部電極層31a及び31bの端部に絶縁膜32a及び32bをそれぞれ形成するので、両者の接触面積が広くなる。その結果、両者の接続強度が増加するので、圧電素子を駆動することにより圧電体層30が伸縮した場合においても、絶縁膜32a及び32bが内部電極層31a及び31bから剥離するのを抑制することができる。また、側面電極33a及び33bについても、突出した端部において内部電極層31a及び31bとそれぞれ接続することにより、剥離を防止することができる。
次に、本発明の第2の実施形態に係る積層型圧電素子の製造方法について、図5を参照しながら説明する。
まず、図5の(a)に示すように、基板9上に、圧電体層40と内部電極層41とを交互に積層することにより、積層体42を形成する。圧電体層40は、第1の実施形態におけるのと同様にAD法によって形成される。また、内部電極層41は、第1の実施形態において説明したものと同様の材料を用いてスパッタ法又はメッキ法によって形成される。
次に、図5の(a)に破線で示すダイシングラインにおいて、積層体42をダイシングする。それにより、図5の(b)に示すように、成形された積層体43が得られる。この積層体43のダイシングされた側面には、積層部分から外側に突出した内部電極層41の端部44が形成される。なお、この工程において、積層体42から基板9を剥離しても良い。
次に、図5の(c)に示すように、積層体42のダイシングされた側面43aにおいて、内部電極層41の端部44に、1つおきに絶縁膜45aを形成する。また、もう一方のダイシングされた側面43bにおいて、内部電極層41の端部44に、絶縁膜45aと互い違いになるように、絶縁膜45bを形成する。これらの絶縁膜45a及び45bは、例えば、500℃〜700℃程度の軟化点を有するガラス粉末を電気泳動法(電着法)によって端部44に付着させたり、ガラス粉末を含有するペーストをスクリーン印刷法によって端部44に成膜することにより形成される。或いは、絶縁材料の粉体を分散させたエアロゾルを内部電極層41の端部44に吹き付けることにより被膜を形成するエアロゾルデポジション法を用いても良い。
次に、図5の(d)に示すように、積層体43のダイシングされた側面の絶縁領域47以外の領域に、スパッタ法又はメッキ法により側面電極46a及び46bを形成する。さらに、図4に示す上部電極層34及び下部電極層35を形成しても良い。それにより、本実施形態に係る積層型圧電素子が完成する。
以上説明した本発明の第1及び第2の実施形態に係る積層型圧電素子は、圧電ポンプや、圧電アクチュエータや、超音波用探触子において超音波を送受信する超音波トランスデューサ等として用いられる。その際には、積層型圧電素子を単体で使用することも可能であるし、積層型圧電素子を1次元又は2次元に配列することにより、圧電素子アレイとして利用することも可能である。
本発明は、圧電アクチュエータ、超音波トランスデューサ等として利用される積層型圧電素子及びその製造方法において利用することが可能である。
本発明の第1の実施形態に係る積層型圧電素子の構造を示す一部断面斜視図である。 本発明の第1の実施形態に係る積層型圧電素子の製造方法を説明するための図である。 エアロゾルデポジション法を用いた成膜装置の構成を示す模式図である。 本発明の第2の実施形態に係る積層型圧電素子の構造を示す一部断面斜視図である。 本発明の第2の実施形態に係る積層型圧電素子の製造方法を説明するための図である。 従来の積層型圧電素子の構造を示す断面図である。
符号の説明
1 エアロゾル生成室
2 巻き上げガスノズル
3 圧調整ガスノズル
4 エアロゾル搬送管
5 成膜チャンバ
6 排気ポンプ
7 噴射ノズル
8 基板ホルダ
9 基板
10、20、30、40、100 圧電体層
11a、11b、21a、21b、31a、31b、41、
101a、101b 内部電極層
12a、12b、22a、22b、27、47、102a、102b 絶縁領域
13a、13b、26a、26b、33a、33b、46a、46b、
103a、103b 側面電極
14、34、103 上部電極層
15、35、105 下部電極層
23、24、42、43 積層体
24a、24b、43a、43b 側面
25、44 端部
32a、32b、45a、45b 絶縁膜

Claims (14)

  1. 複数の圧電体層と、少なくとも1つの第1の電極層と、少なくとも1つの第2の電極層とを有し、前記少なくとも1つの第1の電極層と前記少なくとも1つの第2の電極層とが、圧電体層を挟んで交互に積層されている積層体を含む積層型圧電素子であって、
    複数の圧電体層と、
    前記積層体の第1の側面において、端部の少なくとも一部が、隣接する圧電体層よりも外側に突出していると共に、前記積層体の第2の側面との間に絶縁領域が設けられている少なくとも1つの第1の電極層と、
    前記積層体の第2の側面において、端部の少なくとも一部が、隣接する圧電体層よりも外側に突出していると共に、前記積層体の第1の側面との間に絶縁領域が設けられている少なくとも1つの第2の電極層と、
    前記積層体の第1の側面に形成され、前記第1の電極層の前記端部の少なくとも一部に接続されていると共に、前記第2の電極層から絶縁されている第1の側面電極と、
    前記積層体の第2の側面に形成され、前記第2の電極層の前記端部の少なくとも一部に接続されていると共に、前記第1の電極層から絶縁されている第2の側面電極と、
    を具備する積層型圧電素子。
  2. 複数の圧電体層と、少なくとも1つの第1の電極層と、少なくとも1つの第2の電極層とを有し、前記少なくとも1つの第1の電極層と前記少なくとも1つの第2の電極層とが、圧電体層を挟んで交互に積層されている積層体を含む積層型圧電素子であって、
    複数の圧電体層と、
    前記積層体の2つの側面において、端部の少なくとも一部が、隣接する圧電体層よりも外側に突出している少なくとも1つの第1の電極層と、
    前記積層体の前記2つの側面の内の第1の側面において前記第1の電極層の前記端部を覆う第1の絶縁膜と、
    前記積層体の前記2つの側面において、端部の少なくとも一部が、隣接する圧電体層よりも外側に突出している少なくとも1つの第2の電極層と、
    前記積層体の前記2つの側面の内の第2の側面において前記第2の電極層の前記端部を覆う第2の絶縁膜と、
    前記積層体の第1の側面に形成され、前記第1の絶縁膜によって前記第1の電極層から絶縁されていると共に、前記第2の電極層の前記端部の少なくとも一部に接続されている第1の側面電極と、
    前記積層体の第2の側面に形成され、前記第2の絶縁膜によって前記第2の電極層から絶縁されていると共に、前記第1の電極層の前記端部の少なくとも一部に接続されている第2の側面電極と、
    を具備する積層型圧電素子。
  3. 前記複数の圧電体層が、基板又は前記少なくとも1つの第1若しくは第2の電極層に向けて圧電材料の粉体を吹き付けることにより圧電材料を堆積させるエアロゾルデポジション法によって形成されている、請求項1又は2記載の積層型圧電素子。
  4. 前記少なくとも1つの第1及び第2の電極層が、スパッタ法又はメッキ法によって形成されている、請求項1〜3のいずれか1項記載の積層型圧電素子。
  5. 前記少なくとも1つの第1及び第2の電極層の各々が、導電層と、前記導電層と圧電体層との間に形成された密着層とを含む、請求項1〜4のいずれか1項記載の積層型圧電素子。
  6. 複数の圧電体層と、少なくとも1つの第1の電極層と、少なくとも1つの第2の電極層とを有し、前記少なくとも1つの第1の電極層と前記少なくとも1つの第2の電極層とが、圧電体層を挟んで交互に積層されている積層体を含む積層型圧電素子の製造方法であって、
    圧電体層を形成する工程(a)と、
    前記圧電体層上に、前記積層体の第1の側面との間に第1の絶縁領域が設けられるように、第1の電極層を形成する工程(b)と、
    前記第1の電極層上に圧電体層を形成する工程(c)と、
    前記圧電体層上に、前記積層体の第2の側面との間に第2の絶縁領域が設けられるように、第2の電極層を形成する工程(d)と、
    前記第2の電極層上に圧電体層を形成する工程(e)と、
    形成された積層体をダイシングして第1の側面を形成することにより、前記第2の電極層の端部の少なくとも一部を、隣接する圧電体層よりも外側に突出させる工程(f)と、
    前記積層体をダイシングして第2の側面を形成することにより、前記第1の電極層の端部の少なくとも一部を、隣接する圧電体層よりも外側に突出させる工程(g)と、
    前記積層体の第1の側面に、前記第2の電極層の前記端部の少なくとも一部に接続されると共に、前記第1の絶縁領域によって前記第1の電極層から絶縁されるように、第1の側面電極を形成する工程(h)と、
    前記積層体の第2の側面に、前記第1の電極層の前記端部の少なくとも一部に接続されると共に、前記第2の絶縁領域によって前記第2の電極層から絶縁されるように、第2の側面電極を形成する工程(i)と、
    を具備する積層型圧電素子の製造方法。
  7. 工程(a)及び(c)及び(e)の各々が、基板又は前記第1若しくは第2の電極層に向けて圧電材料の粉体を吹き付けることにより圧電材料を堆積させるエアロゾルデポジション法を用いることにより前記圧電体層を形成することを含む、請求項6記載の積層型圧電素子の製造方法。
  8. 工程(b)及び(d)の各々が、スパッタ法又はメッキ法を用いることにより前記第1又は第2の電極層を形成することを含む、請求項6又は7記載の積層型圧電素子の製造方法。
  9. 工程(b)及び(d)の各々が、前記圧電体層上に密着層を介して導電層を配置することにより、前記第1又は第2の電極層を形成することを含む、請求項6〜8のいずれか1項記載の積層型圧電素子の製造方法。
  10. 複数の圧電体層と、少なくとも1つの第1の電極層と、少なくとも1つの第2の電極層とを有し、前記少なくとも1つの第1の電極層と前記少なくとも1つの第2の電極層とが、圧電体層を挟んで交互に積層されている積層体を含む積層型圧電素子の製造方法であって、
    圧電体層と第1及び第2の電極層とを積層することにより積層体を形成する工程(a)と、
    形成された積層体をダイシングして第1の側面を形成することにより、前記第1及び第2の電極層の端部の少なくとも一部を、隣接する圧電体層よりも外側に突出させる工程(b)と、
    前記積層体をダイシングして第2の側面を形成することにより、前記第1及び第2の電極層の端部の少なくとも一部を、隣接する圧電体層よりも外側に突出させる工程(c)と、
    前記積層体の第1の側面において、前記第1の電極層の端部を覆うように第1の絶縁膜を形成する工程(d)と、
    前記積層体の第2の側面において、前記第2の電極層の端部を覆うように第2の絶縁膜を形成する工程(e)と、
    前記積層体の第1の側面に、前記第1の絶縁膜によって前記第1の電極層から絶縁されると共に、前記第2の電極層の前記端部の少なくとも一部に接続されるように、第1の側面電極を形成する工程(f)と、
    前記積層体の第2の側面に、前記第2の絶縁膜によって前記第2の電極層から絶縁されると共に、前記第1の電極層の前記端部の少なくとも一部に接続されるように、第2の側面電極を形成する工程(g)と、
    を具備する積層型圧電素子の製造方法。
  11. 工程(a)が、基板又は前記第1若しくは第2の電極層に向けて圧電材料の粉体を吹き付けることにより圧電材料を堆積させるエアロゾルデポジション法を用いることにより前記圧電体層を形成することを含む、請求項10記載の積層型圧電素子の製造方法。
  12. 工程(a)が、スパッタ法又はメッキ法を用いることにより前記第1及び第2の電極層を形成することを含む、請求項10又は11記載の積層型圧電素子の製造方法。
  13. 工程(a)が、前記圧電体層上に密着層を介して導電層を配置することにより、前記第1及び第2の電極層を形成することを含む、請求項10〜12のいずれか1項記載の積層型圧電素子の製造方法。
  14. 工程(d)及び(e)の各々が、前記第1又は第2の電極層の端部に向けて絶縁材料の粉体を吹き付けることにより絶縁材料を堆積させるエアロゾルデポジション法、又は、電着法を用いることにより、第1及び第2の絶縁膜をそれぞれ形成することを含む、請求項10〜13のいずれか1項記載の積層型圧電素子の製造方法。
JP2005342915A 2005-11-28 2005-11-28 積層型圧電素子及びその製造方法 Withdrawn JP2007149995A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005342915A JP2007149995A (ja) 2005-11-28 2005-11-28 積層型圧電素子及びその製造方法
US11/604,699 US20070120448A1 (en) 2005-11-28 2006-11-28 Multilayered piezoelectric element and method of manufacturing the same
US12/126,459 US7765660B2 (en) 2005-11-28 2008-05-23 Method of manufacturing a multilayered piezoelectric element having internal electrodes and side electrodes

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005342915A JP2007149995A (ja) 2005-11-28 2005-11-28 積層型圧電素子及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007149995A true JP2007149995A (ja) 2007-06-14
JP2007149995A5 JP2007149995A5 (ja) 2008-08-28

Family

ID=38086753

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005342915A Withdrawn JP2007149995A (ja) 2005-11-28 2005-11-28 積層型圧電素子及びその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US20070120448A1 (ja)
JP (1) JP2007149995A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009246253A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Fujifilm Corp 積層型圧電素子及びその製造方法
JP2015527746A (ja) * 2012-10-15 2015-09-17 コンチネンタル オートモーティヴ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングContinental Automotive GmbH スタックとしての電子的な構成素子を製造する方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4593912B2 (ja) * 2003-12-24 2010-12-08 京セラ株式会社 積層型圧電素子およびその製法、並びに噴射装置
DE102008029185A1 (de) * 2008-06-19 2009-12-24 Epcos Ag Piezoelektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Kontaktes
CN102813549B (zh) * 2012-08-27 2014-11-05 杭州电子科技大学 用于超声手术器械的高功率密度压电换能器
CN103258950A (zh) * 2013-05-14 2013-08-21 三星高新电机(天津)有限公司 压电陶瓷元件
DE102013114016A1 (de) * 2013-12-13 2015-06-18 Bürkert Werke GmbH Verfahren zur Herstellung eines Piezostapels
JP2017162956A (ja) * 2016-03-09 2017-09-14 株式会社村田製作所 電子部品及びその製造方法
JP6728260B2 (ja) * 2018-03-22 2020-07-22 株式会社東芝 積層型超音波トランスデューサ及び超音波検査装置
JP6863328B2 (ja) * 2018-04-04 2021-04-21 Tdk株式会社 圧電素子及び振動デバイス
SE2251213A1 (en) * 2022-10-17 2024-02-20 Precibeo Ab A drive element with two separate monolithic actuators for an electromechanical motor

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10290031A (ja) * 1997-04-11 1998-10-27 Nissan Motor Co Ltd 積層型圧電アクチュエータおよびその製造方法
JP2003503859A (ja) * 1999-06-23 2003-01-28 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング ディーゼル噴射装置のためのき裂ストッパを備えた圧電多層アクチュエータ及びこの圧電多層アクチュエータを製造する方法
JP2004095593A (ja) * 2002-08-29 2004-03-25 Kyocera Corp 積層型圧電素子及び噴射装置
JP2004186507A (ja) * 2002-12-04 2004-07-02 Denso Corp 積層型圧電素子及びその製造方法
JP2004260136A (ja) * 2003-02-05 2004-09-16 Denso Corp 積層型圧電素子及びその製造方法
JP2005101577A (ja) * 2003-09-01 2005-04-14 Fuji Photo Film Co Ltd 積層構造体及び圧電アクチュエータ、並びに、それらの製造方法
JP2005235878A (ja) * 2004-02-18 2005-09-02 Fuji Photo Film Co Ltd 積層構造体及びその製造方法
JP2005294472A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Nec Electronics Corp 半導体装置、半導体ウェーハ、およびこれらの製造方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0740613B2 (ja) 1983-12-05 1995-05-01 株式会社日本自動車部品総合研究所 積層型圧電体の製造方法
US4803763A (en) * 1986-08-28 1989-02-14 Nippon Soken, Inc. Method of making a laminated piezoelectric transducer
JPH03155176A (ja) 1989-11-14 1991-07-03 Toyota Motor Corp 積層型圧電素子の製造方法
JP2508323B2 (ja) 1989-12-15 1996-06-19 トヨタ自動車株式会社 積層型圧電アクチュエ―タの製造方法
JPH03224281A (ja) 1990-01-30 1991-10-03 Toyota Motor Corp 圧電積層体の製造方法
JPH0786655A (ja) 1993-09-14 1995-03-31 Nikon Corp 積層型電気・歪変換素子および積層型セラミックアクチュエータ
JPH07226543A (ja) 1994-02-09 1995-08-22 Ngk Spark Plug Co Ltd 積層型圧電アクチュエータ
US5945770A (en) * 1997-08-20 1999-08-31 Acuson Corporation Multilayer ultrasound transducer and the method of manufacture thereof
BR9813686A (pt) * 1997-12-19 2000-10-10 Takeda Chemical Industries Ltd Composto, processo para produzi-lo, uso do mesmo, composição farmacêutica, e,processo para antagonizar o receptor de mcp-1.
JPH11195818A (ja) 1998-01-05 1999-07-21 Nissan Motor Co Ltd 積層型圧電アクチュエータおよびその製造方法
EP1061591A4 (en) * 1998-12-18 2007-05-02 Denso Corp PIEZOELECTRIC VELOCITY BODY
DE19936713C2 (de) * 1999-08-06 2001-08-23 Bosch Gmbh Robert Piezokeramischer Aktor sowie Verfahren zu seiner Herstellung
DE10028319A1 (de) * 2000-06-07 2001-12-13 Endress Hauser Gmbh Co Elektromechanischer Wandler
DE10148267B4 (de) * 2001-06-08 2005-11-24 Physik Instrumente (Pi) Gmbh & Co. Kg Piezolinearantrieb mit einer Gruppe von Piezostapelaktoren sowie Verfahren zum Betreiben eines solchen Antriebes
JP2003046157A (ja) 2001-08-01 2003-02-14 Kyocera Corp 積層型圧電素子及びその製法
JP4060090B2 (ja) * 2002-02-15 2008-03-12 沖電気工業株式会社 弾性表面波素子
US6784600B2 (en) * 2002-05-01 2004-08-31 Koninklijke Philips Electronics N.V. Ultrasonic membrane transducer for an ultrasonic diagnostic probe
JP4053822B2 (ja) * 2002-06-10 2008-02-27 日本碍子株式会社 圧電/電歪デバイスとその製造方法
JP3909276B2 (ja) 2002-08-26 2007-04-25 京セラ株式会社 積層型圧電素子及び噴射装置
JP3929858B2 (ja) 2002-09-04 2007-06-13 京セラ株式会社 積層型圧電素子
US7156938B2 (en) * 2003-11-11 2007-01-02 General Electric Company Method for making multi-layer ceramic acoustic transducer
JP4729260B2 (ja) * 2004-02-18 2011-07-20 富士フイルム株式会社 積層構造体及びその製造方法
JP2006093449A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Fuji Photo Film Co Ltd 積層構造体及び積層構造体アレイ、並びに、それらの製造方法
JP2006093448A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Fuji Photo Film Co Ltd 積層構造体及び積層構造体アレイ、並びに、それらの製造方法
JP4498300B2 (ja) 2006-03-27 2010-07-07 京セラ株式会社 積層型圧電素子の製造方法及び積層型圧電素子

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10290031A (ja) * 1997-04-11 1998-10-27 Nissan Motor Co Ltd 積層型圧電アクチュエータおよびその製造方法
JP2003503859A (ja) * 1999-06-23 2003-01-28 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング ディーゼル噴射装置のためのき裂ストッパを備えた圧電多層アクチュエータ及びこの圧電多層アクチュエータを製造する方法
JP2004095593A (ja) * 2002-08-29 2004-03-25 Kyocera Corp 積層型圧電素子及び噴射装置
JP2004186507A (ja) * 2002-12-04 2004-07-02 Denso Corp 積層型圧電素子及びその製造方法
JP2004260136A (ja) * 2003-02-05 2004-09-16 Denso Corp 積層型圧電素子及びその製造方法
JP2005101577A (ja) * 2003-09-01 2005-04-14 Fuji Photo Film Co Ltd 積層構造体及び圧電アクチュエータ、並びに、それらの製造方法
JP2005235878A (ja) * 2004-02-18 2005-09-02 Fuji Photo Film Co Ltd 積層構造体及びその製造方法
JP2005294472A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Nec Electronics Corp 半導体装置、半導体ウェーハ、およびこれらの製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009246253A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Fujifilm Corp 積層型圧電素子及びその製造方法
JP2015527746A (ja) * 2012-10-15 2015-09-17 コンチネンタル オートモーティヴ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングContinental Automotive GmbH スタックとしての電子的な構成素子を製造する方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20080222866A1 (en) 2008-09-18
US20070120448A1 (en) 2007-05-31
US7765660B2 (en) 2010-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007149995A (ja) 積層型圧電素子及びその製造方法
US7087970B2 (en) Laminated structure, method of manufacturing the same and ultrasonic transducer array
US7673385B2 (en) Laminated structure method
US7199509B2 (en) Multilayered structure and method of manufacturing the same, and ultrasonic transducer
US8106566B2 (en) Piezoelectric component with outer contacting, having gas-phase deposition, method for manufacturing component and use of component
JP2007335779A (ja) 圧電体薄膜素子、インクジェットヘッドおよびインクジェット式記録装置
US8237333B2 (en) Piezoelectric actuator and method for producing a piezoelectric actuator
JP2004056085A (ja) 圧電アクチュエータユニット、及び、それを用いた液体噴射ヘッド、並びに、圧電素子、及び、その製造方法
JPH0549270A (ja) 圧電/電歪アクチユエータ
JP4804760B2 (ja) 積層型圧電構造体の製造方法
JP5289710B2 (ja) 圧電素子及びインクジェットヘッド
JP2007059525A (ja) 積層型圧電素子及びそれを用いる装置、並びに、積層型圧電素子の製造方法
JP2006261656A (ja) 圧電アクチュエータおよびその製造方法
JP2008028285A (ja) 圧電体薄膜素子、インクジェットヘッドおよびインクジェット式記録装置
JP2002009359A (ja) 耐久性に優れた一体型圧電/電歪膜型素子およびその製造方法
JP2010157648A (ja) 圧電素子
JP2004120809A (ja) 無機エレクトレットアクチュエータ及びその製造方法、液滴吐出ヘッド、光学デバイス、圧力センサ、発振器、モータ
JP2003309301A (ja) デバイス製造方法
JP4094521B2 (ja) 構造物の製造方法
JP4908746B2 (ja) 積層構造体及び圧電アクチュエータ、並びに、それらの製造方法
JP4997716B2 (ja) 電子デバイスの製造方法
JP2007165372A (ja) 積層構造体及びその製造方法
WO2024048768A1 (ja) 積層構造体、素子、電子デバイス、電子機器及びシステム
JP2005102181A (ja) 積層構造体及びその製造方法、並びに、超音波トランスデューサアレイ
JPS62113487A (ja) 積層圧電体

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080711

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080711

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111209

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120117

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120315

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20120517