JP4729260B2 - 積層構造体及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 claims description 40
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 13
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 7
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 38
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 91
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 13
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006091 Macor Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- UUWCBFKLGFQDME-UHFFFAOYSA-N platinum titanium Chemical compound [Ti].[Pt] UUWCBFKLGFQDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/05—Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
- B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
- B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
- B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
- B06B1/06—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction
- B06B1/0607—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using multiple elements
- B06B1/0622—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using multiple elements on one surface
- B06B1/064—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using multiple elements on one surface with multiple active layers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/05—Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes
- H10N30/053—Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes by integrally sintering piezoelectric or electrostrictive bodies and electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/063—Forming interconnections, e.g. connection electrodes of multilayered piezoelectric or electrostrictive parts
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/50—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/872—Interconnections, e.g. connection electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices
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- Y10T29/42—Piezoelectric device making
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/43—Electric condenser making
- Y10T29/435—Solid dielectric type
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49128—Assembling formed circuit to base
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Description
本発明は、絶縁体と電極とが交互に形成されている積層構造体及びその製造方法に関する。
絶縁体（誘電体）と電極とが交互に形成されている積層構造は、積層コンデンサの他にも、圧電ポンプ、圧電アクチュエータ、超音波トランスデューサ等の様々な用途に利用されている。近年、ＭＥＭＳ（micro electro mechanical system：微小電子機械システム）関連の機器の開発に伴い、このような積層構造を有する素子の微細化及び集積化がますます進んでいる。
対向電極を有する素子の微細化においては、素子の面積を小さくすると電極間の容量が小さくなるので、素子の電気インピーダンスが上昇するという問題が生じている。例えば、圧電アクチュエータにおいて電気インピーダンスが上昇すると、圧電アクチュエータを駆動するための信号回路とのインピーダンスマッチングが取れなくなって電力が供給され難くなり、圧電アクチュエータとしての性能が落ちてしまう。或いは、圧電素子を用いた超音波トランスデューサにおいては、超音波の検出感度が落ちてしまう。そのため、素子を微細化しつつ電極間容量を大きくするために、複数の圧電材料層と複数の電極層とを交互に積層することが行われている。即ち、積層された複数の層を並列に接続することにより、素子全体の電極間容量を大きくすることができる。
圧電材料層を含む積層構造体の製造方法としては、従来より、バルクの圧電材料を用いるバルク法が知られている。バルク法においては、所望の厚さに削ったバルクの圧電材料を電極層と交互に重ね、接着剤を用いて接着したり、ボルトを締めることにより固定したりする手法が用いられている。しかしながら、この手法は、一般に、比較的大きい積層構造体の製造に用いられており、微小な積層構造体の製造に用いる場合には、薄く削った圧電材料が脆く割れ易いことからハンドリングが困難であり、また、微細加工が困難であるので、製造工程が煩雑になる。特に、厚さ１００μｍ以下の圧電材料は割れ易い。また、出来上がった製品については、接着剤による装着性に問題があると共に、接着部分において応力が発生するという問題が生じている。従って、この手法によると、製造歩留まりが低下し、製造コストが上昇してしまうので、生産性の観点からも適当ではない。そのため、積層構造体を成膜によって製造するグリーンシート法が検討されている。
グリーンシート法においては、可塑性のない圧電材料の粉末に有機物等のバインダを混合して成膜したグリーンシート（圧電体シート）が用いられる。この手法においては、圧電体シート上に電極材料のペーストをスクリーン印刷等により塗布した複数のシートを積層し、約１０００℃の高温で焼成することにより、バインダを圧電体シートから飛散させて、圧電体を強固な膜にしている。
このような手法を用いて生成される積層構造体においては、複数の電極層を互いに接続するために、積層構造体の側面において配線が行われる。図９は、積層構造体の一般的な配線方法を説明するための断面図である。積層構造体１００は、複数の圧電材料層１０１と、複数の電極層１０２及び１０３と、側面配線１０４及び１０５とを含んでいる。
電極１０２は、その一端が積層構造体の一方の壁面まで延びるように形成されており、電極１０３は、その一端が積層構造体の他方の壁面まで伸びるように形成されている。これにより、電極１０２は、一方の側面配線１０４に接続されると共に、他方の側面配線１０５から絶縁領域１０６によって絶縁される。反対に、電極１０３は、側面配線１０５に接続されると共に、側面配線１０４から絶縁領域１０６によって絶縁される。側面配線１０４と側面配線１０５との間に電位差を与えることにより、電極１０２と電極１０３との間にそれぞれ配置された圧電材料層１０１の各々に電圧が印加され、圧電効果によって圧電材料層１０１が伸縮する。
しかしながら、電極１０２及び１０３には、いずれかの側面配線と絶縁するために、電極が形成されていない絶縁領域１０６が設けられている。この絶縁領域１０６は、積層構造体１００に電圧を印加しても伸縮しない。そのため、圧電材料層１０１の内部に、伸縮する第１の領域と伸縮しない第２の領域とが存在するので、これらの領域の間に応力が集中して破損し易いという問題がある。
関連する技術として、下記の特許文献１には、長寿命の積層型圧電アクチュエータの製造方法が開示されている。この特許文献１によれば、圧電セラミックス材を主体とするグリーンシートの表面全面に内部電極を形成し、該グリーンシートを層状に積層して焼結し、該被焼結物の両側面に機械加工を施し、両側面の端部を一層おきに樹脂にて絶縁処理し、該被処理物の上からそれぞれの面に導電層を形成する。これにより、従来のように全面電極を形成し得ないものに比べて耐久性を向上させることができ、また、内部電極を部分的に形成するための位置合わせの必要も無く、微細化が可能となる。
しかしながら、特許文献１において素子の側面の絶縁処理に用いられるエポキシ樹脂は耐圧が低いので、樹脂の厚みを大きくする必要がある。例えば、積層構造体を駆動する電圧が２００〜３００Ｖである場合には、樹脂の厚みを２０〜３０μｍとする必要がある。このように樹脂の厚みが大きいことにより、複数の積層構造体を１次元又は２次元アレイ状に配置して超音波用探触子を製造する場合に問題が生じる。即ち、超音波用探触子を製造する場合には、複数の積層構造体の間に充填材を流し込むが、配置される複数の積層構造体の間のすきまが５０μｍと小さい場合には、樹脂の厚みにより、これらの積層構造体の間に充填材を流し込むことが困難になってしまう。
特開昭６０−１２８６８３号公報（第２頁、第２図）
そこで、上記の点に鑑み、本発明は、側面における絶縁処理部を小さくしてアレイ化が容易な積層構造体を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明に係る積層構造体は、２次元アレイ状に配置された複数の積層構造体を含むアレイ状の積層構造体であって、個々の積層構造体が、複数の圧電材料層と第１群の電極層及び第２群の電極層を含む複数の電極層とが交互に積層された圧電素子と、エアロゾルデポジション法により３μｍ以下の厚さに形成され、圧電素子の第１の側面において第１群の電極層を被う第１の絶縁膜と、エアロゾルデポジション法により３μｍ以下の厚さに形成され、圧電素子の第２の側面において第２群の電極層を被う第２の絶縁膜と、圧電素子の第１の側面において、第２群の電極層と電気的に接続され、第１の絶縁膜によって第１群の電極層から絶縁されている第１の配線と、圧電素子の第２の側面において、第１群の電極層と電気的に接続され、第２の絶縁膜によって第２群の電極層から絶縁されている第２の配線とを具備する。
また、本発明に係る積層構造体の製造方法は、複数の圧電材料層と第１群の電極層及び第２群の電極層を含む複数の電極層とが交互に積層された圧電素子を作製するステップ（ａ）と、圧電素子の第１の側面において、少なくとも第１群の電極層を除く領域にマスクを形成するステップ（ｂ）と、ステップ（ｂ）においてマスクが形成された圧電素子の第１の側面において、第１群の電極層を被う第１の絶縁膜を、エアロゾルデポジション法により形成するステップ（ｃ）と、ステップ（ｂ）において形成されたマスクを取り除くステップ（ｄ）と、圧電素子の第２の側面において、少なくとも第２群の電極層を除く領域にマスクを形成するステップ（ｅ）と、ステップ（ｅ）においてマスクが形成された圧電素子の第２の側面において、第２群の電極層を被う第２の絶縁膜を、エアロゾルデポジション法により形成するステップ（ｆ）と、ステップ（ｅ）において形成されたマスクを取り除くステップ（ｇ）と、ステップ（ｄ）の後で、圧電素子の第１の側面において、第２群の電極層と電気的に接続され、第１の絶縁膜によって第１群の電極層から絶縁される第１の配線を形成するステップ（ｈ）と、ステップ（ｇ）の後で、圧電素子の第２の側面において、第１群の電極層と電気的に接続され、第２の絶縁膜によって第２群の電極層から絶縁される第２の配線を形成するステップ（ｉ）とを具備する。
本発明によれば、圧電素子の第１の側面において第１群の電極層を被う第１の絶縁膜と圧電素子の第２の側面において第２群の電極層を被う第２の絶縁膜とをエアロゾルデポジション法により形成することにより、側面における絶縁処理部を小さくしてアレイ化が容易な積層構造体を提供することができる。
以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照番号を付して、説明を省略する。
図１は、本発明の一実施形態に係る積層構造体の構造を示す図である。図１に示すように、積層構造体１０は、例えば、底面の一辺が０．３〜１．０ｍｍ程度、高さが２．１ｍｍ程度の微小な柱状の構造体である。積層構造体１０は、複数のＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛：Pb(lead) zirconate titanate）層１と、複数の第１電極層２と、複数の第２電極層３と、複数の第１絶縁膜４と、複数の第２絶縁膜５と、複数の第３絶縁膜６と、配線７及び８とを含んでいる。
図１は、本発明の一実施形態に係る積層構造体の構造を示す図である。図１に示すように、積層構造体１０は、例えば、底面の一辺が０．３〜１．０ｍｍ程度、高さが２．１ｍｍ程度の微小な柱状の構造体である。積層構造体１０は、複数のＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛：Pb(lead) zirconate titanate）層１と、複数の第１電極層２と、複数の第２電極層３と、複数の第１絶縁膜４と、複数の第２絶縁膜５と、複数の第３絶縁膜６と、配線７及び８とを含んでいる。
本実施形態においては、ＰＺＴ層１を、グリーンシート法によって形成している。なお、ＰＺＴ層１を、エアロゾルデポジション（ＡＤ：aerosol deposition）法による成膜方法を用いて形成するようにしても良い。複数のＰＺＴ層１の間には、第１電極層２と第２電極層３とが交互に配置されている。配線７は、積層構造体１０の一方の側面及び底面を覆い、配線８は、積層構造体１０の他方の側面及び上面を覆い、配線７と配線８とは、第３絶縁膜６によって絶縁されている。
第１電極層２は、一方の側面において配線７と電気的に接続され、他方の側面に配置された第１絶縁膜４によって配線８から絶縁されている。第２電極層３は、一方の側面に配置された第２絶縁膜５によって配線７から絶縁され、他方の側面において配線８と電気的に接続されている。本実施形態においては、複数の第１絶縁膜４、複数の第２絶縁膜５、及び、複数の第３絶縁膜６の形成を、ＡＤ法による成膜方法を用いて行っている。
配線７及び８、第１電極層２、第２電極層３を介してＰＺＴ層１に電圧を印加することにより、ＰＺＴ層１は圧電効果によって伸縮する。このようなＰＺＴ等の圧電材料を絶縁層（誘電体層）として用いる積層構造体は、圧電ポンプや、圧電アクチュエータや、超音波用探触子において超音波を送受信する超音波トランスデューサ等に用いられる。積層構造を有する構造体は、単層の構造体よりも、対向する電極の面積を増やすことになるので、電気的インピーダンスを下げることができる。従って、単層の構造体と比較して、印加される電圧に対して効率良く動作する。
次に、本実施形態に係る積層構造体の製造方法について、図２〜図５を参照しながら説明する。図２は、本実施形態に係る積層構造体の製造方法を示すフローチャートである。また、図３〜図５は、本実施形態に係る積層構造体の製造方法を説明するための図である。
まず、図２に示すステップＳ１〜Ｓ３において、ＰＺＴ層１、第１電極層２、及び、第２電極層３を形成する。ステップＳ１において、図３の（Ａ）に示すように、可塑性のない圧電材料の粉末に有機物等のバインダ及び溶剤を混合して成膜したグリーンシート（圧電体シート）に、金属粉末に有機物等のバインダ及び溶剤を混合して得られた電極材料のペースト（導電体ペースト）をスクリーン印刷等により塗布し、このような複数のシートを積層する。
ステップＳ２において、これらのシートに熱と圧力を加えて圧着した後、圧電材料と電極材料とを同時焼成することにより、バインダを飛散させながらＰＺＴ層と電極層とを一体化して積層構造体を生成する。なお、焼成時には、圧電体シート及び電極材料のペーストから有機分や水分が抜けるので、圧電体シート等の体積が減少する。
ステップＳ３において、図３の（Ｂ）に示すように、所望の大きさの積層構造体に切断する。これにより、所望の大きさのＰＺＴ層１、第１電極層２、及び、第２電極層３が形成される。
次に、ステップＳ４〜Ｓ７において、第１絶縁膜４、第２絶縁膜５、及び、第３絶縁膜６を形成する。ステップＳ４において、図４の（Ａ）に示すように、フォトリソグラフィ工程を用いて、積層構造体１０の第１の面に、所望のパターンのレジストマスクを形成する。なお、レジストマスクの替わりに、メタルマスクを形成しても良い。ステップＳ５において、図４の（Ｂ）に示すように、レジストマスクを利用して積層構造体１０の第１の面に第１絶縁膜４及び第３絶縁膜６を形成した後、レジストマスクを取り除く。
ステップＳ６において、積層構造体１０の上下を逆転させ、図４の（Ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ工程を用いて、積層構造体１０の第１の面と反対の第２の面に、所望のパターンのレジストマスクを形成する。ステップＳ７において、図４の（Ｄ）に示すように、レジストマスクを利用して、積層構造体１０の第２の面に第２絶縁膜５及び第３絶縁膜６を形成した後、レジストマスクを取り除く。
以上において、絶縁膜４〜６の形成には、後で説明するＡＤ法による成膜方法を用いている。絶縁膜４〜６の材料としては、例えば、ＰＺＴ、アルミナ、ＺｒＯ２等のＺｒ系酸化物、及び、ＴｉＯ２等を用いることができる。即ち、ＡＤ法による成膜方法を用いて絶縁膜を形成することが可能な材料であれば、使用することができる。
次に、ステップＳ８及びＳ９において、配線７及び８を形成する。ステップＳ８において、図５の（Ａ）に示すように、積層構造体１０の前面、後面、及び、第３絶縁膜６以外の部分に、銀ペースト又は銀パラジウムペースト等の導電体ペーストを塗布する。ステップＳ９において、図５の（Ｂ）に示すように、導電体ペーストの乾燥及び焼成を行い、配線７及び８を形成する。なお、焼成時には、導電体ペーストから有機分や水分が抜けるので、導電体ペーストの体積が減少する。
ここで、本実施形態において絶縁膜を形成するために用いられるＡＤ法について説明する。図６は、ＡＤ法によって成膜を行うために用いる装置を示している。この装置は、エアロゾル生成容器２０と、成膜チャンバ３０とを有している。エアロゾルとは、気体中に浮遊する固体又は液体の微粒子のことをいう。なお、本実施形態においては、絶縁膜を形成するために、平均粒子径が０．２μｍ〜１μｍのＰＺＴの微粒子を用いている。
エアロゾル生成容器２０は、成膜原料の粉体が配置される容器であり、ここでエアロゾルの生成が行われる。エアロゾル生成容器２０には、キャリアガス導入部２１、エアロゾル導出部２２、及び、圧力調整ノズル２３が設けられている。キャリアガス導入部２１は、原料の粉体をキャリアするために用いられる気体であるキャリアガスを、エアロゾル生成容器２０の内部に導入する。即ち、エアロゾル生成容器２０に配置された原料の粉体をキャリアガスによって噴き上げることにより、エアロゾルが生成される。
このキャリアガスとしては、乾燥空気、窒素ガス、アルゴンガス、酸素ガス、ヘリウムガス等が用いられる。また、エアロゾル導出部２２は、エアロゾル生成容器２０において生成されたエアロゾルを吸引し、成膜チャンバ３０に導く。圧力調整ノズル３３は、エアロゾル生成容器２０と成膜チャンバ３０との圧力差を調整する際に用いられる。
このようなエアロゾル生成容器２０は、振動台２４の上に戴置されている。振動台２４は、エアロゾル生成容器２０に振動を与えることにより、エアロゾル生成容器２０に配置される原料の粉体を撹拌し、エアロゾルが効率的に生成されるようにする。
成膜チャンバ３０には、排気管３１と、エアロゾル導入部３２と、ノズル３３と、可動ステージ３４とが備えられている。排気管３１は、真空ポンプに接続されており、成膜チャンバ３０内を排気する。エアロゾル導入部３２は、エアロゾル生成部２０のエアロゾル導出部２２に接続されており、エアロゾル生成部２０において生成されたエアロゾルを成膜チャンバ３０内に導入する。ノズル３３は、エアロゾル導入部３２を介して導入されたエアロゾルを、可動ステージ３４上に配置されている積層構造体１０に向けて噴射する。
本実施形態においては、絶縁膜４〜６がＡＤ法によって形成される。ＡＤ法によれば、下地層としてのＰＺＴ層１や電極層２及び３に、絶縁膜４〜６の材料の粉体を高速に噴射して衝突させることにより成膜するので、材料の粉体が下地層に食い込む「アンカーリング」が生じる。その結果、下地層としてのＰＺＴ層１や電極層２及び３に、アンカー層（粉体が食い込んだ層）が生じる。このアンカー層の深さは、下地層の材質や粉体の速度によって異なるが、通常は、１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度となる。これにより、積層構造体１０に含まれる各層の界面を観察すれば、本実施形態に係る積層構造体の製造方法を用いたことを判別することが可能である。
本実施形態によれば、ＡＤ法を用いて絶縁膜を形成しているので、絶縁膜の耐圧が高いため、絶縁膜を薄くすることができる。例えば、積層構造体を駆動する電圧が２００〜３００Ｖである場合において、絶縁膜の厚さを２〜３μｍと小さくすることができる。また、ＡＤ法を用いて形成される絶縁膜は、エポキシ樹脂等によって形成される絶縁膜よりも緻密で強固なので、機械的強度が向上する。さらに、第１電極層２及び第２電極層３をＰＺＴ層１の全面に配置しているので、ＰＺＴ層１の一部の領域に応力が集中しない。その結果、積層構造体１０は、従来の積層構造体と比べて耐久性が良い。なお、本実施形態においては、導電体ペーストを用いて配線７及び８を形成したが、白金チタンを密着層として用いて、白金をスパッタすることによって配線７及び８を形成しても良い。
以上説明した積層構造体を複数配置することにより、アレイ状の積層構造体を作製することができる。例えば、図７に示すように、複数の積層構造体１０が、基板上に２次元アレイ状に配置された積層構造体を作製することができる。
図８は、図７に示すような２次元アレイ状の積層構造体を超音波用探触子に適用した例を示す一部断面斜視図である。この超音波用探触子は、超音波を送信及び受信する複数の超音波トランスデューサを含む超音波トランスデューサアレイ４０と、音響整合層４１と、音響レンズ４２と、バッキング層４３とを含んでいる。これらの各部４０〜４３は、筐体４４に収納されている。また、超音波トランスデューサアレイ４０に含まれている複数の超音波トランスデューサの配線は、ケーブル４５を介して超音波撮像装置本体に接続される。
これらの超音波トランスデューサの間には、エポキシ樹脂等の充填材が配置されている。音響整合層４１は、超音波を伝えやすいガラスや、セラミックや、金属粉入りエポキシ樹脂等によって形成されている。音響整合層４１は、生体である被検体と超音波トランスデューサとの間の音響インピーダンスの不整合を解消する。これにより、超音波トランスデューサから送信された超音波を、効率良く被検体中に伝播させることができる。
音響レンズ４２は、例えば、シリコンゴムによって形成されている。音響レンズ４２は、超音波トランスデューサアレイ４０から送信され、音響整合層４１において音響インピーダンスを整合された超音波ビームを、所定の深度において集束させる。バッキング層４３は、例えば、エポキシ樹脂やゴムにフェライト等の金属の粉体やＰＺＴの粉体を混入した材料のように、音響減衰の大きい材料によって形成されている。バッキング層４３は、超音波トランスデューサアレイ４０から発生した不要な超音波を早く減衰させる。
このような超音波用探触子を作製する際には、ガラスやマコール（登録商標）を材料とする基板上に複数の積層構造体をアレイ状に配置し、それらの積層構造体の間に充填材を配置することにより、超音波トランスデューサ４０及び音響整合層４１を作製する。なお、この場合において、基板に別の音響整合層を張り合わせることにより、複数層から成る音響整合層を設けても良い。
本実施形態に係る積層構造体を超音波用探触子に適用した場合には、ＡＤ法を用いて絶縁膜を形成するので、超音波トランスデューサを駆動する電圧が２００〜３００Ｖの場合においても、絶縁膜の厚さを２〜３μｍとすることができる。したがって、複数の超音波トランスデューサ間の干渉を抑えることができる。また、複数の超音波トランスデューサの間のすきまが５０μｍ程度である場合においても、超音波トランスデューサの間にエポキシ樹脂等の充填材を流し込む際に、側面における絶縁処理部が障害となることはない。
これにより、多数の超音波トランスデューサを高密度に集積することが可能となり、解像度の高い画像を撮像することができる超音波探触子を得ることが可能となる。また、本発明に係る積層構造体を適用した超音波トランスデューサを２次元アレイ状に配置した超音波探触子は、超音波トランスデューサが高密度に集積されているので、リアルタイムに３次元超音波画像を取得する超音波診断装置に適用することができる。
本発明は、絶縁体と電極とが交互に形成されている積層構造体及びその製造方法において利用することが可能である。
１ ＰＺＴ層
２、３ 電極層
４〜６ 絶縁膜
７、８ 配線
１０ 積層構造体
２０ エアロゾル生成容器
２１ キャリアガス導入部
２２ エアロゾル導出部
２３ 圧力調整ノズル
２４ 振動台
３０ 成膜チャンバ
３１ 排気管
３２ エアロゾル導入部
３３ 圧力調整ノズル
３４ ステージ
４０ 超音波トランスデューサアレイ
４１ 音響整合層
４２ 音響レンズ
４３ バッキング層
４４ 筐体
４５ ケーブル
２、３ 電極層
４〜６ 絶縁膜
７、８ 配線
１０ 積層構造体
２０ エアロゾル生成容器
２１ キャリアガス導入部
２２ エアロゾル導出部
２３ 圧力調整ノズル
２４ 振動台
３０ 成膜チャンバ
３１ 排気管
３２ エアロゾル導入部
３３ 圧力調整ノズル
３４ ステージ
４０ 超音波トランスデューサアレイ
４１ 音響整合層
４２ 音響レンズ
４３ バッキング層
４４ 筐体
４５ ケーブル
Claims (9)
- ２次元アレイ状に配置された複数の積層構造体を含むアレイ状の積層構造体であって、個々の積層構造体が、
複数の圧電材料層と第１群の電極層及び第２群の電極層を含む複数の電極層とが交互に積層された圧電素子と、
エアロゾルデポジション法により３μｍ以下の厚さに形成され、前記圧電素子の第１の側面において前記第１群の電極層を被う第１の絶縁膜と、
エアロゾルデポジション法により３μｍ以下の厚さに形成され、前記圧電素子の第２の側面において前記第２群の電極層を被う第２の絶縁膜と、
前記圧電素子の第１の側面において、前記第２群の電極層と電気的に接続され、前記第１の絶縁膜によって前記第１群の電極層から絶縁されている第１の配線と、
前記圧電素子の第２の側面において、前記第１群の電極層と電気的に接続され、前記第２の絶縁膜によって前記第２群の電極層から絶縁されている第２の配線と、
を具備する積層構造体。 - 前記第１群の電極層と前記第２群の電極層とが交互に配置されている、請求項１記載の積層構造体。
- 前記複数の圧電材料層及び前記複数の電極層が、圧電材料にバインダ及び溶剤が混合されたシート上に少なくとも電極材料が形成された複数のシートを積層して焼成することにより形成されている、請求項１又は２記載の積層構造体。
- 前記複数の圧電材料層がエアロゾルデポジション法により形成されている、請求項１又は２記載の積層構造体。
- 積層構造体の製造方法であって、
複数の圧電材料層と第１群の電極層及び第２群の電極層を含む複数の電極層とが交互に積層された圧電素子を作製するステップ（ａ）と、
前記圧電素子の第１の側面において、少なくとも前記第１群の電極層を除く領域にマスクを形成するステップ（ｂ）と、
ステップ（ｂ）においてマスクが形成された前記圧電素子の第１の側面において、前記第１群の電極層を被う第１の絶縁膜を、エアロゾルデポジション法により形成するステップ（ｃ）と、
ステップ（ｂ）において形成されたマスクを取り除くステップ（ｄ）と、
前記圧電素子の第２の側面において、少なくとも前記第２群の電極層を除く領域にマスクを形成するステップ（ｅ）と、
ステップ（ｅ）においてマスクが形成された前記圧電素子の第２の側面において、前記第２群の電極層を被う第２の絶縁膜を、エアロゾルデポジション法により形成するステップ（ｆ）と、
ステップ（ｅ）において形成されたマスクを取り除くステップ（ｇ）と、
ステップ（ｄ）の後で、前記圧電素子の第１の側面において、前記第２群の電極層と電気的に接続され、前記第１の絶縁膜によって前記第１群の電極層から絶縁される第１の配線を形成するステップ（ｈ）と、
ステップ（ｇ）の後で、前記圧電素子の第２の側面において、前記第１群の電極層と電気的に接続され、前記第２の絶縁膜によって前記第２群の電極層から絶縁される第２の配線を形成するステップ（ｉ）と、
を具備する製造方法。 - 前記第１群の電極層と前記第２群の電極層とが交互に配置される、請求項５記載の製造方法。
- ステップ（ａ）が、前記複数の圧電材料層及び前記複数の電極層が、圧電材料にバインダ及び溶剤が混合されたシート上に少なくとも電極材料が形成された複数のシートを積層して焼成することを含む、請求項５又は６記載の製造方法。
- ステップ（ａ）において、前記複数の圧電材料層がエアロゾルデポジション法により形成される、請求項５又は６記載の製造方法。
- ステップ（ｂ）及び（ｅ）において形成されるマスクが、レジストマスク又はメタルマスクを含む、請求項５記載の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004040829A JP4729260B2 (ja) | 2004-02-18 | 2004-02-18 | 積層構造体及びその製造方法 |
| US11/058,282 US20050179345A1 (en) | 2004-02-18 | 2005-02-16 | Piezoelectric element and method of manufacturing the same |
| US11/564,146 US7581295B2 (en) | 2004-02-18 | 2006-11-28 | Piezoelectric element and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004040829A JP4729260B2 (ja) | 2004-02-18 | 2004-02-18 | 積層構造体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005235880A JP2005235880A (ja) | 2005-09-02 |
| JP4729260B2 true JP4729260B2 (ja) | 2011-07-20 |
Family
ID=34836395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004040829A Expired - Fee Related JP4729260B2 (ja) | 2004-02-18 | 2004-02-18 | 積層構造体及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20050179345A1 (ja) |
| JP (1) | JP4729260B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007149995A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Fujifilm Corp | 積層型圧電素子及びその製造方法 |
| DE102007058873A1 (de) * | 2007-12-06 | 2009-06-10 | Siemens Ag | Piezoelektrisches Bauteil mit Außenkontaktierung, die eine Gasphasen-Abscheidung aufweist, Verfahren zum Herstellen des Bauteils und Verwendung des Bauteils |
| DE102008029185A1 (de) * | 2008-06-19 | 2009-12-24 | Epcos Ag | Piezoelektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Kontaktes |
| JP5335310B2 (ja) * | 2008-07-29 | 2013-11-06 | 日本特殊陶業株式会社 | 超音波振動子及びその製造方法 |
| DE102009014993B4 (de) * | 2009-03-26 | 2011-07-14 | Continental Automotive GmbH, 30165 | Verfahren zum elektrischen Kontaktieren eines elektronischen Bauelements |
| DE102009017434A1 (de) * | 2009-04-15 | 2010-10-28 | Continental Automotive Gmbh | Elektronisches Bauelement und Verfahren zum elektrischen Kontaktieren eines elektronischen Bauelements als Stapel |
| WO2012002967A1 (en) | 2010-07-01 | 2012-01-05 | Empire Technology Development Llc | Method and system for cell and tissue cultivation |
| DE102011081279A1 (de) * | 2011-08-19 | 2013-02-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur elektrischen Passivierung elektromechanischer Bauelemente |
| EP2817835B1 (de) * | 2012-02-24 | 2016-07-27 | Epcos AG | Verfahren zur herstellung einer elektrischen kontaktierung eines vielschichtbauelements |
| DE102012104830A1 (de) | 2012-06-04 | 2013-12-05 | Epcos Ag | Vielschichtbauelement und Verfahren zum Herstellen eines Vielschichtbauelements |
| DE102012218755B4 (de) * | 2012-10-15 | 2018-07-05 | Continental Automotive Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements als Stapel und als Stapel ausgebildetes elektronisches Bauelement |
| CN103344708A (zh) * | 2013-06-13 | 2013-10-09 | 江苏大学 | 一种用于混凝土材料检测的超声相控阵换能器及制作方法 |
| CN105358263B (zh) * | 2013-07-03 | 2017-05-17 | 奥林巴斯株式会社 | 超声波振动器件、超声波振动器件的制造方法以及超声波医疗装置 |
| CN113644840B (zh) * | 2021-07-30 | 2023-01-17 | 南京邮电大学 | 一种提升低频输出的按压式摩擦纳米发电机 |
| SE545844C2 (en) * | 2022-10-17 | 2024-02-20 | Precibeo Ab | A drive element with two separate monolithic actuators for an electromechanical motor |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60128683A (ja) | 1983-12-15 | 1985-07-09 | Tohoku Metal Ind Ltd | 積層型圧電アクチユエ−タの製造方法 |
| JPH0236578A (ja) * | 1988-07-26 | 1990-02-06 | Mitsubishi Kasei Corp | 積層型圧電素子 |
| JP3045531B2 (ja) * | 1990-10-01 | 2000-05-29 | 日立金属株式会社 | 積層型変位素子 |
| JPH06260478A (ja) * | 1993-03-09 | 1994-09-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜パターン形成方法 |
| JP3614915B2 (ja) * | 1995-02-10 | 2005-01-26 | 北陸電気工業株式会社 | チップ状電子部品とその製造方法 |
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| JP3308492B2 (ja) * | 1998-05-13 | 2002-07-29 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 圧電アクチュエータ |
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| JP4419742B2 (ja) * | 2004-07-28 | 2010-02-24 | ブラザー工業株式会社 | 電子部品搭載基板及びインクジェットヘッド |
| JP2006093449A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 積層構造体及び積層構造体アレイ、並びに、それらの製造方法 |
| US7286354B2 (en) * | 2004-10-27 | 2007-10-23 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Electronic part-mounted substrate, thermal conductive member for electronic part-mounted substrate and liquid-jetting head |
-
2004
- 2004-02-18 JP JP2004040829A patent/JP4729260B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-02-16 US US11/058,282 patent/US20050179345A1/en not_active Abandoned
-
2006
- 2006-11-28 US US11/564,146 patent/US7581295B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20070094856A1 (en) | 2007-05-03 |
| JP2005235880A (ja) | 2005-09-02 |
| US20050179345A1 (en) | 2005-08-18 |
| US7581295B2 (en) | 2009-09-01 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060531 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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