JP5289710B2 - 圧電素子及びインクジェットヘッド - Google Patents
圧電素子及びインクジェットヘッド Download PDFInfo
- Publication number
- JP5289710B2 JP5289710B2 JP2007009317A JP2007009317A JP5289710B2 JP 5289710 B2 JP5289710 B2 JP 5289710B2 JP 2007009317 A JP2007009317 A JP 2007009317A JP 2007009317 A JP2007009317 A JP 2007009317A JP 5289710 B2 JP5289710 B2 JP 5289710B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- piezoelectric
- substrate
- thickness
- electrode layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 112
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 24
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 23
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 275
- 239000010408 film Substances 0.000 description 85
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 21
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 15
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 15
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 8
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 7
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000001912 gas jet deposition Methods 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 238000010303 mechanochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000005478 sputtering type Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Description
このように、特許文献2及び3においては、単層又は複数層からなる中間層を設けることにより、鉛の拡散防止と応力緩和との両方を図っている。
即ち、特許文献4においては、振動板に第2の絶縁膜としてアモルファスジルコニア等を形成することにより、圧電体膜から振動板側に鉛が拡散するの防止すると共に、圧電体膜と振動板との密着性を高めている。
即ち、特許文献5においては、振動板に柱状晶のジルコニア層を設けることにより、振動板と圧電体層との密着性を高めている。
図1は、本発明の一実施形態に係る圧電素子の一部を示す断面図である。
図1に示すように、この圧電素子は、基板1と、中間層2と、下部電極層3と、圧電体層(圧電膜)4と、上部電極層5とを含んでいる。このような構造において、下部電極層3及び上部電極層5を介して圧電体層4に電界を印加する。それにより、圧電体層4が圧電効果により伸縮する。このような圧電素子は、例えば、インクジェットプリンタにおいてインクを吐出するインクジェットヘッドを駆動するアクチュエータに適用される。或いは、超音波診断装置の超音波用探触子において超音波を送受信する超音波トランスデューサとして利用しても良い。
本実施形態において、シリコン基板1を用いるのは、半導体プロセスを利用することにより、微細な電極等のパターンを基板1上に高集積することができるからである。
圧電体層4の厚さは、圧電体層を伸縮させたときに十分な変位を得るために、3μm程度以上とすることが望ましい。また、本実施形態に係る圧電素子をインクジェットヘッド用のアクチュエータのように微細デバイスとして用いる場合には、圧電体層4の厚さを、最大で10μm程度とすれば十分である。
図2は、図1に示す圧電素子の製造方法を示すフローチャートである。また、図3は、この実験結果を示す表である。
図2の工程S1において、シリコン基板を用意する。通常は、圧電素子の用途(例えば、インクジェットヘッド用のアクチュエータ)に応じて、所望の形状及び厚さとなるように基板を成形するが、実験においては、厚さが約525μmのシリコン基板を用意した。このシリコン基板の表面には、厚さが約300nmの熱酸化膜が形成されている。
ジルコニウム層を形成する際には、例えば、金属ジルコニウムターゲットと、スパッタガスとしてアルゴンガスを用いたスパッタ法により成膜を行う。この場合には、スパッタガスの種類をアルゴン/酸素混合ガスからアルゴンガスに変更することにより、工程S2とS3とを連続して行っても良い。その場合には、酸化ジルコニウム層(金属酸化物層)からジルコニウム層(密着層)に向けて組成が徐々に変化するため、両者の境界は曖昧になるが、中間層の機能上は問題ない。
このようなAD法によれば、その成膜メカニズム(メカノケミカル反応と呼ばれているにより、強固で緻密な膜を形成できると共に、ゾル・ゲル法等によっては不可能な厚膜(例えば、厚さが3μm以上の膜)を形成することも可能である。
まず、基板及び圧電体層を含む積層体を観察し、いずれかの層に剥離やクラックが生じているか否かを観察した。
(1)圧電体層の厚さに対する中間層の厚さの割合(%)
=中間層(金属酸化物層+密着層)の厚さ/圧電体層の厚さ×100
(2)圧電体層の厚さに対する中間層及び下部電極層の厚さの割合(%)
=(金属酸化物層+密着層+下部電極層)の厚さ/圧電体層の厚さ×100
図5は、本発明の第1の実施形態に係るインクジェットヘッドの一部の構造を示す断面図である。
図5に示すように、このインクジェットヘッドは、基板1と、基板1上に中間層2を介して配置されている複数の圧電素子(下部電極層3、圧電体層4、上部電極層5)と、ノズルプレート41と、ノズルプレート41上の空間を圧電素子の配置に対応して複数の領域に仕切る隔壁42とを含んでいる。基板1は、圧電素子3〜5の配置面であると共に、圧電素子が圧電効果によって伸縮することにより振動(変形)する振動板として動作する。この基板1と、ノズルプレート41と、隔壁42とによって、インクが充填される複数の圧力室43が形成される。また、ノズルプレート41の面内には、複数の圧力室43に対応して、複数の吐出口(ノズル部)44が形成されている。なお、図5においては、説明を簡単にするために、各圧力室43にインクを補給するための機構は省略されている。また、中間層2は、金属酸化物層と密着層とを含んでいる(図1参照)。
印字を行う際には、制御信号に従って下部電極3及び上部電極5に電圧を印加ことにより、圧電体4を伸縮させる。それにより、振動板43が変形して圧力室43の容積が変化する。その結果、圧力室43内部に充填されているインクが加圧されて吐出部44から滴下する。
図6に示すように、このインクジェットヘッドは、図5に示すインクジェットヘッドに対して、圧力室51、インクを吐出する吐出部(ノズル部)52と、圧力室51から吐出部52にインクを供給するノズル流路53と、圧力室51にインクを供給するための共通流路54とを形成する3次元構造体60を、モノリシック構造化したものである。このようなインクジェットヘッドの製造方法について、図7及び図8を参照しながら説明する。
本実施形態においては、基板1と圧電素子3〜5の間に、十分な厚さを有する中間層が配置されているので、圧力室を形成するアルミナ層に熱処理を施す場合においても、基板1又は圧電体層4にクラックが生じたり、両者が互いに剥離するのを抑制することができる。
2 中間層
3 下部電極層
4 圧電体層
5 上部電極層
21 金属酸化物層
22 密着層
41 ノズルプレート
42 隔壁
43、51 圧力室
44、52 吐出部(ノズル部)
60 3次元構造体
53 ノズル流路
54 共通流路
61 第1のアルミナ層
62 溶解材料
63 第2のアルミナ層
64 第3のアルミナ層
65 第4のアルミナ層
66 第5のアルミナ層
67 第6のアルミナ層(ノズルプレート)
101 ガスボンベ
102 圧力調整部
103、106 搬送管
104 エアロゾル生成室
105 容器駆動部
107 成膜室
108 排気ポンプ
109 噴射ノズル
110 基板ホルダ
111 基板ホルダ駆動部
Claims (6)
- シリコン(Si)又は酸化シリコン(SiO2)を主成分とする基板と、
前記基板上に形成されて柱状結晶構造を有する酸化ジルコニウム(ZrOX)層、及び、前記酸化ジルコニウム層上に形成されてジルコニウム(Zr)又は酸化チタン(TiO Y )を含む密着層を含む中間層と、
前記中間層上に形成された第1の電極層と、
前記第1の電極層上に、鉛系圧電材料によって形成された圧電体層と、
前記圧電体層上に形成された第2の電極層と、
を具備し、
前記中間層及び前記第1の電極層を合わせた厚さが、前記圧電体層の厚さの15%以上、かつ、前記圧電体層の厚さの50%以下である、圧電素子。 - シリコン(Si)又は酸化シリコン(SiO2)を主成分とする基板と、
前記基板上に形成されて柱状結晶構造を有する酸化ジルコニウム(ZrOX)層、及び、前記酸化ジルコニウム層上に形成されてジルコニウム(Zr)又は酸化チタン(TiO Y )を含む密着層を含む中間層と、
前記中間層上に形成された第1の電極層と、
前記第1の電極層上に、鉛系圧電材料によって形成された圧電体層と、
前記圧電体層上に形成された第2の電極層と、
を具備し、
前記中間層の厚さが、前記圧電体層の厚さの6%以上であり、前記中間層及び前記第1の電極層を合わせた厚さが、前記圧電体層の厚さの50%以下である、圧電素子。 - 前記第1の電極層が、白金(Pt)と、金(Au)と、イリジウム(Ir)と、ルテニウム(Ru)との内のいずれかを含む、請求項1又は2記載の圧電素子。
- シリコン(Si)又は酸化シリコン(SiO2)を主成分とする基板と、
前記基板の一方の面上に形成されて柱状結晶構造を有する酸化ジルコニウム(ZrOX)層、及び、前記酸化ジルコニウム層上に形成されてジルコニウム(Zr)又は酸化チタン(TiO Y )を含む密着層を含む中間層と、
前記中間層上に形成された第1の電極層と、
前記第1の電極層上に、鉛系圧電材料によってパターン形成された圧電体層と、
前記圧電体層上に形成された第2の電極層と、
前記基板の他方の面上に形成され、液体が充填される複数の圧力室と、
前記複数の圧力室に液体を供給するための流路と、
を具備し、
前記中間層及び前記第1の電極層を合わせた厚さが、前記圧電体層の厚さの15%以上、かつ、前記圧電体層の厚さの50%以下である、インクジェットヘッド。 - シリコン(Si)又は酸化シリコン(SiO2)を主成分とする基板と、
前記基板の一方の面上に形成されて柱状結晶構造を有する酸化ジルコニウム(ZrOX)層、及び、前記酸化ジルコニウム層上に形成されてジルコニウム(Zr)又は酸化チタン(TiO Y )を含む密着層を含む中間層と、
前記中間層上に形成された第1の電極層と、
前記第1の電極層上に、鉛系圧電材料によってパターン形成された圧電体層と、
前記圧電体層上に形成された第2の電極層と、
前記基板の他方の面上に形成され、液体が充填される複数の圧力室と、
前記複数の圧力室に液体を供給するための流路と、
を具備し、
前記中間層の厚さが、前記圧電体層の厚さの6%以上であり、前記中間層及び前記第1の電極層を合わせた厚さが、前記圧電体層の厚さの50%以下である、インクジェットヘッド。 - 前記第1の電極層が、白金(Pt)と、金(Au)と、イリジウム(Ir)と、ルテニウム(Ru)との内のいずれかを含む、請求項4又は5記載のインクジェットヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007009317A JP5289710B2 (ja) | 2007-01-18 | 2007-01-18 | 圧電素子及びインクジェットヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007009317A JP5289710B2 (ja) | 2007-01-18 | 2007-01-18 | 圧電素子及びインクジェットヘッド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008177353A JP2008177353A (ja) | 2008-07-31 |
JP5289710B2 true JP5289710B2 (ja) | 2013-09-11 |
Family
ID=39704160
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007009317A Active JP5289710B2 (ja) | 2007-01-18 | 2007-01-18 | 圧電素子及びインクジェットヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5289710B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011119608A (ja) * | 2009-12-07 | 2011-06-16 | Konica Minolta Holdings Inc | 圧電素子、圧電素子を用いたポンプ、および圧電素子の製造方法 |
JP5682216B2 (ja) * | 2010-10-12 | 2015-03-11 | コニカミノルタ株式会社 | 圧電デバイスおよびその製造方法 |
JP5842372B2 (ja) * | 2011-04-21 | 2016-01-13 | コニカミノルタ株式会社 | 圧電デバイスおよびその製造方法 |
WO2014003003A1 (ja) * | 2012-06-25 | 2014-01-03 | 山一電機株式会社 | 電気テスト用コンタクトおよびそれを用いた電気テスト用ソケット |
JP6150038B2 (ja) * | 2013-03-13 | 2017-06-21 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、圧電素子、超音波トランスデューサー及び超音波デバイス |
DE102015103055A1 (de) | 2014-12-04 | 2016-06-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils |
JP7415489B2 (ja) * | 2019-11-29 | 2024-01-17 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電アクチュエーターおよびその製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4380310B2 (ja) * | 2003-12-08 | 2009-12-09 | セイコーエプソン株式会社 | アクチュエータ装置及び液体噴射ヘッド並びに液体噴射装置 |
JP4645024B2 (ja) * | 2003-11-28 | 2011-03-09 | セイコーエプソン株式会社 | アクチュエータ装置の製造方法 |
JP2006100622A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Canon Inc | ユニモルフ型圧電膜素子、液体吐出ヘッド、およびユニモルフ型圧電膜素子の製造方法 |
JP4793568B2 (ja) * | 2005-07-08 | 2011-10-12 | セイコーエプソン株式会社 | アクチュエータ装置、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 |
JP2007035883A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Seiko Epson Corp | アクチュエータ装置及びその製造方法並びに液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 |
-
2007
- 2007-01-18 JP JP2007009317A patent/JP5289710B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008177353A (ja) | 2008-07-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5289710B2 (ja) | 圧電素子及びインクジェットヘッド | |
US7673385B2 (en) | Laminated structure method | |
TWI249437B (en) | Dielectric thin film element, piezoelectric actuator and liquid discharge head, and method for manufacturing the same | |
EP2579348B1 (en) | Piezoelectric device, method of manufacturing piezoelectric device, and liquid ejection head | |
EP2579347B1 (en) | Piezoelectric device and method of manufacturing piezoelectric device | |
EP1046484B1 (en) | Method of forming shaped body of brittle ultra fine particle at low temperature | |
JP2016534563A (ja) | 多層薄膜圧電素子及びその製造方法 | |
JP5472549B1 (ja) | 圧電素子、圧電デバイス、インクジェットヘッドおよびインクジェットプリンタ | |
TWI243496B (en) | Piezoelectric film element, method of manufacturing the same, and liquid discharge head | |
JP2005333108A (ja) | 圧電素子、インクジェットヘッド、角速度センサ及びインクジェット式記録装置 | |
JP2004186646A (ja) | 圧電素子、インクジェットヘッド及びこれらの製造方法、並びにインクジェット式記録装置 | |
JP2005119166A (ja) | 圧電素子、インクジェットヘッド、及びこれらの製造方法、並びにインクジェット式記録装置 | |
JP6314992B2 (ja) | 圧電素子、インクジェットヘッド、インクジェットプリンタおよび圧電素子の製造方法 | |
US7622854B2 (en) | Piezoelectric element and film formation method for crystalline ceramic | |
JP2008028285A (ja) | 圧電体薄膜素子、インクジェットヘッドおよびインクジェット式記録装置 | |
JP6481686B2 (ja) | 強誘電体薄膜、圧電薄膜付き基板、圧電アクチュエータ、インクジェットヘッドおよびインクジェットプリンタ | |
JP2005279953A (ja) | セラミックス構造物及びセラミックス構造物の製造方法 | |
JP2004119703A (ja) | 圧電素子の製造方法及びインクジェットヘッドの製造方法 | |
JP4094521B2 (ja) | 構造物の製造方法 | |
US9853203B2 (en) | Piezoelectric element with underlying layer to control crystallinity of a piezoelectric layer, and piezoelectric device, inkjet head, and inkjet printer including such piezoelectric element | |
JP2007335489A (ja) | 圧電体薄膜素子、薄膜アクチュエータ、インクジェットヘッドおよびインクジェット式記録装置 | |
JP4908746B2 (ja) | 積層構造体及び圧電アクチュエータ、並びに、それらの製造方法 | |
JP2005235796A (ja) | 圧電薄膜素子の製造方法 | |
JP2005203761A (ja) | 圧電膜素子およびその製造方法ならびに液体吐出ヘッド | |
JP2004214308A (ja) | 圧電素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090914 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120814 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120823 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120831 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121023 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121126 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130604 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130605 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5289710 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |