JP6385690B2 - 弾性波デバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Description
12 圧電基板
14 櫛型電極
16〜16c パッド電極
18 バンプ
30 櫛型電極の第1層
32 櫛型電極の第2層
34 櫛型電極の第3層
40 パッド電極の第1層
42 パッド電極の第2層
44 パッド電極の第3層
46 パッド電極の第4層
50、62、66、74 レジストパターン
72、72a 誘電体膜
Claims (9)
- 圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられた櫛型電極と、
前記圧電基板上に設けられ、前記櫛型電極に電気的に接続されたパッド電極と、を備え、
前記櫛型電極は、複数の金属層が互いの側面を覆わずに積層され、前記複数の金属層のうちの最上層の材料の電気抵抗率が前記最上層よりも一層下の層の材料の電気抵抗率よりも大きい積層金属膜であり、
前記パッド電極は、前記櫛型電極の前記積層金属膜のうちの前記圧電基板側から前記一層下の層までの膜構成と同じ膜構成を有し、前記一層下の層に相当する層の上面が露出していることを特徴とする弾性波デバイス。 - 前記パッド電極の前記一層下の層に相当する層上に設けられたバンプを備えることを特徴とする請求項1記載の弾性波デバイス。
- 圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられた櫛型電極と、
前記圧電基板上に設けられ、前記櫛型電極に電気的に接続されたパッド電極と、を備え、
前記櫛型電極は、複数の金属層が互いの側面を覆わずに積層され、前記複数の金属層のうちの最上層の材料の電気抵抗率が前記最上層よりも一層下の層の材料の電気抵抗率よりも大きい積層金属膜であり、
前記パッド電極は、前記櫛型電極の前記積層金属膜のうちの前記圧電基板側から前記一層下の層までの膜構成と同じ膜構成を有すると共に、前記一層下の層に相当する層上に前記最上層とは異なる材料からなる金属層が設けられていることを特徴とする弾性波デバイス。 - 前記パッド電極の前記最上層とは異なる材料からなる金属層上に設けられたバンプを備えることを特徴とする請求項3記載の弾性波デバイス。
- 前記圧電基板上に前記櫛型電極を覆って設けられ、前記圧電基板の弾性定数の温度係数とは逆符号の温度係数である弾性定数を有する誘電体膜を備えることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 前記誘電体膜は、酸化シリコンを主成分とすることを特徴とする請求項5記載の弾性波デバイス。
- 圧電基板上に複数の金属層が互いの側面を覆わずに積層された積層金属膜であって前記複数の金属層のうちの最上層の材料の電気抵抗率が前記最上層よりも一層下の層の材料の電気抵抗率よりも大きい前記積層金属膜を形成して、前記積層金属膜からなる櫛型電極と、前記櫛型電極に電気的に接続された前記積層金属膜からなる金属パターンと、を同時に形成する工程と、
前記金属パターンの前記最上層を除去して前記一層下の層を露出させて、前記櫛型電極に電気的に接続されたパッド電極を形成する工程と、を備えることを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。 - 圧電基板上に複数の金属層が互いの側面を覆わずに積層された積層金属膜であって前記複数の金属層のうちの最上層の材料の電気抵抗率が前記最上層よりも一層下の層の材料の電気抵抗率よりも大きい前記積層金属膜を形成して、前記積層金属膜からなる櫛型電極と、前記櫛型電極に電気的に接続された前記積層金属膜からなる金属パターンと、を同時に形成する工程と、
前記金属パターンの前記最上層を除去して前記一層下の層を露出させる工程と、
前記金属パターンの露出した前記一層下の層上に前記最上層とは異なる材料からなる金属層を形成して、前記櫛型電極に電気的に接続されたパッド電極を形成する工程と、を備えることを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。 - 前記圧電基板上に、前記櫛型電極と前記金属パターンとを覆い、前記圧電基板の弾性定数の温度係数とは逆符号の温度係数である弾性定数を有する誘電体膜を形成する工程を備え、
前記金属パターン上の前記誘電体膜と前記金属パターンの前記最上層とを同じマスクを用いて連続して除去して前記金属パターンの前記一層下の層を露出させることを特徴とする請求項7または8記載の弾性波デバイスの製造方法。
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